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JPH0625658A - Organic electroluminescent element - Google Patents

Organic electroluminescent element

Info

Publication number
JPH0625658A
JPH0625658A JP4179740A JP17974092A JPH0625658A JP H0625658 A JPH0625658 A JP H0625658A JP 4179740 A JP4179740 A JP 4179740A JP 17974092 A JP17974092 A JP 17974092A JP H0625658 A JPH0625658 A JP H0625658A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
substituted
compound
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4179740A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisahiro Azuma
久洋 東
Hiroshi Shoji
弘 東海林
Tadashi Kusumoto
正 楠本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority to JP4179740A priority Critical patent/JPH0625658A/en
Publication of JPH0625658A publication Critical patent/JPH0625658A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain an org. EL element having an excellent acid resistance and a low ionization potential and comprising a high-melting compd. having at least one ferrocenevinyl unit of a specific molecular structure sandwiched between a pair of electrodes. CONSTITUTION:This org. electroluminescent element comprises a compd. contg. at least one ferrocenevinyl unit of the formula and sandwiched between a pair of electrodes. In the formula, A and B are each independently hydrogen, a 1-6C alkyl group, a ferrocenyl group, or a substd. or unsubstd. aryl group wherein a substituent(s), if any, is a 1-6C alkyl group, a 1-6C alkoxyl group, a 6-18C aryloxy group, a phenyl group, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group, or a halogen atom.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子(有機EL素子)に関し、詳しくは、耐酸
化性に優れ、イオン化ポテンシャルを下げることが可能
であり、化合物の融点が高く結晶化を防ぐことが可能な
有機EL素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device (organic EL device), and more specifically, it has excellent oxidation resistance, can lower the ionization potential, and has a high melting point of the compound to prevent crystallization. The present invention relates to an organic EL element that can be manufactured.

【0002】[0002]

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】電解
発光を利用したEL素子は、自己発光による視認性の高
さ、完全固体素子であるため耐衝撃性に優れるといった
特徴を活かし、薄型平面ディスプレイ素子,液晶ディス
プレイのバックライト,平面光源などに用いられてい
る。現在実用化されているEL素子は、分散型EL素子
である。この分散型EL素子では、数10V,10kH
z以上の交流電圧を必要とするため、駆動回路が複雑と
なっている。一方、有機薄膜EL素子は駆動電圧を10
V程度まで低下させることができ、高輝度に発光するた
め近年研究が盛んに行われ、多くの有機薄膜EL素子が
開発されている(C.W.Tang and S.A.
Van Slyke,Appl.Phys.Let
t.,vol.51,pp.913〜915(198
7);特開昭63−264629号公報)。これらの有
機薄膜EL素子は、透明電極/正孔注入層/発光層/背
面電極の積層型であり、正孔注入層により効率良く発光
層内へ正孔を注入することができる。この正孔注入材料
としては、正孔の移動性を示すイオン化ポテンシャルが
5.4〜5.5eVと小さいトリフェニルアミン誘導体に代
表される第3級アミン誘導体が良好である。しかし、こ
れらトリフェニルアミン誘導体は容易に酸化されやす
く、化合物の融点が低いため薄膜が結晶化しやすいとい
う欠点を有している。また、ジスチリルベンゼンのよう
に、単にビニルユニットを含むだけではイオン化ポテン
シャルが5.9〜6.0eVとなり小さくすることはでき
ず、正孔注入材料としては用いることができない。
2. Description of the Related Art An EL device utilizing electroluminescence is a thin flat panel display which utilizes the features of high visibility due to self-emission and excellent impact resistance because it is a complete solid state device. It is used in devices, backlights of liquid crystal displays, and flat light sources. The EL element currently put into practical use is a dispersion type EL element. In this dispersion type EL element, several tens of V, 10 kHz
Since an alternating voltage of z or more is required, the driving circuit is complicated. On the other hand, the organic thin film EL element has a drive voltage of 10
Since it can be reduced to about V and emits light with high brightness, research has been actively conducted in recent years, and many organic thin film EL devices have been developed (CW Tang and S.A.
Van Slyke, Appl. Phys. Let
t. , Vol. 51, pp. 913-915 (198
7); JP-A-63-264629). These organic thin film EL devices are of a laminated type of transparent electrode / hole injection layer / light emitting layer / back electrode, and holes can be efficiently injected into the light emitting layer by the hole injection layer. As this hole injection material, an ionization potential showing hole mobility is used.
Tertiary amine derivatives represented by triphenylamine derivatives as small as 5.4 to 5.5 eV are good. However, these triphenylamine derivatives are easily oxidized and have a drawback that the thin film is easily crystallized because the compound has a low melting point. Further, like distyrylbenzene, the ionization potential cannot be reduced to 5.9 to 6.0 eV by simply including a vinyl unit, and cannot be used as a hole injecting material.

【0003】[0003]

【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、上
記従来技術の欠点を解消し、耐酸性に優れ、イオン化ポ
テンシャルが小さく、化合物の融点が高い有機EL素子
を開発すべく鋭意研究を重ねた。その結果、有機EL素
子の電極間にフェロセンビニルユニットを挟持して用い
ることによって、上記目的が充分に達成できることを見
出した。本発明はかかる知見に基いて完成したものであ
る。
Therefore, the present inventors have conducted diligent research to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, develop an organic EL device having excellent acid resistance, a small ionization potential, and a high melting point of a compound. Overlaid. As a result, they have found that the above object can be sufficiently achieved by sandwiching the ferrocene vinyl unit between the electrodes of the organic EL element. The present invention has been completed based on such findings.

【0004】すなわち本発明は、一般式(I)That is, the present invention has the general formula (I)

【0005】[0005]

【化4】 [Chemical 4]

【0006】(式中、AおよびBは、それぞれ独立に水
素,炭素数1〜6のアルキル基,フェロセニル基,置換
あるいは無置換の炭素数6〜20のアリール基を示し、
AおよびBは同じでも異なっていても良い。ここで、置
換基は、炭素数1〜6のアルキル基,炭素数1〜6のア
ルコキシ基,炭素数6〜18のアリールオキシ基,フェ
ニル基,シアノ基,ニトロ基,水酸基またはハロゲンを
示す。)で表されるフェロセンビニルユニットを1ケ以
上有する化合物を、一対の電極間に挟持してなる有機エ
レクトロルミネッセンス素子を提供するものである。
(In the formula, A and B each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a ferrocenyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms,
A and B may be the same or different. Here, the substituent represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, a phenyl group, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group or halogen. The present invention provides an organic electroluminescence device comprising a compound having one or more ferrocene vinyl units represented by the formula (1) sandwiched between a pair of electrodes.

【0007】本発明は、有機EL素子の電極間にフェロ
センビニルユニットを1つ以上含有する上記一般式
(I)で表される化合物を挟持してなる有機EL素子で
ある。ここで、化合物はモノマーでもオリゴマーでも良
い。ここで、炭素数1〜6のアルキル基としては、メチ
ル基,エチル基,n−プロピル基,i−プロピル基,n
−ブチル基,i−ブチル基,sec−ブチル基,t−ブ
チル基,イソペンチル基,t−ペンチル基,ネオペンチ
ル基,イソヘキシル基等が挙げられる。炭素数6〜20
のアリール基としては、フェニル基,ビフェニル基,ナ
フチル基,アントラセニル基,ターフェニル基,ピレニ
ル基等が挙げられる。置換基の炭素数1〜6のアルキル
基としては、メチル基,エチル基,n−プロピル基,i
−プロピル基,n−ブチル基,i−ブチル基,sec−
ブチル基,t−ブチル基,イソペンチル基,t−ペンチ
ル基,ネオペンチル基,イソヘキシル基等が挙げられ、
炭素数1〜6のアルコキシ基としては、メトキシ基,エ
トキシ基,n−プロポキシ基,i−プロポキシ基,n−
ブチルオキシ基,i−ブチルオキシ基,sec−ブチル
基,t−ブチルオキシ基,イソペンチルオキシ基,t−
ペンチルオキシ基,ネオペンチルオキシ基等が挙げら
れ、炭素数6〜18のアリールオキシ基としては、フェ
ノキシ基,ナフチルオキシ基等が挙げられる。
The present invention is an organic EL device in which a compound represented by the above general formula (I) containing one or more ferrocene vinyl units is sandwiched between electrodes of the organic EL device. Here, the compound may be a monomer or an oligomer. Here, as the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n
-Butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, t-pentyl group, neopentyl group, isohexyl group and the like. 6 to 20 carbon atoms
Examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a terphenyl group, and a pyrenyl group. Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms as the substituent include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i
-Propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-
Butyl group, t-butyl group, isopentyl group, t-pentyl group, neopentyl group, isohexyl group and the like,
Examples of the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-
Butyloxy group, i-butyloxy group, sec-butyl group, t-butyloxy group, isopentyloxy group, t-
Examples thereof include a pentyloxy group and neopentyloxy group, and examples of the aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms include a phenoxy group and a naphthyloxy group.

