JPH06195705A

JPH06195705A - 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置

Info

Publication number: JPH06195705A
Application number: JP9753993A
Authority: JP
Inventors: Masaru Itaya; 大板谷; Hiroyuki Wakasugi; 弘幸若杉; Kazunobu Chiba; 一信千葉; Kenichi Sato; 研一佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-10-27
Filing date: 1993-04-23
Publication date: 1994-07-15

Abstract

(57)【要約】【目的】保護膜の形成後または形成前後に光線反射率の
測定により膜厚を測定制御することにより、膜厚のばら
つきの少ない品質の安定した磁気記録媒体を製造できる
ようにする。【構成】非磁性支持体２上に真空中での薄膜形成法によ
り磁性薄膜を形成し、その後保護膜を形成する磁気記録
媒体の製造方法において、前記保護膜の形成後または形
成前後に光線反射率測定計１５、１６を設置し、光線反
射率の測定により膜厚を測定制御することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性層となる磁性薄膜
を真空蒸着やＣＶＤ、スパッタ等の真空薄膜形成手段に
より非磁性支持体上に形成した磁気記録媒体の、該磁性
薄膜上に真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタ等の真空薄膜形成
法により保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法、及
び、この磁気記録媒体の製造過程に於て、保護膜の膜厚
を光線反射率の変化を用いて測定する光線反射率測定計
に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に酸化物磁
性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビ
ニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ウレ
タン樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダ−中に分
散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥することにより作成さ
れる塗布型の磁気記録媒体が広く使用されている。

【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレ−ティン
グ法等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され
注目を集めている。この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体
は抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に
優れるばかりでなく、磁性層の厚さをきわめて薄くでき
る為、記録減磁や再生時の厚さ損失が著しく小さいこ
と、磁性層中に非磁性材であるそのバインダ−を混入す
る必要が無いため磁性材料の充填密度を高めることが出
来ることなど、数々の利点を有している。

【０００４】更に、この種の磁気記録媒体の電磁変換特
性を向上させ、より大きな出力を得ることが出来るよう
にするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場
合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案さ
れ実用化されている。

【０００５】これら、金属薄膜型の磁気記録媒体は耐久
性、耐錆性に問題があると言われており、従来よりコ−
ティングによる潤滑剤、防錆剤などの有機材料の検討や
微粒子を磁性層形成前に非磁性支持体上に塗布するいわ
ゆる下塗技術の検討がなされてきた。しかし、これらの
技術では、特殊な環境下に於ける使用や業務用のような
苛酷な仕様に充分に満足できる特性を実現できないた
め、新たな手法として真空蒸着、スパッタ、プラズマＣ
ＶＤ等の真空薄膜形成手段による表面保護膜の検討が行
われてきた。

【０００６】このような状況の中で我々は、スパッタ法
による保護膜作成技術により耐久性、耐蝕性にすぐれた
磁気記録媒体の開発に成功したが量産時の保護膜の品質
の安定性に欠け問題となっていた。

【０００７】この原因を調査した結果、スパッタ時のエ
ロ−ジョン形状の変化に伴う形成時の厚さむらにあるこ
とが判明し、この現象の対策を実施する必要が発生し
た。従来の厚さ測定法は、光線透過率を測定しその値か
ら換算する方法や、Ｘ線を利用する方法などがあるが、
前者は多層の場合に下層の厚さのむらにより上層の保護
膜厚の結果が影響され、保護膜の制御の安定性に欠け
る。後者は設備が高価でかつ大規模になり、大面積の保
護膜厚の平均値しか得られない点からインラインで真空
中の巻取り走行系に設置することは不適当である。

【０００８】そこで、本発明はかかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、真空薄膜形成手段により非磁
性支持体上に磁性膜、中間膜、保護膜等の積層膜を形成
する磁気記録媒体の製造方法において、前記保護膜形成
後あるいは形成前後の磁気記録媒体の光線反射率から保
護膜の膜厚測定することにより、

【０００９】または、前記磁気記録媒体の製造装置にお
いて、保護膜形成後あるいは形成前後の磁気記録媒体の
光線反射率から保護膜の膜厚を測定するための光線反射
率測定計を備えてなることにより、前記保護膜の膜厚の
測定精度の向上を図ることが可能となり、安定した前記
保護膜の膜厚が得られ、電磁変換特性及び信頼性の安定
した「ばらつき」の少ない磁気記録媒体を提供する。

【００１０】一方、上述したように、磁気記録媒体の電
磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることが出
来るようにするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成
する場合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が
提案され実用化されている。

【００１１】これら、金属薄膜型の磁気記録媒体は耐久
性に問題があると言われており、従来から、磁性薄膜形
成時に酸素を導入して磁性薄膜表面に酸化層を形成する
ことにより耐久性を改善する技術の検討がなされてき
た。

【００１２】しかし、この磁性薄膜表面の酸化層の厚さ
が適正値以上であるとスペ−シングロスが増加して磁気
記録媒体の電磁変換特性を劣化させることがわかってい
る。そこで、製造時にこの磁性薄膜表面の酸化層の厚さ
を測定管理する必要が発生した。従来は酸化層の厚さの
測定法としては、ＡＥＳ（オ−ジェ電子分光分析）によ
る方法があるが、非破壊検査ではなく、またリアルタイ
ムの測定も不可能である。これよりインラインの走行系
に設置することは不適当である。

【００１３】そこで、本発明はかかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、真空薄膜形成手段により非磁
性支持体上に磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方
法において、前記磁性薄膜の形成後の磁気記録媒体の光
線反射率から磁性薄膜表面の酸化層の厚さを測定するこ
とにより、

【００１４】または、前記磁気記録媒体の製造装置にお
いて、磁性薄膜の形成後の磁気記録媒体の光線反射率か
ら磁性薄膜表面の酸化層の厚さを測定するための光線反
射率測定計を備えてなることにより、前記磁性薄膜表面
の酸化層の厚さの測定精度の向上を図ることが可能とな
り、安定した前記磁性薄膜表面の酸化層の厚さが得ら
れ、電磁変換特性及び信頼性の安定した「ばらつき」の
少ない磁気記録媒体を提供する。

