JPH0619670B2 - 自動精密位置合せシステム - Google Patents
自動精密位置合せシステムInfo
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- JPH0619670B2 JPH0619670B2 JP59264488A JP26448884A JPH0619670B2 JP H0619670 B2 JPH0619670 B2 JP H0619670B2 JP 59264488 A JP59264488 A JP 59264488A JP 26448884 A JP26448884 A JP 26448884A JP H0619670 B2 JPH0619670 B2 JP H0619670B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67271—Sorting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
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Description
【発明の詳細な説明】 <技術分野> 本発明は、表面に所定パターンを有する被処理物体、殊
に表面には格子状に配列された複数個の直線状領域が存
在し且つかかる直線状領域によつて区画された複数個の
矩形領域の各々には同一の回路パターンが施されている
半導体ウエーハを、所要位置に位置付ける自動精密位置
合せシステムに関する。
に表面には格子状に配列された複数個の直線状領域が存
在し且つかかる直線状領域によつて区画された複数個の
矩形領域の各々には同一の回路パターンが施されている
半導体ウエーハを、所要位置に位置付ける自動精密位置
合せシステムに関する。
<従来技術> 周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、略円
板状の半導体ウエーハの表面が格子状に配列された所定
幅の直線状領域(かかる直線状領域は一般にストリート
と称されている)によつて複数個の矩形領域に区画さ
れ、かかる矩形領域の各々には通常は同一の回路パター
ンが施される。しかる後に、上記直線状領域において半
導体ウエーハが切断され、かくして回路パターンが施さ
れている複数個の矩形領域が個々に分離される(個々に
分離された矩形領域は一般にチップと称されている)。
半導体フエーハの切断は充分精密に上記直線状領域にお
いて遂行することが重要であり、上記直線状領域自体の
幅は、極めて狭く、一般に、数十μm程度である。それ
故に、ダイヤモンドブレードの如き切断手段によつて半
導体ウエーハを切断する際には、切断手段に関して著し
く精密に半導体ウエーハを位置合せすることが必要であ
る。
板状の半導体ウエーハの表面が格子状に配列された所定
幅の直線状領域(かかる直線状領域は一般にストリート
と称されている)によつて複数個の矩形領域に区画さ
れ、かかる矩形領域の各々には通常は同一の回路パター
ンが施される。しかる後に、上記直線状領域において半
導体ウエーハが切断され、かくして回路パターンが施さ
れている複数個の矩形領域が個々に分離される(個々に
分離された矩形領域は一般にチップと称されている)。
半導体フエーハの切断は充分精密に上記直線状領域にお
いて遂行することが重要であり、上記直線状領域自体の
幅は、極めて狭く、一般に、数十μm程度である。それ
故に、ダイヤモンドブレードの如き切断手段によつて半
導体ウエーハを切断する際には、切断手段に関して著し
く精密に半導体ウエーハを位置合せすることが必要であ
る。
而して、上記切断等のために半導体ウエーハを所要位置
に充分精密に位置付けるための、種々の形態の自動精密
位置合せシステムが、既に提案され実用に供されてい
る。かような自動精密位置合せシステムは、一般に、保
持手段に保持された半導体ウエーハの表面に存在する上
記直線状領域の相対的位置を充分精密に検出し、かかる
検出に基いて保持手段を移動せしめて半導体ウエーハを
所要位置に位置合せしている。かような自動精密位置合
せシステムにおける上記直線状領域の相対的位置の検出
は、一般に、パターンマッチング方式を利用している。
その典型例においては、半導体ウエーハが所定位置に位
置付けられた時のその表面上の特徴的な特定領域のパタ
ーン即ち第1のキーパターン、及びかかる第1のキーパ
ターンの位置と共に、半導体ウエーハが上記所定位置か
ら90度回転せしめられて所定位置に位置付けられた時の
その表面上の特徴的な特定領域のパターン即ち第2のキ
ーパターン、及びかかる第2のキーパターンの位置を予
め記憶して置く。そして、位置合せにおいては、最初
に、位置合せすべき半導体ウエーハの表面上で上記第1
のキーパターンと同一のパターンを検出し、かかる検出
に基いて半導体ウエーハの位置付けを遂行する。更に、
半導体ウエーハを時計方向又は反時計方向に90度回転
せしめ、しかる後に、半導体ウエーハの表面上で上記第
2のキーパターンと同一のパターンを検出し、かかる検
出に基いて半導体ウエーハの位置付けを遂行する。
に充分精密に位置付けるための、種々の形態の自動精密
位置合せシステムが、既に提案され実用に供されてい
る。かような自動精密位置合せシステムは、一般に、保
持手段に保持された半導体ウエーハの表面に存在する上
記直線状領域の相対的位置を充分精密に検出し、かかる
検出に基いて保持手段を移動せしめて半導体ウエーハを
所要位置に位置合せしている。かような自動精密位置合
せシステムにおける上記直線状領域の相対的位置の検出
は、一般に、パターンマッチング方式を利用している。
その典型例においては、半導体ウエーハが所定位置に位
置付けられた時のその表面上の特徴的な特定領域のパタ
ーン即ち第1のキーパターン、及びかかる第1のキーパ
ターンの位置と共に、半導体ウエーハが上記所定位置か
ら90度回転せしめられて所定位置に位置付けられた時の
その表面上の特徴的な特定領域のパターン即ち第2のキ
ーパターン、及びかかる第2のキーパターンの位置を予
め記憶して置く。そして、位置合せにおいては、最初
に、位置合せすべき半導体ウエーハの表面上で上記第1
のキーパターンと同一のパターンを検出し、かかる検出
に基いて半導体ウエーハの位置付けを遂行する。更に、
半導体ウエーハを時計方向又は反時計方向に90度回転
せしめ、しかる後に、半導体ウエーハの表面上で上記第
2のキーパターンと同一のパターンを検出し、かかる検
出に基いて半導体ウエーハの位置付けを遂行する。
然るに、上述した通りの自動精密位置合せシステムに
は、キーパターンの記憶及びパターンマツチング(即ち
キーパターンと同一パターンの検出)に比較的長時間を
要し、それ故に、上記切断等の半導体ウエーハ処理工程
における高速化を阻害する、という解決すべき問題乃至
欠点が存在する。
は、キーパターンの記憶及びパターンマツチング(即ち
キーパターンと同一パターンの検出)に比較的長時間を
要し、それ故に、上記切断等の半導体ウエーハ処理工程
における高速化を阻害する、という解決すべき問題乃至
欠点が存在する。
<発明の目的> 本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主
目的は、位置合せ精度を低下せしめることなく充分な高
速で半導体ウエーハの如き被処理物体を所要位置に位置
付けることができる、改良された自動精密位置合せシス
テムを提供することである。
目的は、位置合せ精度を低下せしめることなく充分な高
速で半導体ウエーハの如き被処理物体を所要位置に位置
付けることができる、改良された自動精密位置合せシス
テムを提供することである。
<発明の要約> 本発明者は、鋭意検討の結果、次の事実を見出した。即
ち、従来は、キーパターンの記憶において、被処理物体
を90度回転せしめる前の第1のキーパターンの選定及
び記憶と被処理物体を90度回転せしめた後の第2のキ
ーパターンの選定及び記憶とを別個独立に遂行し、そし
てまた被処理物体を90度回転せしめる前のパターンマ
ツチング(即ち第1のキーパターンと同一のパターンの
検出)と被処理物体を90度回転せしめた後のパターン
マツチング(即ち第2のキーパターンと同一のパターン
の検出)とを特に関連付けることなく別個独立に遂行し
ており、それ故にキーパターンの記憶及びパターンマツ
チングに比較的長時間を要していた。然るに、被処理物
体を90度回転せしめる前の第1のキーパターンと被処
理物体を90度回転せしめた後の第2のキーパターンと
を共通化せしめて特定の領域を選定すれば、キーパター
ンの記憶に関しては、第1のキーパターンの記憶におい
ては、上記特定の領域のパターン及びその位置を実際に
検知することが必要であるが、上記第2のキーパターン
の記憶においては、被処理物体が90度回転せしめられ
た後の上記特定の領域のパターン及びその位置を、上記
第1のキーパターンに関する既に記憶されたデータに基
いて算出(所謂座標変換算出)することができ、かくし
てキーパターンの記憶に要する時間を大幅に短縮でき
る。また、パターンマツチングに関しては、被処理物体
を90度回転する前において第1のキーパターンと同一
のパターンの位置を検出すれば、かかるパターンの位置
に基いて被処理物体を90度回転した後における第2の
キーパターンと同一のパターンの位置を算出(所謂座標
変換算出)することができ、かくしてパターンマツチン
グに要する時間を大幅に短縮できる。
ち、従来は、キーパターンの記憶において、被処理物体
を90度回転せしめる前の第1のキーパターンの選定及
び記憶と被処理物体を90度回転せしめた後の第2のキ
ーパターンの選定及び記憶とを別個独立に遂行し、そし
てまた被処理物体を90度回転せしめる前のパターンマ
ツチング(即ち第1のキーパターンと同一のパターンの
検出)と被処理物体を90度回転せしめた後のパターン
マツチング(即ち第2のキーパターンと同一のパターン
の検出)とを特に関連付けることなく別個独立に遂行し
ており、それ故にキーパターンの記憶及びパターンマツ
チングに比較的長時間を要していた。然るに、被処理物
体を90度回転せしめる前の第1のキーパターンと被処
理物体を90度回転せしめた後の第2のキーパターンと
を共通化せしめて特定の領域を選定すれば、キーパター
ンの記憶に関しては、第1のキーパターンの記憶におい
ては、上記特定の領域のパターン及びその位置を実際に
検知することが必要であるが、上記第2のキーパターン
の記憶においては、被処理物体が90度回転せしめられ
た後の上記特定の領域のパターン及びその位置を、上記
第1のキーパターンに関する既に記憶されたデータに基
いて算出(所謂座標変換算出)することができ、かくし
てキーパターンの記憶に要する時間を大幅に短縮でき
る。また、パターンマツチングに関しては、被処理物体
を90度回転する前において第1のキーパターンと同一
のパターンの位置を検出すれば、かかるパターンの位置
に基いて被処理物体を90度回転した後における第2の
キーパターンと同一のパターンの位置を算出(所謂座標
変換算出)することができ、かくしてパターンマツチン
グに要する時間を大幅に短縮できる。
本発明は、本発明者が見出した上記事実を基にしたもの
であり、本発明によれば、表面に所定パターンを有する
被処理物体を所要位置に位置付ける自動精密位置合せシ
ステムにして; 被処理物体を保持するための保持手段と、 該保持手段をx方向,y方向及びθ方向に移動せしめる
ための移動手段と、 該保持手段に保持された該被処理物体の該表面の少なく
とも一部の画像を撮像して、x−yマトリツクス配列画
素の濃度を示すアナログ信号を出力するための撮像手段
と、 該撮像手段が出力する該アナログ信号に対応した信号を
記憶するための画像フレームメモリと、 該保持手段に保持された該被処理物体が所定位置に位置
付けられた時に該撮像手段に撮像される画像における少
なくとも1個の特定領域に存在するキーパターンを示す
第1のキーパターン信号を該画像フレームメモリに記憶
された信号に基いて記憶すると共に、該キーパターンの
位置を示す第1のキーパターン位置信号を記憶し、更
に、該第1のキーパターン信号及び該第1のキーパター
ン位置信号からの算出に基いて、該被処理物体が該所定
位置からθ方向に90度回転せしめられた場合における
該キーパターンを示す第2のキーパターン信号及び該キ
ーパターンの位置を示す第2のキーパターン位置信号を
記憶するためのキーパターンメモリと、 該画像フレームメモリに記憶されている信号と該キーパ
ターンメモリに記憶されている該第1のキーパターン信
号とに基く第1のパターンマツチング作用、及び該画像
フレームメモリに記憶されている信号と該キーパターン
メモリに記憶されている該第2のキーパターン信号とに
基く第2のパターンマツチング作用を遂行するためのパ
ターンマツチング手段と、 該第1のパターンマツチング作用に基いて該移動手段を
作動せしめ、かくして該保持手段に保持された該被処理
物体の第1の位置付けを遂行し、次いで、該保持手段を
θ方向に90度回転せしめると共に、x方向及びy方向
に所要座標変換移動せしめ、しかる後に、該第2のパタ
ーンマツチング作用に基いて該移動手段を作動せしめ、
かくして該保持手段に保持された該被処理物体の第2の
位置付けを遂行するための移動制御手段と、 を具備することを特徴とする自動精密位置合せシステム
が提供される。
であり、本発明によれば、表面に所定パターンを有する
被処理物体を所要位置に位置付ける自動精密位置合せシ
ステムにして; 被処理物体を保持するための保持手段と、 該保持手段をx方向,y方向及びθ方向に移動せしめる
ための移動手段と、 該保持手段に保持された該被処理物体の該表面の少なく
とも一部の画像を撮像して、x−yマトリツクス配列画
素の濃度を示すアナログ信号を出力するための撮像手段
と、 該撮像手段が出力する該アナログ信号に対応した信号を
記憶するための画像フレームメモリと、 該保持手段に保持された該被処理物体が所定位置に位置
付けられた時に該撮像手段に撮像される画像における少
なくとも1個の特定領域に存在するキーパターンを示す
第1のキーパターン信号を該画像フレームメモリに記憶
された信号に基いて記憶すると共に、該キーパターンの
位置を示す第1のキーパターン位置信号を記憶し、更
に、該第1のキーパターン信号及び該第1のキーパター
ン位置信号からの算出に基いて、該被処理物体が該所定
位置からθ方向に90度回転せしめられた場合における
該キーパターンを示す第2のキーパターン信号及び該キ
ーパターンの位置を示す第2のキーパターン位置信号を
記憶するためのキーパターンメモリと、 該画像フレームメモリに記憶されている信号と該キーパ
ターンメモリに記憶されている該第1のキーパターン信
号とに基く第1のパターンマツチング作用、及び該画像
フレームメモリに記憶されている信号と該キーパターン
メモリに記憶されている該第2のキーパターン信号とに
基く第2のパターンマツチング作用を遂行するためのパ
ターンマツチング手段と、 該第1のパターンマツチング作用に基いて該移動手段を
