JPH0618555A - マイクロスプリングコンタクト、マイクロスプリングコンタクトの集合体、該マイクロスプリングコンタクトの集合体からなる電気的接続用端子及びマイクロスプリングコンタクトの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電気的接続要接点端子において、スプリング
機能を有し、均一で適切な接触荷重が得られ、かつ接点
密度、位置精度に優れたマイクロスプリングコンタク
ト、その集合体、及びマイクロスプリングコンタクトの
集合体からなる電気的接続用端子を提供する。また、マ
イクロスプリングコンタクトの製造方法を提供する。 【構成】 シリコン基板の表面に複数層の絶縁層を設け
て窪みを形成した基部と、基部表面にスプリング機能を
有する絶縁層、金属皮膜層を設け、更に基部の窪みと対
応する位置に凸形状の接点を設け、該接点表面を金属皮
膜で接続した後、基部表面に設けたスプリング機能を有
する絶縁層から最表面の金属皮膜層までの各層を、接点
周囲において溝状にエッチング除去して前記基部と一体
に形成された、電子部品端子への接触部と外部接続用導
通部とを有する接点部とからなるマイクロスプリングコ
ンタクト、その集合体、及びマイクロスプリングコンタ
クトの集合体からなる電気的接続用端子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は微細な表面積を有する接
点相互の電気的接続に用いられる高接点密度、高位置精
度、高接触信頼性を有するマイクロスプリングコンタク
ト、マイクロスプリングコンタクトの集合体、該マイク
ロスプリングコンタクトの集合体からなる電気的接続用
端子及びマイクロスプリンコンタクトの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
半導体集積回路素子および電子回路部品の電気的な試
験、検査においては、プローブ針と称されるタングステ
ン等の微細な針をプローブカード（プローブ針を搭載し
たプリント基板からなる治具）上に設け、このプローブ
針に半導体集積回路素子上に形成された外部接触用電極
または電子回路部品の外部接触用電極を接触させて、試
験、検査する方法が一般的である。近年、半導体集積回
路素子の集積度の増大に伴って、外部接触用電極の数が
増大しつつある。一方で、半導体集積回路素子そのもの
の占める面積の縮小化への要求も増大してきており、該
回路素子においてはより高密度な外部接続用電極が望ま
れていた。

【０００３】また、従来電子回路相互の接続に用いられ
ていたものにコネクターがあり、このコネクターにおい
ては、電子回路配線パターンの高密度化に伴って、より
高密度なコネクター端子が望まれていた。

【０００４】しかしながら、外部接触用電極に接触させ
るプローブ針の密度、或いはコネクター端子の密度は、
プローブ針、或いはコネクター端子の物理的な寸法の限
界があり、飛躍的に増加させることはできなかった。ま
た、コネクターにおいては、コネクター端子相互の電気
的接触を得るために、片側の端子がもう片側の端子を一
定荷重下で押さえるか、または挟み込む構造を有してい
るが、この荷重によって、押さえられる側もしくは押さ
える側の端子の金属皮膜を破り、そのために、該金属皮
膜下層にある絶縁物の亀裂（クラック）によるリーク電
流の発生が起こり、接触抵抗にバラツキを生じ易くなる
という欠点を有していた。

【０００５】また、半導体集積回路素子上に形成された
外部接触用電極または電子回路部品の外部接触用電極と
プローブ針との間で電気的接触を得るために、オーバー
ドライブと称する荷重をプローブ針に与えるが、この荷
重によってプローブ針の先端が電極外の金属皮膜を破っ
たり、絶縁物に亀裂を発生させたり、プローブ針が変
形、破損したり、またプローブ針の移動時に半導体集積
回路素子にひっかき傷をつける虞れがあった。また、過
大な荷重をかけるメカニズムに起因する電極膜の亀裂、
下地の絶縁膜のクラックが、絶縁不良の原因となってい
た。このプローブ針の傷あとから、電極上に凹凸が発生
し、凹部にはプローブ針が接触できなくなり、多数回の
繰り返し測定が不可能であった。またそれらの障害を防
ぐために、プローブ針の針圧、高さ、角度の調節、修理
および針先に付着した絶縁物の除去などの定期的な補修
と点検が必要であった。

【０００６】また、半導体集積回路素子または電子回路
部品によっては、同一部品を多数回繰り返しプローブ針
に接触させる必要があり、精密な基板側の移動が要求さ
れるのに伴って、プローブ針の精密な位置精度が要求さ
れるが、前記に示す如くプローブ針の変形、破損によ
り、精密な位置精度を保つことが困難であった。

【０００７】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
電気的接続用接点端子において、接点密度、位置精度に
優れ、また相手側接点端子を傷つけず、かつ均一な接触
抵抗を示す、均一で適切な接触荷重を実現するためのス
プリング機能を有するマイクロスプリングコンタクト、
その集合体及びマイクロスプリングコンタクトの集合体
からなる電気的接続用端子を提供することを目的とする
ものである。また本発明はマイクロスプリングコンタク
トの製造方法を提供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明マイクロスプリン
グコンタクトは、シリコン基板の表面に複数層の絶縁層
を設けて窪みを形成した基部と、基部表面にスプリング
機能を有する絶縁層、金属皮膜層を設け、更に基部の窪
みと対応する位置に凸形状の接点を設け、該接点表面を
金属皮膜で被覆した後、基部表面に設けたスプリング機
能を有する絶縁層から最表面の金属皮膜層までの各層
を、接点周囲において溝状にエッチング除去するととも
に基部の絶縁層の一部をエッチング除去して前記基部と
一体に形成された、電子部品端子への接触部と外部接続
用導通部とを有する接点部とからなることを特徴とす
る。

【０００９】本発明マイクロスプリングコンタクトは、
接触部の裏側で、ポリシリコン膜とナイトライドシリコ
ン膜を順次積層してなるスプリング機能を有する絶縁層
の裏面に、基部の窪みに嵌合した形状の絶縁層からなる
突子を設けてなることを特徴とする。

【００１０】本発明マイクロスプリングコンタクトは、
電子部品端子への接触部の幅が数μｍ〜数１００μｍ、
好ましくは２０μｍ〜２００μｍであり、外部接続用導
通部の幅が数μｍ〜数１００μｍ、好ましくは２０μｍ
〜２００μｍであることを特徴とする。

【００１１】また本発明マイクロスプリングコンタクト
の集合体は、上記マイクロスプリングコンタクトが複数
個配列されてなるマイクロスプリングコンタクトの集合
体である。

【００１２】本発明マイクロスプリングコンタクトの集
合体は、マイクロスプリングコンタクト間のピッチが数
μｍ〜数１００μｍ、好ましくは２０μｍ〜２００μｍ
であることを特徴とする。

【００１３】本発明電気的接続用接点端子は、上記マイ
クロスプリングコンタクトの集合体が、同一平面上にそ
れぞれ異なる方向で複数個設けられていることを特徴と
する。

【００１４】本発明電気的接続用接点端子は、上記マイ
クロスプリングコンタクトの集合体が、一枚のプリント
基板上の端部において、表面と裏面に、それぞれ接触部
が上記プリント基板を挟んで向かい合う形で、該プリン
ト基板の外側に突出されて設けられており、該対向する
接触部間には上記プリント基板の厚みに相当する間隔が
設けられていて、かつ外部接続用導通部の部分で、上記
プリント基板と接着されていて、かつ上記外部接続用導
通部が、上記プリント基板上に形成された電気的導通配
線と電気的に接続されていることを特徴とする。

【００１５】本発明電気的接続用接点端子は、上記マイ
クロスプリングコンタクトの集合体が、一枚のプリント
基板上の端部において、表面と裏面に、それぞれ接触部
が上記プリント基板を挟んで背向する形で設けられてお
り、かつ外部接続用導通部の部分で、該プリント基板と
接着されていて、かつ該外部接続用導通部が、該プリン
ト基板上に形成された電気的導通配線と電気的に接続さ
れていることを特徴とする

【００１６】また本発明マイクロスプリングコンタクト
の製造方法は、表面の一部に窪みを設けたシリコン基板
の表面に、第１の絶縁層を積層し、この第１の絶縁層の
表面で前記窪みの周囲に第２の絶縁層を形成し、その表
面及び窪みの表面を被覆して第３の絶縁層を形成した
後、この第３の絶縁層表面の窪みの周囲全面に第４の絶
縁層を形成し、次いで第４の絶縁層の形成されていない
部分に第５の絶縁層を形成し、この表面に形成された窪
み内に第６の絶縁層を形成して平滑表面とした後、その
表面に更にスプリング機能を有する第７の絶縁層を形成
した後、この表面に第１の金属皮膜層を形成し、この第
１の金属皮膜層の表面上で第６の絶縁層の位置と対応す
る位置に凸形状の接点を設けた後、第１の金属皮膜層及
び凸形状の接点を被覆する第２の金属皮膜層を設けた
後、接点周囲部分において第２の金属皮膜層、第１の金
属皮膜層及び第７の絶縁層をエッチングによって溝状に
除去するとともに、第５の絶縁層をエッチング除去し
て、シリコン基板表面に絶縁層を積層して形成した窪み
を有する基部と、該基部と一体の接点部とを形成するこ
とを特徴とする。