【００１５】また、上述したように、我々は、スパッタ
法による保護膜作成技術により耐久性、耐蝕性にすぐれ
た磁気記録媒体の開発に成功したが、量産時の保護膜の
品質の安定性に欠け問題となっていた。

【００１６】この原因を調査した結果、スパッタ時のエ
ロ−ジョン形状の変化に伴う形成時の厚さむらにあるこ
とが判明し、この現象の対策を実施する必要が発生し
た。従来の厚さ測定法は、光線透過率を測定しその値か
ら換算する方法や、Ｘ線を利用する方法などがあるが、
前者は多層の場合に下層の厚さのむらにより上層の保護
膜厚の結果が影響され、保護膜の制御の安定性に欠け
る。後者は設備が高価でかつ大規模になり、大面積の保
護膜厚の平均値しか得られない点からインラインで真空
中の巻取り走行系に設置することは不適当である。

【００１７】そこで、本発明はかかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、真空薄膜形成手段により非磁
性支持体上に金属磁性薄膜、中間膜、保護膜等の積層膜
を形成する製造方法において、保護膜の形成後、または
保護膜の形成前後に透明焦点補償板を持った光学ピック
アップを有する光線反射率測定計を設置し、磁気記録媒
体の光線反射率を計測することにより、保護膜厚を測定
する膜厚測定方法及び装置を提供するものである。

【００１８】また、本発明は、真空薄膜形成手段により
金属磁性薄膜媒体上に磁性膜、中間膜、保護膜等の積層
膜を形成する製造方法において、保護膜の形成前後に光
線反射率測定装置を設置し、磁気記録媒体の光線反射率
で膜厚を測定する保護膜の膜厚測定装置、さらに測定値
を用いることにより作成された保護膜層の厚さの安定性
に優れた磁気記録媒体を実現する為の製造装置を提供す
るものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性支持体
上に真空中での薄膜形成法により磁性薄膜を形成し、そ
の後保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法におい
て、前記保護膜の形成後あるいは形成前後の磁気記録媒
体の光線反射率から保護膜の膜厚を測定することを特徴
とする。

【００２０】または、非磁性支持体上に真空中での薄膜
形成法により磁性薄膜を形成し、その後保護膜を形成す
る磁気記録媒体の製造装置において、前記保護膜の形成
後あるいは形成前後の磁気記録媒体の光線反射率から保
護膜の膜厚を測定するための光線反射率測定計を備える
ことを特徴とする。

【００２１】本発明に係わる保護膜の厚さ測定は、保護
膜形成後に、光線反射率測定計を用い、磁気記録媒体の
光線反射率を測定し、その値により保護膜厚を測定する
ことを特徴とする。また、さらに精度を安定させる手段
としては、保護膜形成前後に、光線反射率測定計を用
い、保護膜形成前の磁気記録媒体の光線反射率と保護膜
形成後の磁気記録媒体の光線反射率の比較から保護膜厚
を測定することを特徴とする。

【００２２】本発明が適用される磁気記録媒体の製造方
法としては、前記膜厚測定方法により測定された保護膜
厚値を利用して保護膜形成条件を制御することを特徴と
する。本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持
体上に磁性層として金属磁性薄膜を設けてなる金属薄膜
型の磁気記録媒体に関する方法である。

【００２３】該非磁性支持体上には、強磁性金属材料を
直接被着することにより金属磁性薄膜が磁性層として形
成されているがこの金属磁性材料としては通常の蒸着テ
−プに使用されるものであれば如何なるものであっても
よい。例示すれば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性金
属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ
−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍｎ−
Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃ
ｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金があげられる。これらの単
層膜であってもよいし多層膜であってもよい。さらに
は、非磁性支持体と金属磁性薄膜間、あるいは多層膜の
場合には、各層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御等
のため、下地層または、中間層を設けてもよい。また、
例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化物と
なっていてもよい。

【００２４】金属磁性薄膜形成の手段としては、真空下
で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させ
る真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行う
イオンプレ−ティング法、アルゴンを主成分とする雰囲
気中でグロ−放電を起こし生じたアルゴンイオンでタ−
ゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆる
ＰＶＤ技術によればよい。

【００２５】また、該非磁性支持体上に形成された強磁
性金属材料上には保護膜層が形成されているがこの材料
としては、通常の金属磁性薄膜用保護膜として一般に使
用されるものであれば如何なるものであってもよい。例
示すれば、カ−ボン、ＣｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＢＮ、Ｃ
ｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｏ4 、ＳｉＮX、
ＳｉＣ、ＳｉＮX −ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔ
ｉＣ等があげられる。これらの単層膜であってもよいし
多層膜であってもよい。

【００２６】もちろん、本発明にかかる磁気記録媒体の
構成はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を
逸脱しない範囲での変更、例えば必要に応じてバックコ
−ト層を形成したり、非磁性支持体上に下塗層を形成し
たり、潤滑剤、防錆剤などの層を形成することは何等差
し支えない。この場合、バックコ−ト層に含まれる非磁
性顔料、樹脂結合剤あるいは潤滑剤、防錆剤層に含まれ
る材料としては従来公知のものがいずれも使用できる。

【００２７】光線反射率測定計としては、光源装置及び
受光装置からなり、被測定物への投光量と反射光量の比
から反射率を測定する装置で、光ファイバ−方式や焦点
光学系方式など従来公知の装置を利用することができ
る。

【００２８】また、本発明は、真空薄膜形成手段により
非磁性支持体上に磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製
造方法において、前記磁性薄膜の形成後の磁気記録媒体
の光線反射率から磁性薄膜表面の酸化層の厚さを測定す
ることを特徴とする。

【００２９】または、真空薄膜形成手段により非磁性支
持体上に磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製造装置に
おいて、磁性薄膜の形成後の磁気記録媒体の光線反射率
から磁性薄膜表面の酸化層の厚さを測定するための光線
反射率測定計を備えてなるものである。