作動せしめ、かくして該保持手段に保持された該被処理
物体の第1の位置付けを遂行し、次いで、該保持手段を
θ方向に90度回転せしめると共に、x方向及びy方向
に所要座標変換移動せしめ、しかる後に、該第2のパタ
ーンマツチング作用に基いて該移動手段を作動せしめ、
かくして該保持手段に保持された該被処理物体の第2の
位置付けを遂行するための移動制御手段と、 を具備することを特徴とする自動精密位置合せシステム
が提供される。
<発明の好適具体例> 以下、添付図面を参照して、本発明に従つて構成された
自動精密位置合せシステムの一具体例について詳細に説
明する。
自動精密位置合せシステムの一具体例について詳細に説
明する。
第1図は、本発明に従つて構成された自動精密位置合せ
システムの一具体例が装備された半導体ウエーハ切断装
置の一部を図式的に示している。切断すべき半導体ウエ
ーハ2は、それ自体は公知の形態でよい適宜の供給手段
(図示していない)によつて供給されて保持手段4上に
載置される。この際には、例えばウエーハ2に存在する
オリエンテーシヨンフラツト6を利用することによつ
て、充分精密ではないが所要誤差範囲内で保持手段4上
に載置される。この点について更に詳述すると、第2図
に図示する如く、ウエーハ2の表面には格子状に配列さ
れた複数個の直線状領域8a及び8bが存在する。かか
る直線状領域8a及び8bは、一般に、ストリートと称
されている。第2図において左右方向に延びる直線状領
域8aは、所定幅wyを有し且つ所定間隔dyを置いて
配置されており、第2図において上下方向に延びる直線
状領域8bは、所定幅wxを有し且つ所定間隔dxを置
いて配置されている(上記所定幅wyと上記所定幅wx
とは、必ずしも実質上同一ではなく相互に異なっている
ことも少なくなく、同様に上記所定間隔dyと上記所定
間隔dxとも、必ずしも実質上同一ではなく相互に異な
っていることも少なくない)。かくして、ウエーハ2の
表面上には、直線状領域8a及び8bによつて、第2図
において左右方向にピツチpx=wx+dxで第2図に
おいて上下方向にピツチpy=wy+dyで配列された
複数個の矩形領域10が区画されている。そして、かか
る矩形領域10の各々には、夫々同一の回路パターンが
施されている。かようなウエーハ2は、上記オリエンテ
ーシヨンフラツト6を利用することによつて、上記直線
状領域8a又8bのいずれか一方、図示の場合は直線状
領域8aが所定基準方向即ちx方向(第1図)に対して
例えば±1.5度乃至3.0度程度以下である傾斜角度
範囲内になるように、上記保持手段4上に載置される。
システムの一具体例が装備された半導体ウエーハ切断装
置の一部を図式的に示している。切断すべき半導体ウエ
ーハ2は、それ自体は公知の形態でよい適宜の供給手段
(図示していない)によつて供給されて保持手段4上に
載置される。この際には、例えばウエーハ2に存在する
オリエンテーシヨンフラツト6を利用することによつ
て、充分精密ではないが所要誤差範囲内で保持手段4上
に載置される。この点について更に詳述すると、第2図
に図示する如く、ウエーハ2の表面には格子状に配列さ
れた複数個の直線状領域8a及び8bが存在する。かか
る直線状領域8a及び8bは、一般に、ストリートと称
されている。第2図において左右方向に延びる直線状領
域8aは、所定幅wyを有し且つ所定間隔dyを置いて
配置されており、第2図において上下方向に延びる直線
状領域8bは、所定幅wxを有し且つ所定間隔dxを置
いて配置されている(上記所定幅wyと上記所定幅wx
とは、必ずしも実質上同一ではなく相互に異なっている
ことも少なくなく、同様に上記所定間隔dyと上記所定
間隔dxとも、必ずしも実質上同一ではなく相互に異な
っていることも少なくない)。かくして、ウエーハ2の
表面上には、直線状領域8a及び8bによつて、第2図
において左右方向にピツチpx=wx+dxで第2図に
おいて上下方向にピツチpy=wy+dyで配列された
複数個の矩形領域10が区画されている。そして、かか
る矩形領域10の各々には、夫々同一の回路パターンが
施されている。かようなウエーハ2は、上記オリエンテ
ーシヨンフラツト6を利用することによつて、上記直線
状領域8a又8bのいずれか一方、図示の場合は直線状
領域8aが所定基準方向即ちx方向(第1図)に対して
例えば±1.5度乃至3.0度程度以下である傾斜角度
範囲内になるように、上記保持手段4上に載置される。
第1図を参照して説明を続けると、それ自体は公知の形
態でよい保持手段4は、その表面上に載置されたウエー
ハ2を真空吸着等によつて充分確実に保持する。この保
持手段4は、適宜の支持機構(図示していない)によつ
て、x方向,y方向及びθ方向に移動自在に装着されて
いる。保持手段4には、これを充分精密に所要通りに移
動せしめる移動手段12が駆動連結されている。図示の
具体例においては、移動手段12は、x方向移動源1
4、y方向移動源16及びθ方向移動源18から構成さ
れている。パルスモータから構成されているのが好都合
であるx方向移動源14は、作動せしめられると保持手
段4をx方向に、例えば1μm程度の精度で所要距離移
動せしめる。パルスモータから構成されているのが好都
合であるy方向移動源16は、作動せしめられると保持
手段4をy方向、即ち上記x方向に垂直な方向に、例え
ば1μm程度の精度で所要距離移動せしめる。同様にパ
ルスモータから構成されているのが好都合であるθ方向
移動源18は、作動せしめられると保持手段4を例えば
0.0015度程度の精度でθ方向に所要角度移動、即ち保持
手段4の中心軸線20を中心として回転せしめる。
態でよい保持手段4は、その表面上に載置されたウエー
ハ2を真空吸着等によつて充分確実に保持する。この保
持手段4は、適宜の支持機構(図示していない)によつ
て、x方向,y方向及びθ方向に移動自在に装着されて
いる。保持手段4には、これを充分精密に所要通りに移
動せしめる移動手段12が駆動連結されている。図示の
具体例においては、移動手段12は、x方向移動源1
4、y方向移動源16及びθ方向移動源18から構成さ
れている。パルスモータから構成されているのが好都合
であるx方向移動源14は、作動せしめられると保持手
段4をx方向に、例えば1μm程度の精度で所要距離移
動せしめる。パルスモータから構成されているのが好都
合であるy方向移動源16は、作動せしめられると保持
手段4をy方向、即ち上記x方向に垂直な方向に、例え
ば1μm程度の精度で所要距離移動せしめる。同様にパ
ルスモータから構成されているのが好都合であるθ方向
移動源18は、作動せしめられると保持手段4を例えば
0.0015度程度の精度でθ方向に所要角度移動、即ち保持
手段4の中心軸線20を中心として回転せしめる。
図示の半導体ウエハー切断装置には、固定ダイヤモンド
砥粒から形成されているのが好ましい回転ブレード22
が設けられている。ウエーハ切断手段を構成するこの回
転ブレード22は、上記y方向に実質上平行な中心軸線
24を中心として回転自在に且つ上記x方向に移動自在
に装着されており、ACモータの如き適宜の駆動源(図
示していない)によつて所要速度で回転駆動されると共
に、DCモータの如き適宜の駆動源(図示していない)
によつて所要速度でx方向に往復動せしめられる。
砥粒から形成されているのが好ましい回転ブレード22
が設けられている。ウエーハ切断手段を構成するこの回
転ブレード22は、上記y方向に実質上平行な中心軸線
24を中心として回転自在に且つ上記x方向に移動自在
に装着されており、ACモータの如き適宜の駆動源(図
示していない)によつて所要速度で回転駆動されると共
に、DCモータの如き適宜の駆動源(図示していない)
によつて所要速度でx方向に往復動せしめられる。
図示の半導体ウエーハ切断装置においては、保持手段4
が第1図に実線で示す位置乃至その近傍である供給及び
排出域に存在している間に、上記供給手段(図示してい
ない)によつて保持手段4上にウエーハ2が載置され
る。次いで、後に詳述する如くして、保持手段4の位置
を微細に調整することによつて、保持手段4上に保持さ
れたウエーハ2が回転ブレード22に関して所定位置に
充分精密に位置合せされる。しかる後に、保持手段4が
y方向に所定距離前進せしめられて、第1図に2点鎖線
で図示する如く、保持手段4及びその上面に保持された
ウエーハ2が回転ブレード22に隣接する切断開始域に
位置付けられる。次いで、回転ブレード22を回転せし
めると共にx方向に移動せしめてウエーハ2が回転駆動
されている回転ブレード22の作用を受けるようにする
切断移動と、ウエーハ2の表面に存在する矩形領域10
のピツチpx(又はpy)だけ保持手段4をy方向に移
動する所謂インデツクス移動とを交互に遂行し、かくし
てウエーハ2をその表面に存在する直線状領域8b(又
は8a)に沿つて切断する。次に、保持手段4をその中
心軸線20を中心としてθ方向に90度移動せしめ、次
いで上記切断移動と上記インデツクス移動を交互に遂行
し、かくしてウエーハ2をその表面に存在する直線状領
域8a(又は8b)に沿つて切断する。しかる後に、保
持手段4がy方向に所定距離後進せしめられて、保持手
段4が上記供給及び排出域に戻される。次いで、保持手
段4から切断されたウエーハ2が、それ自体は公知の形
態でよい適宜の排出手段(図示していない)によつて保
持手段4から排出され、そして上記供給手段(図示して
いない)によつて保持手段4上に次のウエーハ2が載置
される。回転ブレード22によるウエーハ2の切断は、
当業者には周知の如く、ウエーハ2の厚さ全体に渡つて
ではなくて僅かだけ非切断厚さを残留せしめて遂行し、
かくして上記矩形領域10(第2図)が完全には分離さ
れないようになすことができる(この場合には、後に若
干の力を加えて切断残留部を破断せしめることによつて
上記矩形領域10が完全に分離され、かくしてチツプが
生成される)。或いは、ウエーハ2の裏面に予め粘着テ
ープを貼着しておいて、ウエーハ2を厚さ全体に渡つて
切断しても上記矩形領域10が個々に分離されないよう
にせしめてもよい(この場合には、後に粘着テープを剥
がすことによつて上記矩形領域10が完全に分離され、
かくしてチップが生成される)。
が第1図に実線で示す位置乃至その近傍である供給及び
排出域に存在している間に、上記供給手段(図示してい
ない)によつて保持手段4上にウエーハ2が載置され
る。次いで、後に詳述する如くして、保持手段4の位置
を微細に調整することによつて、保持手段4上に保持さ
れたウエーハ2が回転ブレード22に関して所定位置に
充分精密に位置合せされる。しかる後に、保持手段4が
y方向に所定距離前進せしめられて、第1図に2点鎖線
で図示する如く、保持手段4及びその上面に保持された
ウエーハ2が回転ブレード22に隣接する切断開始域に
位置付けられる。次いで、回転ブレード22を回転せし
めると共にx方向に移動せしめてウエーハ2が回転駆動
されている回転ブレード22の作用を受けるようにする
切断移動と、ウエーハ2の表面に存在する矩形領域10
のピツチpx(又はpy)だけ保持手段4をy方向に移
動する所謂インデツクス移動とを交互に遂行し、かくし
てウエーハ2をその表面に存在する直線状領域8b(又
は8a)に沿つて切断する。次に、保持手段4をその中
心軸線20を中心としてθ方向に90度移動せしめ、次
いで上記切断移動と上記インデツクス移動を交互に遂行
し、かくしてウエーハ2をその表面に存在する直線状領
域8a(又は8b)に沿つて切断する。しかる後に、保
持手段4がy方向に所定距離後進せしめられて、保持手
段4が上記供給及び排出域に戻される。次いで、保持手
段4から切断されたウエーハ2が、それ自体は公知の形
態でよい適宜の排出手段(図示していない)によつて保
持手段4から排出され、そして上記供給手段(図示して
いない)によつて保持手段4上に次のウエーハ2が載置
される。回転ブレード22によるウエーハ2の切断は、
当業者には周知の如く、ウエーハ2の厚さ全体に渡つて
ではなくて僅かだけ非切断厚さを残留せしめて遂行し、
かくして上記矩形領域10(第2図)が完全には分離さ
れないようになすことができる(この場合には、後に若
干の力を加えて切断残留部を破断せしめることによつて
上記矩形領域10が完全に分離され、かくしてチツプが
生成される)。或いは、ウエーハ2の裏面に予め粘着テ
ープを貼着しておいて、ウエーハ2を厚さ全体に渡つて
切断しても上記矩形領域10が個々に分離されないよう
にせしめてもよい(この場合には、後に粘着テープを剥
がすことによつて上記矩形領域10が完全に分離され、
かくしてチップが生成される)。
第1図と共に第3図を参照して説明すると、上記供給及
び排出域に存在する時の保持手段4及びその表面に保持
されたウエーハ2に関連せしめて、全体を番号26で示
す光学手段が配設されている。図示の光学手段26は、
顕微鏡28、光路分岐手段30、第1の光学径路32及
び第2の光学径路34を含んでいる。例えば3乃至5倍
程度でよい比較的低倍率の顕微鏡28は、x方向に例え
ば40乃至55mm程度でよい適宜の間隔を置いて位置す
る2個の入光開口36a及び36bを有する双眼顕微鏡
から構成されている。従つて、保持手段4上に保持され
たウエーハ2の表面の、x方向に所定間隔を置いた2個
の部分の画像が、上記入光開口36a及び36bを通し
て顕微鏡28に入光され、そしてスプリツト画像として
顕微鏡28から出光される。顕微鏡28から出光される
光は、ハーフミラー等の適宜の手段から構成することが
できる光路分岐手段30によつて、2つの光に分岐さ
れ、そしてその一方の光は第1の光学径路32を通し
て、その他方の光は第2の光学径路34を通して、撮像
手段38(この撮像手段38については後に更に言及す
る)に投射される。第1の光学径路32は、顕微鏡28
から出光される画像を、更に拡大することなくそのまま
撮像手段38に投射して、従つて第1の光学径路32を
通して撮像手段38に投射されるところのウエーハ2の
表面の画像は、3乃至5倍程度でよい比較的低倍率の拡
大画像である。所望ならば、第1の光学径路32を通し
て撮像手段38に投射されるところのウエーハ2の表面
の画像を等倍乃至若干の縮少画像にすることもできる。
従つて、本明細書において使用する語句「比較的低倍
率」は、低倍率の拡大のみならず等倍乃至若干の縮少も
含む。一方、第2の光学径路34は、例えば5乃至10
倍程度でよい拡大率を有する拡大レンズ系を含んでお
り、顕微鏡28から出光される画像を更に拡大して撮像
手段38に投射し、従つて第2の光学径路34を通して
撮像手段38に投射されるところのウエーハ2の表面の
画像は、20乃至30倍程度でよい比較的高倍率の拡大
画像である。
び排出域に存在する時の保持手段4及びその表面に保持
されたウエーハ2に関連せしめて、全体を番号26で示
す光学手段が配設されている。図示の光学手段26は、
顕微鏡28、光路分岐手段30、第1の光学径路32及
び第2の光学径路34を含んでいる。例えば3乃至5倍
程度でよい比較的低倍率の顕微鏡28は、x方向に例え
ば40乃至55mm程度でよい適宜の間隔を置いて位置す