【0008】この一般式(I)で表される化合物の例と
して、一般式(II)
As an example of the compound represented by the general formula (I), the general formula (II)

【0009】[0009]

【化5】 [Chemical 5]

【0010】(式中、R1 〜R4 は、それぞれ独立に水
素,炭素数1〜6のアルキル基,フェロセニル基,置換
あるいは無置換の炭素数6〜20のアリール基を示し、
1 〜R4 は同じでも異なっていても良い。ここで、置
換基は、炭素数1〜6のアルキル基,炭素数1〜6のア
ルコキシ基,炭素数6〜18のアリールオキシ基,フェ
ニル基,シアノ基,ニトロ基,水酸基またはハロゲンを
示す。また、R1 とR2またはR3 とR4 は置換基と結
合して置換または無置換の飽和五員環または置換または
無置換の飽和六員環を形成しても良い。)および(III)
(In the formula, R 1 to R 4 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a ferrocenyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms,
R 1 to R 4 may be the same or different. Here, the substituent represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, a phenyl group, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group or halogen. R 1 and R 2 or R 3 and R 4 may combine with a substituent to form a substituted or unsubstituted saturated five-membered ring or a substituted or unsubstituted saturated six-membered ring. ) And (III)

【0011】[0011]

【化6】 [Chemical 6]

【0012】(式中、R5 およびR6 は、それぞれ独立
に水素,炭素数1〜6のアルキル基,フェロセニル基,
置換あるいは無置換の炭素数6〜20のアリール基を示
し、R 5 およびR6 は同じでも異なっていても良い。こ
こで、アリール基に結合する置換基は、炭素数1〜6の
アルキル基,炭素数1〜6のアルコキシ基,炭素数6〜
18のアリールオキシ基フェニル基,シアノ基,ニトロ
基,水酸基またはハロゲンを示す。また、Arは置換あ
るいは無置換の炭素数6〜20のアリーレン基を示し、
単一置換されていても複数置換されていても良く、結合
部位はオルト,パラ,メタの何れでも良く、アリーレン
基同士と結合して置換または無置換の飽和五員環または
置換または無置換の飽和六員環を形成しても良い。ここ
で、アリーレン基に結合する置換基としては、炭素数1
〜6のアルキル基,炭素数1〜6のアルコキシ基,炭素
数6〜18のアリールオキシ基,フェニル基,シアノ
基,ニトロ基,水酸基またはハロゲンを示す。)で表さ
れる化合物が挙げられる。ここで、置換基は前記と同じ
である。上記一般式(II)および(III)で表される化合
物はビニル部位(−CH=C=)を一分子中に2つの単
位で有しているが、この部位の幾何学異性によってシス
体あるいはトランス体の組合せができる。本発明の化合
物はそのどちらでもよく、混合したものでも良いが、好
ましくは全てトランス体のものである。
(Where RFiveAnd R6Are independent
Hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a ferrocenyl group,
Shows a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
And R FiveAnd R6May be the same or different. This
Here, the substituent bonded to the aryl group has 1 to 6 carbon atoms.
Alkyl group, C1-C6 alkoxy group, C6-C
18 aryloxy groups phenyl group, cyano group, nitro
Indicates a group, hydroxyl group or halogen. Also, Ar is a substitution
Or an unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms,
Single or multiple substitutions, bond
The part may be ortho, para, or meta, and arylene
A substituted or unsubstituted saturated five-membered ring bonded to groups or
A substituted or unsubstituted saturated 6-membered ring may be formed. here
Thus, the substituent bonded to the arylene group has 1 carbon atom.
~ 6 alkyl group, C1-6 alkoxy group, carbon
Number 6-18 aryloxy group, phenyl group, cyano
Indicates a group, nitro group, hydroxyl group or halogen. )
Compounds that can be mentioned. Here, the substituents are the same as above.
Is. Compounds represented by the above general formulas (II) and (III)
The product has two vinyl moieties (-CH = C =) in one molecule.
It has a cis position, but cis
The body or the trans body can be combined. Compound of the present invention
The items may be either of them, or may be a mixture, but it is preferable.
All of them are in trans form.

【0013】このような一般式(I)で表される化合物
の具体例としては、
Specific examples of the compound represented by the general formula (I) are:

【0014】[0014]

【化7】 [Chemical 7]

【0015】[0015]

【化8】 [Chemical 8]

【0016】が挙げられ、一般式(II)で表される化合
物の具体例としては、
Specific examples of the compound represented by the general formula (II) include

【0017】[0017]

【化9】 [Chemical 9]

【0018】[0018]

【化10】 [Chemical 10]

【0019】[0019]

【化11】 [Chemical 11]

【0020】[0020]

【化12】 [Chemical 12]

【0021】[0021]

【化13】 [Chemical 13]

【0022】[0022]

【化14】 [Chemical 14]

【0023】[0023]

【化15】 [Chemical 15]

【0024】[0024]

【化16】 [Chemical 16]

【0025】[0025]

【化17】 [Chemical 17]

【0026】が挙げられ、一般式(III)で表される化合
物の具体例としては、
Specific examples of the compound represented by the general formula (III) include

【0027】[0027]

【化18】 [Chemical 18]

【0028】[0028]

【化19】 [Chemical 19]

【0029】[0029]

【化20】 [Chemical 20]

【0030】[0030]

【化21】 [Chemical 21]

【0031】[0031]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0032】[0032]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0033】[0033]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0034】[0034]

【化25】 [Chemical 25]

【0035】[0035]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0036】[0036]

【化27】 [Chemical 27]

【0037】が挙げられる。なお、上記一般式(I)〜
(III)で表される化合物の合成法は、「J.Phys.Chem.」
第94巻,第2847〜2851頁(1990年),
「Bull.Chem.Soc.Jpn.」第50巻,第1021〜102
2頁(1977年),「Inorg.Chem. 」第12巻,第1
998〜2004頁(1973年),「J.Chem.Soc.,Ch
em.Commun.」第151頁(1983年)等に記載されて
いる。
And the like. The above general formula (I)-
The synthesis method of the compound represented by (III) is “J.Phys.Chem.”
94, 2847-2851 (1990),
"Bull. Chem. Soc. Jpn.", Volume 50, 1021-102
P. 2 (1977), "Inorg. Chem." Vol. 12, 1
Pp. 998-2004 (1973), "J. Chem. Soc., Ch.
em.Commun. "p. 151 (1983).

【0038】本発明の有機EL素子の構成としては、
陽極/発光層/陰極、陽極/正孔注入層/発光層/陰
極、陽極/発光層/電子注入層/陰極、陽極/正孔
注入層/発光層/電子注入層/陰極などが挙げられる
が、いずれの構成であってもよい。なお、これらの構成
の有機EL素子は、いずれも基板によって支持されてい
ることが好ましい。この基板に関しては特に制限は無
く、従来有機EL素子に慣用されているガラス,透明プ
ラスチック,石英等を用いることができる。フェロセン
ビニルユニットを含有する化合物(以下、フェロセン誘
導体という。)を含む層は、正孔注入層あるいは発光層
であることが望ましく、特に正孔注入層であることが好
ましい。
The structure of the organic EL device of the present invention is as follows.
Examples include anode / light emitting layer / cathode, anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode, anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode, anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode. Any configuration may be used. In addition, it is preferable that all the organic EL elements having these configurations are supported by the substrate. There is no particular limitation on this substrate, and glass, transparent plastic, quartz, or the like conventionally used for organic EL elements can be used. The layer containing a compound containing a ferrocene vinyl unit (hereinafter referred to as a ferrocene derivative) is preferably a hole injection layer or a light emitting layer, and particularly preferably a hole injection layer.