【００３０】本発明に係わる磁性薄膜表面の酸化層の厚
さの測定は、磁性薄膜形成後に、光線反射率測定計を用
い、磁気記録媒体の光線反射率を測定し、その値により
磁性薄膜表面の酸化層の厚さを測定することを特徴とす
る。

【００３１】本発明が適用される磁気記録媒体の製造方
法としては、前記酸化層の厚さ測定方法により測定され
た酸化層の厚さの値を利用して磁性薄膜形成条件を制御
することを特徴とする。本発明の磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性支持体上に磁性層として金属磁性薄膜を設
けてなる金属薄膜型の磁気記録媒体に関する方法であ
る。

【００３２】また、本発明に係わる保護膜の厚さ測定方
法は、保護膜形成後に透明焦点補償板を持った光学ピッ
クアップを有する光線反射率測定計を配設し、磁気記録
媒体の光線反射率を測定し、その値により保護膜厚を測
定することを特徴とする。

【００３３】また、さらに精度を安定させる手段として
は、保護膜形成前後に透明焦点補償板を持った光学ピッ
クアップを有する光線反射率測定計を配し、保護膜形成
前の磁気記録媒体の光線反射率と保護膜形成後の磁気記
録媒体の光線反射率の比較から保護膜厚を測定すること
を特徴とする。

【００３４】本発明が適用される磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性支持体上に磁性層として金属磁性薄膜を設
けてなる金属薄膜型の磁気記録媒体に関する方法であ
る。

【００３５】金属磁性薄膜形成の手段としては、真空下
で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させ
る真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行う
イオンプレ−ティング法、アルゴンを主成分とする雰囲
気中でグロ−放電を起こし生じたアルゴンイオンでタ−
ゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆる
ＰＶＤ技術によればよい。また、化学的な金属磁性薄膜
形成の手段として、いわゆるＣＶＤ技術を利用してもよ
い。

【００３６】また、本発明に係わる保護膜の厚さ測定方
法は、保護膜形成前後に光線反射率測定装置を配し、保
護膜形成前の磁気記録媒体の光線反射率と保護膜形成後
の磁気記録媒体の光線反射率の比較から保護膜厚を測定
することを特徴とする。

【００３７】製造方法としては、上記膜厚測定方法によ
り測定された保護膜厚値を利用して保護膜形成条件を制
御することを特徴とする。

【００３８】本発明が適用される磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性支持体上に磁性層として金属磁性薄膜を設
けてなる金属薄膜型の磁気記録媒体に関する方法であ
る。

【００３９】光線反射率測定装置としては、光源装置及
び導光用光ファイバ、受光装置からなり、被測定物への
投光量と反射光量の比から反射率を測定する装置であ
る。

【００４０】

【作用】本発明は、非磁性支持体上に真空中での薄膜形
成法により磁性薄膜を形成し、その後保護膜を形成する
磁気記録媒体の製造方法において、前記保護膜形成後あ
るいは形成前後の磁気記録媒体の光線反射率から保護膜
の膜厚測定することにより、または、前記磁気記録媒体
の製造装置において、保護膜形成後あるいは形成前後の
磁気記録媒体の光線反射率から保護膜の膜厚を測定する
ための光線反射率測定計を備えてなることにより、前記
保護膜の膜厚の測定精度の向上を図ることが可能とな
り、安定した前記保護膜の膜厚が得られ、電磁変換特性
及び信頼性の安定した「ばらつき」の少ない磁気記録媒
体が得られる。

【００４１】また、本発明は、真空薄膜形成手段により
非磁性支持体上に磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製
造方法において、前記磁性薄膜の形成後の磁気記録媒体
の光線反射率から磁性薄膜表面の酸化層の厚さを測定す
ることにより、または、真空薄膜形成手段により非磁性
支持体上に磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製造装置
において、磁性薄膜の形成後の磁気記録媒体の光線反射
率から磁性薄膜表面の酸化層の厚さを測定するための光
線反射率測定計を備えてなることにより、前記磁性薄膜
表面の酸化層の厚さの測定精度の向上を図ることが可能
となり、安定した前記磁性薄膜表面の酸化層の厚さが得
られ、電磁変換特性及び信頼性の安定した「ばらつき」
の少ない磁気記録媒体が得られる。

【００４２】また、本発明は、非磁性支持体上に真空中
での薄膜形成法により磁性薄膜を形成し、その後保護膜
を形成する磁気記録媒体の製造装置において、保護膜形
成後あるいは形成前後の磁気記録媒体の光線反射率から
保護膜の膜厚を測定するための透明焦点補償板を持った
光学ピックアップを有する光線反射率測定計を備えてな
ることにより、前記保護膜の膜厚の測定精度の向上を図
ることが可能となり、安定した前記保護膜の膜厚が得ら
れ、電磁変換特性及び信頼性の安定した「ばらつき」の
少ない磁気記録媒体が得られる。

【００４３】また、本発明は、非磁性支持体上に真空中
での薄膜形成法により磁性薄膜を形成し、その後保護膜
を形成する磁気記録媒体の製造装置において、保護膜形
成後あるいは形成前後の磁気記録媒体の光線反射率から
保護膜の膜厚を測定するための光線反射率測定計を備
え、この光線反射率測定計の磁気記録媒体に相対する端
面には光ファイバ束を備え、また、この光ファイバ端面
には防塵キャップを取り付けることにより、保護膜の膜
厚の測定精度の向上を図ることが可能となり、安定した
前記保護膜の膜厚が得られ、電磁変換特性及び信頼性の
安定した「ばらつき」の少ない磁気記録媒体が得られ
る。

【００４４】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
い。

【００４５】実施例１

【００４６】本実施例において使用したスパッタ製造装
置の構成について説明する。図１に示すように、この製
造装置においては、頭部と底部にそれぞれ設けられた排
気口１３から排気されて内部が真空状態となされた真空
室１内に、図中の時計回り方向に回転する送りロ−ル３
と、図中の時計回り方向に回転する巻取りロ−ル４とが
設けられ、これら送りロ−ル３から巻取りロ−ル４にフ
ィルムテ−プ状の非磁性支持体２が順次走行するように
なされている。