る2個の入光開口36a及び36bを有する双眼顕微鏡
から構成されている。従つて、保持手段4上に保持され
たウエーハ2の表面の、x方向に所定間隔を置いた2個
の部分の画像が、上記入光開口36a及び36bを通し
て顕微鏡28に入光され、そしてスプリツト画像として
顕微鏡28から出光される。顕微鏡28から出光される
光は、ハーフミラー等の適宜の手段から構成することが
できる光路分岐手段30によつて、2つの光に分岐さ
れ、そしてその一方の光は第1の光学径路32を通し
て、その他方の光は第2の光学径路34を通して、撮像
手段38(この撮像手段38については後に更に言及す
る)に投射される。第1の光学径路32は、顕微鏡28
から出光される画像を、更に拡大することなくそのまま
撮像手段38に投射して、従つて第1の光学径路32を
通して撮像手段38に投射されるところのウエーハ2の
表面の画像は、3乃至5倍程度でよい比較的低倍率の拡
大画像である。所望ならば、第1の光学径路32を通し
て撮像手段38に投射されるところのウエーハ2の表面
の画像を等倍乃至若干の縮少画像にすることもできる。
従つて、本明細書において使用する語句「比較的低倍
率」は、低倍率の拡大のみならず等倍乃至若干の縮少も
含む。一方、第2の光学径路34は、例えば5乃至10
倍程度でよい拡大率を有する拡大レンズ系を含んでお
り、顕微鏡28から出光される画像を更に拡大して撮像
手段38に投射し、従つて第2の光学径路34を通して
撮像手段38に投射されるところのウエーハ2の表面の
画像は、20乃至30倍程度でよい比較的高倍率の拡大
画像である。
図示の具体例における上記撮像手段38は、上記第1の
光学径路32に光学的に接続された第1の撮像手段40
と、上記第2の光学径路34に光学的に接続された第2
の撮像手段42とを含んでいる。第1及び第2の撮像手
段40及び42の各々は、投射される画像に応じて、x
-yマトリツクス配列画素の濃度を示すアナログ信号を
出力することができるものであれば任意の形態のもので
よいが、固体カメラ、特にx-yマトリツクス配列され
た複数個の撮像素子、例えばCCD , CPD又は MOS、を有
する固体カメラ、から構成されているのが好ましい。図
示の具体例においては、第1及び第2の撮像手段40及
び42の各々は、256×256個のマトリツクス配列
されたCCD を有する固体カメラから構成されている。2
56×256個の CCDのうちの左半部に位置する128
×256個の CCDには、顕微鏡28の左側入光開口30
aに入光された画像が入力され、右半部に位置する残り
の128×256個の CCDには、顕微鏡28の右側入光
開口30bに入光された画像が入力される。256×2
56個の CCDの各々は、それに入力された画像の濃度
(gray level)に応じた電圧を有するアナログ信号を出
力する。256×256個の CCDを有する固体カメラに
は、撮像した画像の実際の濃度に応じて出力アナログ信
号の利得を自動的に調整するそれ自体は公知の自動ゲイ
ン調整手段(図示していない)が付設乃至内蔵されてい
るのが好都合である。
光学径路32に光学的に接続された第1の撮像手段40
と、上記第2の光学径路34に光学的に接続された第2
の撮像手段42とを含んでいる。第1及び第2の撮像手
段40及び42の各々は、投射される画像に応じて、x
-yマトリツクス配列画素の濃度を示すアナログ信号を
出力することができるものであれば任意の形態のもので
よいが、固体カメラ、特にx-yマトリツクス配列され
た複数個の撮像素子、例えばCCD , CPD又は MOS、を有
する固体カメラ、から構成されているのが好ましい。図
示の具体例においては、第1及び第2の撮像手段40及
び42の各々は、256×256個のマトリツクス配列
されたCCD を有する固体カメラから構成されている。2
56×256個の CCDのうちの左半部に位置する128
×256個の CCDには、顕微鏡28の左側入光開口30
aに入光された画像が入力され、右半部に位置する残り
の128×256個の CCDには、顕微鏡28の右側入光
開口30bに入光された画像が入力される。256×2
56個の CCDの各々は、それに入力された画像の濃度
(gray level)に応じた電圧を有するアナログ信号を出
力する。256×256個の CCDを有する固体カメラに
は、撮像した画像の実際の濃度に応じて出力アナログ信
号の利得を自動的に調整するそれ自体は公知の自動ゲイ
ン調整手段(図示していない)が付設乃至内蔵されてい
るのが好都合である。
第3図を参照して説明を続けると、上記第1及び第2の
撮像手段40及び42は、倍率変換手段44を介してA/
D(アナログ・デジタル)変換手段46に接続され、そ
してA/D変換手段46は、画像フレームメモリ48に接
続されている。倍率変換手段44は、複数個の RAMを内
蔵したマイクロプロセツサでよい中央処理ユニツト(CP
U)50によつて制御され、上記第1及び第2の撮像手
段40及び42のいずれか一方を選択的に、上記A/D変
換手段46に電気的に接続する。A/D変換手段46は、
入力されたアナログ信号を、例えば8ビツト(従つて28
=256段階)でよい多値デジタル信号に変換する。そ
して、かかる多値デジタル信号は、画像フレームメモリ
48に送給されてそこに一時的に記憶される。図示の具
体例における画像フレームメモリ48は、少なくとも2
56×256×8ビツトの記憶容量に有し、従つて、上
記第1及び第2の撮像手段40及び42の各々を構成す
る固体カメラにおける256×256個の CCDに入力さ
れた256×256個の画素の濃度に夫々対応する25
6×256個の8ビツト多値デジタル信号を記憶するこ
とができる RAMから構成されている。かくして、保持手
段4上に保持されたウエーハ2の表面の比較的低倍率の
画像と比較的高倍率の画像とに夫々対応して多値デジタ
ル信号が選択的に画像フレームメモリ48に記憶され
る。所望ならば、比較的低倍率と比較的高倍率とに変換
可能な顕微鏡から光学手段26を構成し(この場合は、
撮像手段38は1個のみでよく、倍率変換手段44は省
略することができる)、光学手段26を構成する顕微鏡
の倍率を選択的に変換することにより、保持手段4上に
保持されたウエーハ2の表面の比較的低倍率の画像と比
較的高倍率の画像とに夫々対応した多値デジタル信号が
選択的に画像フレームメモリ48に記憶されるようにな
すこともできる。
撮像手段40及び42は、倍率変換手段44を介してA/
D(アナログ・デジタル)変換手段46に接続され、そ
してA/D変換手段46は、画像フレームメモリ48に接
続されている。倍率変換手段44は、複数個の RAMを内
蔵したマイクロプロセツサでよい中央処理ユニツト(CP
U)50によつて制御され、上記第1及び第2の撮像手
段40及び42のいずれか一方を選択的に、上記A/D変
換手段46に電気的に接続する。A/D変換手段46は、
入力されたアナログ信号を、例えば8ビツト(従つて28
=256段階)でよい多値デジタル信号に変換する。そ
して、かかる多値デジタル信号は、画像フレームメモリ
48に送給されてそこに一時的に記憶される。図示の具
体例における画像フレームメモリ48は、少なくとも2
56×256×8ビツトの記憶容量に有し、従つて、上
記第1及び第2の撮像手段40及び42の各々を構成す
る固体カメラにおける256×256個の CCDに入力さ
れた256×256個の画素の濃度に夫々対応する25
6×256個の8ビツト多値デジタル信号を記憶するこ
とができる RAMから構成されている。かくして、保持手
段4上に保持されたウエーハ2の表面の比較的低倍率の
画像と比較的高倍率の画像とに夫々対応して多値デジタ
ル信号が選択的に画像フレームメモリ48に記憶され
る。所望ならば、比較的低倍率と比較的高倍率とに変換
可能な顕微鏡から光学手段26を構成し(この場合は、
撮像手段38は1個のみでよく、倍率変換手段44は省
略することができる)、光学手段26を構成する顕微鏡
の倍率を選択的に変換することにより、保持手段4上に
保持されたウエーハ2の表面の比較的低倍率の画像と比
較的高倍率の画像とに夫々対応した多値デジタル信号が
選択的に画像フレームメモリ48に記憶されるようにな
すこともできる。
図示の具体例においては、陰極線管 (CRT)から構成され
ているのが好都合である表示手段52も設けられてい
る。この表示手段52は、切換手段(図示していない)
の手動操作に応じて、上記A/D変換手段46が出力する
多値デジタル信号、上記中央処理ユニツト50に内蔵さ
れている RAMに記憶されている信号、或いは後述するキ
ーパターンメモリに記憶されている信号等に対応する画
像を選択的に可視表示する。図示の表示手段52におい
ては、その左半部には上記顕微鏡28左側入光開口36
aから入光し第1又は第2の撮像手段40又は42に投
射される画像に関連した画像が、その右半部には上記顕
微鏡28の右側入光開口36bから入光し第1又は第2
の撮像手段40又は42に投射される画像に関連した画
像が、夫々、例えば総倍率として260倍程度に拡大し
て表示される。
ているのが好都合である表示手段52も設けられてい
る。この表示手段52は、切換手段(図示していない)
の手動操作に応じて、上記A/D変換手段46が出力する
多値デジタル信号、上記中央処理ユニツト50に内蔵さ
れている RAMに記憶されている信号、或いは後述するキ
ーパターンメモリに記憶されている信号等に対応する画
像を選択的に可視表示する。図示の表示手段52におい
ては、その左半部には上記顕微鏡28左側入光開口36
aから入光し第1又は第2の撮像手段40又は42に投
射される画像に関連した画像が、その右半部には上記顕
微鏡28の右側入光開口36bから入光し第1又は第2
の撮像手段40又は42に投射される画像に関連した画
像が、夫々、例えば総倍率として260倍程度に拡大し
て表示される。
上記中央処理ユニツト50には、更に、キーパターンメ
モリ54及びパターンマツチング手段56が接続されて
いる。
モリ54及びパターンマツチング手段56が接続されて
いる。
RAM等から構成することができるキーパターンメモリ5
4には、保持手段4上に保持されたウエーハ2が所定位
置に位置付けられた時に比較的高倍率で上記第2の撮像
手段42に投射されるところのウエーハ2の表示の画像
における少なくとも1個の特定領域のパターン即ちキー
パターンを示す第1のキーパターン信号及びかかるキー
パターンの位置を示す第1のキーパターン位置信号が記
憶される。また、キーパターンメモリ54には、保持手
段4上に保持されたウエーハ2が上記所定位置から90
度回転せしめられる場合における上記キーパターンを示
す第2のキーパターン信号及び上記キーパターンの位置
を示す第2のキーパターン位置信号が記憶される。かか
る第2のキーパターン信号及び第2のキーパターン位置
信号は、後に更に詳述する如く、上記第1のキーパター
ン信号及び第1のキーパターン位置信号から算出されて
記憶されることが重要である。更にまた、キーパターン
メモリ54には、保持手段4上に保持されたウエーハ2
が上記所定位置に位置付けられた時に比較的低倍率で上
記第1の撮像手段40に投射されるところのウエーハ2
の表面の画像における少なくとも1個の特定領域のパタ
ーン即ち低倍率キーパターンを示す低倍率キーパターン
信号及びかかる低倍率キーパターンの位置を示す低倍率
キーパターン位置信号も記憶される。
4には、保持手段4上に保持されたウエーハ2が所定位
置に位置付けられた時に比較的高倍率で上記第2の撮像
手段42に投射されるところのウエーハ2の表示の画像
における少なくとも1個の特定領域のパターン即ちキー
パターンを示す第1のキーパターン信号及びかかるキー
パターンの位置を示す第1のキーパターン位置信号が記
憶される。また、キーパターンメモリ54には、保持手
段4上に保持されたウエーハ2が上記所定位置から90
度回転せしめられる場合における上記キーパターンを示
す第2のキーパターン信号及び上記キーパターンの位置
を示す第2のキーパターン位置信号が記憶される。かか
る第2のキーパターン信号及び第2のキーパターン位置
信号は、後に更に詳述する如く、上記第1のキーパター
ン信号及び第1のキーパターン位置信号から算出されて
記憶されることが重要である。更にまた、キーパターン
メモリ54には、保持手段4上に保持されたウエーハ2
が上記所定位置に位置付けられた時に比較的低倍率で上
記第1の撮像手段40に投射されるところのウエーハ2
の表面の画像における少なくとも1個の特定領域のパタ
ーン即ち低倍率キーパターンを示す低倍率キーパターン
信号及びかかる低倍率キーパターンの位置を示す低倍率
キーパターン位置信号も記憶される。
上記第1のキーパターン信号及び第1のキーパターン位
置信号は、次の通りにして記憶される。最初に、保持手
段4上にサンプルウエーハ2を載置し、次いでx方向駆
動源14、y方向駆動源16及びθ方向駆動源18を手
動によつて適宜に作動せしめて保持手段4を移動せし
め、保持手段4上のサンプルウエーハ2を上記光学手段
26に関して所要位置に手動位置付けする。かかる手動
位置付けの際には、上記倍率変換手段44を制御して第
2の撮像手段42をA/D変換手段46に接続し、そしてA
/D変換手段46が出力する多値デジタル信号が上記表示
手段52に可視表示される状態、従つてサンプルウエー
ハ2の表面の比較的高倍率の拡大画像が上記表示手段5
2に可視表示される状態にせしめ、上記表示手段52に
表示されている画像を観測し、かくして、例えば、第4
図に図式的に示す如く、サンプルウエーハ2の表面にお
ける直線状領域8aの中心線が、上記表示手段52の表
示画面における横方向中心線、即ちdx-dx線に実質
上合致するようにサンプルウエーハ2を位置付ける。次
いで、上記表示手段52の表示画面における左半部と右
半部との各々において、夫々、カーソル58を特定領域
60L及び60Rに手動位置付けする。カーソル58、
従つてカーソル58によつて指定される特定領域60L
及び60Rは、例えば、32×32個の画素に対応(従
つて第2の撮像手段42における32×32個の CCDに
対応)した寸法を有する正方形でよい。カーソル58に
よつて指定される特定領域60L及び60Rは、顕著な
特徴を有する領域、例えば直線状領域8aと直線状領域
8bとの交差部における領域であるのが好ましい。特定
領域60Lと特定領域60Rは、相互に異なつたパター
ンを有するものでもよいし、同一のパターンを有するも
のでもよい。しかる後に、上記画像フレームメモリ48
に記憶されている多値デジタル信号のうちの、上記特定
領域60L及び60R内に存在する32×32=102
4個の画素に対応する信号を、キーパターンメモリ54
へ送給して記憶する。同時に、上記特定領域60L及び
60Rの位置、更に詳しくは、保持手段4の回転中心を
原点(0,0)としたX-y座標系における位置(Lx1,Ly
1)及び(Rx1,Ry1)を示す信号も、キーパターンメモリ5
4へ送給して記憶する。特定領域60L及び60Rの位