【0039】フェロセン誘導体を含む正孔注入層は、フ
ェロセン誘導体のみからなる単層構造でも良いし、フェ
ロセン誘導体と有機EL素子の正孔注入材料として従来
より用いられている化合物との層からなる複層構造であ
っても良い。さらに、フェロセン誘導体と有機EL素子
の正孔注入材料として従来より用いられている物質との
混合物からなる層を含む単層または複層構造であっても
よい。フェロセン誘導体を含む正孔注入層は、フェロセ
ン誘導体と必要に応じて他の正孔注入材料とを用いて、
真空蒸着法,キャスト法,塗布法,スピンコート法等に
より形成することができる。さらに、ポリカーボネー
ト,ポリウレタン,ポリスチレン,ポリアリレート,ポ
リエステル等の透明ポリマーにシラナミン誘導体を分散
させた溶液を用いたキャスト法、塗布法あるいはスピン
コート法や透明ポリマーとの同時蒸着法等によっても形
成することができる。
The hole injection layer containing a ferrocene derivative may have a single-layer structure composed of only a ferrocene derivative, or a composite layer composed of a layer of a ferrocene derivative and a compound conventionally used as a hole injection material for an organic EL device. It may have a layered structure. Further, it may have a single-layer structure or a multi-layer structure including a layer composed of a mixture of a ferrocene derivative and a substance conventionally used as a hole injection material of an organic EL device. The hole injection layer containing a ferrocene derivative uses a ferrocene derivative and, if necessary, another hole injection material,
It can be formed by a vacuum deposition method, a casting method, a coating method, a spin coating method, or the like. Further, it may be formed by a casting method using a solution in which a silanamin derivative is dispersed in a transparent polymer such as polycarbonate, polyurethane, polystyrene, polyarylate or polyester, a coating method, a spin coating method, or a simultaneous vapor deposition method with a transparent polymer. You can

【0040】また、フェロセン誘導体を含む発光層は、
フェロセン誘導体のみからなる単層構造でもよいし、フ
ェロセン誘導体と有機EL素子の発光材料として従来よ
り用いられている物質との複層構造であってもよい。さ
らに、フェロセン誘導体と有機EL素子の正孔注入材料
として従来より用いられている物質との混合物からなる
層を含む単層または複層構造であってもよい。フェロセ
ン誘導体を含む発光層は、フェロセン誘導体と必要に応
じて他の発光材料とを用いて、真空蒸着層,キャスト
法,塗布法,スピンコート法等により形成することがで
きる。
Further, the light emitting layer containing the ferrocene derivative is
It may have a single-layer structure composed only of a ferrocene derivative, or may have a multi-layer structure of a ferrocene derivative and a substance conventionally used as a light emitting material for an organic EL device. Further, it may have a single-layer structure or a multi-layer structure including a layer composed of a mixture of a ferrocene derivative and a substance conventionally used as a hole injection material of an organic EL device. The light emitting layer containing a ferrocene derivative can be formed by using a ferrocene derivative and, if necessary, another light emitting material by a vacuum deposition layer, a casting method, a coating method, a spin coating method, or the like.

【0041】本発明の有機EL素子において、フェロセ
ン誘導体を含む層以外の層は、従来の有機EL素子と同
様の材料を用いて形成することができる。例えば、陽極
の材料としては仕事関数の大きい(4eV以上)金属,
合金,電気伝導性化合物またはこれらの混合物が好まし
く用いられる。具体的には、Au等の金属,CuI,I
TO,SnO2 ,ZnO等の誘電性透明材料が挙げられ
る。陽極は、蒸着法やスパッタ法等で薄膜を形成するこ
とができる。発光層からの発光を陽極から取り出す場
合、陽極の透過率は10%より大きいことが望ましい。
また、陽極のシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。
陽極の薄膜は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、
好ましくは10〜200nmである。
In the organic EL device of the present invention, the layers other than the layer containing the ferrocene derivative can be formed by using the same material as the conventional organic EL device. For example, as the material of the anode, a metal having a large work function (4 eV or more),
Alloys, electrically conductive compounds or mixtures thereof are preferably used. Specifically, metals such as Au, CuI, I
Dielectric transparent materials such as TO, SnO 2 and ZnO can be used. The anode can be formed into a thin film by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. When the light emitted from the light emitting layer is taken out from the anode, the transmittance of the anode is preferably higher than 10%.
The sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω / □ or less.
Although the thin film of the anode depends on the material, it is usually 10 nm to 1 μm,
It is preferably 10 to 200 nm.

【0042】陰極の材料としては、仕事関数の小さい
(4eV以下)金属,合金,電気伝導性化合物またはこ
れらの混合物が好ましく用いられる。具体例としては、
ナトリウム,ナトリウム−カリウム合金,マグネシウ
ム,リチウム,マグネシウム/銅混合物,Al/Al2
3 ,インジウム等が挙げられる。陰極は、蒸着法やス
パッタ法により薄膜を形成することがデキル。発光層か
らの発光を陰極より取り出す場合、陰極の透過率は10
%より大きいことが望ましい。また、陰極のシート抵抗
は数百Ω/□以下が好ましい。陰極の薄膜は材料にもよ
るが、通常10nm〜1μm、好ましくは50〜200
nmである。なお、発光層からの発光を効率よく取り出
すためには、上記のように陰極の少なくとも一方を透明
または半透明物質により形成することが好ましい。
As a material of the cathode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a small work function (4 eV or less) or a mixture thereof is preferably used. As a specific example,
Sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, Al / Al 2
Examples include O 3 and indium. The cathode is a thin film that can be formed by vapor deposition or sputtering. When the light emitted from the light emitting layer is taken out from the cathode, the transmittance of the cathode is 10
It is desirable to be larger than%. The sheet resistance of the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less. The thin film of the cathode depends on the material, but is usually 10 nm to 1 μm, preferably 50 to 200.
nm. In order to efficiently extract the light emitted from the light emitting layer, at least one of the cathodes is preferably formed of a transparent or semitransparent material as described above.