【００４７】これら送りロ−ル３から巻取りロ−ル４側
に該非磁性支持体２が走行する中途部には、該送りロ−
ル３、巻取りロ−ル４の径よりも大径となされた円筒キ
ャン５が設けられている。この円筒キャン５は、該非磁
性支持体２を図中下方に引き出すように設けられ、図中
の時計回り方向に回転する構成とされる。尚、該送りロ
−ル３、巻取りロ−ル４、及び、円筒キャン５は、それ
ぞれ非磁性支持体２の幅と略同じ長さからなる円筒状を
なすものであり、また該円筒キャン５には、内部に図示
しない冷却装置が設けられ、該非磁性支持体２の温度上
昇による変形等を抑制し得るようになされている。

【００４８】従って、該非磁性支持体２は、送りロ−ル
３から順次送り出され、さらに該円筒キャン５の周面を
通過し、巻取りロ−ル４に巻取られていくようになされ
ている。尚、該送りロ−ル３と該円筒キャン５との間及
び該円筒キャン５と該巻取りロ−ル４との間にはそれぞ
れガイドロ−ル６、７、８、９が配設され、該送りロ−
ル３から円筒キャン５、及び該円筒キャン５から巻取り
ロ−ル４にわたって走行する非磁性支持体２に所定のテ
ンションをかけ、該非磁性支持体２が円滑に走行するよ
うになされている。また、該真空室内には、該円筒キャ
ン５の下方にスパッタカソ−ド１０が設けられ、このス
パッタカソ−ド１０表面に保護膜材料タ−ゲット１１が
接着されている。このスパッタカソ−ド１０は、該円筒
キャン５の長手方向の幅と略同一の幅を有してなる。
尚、本実施例では、円筒キャン５は冷却されているが、
保護膜と磁性膜の接着強度をあげるため、適宜加熱した
状態でもよい。

【００４９】ここで非磁性体２の走行速度を制御するこ
とにより、保護膜厚を制御することができる。また該ガ
イドロ−ル６、９の周面を観察する位置には、光線反射
率測定計１５が設置されている。この光線反射率測定計
１５により保護膜形成前の該非磁性支持体２の光線反射
率を測定できるようになっている。また光線反射率測定
計１６により形成後の該非磁性支持体２の光線反射率を
測定できるようになっている。

【００５０】本実施例において使用した、測定した光線
反射率により保護膜厚を制御するための制御系の構成に
ついて説明する。図２に該制御系のブロック図を示す。
光線反射率測定計１５から保護膜形成前の光線反射率信
号１７が出力されている。光線反射率測定計１６から保
護膜形成後の光線反射率信号１８が出力されている。

【００５１】保護膜形成前の光線反射率信号１７は信号
遅延回路１９に入力される。信号遅延回路１９は、該真
空室１内の該非磁性支持体２の走行速度を制御する走行
制御装置２０より走行速度信号２１を入力して、光線反
射率計１５と光線反射率計１６の間を該非磁性支持体２
が走行する時間だけ保護膜形成前の光線反射率信号１７
を遅延させて信号比較回路２２へ出力する。これにより
信号比較回路２２は、該非磁性支持体２の同じ場所の保
護膜形成前の光線反射率信号１７と保護膜形成後の光線
反射率信号１８を比較する。

【００５２】信号比較回路２２は保護膜形成前の光線反
射率信号１７と保護膜形成後の光線反射率信号１８を比
較して、検量線に基づき保護膜厚信号２３を走行制御装
置２０に出力する。走行制御装置２０は保護膜厚信号２
３に基づき、適切な保護膜厚が形成されるように走行制
御信号２４を出力することにより、該真空室１内の該非
磁性支持体２の走行速度を制御する。

【００５３】本実施例において使用した光線反射率測定
計の構成について説明する。図３に示すように、この測
定計については光源装置２５から発せられた光線が、投
光用光ファイバ−２６により該非磁性支持体２の保護膜
形成面に照射される。また該非磁性支持体２の保護膜形
成面における反射光線が、受光用光ファイバ−２７によ
り受光装置２８に導かれる。この受光装置２８は光源光
量と反射光線光量の比較により、光線反射率信号を電気
信号として出力する構造を持つ。

【００５４】光線反射率の測定値と保護膜厚は実用的な
範囲において相関を持っているので、検量線を用いるこ
とにより光線反射率の測定から保護膜厚を測定すること
が可能である。この光線反射率と保護膜厚の相関につい
ての実測例を表１に示す。

【００５５】

【表１】蒸着層：Ｃｏ₁₀₀単層スパッタパワ− ：４ｋＷキャリアガス：Ａｒガス流量３００ｃｃｍ光源：ハロゲンランプ・コ−ルドライト多成分ガラスライトガイド使用検出素子：フォトダイオ−ド保護膜厚反射率０ｎｍ３４％１０ｎｍ２８％２０ｎｍ２３％３０ｎｍ１８％

【００５６】この光線反射率を測定することから保護膜
厚の変化を検出して、これを補正するように該非磁性支
持体２の走行速度を制御する制御系を構成する。この装
置により、保護膜層の厚さの安定性に優れた磁気記録媒
体を製造することが可能となる。

【００５７】実施例２

【００５８】本実施例において使用した蒸着製造装置の
構成について説明する。図４に示す様に、この製造装置
においては、頭部と底部にそれぞれ設けられた排気口１
７から排気されて内部が真空状態となされた真空室１内
に、図中の時計回り方向に回転する送りロ−ル３と、図
中の時計回り方向に回転する巻取りロ−ル４とが設けら
れ、これら送りロ−ル３から巻取りロ−ル４にフィルム
テ−プ状の非磁性支持体２が順次走行するようになされ
ている。