置(Lx1,Ly1)及び(Rx1,Ry1)としては、例えば特定領域6
0L及び60Rのx方向及びy方向における中心点の位
置を選定することができる。かくして、キーパターンメ
モリ54には、上記特定領域60Lに関する第1の左側
キーパターン信号及び第1の左側キーパターン位置信
号、並びに上記特定領域60Rに関する第1の右側キー
パターン信号及び第1の右側キーパターン位置信号が記
憶される。
置信号は、次の通りにして記憶される。最初に、保持手
段4上にサンプルウエーハ2を載置し、次いでx方向駆
動源14、y方向駆動源16及びθ方向駆動源18を手
動によつて適宜に作動せしめて保持手段4を移動せし
め、保持手段4上のサンプルウエーハ2を上記光学手段
26に関して所要位置に手動位置付けする。かかる手動
位置付けの際には、上記倍率変換手段44を制御して第
2の撮像手段42をA/D変換手段46に接続し、そしてA
/D変換手段46が出力する多値デジタル信号が上記表示
手段52に可視表示される状態、従つてサンプルウエー
ハ2の表面の比較的高倍率の拡大画像が上記表示手段5
2に可視表示される状態にせしめ、上記表示手段52に
表示されている画像を観測し、かくして、例えば、第4
図に図式的に示す如く、サンプルウエーハ2の表面にお
ける直線状領域8aの中心線が、上記表示手段52の表
示画面における横方向中心線、即ちdx-dx線に実質
上合致するようにサンプルウエーハ2を位置付ける。次
いで、上記表示手段52の表示画面における左半部と右
半部との各々において、夫々、カーソル58を特定領域
60L及び60Rに手動位置付けする。カーソル58、
従つてカーソル58によつて指定される特定領域60L
及び60Rは、例えば、32×32個の画素に対応(従
つて第2の撮像手段42における32×32個の CCDに
対応)した寸法を有する正方形でよい。カーソル58に
よつて指定される特定領域60L及び60Rは、顕著な
特徴を有する領域、例えば直線状領域8aと直線状領域
8bとの交差部における領域であるのが好ましい。特定
領域60Lと特定領域60Rは、相互に異なつたパター
ンを有するものでもよいし、同一のパターンを有するも
のでもよい。しかる後に、上記画像フレームメモリ48
に記憶されている多値デジタル信号のうちの、上記特定
領域60L及び60R内に存在する32×32=102
4個の画素に対応する信号を、キーパターンメモリ54
へ送給して記憶する。同時に、上記特定領域60L及び
60Rの位置、更に詳しくは、保持手段4の回転中心を
原点(0,0)としたX-y座標系における位置(Lx1,Ly
1)及び(Rx1,Ry1)を示す信号も、キーパターンメモリ5
4へ送給して記憶する。特定領域60L及び60Rの位
置(Lx1,Ly1)及び(Rx1,Ry1)としては、例えば特定領域6
0L及び60Rのx方向及びy方向における中心点の位
置を選定することができる。かくして、キーパターンメ
モリ54には、上記特定領域60Lに関する第1の左側
キーパターン信号及び第1の左側キーパターン位置信
号、並びに上記特定領域60Rに関する第1の右側キー
パターン信号及び第1の右側キーパターン位置信号が記
憶される。
次に、上記第2のキーパターン信号及び第2のキーパタ
ーン位置信号の記憶について説明する。従来において
は、第2のキーパターン信号及び第2のキーパターン位
置信号の記憶は、保持手段4に保持されたサンプルウエ
ーハ2を時計方向(又は反時計方向)に90度実際に回
転せしめて所要位置に手動位置付けし、しかる後に、上
記特定領域60L及び60Rとは別個に特定領域を選定
し、かかる特定領域について、上記第1の左側キーパタ
ーン信号及び第1の左側キーパターン位置信号並びに第
1の右側キーパターン信号及び第1の右側キーパターン
位置信号の記憶方式と同様の記憶方式を遂行していた。
然るに、本発明においては、保持手段4に保持されたサ
ンプルウエーハ2を時計方向(又は反時計方向)に90
度回転せしめた後における特定領域としても、上記特定
領域60L及び60Rが選定される。そして、保持手段
4に保持されたサンプルウエーハ2を時計方向(又は反
時計方向)に90度回転せしめて後における、上記特定
領域60Lのパターンを示す第2の左側キーパターン信
号及び上記特定領域60Lの位置を示す第2の左側キー
パターン位置信号並びに上記特定領域60Rのパターン
を示す第2の右側キーパターン信号及び上記特定領域6
0Rの位置を示す第2の右側キーパターン信号は、保持
手段4に保持されたサンプルウエーハ2を時計方向(又
は反時計方向)に90度実際に回転せしめることなく、
既に記憶された上記第1の左側キーパターン信号及び第
1の左側キーパターン位置信号並びに上記第1の右側キ
ーパターン信号及び第1の右側キーパターン位置信号に
基いて所謂座標変換算出を遂行して直ちに記憶される。
かかる座標変換算出について第5図を参照して説明する
と、例えば、上記特定領域60L中の任意の画素の、保
持手段4の回転中心を原点(0,0)としたx-y座標
系における位置を(x1,y1)とすると、保持手段4及びそ
の上に固着されたサンプルウエーハ2が時計方向に90
度回転された場合、上記任意の画素の上記x-y座標系
における位置は、座標変換されて(y1,−x1)となる。
そして、上記任意の画素の濃度自体は、当然のこととし
て変化しない。かような次第であるので座標変換算出を
遂行しさえすれば、保持手段4上に保持されたサンプル
ウエーハ2を実際に時計方向(又は反時計方向)に90
度回転せしめ上記特定領域60R及び60Lのパターン
を実際に検知する必要なくして、上記第2の左側キーパ
ターン信号及び第2の左側キーパターン位置信号並びに
上記第2の右側キーパターン信号及び第2の右側キーパ
ターン位置信号を記憶することができ、かくしてキーパ
ターンに関する信号の記憶に要する時間を大幅に短縮す
ることができることが容易に理解されよう。
ーン位置信号の記憶について説明する。従来において
は、第2のキーパターン信号及び第2のキーパターン位
置信号の記憶は、保持手段4に保持されたサンプルウエ
ーハ2を時計方向(又は反時計方向)に90度実際に回
転せしめて所要位置に手動位置付けし、しかる後に、上
記特定領域60L及び60Rとは別個に特定領域を選定
し、かかる特定領域について、上記第1の左側キーパタ
ーン信号及び第1の左側キーパターン位置信号並びに第
1の右側キーパターン信号及び第1の右側キーパターン
位置信号の記憶方式と同様の記憶方式を遂行していた。
然るに、本発明においては、保持手段4に保持されたサ
ンプルウエーハ2を時計方向(又は反時計方向)に90
度回転せしめた後における特定領域としても、上記特定
領域60L及び60Rが選定される。そして、保持手段
4に保持されたサンプルウエーハ2を時計方向(又は反
時計方向)に90度回転せしめて後における、上記特定
領域60Lのパターンを示す第2の左側キーパターン信
号及び上記特定領域60Lの位置を示す第2の左側キー
パターン位置信号並びに上記特定領域60Rのパターン
を示す第2の右側キーパターン信号及び上記特定領域6
0Rの位置を示す第2の右側キーパターン信号は、保持
手段4に保持されたサンプルウエーハ2を時計方向(又
は反時計方向)に90度実際に回転せしめることなく、
既に記憶された上記第1の左側キーパターン信号及び第
1の左側キーパターン位置信号並びに上記第1の右側キ
ーパターン信号及び第1の右側キーパターン位置信号に
基いて所謂座標変換算出を遂行して直ちに記憶される。
かかる座標変換算出について第5図を参照して説明する
と、例えば、上記特定領域60L中の任意の画素の、保
持手段4の回転中心を原点(0,0)としたx-y座標
系における位置を(x1,y1)とすると、保持手段4及びそ
の上に固着されたサンプルウエーハ2が時計方向に90
度回転された場合、上記任意の画素の上記x-y座標系
における位置は、座標変換されて(y1,−x1)となる。
そして、上記任意の画素の濃度自体は、当然のこととし
て変化しない。かような次第であるので座標変換算出を
遂行しさえすれば、保持手段4上に保持されたサンプル
ウエーハ2を実際に時計方向(又は反時計方向)に90
度回転せしめ上記特定領域60R及び60Lのパターン
を実際に検知する必要なくして、上記第2の左側キーパ
ターン信号及び第2の左側キーパターン位置信号並びに
上記第2の右側キーパターン信号及び第2の右側キーパ
ターン位置信号を記憶することができ、かくしてキーパ
ターンに関する信号の記憶に要する時間を大幅に短縮す
ることができることが容易に理解されよう。
上記低倍率キーパターン信号及び低倍率キーパターン位
置信号は、次の通りにして記憶される。上記倍率変換手
段44を制御して第1の撮像手段40をA/D変換手段4
6に接続し、かくして、第6図に図式的に示す如く、サ
ンプルウエーハ2の表面の比較的低倍率の画像が上記表
示手段52に可視表示される状態にせしめる。そして、
上記表示手段52の表示画面における左半部と右半部と
の各々において、夫々、カーソル58を特定領域62L
及び62Rに手動位置付けする。かかる特定領域62L
及び62Rは、上記特定領域60L及び60R(第4
図)と中心を同一にする(従つて、上記特定領域60L
及び60Rの縮小画像)ものでもよいし、中心を異にす
るものでもよい。しかる後に、上記画像フレームメモリ
48に記憶されている多値デジタル信号のうちの、上記
特定領域62L及び62R内に存在する32×32=1
024個の画素(かかる画素は第1の撮像手段40にお
ける32×31=1024個の CCDに対応する)に対応
する信号を、キーパターンメモリ54に送給して記憶す
る。同時に、上記特定領域62L及び62Rの位置、更
に詳しくは、保持手段4の回転中心を原点(0,0)と
したx-y座標系における位置(L′x1,L′y1)及び
(R′x1,R′y1)を示す信号も記憶する。かくして、
キーパターンメモリ54には、上記特定領域62Lに関
する低倍率左側キーパターン信号及び低倍率左側キーパ
ターン位置信号、並びに上記特定領域62Rに関する低
倍率右側キーパターン信号及び低倍率右側キーパターン
位置信号が記憶される。
置信号は、次の通りにして記憶される。上記倍率変換手
段44を制御して第1の撮像手段40をA/D変換手段4
6に接続し、かくして、第6図に図式的に示す如く、サ
ンプルウエーハ2の表面の比較的低倍率の画像が上記表
示手段52に可視表示される状態にせしめる。そして、
上記表示手段52の表示画面における左半部と右半部と
の各々において、夫々、カーソル58を特定領域62L
及び62Rに手動位置付けする。かかる特定領域62L
及び62Rは、上記特定領域60L及び60R(第4
図)と中心を同一にする(従つて、上記特定領域60L
及び60Rの縮小画像)ものでもよいし、中心を異にす
るものでもよい。しかる後に、上記画像フレームメモリ
48に記憶されている多値デジタル信号のうちの、上記
特定領域62L及び62R内に存在する32×32=1
024個の画素(かかる画素は第1の撮像手段40にお
ける32×31=1024個の CCDに対応する)に対応
する信号を、キーパターンメモリ54に送給して記憶す
る。同時に、上記特定領域62L及び62Rの位置、更
に詳しくは、保持手段4の回転中心を原点(0,0)と
したx-y座標系における位置(L′x1,L′y1)及び
(R′x1,R′y1)を示す信号も記憶する。かくして、
キーパターンメモリ54には、上記特定領域62Lに関
する低倍率左側キーパターン信号及び低倍率左側キーパ
ターン位置信号、並びに上記特定領域62Rに関する低
倍率右側キーパターン信号及び低倍率右側キーパターン
位置信号が記憶される。
上記パターンマツチング手段56は、保持手段4上に保
持されている自動的に所要位置に位置付けるべきウエー
ハ2の表面における、第1の撮像手段40に投射される
比較的低倍率の画像中で、上記低倍率左側及び右側キー
パターンと同一のパターンを検出し(低倍率パターンマ
ツチング作用)、そしてまた、第2の撮像手段42に投
射される比較的高倍率の画像中で、上記第1の左側及び
右側キーパターンと同一のパターンを検出する(第1の
パターンマツチング作用)と共に、上記第2の左側及び
右側キーパターンと同一のパターンを検出し(第2のパ
ターンマツチング作用)、かくして上記直線状領域8a
及び8bの相対的位置を検出する。パターンマツチング
手段56の作用の一例について説明すると、次の通りで
ある。光学手段26における顕微鏡28の左側入光開口
36aから入光され第1の光学径路32を通して第1の
撮像手段40に投射される比較的低倍率の画像、従つて
上記表示手段52の表示画面における左半部に表示され
る比較的低倍率の画像中で、上記特定領域62Lのパタ
ーン即ち低倍率キーパターンと同一のパターンを検出す
る場合を例として、第7図に示すフローチヤートを参照
して説明すると、最初にステツプn-1において、カー
ソル58が所定位置、例えば表示手段52の表示画面中
の左上角部、に位置付けられ、かくしてキーパターンと
照合すべき照合領域が規定される。次いで、ステツプn
-2に進行し、上記照合領域と低倍率キーパターンとの
マツチング度Pが算出される。かかるマツチング度の算
出Pは、キーパターンメモリ54に記憶されているとこ
ろの、低倍率キーパターンを示す多値デジタル信号、即
ち上記特定領域62L中の32×32個の画素の濃度を
示す32×32個の多値デジタル信号と、上記照合領域
における32×32個の画素の濃度を示すところの、第
1の撮像手段40からA/D変換手段46を介して画像フ
レームメモリ48に入力された多値デジタル信号中の3
2×32個の多値デジタル信号とに基いて算出すること
ができる。マツチング度P自体は、例えば、下記式A ここで、fは照合領域中の32×32個の画素の各々の
濃度に対応した値であり、はfの平均値であり、gは
低倍率キーパターン中の32×32個の画素の各々の濃
度に対応した値であり、はgの平均値であり、(i,
j)は各画素の行及び列を示し、従つて(i=1乃至3
2、j=1乃至32)である、 に基いて算出することができる。上記式Aに基くマツチ
ング度Pの算出においては、照合領域中の画素の各々の
濃度の偏差値(即ち、実際の濃度値から平均濃度値を引
いた値)と低倍率キーパターン中の画素の各々の濃度の
偏差値との差異が加算され、それ故に、照合領域に対す
る照度の変動等に起因する所謂濃度ゲインの変動が排除
され、充分に信頼し得るマツチング度Pが求められる。
持されている自動的に所要位置に位置付けるべきウエー
ハ2の表面における、第1の撮像手段40に投射される
比較的低倍率の画像中で、上記低倍率左側及び右側キー
パターンと同一のパターンを検出し(低倍率パターンマ
ツチング作用)、そしてまた、第2の撮像手段42に投
射される比較的高倍率の画像中で、上記第1の左側及び
右側キーパターンと同一のパターンを検出する(第1の
パターンマツチング作用)と共に、上記第2の左側及び
右側キーパターンと同一のパターンを検出し(第2のパ
ターンマツチング作用)、かくして上記直線状領域8a