【0043】また、本発明の発光層をフェロセン誘導体
と他の物質とにより形成する場合、またはフェロセン誘
導体以外の物質のみにより形成する場合は、フェロセン
誘導体以外の他の発光材料としては、例えば多環縮合方
向族化合物やベンゾオキサゾール系,ベンゾチアゾール
系,ベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤,金属キレー
トオキサノイド化合物,ジスチリルベンゼン系化合物等
の薄膜形成性の良い化合物を用いることができる。ここ
で、多環縮合方向族化合物の具体例としては、アントラ
セン,ナフタレン,フェナントレン,ピレン,クリセ
ン,ペリレン骨格等を含む縮合環発光物質や、縮合環を
8〜20個、好ましくは8個含む他の縮合環発光物質等
が挙げられる。また、ベンゾオキサゾール系,ベンゾチ
アゾール系,ベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤とし
ては、例えば特開昭59−194393号公報に開示さ
れているものが挙げられる。その代表例としては、2,
5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキ
サゾリル)−1,3,4−チアジアゾール;4,4’−
ビス(5,7−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリ
ル)スチルベン;4,4’−ビス(5,7−ジ−(2−
メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル)スチ
ルベン;2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2
−ベンゾオキサゾリル)チオフェン;2,5−ビス(5
−(α,α−ジメチルベンジル)−2−ベンゾオキサゾ
リル)チオフェン;2,5−ビス(5,7−ジ−(2−
メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル)−
3,4−ジフェニルチオフェン;2,5−ビス(5−メ
チル−ベンゾオキサゾリル)チオフェン;4,4−ビス
(2−ベンゾオキサゾリル)ビフェニル;5−メチル−
2−(2−(4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリ
ル)フェニル)ビニル)ベンゾオキサゾール;2−(2
−(4−クロロフェニル)ビニル)ナフト(1,2−
d)オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、2,2’
−(p−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾー
ル等のベンゾチアゾール系、2−(2−(4−(2−ベ
ンゾイミダゾリル)フェニル)ビニル)ベンゾイミダゾ
ール、2−(2−(4−カルボキシフェニル)ビニル)
ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系等の蛍光
増白剤が挙げられる。
When the luminescent layer of the present invention is formed of a ferrocene derivative and another substance, or when it is formed only of a substance other than the ferrocene derivative, examples of the luminescent material other than the ferrocene derivative include polycyclic compounds. A compound having a good thin film forming property such as a condensed direction compound, a fluorescent whitening agent such as a benzoxazole-based compound, a benzothiazole-based compound, a benzimidazole-based compound, a metal chelate oxanoide compound, or a distyrylbenzene-based compound can be used. Here, as specific examples of the polycyclic fused directional group compound, a condensed ring light-emitting substance containing anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene skeleton, or the like, and 8 to 20, preferably 8 condensed rings And the like. Further, examples of the fluorescent whitening agent of benzoxazole type, benzothiazole type, benzimidazole type and the like include those disclosed in JP-A-59-194393. Typical examples are 2,
5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) -1,3,4-thiadiazole; 4,4'-
Bis (5,7-t-pentyl-2-benzoxazolyl) stilbene; 4,4′-bis (5,7-di- (2-
Methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl) stilbene; 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2
-Benzoxazolyl) thiophene; 2,5-bis (5
-(Α, α-Dimethylbenzyl) -2-benzoxazolyl) thiophene; 2,5-bis (5,7-di- (2-
Methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl)-
3,4-Diphenylthiophene; 2,5-bis (5-methyl-benzoxazolyl) thiophene; 4,4-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl; 5-methyl-
2- (2- (4- (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl) vinyl) benzoxazole; 2- (2
-(4-Chlorophenyl) vinyl) naphtho (1,2-
d) Benzoxazoles such as oxazole, 2,2 '
Benzothiazoles such as-(p-phenylenedivinylene) -bisbenzothiazole, 2- (2- (4- (2-benzimidazolyl) phenyl) vinyl) benzimidazole, 2- (2- (4-carboxyphenyl) vinyl )
Fluorescent brighteners such as benzimidazole series such as benzimidazole can be mentioned.

【0044】また、前記金属キレート化オキサノイド化
合物としては、例えば特開昭63−295695号公報
に開示されているものを用いることができる。その代表
例としては、トリス(8−キノリノール)アルミニウ
ム,ビス(8−キノリノール)マグネシウム,ビス(ベ
ンゾ(f)−8−キノリノール)亜鉛,ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラート)アルミニウムオキシド,トリ
ス(8−キノリノール)インジウム,トリス(5−メチ
ル−8−キノリノール)アルミニウム,8−キノリノー
ルリチウム,トリス(5−クロロ−8−キノリノール)
ガリウム,ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カル
シウム,ポリ(亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5
−キノリノニル)メタン)等の8−ヒドロキシキノリン
系金属錯体やジリチウムエピンドリジオン等が挙げられ
る。
As the metal chelated oxanoide compound, for example, those disclosed in JP-A-63-295695 can be used. As typical examples thereof, tris (8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) magnesium, bis (benzo (f) -8-quinolinol) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum oxide, tris ( 8-quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, 8-quinolinol lithium, tris (5-chloro-8-quinolinol)
Gallium, bis (5-chloro-8-quinolinol) calcium, poly (zinc (II) -bis (8-hydroxy-5)
Examples include 8-hydroxyquinoline-based metal complexes such as -quinolinonyl) methane) and dilithium epindridione.

【0045】また、前記ジスチリルベンゼン系化合物と
しては、例えば欧州特許第0,373,582 号明細書に開示さ
れているものを用いることができる。その代表例として
は、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン;
1,4−ビス(3−メチルスチリル)ベンゼン;1,4
−ビス(4−メチルスチリル)ベンゼン;ジスチリルベ
ンゼン;1,4−ビス(2−エチルスチリル)ベンゼ
ン;1,4−ビス(3−エチルスチリル)ベンゼン;
1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−メチルベン
ゼン;1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−エチ
ルベンゼン等が挙げられる。
As the distyrylbenzene compound, for example, those disclosed in European Patent No. 0,373,582 can be used. As a typical example thereof, 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene;
1,4-bis (3-methylstyryl) benzene; 1,4
-Bis (4-methylstyryl) benzene; distyrylbenzene; 1,4-bis (2-ethylstyryl) benzene; 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene;
1,4-bis (2-methylstyryl) -2-methylbenzene; 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-ethylbenzene and the like.

【0046】また、特開平2−252793号公報に開
示されているジスチリルピラジン誘導体も発光材料とし
て用いることができる。その代表例としては、2,5−
ビス(4−メチルスチリル)ピラジン;2,5−ビス
(4−エチルスチリル)ピラジン;2,5−ビス(2−
(1−ナフチル)ビニル)ピラジン;2,5−ビス(4
−メトキシスチリル)ピラジン;2,5−ビス(2−
(4−ビフェニル)ビニル)ピラジン;2,5−ビス
(2−(1−ピレニル)ビニル)ピラジン等が挙げられ
る。
Further, the distyrylpyrazine derivative disclosed in JP-A-2-252793 can also be used as a light emitting material. Typical examples are 2,5-
Bis (4-methylstyryl) pyrazine; 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine; 2,5-bis (2-
(1-naphthyl) vinyl) pyrazine; 2,5-bis (4
-Methoxystyryl) pyrazine; 2,5-bis (2-
(4-biphenyl) vinyl) pyrazine; 2,5-bis (2- (1-pyrenyl) vinyl) pyrazine and the like.

【0047】その他、欧州特許第0,388,768 号明細書や
特開平3−231970号公報に開示されているジメチ
リデン誘導体を発光材料として用いることもできる。そ
の代表例としては、1,4−フェニレンジメチリディ
ン;2,5−キシリレンジメチリディン;2,6−ナフ
チレンジメチリディン;4,4’−ビフェニレンジメチ
リディン;4,4''−p−テレフェニレンジメチリディ
ン;9,10−アントラセンジイルジメチリディン;4,
4’−(2,2−ジ−t−ブチルフェニルビニル)ビフ
ェニル;4,4’−(2,2−ジフェニルビニル)ビフ
ェニル等、およびこれらの誘導体が挙げられる。
In addition, the dimethylidene derivative disclosed in European Patent No. 0,388,768 or JP-A-3-231970 can be used as a light emitting material. Typical examples thereof are 1,4-phenylenedimethyridin; 2,5-xylylenedimethyridinide; 2,6-naphthyylenedimethyridin; 4,4'-biphenylenedimethyridin; 4,4 ''. -P-Telephenylenedimethylidene; 9,10-anthracene diyldimethylidene; 4,
4 '-(2,2-di-t-butylphenylvinyl) biphenyl; 4,4'-(2,2-diphenylvinyl) biphenyl and the like, and derivatives thereof.

【0048】さらに、発光材料としては、特開平2−1
91694号公報に開示されているクマリン誘導体、特
開平2−196885号公報に開示されているペリレン
誘導体、特開平2−255789号公報に開示されてい
るナフタレン誘導体、特開平2−289676号公報お
よび同2−88689号公報に開示されているフタロペ
リノン誘導体、特開平2−250292号公報に開示さ
れているスチリルアミン誘導体等が挙げられる。これら
発光材料は、目的とする発光色,性能等に応じて適宜選
択可能である。
Further, as a light emitting material, Japanese Patent Laid-Open No. 2-1 is used.
Coumarin derivatives disclosed in JP-A-91694, perylene derivatives disclosed in JP-A-2-196885, naphthalene derivatives disclosed in JP-A-2-255789, JP-A-2-289676, and the like. Examples thereof include a phthaloperinone derivative disclosed in JP-A-2-88689, and a styrylamine derivative disclosed in JP-A-2-250292. These luminescent materials can be appropriately selected according to the intended luminescent color, performance and the like.