【００１７】また本発明マイクロスプリングコンタクト
の製造方法は、表面の一部に窪みを設けたシリコン基板
の表面に、第１の絶縁層を積層し、この第１の絶縁層の
表面で前記窪みの周囲に第２の絶縁層を形成し、その表
面及び窪みの表面を被覆して第３の絶縁層を形成した
後、この第３の絶縁層表面の窪みの周囲全面に第４の絶
縁層を形成し、次いで第４の絶縁層の形成されていない
部分に第５の絶縁層を形成し、更にこの第５の絶縁層の
表面に、該第５の絶縁層表面に形成されている窪みが埋
没して、かつ第４の絶縁層の表面が埋没しないように第
６の絶縁層を設けた後、第６の絶縁層の表面に第５の絶
縁層を再び形成し、その後、表面を研削して、前記第４
の絶縁層および二度目に設けた第５の絶縁層が表出した
平滑表面を形成し、次いで、その表面に更にスプリング
機能を有する第７の絶縁層を形成した後、この表面に第
１の金属皮膜層を形成し、この第１の金属皮膜層の表面
上で第６の絶縁層の位置と対応する位置に凸形状の接点
を設けた後、第１の金属皮膜層及び凸形状の接点を被覆
する第２の金属皮膜層を設けた後、接点周囲部分におい
て第２の金属皮膜層、第１の金属皮膜層及び第７の絶縁
層をエッチングによって溝状に除去するとともに、第５
の絶縁層をエッチング除去して、シリコン基板表面に絶
縁層を積層して形成した窪みを有する基部と、該基部と
一体の接点部とを形成することを特徴とする。

【００１８】

【作用】本発明では、接点端子にスプリング機能を持た
せたことで、相手側接点端子との電気的接触において、
適切な接触抵抗を得るための微妙な荷重の調整の必要が
なく、相手側接触端子との間の適切な接触抵抗のもと
に、確実に電気的接触を行うので、電気的接続の信頼性
が飛躍的に向上する。また、接点密度が高く、かつ位置
精度が高いので、非常に小さいスペースの中で多数の接
点相互の接触が同時に行え、しかも接点端子相互の位置
合わせに要する手間もかからず短時間で確実に接触が行
え、かつ、スプリングが余分な荷重をその弾力で吸収し
て、接点の繰り返し接触や荷重過多などに伴う、相手側
接点の損傷を防ぐこともでき、更に、多数ポイントの接
点端子接触の際に防ぐことが困難であった、各接点ポイ
ント間の接触荷重の不均一さが、荷重を自己調節するス
プリング機能を付与したことで解消でき、全ての接点に
おける接触抵抗を均一に制御することができるので、均
一な接触抵抗を示す接点を大面積にわたって形成でき、
電気的接続の信頼性が向上し、そのため、検査用プロー
ブ針の代替として用いたときには検査の信頼性が増し、
かつ検査の手間もかからず、また、接触用端子に付いた
絶縁物を取り除くなどの補修、点検の必要もない。ま
た、本発明マイクロスプリングコンタクトにおいて、接
触部の裏側で、スプリング機能を有する絶縁層の裏面
に、基部の窪みに嵌合する絶縁層からなる突子を設けた
場合は、上記突子が上記基部の窪みの内壁に、水平方向
の動きを阻止されて、上記突子を裏面に伴った接触部も
また水平方向に移動することがなく、その結果、上記接
触部は、スプリング機能を発現する方向以外の方向への
外力、即ちねじれの力、偏った引張の力または圧縮の力
等を直接受けることがない。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。図１、図２は本発明の一実施例を示すものであり、
本発明マイクロスプリングコンタクトは、基本的に同図
に示すように、表面の一部が窪んだ形状のシリコン基板
１の表面に、第１の絶縁層２(a)(b)が積層され、第１の
絶縁層２(a)(b)の表面で、該窪みの周囲の全面に第２の
絶縁層３が形成され、その表面に第３の絶縁層４(a)(b)
が積層され、さらにこれによってできる窪みの周囲の全
面に第４の絶縁層５が形成され、これらによってできる
窪みの内壁及び底辺に第５の絶縁層６(a) が積層され、
これによって形成された窪みに埋没して、かつ表面は第
４の絶縁層５の表層と平滑になるような形状の第６の絶
縁層７が該窪みの中に形成され、その表面に、スプリン
グ機能を有する第７の絶縁層８(a)(b)(c)(d)、外部接続
用導通部１４及び接触部１３を構成する第１の金属皮膜
層９(a)(b)、第１の金属皮膜層９(a)(b)の表面であっ
て、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる
凸形状の接点１０、第１の金属皮膜層９(a)(b)と凸形状
の接点１０の表面の第２の金属皮膜層１１(a)(b)(c) 、
凸形状の接点１０と外部接続用導通部１４との間の接続
用金属皮膜１５、が設けられていて、接触部１３の周囲
で、かつ上記窪みよりも外側の部分において、外部接続
用導通部１４を残した状態で、所定の幅で、第２の金属
皮膜層１１(a)(b)(c) 、第１の金属皮膜層９(a)(b)およ
び第７の絶縁層８(a)(b)(c)(d)が除去され、さらに第５
の絶縁層６(a) が除去されることによって、接触部１３
において、基部１２の上層が、絶縁層８(a)(b)(c)(d)を
伴って、基部１２から遊離した構造からなる。

【００２０】基部１２を構成する、表面の一部が窪んだ
シリコン基板１は以下の方法で形成される。 (1) 表面が平坦なシリコン基板上に、ポリシリコン膜
（多結晶シリコン膜）を堆積する。 (2) 上記ポリシリコン膜の表面にナイトライドシリコン
膜（窒化シリコン膜）を堆積する。 (3) 上記ナイトライドシリコン膜の表面にレジストをス
ピンコートする。 (4) 上記レジストに、フォトマスクを介してレジスト感
光光を照射し、レジストを感光硬化させる。 (5) 未硬化部のレジストを現像液で現像し、窪みを設け
たい部分以外の部分にレジストが残り、窪みを設けたい
部分の表面には、ナイトライドシリコン膜が露出した状
態を得る。 (6) 上記の、表面に露出したナイトライドシリコン膜お
よびその下層のポリシリコン膜をエッチング液でエッチ
ングして、窪みを設けたい部分のシリコン基板表面を露
出させる。 (7) ナイトライドシリコン膜上に残ったレジストをレジ
スト剥離液で剥離する。 (8) ナイトライドシリコン膜をマスクとして、表面に露
出したシリコン基板の表面を一部、エッチング液でエッ
チングする。 (9) シリコン基板の表面に残っているナイトライドシリ
コン膜およびポリシリコン膜をエッチング液でウェット
エッチングして、シリコン基板上に窪みが形成される。

【００２１】レジストには、光に感応して硬化するタイ
プのネガ型レジストと、光に感応して分解するポジ型レ
ジストとがあり、感応する光の種類には、紫外線、可視
光などがあり、本発明においては、上記のいずれかのタ
イプのレジストを、必要に合わせて選択して用いる。

【００２２】レジストはまた、硬化後の皮膜がエッチン
グの対象物（金属、無機物、高分子化合物など）を溶解
するエッチング剤（液）に対して、充分に耐性を有して
いて、エッチング液が作用することにより、エッチング
の対象物は溶解するが、該エッチングレジストの硬化皮
膜は侵されないような性質の材料からなる。

【００２３】レジストがポジ型レジストである場合は、
エッチングの対象物を、所望のパターンに従ってエッチ
ングする場合、該対象物の表面のエッチングしようとす
るパターンに相当する部分には、レジストが硬化した状
態で存在している必要があるので、感光光は該パターン
部分に選択的に照射されなければならず、そのため、フ
ォトマスクとしては、該パターンの部分だけに光透過性
があって、その他の部分は光を遮蔽するようにした、所
謂ポジタイプフォトマスクが用いられる。

【００２４】レジストがネガ型レジストである場合は、
エッチングの対象物を、所望のパターンに従ってエッチ
ングする場合、該対象物の表面のエッチングしようとす
るパターンに相当する部分には、レジストが硬化した状
態で存在している必要があるので、感光光は該パターン
以外の部分に選択的に照射されなければならず、そのた
め、フォトマスクとしては、該パターンの部分だけに光
遮蔽性があって、その他の部分は光を透過するようにし
た、所謂ネガタイプフォトマスクが用いられる。

【００２５】第１の絶縁層２(a)(b)は、単一の層から構
成されていても、複数の層から構成されていてもよい
が、好ましくは図１に示すように、ナイトライドシリコ
ン膜（窒化シリコン膜）２(a) の上層にポリシリコン膜
（多結晶シリコン膜）２(b) が積層されて構成されてい
て、シリコン基板上に、ＬＰＣＶＤ（低圧気相生長）法
により堆積される。ナイトライドシリコン膜およびポリ
シリコン膜の厚みは通常数１０００Å〜数１００μｍに
形成される。

【００２６】第２の絶縁層３は、硬化した感光性ポリイ
ミドからなり、以下の方法で形成される。 (1) 上記第１の絶縁層２(a)(b)の表面に感光性ポリイミ
ドをスピンコートする。 (2) 上記のシリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフ
ォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光
を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。相
対露光量を１とする。 (3) 未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、
硬化ポリイミド膜からなる第２の絶縁層３が形成され
る。

【００２７】第３の絶縁層４(a)(b)は、図１に示すよう
に、プラズマシリコン酸化膜４(a)とＳＯＧ（スピンオ
ンガラス，シランカップリングガラス溶液）４(b) とか
らなり、上記第１の絶縁層２および第２の絶縁層３の表
面にプラズマシリコン酸化膜４(a) を堆積した後、ＳＯ
Ｇ（スピンオンガラス，シランカップリングガラス溶
液）４(b) を、スピンコートし、硬化させて積層する。