【００５９】これら送りロ−ル３から巻取りロ−ル４側
に該非磁性支持体２が走行する中途部には、該送りロ−
ル３、巻取りロ−ル４の径よりも大径となされた冷却キ
ャン５が設けられている。この冷却キャン５は、該非磁
性支持体２を図中下方に引き出す様に設けられ、図中の
時計回り方向に回転する構成とされる。尚、該送りロ−
ル３、巻取りロ−ル４、及び、冷却キャン５は、それぞ
れ非磁性支持体２の幅と略同じ長さからなる円筒状をな
すものであり、また該冷却キャン５には、内部に図示し
ない冷却装置が設けられ、該非磁性支持体２の温度上昇
による変形等を抑制し得るようになされている。

【００６０】従って、該非磁性支持体２は、送りロ−ル
３から順次送り出され、さらに該冷却キャン５の周面を
通過し、巻取りロ−ル４に巻取られていくようになされ
ている。尚、該送りロ−ル３と該冷却キャン５との間及
び該冷却キャン５と該巻取りロ−ル４との間にはそれぞ
れガイドロ−ル６、７、８、９が配設され、該送りロ−
ル３から冷却キャン５、及び該冷却キャン５から巻取り
ロ−ル４にわたって走行する非磁性支持体２に所定のテ
ンションをかけ、該非磁性支持体２が円滑に走行するよ
うになされている。また、該真空室内には、該冷却キャ
ン５の下方にルツボ１０が設けられ、このルツボ１０に
金属磁性材料１１がおさめられている。このルツボ１０
は、該冷却キャン５の長手方向の幅と略同一の幅を有し
てなる。

【００６１】該金属磁性材料１１に電子銃１２より電子
ビ−ム１３をあてることにより、該金属磁性材料１１を
加熱蒸発させ該非磁性支持体２に蒸着させる。この際に
シャッタ１５により斜方蒸着条件の制御等を行なう。ま
たガス導入口１６より酸素ガスを導入することにより、
磁性薄膜表面に酸化層を形成する。

【００６２】ここでガス導入口１６において酸素ガス導
入量を制御することにより、磁性薄膜表面の酸化層の厚
さを制御することができる。

【００６３】また該ガイドロ−ル９の周面を観察する位
置には、光線反射率測定計１８が設置されている。この
光線反射率測定計１８により磁性薄膜形成後の該非磁性
支持体２の光線反射率を測定できるようになっている。

【００６４】本実施例において使用した光線反射率測定
計の構成について説明する。図３に示すように、この測
定計については光源装置２５から発せられた光線が、投
光用光ファイバ−２６により該非磁性支持体２の磁性薄
膜形成面に照射される。また該非磁性支持体２の磁性薄
膜形成面における反射光線が、受光用光ファイバ−２７
により受光装置２８に導かれる。この受光装置２８は光
源光量と反射光線光量の比較により、光線反射率信号を
電気信号として出力する構造を持つ。

【００６５】光線反射率の測定値と磁性薄膜表面の酸化
層の厚さは実用的な範囲において相関を持っているの
で、検量線を用いることにより光線反射率の測定から磁
性薄膜近傍の酸化層の厚さを測定することが可能であ
る。この光線反射率と磁性薄膜表面の酸化層の厚さの相
関についての実測例を表２に示す。

【００６６】

【表２】蒸着層：Ｃｏ₁₀₀単層厚さ２００ｎｍ光源：ハロゲンランプ・コ−ルドライト多成分ガラスライトガイド使用検出素子：フォトダイオ−ド酸素導入量ＡＥＳによる測定から推測される反射率（ｌ／ｍｉｎ）磁性層表面の酸化層の厚さ０．０３ｎｍ５９％０．３９ｎｍ４２％０．６２６ｎｍ２５％１．０６８ｎｍ８％

【００６７】この光線反射率を測定することから磁性薄
膜表面の酸化層の厚さの変化を検出して、これを補正す
るように酸素導入量を制御する制御系を構成する。この
装置により、磁性薄膜表面の酸化層の厚さの安定性に優
れた磁気記録媒体を製造することが可能となる。

【００６８】実施例３

【００６９】本実施例において使用したスパッタ製造装
置の構成について説明する。図５に示すスパッタ製造装
置のうち実施例１と重複する部分については説明を省略
する。

【００７０】ここで、ガイドロ−ル６、９の周面を観察
する位置には、光学ピックアップ１５が設置されてい
る。この光学ピックアップ１５により、保護膜形成前の
該非磁性支持体２の光線反射率を測定できるようになっ
ている。また、光学ピックアップ１６により保護膜形成
後の該非磁性支持体２の光線反射率を測定できるように
なっている。

【００７１】本実施例において使用した、測定した光線
反射率により保護膜厚を制御するための制御系の構成に
ついて説明する。図６に該制御系のブロック図を示す。
光学ピックアップ１５から保護膜形成前の光線反射率信
号１７が出力されている。光線反射率測定計１６から保
護膜形成後の光線反射率信号１８が出力されている。

【００７２】保護膜形成前の光線反射率信号１７は信号
遅延回路１９に入力される。信号遅延回路１９は、該真
空室１内の該非磁性支持体２の走行速度を制御する走行
制御装置２０より走行速度信号２１を入力して、光ピッ
クアップ１５と光ピックアップ１６の間を該非磁性支持
体２が走行する時間だけ保護膜形成前の光線反射率信号
１７を遅延させて信号比較回路２２へ出力する。これに
より信号比較回路２２は、該非磁性支持体２の同じ場所
の保護膜形成前の光線反射率信号１７と保護膜形成後の
光線反射率信号１８を比較する。信号比較回路２２は保
護膜形成前の光線反射率信号１７と保護膜形成後の光線
反射率信号１８を比較して、検量線に基づき保護膜厚信
号２３を走行制御装置２０に出力する。走行制御装置２
０は保護膜厚信号２３に基づき、適切な保護膜厚が形成
されるように走行制御信号２４を出力することにより、
該真空室１内の該非磁性支持体２の走行速度を制御す
る。