【0049】また、上記発光材料には、米国特許第4,76
9,292 号明細書に開示されている蛍光物質を加えて形成
しても良い。このときのベースとなる物質は、フェロセ
ン誘導体でもフェロセン誘導体以外の発光材料であって
もよい。さらに、フェロセン誘導体と発光材料の混合物
であっても良い。蛍光物質を加えて発光層を形成する場
合、蛍光物質の添加量は数モル%以下が好ましい。蛍光
物質は、電子と正孔との再結合に応答して発光するため
発光機能の1部を担うことになる。さらに、発光材料と
しては、薄膜性を有していない化合物を用いることがで
きる。その具体例としては、1,4−ジフェニル−1,
3−ブタジエン;1,1,4,4−テトラフェニル−
1,3−ブタジエン;テトラフェニルシクロペンタジエ
ン等が挙げられる。しかし、薄膜性を有していないこれ
らの化合物を用いた有機EL素子は素子寿命が短いとい
う欠点を有する。
Further, the above-mentioned light emitting material includes US Pat.
It may be formed by adding the fluorescent substance disclosed in the specification of No. 9,292. The base substance at this time may be a ferrocene derivative or a light emitting material other than the ferrocene derivative. Further, it may be a mixture of a ferrocene derivative and a light emitting material. When the light emitting layer is formed by adding the fluorescent substance, the addition amount of the fluorescent substance is preferably several mol% or less. Since the fluorescent substance emits light in response to the recombination of electrons and holes, it plays a part of the light emitting function. Furthermore, as the light emitting material, a compound having no thin film property can be used. Specific examples thereof include 1,4-diphenyl-1,
3-butadiene; 1,1,4,4-tetraphenyl-
1,3-butadiene; tetraphenylcyclopentadiene and the like. However, the organic EL device using these compounds having no thin film property has a drawback that the device life is short.

【0050】本発明の有機EL素子に必要に応じて設け
られる正孔注入層は、発光層がフェロセン誘導体を含ん
でいればフェロセン誘導体を含む層であっても良いし、
含まない層であってもよい。フェロセン誘導体以外の正
孔注入層としては、有機EL素子の正孔注入材料として
従来より用いられている種々の物質を用いることができ
る。
The hole injecting layer provided as necessary in the organic EL device of the present invention may be a layer containing a ferrocene derivative as long as the light emitting layer contains the ferrocene derivative,
The layer may not be included. For the hole injection layer other than the ferrocene derivative, various substances that have been conventionally used as hole injection materials for organic EL devices can be used.

【0051】また、正孔注入層としてフェロセン誘導体
を含む層を設ける場合、この正孔注入層は前述した通り
であり、好ましくはフェロセン誘導体のみからなる単層
構造または、フェロセン誘導体とポリフィリン化合物ま
たは有機半導体性オリゴマーであるp型の含チオフェン
オリゴマーとの複層構造である。
When a layer containing a ferrocene derivative is provided as the hole injecting layer, this hole injecting layer is as described above, and preferably has a single layer structure consisting of only the ferrocene derivative or a ferrocene derivative and a porphyrin compound or an organic compound. It has a multilayer structure with a p-type thiophene-containing oligomer which is a semiconductor oligomer.

【0052】上記ポリフィリン化合物の代表例として
は、ポルフィン;5,10,15,20−テトラフェニ
ル−21H,23H−ポルフィン銅(II);5,10,
15,20−テトラフェニル21H,23H−ポルフィ
ン亜銅(II);5,10,15,20−テトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)−21H,23H−ポルフィ
ン;シリコンフタロシアニンオキシド;アルミニウムフ
タロシアニンクロリド;フタロシアニン(無金属);ジ
リチウムフタロシアニン;銅テトラメチルフタロシアニ
ン;銅フタロシアニン;クロムフタロシアニン;亜鉛フ
タロシアニン;鉛フタロシアニン;チタニウムフタロシ
アニンオキシド;マグネシウムフタロシアニン;銅オク
タメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
Typical examples of the above porphyrin compounds include porphine; 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphine copper (II); 5,10,
15,20-Tetraphenyl 21H, 23H-porphine cuprous (II); 5,10,15,20-Tetrakis (pentafluorophenyl) -21H, 23H-porphine; Silicon phthalocyanine oxide; Aluminum phthalocyanine chloride; Phthalocyanine (metal free) ); Dilithium phthalocyanine; copper tetramethyl phthalocyanine; copper phthalocyanine; chromium phthalocyanine; zinc phthalocyanine; lead phthalocyanine; titanium phthalocyanine oxide; magnesium phthalocyanine; copper octamethyl phthalocyanine.

【0053】p型の含チオフェンオリゴマーとしては、
特に
As the p-type thiophene-containing oligomer,
In particular

【0054】[0054]

【化28】 [Chemical 28]

【0055】(式中、kは1,2または3、mは1,2
または3であり、nは1,2または3であり、かつk+
m+n≧5であり、R7 ,R8 およびR9 はそれぞれ独
立に炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のア
ルコキシ基またはシクロヘキシル基を示す。)で表され
る有機半導体性オリゴマーが好適である。
(Where, k is 1, 2 or 3, and m is 1, 2 or
Or 3, n is 1, 2 or 3, and k +
m + n ≧ 5, and R 7 , R 8 and R 9 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or a cyclohexyl group. The organic semiconducting oligomer represented by) is suitable.

【0056】本発明の有機EL素子において必要に応じ
て設けられる電子注入層は、陰極より注入された電子を
発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料と
しては従来の公知の電子注入材料から適宜選定すること
ができる。好ましい電子注入材料の例としては、
In the organic EL device of the present invention, the electron injection layer provided as necessary may have a function of transmitting the electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and its material is conventionally known. It can be appropriately selected from electron injection materials. Examples of preferable electron injection materials include:

【0057】[0057]

【化29】 [Chemical 29]

【0058】[0058]

【化30】 [Chemical 30]

【0059】[0059]

【化31】 [Chemical 31]

【0060】[0060]

【化32】 [Chemical 32]

【0061】[0061]

【化33】 [Chemical 33]

【0062】で表される化合物が挙げられる。なお、電
子注入層は、電子の注入性,輸送性,障害性のいずれか
を有する層であり、Si系,SiC系,CdS系等の結
晶性ないし非結晶性材料を用いることもできる。
Examples thereof include compounds represented by: Note that the electron injection layer is a layer having any of an electron injection property, a transport property, and a hindrance property, and a crystalline or non-crystalline material such as Si-based, SiC-based, CdS-based can also be used.

【0063】本発明の有機EL素子には、各層間の付着
性を改善するための層を用いることもできる。この層の
材料の具体例としては、トリス(8−キノリノール)ア
ルミニウム、トリス(8−キノリノール)インジウム等
のキノリノール金属錯体化合物が挙げられる。
In the organic EL device of the present invention, a layer for improving the adhesion between the layers can be used. Specific examples of the material for this layer include quinolinol metal complex compounds such as tris (8-quinolinol) aluminum and tris (8-quinolinol) indium.