【００２８】第４の絶縁層５は、硬化した感光性ポリイ
ミドからなり、第５の絶縁層６(a)は、プラズマシリコ
ン酸化膜からなり、また、第６の絶縁層７は、耐熱性ポ
リイミドからなり、三者は以下の方法で形成される。 (1) 感光性ポリイミドを上記第３の絶縁層４(a)(b)の表
面にスピンコートして堆積、硬化させる。 (2) シリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマ
スクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射
し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。 (3) 未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、
窒素雰囲気中でポストベークを行い、第３の絶縁層４
(a)(b)の平坦な面との間に段差が設けられた状態の第４
の絶縁層５が形成される。 (4) その後、硬化した感光性ポリイミドおよび第３の絶
縁層４(a)(b)、および第４の絶縁層５の表面に、プラズ
マシリコン酸化膜を堆積する。 (5) 耐熱性ポリイミドを上記プラズマシリコン酸化膜の
表面に、スピンコートして堆積させ、窒素雰囲気中でポ
ストベークを行い、耐熱性ポリイミドを硬化させて、図
５に示すような形状を得る。 (6) 上記耐熱性ポリイミド膜、およびその下層のプラズ
マシリコン酸化膜、硬化した感光性ポリイミド膜を、第
４の絶縁層５の表面が露出するまで、エッチング液でエ
ッチングして、その後に表面を洗浄することによって、
図６に示すような、窪みの内壁および底辺にのみに第５
の絶縁層６(a) が形成され、該窪みの中で、第５の絶縁
層６(a) に周囲を囲まれた部分に第６の絶縁層７が形成
された状態の基部１２を得る。

【００２９】スプリング機能を有する第７の絶縁層８
(a)(b)(c)(d)は、圧縮応力を有するポリシリコン膜８
(a)(c)と、引張応力を有するナイトライドシリコン膜８
(b)(d)とからなり、これらはポリシリコン膜８(a) の上
層にナイトライドシリコン膜８(b) が積層されたスプリ
ング１と、スプリング１の上層に積層される、同様の、
ポリシリコン膜８(c) の上層にナイトライドシリコン膜
８(d) が積層されたスプリング２とから、この順序で積
層されて構成されていて、外部からの力の作用に対し、
応力の増加する方向と反対の方向に復元力を発現する、
所謂スプリング機能を有している。ポリシリコン膜およ
びナイトライドシリコン膜のいずれも、ＬＰＣＶＤ（低
圧気相生長）法により、上記基部１２の表面に形成され
る。

【００３０】第７の絶縁層８(a)(b)(c)(d)は、ポリシリ
コン膜８(a) 、ナイトライドシリコン膜８(b) がこの順
序で積層されていても、上記のように、ポリシリコン膜
８(a) 、ナイトライドシリコン膜８(b) の組合せからな
る層が、この順序で複数層積層されていてもよい。

【００３１】外部接続用導通部１４及び接触部１３を構
成する第１の金属皮膜層９(a)(b)、および第１の金属皮
膜層９(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上方に
位置する部分に設けられる凸形状の接点１０、および第
１の金属皮膜層９(a)(b)と凸形状の接点１０の表面の第
２の金属皮膜層１１(a)(b)(c) 、および凸形状の接点１
０と外部接続用導通部１４との間の接続用金属皮膜１５
は、以下の方法で形成される。 (1) 上記第７の絶縁層８(a)(b)(c)(d)の表面に、図１に
示すように、第１の金属皮膜層９(a)(b)を構成するＡｌ
９(a) を、スパッタリングにより堆積させる。 (2) 上記第１の金属皮膜層９(a)(b)を構成するＡｌ層９
(a) の表面に、エッチングレジストをスピンコートす
る。 (3) 上記エッチングレジストに、所望の配線パターンが
記録されたフォトレジストを介して感光光を照射し、該
レジストを硬化させる。 (4) 未露光部のエッチングレジストを現像液で現像し
て、所望の配線パターン部分のエッチングレジストを除
去する。 (5) 金属皮膜層９(a)(b)を構成するＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ９
(b) をスパッタにより堆積し、上記エッチングレジスト
が除去された部分であって、上記Ａｌ層が露出してい
る、所望の配線パターンの部分にＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ９
(b) からなる配線パターンを形成させる。 (6) エッチングレジストを剥離すると、外部接続用導通
部１４及び接触部１３を構成する第１の金属皮膜層９
(a)(b)が形成される。 (7) その後、表面に、感光性ポリイミドをスピンコート
により堆積させる。 (8) 上記感光性ポリイミドに、接点部１０の表面の、凸
形状を設けたい位置に感光光が照射されるようなフォト
マスクを介して、感光光を照射し、感光性ポリイミドを
硬化させる。 (9) 未硬化の感光性ポリイミドを現像液で現像して、ポ
ストベークを行うと、凸形状の接点１０の形状が得られ
る。 (10)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆
積させる。 (11)上記レジストに、第１の金属皮膜層９(a)(b)と凸形
状の接点１０の表面に形成する第２の金属皮膜層１１
(a)(b)(c) の部分に相当するパターンからなり、該部分
において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介し
て、感光光を照射し、該部分以外の部分のレジストを硬
化させる。 (12)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層を露出させる。このときの下層は、凸形
状に形成された硬化したポリイミドではなく、金属皮膜
層９(a)(b)の表層のＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ９(b) である。 (13)その後、第２の金属皮膜層１１(a)(b)(c) を構成す
る、Ｐｔからなる金属皮膜層１１(a) 、Ｃｒ／Ｃｕから
なる金属皮膜層１１(b) 、Ａｕからなる金属皮膜層１１
(c) を、スパッタリングにより順次積層して、第１の金
属皮膜層９(a)(b)と凸形状の接点１０の表面に第２の金
属皮膜層１１(a)(b)(c) を形成させる。第２の金属皮膜
層１１(a)(b)(c) は、１１(a) がＰｔからなり、１１
(c) がＡｕからなること以外は、１１(b) としては、Ｃ
ｒ／Ｃｕに特に限定されるものではない。また、１１
(b) として、複数の金属皮膜層を設けることもできる。 (14)その後、レジストを剥離する。 (15)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆
積させる。 (16)上記レジストに、凸形状の接点１０と外部接続用導
通部１４との間の接続用金属皮膜１５の部分に相当する
パターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するよ
うなフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以
外の部分のレジストを硬化させる。 (17)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層を露出させる。 (18)その後、Ｗを堆積させて接続用金属皮膜層１５を形
成させる。 (19)その後、レジストを剥離して、図７に示すような、
外部接続用導通部１４及び接触部１３を構成する第１の
金属皮膜層９(a)(b)、および第１の金属皮膜層９(a)(b)
の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分
に設けられる凸形状の接点１０、および第１の金属皮膜
層９(a)(b)と凸形状の接点１０の表面の第２の金属皮膜
層１１(a)(b)(c) 、および凸形状の接点１０と外部接続
用導通部１４との間の接続用金属皮膜１５を、第７の絶
縁層８(a)(b)(c)(d)上に設けた、接点部１６を形成す
る。

【００３２】上記によって形成された、スプリング機能
を有する第７の絶縁層８(a)(b)(c)(d)に積層された接触
部１３を構成する第１の金属皮膜層９(a)(b)、および第
１の金属皮膜層９(a)(b)の表面であって、上記窪みの部
分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点１
０、および第１の金属皮膜層９(a)(b)と凸形状の接点１
０の表面の第２の金属皮膜層１１(a)(b)(c) 、および凸
形状の接点１０と外部接続用導通部１４との間の接続用
金属皮膜１５を、上記基部１２から剥離、リフトオフさ
せるためには、以下の方法を用いる。 (1) 表面に、高分子保護膜をスピンコートする。 (2) エッチングレジストをスピンコートにより堆積す
る。 (3) 上記エッチングレジストに、接触部１３の周囲で、
かつ基部１２の第５の絶縁層６(a) の外側の部分におい
て、外部接続用導通部１４の部分は遮蔽し、所定の幅の
部分に相当するパターンからなり、該所定の幅の部分に
おいて感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、
感光光を照射し、該所定の幅の部分以外の部分のレジス
トを硬化させる。 (4) 未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層である金属皮膜層１１(a)(b)(c) を構成
するＡｕ層１１(c) を露出させる。 (5) ドライエッチングにより、Ａｕが露出した部分の真
下の、Ａｕ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｌの各金属皮膜層を
エッチングして、下層の、第７の絶縁膜層８(a)(b)(c)
(d)を構成するナイトライドシリコン膜８(d) を露出さ
せる。 (6) 更にドライエッチングにより、上記で露出したナイ
トライドシリコン膜８(d) をエッチングして、下層のポ
リシリコン膜８(c) を露出させる。 (7) 更にポリシリコン膜８(c) をドライエッチングして
ナイトライドシリコン膜８(b) を露出させる。 (8) 更にナイトライドシリコン膜８(b) をドライエッチ
ングしてポリシリコン膜８(a) を露出させる。 (9) 上記で露出したポリシリコン膜を、ドライエッチン
グによりエッチングすることによって、図８に示すよう
に、第５の絶縁層６(a) の端面が露出して、更に第５の
絶縁層６(a) をウェットエッチングすれば、接触部１３
において、基部１２の上層、即ちスプリング機能を有す
る第７の絶縁層８(a)(b)(c)(d)に積層された接触部１３
を構成する第１の金属皮膜層９(a)(b)、および第１の金
属皮膜層９(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上
方に位置する部分に設けられる凸形状の接点１０、およ
び第１の金属皮膜層９(a)(b)と凸形状の接点１０の表面
の第２の金属皮膜層１１(a)(b)(c) 、および凸形状の接
点１０と外部接続用導通部１４との間の接続用金属皮膜
１５、が第６の絶縁層７を伴って、上記基部１２から剥
離、リフトオフして、本発明マイクロスプリングコンタ
クト１７が完成する。

