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JPH06186324A - Light source means - Google Patents

Light source means

Info

Publication number
JPH06186324A
JPH06186324A JP4356757A JP35675792A JPH06186324A JP H06186324 A JPH06186324 A JP H06186324A JP 4356757 A JP4356757 A JP 4356757A JP 35675792 A JP35675792 A JP 35675792A JP H06186324 A JPH06186324 A JP H06186324A
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JP
Japan
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light
light source
semiconductor laser
prism
modulated
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Application number
JP4356757A
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Japanese (ja)
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JP3111333B2 (en
Inventor
Masahiro Oishi
政裕 大石
Fumio Otomo
文夫 大友
Kazuaki Kimura
和昭 木村
Masaaki Yabe
雅明 矢部
Yasutaka Katayama
康隆 片山
Kazue Koshikawa
和重 越川
Takeshige Saito
武重 斉藤
Hirobumi Suga
博文 菅
Toshio Naito
寿夫 内藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Topcon Corp
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Topcon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK, Topcon Corp filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP04356757A priority Critical patent/JP3111333B2/en
Publication of JPH06186324A publication Critical patent/JPH06186324A/en
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  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To provide optimum measurement light for a light wave range finder by causing multiple semiconductor light sources to emit light beams, whose center wavelength intervals in respective emission areas are not constant in multiple special areas, and by combining emitted light beams, so that the problem of narrowness and coherency of emission spectrum is solved. CONSTITUTION:By driving a light source 1 consisting of semiconductor lasers 101-103, reference modulation light whose central wavelengths are lambda1-lambda3 is combined at the end of optical fibers 811-813 through condenser lenses 1011-1013. The modulated light, combined together by an optical fiber 81 is sent to a division prism 41 through a condenser lens 2 and an emission side fiber 82, and the modulated light that passes through a half mirror 411 is inputted into an external range-finding light path or an internal range-finding light path through a light path switching chopper 5. If the modulated light is inputted into a range-finding light path, the modulated light is outputted outside through a prism 9 and an objective lens 10, and the reflected light from a corner cubs 11 is combined into PAD 71 through the lens 10, prism 9, division prism 42 and a photo-detection side fiber 83, and then converted into electric current pulses by a photo-detection element.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は光源部が複数の空間的な
発光領域で発光される様に構成された光源手段であり、
各発光領域の中心波長間隔を不均一にすることにより、
干渉性の低下させることができ、光波距離計に最適な光
源手段に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light source means constituted so that a light source section emits light in a plurality of spatial light emitting regions.
By making the center wavelength interval of each light emitting region non-uniform,
The present invention relates to a light source means that can reduce coherence and is most suitable for a light distance meter.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の光波距離計は発光ダイオードを使
用し、被測定物であるコーナーキューブから反射してき
たエコーパルスを受信して、光パルスの受信時間から距
離を測定していた。従って光波距離計の最大測長可能距
離は、光源部の輝度により決定され、発光ダイオードを
使用した光波距離計の最大測長可能距離は、2〜3Km
程度となっていた。
2. Description of the Related Art A conventional lightwave distance meter uses a light emitting diode, receives an echo pulse reflected from a corner cube as an object to be measured, and measures the distance from the reception time of the light pulse. Therefore, the maximum measurable distance of the lightwave rangefinder is determined by the brightness of the light source unit, and the maximum measurable distance of the lightwave rangefinder using the light emitting diode is 2-3 km.
It was about.

【0003】この最大測長可能距離を延ばすためには、
輝度の高い半導体レーザーを採用することが考えられ
る。連続発光の半導体レーザーは、その大きさ及び消費
電力が従来の発光ダイオードと同程度であり、駆動電流
による直接変調も可能であり、発光ダイオードとの置き
換えも容易となっている。更に連続発光の半導体レーザ
ーは、発光応答速度も発光ダイオードに比較して速いた
め、変調周波数をより高くした高精度の光波距離計を実
現することができる可能性がある。
In order to extend the maximum measurable distance,
It is conceivable to employ a semiconductor laser with high brightness. The continuous-emitting semiconductor laser has a size and power consumption that are comparable to those of a conventional light-emitting diode, can be directly modulated by a drive current, and can be easily replaced with a light-emitting diode. Further, since the continuous emission semiconductor laser has a faster light emission response speed than the light emitting diode, there is a possibility that a highly accurate lightwave distance meter with a higher modulation frequency can be realized.

【0004】更に半導体パルスレーザーは、従来の連続
発振半導体レーザーを採用した光波距離計と測距方式は
異なるが、大きなピークパワーを有するので最大測長可
能距離の増大と、コーナーキューブを使用しないノンプ
リズム測定を行うことができるという特徴がある。
Further, the semiconductor pulse laser has a different distance measuring method from the conventional light wave range finder using a continuous wave semiconductor laser, but since it has a large peak power, it increases the maximum measurable distance and does not use a corner cube. The feature is that prism measurement can be performed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の光波距離計は、連続発振半導体レーザー及び半導体
パルスレーザーの何れを使用した方式であっても、発光
ダイオードを使用した光波距離計と比較して発光スペク
トルが狭く、可干渉性が高いという問題点がある。
However, the above-mentioned conventional light-wave rangefinder, whichever type using a continuous oscillation semiconductor laser or a semiconductor pulse laser, is compared with a light-wave rangefinder using a light emitting diode. There are problems that the emission spectrum is narrow and the coherence is high.

【0006】ここで光波距離計は、光源部の変調周波数
もしくは発光パルス幅に対して、測定距離の要求分解能
は1mm以下と高くなっている。距離1mmは光波距離
計の時間差に換算すると、
[0006] Here, the light wave distance meter has a high required resolution of 1 mm or less with respect to the modulation frequency of the light source section or the emission pulse width. Converting a distance of 1 mm into the time difference of a lightwave rangefinder,

【0007】 1mm/C*2=6.6psec ・・・・・(1)1 mm / C * 2 = 6.6 psec (1)

【0008】但しCは、光速である。However, C is the speed of light.

【0009】となる。一方光源部の発光パルス幅は、発
振周波数が15MHzであり連続変調デューティが50
%である場合には、
[0009] On the other hand, the light emission pulse width of the light source section is such that the oscillation frequency is 15 MHz and the continuous modulation duty is 50
% Is

【0010】 1/15MHz*0.5=33nsec ・・・・・(2)1/15 MHz * 0.5 = 33 nsec (2)

【0011】となる。[0011]

【0012】そして半導体パルスレーザーを採用したパ
ルス駆動方式の場合には、ドライブ回路、素子特性等の
制限から、実用レベルとして20nsec程度となって
いる。
In the case of the pulse drive system which employs the semiconductor pulse laser, the practical level is about 20 nsec due to the limitations of the drive circuit, element characteristics and the like.

【0013】以上の様な理由から従来の光波距離計は、
変調光の基本波成分もしくは発光パルスの重心位置を求
める等の内挿を行う必要があった。
For the above reasons, the conventional optical distance meter is
It was necessary to interpolate the fundamental wave component of the modulated light or the barycentric position of the emission pulse.

【0014】また光源部の可干渉性が高いと、不要な干
渉が各所に発生するという問題点がある。例えば、マル
チモード光ファイバー内におけるスペックル、マルチモ
ード光ファイバー射出端におけるスペックルによるニア
・フィールド・パターン及びファー・フィールド・パタ
ーンのムラ、そして発光波長のモードジャンプによるス
ペックルの変動、更に強度変調を行った場合の変調波形
の変動等である。
Further, if the coherence of the light source section is high, there is a problem that unnecessary interference occurs in various places. For example, speckle in a multimode optical fiber, unevenness of near field pattern and far field pattern due to speckle at the exit end of the multimode optical fiber, fluctuation of speckle due to mode jump of emission wavelength, and further intensity modulation. And the fluctuation of the modulation waveform.