【0064】本発明の有機EL素子は、その構成に応じ
て、例えば以下のようにして製造することができる。 陽極/発光層(フェロセン誘導体を含む)/陰極から
なる構成の有機EL素子の場合I 適当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極物質から
なる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの
範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方
法によって形成して陽極を作製する。次に、この陽極板
に一般式(I)〜(III)で表されるフェロセン誘導体の
薄膜を形成することにより、発光層を設ける。フェロセ
ン誘導体の薄膜化は、真空蒸着法,スピンコート法,キ
ャスト法等の方法により行うことができが、均質でピン
ホールが形成しにくいなどから真空蒸着法が好ましい。
真空蒸着法を適用する場合、その蒸着条件は、用いるフ
ェロセン誘導体の種類、目的とする発光層の結晶構造や
会合構造等により異なるが、一般にボート加熱温度50
〜400℃,真空度10-5〜10-3Pa,蒸着速度0.0
1〜50nm/秒,基板温度−50〜300℃,膜厚5
nm〜5μmの範囲で適宜選択することが好ましい。発
光層を形成後、この発光層上に陰極物質からなる薄膜を
1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚
になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成
して陰極を作製する。これにより目的の有機EL素子を
得ることができる。なお、この有機EL素子の製造にお
いては、製造順を逆にして作製することも可能である。
The organic EL device of the present invention can be manufactured, for example, as follows according to its constitution. In the case of an organic EL device composed of an anode / a light emitting layer (including a ferrocene derivative) / a cathode I A thin film of a desired electrode substance, for example, an anode substance, on a suitable substrate is 1 μm or less, preferably in the range of 10 to 200 nm. Then, the anode is formed by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have the above film thickness. Next, a light emitting layer is provided by forming a thin film of the ferrocene derivative represented by the general formulas (I) to (III) on this anode plate. The ferrocene derivative can be formed into a thin film by a method such as a vacuum vapor deposition method, a spin coating method, or a casting method, but the vacuum vapor deposition method is preferable because it is homogeneous and it is difficult to form pinholes.
When the vacuum vapor deposition method is applied, the vapor deposition conditions differ depending on the type of the ferrocene derivative used, the crystal structure or association structure of the target light emitting layer, etc.
~ 400 ° C, vacuum degree 10 -5 ~ 10 -3 Pa, vapor deposition rate 0.0
1 to 50 nm / sec, substrate temperature −50 to 300 ° C., film thickness 5
It is preferable to appropriately select in the range of nm to 5 μm. After forming the light emitting layer, a thin film made of a cathode material is formed on the light emitting layer by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm, to prepare a cathode. As a result, the target organic EL device can be obtained. In addition, in the manufacturing of this organic EL element, it is also possible to manufacture the organic EL element by reversing the manufacturing order.

【0065】陽極/発光層(フェロセン誘導体を含
む)/陰極からなる構成の有機EL素子の場合II 適当な基板上に、と同様にして陽極を作製する。次
に、この陽極板に正孔注入材料,発光材料,電子注入材
料,結着剤(ポリビニルカルバゾール等)を含む溶液を
塗布することにより薄膜を形成するか、またはこの溶液
から浸漬塗工法により薄膜を形成することにより、発光
層を設ける。次いで、陰極物質からなる薄膜を前記の
場合と同様にして発光層上に形成して陰極を作成するこ
とによって、目的とする有機EL素子を得ることができ
る。なお、発光層は上記のようにして形成した層の上に
所望の発光材料の薄膜を真空蒸着法等により形成して複
層構造としても良い。また、正孔注入材料や電子注入材
料と共に発光材料を同時に蒸着することにより、発光層
を形成することもできる。なお、この有機EL素子の製
造においては、製造順を逆にして作製することも可能で
ある。
In the case of an organic EL device having a structure of anode / light emitting layer (including a ferrocene derivative) / cathode II An anode is prepared in the same manner as above. Then, a thin film is formed by applying a solution containing a hole injecting material, a light emitting material, an electron injecting material and a binder (polyvinylcarbazole etc.) to this anode plate, or a thin film is formed from this solution by a dip coating method. To form a light emitting layer. Then, a thin film made of a cathode material is formed on the light emitting layer in the same manner as described above to form a cathode, whereby the target organic EL device can be obtained. The light emitting layer may have a multi-layer structure by forming a thin film of a desired light emitting material on the layer formed as described above by a vacuum deposition method or the like. Alternatively, the light emitting layer can be formed by simultaneously vapor depositing the light emitting material together with the hole injecting material and the electron injecting material. In addition, in the manufacturing of this organic EL element, it is also possible to manufacture the organic EL element by reversing the manufacturing order.

【0066】陽極/正孔注入層(フェロセン誘導体を
含む)/発光層/陰極からなる構成の有機EL素子の場
合 適当な基板上に、と同様にして陽極を作製する。次
に、この陽極板上に一般式(I)〜(III)で表されるフ
ェロセン誘導体の薄膜を形成することにより正孔注入層
を設ける。この正孔注入層は、における発光層と同様
にして形成することができる。次いで、正孔注入層上に
所望の発光材料を用いて発光層を形成する。この発光層
は、真空蒸着法,スピンコート法,キャスト法等により
発光材料を薄膜化することにより形成することができる
が、均質な膜が得られ易く、かつピンホールが形成しに
くい等の点から真空蒸着法により形成することが好まし
い。次いで、陰極物質からなる薄膜を前記の場合と同
様にして発光層上に形成して陰極を作成することによっ
て、目的とする有機EL素子を得ることができる。な
お、この有機EL素子の製造においては、製造順を逆に
して作製することも可能である。
In the case of an organic EL device having a structure of anode / hole injection layer (including ferrocene derivative) / light emitting layer / cathode: An anode is prepared on a suitable substrate in the same manner as described above. Next, a hole injection layer is provided by forming a thin film of the ferrocene derivative represented by the general formulas (I) to (III) on this anode plate. The hole injection layer can be formed in the same manner as the light emitting layer in. Then, a light emitting layer is formed on the hole injection layer using a desired light emitting material. This light emitting layer can be formed by thinning the light emitting material by a vacuum vapor deposition method, a spin coating method, a casting method or the like, but it is easy to obtain a uniform film and it is difficult to form pinholes. Therefore, it is preferable to form it by a vacuum deposition method. Then, a thin film made of a cathode material is formed on the light emitting layer in the same manner as described above to form a cathode, whereby the target organic EL device can be obtained. In addition, in the manufacturing of this organic EL element, it is also possible to manufacture the organic EL element by reversing the manufacturing order.

【0067】陽極/正孔注入層(フェロセン誘導体を
含む)/発光層/電子注入層/陰極からなる構成の有機
EL素子の場合 適当な基板上に、と同様にして陽極〜発光層を作製す
る。次に、この発光層上に電子注入材料からなる膜厚1
μm以下、好ましくは5〜100nmの範囲内の電子注
入層を蒸着やスパッタリング等により形成する。この
後、陰極物質からなる薄膜を前記と同様にして電子注
入層上に形成して陰極を形成することによって、目的と
する有機EL素子を得ることができる。なお、この有機
EL素子の製造においては、製造順を逆にして作製する
ことも可能である。
In the case of an organic EL device having a structure of anode / hole injection layer (including ferrocene derivative) / light emitting layer / electron injection layer / cathode, an anode to a light emitting layer are prepared in the same manner as above. . Next, a film thickness 1 of the electron injection material is formed on the light emitting layer.
An electron injection layer having a thickness of less than or equal to μm, preferably 5 to 100 nm is formed by vapor deposition, sputtering, or the like. Then, a thin film made of a cathode material is formed on the electron injection layer in the same manner as described above to form a cathode, whereby the target organic EL element can be obtained. In addition, in the manufacturing of this organic EL element, it is also possible to manufacture the organic EL element by reversing the manufacturing order.

【0068】上記〜のようにして製造することがで
きる本発明の有機EL素子は、陽極を+、陰極を−の極
性にして5〜40Vの直流電圧を印加することにより発
光を生じる。逆の極性で電圧を印加しても電流は流れ
ず、発光は全く生じない。また、交流電圧を印加する場
合は陽極が+、陰極が−の極性になった場合のみ発光を
生じる。なお、交流電圧を印加する場合は交流の波形は
任意で良い。また、一般式(I)〜(III)で表されるフ
ェロセン誘導体のイオン化ポテンシャルは5.3〜5.5e
Vと低いため、本発明の有機EL素子は低電圧で駆動さ
せることが可能である。また、フェロセン誘導体の薄膜
は、経時的な再結晶化が従来のアミン系材料(例えば、
N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス−(3−メチル
フェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジ
アミン:TPD)を用いた場合よりも素子寿命の悪化し
難い有機EL素子を得ることができる。
The organic EL device of the present invention, which can be manufactured as described above, emits light by applying a DC voltage of 5 to 40 V with the anode having a positive polarity and the cathode having a negative polarity. Even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. When an alternating voltage is applied, light emission occurs only when the anode has a positive polarity and the cathode has a negative polarity. When an AC voltage is applied, the AC waveform may be arbitrary. The ionization potential of the ferrocene derivatives represented by the general formulas (I) to (III) is 5.3 to 5.5e.
Since it is as low as V, the organic EL element of the present invention can be driven at a low voltage. In addition, a thin film of a ferrocene derivative can be recrystallized over time by a conventional amine-based material (for example,
N, N'-diphenyl-N, N'-bis- (3-methylphenyl)-(1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine: TPD) deteriorates the device life as compared with the case of using It is possible to obtain a difficult organic EL element.