【００３３】本発明マイクロスプリングコンタクト１７
はまた、図３、図４に示すように、上記マイクロスプリ
ングコンタクトにおいて、接触部１３の裏側で、第７の
絶縁層８(a)(b)(c)(d)の裏面に、第６の絶縁層７からな
る突子を伴わない構造であってもよい。

【００３４】また、図５〜図８は、本発明マイクロスプ
リングコンタクトの製造工程の一例を示すものであり、
本発明マイクロスプリングコンタクトの製造方法は、表
面の一部に窪みを設けたシリコン基板の表面に、第１の
絶縁層を積層し、この第１の絶縁層の表面で前記窪みの
周囲に第２の絶縁層を形成し、その表面及び窪みの表面
を被覆して第３の絶縁層を形成した後、この第３の絶縁
層表面の窪みの周囲全面に第４の絶縁層を形成し、次い
で第４の絶縁層の形成されていない部分に第５の絶縁層
を形成し、この表面に形成された窪み内に第６の絶縁層
を形成して平滑表面とした後、その表面に更にスプリン
グ機能を有する第７の絶縁層を形成した後、この表面に
第１の金属皮膜層を形成し、この第１の金属皮膜層の表
面上で第６の絶縁層の位置と対応する位置に凸形状の接
点を設けた後、第１の金属皮膜及び接点を被覆する第２
の金属皮膜層を設けた後、接点周囲部分において第２の
金属皮膜層、第１の金属皮膜層及び第７の絶縁層をエッ
チングによって溝状に除去するとともに、第５の絶縁層
をエッチング除去することによって、シリコン基板表面
に絶縁層を積層して形成した窪みを有する基部と、該基
部と一体の接点部とを形成する方法であり、基本的に、
以下に示す工程からなる。

【００３５】(1) 表面が平坦なシリコン基板上に、ポリ
シリコン膜（多結晶シリコン膜）を堆積する。 (2) 上記ポリシリコン膜の表面にナイトライドシリコン
膜（窒化シリコン膜）を堆積する。 (3) 上記ナイトライドシリコン膜の表面にレジストをス
ピンコートする。 (4) 上記レジストに、フォトマスクを介してレジスト感
光光を照射し、レジストを感光硬化させる。 (5) 未硬化部のレジストを現像液で現像し、窪みを設け
たい部分以外の部分にレジストが残り、窪みを設けたい
部分の表面には、ナイトライドシリコン膜が露出した状
態を得る。 (6) 上記の、表面に露出したナイトライドシリコン膜お
よびその下層のポリシリコン膜をエッチング液でエッチ
ングして、窪みを設けたい部分のシリコン基板表面を露
出させる。 (7) ナイトライドシリコン膜上に残ったレジストをレジ
スト剥離液で剥離する。 (8) ナイトライドシリコン膜をマスクとして、表面に露
出したシリコン基板の表面を一部、エッチング液でエッ
チングする。 (9) シリコン基板の表面に残っているナイトライドシリ
コン膜およびポリシリコン膜をエッチング液でウェット
エッチングして、シリコン基板上に窪みが形成される。 (10)第１の絶縁層２のナイトライドシリコン膜（窒化シ
リコン膜）２(a) を、シリコン基板上に、ＬＰＣＶＤ
（低圧気相生長）法により、通常数１０００Å〜数１０
０μｍの厚みで堆積する。 (11)ナイトライドシリコン膜（窒化シリコン膜）２(a)
の上層にポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）２(b) を
ＬＰＣＶＤ（低圧気相生長）法により、通常数１０００
Å〜数１００μｍの厚みで積層する。 (12)上記第１の絶縁層２(a)(b)の表面に感光性ポリイミ
ドをスピンコートする。 (13)上記のシリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフ
ォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光
を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。 (14)未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、
硬化ポリイミド膜からなる第２の絶縁層３が形成され
る。 (15)第１の絶縁層２および第２の絶縁層３の表面に第３
の絶縁層４のプラズマシリコン酸化膜４(a) をスピンコ
ートし、堆積する。 (16)プラズマシリコン酸化膜４(a) の表面にＳＯＧ（ス
ピンオンガラス，シランカップリングガラス溶液）４
(b) を、スピンコートし、硬化させて積層する。 (17)感光性ポリイミドを上記第３の絶縁層４(a)(b)の表
面にスピンコートして堆積、硬化させる。 (18)シリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマ
スクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射
し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。 (19)未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、
窒素雰囲気中でポストベークを行い、第３の絶縁層４
(a)(b)の平坦な面との間に段差が設けられた状態の第４
の絶縁層５が形成される。 (20)その後、硬化した感光性ポリイミドおよび第３の絶
縁層４(a)(b)、および第４の絶縁層５の表面に、プラズ
マシリコン酸化膜を堆積する。 (21)耐熱性ポリイミドを上記プラズマシリコン酸化膜の
表面に、スピンコートして堆積させ、窒素雰囲気中でポ
ストベークを行い、耐熱性ポリイミドを硬化させて、図
５に示すような形状を得る。 (22)上記耐熱性ポリイミド膜、およびその下層のプラズ
マシリコン酸化膜、硬化した感光性ポリイミド膜を、第
４の絶縁層５の表面が露出するまで、エッチング液でエ
ッチングして、その後に表面を洗浄することによって、
図６に示すような、窪みの内壁および底辺にのみに第５
の絶縁層６(a) が形成され、該窪みの中で、第５の絶縁
層６(a) に周囲を囲まれた部分に第６の絶縁層７が形成
された状態の基部１２を得る。 (23)上記基部１２の表面に、スプリング機能を有する第
７の絶縁層８のポリシリコン膜８(a) 、ナイトライドシ
リコン膜８(b) 、ポリシリコン膜８(c) 、ナイトライド
シリコン膜８(d) を、ＬＰＣＶＤ（低圧気相生長）法に
より、この順序で積層する。 (24)上記第７の絶縁層８(a)(b)(c)(d)の表面に、図１に
示すように、第１の金属皮膜層９(a)(b)を構成するＡｌ
９(a) を、スパッタリングにより堆積させる。 (25)上記第１の金属皮膜層９(a)(b)を構成するＡｌ層９
(a) の表面に、エッチングレジストをスピンコートす
る。 (26)上記エッチングレジストに、所望の配線パターンが
記録されたフォトレジストを介して感光光を照射し、該
レジストを硬化させる。 (27)未露光部のエッチングレジストを現像液で現像し
て、所望の配線パターン部分のエッチングレジストを除
去する。 (28)金属皮膜層９(a)(b)を構成するＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ９
(b) をスパッタにより堆積し、上記エッチングレジスト
が除去された部分であって、上記Ａｌ層が露出してい
る、所望の配線パターンの部分にＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ９
(b) からなる配線パターンを形成させる。 (29)エッチングレジストを剥離すると、外部接続用導通
部１４及び接触部１３を構成する第１の金属皮膜層９
(a)(b)が形成される。 (30)その後、表面に、感光性ポリイミドをスピンコート
により堆積させる。 (31)上記感光性ポリイミドに、接点部１０の表面の、凸
形状を設けたい位置に感光光が照射されるようなフォト
マスクを介して、感光光を照射し、感光性ポリイミドを
硬化させる。 (32)未硬化の感光性ポリイミドを現像液で現像して、ポ
ストベークを行うと、凸形状の接点１０の形状が得られ
る。 (33)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆
積させる。 (34)上記レジストに、第１の金属皮膜層９(a)(b)と凸形
状の接点１０の表面に形成する第２の金属皮膜層１１
(a)(b)(c) の部分に相当するパターンからなり、該部分
において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介し
て、感光光を照射し、該部分以外の部分のレジストを硬
化させる。 (35)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層を露出させる。このときの下層は、凸形
状に形成された硬化したポリイミドではなく、金属皮膜
層９(a)(b)の表層のＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ９(b) である。 (36)その後、第２の金属皮膜層１１(a)(b)(c) を構成す
る、Ｐｔからなる金属皮膜層１１(a) 、Ｃｒ／Ｃｕから
なる金属皮膜層１１(b) 、Ａｕからなる金属皮膜層１１
(c) を、スパッタリングにより順次積層して、第１の金
属皮膜層９(a)(b)と凸形状の接点１０の表面に第２の金
属皮膜層１１(a)(b)(c) を形成させる。第２の金属皮膜
層１１(a)(b)(c) は、１１(a) がＰｔからなり、１１
(c) がＡｕからなること以外は、１１(b) としては、Ｃ
ｒ／Ｃｕに特に限定されるものではない。また、１１
(b) として、複数の金属皮膜層を設けることもできる。 (37)その後、レジストを剥離する。 (38)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆
積させる。 (39)上記レジストに、凸形状の接点１０と外部接続用導
通部１４との間の接続用金属皮膜１５の部分に相当する
パターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するよ
うなフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以
外の部分のレジストを硬化させる。 (40)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層を露出させる。 (41)その後、Ｗを堆積させて接続用金属皮膜層１５を形
成させる。 (42)その後、レジストを剥離して、図７に示すような、
外部接続用導通部１４及び接触部１３を構成する第１の
金属皮膜層９(a)(b)、および第１の金属皮膜層９(a)(b)
の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分
に設けられる凸形状の接点１０、および第１の金属皮膜
層９(a)(b)と凸形状の接点１０の表面の第２の金属皮膜
層１１(a)(b)(c) 、および凸形状の接点１０と外部接続
用導通部１４との間の接続用金属皮膜１５を、第７の絶
縁層８(a)(b)(c)(d)上に設けた、接点部１６を形成す
る。 (43)その後、表面に、高分子保護膜をスピンコートす
る。 (44)エッチングレジストをスピンコートにより堆積す
る。 (45)上記エッチングレジストに、接触部１３の周囲で、
かつ基部１２の第５の絶縁層６(a) の外側の部分におい
て、外部接続用導通部１４の部分は遮蔽し、所定の幅の
部分に相当するパターンからなり、該所定の幅の部分に
おいて感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、
感光光を照射し、該所定の幅の部分以外の部分のレジス
トを硬化させる。 (46)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層である金属皮膜層１１(a)(b)(c) を構成
するＡｕ層１１(c) を露出させる。 (47)ドライエッチングにより、Ａｕが露出した部分の真
下の、Ａｕ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｌの各金属皮膜層を
エッチングして、下層の、第７の絶縁膜層８(a)(b)(c)
(d)を構成するナイトライドシリコン膜８(d) を露出さ
せる。 (48)更にドライエッチングにより、上記で露出したナイ
トライドシリコン膜８(d) をエッチングして、下層のポ
リシリコン膜８(c) を露出させる。 (49)更にポリシリコン膜８(c) をドライエッチングして
ナイトライドシリコン膜８(b) を露出させる。 (50)更にナイトライドシリコン膜８(b) をドライエッチ
ングしてポリシリコン膜８(a) を露出させる。 (51)上記で露出したポリシリコン膜を、ドライエッチン
グによりエッチングすることによって、図８に示すよう
に、第５の絶縁層６(a) の端面が露出して、更に第５の
絶縁層６(a) をウェットエッチングすれば、接触部１３
において、基部１２の上層、即ちスプリング機能を有す
る第７の絶縁層８(a)(b)(c)(d)に積層された接触部１３
を構成する第１の金属皮膜層９(a)(b)、および第１の金
属皮膜層９(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上
方に位置する部分に設けられる凸形状の接点１０、およ
び第１の金属皮膜層９(a)(b)と凸形状の接点１０の表面
の第２の金属皮膜層１１(a)(b)(c) 、および凸形状の接
点１０と外部接続用導通部１４との間の接続用金属皮膜
１５、が第６の絶縁層７を伴って、上記基部１２から剥
離、リフトオフして、本発明マイクロスプリングコンタ
クト１７が完成する。