【００７３】本実施例において使用した光線反射率測定
計の構成について説明する。図７に光線反射率測定計と
して使用した光学ピックアップ１５（１６）の構造につ
いて示す。光学ピックアップ１５（１６）としては、通
常のＣＤ（コンパクト・ディスク）プレ−ヤ搭載のＣＤ
ピックアップを使用した。レ−ザ−ダイオ−ド２５より
発したレ−ザ光はハ−フミラ−２８を通って対物レンズ
２６で集光され透明焦点補償板２７を通って磁気記録媒
体２の表面に合焦する。透明焦点補償板２７は屈折率：
ｎ＝１．５のポリカ−ボネ−ト（ＰＣ）製で１．２ｍｍ
厚さであり、磁気記録媒体２と対物レンズ２６との間に
配設される。これはＣＤの光路設計上、対物レンズ２６
を通過した光が１．２ｍｍ厚のポリカ−ボネ−ト基板を
通り抜けて、焦点面で収差が出ないように対物レンズ設
計されているためで、本発明の場合、適切にフォ−カス
を合わせるため、透明焦点補償板２７を挿入した。本発
明の透明焦点補償板２７はポリカ−ボネ−トの板を円形
に加工して、対物レンズを有する２軸アクチュエ−タの
カバ−に取り付けたが、透明焦点補償板２７の材質とし
ては屈折率が約ｎ＝１．５程度の透明体であれば何でも
よく、例えば１．２ｍｍ厚のＢＫ−７などのガラスであ
ってもよい。

【００７４】磁気記録媒体２から反射した光は、ハ−フ
ミラ−２８で反射され集光レンズ２９、シリンドリカル
レンズ３０を通ってサ−ボディテクタ３１に入射する。
サ−ボディテクタ３１より出た信号は、サ−ボアンプ３
２内で演算され、焦点合わせのためフォ−カスコイル３
４を駆動するフォ−カスコイル駆動信号３３と、光線反
射率信号１７（１８）として出力される。レ−ザダイオ
−ド２５は、ＬＤ駆動部３５によって駆動されており、
レ−ザ出力を一定に保つためリアＡＰＣ（オ−ト・パワ
−・コントロ−ル Auto Power Control ）回路が付属し
ている。以上により、光学ピックアップ１５（１６）を
磁気記録媒体２に対して適当な位置に配設しフォ−カス
サ−ボをかけることにより、磁気記録媒体上の保護膜厚
さに起因する光線反射率を、電圧として計測することが
可能となる。

【００７５】図８にサ−ボディテクタ３１の構造につい
て示す。サ−ボディテクタ３１は４分割ディテクタ３６
で構成されており、対物レンズ２６が磁気記録媒体２の
表面に合焦するようフォ−カスサ−ボをかけるため、非
点収差法を利用している。図８（ａ）のように対角の出
力の和のそれぞれの差分、つまり｛（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋
Ｄ）｝を測定する。対物レンズ２６が焦点外れの状態に
ある時にはレ−ザスポット３７の形状が楕円形になり、
合焦した位置にある時には４分割ディテクタ３６上のレ
−ザスポット３７の形状が円形になる。よって、焦点外
れの状態にある場合には、上記｛（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋
Ｄ）｝出力が０ではなくなり、例えば正の電圧であれば
対物レンズ２６が磁気記録媒体２より離れており、反対
にレ−ザスポット３７の形状が９０゜傾いた状態であれ
ば、負の電圧出力となり対物レンズ２６が磁気記録媒体
２に近づき過ぎているとサ−ボアンプ３２で判断され、
フォ−カスコイル３４で対物レンズ２６を駆動して合焦
するように動かす。また、図８（ｂ）のようにサ−ボデ
ィテクタの４つの出力の総和（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）が光線
反射率として出力される。

【００７６】光学ピックアップ１５（１６）はＳＯＮＹ
製ＣＤプレ−ヤ：ＣＤＰ−５５５ＥＳの光学ピックアッ
プをサ−ボアンプも含めて流用したが、光学ピックアッ
プとしてはＭＯ（光磁気）ピックアップやＷＯ（ライト
・ワンス Write Once ）ピックアップを使用してもよ
い。保護膜の形成された磁気記録媒体の反射率は２０％
程度あり、本発明に使用した光学ピックアップも出力ゲ
インの調整により、十分なフォ−カスサ−ボ特性と光線
反射率信号を得ることができた。光学ピックアップ１５
（１６）は非常に小型であり、光ファイバ束を使った光
線反射率測定装置と比較して非常に安価に装置を構成す
ることができた。

【００７７】光線反射率の測定値と保護膜厚は実用的な
範囲において相関を持っているので、検量線を用いるこ
とにより光線反射率の測定から保護膜厚を測定すること
が可能である。この光線反射率と保護膜厚の相関につい
ての実測例を表３に示す。

【００７８】

【表３】蒸着層：Ｃｏ₁₀₀単層スパッタパワ− ：４ｋＷキャリアガス：Ａｒガス流量３００ｃｃｍ光源：レ−ザダイオ−ド λ＝７８０ｎｍ検出素子：ＰＩＮフォトダイオ−ド（４分割）保護膜厚反射率０ｎｍ３４％１０ｎｍ２８％２０ｎｍ２３％３０ｎｍ１８％

【００７９】この光線反射率を測定することから保護膜
厚の変化を検出して、これを補正するように磁気記録媒
体２の走行速度を制御する制御系を構成する。この装置
により、保護膜層の厚さの安定性に優れた磁気記録媒体
を製造することが可能となる。

【００８０】実施例４

【００８１】本実施例において使用したスパッタ製造装
置、並びに、本実施例において使用した、測定した光線
反射率により保護膜厚を制御するための制御系の構成に
ついては、実施例１と同様であるので説明を省略する。