【0069】[0069]

【実施例】本発明を合成例,実施例および比較例を用い
て、さらに詳しく説明する。 合成例1
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to Synthesis Examples, Examples and Comparative Examples. Synthesis example 1

【0070】[0070]

【化34】 [Chemical 34]

【0071】の合成 下記ビフェニレン含有リン化合物(ホスホン酸エステ
ル)
Synthesis of the following phosphorus compound containing biphenylene (phosphonate ester)

【0072】[0072]

【化35】 [Chemical 35]

【0073】1.0gとフェロセンカルボキシアルデヒド
(アルドリッチ製)0.9gを乾燥ジメチルスルホキシド
に溶解させ、これにカリウム−t−ブトキシド0.5gを
加え、アルゴン気流下室温で6時間攪拌した。反応液
は、赤茶色懸濁液を呈した。得られた反応液を水50g
へ投入し、有機層を塩化メチレン100ミリリットルに
て抽出した。抽出した有機層を炭酸カリウムで乾燥後、
溶媒留去しシリカゲルカラムにて精製した。さらに、得
られた精製物を塩化メチレンにて再結晶することによ
り、赤橙色鱗片状結晶0.15g(収率12%)を得た。
得られた化合物の融点は300℃であり、質量分析を行
った結果、m/Z=574のピークのみが得られ目的物
であることを確認した。元素分析の結果は、C 3630
2 =574.33として、C:75.49%(理論値:7
5.29%),H:4.98%(理論値:5.26%)であっ
た。また、イオン化ポテンシャル(理研計器製,大気下
光電子分光法)は、5.38eVであり、吸収スペクトル
(ジメチルホルムアミド中)はλmax =350nm(ε
=4.6×104 mol-1・ リットル・ cm-1)であっ
た。
1.0 g and ferrocene carboxaldehyde
(Aldrich) 0.9 g dry dimethyl sulfoxide
And 0.5 g of potassium t-butoxide was added to the solution.
In addition, the mixture was stirred under an argon stream at room temperature for 6 hours. Reaction liquid
Exhibited a reddish brown suspension. 50 g of the obtained reaction liquid
To 100 ml of methylene chloride.
Extracted. After drying the extracted organic layer with potassium carbonate,
The solvent was distilled off and the residue was purified with a silica gel column. Moreover,
By recrystallizing the obtained purified product with methylene chloride.
Thus, 0.15 g (yield 12%) of reddish orange scale crystals were obtained.
The melting point of the obtained compound was 300 ° C, and mass spectrometry was performed.
As a result, only the peak at m / Z = 574 was obtained and the target product was obtained.
Was confirmed. The result of elemental analysis is C 36H30F
e2= 574.33, C: 75.49% (theoretical value: 7
5.29%), H: 4.98% (theoretical value: 5.26%)
It was Also, ionization potential (manufactured by Riken Keiki, in the atmosphere
Photoelectron spectroscopy) is 5.38 eV, absorption spectrum
(In dimethylformamide) has λ max = 350 nm (ε
= 4.6 x 10Fourmol-1・ Liter ・ cm-1)
It was

【0074】実施例1 開口数(NA)40材である25mm×75mm×1.1mmの
ガラス基板上に、ITOを蒸着法にて100nmの厚さ
で製膜したもの(HOYA製)を透明支持基板とした。
なお、この基板は、イソプロピルアルコール中で5分間
超音波洗浄後、窒素を吹きつけて乾燥し、UVオゾン洗
浄(UV300,サムコインターナショナル社製)を1
0分間行ったものである。この透明支持基板上に、合成
例1で得られたフェロセン誘導体(以下、FeVBiと
略す。)200mgを入れたモリブデン製抵抗加熱ボー
トと、ジメチリデン系発光材料である4,4’−ビス−
(2,2−ジフェニルビニル)−1,1’−ビフェニル
(以下、DPVBiと略す。)を入れたモリブデン製抵
抗加熱ボートと、電子輸送性物質であるトリス(8−キ
ノリノール)アルミニウム(以下、Alqと略す。)2
00mgを入れたモリブデン製抵抗加熱ボートとをそれ
ぞれ通電用端子台に取付けた。次いで、この透明支持基
板を市販の真空蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基
板ホルダーに固定し、真空槽を1×10-4Paまで減圧
した。その後FeVBiの入った前記ボートを320℃
まで加熱し、蒸着速度0.4〜0.6nm/秒で透明支持基
板上に蒸着して、膜厚60nmのFeVBi層(正孔注
入層に相当)を製膜させた。次に、DPVBi入りのボ
ートを加熱し、蒸着速度0.4〜0.6nm/秒でFeVB
i層上に蒸着して、膜厚40nmのDPVBi層(発光
層に相当)を製膜させた。次に、Alq入りのボートを
加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒でDPVBi層上
に蒸着して、膜厚20nmのAlq層(電子注入層に相
当)を製膜させた。次いで、真空層を開け、新たにマグ
ネシウム入りのモリブデン製ボートと銀入りのタングス
テン製フィラメントボートとを通電用端子台に付けた。
また、先に得られたガラス基板/ITO膜/FeVBi
層/DPVBi層/Alq層の上に蒸着用マスクを取付
けた。そして、再び真空槽を1×10-4Paまで減圧し
た後、先ず銀入りのフィラメントボートに通電して蒸着
レート0.09〜0.1nm/秒で銀を蒸着させると同時
に、マグネシウム入りのボートに通電して蒸着レート1.
4〜1.7nm/秒でマグネシウムを蒸着させた。この2
元同時蒸着により、Alq層上に膜厚150nmのマグ
ネシウム・銀層(陰極に相当)が形成され、目的の有機
EL素子を得ることができた。このようにして得られた
有機EL素子のマグネシウム・銀層を陰極としてITO
膜を陽極として、15Vの電圧を印加したところ、50
cd/m2 の青色発光が観測された。このことは、正孔
注入能を有するFeVBi層が、効率良く正孔をDPV
Bi層に運ぶためDPVBiの青色発光が成されたこと
を示している。
Example 1 A glass substrate having a numerical aperture (NA) of 40 and having a size of 25 mm × 75 mm × 1.1 mm and having a thickness of 100 nm (made by HOYA) of ITO was transparently supported on a glass substrate. It was used as a substrate.
The substrate was ultrasonically cleaned in isopropyl alcohol for 5 minutes, then blown with nitrogen to be dried, and then UV ozone cleaning (UV300, manufactured by Samco International) was performed.
It was done for 0 minutes. On this transparent support substrate, a resistance heating boat made of molybdenum, in which 200 mg of the ferrocene derivative obtained in Synthesis Example 1 (hereinafter abbreviated as FeVBi) was placed, and a dimethylidene-based luminescent material 4,4′-bis-
A resistance heating boat made of molybdenum containing (2,2-diphenylvinyl) -1,1′-biphenyl (hereinafter, abbreviated as DPVBi) and tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter, Alq) which is an electron transporting substance. 2)
A molybdenum resistance heating boat containing 00 mg was attached to each energizing terminal block. Then, this transparent supporting substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus (manufactured by Nippon Vacuum Technology Co., Ltd.), and the vacuum chamber was depressurized to 1 × 10 −4 Pa. Then, the boat containing FeVBi was heated to 320 ° C.
Then, the film was heated up to a vapor deposition rate of 0.4 to 0.6 nm / sec and vapor-deposited on the transparent support substrate to form a FeVBi layer (corresponding to a hole injection layer) having a film thickness of 60 nm. Next, the boat containing DPVBi was heated, and FeVB was deposited at a deposition rate of 0.4 to 0.6 nm / sec.
A DPVBi layer (corresponding to a light emitting layer) having a film thickness of 40 nm was formed by vapor deposition on the i layer. Next, the boat containing Alq was heated and vapor-deposited on the DPVBi layer at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec to form an Alq layer (corresponding to an electron injection layer) having a film thickness of 20 nm. Next, the vacuum layer was opened, and a molybdenum boat containing magnesium and a tungsten filament boat containing silver were newly attached to the energizing terminal block.
In addition, the previously obtained glass substrate / ITO film / FeVBi
A vapor deposition mask was attached over the layer / DPVBi layer / Alq layer. After decompressing the vacuum chamber to 1 × 10 -4 Pa again, first, the filament boat containing silver was energized to deposit silver at a deposition rate of 0.09 to 0.1 nm / sec and, at the same time, the boat containing magnesium. Energize to vapor deposition rate 1.
Magnesium was vapor deposited at 4-1.7 nm / sec. This 2
A 150 nm thick magnesium / silver layer (corresponding to a cathode) was formed on the Alq layer by the original simultaneous vapor deposition, and the target organic EL device could be obtained. The magnesium / silver layer of the organic EL device thus obtained is used as a cathode for ITO.
When a voltage of 15 V was applied using the film as an anode, 50
A blue emission of cd / m 2 was observed. This means that the FeVBi layer having the hole injecting ability efficiently injects holes into the DPV.
It shows that the blue light emission of DPVBi was performed to carry it to the Bi layer.