【００３６】本発明マイクロスプリングコンタクトが、
上記の構造からなる場合の製造方法は、図９〜図１２に
示すように、上記の、接触部１３の裏側で、第７の絶縁
層８(a)(b)(c)(d)の裏面に、第６の絶縁層７からなる突
子を伴った構造からなるマイクロスプリングコンタクト
の製造方法の一部を変更したもので、以下に示す工程か
らなる。 (1) 表面が平坦なシリコン基板上に、ポリシリコン膜
（多結晶シリコン膜）を堆積する。 (2) 上記ポリシリコン膜の表面にナイトライドシリコン
膜（窒化シリコン膜）を堆積する。 (3) 上記ナイトライドシリコン膜の表面にレジストをス
ピンコートする。 (4) 上記レジストに、フォトマスクを介してレジスト感
光光を照射し、レジストを感光硬化させる。 (5) 未硬化部のレジストを現像液で現像し、窪みを設け
たい部分以外の部分にレジストが残り、窪みを設けたい
部分の表面には、ナイトライドシリコン膜が露出した状
態を得る。 (6) 上記の、表面に露出したナイトライドシリコン膜お
よびその下層のポリシリコン膜をエッチング液でエッチ
ングして、窪みを設けたい部分のシリコン基板表面を露
出させる。 (7) ナイトライドシリコン膜上に残ったレジストをレジ
スト剥離液で剥離する。 (8) ナイトライドシリコン膜をマスクとして、表面に露
出したシリコン基板の表面を一部、エッチング液でエッ
チングする。 (9) シリコン基板の表面に残っているナイトライドシリ
コン膜およびポリシリコン膜をエッチング液でウェット
エッチングして、シリコン基板上に窪みが形成される。 (10)第１の絶縁層２のナイトライドシリコン膜（窒化シ
リコン膜）２(a) を、シリコン基板上に、ＬＰＣＶＤ
（低圧気相生長）法により、通常数１０００Å〜数１０
０μｍの厚みで堆積する。 (11)ナイトライドシリコン膜（窒化シリコン膜）２(a)
の上層にポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）２(b) を
ＬＰＣＶＤ（低圧気相生長）法により、通常数１０００
Å〜数１００μｍの厚みで積層する。 (12)上記第１の絶縁層２(a)(b)の表面に感光性ポリイミ
ドをスピンコートする。 (13)上記のシリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフ
ォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光
を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。 (14)未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、
硬化ポリイミド膜からなる第２の絶縁層３が形成され
る。 (15)第１の絶縁層２および第２の絶縁層３の表面に第３
の絶縁層４のプラズマシリコン酸化膜４(a) をスピンコ
ートし、堆積する。 (16)プラズマシリコン酸化膜４(a) の表面にＳＯＧ（ス
ピンオンガラス，シランカップリングガラス溶液）４
(b) を、スピンコートし、硬化させて積層する。 (17)感光性ポリイミドを上記第３の絶縁層４(a)(b)の表
面にスピンコートして堆積、硬化させる。 (18)シリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマ
スクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射
し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。 (19)未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、
窒素雰囲気中でポストベークを行い、第３の絶縁層４
(a)(b)の平坦な面との間に段差が設けられた状態の第４
の絶縁層５が形成される。 (20)その後、硬化した感光性ポリイミドおよび第３の絶
縁層４(a)(b)、および第４の絶縁層５の表面に、第５の
絶縁層６(a) の、窪み部分における表面が、第４の絶縁
層５の最表面よりも低くなるように、第５の絶縁層６
(a) であるプラズマシリコン酸化膜を堆積する。 (21)耐熱性ポリイミドを上記プラズマシリコン酸化膜６
(a) の表面に、耐熱性ポリイミド膜７の、窪み部分にお
ける表面が、第４の絶縁層５の最表面よりも低くなるよ
うに、スピンコートして堆積させ、窒素雰囲気中でポス
トベークを行い、耐熱性ポリイミドを硬化させて、図９
に示すような形状を得る。 (22)第６の絶縁層７である上記耐熱性ポリイミド膜の表
面に、再び、第５の絶縁層６(a) に用いたプラズマシリ
コン酸化膜（第５の絶縁層６(b) ）を形成する。 (23)上記プラズマシリコン酸化膜６(b) 、耐熱性ポリイ
ミド膜７、およびその下層のプラズマシリコン酸化膜６
(a) 、硬化した感光性ポリイミド膜を、第４の絶縁層５
の表面が露出するまで、エッチング液でエッチングし
て、その後に表面を洗浄することによって、図１０に示
すような、窪みの内壁および底辺にのみに第５の絶縁層
６(a) が形成され、該窪みの中で、第５の絶縁層６(a)
に周囲を囲まれ、第５の絶縁層６(b) に上面で塞がれた
内部に第６の絶縁層７が形成された状態の基部１２を得
る。 (24)上記基部１２の表面に、スプリング機能を有する第
７の絶縁層８のポリシリコン膜８(a) 、ナイトライドシ
リコン膜８(b) 、ポリシリコン膜８(c) 、ナイトライド
シリコン膜８(d) を、ＬＰＣＶＤ（低圧気相生長）法に
より、この順序で積層する。 (25)上記第７の絶縁層８(a)(b)(c)(d)の表面に、図１に
示すように、第１の金属皮膜層９(a)(b)を構成するＡｌ
９(a) を、スパッタリングにより堆積させる。 (26)上記第１の金属皮膜層９(a)(b)を構成するＡｌ層９
(a) の表面に、エッチングレジストをスピンコートす
る。 (27)上記エッチングレジストに、所望の配線パターンが
記録されたフォトレジストを介して感光光を照射し、該
レジストを硬化させる。 (28)未露光部のエッチングレジストを現像液で現像し
て、所望の配線パターン部分のエッチングレジストを除
去する。 (29)金属皮膜層９(a)(b)を構成するＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ９
(b) をスパッタにより堆積し、上記エッチングレジスト
が除去された部分であって、上記Ａｌ層が露出してい
る、所望の配線パターンの部分にＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ９
(b) からなる配線パターンを形成させる。 (30)エッチングレジストを剥離すると、外部接続用導通
部１４及び接触部１３を構成する第１の金属皮膜層９
(a)(b)が形成される。 (31)その後、表面に、感光性ポリイミドをスピンコート
により堆積させる。 (32)上記感光性ポリイミドに、接点部１０の表面の、凸
形状を設けたい位置に感光光が照射されるようなフォト
マスクを介して、感光光を照射し、感光性ポリイミドを
硬化させる。 (33)未硬化の感光性ポリイミドを現像液で現像して、ポ
ストベークを行うと、凸形状の接点１０の形状が得られ
る。 (34)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆
積させる。 (35)上記レジストに、第１の金属皮膜層９(a)(b)と凸形
状の接点１０の表面に形成する第２の金属皮膜層１１
(a)(b)(c) の部分に相当するパターンからなり、該部分
において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介し
て、感光光を照射し、該部分以外の部分のレジストを硬
化させる。 (36)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層を露出させる。このときの下層は、凸形
状に形成された硬化したポリイミドではなく、金属皮膜
層９(a)(b)の表層のＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ９(b) である。 (37)その後、第２の金属皮膜層１１(a)(b)(c) を構成す
る、Ｐｔからなる金属皮膜層１１(a) 、Ｃｒ／Ｃｕから
なる金属皮膜層１１(b) 、Ａｕからなる金属皮膜層１１
(c) を、スパッタリングにより順次積層して、第１の金
属皮膜層９(a)(b)と凸形状の接点１０の表面に第２の金
属皮膜層１１(a)(b)(c) を形成させる。第２の金属皮膜
層１１(a)(b)(c) は、１１(a) がＰｔからなり、１１
(c) がＡｕからなること以外は、１１(b) としては、Ｃ
ｒ／Ｃｕに特に限定されるものではない。また、１１
(b) として、複数の金属皮膜層を設けることもできる。 (38)その後、レジストを剥離する。 (39)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆
積させる。 (40)上記レジストに、凸形状の接点１０と外部接続用導
通部１４との間の接続用金属皮膜１５の部分に相当する
パターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するよ
うなフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以
外の部分のレジストを硬化させる。 (41)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層を露出させる。 (42)その後、Ｗを堆積させて接続用金属皮膜層１５を形
成させる。 (43)その後、レジストを剥離して、図１１に示すよう
な、外部接続用導通部１４及び接触部１３を構成する第
１の金属皮膜層９(a)(b)、および第１の金属皮膜層９
(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置す
る部分に設けられる凸形状の接点１０、および第１の金
属皮膜層９(a)(b)と凸形状の接点１０の表面の第２の金
属皮膜層１１(a)(b)(c) 、および凸形状の接点１０と外
部接続用導通部１４との間の接続用金属皮膜１５を、第
７の絶縁層８(a)(b)(c)(d)上に設けた、接点部１６を形
成する。 (44)その後、表面に、高分子保護膜をスピンコートす
る。 (45)エッチングレジストをスピンコートにより堆積す
る。 (46)上記エッチングレジストに、接触部１３の周囲で、
かつ基部１２の第５の絶縁層６(a) の外側の部分におい
て、外部接続用導通部１４の部分は遮蔽し、所定の幅の
部分に相当するパターンからなり、該所定の幅の部分に
おいて感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、
感光光を照射し、該所定の幅の部分以外の部分のレジス
トを硬化させる。 (47)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層である金属皮膜層１１(a)(b)(c) を構成
するＡｕ層１１(c) を露出させる。 (48)ドライエッチングにより、Ａｕが露出した部分の真
下の、Ａｕ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｌの各金属皮膜層を
エッチングして、下層の、第７の絶縁膜層８(a)(b)(c)
(d)を構成するナイトライドシリコン膜８(d) を露出さ
せる。 (49)更にドライエッチングにより、上記で露出したナイ
トライドシリコン膜８(d) をエッチングして、下層のポ
リシリコン膜８(c) を露出させる。 (50)更にポリシリコン膜８(c) をドライエッチングして
ナイトライドシリコン膜８(b) を露出させる。 (51)更にナイトライドシリコン膜８(b) をドライエッチ
ングしてポリシリコン膜８(a) を露出させる。 (52)上記で露出したポリシリコン膜を、ドライエッチン
グによりエッチングすることによって、図１２に示すよ
うに、二度目に積層した第５の絶縁層６(b) の端面が露
出して、更に第５の絶縁層６(b) およびその下の第５の
絶縁層６(a) をウェットエッチングすれば、接触部１３
において、基部１２の上層、即ちスプリング機能を有す
る第７の絶縁層８(a)(b)(c)(d)に積層された接触部１３
を構成する第１の金属皮膜層９(a)(b)、および第１の金
属皮膜層９(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上
方に位置する部分に設けられる凸形状の接点１０、およ
び第１の金属皮膜層９(a)(b)と凸形状の接点１０の表面
の第２の金属皮膜層１１(a)(b)(c) 、および凸形状の接
点１０と外部接続用導通部１４との間の接続用金属皮膜
１５、が第６の絶縁層７を伴わずに、上記第６の絶縁層
７および基部１２から剥離、リフトオフして、本発明マ
イクロスプリングコンタクト１７が完成する。尚、上記
第６の絶縁層７は、上記基部１２からも剥離されている
ので、基部１２の窪みから排除される。