及び8bの相対的位置を検出する。パターンマツチング
手段56の作用の一例について説明すると、次の通りで
ある。光学手段26における顕微鏡28の左側入光開口
36aから入光され第1の光学径路32を通して第1の
撮像手段40に投射される比較的低倍率の画像、従つて
上記表示手段52の表示画面における左半部に表示され
る比較的低倍率の画像中で、上記特定領域62Lのパタ
ーン即ち低倍率キーパターンと同一のパターンを検出す
る場合を例として、第7図に示すフローチヤートを参照
して説明すると、最初にステツプn-1において、カー
ソル58が所定位置、例えば表示手段52の表示画面中
の左上角部、に位置付けられ、かくしてキーパターンと
照合すべき照合領域が規定される。次いで、ステツプn
-2に進行し、上記照合領域と低倍率キーパターンとの
マツチング度Pが算出される。かかるマツチング度の算
出Pは、キーパターンメモリ54に記憶されているとこ
ろの、低倍率キーパターンを示す多値デジタル信号、即
ち上記特定領域62L中の32×32個の画素の濃度を
示す32×32個の多値デジタル信号と、上記照合領域
における32×32個の画素の濃度を示すところの、第
1の撮像手段40からA/D変換手段46を介して画像フ
レームメモリ48に入力された多値デジタル信号中の3
2×32個の多値デジタル信号とに基いて算出すること
ができる。マツチング度P自体は、例えば、下記式A ここで、fは照合領域中の32×32個の画素の各々の
濃度に対応した値であり、はfの平均値であり、gは
低倍率キーパターン中の32×32個の画素の各々の濃
度に対応した値であり、はgの平均値であり、(i,
j)は各画素の行及び列を示し、従つて(i=1乃至3
2、j=1乃至32)である、 に基いて算出することができる。上記式Aに基くマツチ
ング度Pの算出においては、照合領域中の画素の各々の
濃度の偏差値(即ち、実際の濃度値から平均濃度値を引
いた値)と低倍率キーパターン中の画素の各々の濃度の
偏差値との差異が加算され、それ故に、照合領域に対す
る照度の変動等に起因する所謂濃度ゲインの変動が排除
され、充分に信頼し得るマツチング度Pが求められる。
演算処理の簡略化のために、上記式Aにおける 〔f(i,j)−〕,及び〔g(i,j)−〕 の各々に2値化処理を加えた下記式 ここで、Uは2値化演算を意味し、x>0の場合U(x)
=1,x≦0の場合U(x)=0である、 に基いてマツチング度Pを求めることもできる。
=1,x≦0の場合U(x)=0である、 に基いてマツチング度Pを求めることもできる。
求められるマツチング度Pの信頼性を一層高めるために
は、所謂正規化相関に基いて、即ち、下記式 ここで、f,,g,及び(j,j)は、上記式Aの
場合と同一である、 に基いてマツチング度Pを求めることもできる。
は、所謂正規化相関に基いて、即ち、下記式 ここで、f,,g,及び(j,j)は、上記式Aの
場合と同一である、 に基いてマツチング度Pを求めることもできる。
而して、上記式A,B又はCに基いてマツチング度Pを
算出する際、照合領域における全ての画素(32×32
=1024)について相関処理を遂行することに代え
て、演算速度を高速化するために、照合領域における画
素中の複数個の特定画素、例えば各行各列1個づつ選定
された32個の特定画素のみについて相関処理を遂行す
ることもできる。特に、上記式Cに基いてマツチング度
Pを算出する場合には、照合領域における画素中の複数
個の特定画素のみについて相関処理を遂行しても、ほと
んどの半導体ウエーハに対して充分に良好な結果を得る
ことができることが確認されている。
算出する際、照合領域における全ての画素(32×32
=1024)について相関処理を遂行することに代え
て、演算速度を高速化するために、照合領域における画
素中の複数個の特定画素、例えば各行各列1個づつ選定
された32個の特定画素のみについて相関処理を遂行す
ることもできる。特に、上記式Cに基いてマツチング度
Pを算出する場合には、照合領域における画素中の複数
個の特定画素のみについて相関処理を遂行しても、ほと
んどの半導体ウエーハに対して充分に良好な結果を得る
ことができることが確認されている。
上記マツチング度Pの算出に続いて、ステツプn-3に
おいて、算出されたマツチング度Pが所定閾値以下(又
は以上)か否か(上記式A及びBの場合はPの値が小さ
い程、換言すれば零に近い程)マッチング度合が高く、
一方上記式Cの場合はPの値が大きい程、換言すれば1
に近い程マッチング度合が高い)が判断される。所定閾
値は、操作者が適宜に(例えば試行錯誤法によつて)設
定して、キーパターンメモリ54又は中央処理ユニツト
50中の RAMに記憶せしめることができる。算出された
マツチング度Pが所定閾値以下(又は以上)でない場
合、即ちマツチング度合が比較的低い場合には、ステツ
プn-4に進み、顕微鏡28の左側入光開口36aから
第1の光学径路32を通して第1の撮像手段40に投射
される比較的低倍率の画像、従つて表示手段52の表示
画面における左半部に表示される比較的低倍率の画像の
全領域に渡つてカーソル58が移動されたか否かが判断
される。そして、全領域に渡るカーソル58の移動が完
了していない場合には、ステツプn-5に進み、カーソ
ル58がx方向及び/又はy方向に1画素分移動されて
次の照合領域に移され、しかる後に上述したステツプn
-2におけるマツチング度Pの算出、及びステツプn-3
における算出されたマツチング度Pが所定閾値以下(又
は以上)か否かの判断が遂行される。算出されたマツチ
ング度Pが所定閾値以下(又は以上)の場合、即ちマツ
チング度合が比較的高い場合には、ステツプn-3から
ステツプn-6に進み、照合領域の位置とマツチング度
Pがパターンマツチング手段56に内蔵されている RAM
又は中央処理ユニツト50に内蔵されている RAMに記憶
せしめられてリストアツプされる。次いで、上記ステツ
プn-4に進む。かようにして、顕微鏡28の左側入光
開口36aから第1の光学径路32を通して第1の撮像
手段40に投射される比較的低倍率の画像、従つて表示
手段52の表示画面における左半部の表示される比較的
低倍率の画像の全領域に渡つて、マツチング度Pの算出
及び算出されたマツチング度Pが所定閾値以下(又は以
上)か否かの判断が完了すると、上記ステツプn-4か
らステツプn-7に進み、上記ステツプn-6においてリ
ストアツプされたマツチング度Pのうちの最小(又は最
大)のものが選択され、かかる最小(又は最大)マツチ
ング度Pmin(又はPmax)を有する照合領域が低倍率キー
パターン即ち上記特定領域62Lと同一であると判定さ
れる。他の場合のパターン検出も、第7図に示すフロー
チヤートを参照して説明した上記手順と同様の手順でよ
い。
おいて、算出されたマツチング度Pが所定閾値以下(又
は以上)か否か(上記式A及びBの場合はPの値が小さ
い程、換言すれば零に近い程)マッチング度合が高く、
一方上記式Cの場合はPの値が大きい程、換言すれば1
に近い程マッチング度合が高い)が判断される。所定閾
値は、操作者が適宜に(例えば試行錯誤法によつて)設
定して、キーパターンメモリ54又は中央処理ユニツト
50中の RAMに記憶せしめることができる。算出された
マツチング度Pが所定閾値以下(又は以上)でない場
合、即ちマツチング度合が比較的低い場合には、ステツ
プn-4に進み、顕微鏡28の左側入光開口36aから
第1の光学径路32を通して第1の撮像手段40に投射
される比較的低倍率の画像、従つて表示手段52の表示
画面における左半部に表示される比較的低倍率の画像の
全領域に渡つてカーソル58が移動されたか否かが判断
される。そして、全領域に渡るカーソル58の移動が完
了していない場合には、ステツプn-5に進み、カーソ
ル58がx方向及び/又はy方向に1画素分移動されて
次の照合領域に移され、しかる後に上述したステツプn
-2におけるマツチング度Pの算出、及びステツプn-3
における算出されたマツチング度Pが所定閾値以下(又
は以上)か否かの判断が遂行される。算出されたマツチ
ング度Pが所定閾値以下(又は以上)の場合、即ちマツ
チング度合が比較的高い場合には、ステツプn-3から
ステツプn-6に進み、照合領域の位置とマツチング度
Pがパターンマツチング手段56に内蔵されている RAM
又は中央処理ユニツト50に内蔵されている RAMに記憶
せしめられてリストアツプされる。次いで、上記ステツ
プn-4に進む。かようにして、顕微鏡28の左側入光
開口36aから第1の光学径路32を通して第1の撮像
手段40に投射される比較的低倍率の画像、従つて表示
手段52の表示画面における左半部の表示される比較的
低倍率の画像の全領域に渡つて、マツチング度Pの算出
及び算出されたマツチング度Pが所定閾値以下(又は以
上)か否かの判断が完了すると、上記ステツプn-4か
らステツプn-7に進み、上記ステツプn-6においてリ
ストアツプされたマツチング度Pのうちの最小(又は最
大)のものが選択され、かかる最小(又は最大)マツチ
ング度Pmin(又はPmax)を有する照合領域が低倍率キー
パターン即ち上記特定領域62Lと同一であると判定さ
れる。他の場合のパターン検出も、第7図に示すフロー
チヤートを参照して説明した上記手順と同様の手順でよ
い。
本発明に従つて構成された自動精密位置合せシステムに
おいては、更に、上記移動手段12、更に詳しくはx方
向移動源14、y方向移動源16及びθ方向移動源18
の作動を制御して、保持手段4上に保持されたウエーハ
2を所要位置に位置付けるための移動制御手段72が設
けられている。かかる移動制御手段72は、比較的低倍
率の画像に対する上記パターンマツチング手段56の低
倍率パターンマツチング作用に基いて移動手段12を作
動せしめ、かくしてウエーハ2の前位置付けを遂行し、
しかる後に、比較的高倍率の画像に対する上記パターン
マツチング手段56の第1のパターンマツチング作用に
基いて移動手段12を作動せしめ、かくしてウエーハ2
の第1の位置付けを遂行し、そして更に、比較的高倍率
の画像に対する上記パターンマツチング手段56の第2
のパターンマツチング作用に基いて移動手段12を作動
せしめ、かくしてウエーハ2の第2の位置付けを遂行す
る。
おいては、更に、上記移動手段12、更に詳しくはx方
向移動源14、y方向移動源16及びθ方向移動源18
の作動を制御して、保持手段4上に保持されたウエーハ
2を所要位置に位置付けるための移動制御手段72が設
けられている。かかる移動制御手段72は、比較的低倍
率の画像に対する上記パターンマツチング手段56の低
倍率パターンマツチング作用に基いて移動手段12を作
動せしめ、かくしてウエーハ2の前位置付けを遂行し、
しかる後に、比較的高倍率の画像に対する上記パターン
マツチング手段56の第1のパターンマツチング作用に
基いて移動手段12を作動せしめ、かくしてウエーハ2
の第1の位置付けを遂行し、そして更に、比較的高倍率
の画像に対する上記パターンマツチング手段56の第2
のパターンマツチング作用に基いて移動手段12を作動
せしめ、かくしてウエーハ2の第2の位置付けを遂行す
る。
第8図は、移動制御手段72による位置合せフローチヤ
ートの一例を示している。第8図を参照して説明する
と、ステツプm-1においては、上記倍率変換手段44
が第1の撮像手段40をA/D変換手段46に接続し、従
つてウエーハ2の表面の比較的低倍率の画像が表示手段
52に可視表示される状態に設定される。次いで、ステ
ツプm-2において、第1の撮像手段40に投射される
2個の比較的低倍率の画像、即ち顕微鏡28の左側入光
開口36aから第1の光学径路32を通して第1の撮像
手段40に投射される比較的低倍率の画像と顕微鏡28
の右側入光開口36bから第1の光学径路32を通して
第1の撮像手段40に投射される比較的低倍率の画像と
のいずれか一方、例えば前者において、パターンマツチ
ング手段56が低倍率左側キーパターン、即ち上記特定
領域62L(第6図)と同一のパターンを検出するか否
かが判断される。図示の具体例においては、ウエーハ2
におけるオリエンテーシヨンフラツト6を利用したウエ
ーハ2の保持手段4上への所要誤差範囲内の載置操作
(及び必要に応じてこれに引続いて遂行される移動手段
12の作動による保持手段4の補正移動)によつて、正
常状態においては上記比較的低倍率の2個の画像の上記
一方には必ず上記特定領域62L(第6図)が存在し、
従つてパターンマツチング手段56は、低倍率左側キー
パターンと同一のパターンを検出する。次いで、ステツ
プm-3に進行し、上記ステツプm-2で検出した低倍率
左側キーパターンと同一のパターンの中心が表示手段5
2の表示画面における左半部内の特定位置例えば横方向
中心線(dx-dx線)方向及び縦方向中心線(dy-dy線)方
向の双方における中心、になるように移動手段12のx
方向移動源14及びy方向移動源16が作動されて保持
手段4及びこれに保持されたウエーハ2が移動される。
かくして、第2の撮像手段42に投射される2個の比較
的高倍率の画像のうちの一方、即ち顕微鏡28の左側入
光開口36aから第2の光学径路34を通して第2の撮
像手段42に投射される比較的高倍率の画像中に上記特
定領域60L(第4図)、換言すれば第1の左側キーパタ
ーンと同一のパターンが確実に存在するようにせしめら
れる。かくして前位置付けが終了し、第1の位置付けに
移行する。即ち、ステツプm-4に進行し、上記倍率変
換手段44が第2の撮像手段42をA/D変換手段46に
接続し、従つてウエーハ2の表面の比較的高倍率の画像
が表示手段52に可視表示される状態に設定される。次
いで、ステツプm-5において、第2の撮像手段42に
投射される2個の比較的高倍率の画像のうちの上記一
方、即ち顕微鏡28の左側入光開口36aから第2の光
学径路34を通して第2の撮像手段42に投射される比
較的高倍率の画像においてパターンマツチング手段56
が第1の左側キーパターン、即ち上記特定領域60L
(第4図)のパターンと同一のパターンを検出するか否
かが判断される。この第1のパターンマツチング作用に
おいては、上記ステツプm-3が既に遂行されている故
に、パターンマツチング手段56は充分迅速に第1の左
側キーパターンと同一とパターンを検出することができ
る。次いで、ステツプm-6に進行し、上記ステツプm-
5で検出した第1の左側キーパターンと同一のパターン
の中心が表示手段52の表示画面の左半部内の特定位
置、例えば横方向中心線(dx-dx線)方向及び縦方向中
心線(dy-dy線)方向の双方における中心、になるよう
に、移動手段12のx方向移動源14及びy方向移動源
16が作動されて保持手段4及びこれに保持されたウエ
ーハ2が移動される。しかる後に、ステツプm-7に進
行し、第2の撮像手段42に投射される2個の比較的高
倍率の画像のうちの他方、即ち顕微鏡28の右側入光開
口36bから第2の光学径路34を通して第2の撮像手
段42に投射される比較的高倍率の画像において、パタ
ーンマツチング手段56が第1の右側キーパターン、即