【0015】特に光波距離計では、発光側光学系のスペ
ックルによる波形ムラが発生したり、光源部のモードジ
ャンプ等によるスペックルの変動や、更に射出された光
の干渉状態が大気の揺らぎにより変動して空間的な波形
ムラを発生するという問題点がある。そして、これらの
波形ムラが発生すると、変調波形の重心位置が変動して
測定精度の劣化を招くという問題点があった。
Particularly in a light wave range finder, waveform unevenness occurs due to speckles in the light-emitting side optical system, speckle fluctuations due to mode jump of the light source unit, and the interference state of the emitted light due to atmospheric fluctuations. There is a problem in that the waveform fluctuates and spatial waveform unevenness occurs. Then, when these waveform irregularities occur, the position of the center of gravity of the modulated waveform fluctuates, which causes the deterioration of measurement accuracy.

【0016】従って光源部の干渉性を低下させる必要が
あるが、半導体レーザーはその構造から発光スペクトル
幅がほぼ決定されてしまうため、光源の干渉性を単純に
低下させることができないという問題点があった。
Therefore, although it is necessary to reduce the coherence of the light source section, the emission spectrum width of the semiconductor laser is almost determined from the structure thereof, so that the coherence of the light source cannot be simply lowered. there were.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】以上の様に構成された本
発明は、光源手段は、複数の空間的な発光領域で発光さ
れる光源部と、この光源部により発光された光を混合す
るための混合部とからなり、前記光源部が発光する光
は、各発光領域の中心波長間隔が不均一になっている。
According to the present invention constructed as described above, the light source means mixes the light source section which emits light in a plurality of spatial light emitting areas and the light emitted by the light source section. The light emitted from the light source unit has non-uniform center wavelength intervals in the respective light emitting regions.

【0018】[0018]

【作用】以上の様に構成された本発明は、光源部が複数
の空間的な発光領域で発光し、混合部が、光源部により
発光された光を混合する様になっており、光源部が発光
する光は、各発光領域の中心波長間隔が不均一になる様
になっている。
According to the present invention configured as described above, the light source section emits light in a plurality of spatial light emitting regions, and the mixing section mixes the light emitted by the light source section. The light emitted by is such that the central wavelength intervals of the respective light emitting regions are non-uniform.

【0019】[0019]

【実施例】【Example】

【0020】本発明の光源手段を光波距離計に適用した
場合を図面に基づいて説明する。
The case where the light source means of the present invention is applied to a light wave range finder will be described with reference to the drawings.

【0021】第1図に示す様に本実施例の光波距離計
は、光源部1と、第1のコンデンサレンズ2と、第2の
コンデンサレンズ3と、一対の分割プリズム41、42
と、光路切り替えチョッパ5と、内部光路6と、APD
71と、光源側光ファイバー81と、発光側光ファイバ
ー82と、受光側光ファイバー83と、プリズム9と、
対物レンズ10から構成されている。そして、コーナキ
ューブ11は、光波距離計本体から離れた位置に配置さ
れる測定対象物に該当するものであり、光を反射する機
能を有している。
As shown in FIG. 1, the optical distance meter according to the present embodiment has a light source unit 1, a first condenser lens 2, a second condenser lens 3, and a pair of split prisms 41, 42.
, Optical path switching chopper 5, internal optical path 6, and APD
71, a light source side optical fiber 81, a light emitting side optical fiber 82, a light receiving side optical fiber 83, a prism 9,
It is composed of the objective lens 10. The corner cube 11 corresponds to an object to be measured which is arranged at a position away from the main body of the optical distance meter, and has a function of reflecting light.

【0022】光源部1は複数の半導体レーザーから構成
されており、本実施例では、第1の半導体レーザー10
1と第2の半導体レーザー102と第3の半導体レーザ
ー103とから構成されている。第1の半導体レーザー
101は中心波長λ1で発光する様になっており、第2
の半導体レーザー102は中心波長λ2で発光し、第3
の半導体レーザー103は中心波長λ3で発光する様に
なっている。そして、これらの第1の半導体レーザー1
01と第2の半導体レーザー102と第3の半導体レー
ザー103とは、同一の駆動手段により同一の駆動を受
ける様になっており、それぞれ基準変調光を射出する様
になっている。なお本実施例の光源部1は3個の半導体
レーザーから構成されているが、3個に限定されるもの
ではなく、適宜の個数を採用することができる。
The light source section 1 is composed of a plurality of semiconductor lasers. In this embodiment, the first semiconductor laser 10 is used.
It is composed of a first semiconductor laser 102, a second semiconductor laser 102, and a third semiconductor laser 103. The first semiconductor laser 101 emits light with a central wavelength λ 1 ,
The semiconductor laser 102 emits light with a central wavelength λ 2 and
This semiconductor laser 103 emits light with a central wavelength λ 3 . And these first semiconductor lasers 1
01, the second semiconductor laser 102, and the third semiconductor laser 103 are designed to receive the same driving by the same driving means, and respectively emit the reference modulated light. The light source unit 1 of this embodiment is composed of three semiconductor lasers, but the number is not limited to three, and an appropriate number can be adopted.

【0023】また第1の半導体レーザー101には、光
源用コンデンサレンズ1011が設けられており、第1
の半導体レーザー101から射出された変調光を、光源
側光ファイバー811の端部に結合させる様になってい
る。同様に第2の半導体レーザー102には、光源用コ
ンデンサレンズ1021が設けられており、第2の半導
体レーザー102から射出された変調光を、光源側光フ
ァイバー812の端部に結合させる様になっている。そ
して第3の半導体レーザー103には、光源用コンデン
サレンズ1031が設けられており、第3の半導体レー
ザー103から射出された変調光を、光源側光ファイバ
ー813の端部に結合させる様になっている。
The first semiconductor laser 101 is provided with a light source condenser lens 1011.
The modulated light emitted from the semiconductor laser 101 is coupled to the end of the optical fiber 811 on the light source side. Similarly, the second semiconductor laser 102 is provided with a light source condenser lens 1021 so that the modulated light emitted from the second semiconductor laser 102 is coupled to the end of the light source side optical fiber 812. There is. The third semiconductor laser 103 is provided with a light source condenser lens 1031 so that the modulated light emitted from the third semiconductor laser 103 is coupled to the end of the light source side optical fiber 813. .

【0024】光源側光ファイバー81は、光源側光ファ
イバー811と光源側光ファイバー812と光源側光フ
ァイバー813のそれぞれの射出端を束ねる様に構成さ
れており、光源部1の3個の半導体レーザーから射出さ
れた変調光を混合した低干渉性の2次光源を、第1のコ
ンデンサレンズ21、22により発光側光ファイバー8
2の受光端82aに結合する様になっている。光源側光
ファイバー81はオプチカル・ガイドに該当するもので
ある。
The light source side optical fiber 81 is constructed so as to bundle the emission ends of the light source side optical fiber 811, the light source side optical fiber 812 and the light source side optical fiber 813, and emitted from the three semiconductor lasers of the light source section 1. A low-coherence secondary light source mixed with modulated light is emitted by the first condenser lenses 21 and 22 from the optical fiber 8 on the light emitting side.
It is adapted to be coupled to the second light receiving end 82a. The light source side optical fiber 81 corresponds to an optical guide.