【００３７】本発明マイクロスプリングコンタクトの集
合体は、上記マイクロスプリングコンタクト形成工程で
用いられるフォトマスクを、マイクロスプリングコンタ
クトの単体を形成するためのパターンから、マイクロス
プリングコンタクトの集合体を形成するためのパターン
に換えて用い、上記マイクロスプリングコンタクト形成
工程と同一の工程を経ることによって形成される。

【００３８】本発明電気的接続用接点端子は、上記マイ
クロスプリングコンタクトの集合体を、表裏両面に予め
電気導体からなる配線パターンを設けた絶縁物（プリン
ト基板）の端部の表裏両面に、それぞれ接触部が上記プ
リント基板を挟んで向かい合う形で、該プリント基板の
外側に突出されて設け、該対向する接触部間には上記プ
リント基板の厚みに相当する間隔を設け、かつ外部接続
用導通部の部分で、上記プリント基板と接着させて、か
つ上記外部接続用導通部を、上記プリント基板上に形成
された電気的導通配線と電気的に接続させることによっ
て形成される。

【００３９】また、本発明電気的接続用接点端子は、上
記マイクロスプリングコンタクトの集合体を、表裏両面
に予め電気導体からなる配線パターンを設けた絶縁物
（プリント基板）の端部の表裏両面に、それぞれ接触部
が上記プリント基板を挟んで背向する形で設け、かつ外
部接続用導通部の部分で、該プリント基板と接着させ
て、かつ該外部接続用導通部を、該プリント基板上に形
成された電気的導通配線と電気的に接続させることによ
って形成される。

【００４０】図１３は、本発明マイクロスプリングコン
タクトの集合体１８の該略図である。各々のマイクロス
プリングコンタクト１７の接点部１６は、基部１２の表
面で、用途に応じて互いに接続されていても、またエン
チングによって切り離されていてもよい。該マイクロス
プリングコンタクトの接点部１６の平面的形状パターン
（幅、ピッチ、引き回し）は、フォトマスクのパターン
で適宜に決まる。

【００４１】また、本発明マイクロスプリングコンタク
ト１７が、外部電極と接触する際の態様の一例を、図１
４に示す。接触部１３は、第７の絶縁層８が有するスプ
リング機能により、相手側電極パッド１９との間に、常
に適切な接触荷重を保つことができる。

【００４２】また、本発明マイクロスプリングコンタク
トの集合体を用いたマルチチップモジュールの検査態様
の一例を、図１５に示す。マイクロスプリングコンタク
トの集合体１８を、図中矢印方向に移動させて、相手側
電極パッド２０とフェイス・トゥー・フェイス接触させ
る。このとき、マイクロスプリングコンタクトの集合体
１８の個々のマイクロスプリングコンタクトの接触部１
３は、相手側電極パッド２０の個々の電極パッドに精密
に位置合わせされており、かつ全て均一な接触荷重で接
触させられる。図１５では、数千〜数万個の検査用電極
パッド２０が、数ｃｍ平方の大きさの支持体２１の表面
に形成されている。

【００４３】本発明マイクロスプリングコンタクトの技
術を利用した、マイクロスプリングコンタクトの集合体
を用いたプローブカード、および、マイクロスプリング
コンタクトを用いたコネクターと、従来技術による、プ
ローブ針式プローブカード、および、コネクターの性能
を比較して、表１に示した。

【００４４】

【表１】

【００４５】次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に
詳細に説明する。実施例１ 表面が平坦なシリコン基板上に、ポリシリコン膜（多結
晶シリコン膜）を堆積し、次いで上記ポリシリコン膜の
表面にナイトライドシリコン膜（窒化シリコン膜）を堆
積し、次いで上記ナイトライドシリコン膜の表面にレジ
ストをスピンコートした後、上記レジストに、所定の幅
のマイクロスプリングコンタクトを一辺に所定の数だけ
並列させ、更に該一辺が正方形の四辺に対応するように
それぞれの辺を配列させたようにパターン形成してな
り、並列した各マイクロスプリングコンタクトのピッチ
が所定の長さのフォトマスクを介してレジスト感光光を
照射し、レジストを感光硬化させ、次いで、未硬化部の
レジストを現像液で現像し、窪みを設けたい部分以外の
部分にレジストが残り、窪みを設けたい部分の表面に
は、ナイトライドシリコン膜が露出した状態を得た後、
上記の、表面に露出したナイトライドシリコン膜および
その下層のポリシリコン膜をエッチング液でエッチング
して、窪みを設けたい部分のシリコン基板表面を露出さ
せ、その後、ナイトライドシリコン膜上に残ったレジス
トをレジスト剥離液で剥離し、ナイトライドシリコン膜
をマスクとして、表面に露出したシリコン基板の表面を
一部、エッチング液でエッチングして、シリコン基板の
表面に残っているナイトライドシリコン膜およびポリシ
リコン膜をエッチング液でウェットエッチングして、シ
リコン基板上に窪みを形成した。