ち上記特定領域60R(第4図)のパターンと同一パタ
ーンを検出するか否かが判断される。そして、パターン
マツチング手段56が第1の右側キーパターンと同一の
パターンを検出すると、ステツプm-8に進行し、この
ステツプm-8においては、上記ステツプm-7で検出し
た第1の右側キーパターンと同一のパターンの中心が表
示手段52の表示画面の右半部内の特定位置、例えば横
方向中心線(dx-dx線)方向及び縦方向中心線(dy-dy
線)方向の双方における中心、になるように、移動手段
12のx方向駆動源14及びy方向駆動源16が作動さ
れて保持手段4及びこれに保持されたウエーハ2が移動
される。次いで、ステツプm-9に進行し、このステツ
プm-9においては、第2の撮像手段42に投射される
2個の比較的高倍率の画像の双方においてパターンマツ
チング手段56が夫々第1の左側及び右側キーパター
ン、即ち上記特定領域60L及び60R(第4図)と同
一のパターンを検出し、そして両画像における第1の左
側及び右側キーパターンと同一のパターンのy方向(従
つてdy-dy線方向)の位置に基いて表示手段52の表示
画面における横方向中心線(dx-dx線)に対する直線状
領域8aの傾斜角度を算出し、これに応じて移動手段1
2のθ方向駆動源18を作動せしめて上記傾斜を補正す
る(θ方向粗整合)。しかる後に、ステツプm-10に進
行し、第2の撮像手段42に投射される2個の比較的高
倍率の双方においてパターンマツチング手段56が夫々
第1の左側及び右側キーパターン、即ち上記特定領域6
0L及び60R(第4図)と同一のパターンを検出する
か否かが確認される。次いで、ステツプm-11に進行
し、両画像における第1の左側及び右側キーパターンと
同一のパターンのy方向(従つてdy-dy線方向)の位置
に基いて表示手段52の表示画面における横方向中心線
(dx-dx線)に対する直線状領域8aの傾斜角度を算出
し、これに応じて移動手段12のθ方向駆動源18を、
作動せしめて上記傾斜を補正する(θ方向精密整合)。
しかる後に、ステツプm-12に進行し、上記ステツプm-
10と同様の確認、即ち第2の撮像手段42に投射される
2個の比較的高倍率の画像の双方においてパターンマツ
チング手段56が夫々第1の左側及び右側キーパターン
と同一のパターンを検出するか否かが確認される。次い
で、ステツプm-13に進行し、第1の左側及び右側キー
パターンと同一のパターンのy方向(従つてdy-dy線方
向)位置に基いて表示手段52の表示画面における横方
向中心線(dx-dx線)に対する直線状領域8aのy方向
のずれを算出し、これに応じて移動手段12のy方向駆
動源16を作動せしめて上記ずれを補正、即ち直線状領
域8aの中心を表示手段52の表示画面における横方向
中心線(dx-dx線)に合致せしめる(y方向整合)。し
かる後に、ステツプm-14に進行し、第2の撮像手段4
2に投射される2個の比較的高倍率の画像の双方におい
てパターンマツチング手段56が夫々第1の左側及び右
側キーパターンと同一のパターンを検出するか否かが確
認される。次いで、ステツプm-15に進行し、移動手段
12のy方向駆動源16を作動せしめて保持手段4及び
これに保持されたウエーハ2を直線状領域8aのピツチ
py(第2図)だけ移動せしめる(ピツチpyは中央処理ユ
ニツト50に内蔵されているRAMに予め記憶せしめてお
くことができる)。次いでステツプm-16に進行し、第
2の撮像手段42に投射される2個の比較的高倍率の画
像の双方(又は一方)においてパターンマツチング手段
56が検出するところの第1の左側又は右側キーパター
ンと同一のパターンのy方向(従つてdy-dy線方向)位
置に基いて、表示手段52の表示画面における横方向中
心線(dx-dx線)に対する直線状領域8aのy方向の位
置ずれが許容値以内であるか否かが確認される。しかる
後に、ステツプm-17に進行し、上記ステツプm-16にお
いて検出されたずれが補正、即ち移動手段12のy方向
駆動源16が作動され、直線状領域8aの中心が表示手
段52の表示画面における横方向中心線(dx-dx線)に
合致せしめられる(y方向整合)。かくして第1の位置
付けが終了し、第2の位置付けに移行する。即ち、ステ
ツプm-18に進行し、保持手段4及びこれに保持された
ウエーハ2の90度回転が既に遂行されたか否か(換言
すれば、第2の位置付けに既に移行したか否か)が判断
される。上記90度回転が未だ遂行されていない場合に
は、ステツプm-19に進行し、移動手段12のθ方向駆
動源18を作動せしめて、保持手段4及びこれに保持さ
れたウエーハ2を時計方向(又は反時計方向)に90度
回転せしめる。次いで、ステツプm-20に進行し、かか
るステツプm-20においては、移動手段12のx方向駆
動源14及びy方向駆動源16を作動せしめて、x方向
所定量及びy方向所定量だけ保持手段4及びこれに保持
されたウエーハ2を移動せしめ(座標変換移動)、かく
して、上記ステツプm-19において90度回転せしめら
れた後において、第2の左側及び右側キーパターン即ち
上記特定領域60L及び60Rと同一のパターンが第2
の撮像手段42に投射される2個の比較的高倍率の画像
の夫々の所要位置に存在することが確保される。上記x
方向所定量及びy方向所定量は、上記ステツプm-17に
おいてy方向整合を遂行した後の状態での、保持手段4
の回転中心を原点とするx-y座標系における光学手段
26の入光開口36a及び36bの中心の位置及びに上
記特定領域60L及び60Rの(中心)位置に基いて算
出される。この点について、第9図を参照して更に詳述
すると、上記ステツプm-17においてy方向整合を遂行
した後の状態での、保持手段4の回転中心を原点とする
x-y座標系における、光学手段26の入光開口36a
の中心36a-Cの位置を(x,y)とし、上記特定領域
60Lの位置を(x1,y1)とする。そうすると、上記ス
テツプm-17においては上述した通りのy方向整合が遂
行されている故にy=y1である。一方、x1−x=とす
る。上記ステツプm-19において保持手段4及びこれに
保持されたウエーハ2を時計方向に回転せしめると、上
記特定領域60Lの位置は、(y1,−x1)即ち、(y,
−x−)となる。従つて、保持手段4及びこれに保持
されたウエーハ2を、x方向に所定量h=x−y移動せ
しめ、y方向に所定量v=x++y移動せしめれば、
上記特定領域60Lは、入光開口36aの中心36a-
C、即ち表示手段52の表示画面の左半部内の、横方向
中心線(dx-dx線)方向及び縦方向中心線(dy-dy線)方
向の双方における中心に位置付けられる。而して、上記
x方向所定量として上記h=x−yを採用してもよい
が、第2図に図示する如く直線状領域8aはピツチpy
で存在し、従つて上記特定領域60Lは90度回転後に
おいてx方向にピツチpyで存在する故に、h=x−y
をpyで除した余りαxだけウエーハ2をx方向に移動
しても、x方向において入光開口36aの中心36a-C
と整合して、上記特定領域60Lと同一の領域が位置付
けられ、それ故に上記x方向所定量として上記余りαx
を採用し、かくしてx方向必要移動量を低減し、x方向
移動に要する時間を低減するのが好ましい。同様に、上
記y方向所定量として上記v=x++yを採用しても
よいが、第2図に図示する如く直線状領域8bはピツチ
pxで存在し、従つて上記特定領域60Lは90度回転後
においてy方向にピツチpxで存在する故に、v=x+
+yをpxで除した余りαyだけウエーハ2をy方向
に移動しても、y方向において入光開口36aの中心3
6a-Cと整合して上記特定領域60Lと同一の領域が位
置付けられ、それ故に上記y方向所定量として上記余り
αyを採用し、かくしてy方向必要移動量を低減し、y
方向移動に要する時間を低減するのが好ましい。しかる
後に、上記ステツプm-10に戻る。上記ステツプm-19及
びm-20を介して上記ステツプm-10に戻つた後において
は、上記ステツプm-10,m-11,m-12,m-13,m-1
4,m-16及びm-20において、第2の際像手段42に投
射される2個の比較的高倍率の画像の双方(或いはいず
れか一方)においてパターンマツチング手段56が第1
のキーパターン(即ち90度回転前における上記特定領
域60L及び60R)ではなくて第2のキーパターン
(即ち90度回転後における上記特定領域60L及び6
0R)と同一のパターンを検出するか否かが判断され
る。また、上記ステツプm-11,m-13及びm-17におい
ては、直線状領域8aではなく直線状領域8bの、表示
手段52の表示画面における横方向中心線(dx -dx線)
に対する傾斜或いはy方向ずれが補正され、上記ステツ
プm-15においては、直線状領域8aのピツチpyでは
なくて直線状領域8bのピツチpxだけ保持手段4及び
これに保持されたウエーハ2が移動せしめられる。かく
して、第2の位置付けが遂行され、ウエーハ2が所要位
置に充分迅速且つ充分精密に位置付けられる。更に、上
記ステップm−11における傾斜補正回転角度(かかる
傾斜補正回転角度は、例えば、上記ステップm−19に
おける保持手段4の90度回転における誤差或いはウエ
ーハ2の表面に存在する直線状領域8aと直線状領域8
bとの直交における誤差に起因する)は、中央処理ユニ
ット50(第3図)に記憶される。そして上述した如く
して実際にウエーハ2の切断を遂行する時の、保持手段
4の90度回転に上記傾斜補正回転角度の回転が誤差補
償のために加えられる。
ートの一例を示している。第8図を参照して説明する
と、ステツプm-1においては、上記倍率変換手段44
が第1の撮像手段40をA/D変換手段46に接続し、従
つてウエーハ2の表面の比較的低倍率の画像が表示手段
52に可視表示される状態に設定される。次いで、ステ
ツプm-2において、第1の撮像手段40に投射される
2個の比較的低倍率の画像、即ち顕微鏡28の左側入光
開口36aから第1の光学径路32を通して第1の撮像
手段40に投射される比較的低倍率の画像と顕微鏡28
の右側入光開口36bから第1の光学径路32を通して
第1の撮像手段40に投射される比較的低倍率の画像と
のいずれか一方、例えば前者において、パターンマツチ
ング手段56が低倍率左側キーパターン、即ち上記特定
領域62L(第6図)と同一のパターンを検出するか否
かが判断される。図示の具体例においては、ウエーハ2
におけるオリエンテーシヨンフラツト6を利用したウエ
ーハ2の保持手段4上への所要誤差範囲内の載置操作
(及び必要に応じてこれに引続いて遂行される移動手段
12の作動による保持手段4の補正移動)によつて、正
常状態においては上記比較的低倍率の2個の画像の上記
一方には必ず上記特定領域62L(第6図)が存在し、
従つてパターンマツチング手段56は、低倍率左側キー
パターンと同一のパターンを検出する。次いで、ステツ
プm-3に進行し、上記ステツプm-2で検出した低倍率
左側キーパターンと同一のパターンの中心が表示手段5
2の表示画面における左半部内の特定位置例えば横方向
中心線(dx-dx線)方向及び縦方向中心線(dy-dy線)方
向の双方における中心、になるように移動手段12のx
方向移動源14及びy方向移動源16が作動されて保持
手段4及びこれに保持されたウエーハ2が移動される。
かくして、第2の撮像手段42に投射される2個の比較
的高倍率の画像のうちの一方、即ち顕微鏡28の左側入
光開口36aから第2の光学径路34を通して第2の撮
像手段42に投射される比較的高倍率の画像中に上記特
定領域60L(第4図)、換言すれば第1の左側キーパタ
ーンと同一のパターンが確実に存在するようにせしめら
れる。かくして前位置付けが終了し、第1の位置付けに
移行する。即ち、ステツプm-4に進行し、上記倍率変
換手段44が第2の撮像手段42をA/D変換手段46に
接続し、従つてウエーハ2の表面の比較的高倍率の画像
が表示手段52に可視表示される状態に設定される。次
いで、ステツプm-5において、第2の撮像手段42に
投射される2個の比較的高倍率の画像のうちの上記一
方、即ち顕微鏡28の左側入光開口36aから第2の光
学径路34を通して第2の撮像手段42に投射される比
較的高倍率の画像においてパターンマツチング手段56
が第1の左側キーパターン、即ち上記特定領域60L
(第4図)のパターンと同一のパターンを検出するか否
かが判断される。この第1のパターンマツチング作用に
おいては、上記ステツプm-3が既に遂行されている故
に、パターンマツチング手段56は充分迅速に第1の左
側キーパターンと同一とパターンを検出することができ
る。次いで、ステツプm-6に進行し、上記ステツプm-
5で検出した第1の左側キーパターンと同一のパターン
の中心が表示手段52の表示画面の左半部内の特定位
置、例えば横方向中心線(dx-dx線)方向及び縦方向中
心線(dy-dy線)方向の双方における中心、になるよう
に、移動手段12のx方向移動源14及びy方向移動源
16が作動されて保持手段4及びこれに保持されたウエ
ーハ2が移動される。しかる後に、ステツプm-7に進
行し、第2の撮像手段42に投射される2個の比較的高
倍率の画像のうちの他方、即ち顕微鏡28の右側入光開
口36bから第2の光学径路34を通して第2の撮像手
段42に投射される比較的高倍率の画像において、パタ
ーンマツチング手段56が第1の右側キーパターン、即
ち上記特定領域60R(第4図)のパターンと同一パタ
ーンを検出するか否かが判断される。そして、パターン
マツチング手段56が第1の右側キーパターンと同一の
パターンを検出すると、ステツプm-8に進行し、この
ステツプm-8においては、上記ステツプm-7で検出し
た第1の右側キーパターンと同一のパターンの中心が表
示手段52の表示画面の右半部内の特定位置、例えば横
方向中心線(dx-dx線)方向及び縦方向中心線(dy-dy
線)方向の双方における中心、になるように、移動手段
12のx方向駆動源14及びy方向駆動源16が作動さ
れて保持手段4及びこれに保持されたウエーハ2が移動
される。次いで、ステツプm-9に進行し、このステツ
プm-9においては、第2の撮像手段42に投射される
2個の比較的高倍率の画像の双方においてパターンマツ
チング手段56が夫々第1の左側及び右側キーパター
ン、即ち上記特定領域60L及び60R(第4図)と同
一のパターンを検出し、そして両画像における第1の左
側及び右側キーパターンと同一のパターンのy方向(従
つてdy-dy線方向)の位置に基いて表示手段52の表示
画面における横方向中心線(dx-dx線)に対する直線状
領域8aの傾斜角度を算出し、これに応じて移動手段1
2のθ方向駆動源18を作動せしめて上記傾斜を補正す
る(θ方向粗整合)。しかる後に、ステツプm-10に進
行し、第2の撮像手段42に投射される2個の比較的高
倍率の双方においてパターンマツチング手段56が夫々
第1の左側及び右側キーパターン、即ち上記特定領域6
0L及び60R(第4図)と同一のパターンを検出する
か否かが確認される。次いで、ステツプm-11に進行
し、両画像における第1の左側及び右側キーパターンと