【0025】なお光源部1と光源用コンデンサレンズ1
011、1021、1022と光源側光ファイバー81
1、812、813とコンデンサレンズ21、22と発
光側光ファイバー82と分割プリズム41とプリズム9
と対物レンズ10とが光学手段に該当する。更に光源部
1は光源手段に該当するものであり、光源側光ファイバ
ー81は混合部に該当するものである。
The light source section 1 and the light source condenser lens 1
011, 1021, 1022 and the optical fiber 81 on the light source side
1, 812 and 813, condenser lenses 21 and 22, light emitting side optical fiber 82, split prism 41 and prism 9
The objective lens 10 and the objective lens 10 correspond to optical means. Further, the light source section 1 corresponds to a light source means, and the light source side optical fiber 81 corresponds to a mixing section.

【0026】光源部1は、3個の半導体レーザーから構
成されており、発光スペクトル幅は発光ダイオード(L
ED)に比較して狭く、干渉性が高くなっている。光路
切り替えチョッパ5は光束を切り替えるものである。A
PD71は受光手段に該当するものであり、光源部1か
ら発射された光線を受光できる受光素子7であれば足り
る。
The light source unit 1 is composed of three semiconductor lasers, and has an emission spectrum width of a light emitting diode (L
It is narrower than ED) and has high interference. The optical path switching chopper 5 switches the luminous flux. A
The PD 71 corresponds to a light receiving unit, and a light receiving element 7 that can receive the light beam emitted from the light source unit 1 is sufficient.

【0027】分割プリズム41は、第1のハーフミラー
411と第2のハーフミラー412とから構成されてお
り、分割プリズム42は、第1のハーフミラー421と
第2のハーフミラー422とからなっている。光源部1
側と分割プリズム41の間は、発光側光ファイバー82
で結ばれている。更に分割プリズム42と受光素子7側
との間は、受光側光ファイバー83で結ばれている。
The split prism 41 is composed of a first half mirror 411 and a second half mirror 412, and the split prism 42 is composed of a first half mirror 421 and a second half mirror 422. There is. Light source 1
Between the side and the split prism 41, the light emitting side optical fiber 82
Tied with. Further, the split prism 42 and the light receiving element 7 side are connected by a light receiving side optical fiber 83.

【0028】光源部1の複数の半導体レーザーから射出
された変調光は、光源側光ファイバー81を介して第1
のコンデンサレンズ21、22に送られ、第1のコンデ
ンサレンズ21、22により発光側光ファイバー82の
受光端82aに結合される様になっている。そして発光
側光ファイバー82の射出端82bから射出された変調
光は、分割プリズム41に送られる。分割プリズム41
の第1のハーフミラー411を透過した変調光は、光路
切り替えチョッパ5を介して、外部測距光路に射出可能
となっている。分割プリズム41の第1のハーフミラー
411で反射され、更に第2のハーフミラー412で反
射されたパルスは、光路切り替えチョッパ5を介して、
内部測距光路6に射出可能となっている。光路切り替え
チョッパ5は、内部測距光路6と外部測距光路を切り替
えるためのものである。従って、光路切り替えチョッパ
5が外部測距光路を選択した場合には、変調光はプリズ
ム9で反射された後、対物レンズ10により外部に射出
される。
The modulated light emitted from the plurality of semiconductor lasers of the light source section 1 is first transmitted through the optical fiber 81 on the light source side.
The condenser lenses 21 and 22 are coupled to the light receiving end 82a of the light emitting side optical fiber 82 by the first condenser lenses 21 and 22. The modulated light emitted from the emission end 82b of the light emitting side optical fiber 82 is sent to the split prism 41. Split prism 41
The modulated light transmitted through the first half mirror 411 can be emitted to the external distance measuring optical path via the optical path switching chopper 5. The pulse reflected by the first half mirror 411 of the split prism 41 and further reflected by the second half mirror 412 passes through the optical path switching chopper 5,
It can be emitted to the internal distance measuring optical path 6. The optical path switching chopper 5 is for switching between the internal distance measuring optical path 6 and the external distance measuring optical path. Therefore, when the optical path switching chopper 5 selects the external distance measuring optical path, the modulated light is reflected by the prism 9 and then emitted to the outside by the objective lens 10.

【0029】対物レンズ10から射出された変調光は、
コーナキューブ11で反射され、再び対物レンズ10で
受光されプリズム9に送られる。受光された変調光は、
プリズム9で反射されて分割プリズム42に送られ、分
割プリズム42の第1のハーフミラー421を透過した
受信パルス光は、受光側光ファイバー83の受光端83
aに結合される。
The modulated light emitted from the objective lens 10 is
The light is reflected by the corner cube 11, is again received by the objective lens 10, and is sent to the prism 9. The received modulated light is
The received pulsed light reflected by the prism 9 and sent to the split prism 42 and transmitted through the first half mirror 421 of the split prism 42 is the light receiving end 83 of the light receiving side optical fiber 83.
bound to a.

【0030】なお光路切り替えチョッパ5が内部測距光
路6を選択した場合には、変調光は、内部測距光路6を
通って分割プリズム42に送られる。そして変調光は、
分割プリズム42に内蔵された第1のハーフミラー42
1と第2のハーフミラー422で反射され、受光側光フ
ァイバー83の受光端83aに結合される様になってい
る。
When the optical path switching chopper 5 selects the internal distance measuring optical path 6, the modulated light is sent to the split prism 42 through the internal distance measuring optical path 6. And the modulated light is
First half mirror 42 built in the split prism 42
The light is reflected by the first and second half mirrors 422 and is coupled to the light receiving end 83a of the light receiving side optical fiber 83.

【0031】そして受光側光ファイバー83の射出端8
3bから射出された変調光は、第2のコンデンサレンズ
31、32によりAPD71に結合する様になってお
り、受光素子7で電流パルスに変換される様になってい
る。
The exit end 8 of the light receiving side optical fiber 83
The modulated light emitted from 3b is coupled to the APD 71 by the second condenser lenses 31 and 32, and is converted into a current pulse by the light receiving element 7.

【0032】なお第1のハーフミラー411と、プリズ
ム9と、対物レンズ10と、コーナーキューブ11と、
対物レンズ10と、プリズム9と、第1のハーフミラー
421とから構成される光路が、外部測距光路に該当す
る。また第1のハーフミラー411と、第2のハーフミ
ラー412と、コンデンサレンズ43、44と、第2の
ハーフミラー422と、第1のハーフミラー421とか
ら構成される光路が、内部測距光路6に該当する。
The first half mirror 411, the prism 9, the objective lens 10, the corner cube 11,
The optical path composed of the objective lens 10, the prism 9 and the first half mirror 421 corresponds to the external distance measuring optical path. Further, the optical path composed of the first half mirror 411, the second half mirror 412, the condenser lenses 43 and 44, the second half mirror 422, and the first half mirror 421 is the internal distance measuring optical path. It corresponds to 6.

【0033】次に本実施例の電気回路の構成を詳細に説
明する。
Next, the configuration of the electric circuit of this embodiment will be described in detail.

【0034】図2に示す実施例は、水晶発信器100と
第1の分周器110とシンセサイザー120と第2の分
周器130と光源部1と半導体レーザードライバー15
0とAPD71とアンプ160と波形整形回路170と
カウンタ180とピークホールド回路190とレベル判
定回路200と、バンドパスフィルタ210とサンプル
ホールド(S/H)220とADコンバータ300とメ
モリ400とCPU500とから構成されている。
In the embodiment shown in FIG. 2, the crystal oscillator 100, the first frequency divider 110, the synthesizer 120, the second frequency divider 130, the light source section 1, and the semiconductor laser driver 15 are provided.
0, APD 71, amplifier 160, waveform shaping circuit 170, counter 180, peak hold circuit 190, level determination circuit 200, band pass filter 210, sample hold (S / H) 220, AD converter 300, memory 400, and CPU 500. It is configured.