【００４６】上記した、表面に窪みを形成したシリコン
基板上に、ナイトライドシリコン膜（窒化シリコン
膜）、次いでポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）を、
ＬＰＣＶＤ（低圧気相生長）法により、それぞれ所定の
膜厚で堆積した。

【００４７】次いで、第２の絶縁層を、以下の方法で形
成した。 (1) 上記第１の絶縁層の表面に感光性ポリイミドをスピ
ンコートした。 (2) 上記のシリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフ
ォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光
を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させた。 (3) 未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、
硬化ポリイミド膜からなる第２の絶縁層を形成した。

【００４８】次いで、上記第１の絶縁層および第２の絶
縁層の表面に第３の絶縁層として、プラズマシリコン酸
化膜を堆積した後、ＳＯＧ（スピンオンガラス，シラン
カップリングガラス溶液）を、スピンコートし、硬化さ
せて積層した。

【００４９】次いで、以下のようにして、第４の絶縁
層、第５の絶縁層、第６の絶縁層を形成した。 (1) 感光性ポリイミドを上記第３の絶縁層の表面にスピ
ンコートして堆積、硬化させた。 (2) シリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマ
スクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射
し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させた。 (3) 未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、
窒素雰囲気中でポストベークを行い、第３の絶縁層の平
坦な面との間に段差が設けられた状態の第４の絶縁層が
形成された。 (4) その後、硬化した感光性ポリイミドおよび第３の絶
縁層、および第４の絶縁層の表面に、プラズマシリコン
酸化膜を堆積した。 (5) 耐熱性ポリイミドを上記プラズマシリコン酸化膜の
表面に、スピンコートして堆積させ、窒素雰囲気中でポ
ストベークを行い、耐熱性ポリイミドを硬化させた。 (6) 上記耐熱性ポリイミド膜、およびその下層のプラズ
マシリコン酸化膜、硬化した感光性ポリイミド膜を、第
４の絶縁層の表面が露出するまで、エッチング液でエッ
チングして、その後に表面を洗浄することによって、窪
みの内壁および底辺にのみに第５の絶縁層を形成し、該
窪みの中で、第５の絶縁層に周囲を囲まれた部分に第６
の絶縁層が形成された状態の基部を得た。

【００５０】次いで、スプリング機能を有する第７の絶
縁層である、ポリシリコン膜、ナイトライドシリコン
膜、、ポリシリコン膜、ナイトライドシリコン膜を、こ
の順序で、ＬＰＣＶＤ（低圧気相生長）法により、上記
基部の表面に積層した。

【００５１】外部接続用導通部及び接触部を構成する第
１の金属皮膜層、および第１の金属皮膜層の表面であっ
て、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる
凸形状の接点、および第１の金属皮膜層と凸形状の接点
の表面の第２の金属皮膜層、および凸形状の接点と外部
接続用導通部との間の接続用金属皮膜を、以下の方法で
形成した。 (1) 上記第７の絶縁層の表面にＡｌを、スパッタリング
により堆積させた。 (2) 上記Ａｌ層の表面に、エッチングレジストをスピン
コートした。 (3) 上記エッチングレジストに、所望の配線パターンが
記録されたフォトレジストを介して感光光を照射し、該
レジストを硬化させた。 (4) 未露光部のエッチングレジストを現像液で現像し
て、所望の配線パターン部分のエッチングレジストを除
去した。 (5) Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉをスパッタにより堆積し、Ａｌ層
が露出している、所望の配線パターンの部分に配線パタ
ーンを形成させた。 (6) エッチングレジストを剥離して、第１の金属皮膜層
を形成した。 (7) その後、表面に、感光性ポリイミドをスピンコート
により堆積させた。 (8) 上記感光性ポリイミドに、接点部表面の、凸形状を
設けたい位置に感光光が照射されるようなフォトマスク
を介して、感光光を照射し、感光性ポリイミドを硬化さ
せた。 (9) 未硬化の感光性ポリイミドを現像液で現像して、ポ
ストベークを行い、接点の凸形状を得た。 (10)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆
積させた。 (11)上記レジストに、第１の金属皮膜層と凸形状の接点
の表面に形成する第２の金属皮膜層の部分に相当するパ
ターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するよう
なフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以外
の部分のレジストを硬化させた。 (12)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層の金属皮膜層の表層のＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ
を露出させた。 (13)その後、Ｐｔからなる金属皮膜層、Ｃｒ／Ｃｕから
なる金属皮膜層、Ａｕからなる金属皮膜層を、スパッタ
リングにより順次積層して、第１の金属皮膜層と凸形状
の接点の表面に第２の金属皮膜層を形成させた。 (14)その後、レジストを剥離した。 (15)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆
積させた。 (16)上記レジストに、凸形状の接点と外部接続用導通部
との間の接続用金属皮膜の部分に相当するパターンから
なり、該部分において感光光を遮蔽するようなフォトマ
スクを介して、感光光を照射し、該部分以外の部分のレ
ジストを硬化させた。 (17)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層を露出させた。 (18)その後、Ｗを堆積させて接続用金属皮膜層を形成さ
せた。 (19)その後、レジストを剥離して、第１の金属皮膜層、
および第１の金属皮膜層の表面であって、上記窪みの部
分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点、お
よび第１の金属皮膜層と凸形状の接点の表面の第２の金
属皮膜層、および凸形状の接点と外部接続用導通部との
間の接続用金属皮膜を、第７の絶縁層上に設けた状態
の、接点部を形成した。

【００５２】上記によって形成した、スプリング機能を
有する第７の絶縁層に積層された接触部を構成する第１
の金属皮膜層、および第１の金属皮膜層の表面であっ
て、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる
凸形状の接点、および第１の金属皮膜層と凸形状の接点
の表面の第２の金属皮膜層、および凸形状の接点と外部
接続用導通部との間の接続用金属皮膜を、以下のように
して上記基部から剥離、リフトオフさせた。 (1) 表面に、高分子保護膜をスピンコートした。 (2) エッチングレジストをスピンコートにより堆積し
た。 (3) 上記エッチングレジストに、接触部の周囲で、かつ
基部の第５の絶縁層６の外側の部分において、外部接続
用導通部の部分は遮蔽し、所定の幅の部分に相当するパ
ターンからなり、該所定の幅の部分において感光光を遮
蔽するようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、
該所定の幅の部分以外の部分のレジストを硬化させた。 (4) 未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部
において、下層の、Ａｕ層を露出させた。 (5) ドライエッチングにより、Ａｕが露出した部分の真
下の、Ａｕ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｌの各金属皮膜層を
エッチングして、下層の、ナイトライドシリコン膜を露
出させた。 (6) 更にドライエッチングにより、上記で露出したナイ
トライドシリコン膜をエッチングして、下層のポリシリ
コン膜を露出させた。 (7) 更にポリシリコン膜をドライエッチングしてナイト
ライドシリコン膜を露出させた。 (8) 更にナイトライドシリコン膜をドライエッチングし
てポリシリコン膜を露出させた。 (9) 上記で露出したポリシリコン膜を、ドライエッチン
グによりエッチングして、第５の絶縁層の端面が露出さ
せて、更に第５の絶縁層をウェットエッチングして、接
触部において、第６の絶縁層を伴った、基部の上層を上
記基部から剥離、リフトオフして、マイクロスプリング
コンタクトの集合体を得た。

【００５３】

【発明の効果】本発明のマイクロスプリングコンタクト
およびマイクロスプリングコンタクトの集合体は、以上
のように構成されているので下記のような効果を奏す
る。本発明では、接点端子にスプリング機能を持たせた
ことで、相手側接点端子との電気的接触において、適切
な接触抵抗を得るための微妙な荷重の調整を、接点端子
自身が行い、相手側接触端子との間の適切な接触抵抗の
もとに、確実に電気的接触を行うので、電気的接続の信
頼性が飛躍的に向上する。

【００５４】また、本発明によれば、上記に示したよう
に、半導体集積回路素子の製造プロセスと同様のプロセ
スを採用しているので、パターン形成の寸法精度が非常
に高く、しかも微細な加工ができ、従って接点端子の接
点密度が高く、かつ位置精度が高いマイクロスプリング
コンタクトが形成できる。

【００５５】このマイクロスプリングコンタクトを集合
させて設けた、本発明マイクロスプリングコンタクト集
合体によれば、非常に小さいスペースの中で多数の接点
相互の接触が同時に行え、しかも接点端子相互の位置合
わせに要する手間もかからず短時間で確実に接触が行
え、かつ、スプリングが余分な荷重をその弾力で吸収し
て、接点の繰り返し接触や荷重過多などに伴う、相手側
接点の損傷を防ぐこともでき、更に、多数ポイントの接
点端子接触の際に防ぐことが困難であった、各接点ポイ
ント間の接触荷重の不均一さが、荷重を自己調節するス
プリング機能を付与したことで解消でき、全ての接点に
おける接触抵抗を低く、均一に制御することができ、電
気的接続の信頼性が向上する。従って、検査用プローブ
針の代替として用いたときには検査の信頼性が増し、か
つ検査の手間もかからず、また、応答速度が速いので検
査時間の短縮が図れ、さらに、接触用端子に付いた絶縁
物を取り除くなどの補修、点検の必要もなく、また、コ
ネクターの代替として用いたときには接触抵抗が低く、
高い導電性能を維持することができ、また、接触不良に
よる誤動作、および不作動の虞れがなく、しかも、繰り
返し抜き差しによる摩擦にも強く、優れた耐久性を示
す。