【００８２】本実施例において使用した光線反射率測定
計の構成について説明する。図９に示すように、この測
定計については光源装置２５から発せられた光線が、投
光用光ファイバ２６に入り、円筒状にまとめられた光フ
ァイバ端２９より非磁性支持体２の保護膜形成面に照射
される。また該非磁性支持体２の保護膜形成面における
反射光線が光ファイバ端２９に戻り、受光用光ファイバ
２７から出射して受光装置２８に導かれる。この受光装
置２８は光源光量と反射光線光量の比較により、光線反
射率信号を電気信号として出力する構造を持つ。

【００８３】本実施例における光ファイバ端２９の構造
を図１０に示す。該光ファイバ端２９は、中心部光ファ
イバ束２７、その外周の不感帯３０、最外周の光ファイ
バ層２６の同心円３重リング構造を成す。本実施例にお
いては、該中心部光ファイバ束２７を受光ファイバ、最
外周光ファイバ層２６を投光ファイバとしたが、投受光
ファイバを逆にして用いてもよい。また、該光ファイバ
端２９を同心円構造にすることにより、機械のメンテナ
ンス時に光ファイバを取り外し、光ファイバが多少回転
して取り付けても光ファイバ内を透過する光量に異方性
がでない利点を有する。

【００８４】本実施例で使用された中心部光ファイバ束
２７と最外周の光ファイバ層２６は、クラッド径φ２３
０μｍ、コア径φ２００μｍの三菱電線工業（株）製Ｈ
ＰＣＳハ−ドクラッド石英光ファイバを、中心部光ファ
イバ束２７、最外周の光ファイバ層２６ともそれぞれ数
百本束ねて使用した。また、光ファイバの開口数（Ｎ．
Ａ．＝Numerical Aperture）は０．３７である。光ファ
イバ束全体は耐真空構造になっており、光ファイバ束の
中間に日電アネルバ規格のＩＣＦ７０フランジを配し、
耐真空性は真空度５×１０^-5Ｐａに於て漏洩度１０^-6ａ
ｔｍ・ｃｃ／秒以下を保証している。

【００８５】磁気記録媒体の製造上、磁気記録媒体２を
ガイドロ−ラ６、９に通し易くするため、磁気記録媒体
２と光ファイバ端２９の間隔は１０ｍｍ程度離す必要が
ある（図１１参照）。このため、中心部光ファイバ束２
７のバンドル径はφ２ｍｍ、中間の不感帯３０のバンド
ル径はφ７ｍｍ（材質はＳＵＳ３０４）、最外周の光フ
ァイバ層２６のバンドル径はφ１０ｍｍのものを使用し
た。中間の不感帯３０の幅を増加させると該磁気記録媒
体２と該光ファイバ端２９の間隔を広げられるが、光フ
ァイバの芯数が減り透過光量が減少して外乱光に弱くな
る。また、透過光量を増加させるため光ファイバ束の各
バンドル径を太くすると、光ファイバの芯数が増加し光
ファイバ自体が高価になる。以上より、本光ファイバ束
はコストと実用光量域を考慮して上記のバンドル径とし
た。なお、図１２に示すように、光ファイバ端２９にお
ける、投光ファイバと受光ファイバとの組み合わせの仕
方は、３重リング型構造が最も適している。すなわちフ
ァイバ先端とワークまでの距離を１０ｍｍ確保するのに
最も適したものといえるのである。

【００８６】次に、真空室１は仕切板１４でスパッタカ
ソ−ド１０のあるスパッタ室と、送りロ−ル３、巻取り
ロ−ル４のある巻き取り室に分けられるが、仕切板１４
と円筒キャン５の間が１ｍｍ程度空いてスパッタ室と巻
き取り室の差圧を確保している。前記隙間が存在するた
め、巻き取り室側にスパッタ金属が飛散する可能性があ
る。また、光ファイバ端２９の端面はスパッタ粒子など
で汚れた場合、アセトン、アルコ−ル、水などで洗浄を
行うが、光ファイバを充填しているシリコン樹脂は溶剤
に弱く、水などでも膨潤することが考えられ、前記のよ
うな湿式の洗浄はできない。そのため、図１１に示され
るように光ファイバ端２９にスパッタ粒子が付着しない
ように、防塵キャップ３１をかぶせてネジで固定した。
防塵キャップ３１の先端に取り付けてある防塵ガラス３
２は、ＢＫ−７のφ１５ｍｍ、厚さ１ｍｍのものを使用
した。防塵ガラス３２が汚れた場合は防塵キャップ３１
を取り外し、前記のような湿式の洗浄を行って光ファイ
バ端２９に再装着する。

【００８７】光線反射率の測定値と保護膜厚は実用的な
範囲において相関を持っているので、検量線を用いるこ
とにより光線反射率の測定から保護膜厚を測定すること
が可能である。この光線反射率と保護膜厚の相関につい
ての実測例は、実施例１の表１に示す通りである。

【００８８】この光線反射率を測定することから保護膜
厚の変化を検出して、これを補正するように該非磁性支
持体２の走行速度を制御する制御系を構成する。この装
置により、保護膜層の厚さの安定性に優れた磁気記録媒
体を製造することが可能となる。

【００８９】ここで、光線反射率と膜厚の関係について
考えてみる。図１４は、磁性層の上に酸化層を形成させ
た場合の反射光（Ｒ）の様子を模式的に示したものであ
る。図１４に示すように、Ｒ（酸化層）は、酸化層より
もほんの少し入った磁性層における反射光が主成分であ
ると考えられる。実際には、この反射光の他に、酸化層
の表面における反射光も加わり、これらの複合反射と考
えられる。よって、磁性層が２００ｎｍと酸化層（２０
ｎｍ）に対して、十分厚いため、磁性層膜厚が多少変化
してもＲ（酸化層）には影響がなく、また磁性膜質の変
化は無視できるものと考えられる。

【００９０】また、図１５に示すように、カ−ボン保護
膜厚は２０ｎｍと光にとっても十分薄いので、保護層と
酸化層の膜厚が変化するとＲ（保護層＋酸化層）が変化
するものと考えられる。実際には、この反射光の他に、
酸化層の表面における反射光も加わり、これらの複合反
射と考えられる。カ−ボン保護層の厚さまたは酸化層の
厚さと、反射率Ｒとの関係は図１６に示すとおりであ
る。