【0035】水晶発振器100は、基準信号発生手段の
1つであり、15MHzの基準信号を発生させている。
この基準信号は、第1の分周器110とシンセサイザー
120とバンドパスフィルタ210とカウンタ180と
に供給されている。第1の分周器110に供給された基
準信号は、第1の分周器110で1/100に分周され
て150KHzとなりシンセサイザー120に送られ
る。シンセサイザー130は、第1の分周器110から
供給された150KHzと水晶発振器100から供給さ
れた15MHzで15.15MHzを作り、第2の分周
器130に送出する様になっている。第2の分周器13
0は、シンセサイザー120から供給された15.15
MHzを1/5000に分周して3030KHzを作
り、ドライバ回路140に送る様になっている。なお、
第1の分周器110、第2の分周器130、シンセサイ
ザ120の出力信号は、2値化の信号である。
The crystal oscillator 100 is one of the reference signal generating means and generates a 15 MHz reference signal.
This reference signal is supplied to the first frequency divider 110, the synthesizer 120, the bandpass filter 210, and the counter 180. The reference signal supplied to the first frequency divider 110 is divided into 1/100 by the first frequency divider 110 and becomes 150 KHz, which is sent to the synthesizer 120. The synthesizer 130 creates 15.15 MHz from 150 KHz supplied from the first frequency divider 110 and 15 MHz supplied from the crystal oscillator 100, and sends it to the second frequency divider 130. Second frequency divider 13
0 is 15.15 supplied from synthesizer 120
The frequency is divided into 1/5000 to generate 3030 KHz, which is sent to the driver circuit 140. In addition,
The output signals of the first frequency divider 110, the second frequency divider 130, and the synthesizer 120 are binarized signals.

【0036】そして半導体レーザードライバー150
は、第1の半導体レーザー101と第2の半導体レーザ
ー102と第3の半導体レーザー103とを同一に駆動
させるためのものである。
The semiconductor laser driver 150
Is for driving the first semiconductor laser 101, the second semiconductor laser 102, and the third semiconductor laser 103 in the same manner.

【0037】半導体レーザー101、102、103か
ら発射された変調光は、光学系を通過しAPD71で受
光される。このAPD71は受光素子7の1つであり、
pn接合に深いバイアスを加えてナダレ増倍を誘起さ
せ、利得を得ることのできるダイオードである。APD
71は、内部参照光路を通った変調光と、外部測距光路
を通った変調光を受光する。APD71により変調光は
電気信号に変換され、増幅アンプ160に送られる。
The modulated light emitted from the semiconductor lasers 101, 102 and 103 passes through the optical system and is received by the APD 71. This APD 71 is one of the light receiving elements 7,
It is a diode that can obtain a gain by applying a deep bias to the pn junction to induce a sagging multiplication. APD
Reference numeral 71 receives the modulated light that has passed through the internal reference optical path and the modulated light that has passed through the external distance measuring optical path. The modulated light is converted into an electric signal by the APD 71 and sent to the amplification amplifier 160.

【0038】アンプ160は、APD71から入力され
た電気信号を増幅するものであり、増幅された検出信号
は、波形整形回路170とピークポールド回路190と
に供給される。
The amplifier 160 amplifies the electric signal input from the APD 71, and the amplified detection signal is supplied to the waveform shaping circuit 170 and the peak poled circuit 190.

【0039】波形整形回路170は、受信信号をサンプ
ルホールド(S/H)220とカウンタ180に供給す
る様になっている。カウンタ180は、変調光が受信さ
れるまでの時間を、水晶発振器100からの15MHz
によりカウントする様になっている。
The waveform shaping circuit 170 supplies the received signal to the sample hold (S / H) 220 and the counter 180. The counter 180 displays the time until the modulated light is received at 15 MHz from the crystal oscillator 100.
It is supposed to count.

【0040】水晶発振器100からバンドパスフィルタ
210に送られた15MHzは正弦波となり、サンプル
ホールド回路220に送出される。このサンプルホール
ド回路220は、波形整形回路170から出力された受
信信号によりサンプルホールドし、更にADコンバータ
300でAD変換された後、変換されたデジタルデータ
は予め定められたメモリ400に記憶される様になって
いる。なおAD変換が終了すると、CPU500に対し
て変換終了信号を出力する様になっている。
15 MHz sent from the crystal oscillator 100 to the bandpass filter 210 becomes a sine wave and is sent to the sample hold circuit 220. The sample and hold circuit 220 samples and holds the received signal output from the waveform shaping circuit 170, and after AD conversion by the AD converter 300, the converted digital data is stored in a predetermined memory 400. It has become. When the AD conversion is completed, a conversion end signal is output to the CPU 500.

【0041】以上の様に実行される光源部1の発光か
ら、AD変換されたデータのメモリ400への格納まで
の処理を、外部測距光路と内部参照光路について行う。
即ち、内部参照光路によるAD変換データと外部測距光
路のAD変換データの波形の位相差φが光路差に相当す
ることになる。各波形にフーリエ変換を施し、基本成分
波の位相情報を求め、その位相差から10m単位以下の
精密測定距離を求めることができる。なお、粗測定距離
についても、外部測距光路と内部参照光路におけるカウ
ンタ180のカウンター差から10mの精度で求めるこ
とができる。そして粗測定距離と精密測定距離を組み合
わせることにより、光波距離計から測定対象物までの実
際の距離を求めることができる。これらの動作を行う構
成が距離測定手段に該当するものである。
The processing from the light emission of the light source unit 1 to the storage of the AD-converted data in the memory 400, which is executed as described above, is performed for the external distance measuring optical path and the internal reference optical path.
That is, the phase difference φ between the waveforms of the AD converted data of the internal reference optical path and the AD converted data of the external distance measuring optical path corresponds to the optical path difference. Fourier transform is applied to each waveform, phase information of the fundamental component wave is obtained, and a precision measurement distance of 10 m unit or less can be obtained from the phase difference. Note that the rough measurement distance can also be obtained with an accuracy of 10 m from the counter difference between the counter 180 in the external distance measuring optical path and the internal reference optical path. Then, by combining the rough measurement distance and the fine measurement distance, the actual distance from the lightwave rangefinder to the measurement object can be obtained. The configuration for performing these operations corresponds to the distance measuring means.

【0042】次に本実施例の光源部1を詳細に説明す
る。光源部1は3個の半導体レーザーから構成されてお
り、発光スペクトル幅は発光ダイオード(LED)に比
較して狭く、干渉性が高くなっているので、光学系の各
部分で干渉によるスペックルが発生するという問題があ
る。
Next, the light source unit 1 of this embodiment will be described in detail. The light source unit 1 is composed of three semiconductor lasers, the emission spectrum width is narrower than that of a light emitting diode (LED), and the coherence is high. Therefore, speckles due to interference occur in each part of the optical system. There is a problem that it occurs.