【００５６】更に、接触部の裏側に突子状の絶縁層を設
けた場合は、スプリング機能を有する絶縁層に直接余分
な力がかからないので、曲げや、ねじれの力がかかりや
すい、繰り返し接触や抜き差しを伴う検査作業に対し
て、優れた耐久性を示す。

【００５７】

【図面の簡単な説明】

【図１】マイクロスプリングコンタクトの側方向縦断面
図である。

【図２】マイクロスプリングコンタクトの正方向縦断面
図である。

【図３】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、マ
イクロスプリングコンタクトの側方向縦断面図である。

【図４】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、マ
イクロスプリングコンタクトの正方向縦断面図である。

【図５】第６の絶縁層７までを設けた側方向縦断面図で
ある。

【図６】基部１２を完成した側方向縦断面図である。

【図７】接続用金属皮膜１５までを設けた側方向縦断面
図である。

【図８】所定の幅で接続用金属皮膜１５、第２の金属皮
膜層１１、第１の金属皮膜層９、および第７の絶縁層８
をエッチングした側方向縦断面図である。

【図９】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、マ
イクロスプリングコンタクトにおいて、第６の絶縁層７
までを設けた側方向縦断面図である。

【図１０】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、
マイクロスプリングコンタクトにおいて、基部１２を完
成した側方向縦断面図である。

【図１１】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、
マイクロスプリングコンタクトにおいて、接続用金属皮
膜１５までを設けた側方向縦断面図である。

【図１２】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、
マイクロスプリングコンタクトにおいて、所定の幅で接
続用金属皮膜１５、第２の金属皮膜層１１、第１の金属
皮膜層９、および第７の絶縁層８をエッチングした側方
向縦断面図である。

【図１３】マイクロスプリングコンタクトの集合体であ
る。

【図１４】マイクロスプリングコンタクトと、外部電極
との接触状態の態様である。

【図１５】マイクロスプリングコンタクトの集合体を用
いた検査態様である。

【符号の説明】

１ シリコン基板 ２ 第１の絶縁層 ３ 第２の絶縁層 ４ 第３の絶縁層 ５ 第４の絶縁層 ６ 第５の絶縁層 ７ 第６の絶縁層 ８ 第７の絶縁層 ９ 第１の金属皮膜層 １０ 凸形状の接点 １１ 第２の金属皮膜層 １２ 基部 １３ 接触部 １４ 外部接続用導通部 １５ 接続用金属皮膜 １６ 接点部 １７ マイクロスプリングコンタクト

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年３月４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の名称

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の名称】 マイクロスプリングコンタクト、マイ
クロスプリングコンタクトの集合体、該マイクロスプリ
ングコンタクトの集合体からなる電気的接続用端子及び
マイクロスプリングコンタクトの製造方法

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

【図５】

【図１】

【図２】

【図３】

【図６】

【図７】

【図９】

【図８】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン基板の表面に複数層の絶縁層を
   設けて窪みを形成した基部と、基部表面に、ポリシリコ
   ン膜とナイトライドシリコン膜を順次積層してなるスプ
   リング機能を有する絶縁層、金属皮膜層を設け、更に基
   部の窪みと対応する位置に凸状の接点を設け、該接点表
   面を金属皮膜で被覆した後、基部表面に設けたスプリン
   グ機能を有する絶縁層から最表面の金属皮膜層までの各
   層を、接点周囲において溝状にエッチング除去するとと
   もに基部の絶縁層の一部をエッチング除去して前記基部
   と一体に形成された、電子部品端子への接触部と外部接
   続用導通部とを有する接点部とからなることを特徴とす
   るマイクロスプリングコンタクト。
2. 【請求項２】 接触部の裏側で、ポリシリコン膜とナイ
   トライドシリコン膜を順次積層してなるスプリング機能
   を有する絶縁層の裏面に、基部の窪みに嵌合した形状の
   絶縁層からなる突子を設けてなることを特徴とする請求
   項１記載のマイクロスプリングコンタクト。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載のマイクロスプリ
   ングコンタクトにおいて、電子部品端子への接触部の幅
   が数μｍ〜数１００μｍ、好ましくは２０μｍ〜２００
   μｍであり、外部接続用導通部の幅が数μｍ〜数１００
   μｍ、好ましくは２０μｍ〜２００μｍであるマイクロ
   スプリングコンタクト。
4. 【請求項４】 請求項１または２もしくは３記載のマイ
   クロスプリングコンタクトを複数配列したことを特徴と
   するマイクロスプリングコンタクトの集合体。
5. 【請求項５】 各マイクロスプリングコンタクト間のピ
   ッチが数μｍ〜数１００μｍ、好ましくは２０μｍ〜２
   ００μｍである請求項４記載のマイクロスプリングコン
   タクトの集合体。
6. 【請求項６】 請求項４または５記載のマイクロスプリ
   ングコンタクトの集合体が、同一平面上にそれぞれ異な
   る方向で複数個設けられていることを特徴とするマイク
   ロスプリングコンタクトの集合体からなる電気的接続用
   端子。
7. 【請求項７】 請求項４または５記載のマイクロスプリ
   ングコンタクトの集合体が、一枚のプリント基板上の端
   部において、表面と裏面に、それぞれ接触部が上記プリ
   ント基板を挟んで向かい合う形で、該プリント基板の外
   側に突出されて設けられており、該対向する接触部間に
   は上記プリント基板の厚みに相当する間隔が設けられて
   いて、かつ外部接続用導通部の部分で、上記プリント基
   板と接着されていて、かつ上記外部接続用導通部が、上
   記プリント基板上に形成された電気的導通配線と電気的
   に接続されていることを特徴とするマイクロスプリング
   コンタクトの集合体からなる電気的接続用端子。
8. 【請求項８】 請求項４または５記載のマイクロスプリ
   ングコンタクトの集合体が、一枚のプリント基板上の端
   部において、表面と裏面に、それぞれ接触部が上記プリ
   ント基板を挟んで背向する形で設けられており、かつ外
   部接続用導通部の部分で、該プリント基板と接着されて
   いて、かつ該外部接続用導通部が、該プリント基板上に
   形成された電気的導通配線と電気的に接続されているこ
   とを特徴とするマイクロスプリングコンタクトの集合体
   からなる電気的接続用端子。
9. 【請求項９】 表面の一部に窪みを設けたシリコン基板
   の表面に、第１の絶縁層を積層し、この第１の絶縁層の
   表面で前記窪みの周囲に第２の絶縁層を形成し、その表
   面及び窪みの表面を被覆して第３の絶縁層を形成した
   後、この第３の絶縁層表面の窪みの周囲全面に第４の絶
   縁層を形成し、次いで第４の絶縁層の形成されていない
   部分に第５の絶縁層を形成し、更にこの第５の絶縁層の
   表面に、該第５の絶縁層表面に形成されている窪みが埋
   没するように第６の絶縁層を設けた後、表面を研削し
   て、前記第４の絶縁層および第６の絶縁層が表出した平
   滑表面を形成し、次いで、その表面に更にスプリング機
   能を有する第７の絶縁層を形成した後、この表面に第１
   の金属皮膜層を形成し、この第１の金属皮膜層の表面上
   で第６の絶縁層の位置と対応する位置に凸形状の接点を
   設けた後、第１の金属皮膜層及び凸形状の接点を被覆す
   る第２の金属皮膜層を設けた後、接点周囲部分において
   第２の金属皮膜層、第１の金属皮膜層及び第７の絶縁層
   をエッチングによって溝状に除去するとともに、第５の
   絶縁層をエッチング除去して、シリコン基板表面に絶縁
   層を積層して形成した窪みを有する基部と、該基部と一
   体であって、裏面に基部の窪みに嵌合する絶縁層からな
   る突子を伴った接点部とを形成することを特徴とするマ
   イクロスプリングコンタクトの製造方法。
10. 【請求項１０】 表面の一部に窪みを設けたシリコン基
    板の表面に、第１の絶縁層を積層し、この第１の絶縁層
    の表面で前記窪みの周囲に第２の絶縁層を形成し、その
    表面及び窪みの表面を被覆して第３の絶縁層を形成した
    後、この第３の絶縁層表面の窪みの周囲全面に第４の絶
    縁層を形成し、次いで第４の絶縁層の形成されていない
    部分に第５の絶縁層を形成し、更にこの第５の絶縁層の
    表面に、該第５の絶縁層表面に形成されている窪みが埋
    没して、かつ第４の絶縁層の表面が埋没しないように第
    ６の絶縁層を設けた後、第４の絶縁層および第６の絶縁
    層の表面に第５の絶縁層を再び形成し、その後、表面を
    研削して、前記第４の絶縁層および二度目に設けた第５
    の絶縁層が表出した平滑表面を形成し、次いで、その表
    面に更にスプリング機能を有する第７の絶縁層を形成し
    た後、この表面に第１の金属皮膜層を形成し、この第１
    の金属皮膜層の表面上で第６の絶縁層の位置と対応する
    位置に凸形状の接点を設けた後、第１の金属皮膜層及び
    凸形状の接点を被覆する第２の金属皮膜層を設けた後、
    接点周囲部分において第２の金属皮膜層、第１の金属皮
    膜層及び第７の絶縁層をエッチングによって溝状に除去
    するとともに、第５の絶縁層をエッチング除去して、シ
    リコン基板表面に絶縁層を積層して形成した窪みを有す
    る基部と、該基部と一体の接点部とを形成することを特
    徴とするマイクロスプリングコンタクトの製造方法。