【００９１】

【発明の効果】非磁性支持体上に真空中での薄膜形成法
により単層または多層構造の磁性薄膜を形成し、その後
保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、保
護膜の形成後または形成前後に光線反射率測定計を設置
し、光線反射率の測定により膜厚を測定制御する保護膜
の膜厚測定方法を用いることにより、膜厚の「ばらつ
き」の少ない品質の安定した磁気記録媒体を製造するこ
とが出来る。

【００９２】また、非磁性支持体上に真空中での薄膜形
成法により単層または多層構造の磁性薄膜を形成する磁
気記録媒体の製造方法において、磁性薄膜の形成後に光
線反射率測定計を設置し、光線反射率の測定により磁性
薄膜表面の酸化層の厚さを測定制御する酸化層の厚さの
測定方法を用いることにより、磁性薄膜表面の酸化層の
厚さの「ばらつき」の少ない品質の安定した磁気記録媒
体を製造することが出来る。

【００９３】また、非磁性支持体上に真空中での薄膜形
成法により単層または多層構造の磁性薄膜を形成し、そ
の後保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法におい
て、保護膜の形成後または形成前後に透明焦点補償板を
持った光学ピックアップを有する光線反射率測定計を設
置し、光線反射率の測定により膜厚を測定制御する保護
膜の膜厚測定方法を用いることにより、膜厚のばらつき
の少ない品質の安定した磁気記録媒体を製造することが
出来る。

【００９４】また、非磁性支持体上に真空中での薄膜形
成法により単層または多層構造の磁性薄膜を形成し、保
護膜の形成前後で保護膜の膜厚を測定する光線反射率測
定装置において、磁気記録媒体に相対する端面がファイ
バ束を有し、この光ファイバ端面に防塵キャップを取り
付けた保護膜の光線反射率測定装置を設置し、光線反射
率の測定により膜厚を測定制御する保護膜の測定方法を
用いることにより、保護膜厚のばらつきの少ない品質の
安定した磁気記録媒体を製造することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した製造装置の一実施例に使用し
たスパッタ製造装置の要部構成を示す概略前面図であ
る。

【図２】本発明を適用した製造装置の一実施例の保護膜
厚を制御するための制御系のブロック図である。

【図３】本発明を適用した製造装置の一実施例の光線反
射率測定計の概略構成図である。

【図４】本発明を適用した製造装置の一実施例の要部構
成を示す概略前面図である。

【図５】本発明を適用した製造装置の一実施例の要部構
成を示す概略前面図である。

【図６】本発明を適用した製造装置の一実施例の保護膜
厚を制御するための制御系のブロック図である。

【図７】本発明を適用した製造装置の一実施例の光学ピ
ックアップの概略構成図である。

【図８】本発明を適用した製造装置の一実施例の光学ピ
ックアップ内のサ−ボディテクタの概略構成図である。

【図９】本発明を適用した製造装置の光線反射率測定装
置の概略構成図である。

【図１０】本発明を適用した製造装置の光ファイバ端面
の概略構成図である。

【図１１】本発明を適用した製造装置の光ファイバ端と
円筒キャンの概略構成図である。

【図１２】本発明を適用した製造装置の光ファイバ端の
構成による反射受光光量の変化を示した説明図である。

【図１３】本発明を適用した製造装置の防塵キャップの
概略構成図である。

【図１４】本発明を適用した製造装置における反射光の
説明図である。

【図１５】本発明を適用した製造装置における反射光の
説明図である。

【図１６】本発明を適用した製造装置のカ−ボン保護層
厚さと反射率の関係を示す図である。

【符号の説明】

１真空室２非磁性支持体（非磁性支持体上には、磁性層が形成されている。）３送りロ−ル４巻取りロ−ル５円筒キャン６〜９ガイドロ−ル１０スパッタカソ−ド１１タ−ゲット１２キャリアガス導入口１３排気口１４仕切板１５、１６光線反射率測定計１７保護膜形成前の光線反射率信号１８保護膜形成後の光線反射率信号１９信号遅延回路２０走行制御装置２１走行速度信号２２信号比較回路２３保護膜厚信号２４走行制御信号２５光源装置２６投光用光ファイバ− ２７受光用光ファイバ− ２８受光装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐藤研一東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体上に真空中での薄膜形成法
により磁性薄膜を形成し、その後保護膜を形成する磁気
記録媒体の製造方法において、前記保護膜の形成後あるいは形成前後の磁気記録媒体の
光線反射率から保護膜の膜厚を測定することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】非磁性支持体上に真空中での薄膜形成法
により磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記磁性薄膜の形成後の磁気記録媒体の光線反射率から
磁性薄膜表面の酸化層の厚さを測定することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】非磁性支持体上に真空中での薄膜形成法
により磁性薄膜を形成し、その後保護膜を形成する磁気
記録媒体の製造装置において、前記保護膜の形成後あるいは形成前後の磁気記録媒体の
光線反射率から保護膜の膜厚を測定するための光線反射
率測定計を備えてなることを特徴とする磁気記録媒体の
製造装置。
【請求項４】非磁性支持体上に真空中での薄膜形成法
により磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製造装置にお
いて、前記磁性薄膜の形成後の磁気記録媒体の光線反射率から
磁性薄膜表面の酸化層の厚さを測定するための光線反射
率測定計を備えてなることを特徴とする磁気記録媒体の
製造装置。
【請求項５】光線反射率測定計は、透明焦点補償板を
持った光学ピックアップを有する請求項３または請求項
４記載の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項６】光線反射率測定計は、磁気記録媒体に相
対する端面が光ファイバ束を有する請求項３または請求
項４記載の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項７】磁気記録媒体に相対する端面に防塵キャ
ップを取り付けた請求項６記載の磁気記録媒体の製造装
置。