【0043】図3は、発光側光ファイバー82の射出端
82bにおけるスペックルの強度分布の様子を示したも
のである。ここでスペックルとは、レーザービームをプ
ラスチック、金属などの表面に投射した場合に現れる斑
点状の模様のことである。即ち、表面のいろいろな場所
で反射されたレーザー光が干渉し合うために生じるもの
である。光ファイバーのスペックルは、光ファイバーの
直径方向における光の定在波であり、ファイバー径、フ
ァイバーの開口数NA、光の波長等により、その大きさ
が変化する。ここで開口数NAとは、軸上の物点から出
る光線の内、最大の開きを有する光線の光軸となる角を
θとした時、開口数NA=nsinθで表したものであ
る。ここで、nは物点のある物質の屈折率である。なお
ファイバーの開口数NAは、光ファイバに最も能率よく
光を入射させる対物レンズを決定するために用いられる
ものである。
FIG. 3 shows the speckle intensity distribution at the exit end 82b of the light emitting side optical fiber 82. Here, the speckle is a speckled pattern that appears when a laser beam is projected onto the surface of plastic, metal, or the like. That is, it occurs because the laser beams reflected at various places on the surface interfere with each other. The speckle of an optical fiber is a standing wave of light in the diameter direction of the optical fiber, and its size changes depending on the fiber diameter, the numerical aperture NA of the fiber, the wavelength of light, and the like. Here, the numerical aperture NA is represented by numerical aperture NA = nsin θ, where θ is an angle of an optical axis of a ray having a maximum opening among rays emitted from an object point on the axis. Here, n is the refractive index of a substance having an object point. The numerical aperture NA of the fiber is used to determine the objective lens that most efficiently enters light into the optical fiber.

【0044】図3(a)は発光側ファイバー82の射出
端82bを拡大したものであり、図3(b)は、第1の
半導体レーザー101から射出された中心波長λ1の変
調光のみに注目したものであり、そのスペックルを示し
ている。なお横軸は光の強度I、縦軸はファイバーの直
径方向の位置である。同様に図3(c)は、第2の半導
体レーザー102から射出された中心波長λ2の変調光
のみに注目したものであり、図3(d)は、第3の半導
体レーザー103から射出された中心波長λ3の変調光
のみに注目したものであり、それぞれのスペックルを示
している。
FIG. 3A is an enlarged view of the emission end 82b of the light emitting side fiber 82, and FIG. 3B shows only the modulated light having the central wavelength λ 1 emitted from the first semiconductor laser 101. It was the focus of attention and shows the speckle. The horizontal axis represents the light intensity I and the vertical axis represents the position in the diameter direction of the fiber. Similarly, FIG. 3C focuses only on the modulated light having the central wavelength λ 2 emitted from the second semiconductor laser 102, and FIG. 3D shows the emission from the third semiconductor laser 103. Only the modulated light having the center wavelength λ 3 is focused and the respective speckles are shown.

【0045】図3(b)から図3(d)に示す様に、各
半導体レーザーの個々のスペックルは、各半導体レーザ
ーの発光スペクトルが狭いため、強度パターン(コント
ラスト)が強く現れている。
As shown in FIGS. 3B to 3D, the individual speckles of each semiconductor laser have a strong intensity pattern (contrast) because the emission spectrum of each semiconductor laser is narrow.

【0046】しかしながら発光側ファイバー82の射出
端82bにおけるスペックルは、それぞれの半導体レー
ザーによって作られるスペックルパターンの和となる。
そして本実施例では、第1の半導体レーザー101と第
2の半導体レーザー102と第3の半導体レーザー10
3とは、それぞれ中心波長が異なっており、強度パター
ンの強弱のピッチが異なるので、図3(e)に示す様
に、全体としてスペックルのコントラストを低下させる
ことができる。
However, the speckle at the exit end 82b of the light emitting side fiber 82 is the sum of the speckle patterns created by the respective semiconductor lasers.
In the present embodiment, the first semiconductor laser 101, the second semiconductor laser 102, and the third semiconductor laser 10
3 and 3 have different center wavelengths and different intensity pattern pitches, so that the speckle contrast can be reduced as a whole as shown in FIG. 3 (e).

【0047】なお光源である半導体レーザーは、それぞ
れ空間的に独立した発光領域であるため、各光源の発光
波長を変化させなくともスペックルのコントラストが低
下する可能性もあるが、各半導体レーザーの発光波長を
意図的にずらすことにより、確実にスペックルのコント
ラストを低下させることができる。
Since the semiconductor lasers, which are the light sources, are spatially independent light emitting regions, the speckle contrast may decrease without changing the emission wavelength of each light source. By intentionally shifting the emission wavelength, the speckle contrast can be surely lowered.

【0048】また半導体レーザーは、発振モードが他の
モードに瞬間的にホップするモードジャンプ(モードホ
ップとも言う)が発生することがあるが、3個の半導体
レーザーの内、何れか1つにモードジャンプが発生した
場合でも、その半導体レーザーのスペックルパターンの
変化が、全体のスペックルパターンに与える影響を小さ
くすることができる。
In the semiconductor laser, a mode jump (also referred to as a mode hop) in which the oscillation mode momentarily hops to another mode may occur, but the mode may be changed to any one of the three semiconductor lasers. Even when a jump occurs, the influence of the change in the speckle pattern of the semiconductor laser on the entire speckle pattern can be reduced.

【0049】また本実施例の光波距離計では、発光側フ
ァイバー82の射出端82bに限らず、対物レンズ10
からコーナーキューブ11に向けて射出される光束にも
スペックルが観察される。図4(a)は発光光学系を拡
大した図であり、図4(b)は、第1の半導体レーザー
101から射出された中心波長λ1の変調光のみに注目
した図であり、そのスペックルを示している。同様に図
4(c)は、第2の半導体レーザー102から射出され
た中心波長λ2の変調光のみに注目したものであり、図
4(d)は、第3の半導体レーザー103から射出され
た中心波長λ3の変調光のみに注目したものであり、そ
れぞれのスペックルを示している。発光側ファイバー8
2の射出端82bと同様に、発光光学系でも全体のスペ
ックルは、それぞれの半導体レーザーによって形成され
るスペックルパターンの和と考えられ、複数の半導体レ
ーザーからなる光源部1を採用することにより、図4
(e)に示す様にスペックルのコントラストを低下させ
ることができる。
In the light distance meter of this embodiment, the objective lens 10 is not limited to the exit end 82b of the light emitting side fiber 82.
Speckle is also observed in the light flux emitted from the corner cube 11 toward the corner cube 11. FIG. 4A is an enlarged view of the light emitting optical system, and FIG. 4B is a view focusing only on the modulated light having the central wavelength λ 1 emitted from the first semiconductor laser 101, and its specifications. Is showing. Similarly, FIG. 4C focuses only on the modulated light having the central wavelength λ 2 emitted from the second semiconductor laser 102, and FIG. 4D shows the emission from the third semiconductor laser 103. Only the modulated light having the center wavelength λ 3 is focused and the respective speckles are shown. Emitting fiber 8
Similar to the emission end 82b of No. 2, the entire speckle is considered to be the sum of the speckle patterns formed by the respective semiconductor lasers in the light emission optical system, and by adopting the light source unit 1 including a plurality of semiconductor lasers. , Fig. 4
As shown in (e), the speckle contrast can be reduced.

【0050】図5は、光波距離計から射出される光束の
大気伝播時の影響を示したものである。大気は温度、気
圧、湿度等により屈折率が変化する。特に日中は太陽光
の影響により、大気に屈折率のムラが生じ、屈折率が時
間的に変動して陽炎が発生している。この大気の屈折率
の変化は、光速に影響を与えるため、発光波長に対する
光学的距離の変化として現れる。コーナーキューブ11
が遠方に配置されている長距離測定の場合には影響が大
きくなるという問題点がある。
FIG. 5 shows the influence of the luminous flux emitted from the optical distance meter when propagating to the atmosphere. The refractive index of the atmosphere changes depending on the temperature, atmospheric pressure, humidity and the like. Especially in the daytime, due to the influence of sunlight, the refractive index of the atmosphere becomes uneven, and the refractive index fluctuates with time, resulting in a heat haze. This change in the refractive index of the atmosphere affects the speed of light and therefore appears as a change in the optical distance with respect to the emission wavelength. Corner cube 11
There is a problem that the influence becomes large in the case of long-distance measurement in which is placed at a distance.