【0075】また、薄膜維持能(耐酸化性)を評価する
ため、フェロセン誘導体と3級アミンの代表例としてT
PDを用いて比較を行った。実施例と同様にして、膜厚
60nmのFeVBi層を作製し、1ケ月間室温にて空
気中に放置した後、光学顕微鏡観察を行った。この結
果、再結晶によるFeVBi層の破壊は観られなかっ
た。同様にして、TPDを用いてTPD膜を作製し、試
験を行った。この結果、再結晶によるTPD層の破壊が
観られた。
Further, in order to evaluate the thin film maintaining ability (oxidation resistance), T was used as a typical example of a ferrocene derivative and a tertiary amine.
Comparisons were made using PD. An FeVBi layer having a film thickness of 60 nm was prepared in the same manner as in the example, and allowed to stand in the air at room temperature for one month, and then observed with an optical microscope. As a result, no destruction of the FeVBi layer due to recrystallization was observed. Similarly, a TPD film was prepared using TPD and tested. As a result, destruction of the TPD layer due to recrystallization was observed.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上の如く、本発明の有機EL素子は、
フェロセンビニルユニットを含有することで耐酸化性に
優れ、イオン化ポテンシャルを下げることが可能であ
り、融点を高くすることができる。したがって、本発明
の有機EL素子は、実用的価値の高いものとして、様々
な分野で有効な利用が期待される。
As described above, the organic EL device of the present invention is
By containing the ferrocene vinyl unit, the oxidation resistance is excellent, the ionization potential can be lowered, and the melting point can be increased. Therefore, the organic EL element of the present invention is expected to be effectively used in various fields as having high practical value.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、AおよびBは、それぞれ独立に水素,炭素数1
〜6のアルキル基,フェロセニル基,置換あるいは無置
換の炭素数6〜20のアリール基を示し、AおよびBは
同じでも異なっていても良い。ここで、置換基は、炭素
数1〜6のアルキル基,炭素数1〜6のアルコキシ基,
炭素数6〜18のアリールオキシ基,フェニル基,シア
ノ基,ニトロ基,水酸基またはハロゲンを示す。)で表
されるフェロセンビニルユニットを1ケ以上有する化合
物を、一対の電極間に挟持してなる有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
1. A compound represented by the general formula (I): (In the formula, A and B are independently hydrogen and a carbon number of 1
~ 6 alkyl group, ferrocenyl group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and A and B may be the same or different. Here, the substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms,
It represents an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, a phenyl group, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group or halogen. ) An organic electroluminescence device comprising a compound having one or more ferrocene vinyl units represented by the formula (1) sandwiched between a pair of electrodes.
【請求項2】 フェロセンビニルユニットを有する化合
物が、一般式(II) 【化2】 (式中、R1 〜R4 は、それぞれ独立に水素,炭素数1
〜6のアルキル基,フェロセニル基,置換あるいは無置
換の炭素数6〜20のアリール基を示し、R1 〜R4
同じでも異なっていても良い。ここで、置換基は、炭素
数1〜6のアルキル基,炭素数1〜6のアルコキシ基,
炭素数6〜18のアリールオキシ基,フェニル基,シア
ノ基,ニトロ基,水酸基またはハロゲンを示す。また、
1 とR2またはR3 とR4 は置換基と結合して置換ま
たは無置換の飽和五員環または置換または無置換の飽和
六員環を形成しても良い。)で表される化合物であるこ
とを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
2. A compound having a ferrocene vinyl unit is represented by the general formula (II): (In the formula, R 1 to R 4 are independently hydrogen and carbon atoms 1
~ 6 alkyl group, ferrocenyl group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and R 1 to R 4 may be the same or different. Here, the substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms,
It represents an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, a phenyl group, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group or halogen. Also,
R 1 and R 2 or R 3 and R 4 may combine with a substituent to form a substituted or unsubstituted saturated five-membered ring or a substituted or unsubstituted saturated six-membered ring. The organic electroluminescent element of Claim 1 which is a compound represented by these.
【請求項3】 フェロセンビニルユニットを有する化合
物が、一般式(III) 【化3】 (式中、R5 およびR6 は、それぞれ独立に水素,炭素
数1〜6のアルキル基,フェロセニル基,置換あるいは
無置換の炭素数6〜20のアリール基を示し、R 5 およ
びR6 は同じでも異なっていても良い。ここで、アリー
ル基に結合する置換基は、炭素数1〜6のアルキル基,
炭素数1〜6のアルコキシ基,炭素数6〜18のアリー
ルオキシ基フェニル基,シアノ基,ニトロ基,水酸基ま
たはハロゲンを示す。また、Arは置換あるいは無置換
の炭素数6〜20のアリーレン基を示し、単一置換され
ていても複数置換されていても良く、結合部位はオル
ト,パラ,メタの何れでも良く、アリーレン基同士と結
合して置換または無置換の飽和五員環または置換または
無置換の飽和六員環を形成しても良い。ここで、アリー
レン基に結合する置換基としては、炭素数1〜6のアル
キル基,炭素数1〜6のアルコキシ基,炭素数6〜18
のアリールオキシ基,フェニル基,シアノ基,ニトロ
基,水酸基またはハロゲンを示す。)
3. A compound having a ferrocene vinyl unit.
The compound has the general formula (III):(In the formula, RFiveAnd R6Are independently hydrogen and carbon
Alkyl groups, ferrocenyl groups, substituted or
An unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, R FiveAnd
And R6May be the same or different. Where ally
The substituent bonded to the alkyl group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
C1-C6 alkoxy group, C6-C18 aryl
Luoxy group Phenyl group, cyano group, nitro group, hydroxyl group
Or halogen. Ar is substituted or unsubstituted
Represents an arylene group having 6 to 20 carbon atoms of
Or more than one may be substituted, and the binding site is
It may be any of g, para, and meta, and is bonded to the arylene groups.
Substituted or unsubstituted saturated five-membered ring or substituted or
An unsubstituted saturated 6-membered ring may be formed. Where ally
The substituent bonded to the len group may be an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
Kill group, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms
Aryloxy group, phenyl group, cyano group, nitro
Indicates a group, hydroxyl group or halogen. )
【請求項4】 正孔注入材料が請求項1〜3のいずれか
に記載の化合物からなることを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子。
4. An organic electroluminescent device, characterized in that the hole injection material comprises the compound according to any one of claims 1 to 3.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103584A (en) * 2002-09-05 2004-04-02 Samsung Electronics Co Ltd Organic electroluminescent element using metallocene compound
JP2009209073A (en) * 2008-03-03 2009-09-17 Univ Kinki Polycyano oligo phenylene ethynylene compound having electron-donating group introduced to its molecular terminal
WO2010087222A1 (en) 2009-01-28 2010-08-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic electroluminescent element, display device, and illumination device
CN102070674A (en) * 2010-12-09 2011-05-25 浙江工业大学 Ferrocene-2,4-dichlorphenylethylene and preparation and application thereof
KR101244571B1 (en) * 2006-02-22 2013-03-26 삼성전자주식회사 Novel ferrocene containing polymer and organic memory device comprising the same

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