同一のパターンのy方向(従つてdy-dy線方向)の位置
に基いて表示手段52の表示画面における横方向中心線
(dx-dx線)に対する直線状領域8aの傾斜角度を算出
し、これに応じて移動手段12のθ方向駆動源18を、
作動せしめて上記傾斜を補正する(θ方向精密整合)。
しかる後に、ステツプm-12に進行し、上記ステツプm-
10と同様の確認、即ち第2の撮像手段42に投射される
2個の比較的高倍率の画像の双方においてパターンマツ
チング手段56が夫々第1の左側及び右側キーパターン
と同一のパターンを検出するか否かが確認される。次い
で、ステツプm-13に進行し、第1の左側及び右側キー
パターンと同一のパターンのy方向(従つてdy-dy線方
向)位置に基いて表示手段52の表示画面における横方
向中心線(dx-dx線)に対する直線状領域8aのy方向
のずれを算出し、これに応じて移動手段12のy方向駆
動源16を作動せしめて上記ずれを補正、即ち直線状領
域8aの中心を表示手段52の表示画面における横方向
中心線(dx-dx線)に合致せしめる(y方向整合)。し
かる後に、ステツプm-14に進行し、第2の撮像手段4
2に投射される2個の比較的高倍率の画像の双方におい
てパターンマツチング手段56が夫々第1の左側及び右
側キーパターンと同一のパターンを検出するか否かが確
認される。次いで、ステツプm-15に進行し、移動手段
12のy方向駆動源16を作動せしめて保持手段4及び
これに保持されたウエーハ2を直線状領域8aのピツチ
py(第2図)だけ移動せしめる(ピツチpyは中央処理ユ
ニツト50に内蔵されているRAMに予め記憶せしめてお
くことができる)。次いでステツプm-16に進行し、第
2の撮像手段42に投射される2個の比較的高倍率の画
像の双方(又は一方)においてパターンマツチング手段
56が検出するところの第1の左側又は右側キーパター
ンと同一のパターンのy方向(従つてdy-dy線方向)位
置に基いて、表示手段52の表示画面における横方向中
心線(dx-dx線)に対する直線状領域8aのy方向の位
置ずれが許容値以内であるか否かが確認される。しかる
後に、ステツプm-17に進行し、上記ステツプm-16にお
いて検出されたずれが補正、即ち移動手段12のy方向
駆動源16が作動され、直線状領域8aの中心が表示手
段52の表示画面における横方向中心線(dx-dx線)に
合致せしめられる(y方向整合)。かくして第1の位置
付けが終了し、第2の位置付けに移行する。即ち、ステ
ツプm-18に進行し、保持手段4及びこれに保持された
ウエーハ2の90度回転が既に遂行されたか否か(換言
すれば、第2の位置付けに既に移行したか否か)が判断
される。上記90度回転が未だ遂行されていない場合に
は、ステツプm-19に進行し、移動手段12のθ方向駆
動源18を作動せしめて、保持手段4及びこれに保持さ
れたウエーハ2を時計方向(又は反時計方向)に90度
回転せしめる。次いで、ステツプm-20に進行し、かか
るステツプm-20においては、移動手段12のx方向駆
動源14及びy方向駆動源16を作動せしめて、x方向
所定量及びy方向所定量だけ保持手段4及びこれに保持
されたウエーハ2を移動せしめ(座標変換移動)、かく
して、上記ステツプm-19において90度回転せしめら
れた後において、第2の左側及び右側キーパターン即ち
上記特定領域60L及び60Rと同一のパターンが第2
の撮像手段42に投射される2個の比較的高倍率の画像
の夫々の所要位置に存在することが確保される。上記x
方向所定量及びy方向所定量は、上記ステツプm-17に
おいてy方向整合を遂行した後の状態での、保持手段4
の回転中心を原点とするx-y座標系における光学手段
26の入光開口36a及び36bの中心の位置及びに上
記特定領域60L及び60Rの(中心)位置に基いて算
出される。この点について、第9図を参照して更に詳述
すると、上記ステツプm-17においてy方向整合を遂行
した後の状態での、保持手段4の回転中心を原点とする
x-y座標系における、光学手段26の入光開口36a
の中心36a-Cの位置を(x,y)とし、上記特定領域
60Lの位置を(x1,y1)とする。そうすると、上記ス
テツプm-17においては上述した通りのy方向整合が遂
行されている故にy=y1である。一方、x1−x=とす
る。上記ステツプm-19において保持手段4及びこれに
保持されたウエーハ2を時計方向に回転せしめると、上
記特定領域60Lの位置は、(y1,−x1)即ち、(y,
−x−)となる。従つて、保持手段4及びこれに保持
されたウエーハ2を、x方向に所定量h=x−y移動せ
しめ、y方向に所定量v=x++y移動せしめれば、
上記特定領域60Lは、入光開口36aの中心36a-
C、即ち表示手段52の表示画面の左半部内の、横方向
中心線(dx-dx線)方向及び縦方向中心線(dy-dy線)方
向の双方における中心に位置付けられる。而して、上記
x方向所定量として上記h=x−yを採用してもよい
が、第2図に図示する如く直線状領域8aはピツチpy
で存在し、従つて上記特定領域60Lは90度回転後に
おいてx方向にピツチpyで存在する故に、h=x−y
をpyで除した余りαxだけウエーハ2をx方向に移動
しても、x方向において入光開口36aの中心36a-C
と整合して、上記特定領域60Lと同一の領域が位置付
けられ、それ故に上記x方向所定量として上記余りαx
を採用し、かくしてx方向必要移動量を低減し、x方向
移動に要する時間を低減するのが好ましい。同様に、上
記y方向所定量として上記v=x++yを採用しても
よいが、第2図に図示する如く直線状領域8bはピツチ
pxで存在し、従つて上記特定領域60Lは90度回転後
においてy方向にピツチpxで存在する故に、v=x+
+yをpxで除した余りαyだけウエーハ2をy方向
に移動しても、y方向において入光開口36aの中心3
6a-Cと整合して上記特定領域60Lと同一の領域が位
置付けられ、それ故に上記y方向所定量として上記余り
αyを採用し、かくしてy方向必要移動量を低減し、y
方向移動に要する時間を低減するのが好ましい。しかる
後に、上記ステツプm-10に戻る。上記ステツプm-19及
びm-20を介して上記ステツプm-10に戻つた後において
は、上記ステツプm-10,m-11,m-12,m-13,m-1
4,m-16及びm-20において、第2の際像手段42に投
射される2個の比較的高倍率の画像の双方(或いはいず
れか一方)においてパターンマツチング手段56が第1
のキーパターン(即ち90度回転前における上記特定領
域60L及び60R)ではなくて第2のキーパターン
(即ち90度回転後における上記特定領域60L及び6
0R)と同一のパターンを検出するか否かが判断され
る。また、上記ステツプm-11,m-13及びm-17におい
ては、直線状領域8aではなく直線状領域8bの、表示
手段52の表示画面における横方向中心線(dx -dx線)
に対する傾斜或いはy方向ずれが補正され、上記ステツ
プm-15においては、直線状領域8aのピツチpyでは
なくて直線状領域8bのピツチpxだけ保持手段4及び
これに保持されたウエーハ2が移動せしめられる。かく
して、第2の位置付けが遂行され、ウエーハ2が所要位
置に充分迅速且つ充分精密に位置付けられる。更に、上
記ステップm−11における傾斜補正回転角度(かかる
傾斜補正回転角度は、例えば、上記ステップm−19に
おける保持手段4の90度回転における誤差或いはウエ
ーハ2の表面に存在する直線状領域8aと直線状領域8
bとの直交における誤差に起因する)は、中央処理ユニ
ット50(第3図)に記憶される。そして上述した如く
して実際にウエーハ2の切断を遂行する時の、保持手段
4の90度回転に上記傾斜補正回転角度の回転が誤差補
償のために加えられる。
而して、上述した具体例においては、光学手段26にお
ける顕微鏡28として、x方向に適宜の間隔を置いて位
置する2個の入光開口36a及び36bを有する双眼顕
微鏡を使用し、従つて第1及び第2撮像手段40及び4
2には夫々2個の画像が投射される。しかしながら、所
望ならば、光学手段26における顕微鏡として、単一の
入光開口を有する単眼顕微鏡を使用し、従つて第1及び
第2の撮像手段40及び42には、夫々、1個の画像が
投射されるようになすこともできる。この場合には、例
えば、上記ステツプm-7においては、移動手段12の
x方向駆動源14を作動せしめて保持手段4及びこれに
保持されたウエーハ2をx方向に所定量移動せしめた後
に、第2の撮像手段42に投射される画像においてパタ
ーンマツチング手段56が第1のキーパターンと同一の
パターンを検出するか否かを判断すればよい。また、例
えば、上記ステツプm-9及びm-11においては、移動手
段12のx方向駆動源14を作動せしめて保持手段4及
びこれに保持されたウエーハ2をx方向に所定量移動せ
しめる前と後における、第2の撮像手段42に投射され
る画像での第1又は第2のキーパターンと同一のパター
ンのy方向位置に基いて、θ方向粗整合及びθ方向精密
整合を遂行することができる。
ける顕微鏡28として、x方向に適宜の間隔を置いて位
置する2個の入光開口36a及び36bを有する双眼顕
微鏡を使用し、従つて第1及び第2撮像手段40及び4
2には夫々2個の画像が投射される。しかしながら、所
望ならば、光学手段26における顕微鏡として、単一の
入光開口を有する単眼顕微鏡を使用し、従つて第1及び
第2の撮像手段40及び42には、夫々、1個の画像が
投射されるようになすこともできる。この場合には、例
えば、上記ステツプm-7においては、移動手段12の
x方向駆動源14を作動せしめて保持手段4及びこれに
保持されたウエーハ2をx方向に所定量移動せしめた後
に、第2の撮像手段42に投射される画像においてパタ
ーンマツチング手段56が第1のキーパターンと同一の
パターンを検出するか否かを判断すればよい。また、例
えば、上記ステツプm-9及びm-11においては、移動手
段12のx方向駆動源14を作動せしめて保持手段4及
びこれに保持されたウエーハ2をx方向に所定量移動せ
しめる前と後における、第2の撮像手段42に投射され
る画像での第1又は第2のキーパターンと同一のパター
ンのy方向位置に基いて、θ方向粗整合及びθ方向精密
整合を遂行することができる。
以上、本発明に従つて構成された自動精密位置合せシス
テムの好適具体例について添付図面を参照して詳細に説
明したが、本発明はかかる具体例に限定されるものでは
なく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形乃至
修正が可能であることは多言を要しない。
テムの好適具体例について添付図面を参照して詳細に説
明したが、本発明はかかる具体例に限定されるものでは
なく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形乃至
修正が可能であることは多言を要しない。
第1図は、本発明に従つて構成された自動精密位置合せ
システムの一具体例が装備された半導体ウエーハ切断装
置の一部を図式的に示す簡略斜面図。 第2図は、典型的なウエーハの表面の一部を示す部分平
面図。 第3図は、本発明に従つて構成された自動精密位置合せ
システムの一具体例を示すブロツク線図。 第4図は、サンプルウエーハの比較的高倍率の画像にお
ける特定領域の指示位置を表示手段の表示画面上で例示
する簡略図。 第5図は、サンプルウエーハを90度回転せしめる前と
後における特定領域の関係を説明するための簡略線図。 第6図は、サンプルウエーハの比較的低倍率の画像にお
ける特定領域の指示位置を表示手段の表示画面上で例示
する簡略図。 第7図は、パターンマツチング手段によるパターンマツ
チング手順の一例を示すフローチヤート。 第8図は、位置合せ手順の一例を示すフローチヤート。 第9図は、ウエーハを90度回転せしめる前と後におけ
る顕微鏡の入光開口と特定領域との関係を説明するため
の簡略線図。 2……半導体ウエーハ 4……保持手段 8(8a及び8b)……直線状領域 12……移動手段 26……光学手段 28……顕微鏡 30……光路分岐手段 32……第1の光学径路 34……第2の光学径路 38……撮像手段 40……第1の撮像手段 42……第2の撮像手段 44……倍率変換手段 46……A/D変換手段 48……画像フレームメモリ 50……中央処理ユニツト 52……表示手段 54……キーパターンメモリ 56……パターンマツチング手段 72……移動制御手段
システムの一具体例が装備された半導体ウエーハ切断装
置の一部を図式的に示す簡略斜面図。 第2図は、典型的なウエーハの表面の一部を示す部分平
面図。 第3図は、本発明に従つて構成された自動精密位置合せ
システムの一具体例を示すブロツク線図。 第4図は、サンプルウエーハの比較的高倍率の画像にお
ける特定領域の指示位置を表示手段の表示画面上で例示
する簡略図。 第5図は、サンプルウエーハを90度回転せしめる前と
後における特定領域の関係を説明するための簡略線図。 第6図は、サンプルウエーハの比較的低倍率の画像にお
ける特定領域の指示位置を表示手段の表示画面上で例示
する簡略図。 第7図は、パターンマツチング手段によるパターンマツ
チング手順の一例を示すフローチヤート。 第8図は、位置合せ手順の一例を示すフローチヤート。 第9図は、ウエーハを90度回転せしめる前と後におけ
る顕微鏡の入光開口と特定領域との関係を説明するため
の簡略線図。 2……半導体ウエーハ 4……保持手段 8(8a及び8b)……直線状領域 12……移動手段 26……光学手段 28……顕微鏡 30……光路分岐手段 32……第1の光学径路 34……第2の光学径路 38……撮像手段 40……第1の撮像手段 42……第2の撮像手段 44……倍率変換手段 46……A/D変換手段 48……画像フレームメモリ 50……中央処理ユニツト 52……表示手段 54……キーパターンメモリ 56……パターンマツチング手段 72……移動制御手段
Claims (11)
- 【請求項1】表面に所定パターンを有する被処理物体を
所要位置に位置付ける自動精密位置合せシステムにし
て; 被処理物体を保持するための保持手段と、該保持手段を
x方向,y方向及びθ方向に移動せしめるための移動手
段と、 該保持手段に保持された該被処理物体の該表面の少なく
とも一部の画像を撮像して、x−yマトリックス配列画
素の濃度を示すアナログ信号を出力するための撮像手段
と、 該撮像手段が出力する該アナログ信号に対応した信号を
記憶するための画像フレームメモリと、 該保持手段に保持された該被処理物体が所定位置に位置
付けられた時に該撮像手段に撮像される画像における少
なくとも1個の特定領域に存在するキーパターンを示す
第1のキーパターン信号を該画像フレームメモリに記憶
された信号に基いて記憶すると共に、該キーパターンの
位置を示す第1のキーパターン位置信号を記憶し、更
に、該第1のキーパターン信号及び該第1のキーパター
ン位置信号からの算出に基いて、該被処理物体が該所定
位置からθ方向に90度回転せしめられた場合における該