【0051】光波距離計から射出される光束の内、図5
に示す様な、コーナーキューブ11で反射される部分の
光束1100を検討する。大気の揺らぎにより、光束1
100の一部の光束の光学的距離が変化したとすると、
この光束1100は、光波距離計本体で受信される段階
で干渉状態を起こすことになる。大気の揺らぎは、時間
的に変動しているため、受光段階での干渉も時間的に変
動することとなり、これが変調波形の変動として測距精
度に影響を与えることになる。
Of the luminous flux emitted from the optical distance meter, FIG.
Consider a light flux 1100 in a portion reflected by the corner cube 11 as shown in FIG. Light flux 1 due to atmospheric fluctuations
If the optical distance of a part of the light flux of 100 changes,
This light flux 1100 causes an interference state when it is received by the main body of the optical distance meter. Since the fluctuation of the atmosphere fluctuates with time, the interference at the light receiving stage also fluctuates with time, which affects the ranging accuracy as a fluctuation of the modulation waveform.

【0052】しかしながら本実施例では、第1の半導体
レーザー101と第2の半導体レーザー102と第3の
半導体レーザー103とが、それぞれ中心波長が異なっ
ている。従って陽炎等による光学的距離の変化が干渉パ
ターンに与える影響も、各半導体レーザーで異なってい
るので、受光段階での全体的な波形変動を低下させるこ
とができる。
However, in this embodiment, the central wavelengths of the first semiconductor laser 101, the second semiconductor laser 102, and the third semiconductor laser 103 are different from each other. Therefore, the influence of the change in the optical distance due to heat haze or the like on the interference pattern is also different for each semiconductor laser, so that the overall waveform fluctuation at the light receiving stage can be reduced.

【0053】なお本実施例では図1に示す様に、第1の
半導体レーザー101と第2の半導体レーザー102と
第3の半導体レーザー103とを独立に配置し、これら
に対応する光源用コンデンサレンズ1011、102
1、1031を設置し、光源側光ファイバー811、8
12、813を介して結合されて1つに束ねられ、第1
のコンデンサレンズ21、22により発光側光ファイバ
ー82の受光端82aに結合する様に構成されている。
これに対して図6(a)に示す様に、光源部1を各半導
体レーザーを積み重ねたスタック構造とし、一対の第1
のコンデンサレンズ21、22を用いて直接、発光側光
ファイバー82の受光端82aに結合する様に構成して
もよい。
In this embodiment, as shown in FIG. 1, the first semiconductor laser 101, the second semiconductor laser 102, and the third semiconductor laser 103 are arranged independently, and the light source condenser lens corresponding to them is arranged. 1011 and 102
1, 1031 are installed, and light source side optical fibers 811 and 8
Coupled via 12, 813 and bundled together into a first
The condenser lenses 21 and 22 are configured to be coupled to the light receiving end 82a of the light emitting side optical fiber 82.
On the other hand, as shown in FIG. 6A, the light source unit 1 has a stack structure in which semiconductor lasers are stacked, and a pair of first
Alternatively, the condenser lenses 21 and 22 may be directly coupled to the light receiving end 82a of the light emitting side optical fiber 82.

【0054】更に図6(b)に示す様に、1つのウェハ
ー内に複数の発光領域を有する半導体レーザーを組み込
んだ構成としてもよい。
Further, as shown in FIG. 6B, a semiconductor laser having a plurality of light emitting regions may be incorporated in one wafer.

【0055】以上の様に図6に示す光源部1の構成は、
駆動電気回路や光学部品を省略することができ、光源の
輝度を向上させることができるという効果がある。
As described above, the structure of the light source section 1 shown in FIG.
The drive electric circuit and the optical parts can be omitted, and the brightness of the light source can be improved.

【0056】次に、第1の半導体レーザー101と第2
の半導体レーザー102と第3の半導体レーザー103
の中心波長λ1、λ2、λ3と、発光側光ファイバー82
の射出端82bにおける2次光源の干渉性との関連を考
察することとする。光波距離計の光源としてLEDが適
しているのは、その発光スペクトル幅が非常に広く、干
渉性が低いからである。従って発光側ファイバー82内
及び光波距離計外部での大気の揺らぎによる波形変動の
発生が、光波距離計の精度上無視できる程に小さくな
る。
Next, the first semiconductor laser 101 and the second semiconductor laser 101
Semiconductor laser 102 and third semiconductor laser 103
Center wavelengths λ 1 , λ 2 and λ 3 of the
The relationship with the coherence of the secondary light source at the exit end 82b of is considered. The LED is suitable as the light source of the optical distance meter because its emission spectrum width is very wide and its coherence is low. Therefore, the occurrence of waveform fluctuations due to fluctuations in the atmosphere inside the light emitting side fiber 82 and outside the lightwave rangefinder becomes negligibly small in terms of the accuracy of the lightwave rangefinder.

【0057】一般にスペクトルの広さによる可干渉性の
指標として、フーリエ分光法によるインターフェログラ
ムの観測が行われる。これらの測定には図7に示すマイ
ケルソン干渉計2000が使用され、マイケルソン干渉
計2000は、ビームスプリッタ2001と、可動平面
鏡2002と、検出器2003と、固定平面鏡2004
と、測定光源2005とから構成されている。
Generally, an interferogram is observed by Fourier spectroscopy as an index of coherence due to the width of the spectrum. The Michelson interferometer 2000 shown in FIG. 7 is used for these measurements. The Michelson interferometer 2000 includes a beam splitter 2001, a movable plane mirror 2002, a detector 2003, and a fixed plane mirror 2004.
And a measurement light source 2005.

【0058】測定光源2005からの光は、ビームスプ
リッタ2001により光路aと光路bに分割される。光
路aの光は固定平面鏡2004で反射され、ビームスプ
リッタ2001を透過して検出器2003に入射する。
また光路bの光は可動平面鏡2002で反射され、ビー
ムスプリッタ2001を反射して検出器2003に入射
する様になっている。そして可動平面鏡2002を移動
させた時の検出器2003で検出される光の強度は、イ
ンターフェログラムと呼ばれ、図7(b)の様な形とな
る。なお図7(b)の横軸は、可動平面鏡2002の移
動による光路長の変化であり、縦軸は検出器2003で
検出される光の強度である。そして図7(b)の波形を
フーリエ変換することにより、図7(c)に示される測
定光源2005のスペクトルを得ることができる。これ
らの方法により、スペクトルの広さによる可干渉性の指
標を得るのが、フーリエ分光法である。
The light from the measurement light source 2005 is split by the beam splitter 2001 into an optical path a and an optical path b. The light on the optical path a is reflected by the fixed plane mirror 2004, passes through the beam splitter 2001, and enters the detector 2003.
The light on the optical path b is reflected by the movable plane mirror 2002, reflected by the beam splitter 2001, and incident on the detector 2003. The intensity of light detected by the detector 2003 when the movable plane mirror 2002 is moved is called an interferogram and has a shape as shown in FIG. 7B. The horizontal axis of FIG. 7B is the change in the optical path length due to the movement of the movable plane mirror 2002, and the vertical axis is the intensity of the light detected by the detector 2003. Then, the spectrum of the measurement light source 2005 shown in FIG. 7C can be obtained by Fourier-transforming the waveform of FIG. 7B. It is Fourier spectroscopy that obtains an index of coherence due to the breadth of the spectrum by these methods.

【0059】従って光源のスペクトルの広がりとインタ
ーフェログラムの関係を示すのが、図7(b)及び図7
(c)となる。なお、測定光源2005が単色光の場合
には、インターフェログラムは余弦関数の形となり、白
色光に近づくに従いsinc関数の形となる。
Therefore, the relationship between the spread of the spectrum of the light source and the interferogram is shown in FIGS.
(C). When the measurement light source 2005 is a monochromatic light, the interferogram has a cosine function shape, and has a sinc function shape as it approaches white light.

【0060】以上の様に光源の発光スペクトルとインタ
ーフェログラムとは、明確な関係があり、インターフェ
ログラムは光源の可干渉性を表しているので、インター
フェログラムから光源の可干渉性を評価することができ
る。
As described above, since the emission spectrum of the light source and the interferogram have a clear relationship and the interferogram represents the coherence of the light source, the coherence of the light source is evaluated from the interferogram. can do.

【0061】そして可干渉距離Lcと、発光中心波長λ
と、スペクトル幅(デルタλ)との関係は、スペクトル
の広がりがガウス分布である場合には、図7(b)、図
7(c)に示す様に、
Then, the coherence length Lc and the emission center wavelength λ
And the spectral width (delta λ), as shown in FIGS. 7B and 7C, when the spread of the spectrum has a Gaussian distribution,

【0062】 Lc=(2*λ2)/(π*(デルタλ)2) ・・・・・・(3)Lc = (2 * λ 2 ) / (π * (delta λ) 2 ) ... (3)

【0063】という関係式で表される。It is represented by the relational expression

【0064】ここでLEDの場合であって、中心波長λ
=850nm、スペクトル幅(デルタλ)=50nmと
すれば、第3式に代入して、
Here, in the case of an LED, the center wavelength λ
= 850 nm and the spectral width (delta λ) = 50 nm, substitute in the third equation,

【0065】 Lc=9μm・・・・・・・(4)Lc = 9 μm ... (4)

【0066】となり、半導体レーザーの場合には、中心
波長λ=850nm、スペクトル幅(デルタλ)=5n
mとすれば、第3式に代入して、
In the case of a semiconductor laser, the central wavelength λ = 850 nm and the spectral width (delta λ) = 5n
If it is m, substitute it into the third equation,

【0067】 Lc=90μm・・・・・・・(5)Lc = 90 μm ... (5)

【0068】となる。It becomes

【0069】更に図8を用いて、光源のスペクトルとイ
ンターフェログラムの関係を示すことにする。図8
(a)はLED単体の場合の関係であり、図8(b)は
半導体レーザーを複数採用し、各半導体レーザーの中心
波長が全て一致している場合の関係であり、図8(c)
は半導体レーザーを複数採用し、各半導体レーザーの中
心波長が、各半導体レーザー(光源)の波長の広がり程
度に離れている場合の関係であり、図8(d)半導体レ
ーザーを複数採用し、各半導体レーザーの中心波長が、
不均等に離れている場合の関係を示すものである。
Further, the relationship between the spectrum of the light source and the interferogram will be shown with reference to FIG. Figure 8
FIG. 8A is a relationship in the case of a single LED, FIG. 8B is a relationship in the case where a plurality of semiconductor lasers are adopted, and the central wavelengths of the respective semiconductor lasers are all the same, and FIG.
Shows the case where a plurality of semiconductor lasers are used and the central wavelengths of the respective semiconductor lasers are separated by the extent of the wavelength spread of the respective semiconductor lasers (light sources). FIG. The center wavelength of the semiconductor laser is
It shows the relationship when the distances are not equal.

【0070】なおインターフェログラムは、その抱絡線
のみを描いている。
In the interferogram, only its envelope is drawn.

【0071】以上の様に図8を参照すれば、LED単体
の場合(図8(a))に比較して、半導体レーザーを複
数採用し、各半導体レーザーの中心波長が全て一致して
いる場合(図8(b))は、かなり広範囲に干渉するこ
とができる。
As described above, referring to FIG. 8, as compared with the case of a single LED (FIG. 8A), when a plurality of semiconductor lasers are adopted and the central wavelengths of the respective semiconductor lasers are all the same. (FIG. 8 (b)) can interfere in a fairly wide range.

【0072】また各半導体レーザーの中心波長が全て一
致している場合(図8(b))に比較して、半導体レー
ザーを複数採用し、各半導体レーザーの中心波長が、各
半導体レーザー(光源)の波長の広がり程度に離れてい
る場合(図8(c))には、2次的な干渉を生じるが、
第1次的な干渉の範囲は小さな範囲となり、その範囲は
各半導体レーザーの中心波長が全て一致している場合の
5分の1程度となっている。
Further, as compared with the case where the central wavelengths of the respective semiconductor lasers are all the same (FIG. 8B), a plurality of semiconductor lasers are adopted, and the central wavelength of each semiconductor laser is the respective semiconductor laser (light source). When the distance is as wide as the wavelength spread (Fig. 8 (c)), secondary interference occurs,
The range of the primary interference is a small range, which is about one fifth of the case where the central wavelengths of the respective semiconductor lasers are all the same.

【0073】そして半導体レーザーを複数採用し、各半
導体レーザーの中心波長が、不均等に離れている場合
(図8(d))には、更に干渉の範囲が小さくなり、1
次的な干渉の範囲は、各半導体レーザーの中心波長が全
て一致している場合と比較して10分の1程度となって
いる。
When a plurality of semiconductor lasers are used and the central wavelengths of the respective semiconductor lasers are unequally spaced (FIG. 8 (d)), the range of interference is further reduced and 1
The next range of interference is about 1/10 of the case where the center wavelengths of the semiconductor lasers are all the same.

【0074】次に図9に基づいて、3個の光源からなる
2次光源を使用し、各光源の中心波長間隔が各光源の波
長の広がり以下となっている場合(スペクトルが一部重
なり合っている場合)を説明する。
Next, based on FIG. 9, when a secondary light source consisting of three light sources is used and the center wavelength interval of each light source is equal to or less than the wavelength spread of each light source (spectrums partially overlap each other). If there is), it will be explained.

【0075】図9(a)は、図8(b)と同様に、各光
源の中心波長が一致している場合を示す図である。図9
(b)は各光源の中心波長間隔が、均等に各光源の波長
の広がりの1/2程度離れている場合である。そして図
9(c)は各光源の中心波長が不均等に離れている場合
である。
Similar to FIG. 8B, FIG. 9A shows a case where the central wavelengths of the respective light sources are the same. Figure 9
(B) is a case where the center wavelength intervals of the respective light sources are evenly separated by about ½ of the wavelength spread of the respective light sources. And FIG.9 (c) is the case where the center wavelength of each light source is unequally spaced.

【0076】この結果、各光源の中心波長が一致してい
る場合に比較して、スペクトルが一部重なり合っている
場合には、部分的な干渉のピークはあるものの、干渉性
は低下している。更に中心波長の間隔が均等である図9
(b)の場合に比較して、不均等である図9(c)の場
合には、干渉性が一段と減少する。
As a result, compared with the case where the central wavelengths of the respective light sources are the same, when the spectra partially overlap, there is a partial interference peak, but the coherence is reduced. . Further, the center wavelengths are evenly spaced, as shown in FIG.
Compared to the case of (b), in the case of FIG. 9 (c), which is unequal, the coherence is further reduced.

【0077】また各光源部は3個に限定されるものでな
く、例えば図10に示す様に、5個の光源からの光を混
合することもできる。図10(a)は、各光源の中心波
長間隔が、均等に各光源の波長の広がりの1/2程度離
れている場合を示す場合である。そして図10(b)
は、各光源の中心波長が不均等に離れている場合であ
る。
The number of light sources is not limited to three, and light from five light sources can be mixed as shown in FIG. 10, for example. FIG. 10A shows a case where the center wavelength intervals of the light sources are evenly separated by about ½ of the wavelength spread of the light sources. And FIG. 10 (b)
Is the case where the central wavelengths of the respective light sources are unequally separated.

【0078】図10と図9とを比較して明かな様に、光
源の個数を増加させることにより干渉性を更に低下させ
ることができる。また中心波長間隔を不均等に離すこと
により、更に干渉性を低下させることができる。
As is apparent from the comparison between FIGS. 10 and 9, the coherence can be further reduced by increasing the number of light sources. Further, the coherence can be further reduced by unequally distributing the center wavelength intervals.

【0079】光波距離計においては、光ファイバーにお
ける同一モード内での光路差はほとんどなく、また、大
気伝播中における光路差は特定することができない。従
って第1次の可干渉範囲をできるだけ小さくした方が有
利となり、更に、第2次的な干渉が生じる様な光路差が
ある場合には、多数の光路差が存在することを意味する
ので、結果的に平均化させることが可能となる。
In the optical distance meter, there is almost no optical path difference in the same mode in the optical fiber, and the optical path difference during propagation in the atmosphere cannot be specified. Therefore, it is advantageous to make the first-order coherence range as small as possible, and further, when there is an optical path difference that causes secondary interference, it means that there are many optical path differences. As a result, it becomes possible to average them.

【0080】以上の様に構成された本実施例は、半導体
レーザーの様に発光スペクトルが狭い場合であっても、
複数の半導体レーザーの中心波長を、各半導体レーザー
の光源波長の広がり程度離間させ、これらの中心波長間
隔を不均等にすることにより、効果的に干渉性を下げる
ことができ、光波距離計の光源として使用可能とするこ
とができる。
In the present embodiment configured as described above, even when the emission spectrum is narrow as in a semiconductor laser,
By separating the central wavelengths of a plurality of semiconductor lasers by the extent of the light source wavelengths of the respective semiconductor lasers and making the central wavelength intervals unequal, the coherence can be effectively reduced. Can be used as.

【0081】なお本実施例の光源1は半導体レーザーに
ついて説明しているが、半導体レーザーに限られるもの
でなく、その他の発光原に適用することもできる。
Although the light source 1 of this embodiment is described as a semiconductor laser, the light source 1 is not limited to the semiconductor laser and can be applied to other light sources.

【0082】[0082]

【効果】以上の様に構成された本発明は、複数の空間的
な発光領域で発光される光源部と、この光源部により発
光された光を混合するための混合部とからなり、前記光
源部が発光する光は、各発光領域の中心波長間隔が不均
一になっているので、干渉性が低く光波距離計に最適な
光源手段を提供することができるという卓越した効果が
ある。
According to the present invention having the above-described structure, the light source unit emits light in a plurality of spatial light emitting regions, and the mixing unit mixes the light emitted by the light source unit. Since the center wavelength intervals of the light emitting regions of the light emitted from the section are non-uniform, there is an excellent effect that it is possible to provide a light source means that is low in coherence and is optimal for a light distance meter.

【0083】[0083]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an exemplary embodiment of the present invention.

【図2】本実施例の電気的構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an electrical configuration of the present embodiment.

【図3】発光側光ファイバー82の射出端82bにおけ
るスペックルの強度分布を示した図である。
FIG. 3 is a diagram showing a speckle intensity distribution at an exit end 82b of a light emitting side optical fiber 82.

【図4】発光光学系におけるスペックルの強度分布を示
した図である。
FIG. 4 is a diagram showing a speckle intensity distribution in a light emitting optical system.

【図5】光波距離計から射出される光束の大気伝播時の
影響を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating an influence of a light flux emitted from a light distance meter when propagating to the atmosphere.

【図6】光源部1の変形例を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a modified example of the light source unit 1.

【図7】マイケルソン干渉計2000を説明する図であ
る。
FIG. 7 is a diagram illustrating a Michelson interferometer 2000.

【図8】光源のスペクトルとインターフェログラムの関
係を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a relationship between a spectrum of a light source and an interferogram.

【図9】3つの光源によるスペクトルとインターフェロ
グラムの関係を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a relationship between spectra and interferograms obtained by three light sources.

【図10】5つの光源によるスペクトルとインターフェ
ログラムの関係を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a relationship between spectra by five light sources and an interferogram.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光源部 101 第1の半導体レーザー 102 第2の半導体レーザー 103 第3の半導体レーザー 2 第1のコンデンサレンズ 3 第2のコンデンサレンズ 41 分割プリズム 42 分割プリズム 5 光路切り替えチョッパ 71 APD 81 光源側光ファイバー 82 発光側光ファイバー 83 受光側光ファイバー 9 プリズム 10 対物レンズ 11 コーナーキューブ 100 水晶発振器 110 第1の分周器 120 シンセサイザー 130 第2の分周器 150 半導体レーザードライバー 160 アンプ 170 波形整形回路 180 カウンタ 190 ピークホールド回路 200 レベル判定回路 210 バンドパスフィルタ 220 サンプルホールド回路 300 ADコンバータ 400 メモリ 500 CPU 10000 位相測定装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light source part 101 1st semiconductor laser 102 2nd semiconductor laser 103 3rd semiconductor laser 2 1st condenser lens 3 2nd condenser lens 41 Split prism 42 Split prism 5 Optical path switching chopper 71 APD 81 Light source side optical fiber 82 Light emitting side optical fiber 83 Light receiving side optical fiber 9 Prism 10 Objective lens 11 Corner cube 100 Crystal oscillator 110 First frequency divider 120 Synthesizer 130 Second frequency divider 150 Semiconductor laser driver 160 Amplifier 170 Waveform shaping circuit 180 Counter 190 Peak hold circuit 200 level determination circuit 210 band pass filter 220 sample hold circuit 300 AD converter 400 memory 500 CPU 10000 phase measuring device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 和昭 東京都板橋区蓮沼町75番1号 株式会社ト プコン内 (72)発明者 矢部 雅明 東京都板橋区蓮沼町75番1号 株式会社ト プコン内 (72)発明者 片山 康隆 東京都板橋区蓮沼町75番1号 株式会社ト プコン内 (72)発明者 越川 和重 東京都板橋区蓮沼町75番1号 株式会社ト プコン内 (72)発明者 斉藤 武重 東京都板橋区蓮沼町75番1号 株式会社ト プコン内 (72)発明者 菅 博文 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス 株式会社内 (72)発明者 内藤 寿夫 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス 株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Kazuaki Kimura 75-1 Hasunumacho, Itabashi-ku, Tokyo Topcon Co., Ltd. (72) Inventor Masaaki Yabe 75-1 Hasunuma-cho, Itabashi-ku, Tokyo To In Pucon (72) Inventor Yasutaka Katayama 75-1 Hasunumacho, Itabashi-ku, Tokyo Topcon Co., Ltd. (72) Inventor Kazushige Koshikawa 75-1 Hasunuma-cho, Itabashi-ku, Tokyo In Topcon Co., Ltd. (72) Inventor Takeshige Saito 75-1 Hasunuma-cho, Itabashi-ku, Tokyo Topcon Inc. (72) Inventor Hirofumi Suga 1126-1126 Nomachi, Hamamatsu City, Shizuoka Prefecture Hamamatsu Photonics Co., Ltd. (72) Inventor Hisao Naito Shizuoka Hamamatsu Photonics Co., Ltd. 1 at 1126 Ichinomachi, Hamamatsu City, Japan

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の空間的な発光領域で発光される光
源部と、この光源部により発光された光を混合するため
の混合部とからなり、前記光源部が発光する光は、各発
光領域の中心波長間隔が不均一になっていることを特徴
とする光源手段。
1. A light source unit that emits light in a plurality of spatial light emitting regions, and a mixing unit that mixes the light emitted by the light source unit. Light source means characterized in that the central wavelength intervals of the regions are non-uniform.
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