キーパターンを示す第2のキーパターン信号及び該キー
パターンの位置を示す第2のキーパターン位置信号を記
憶するためのキーパターンメモリと、 該画像フレームメモリに記憶されている信号と該キーパ
ターンメモリに記憶されている該第1のキーパターン信
号とに基く第1のパターンマッチング作用、及び該画像
フレームメモリに記憶されている信号と該キーパターン
メモリに記憶されている該第2のキーパターン信号とに
基く第2のパターンマッチング作用を遂行するためのパ
ターンマッチング手段と、 該第1のパターンマッチング作用に基いて該移動手段を
作動せしめ、かくして該保持手段に保持された該被処理
物体の第1の位置付けを遂行し、次いで、該保持手段を
θ方向に90度回転せしめると共に、x方向及びy方向
に所要座標変換移動せしめ、しかる後に、該第2のパタ
ーンマッチング作用に基いて該移動手段を作動せしめ、
かくして該保持手段に保持された該被処理物体の第2の
位置付けを遂行するための移動制御手段と、 を具備することを特徴とする自動精密位置合せシステ
ム。 - 【請求項2】該被処理物体は、該表面には格子状に配列
された複数個の直線状領域が存在し、該直線状領域によ
って区画された複数個の矩形領域の各々には同一の回路
パターンが施されている半導体ウエーハである、特許請
求の範囲第1項記載の自動精密位置合せシステム。 - 【請求項3】該所要座標変換移動におけるx方向移動量
は、該第1のパターンマッチング作用において検出した
該第1のキーパターンと同一のパターン自体を該保持手
段の90度回転後に該撮像手段が撮像する画像内の特定
位置に位置付けるために必要なx方向移動距離を、該保
持手段の90度回転前における該回路パターンのy方向
ピッチpyで除した余りαxに対応した値であり、該所
要座標変換移動におけるy方向移動量は、該第1のパタ
ーンマッチング作用において検出した該第1のキーパタ
ーンと同一のパターン自体を該保持手段の90度回転後
に該撮像手段が撮像する画像内の特定位置に位置付ける
ために必要なy方向移動距離を、該保持手段の90度回
転前における該回路パターンのx方向ピッチpxで除し
た余りαyに対応した値である、特許請求の範囲第2項
記載の自動精密位置合せシステム。 - 【請求項4】該保持手段に保持された該被処理物体の該
表面の少なくとも一部の画像を、比較的低倍率と比較的
高倍率との2つの倍率で該撮像手段に投射することがで
きる光学手段を具備し、 該第1のキーパターンの記憶,該第1のパターンマッチ
ング作用及び該第2のパターンマッチング作用は、該比
較的高倍率で該撮像手段に投射される画像に基いて遂行
され、 該キーパターンメモリは更に、該保持手段に保持された
該被処理物体が該所定位置に位置付けられた時に該比較
的低倍率で該撮像手段に撮像される画像における少なく
とも1個の特定領域に存在する低倍率キーパターンを示
す低倍率キーパターン信号及び該低倍率キーパターンの
位置を示す低倍率キーパターン位置信号を記憶し、 該パターンマッチング手段は、更に、該比較的低倍率で
該撮像手段に投射されている画像に対応するところの該
画像フレームメモリに記憶されている信号と該低倍率キ
ーパターン信号とに基く低倍率パターンマッチング作用
を遂行し、 該移動制御手段は、更に、該第1の位置付けに先立っ
て、該低倍率パターンマッチングに基いて該移動手段を
作動せしめ、かくして該保持手段に保持された該被処理
物体の前位置付けを遂行する、特許請求の範囲第1項か
ら第3項までのいずれかに記載の自動精密位置合せシス
テム。 - 【請求項5】該光学手段は、該比較的低倍率の第1の光
学径路と、該比較的高倍率の第2の光学径路とを有し、 該撮像手段は、該第1の光学径路に光学的に接続された
第1の撮像手段と、該第2の光学径路に光学的に接続さ
れた第2の撮像手段とを有し、 該第1の撮像手段及び該第2の撮像手段を選択的に該画
像フレームメモリに電気的に接続する倍率変換手段を具
備する、特許請求の範囲第4項記載の自動精密位置合せ
システム。 - 【請求項6】該撮像手段が生成する該アナログ信号を多
値デジタル信号に変換するためのA/D変換手段を具備
し、 該画像フレームメモリは、該A/D変換手段が生成する
多値デジタル信号を記憶する、特許請求の範囲第1項か
ら第5項までのいずれかに記載の自動精密位置合せシス
テム。 - 【請求項7】該キーパターンメモリに記憶される該第1
のキーパターン信号及び該第2のキーパターン信号は、
該キーパターン中の複数個の画素の濃度に対応した多値
デジタル信号である、特許請求の範囲第6項記載の自動
精密位置合せシステム。 - 【請求項8】該パターンマッチング手段は、該第1のパ
ターンマッチング作用及び該第2のパターンマッチング
作用において、マッチング度Pを下記式 ここで、fは該保持手段に保持された該被処理物体の該
表面の照合領域中の複数個の画素の各々の濃度に対応し
た値であり、はfの平均値であり、gはキーパターン
中の複数個の画素の濃度に対応した値であり、はgの
平均値である、 に基いて算出する、特許請求の範囲第7項記載の自動精
密位置合せシステム。 - 【請求項9】該パターンマッチング手段は、該第1のパ
ターンマッチング作用及び該第2のパターンマッチング
作用において、マッチング度Pを、下記式 ここで、fは該保持手段に保持された該被処理物体の該
表面の照合領域中の複数個の画素の各々の濃度に対応し
た値であり、はfの平均値であり、gはキーパターン
中の複数個の画素の濃度に対応した値であり、はgの
平均値であり、Uは2値化演算を意味する、 に基いて算出する、特許請求の範囲第7項記載の自動精
密位置合せシステム。 - 【請求項10】該パターンマッチング手段は、該第1の
パターンマッチング作用及び該第2のパターンマッチン
グ作用において、マッチング度Pを、下記式 ここで、fは該保持手段に保持された該被処理物体の該
表面の照合領域中の複数個の画素の各々の濃度に対応し
た値であり、はfの平均値であり、gはキーパターン
中の複数個の画素の濃度に対応した値であり、はgの
平均値である、 に基いて算出する、特許請求の範囲第7項記載の自動精
密位置合せシステム。 - 【請求項11】該撮像手段はx−yマトリックス配列さ
れた複数個の撮像素子を有する固体カメラから構成され
ている、特許請求の範囲第1項から第10項までのいず
れかに記載の自動精密位置合せシステム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59264488A JPH0619670B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 自動精密位置合せシステム |
US06/808,124 US4720635A (en) | 1984-12-17 | 1985-12-12 | Automatic accurate alignment system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59264488A JPH0619670B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 自動精密位置合せシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61143820A JPS61143820A (ja) | 1986-07-01 |
JPH0619670B2 true JPH0619670B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=17403933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59264488A Expired - Lifetime JPH0619670B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 自動精密位置合せシステム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4720635A (ja) |
JP (1) | JPH0619670B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4742233A (en) * | 1986-12-22 | 1988-05-03 | American Telephone And Telgraph Company | Method and apparatus for automated reading of vernier patterns |
US4819167A (en) * | 1987-04-20 | 1989-04-04 | Applied Materials, Inc. | System and method for detecting the center of an integrated circuit wafer |
US4969200A (en) * | 1988-03-25 | 1990-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Target autoalignment for pattern inspector or writer |
CA1314085C (en) * | 1988-05-25 | 1993-03-02 | Andras G. Fule | Linear interpolation for a component placement robot |
JPH02165699A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 産業用ロボットによるフラットパッケージ型icの装着方法 |
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FR2783971B1 (fr) * | 1998-09-30 | 2002-08-23 | St Microelectronics Sa | Circuit semi-conducteur comprenant des motifs en surface et procede de reglage d'un outil par rapport a cette surface |
JP2002141310A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置 |
US7008802B2 (en) * | 2001-05-29 | 2006-03-07 | Asm America, Inc. | Method and apparatus to correct water drift |
US20040008352A1 (en) * | 2002-05-14 | 2004-01-15 | Satoshi Hirokawa | Precision size measuring apparatus |
US6900877B2 (en) | 2002-06-12 | 2005-05-31 | Asm American, Inc. | Semiconductor wafer position shift measurement and correction |
US7281535B2 (en) * | 2004-02-23 | 2007-10-16 | Towa Intercon Technology, Inc. | Saw singulation |
US8041450B2 (en) * | 2007-10-04 | 2011-10-18 | Asm Japan K.K. | Position sensor system for substrate transfer robot |
KR101489963B1 (ko) * | 2007-12-13 | 2015-02-04 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법 |
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US7963736B2 (en) | 2008-04-03 | 2011-06-21 | Asm Japan K.K. | Wafer processing apparatus with wafer alignment device |
US20110122587A1 (en) * | 2008-05-21 | 2011-05-26 | Deming Stephen R | Flexible circuit stretching |
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JP5531071B2 (ja) * | 2012-09-19 | 2014-06-25 | 株式会社キーエンス | 画像計測装置及びコンピュータプログラム |
JP2014197004A (ja) * | 2014-04-21 | 2014-10-16 | 株式会社キーエンス | 画像計測装置 |
JP7575937B2 (ja) * | 2020-12-21 | 2024-10-30 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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JPS5719726A (en) * | 1980-07-10 | 1982-02-02 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Positioning device |
JPS5854648A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ装置 |
JPS5886739A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウエハの自動位置決め方法 |
JPS59195713A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-06 | Hitachi Ltd | 物品の位置決めシステム |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP59264488A patent/JPH0619670B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-12-12 US US06/808,124 patent/US4720635A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61143820A (ja) | 1986-07-01 |
US4720635A (en) | 1988-01-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |