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JPH06175364A - Actinic sensitive polymer composition - Google Patents

Actinic sensitive polymer composition

Info

Publication number
JPH06175364A
JPH06175364A JP4328032A JP32803292A JPH06175364A JP H06175364 A JPH06175364 A JP H06175364A JP 4328032 A JP4328032 A JP 4328032A JP 32803292 A JP32803292 A JP 32803292A JP H06175364 A JPH06175364 A JP H06175364A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
methyl
bis
carbon atoms
nitrobenzyloxycarbonyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4328032A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masao Tomikawa
真佐夫 富川
Masaya Asano
昌也 浅野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP4328032A priority Critical patent/JPH06175364A/en
Publication of JPH06175364A publication Critical patent/JPH06175364A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain a photosensitive polyimide compsn. which can be developed with an alkali aq. soln. without using an org. soln. for a developer by incorporating a specified polymer and a photo-amine producing agent. CONSTITUTION:This compsn. contains a polymer having a structural unit expressed by the formula and a photo-amine producing agent. In the formula, R<1> is a tervalent or quadrivalent org. group having at least two carbon atoms, R<2> is a bivalent org. group having at least two carbon atoms, R<3> is hydrogen atom or an alkali metal ion, and n is 1 or 2. R<1> is preferably a tervalent or quadrivalent group having 6-30 carbon number and containing aromatic rings or aromatic hetercycles, and for example, pyromellitic acid residual group. R<2> is preferably a bivalent group having 6-30 carbon number and containing aromatic rings or aromatic heterocycles, and for example, diaminodiphenyl ether residual group.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、感光性ポリイミドコー
ティング剤組成物に関するものであり、さらに詳しく
は、新規な感光性ポリイミド組成物に関するものであ
る。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photosensitive polyimide coating composition, and more particularly to a novel photosensitive polyimide composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】感光性ポリイミド組成物としては、ポリ
アミド酸に化学線により2量化または重合可能な炭素−
炭素2重結合およびアミノ基またはその4級化塩を含む
化合物を添加した組成物(例えば特公昭59−5282
2号公報)やポリアミド酸にエステル基で感光性を導入
したポリイミド前駆体組成物(例えばUSP39575
12号明細書、USP4040831号明細書)が知ら
れている。
2. Description of the Related Art As a photosensitive polyimide composition, a polyamic acid, which can be dimerized or polymerized by actinic radiation, is used.
A composition containing a compound containing a carbon double bond and an amino group or a quaternized salt thereof (for example, JP-B-59-5282).
2) or a polyimide precursor composition obtained by introducing photosensitivity to a polyamic acid with an ester group (for example, USP39575).
12 specification, USP 4040831 specification) are known.

【0003】しかしながら、かかる従来の組成物におい
て、通常、現像液としては、N−メチル−2−ピロリド
ンなどの極性溶媒とメタノール、エタノールやトルエ
ン、キシレンなどの有機溶媒を組み合わせて用いてい
た。このため、現像液の引火点が低く、防爆などの処置
をとる必要があった。
However, in such a conventional composition, as a developing solution, a polar solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone and an organic solvent such as methanol, ethanol, toluene or xylene are usually used in combination. For this reason, the flash point of the developer is low, and it is necessary to take measures such as explosion proof.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、有機溶媒を現像液に用いず、アルカリ水溶液な
どで現像することのできる新規な感光性ポリイミド組成
物を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a novel photosensitive polyimide composition which can be developed with an alkaline aqueous solution without using an organic solvent as a developing solution.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
以下の構成を採ることにより達成される。
The object of the present invention is as follows.
This is achieved by adopting the following configuration.

【0006】(1)下記一般式[1]で表される構造単
位を有するポリマーと、光アミン発生剤とを含むことを
特徴とする化学線感応性重合体組成物。
(1) An actinic radiation-sensitive polymer composition comprising a polymer having a structural unit represented by the following general formula [1] and a photoamine generator.

【0007】[0007]

【化4】 (R1 は、少なくとも2個以上の炭素原子を有する3価
または4価の有機基、R2 は、少なくとも2個以上の炭
素原子を有する2価の有機基、R3 は、水素またはアル
カリ金属イオンを表す。nは1または2である。)
(2)光アミン発生剤が、下記一般式[2]で表される
化合物であることを特徴とする請求項1記載の化学線感
応性重合体組成物。
[Chemical 4] (R 1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least 2 carbon atoms, R 2 is a divalent organic group having at least 2 carbon atoms, R 3 is hydrogen or an alkali metal Represents an ion, and n is 1 or 2.)
(2) The actinic radiation-sensitive polymer composition according to claim 1, wherein the photoamine generator is a compound represented by the following general formula [2].

【0008】 (R4 −OCO−NH)−R5 [2] [但し、R4 は、分子中、少なくとも1個以上は、下記
一般式[3]、
(R 4 —OCO—NH) m —R 5 [2] [wherein at least one R 4 is at least one of the following general formula [3]:

【化5】 (R6 は、水素または炭素数1以上10未満のアルキル
基を表す。lは、1〜3の整数である。)または下記一
般式[4]、
[Chemical 5] (R 6 represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. L is an integer of 1 to 3) or the following general formula [4],

【化6】 (R7 は、水素またはニトロ基を表す。R8 は、水素、
メチル基、o−ニトロフェニル基またはo,o−ジニト
ロフェニル基を表す。)で表される基であり、それ以外
は、炭素数1個以上20個未満の有機基を表す。R
5 は、炭素数1以上の1〜4価の有機基を表す。mは1
〜4の整数である。]本発明における一般式[1]で表
される構造単位を有するポリマとしては、前記一般式で
示される構造を有し、加熱あるいは適当な触媒によりイ
ミド環や、その他環状構造を有するポリマ(以後、「ポ
リイミド系ポリマ」と呼ぶ)となり得るものを挙げるこ
とができる。
[Chemical 6] (R 7 represents hydrogen or a nitro group. R 8 is hydrogen,
It represents a methyl group, an o-nitrophenyl group or an o, o-dinitrophenyl group. ), And other than that, represents an organic group having 1 or more and less than 20 carbon atoms. R
5 represents a monovalent to tetravalent organic group having 1 or more carbon atoms. m is 1
Is an integer of ~ 4. As the polymer having the structural unit represented by the general formula [1] in the present invention, a polymer having the structure represented by the above general formula and having an imide ring or other cyclic structure by heating or a suitable catalyst (hereinafter , "Polyimide-based polymer").

【0009】上記一般式[1]中、R1 は少なくとも2
個以上の炭素原子を有する3価または4価の有機基であ
る。ポリイミド系ポリマの耐熱性から、R1 はポリマ主
鎖のカルボニル基との結合が芳香族複素環から直接行わ
れる構造を有するものが好ましい。したがって、R1
しては、芳香族環または芳香族複素環を含有し、かつ炭
素数6〜30の3価または4価の基が好ましい。
In the above general formula [1], R 1 is at least 2
It is a trivalent or tetravalent organic group having one or more carbon atoms. From the heat resistance of the polyimide-based polymer, R 1 preferably has a structure in which the bond with the carbonyl group of the polymer main chain is directly formed from the aromatic heterocycle. Therefore, R 1 is preferably a trivalent or tetravalent group containing an aromatic ring or an aromatic heterocycle and having 6 to 30 carbon atoms.

【0010】R1 の好ましい具体的な例としては、ピロ
メリット酸残基、3,3´,4,4´−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸残基、3,3´,4,4´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸残基、3,3´,4,4´−ジフェ
ニルエーテルテトラカルボン酸残基、3,3´,4,4
´−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸残基、ブタン
テトラカルボン酸残基、シクロペンタンテトラカルボン
酸残基などが挙げられるが、これらに限定されない。
Specific preferred examples of R 1 include pyromellitic acid residue, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid residue, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid residue. Acid residue, 3,3 ', 4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic acid residue, 3,3', 4,4
Examples thereof include, but are not limited to, a'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid residue, a butane tetracarboxylic acid residue, and a cyclopentane tetracarboxylic acid residue.

【0011】本発明におけるポリマーは、R1 がこれら
のうちの1種から構成されていても良いし、2種以上か
ら構成される共重合体であっても構わない。
In the polymer of the present invention, R 1 may be composed of one of these or a copolymer composed of two or more thereof.

【0012】上記一般式[1]中、R2 は少なくとも2
個以上の炭素原子を有する2価の有機基である。R1
同様、ポリイミド系ポリマの耐熱性から、R2 は、ポリ
マ主鎖のカルボニル基と結合が芳香族複素環から直接行
われる構造を有するものが好ましい。したがって、R2
としては芳香族環または芳香族複素環を含有し、かつ炭
素数6〜30の2価の基が好ましい。
In the above general formula [1], R 2 is at least 2
It is a divalent organic group having one or more carbon atoms. Similar to R 1 , in view of the heat resistance of the polyimide polymer, R 2 preferably has a structure in which the carbonyl group of the polymer main chain is directly bonded from the aromatic heterocycle. Therefore, R 2
Is preferably a divalent group containing an aromatic ring or an aromatic heterocycle and having 6 to 30 carbon atoms.

【0013】R2 の好ましい具体的な例としては、ジア
ミノジフェニルエーテル残基、ジアミノジフェニルスル
フィド残基、ジアミノジフェニルメタン残基、ジアミノ
ジフェニルスルホン残基、フェニレンジアミン残基、ベ
ンジジン残基、ビスアミノフェノキシプロパン残基など
が挙げられるが、これらに限定されない。
Preferred specific examples of R 2 include diaminodiphenyl ether residue, diaminodiphenyl sulfide residue, diaminodiphenylmethane residue, diaminodiphenyl sulfone residue, phenylenediamine residue, benzidine residue, bisaminophenoxypropane residue. Groups and the like, but are not limited thereto.

【0014】本発明におけるポリマは、R2 がこれらの
うちの1種から構成されていても良いし、2種以上から
構成される共重合体であっても構わない。
In the polymer of the present invention, R 2 may be composed of one of these or a copolymer composed of two or more thereof.

【0015】さらに、ポリイミド系ポリマの接着性を向
上させるために、耐熱性を低下させない範囲でR2 とし
て、シロキサン結合を有する脂肪族性の基を共重合する
ことも可能である。好ましい具体例としては、ビス(3
−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンなどが挙
げられる。
Further, in order to improve the adhesiveness of the polyimide-based polymer, it is possible to copolymerize an aliphatic group having a siloxane bond as R 2 within a range that does not lower the heat resistance. A preferred specific example is bis (3
-Aminopropyl) tetramethyldisiloxane and the like.

【0016】上記一般式[1]中、R3 は水素またはア
ルカリ金属イオンを表し、nは1または2である。
In the above general formula [1], R 3 represents hydrogen or an alkali metal ion, and n is 1 or 2.

【0017】本発明におけるポリマは、一般式[1]で
表される構造単位のみから成るものであっても良いし、
他の構造単位との共重合体あるいはブレンド体であって
も良い。その際、一般式[1]で表される構造単位を9
0%以上含有していることが好ましい。共重合またはブ
レンドに用いられる構造単位の種類、量は最終加熱処理
によって得られるポリイミド系ポリマの耐熱性を著しく
損なわない範囲で選択するのが望ましい。
The polymer in the present invention may be composed of only the structural unit represented by the general formula [1],
It may be a copolymer or blend with other structural units. At that time, the structural unit represented by the general formula [1] was 9
It is preferable to contain 0% or more. It is desirable to select the type and amount of the structural unit used for copolymerization or blending within a range that does not significantly impair the heat resistance of the polyimide-based polymer obtained by the final heat treatment.

【0018】本発明におけるポリマの具体的な例として
は、ピロメリット酸2無水物と4,4´−ジアミノジフ
ェニルエーテル、3,3´,4,4´−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェ
ニルエーテル、3,3´,4,4´−ビフェニルテトラ
カルボン酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニルエ
ーテル、ピロメリット酸2無水物と3,3´(または
4,4´)−ジアミノジフェニルスルホン、ピロメリッ
ト酸2無水物および3,3´,4,4´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸2無水物と3,3´(または4,4
´)−ジアミノジフェニルスルホン、3,3´,4,4
´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物と3,3
´(または4,4´)−ジアミノジフェニルスルホン、
3,3´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸2無
水物と3,3´(または4,4´)−ジアミノジフェニ
ルスルホン、ピロメリット酸2無水物と4,4´−ジア
ミノジフェニルスルフィド、3,3´,4,4´−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸2無水物と4,4´−ジア
ミノジフェニルスルフィド、3,3´,4,4´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸2無水物と4,4´−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、3,3´,4,4´−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸2無水物とパラフェニレンジア
ミン、3,3´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン
酸2無水物とパラフェニレンジアミン、ピロメリット酸
2無水物および3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸2無水物とパラフェニレンジアミン、ピ
ロメリット酸2無水物および3,3´,4,4´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸2無水物とパラフェニレンジア
ミン、3,3´,4,4´−ジフェニルエーテルテトラ
カルボン酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニルエ
ーテル、3,3´,4,4´−ジフェニルエーテルテト
ラカルボン酸2無水物とパラフェニレンジアミン、ブタ
ンテトラカルボン酸2無水物と1,3−ビス(3−アミ
ノフェノキシ)ベンゼン、シクロペンタンテトラカルボ
ン酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニルメタン、
ピロメリット酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニ
ルエーテルおよびビス(3−アミノプロピル)テトラメ
チルジシロキサンなどから合成されたポリアミド酸が好
ましく用いられる。
Specific examples of the polymer in the present invention include pyromellitic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether. 4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether, pyromellitic dianhydride and 3,3' (or 4,4 ') -Diaminodiphenyl sulfone, pyromellitic dianhydride and 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 3,3' (or 4,4
′) -Diaminodiphenyl sulfone, 3,3 ′, 4,4
'-Benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride and 3,3
′ (Or 4,4 ′)-diaminodiphenyl sulfone,
3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 3,3 ′ (or 4,4 ′)-diaminodiphenyl sulfone, pyromellitic dianhydride and 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride and 4,4'- Diaminodiphenyl sulfide, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, pyromellitic Acid dianhydride and 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride and paraphenylenediamine, pyromellitic dianhydride and 3 , 3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride and paraphenylenediamine, 3,3', 4,4'-diphenylether tetracarboxylic acid dianhydride and 4,4'-diaminodiphenylether, 3,3 ′, 4,4′-Diphenyl ether tetracarboxylic acid dianhydride and para-phenylenediamine, butanetetracarboxylic acid dianhydride and 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, cyclopentanetetracarboxylic acid dianhydride and 4 , 4'-diaminodiphenylmethane,
Polyamic acid synthesized from pyromellitic dianhydride, 4,4′-diaminodiphenyl ether, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, etc. is preferably used.

【0019】本発明における化学線重合体組成物は、光
アミン発生剤を必須成分として含む。光アミン発生剤と
は、光照射を受けアミンが発生する化合物のことを表
す。光照射によりアミンが系内に生成されると、イミド
化が進行する、ポリマ中のカルボン酸とアミンが反応し
て架橋が生成することなどにより不溶化するなどの顕著
な効果が得られる。
The actinic radiation polymer composition of the present invention contains a photoamine generator as an essential component. The photoamine generator refers to a compound that generates an amine upon irradiation with light. When an amine is generated in the system by light irradiation, remarkable effects such as imidization progress and insolubilization due to a reaction between a carboxylic acid in the polymer and the amine to form a crosslink are obtained.

【0020】本発明で好適な光アミン発生剤としては、
一般式[2]で表される化合物を挙げることができる。
Suitable photoamine generators in the present invention include:
The compound represented by general formula [2] can be mentioned.

【0021】 (R4 −OCO−NH)−R5 [2] 上記一般式[2]中、R4 は、光脱離反応可能な基であ
り、R4 は、分子中、少なくとも1個以上は、下記一般
式[3]、
(R 4 —OCO—NH) m —R 5 [2] In the above general formula [2], R 4 is a group capable of photoelimination reaction, and R 4 is at least one in the molecule. The above is the following general formula [3],

【化7】 (R6 は、水素または炭素数1以上10未満のアルキル
基を表す。lは、1〜3の整数である。)または下記一
般式[4]、
[Chemical 7] (R 6 represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. L is an integer of 1 to 3) or the following general formula [4],

【化8】 (R7 は、水素またはニトロ基を表す。R8 は、水素、
メチル基、o−ニトロフェニル基またはo,o−ジニト
ロフェニル基を表す。)で表される基であり、それ以外
は、炭素数1個以上20個未満の有機基を表す。一般式
[3]で表される基の具体例としては、(α−メチル)
メトキシベンジル基、(α−メチル)ジメトキシベンジ
ル基、(α−メチル)トリメトキシベンジル基、(α,
α−ジメチル)メトキシベンジル基、(α,α−ジメチ
ル)ジメトキシベンジル基、(α,α−ジメチル)トリ
メトキシベンジル基などがあげられる。
[Chemical 8] (R 7 represents hydrogen or a nitro group. R 8 is hydrogen,
It represents a methyl group, an o-nitrophenyl group or an o, o-dinitrophenyl group. ), And other than that, represents an organic group having 1 or more and less than 20 carbon atoms. Specific examples of the group represented by the general formula [3] include (α-methyl)
Methoxybenzyl group, (α-methyl) dimethoxybenzyl group, (α-methyl) trimethoxybenzyl group, (α,
Examples include α-dimethyl) methoxybenzyl group, (α, α-dimethyl) dimethoxybenzyl group, and (α, α-dimethyl) trimethoxybenzyl group.

【0022】一般式[4]で表される基の具体例として
は、o−ニトロベンジル基、(α−メチル)o−ニトロ
ベンジル基、(α−(o−ニトロフェニル))o−ニト
ロベンジル基、o,o−ジニトロベンジル基、(α−メ
チル)o,o−ジニトロベンジル基、(α−(o−ニト
ロフェニル))o,o−ジニトロベンジル基などがあげ
られる。
Specific examples of the group represented by the general formula [4] include o-nitrobenzyl group, (α-methyl) o-nitrobenzyl group, (α- (o-nitrophenyl)) o-nitrobenzyl group. Group, o, o-dinitrobenzyl group, (α-methyl) o, o-dinitrobenzyl group, (α- (o-nitrophenyl)) o, o-dinitrobenzyl group and the like.

【0023】R5 としては、炭素数1以上の1〜4価の
有機基があげられ、好ましくは炭素数1から20のアル
キル基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基、ナフチル
基、アンスリル基、ベンジル基、メチレン基、ポリ(メ
チレン)基、フェニレン基、メチルフェニレン基、メタ
ンジフェニレン基、トリフェニルメタン基などが挙げら
れる。mは1〜4の整数である。
Examples of R 5 include C 1 or more and 1 to 4 valent organic groups, preferably C 1 to C 20 alkyl groups, halogenated alkyl groups, phenyl groups, naphthyl groups, anthryl groups and benzyl. Group, methylene group, poly (methylene) group, phenylene group, methylphenylene group, methanediphenylene group, triphenylmethane group and the like. m is an integer of 1 to 4.

【0024】一般式[2]で表される化合物の具体的な
例としては、以下の(a)〜(d)などがあげられる。
Specific examples of the compound represented by the general formula [2] include the following (a) to (d).

【0025】(a)1官能の化合物 [(α−メチル)メトキシベンジルオキシカルボニ
ル]シクロヘキシルアミン、[(α−メチル)ジメトキ
シベンジルオキシカルボニル]シクロヘキシルアミン、
[(α−メチル)トリメトキシベンジルオキシカルボニ
ル]シクロヘキシルアミン、[(α,α−ジメチル)メ
トキシベンジルオキシカルボニル]シクロヘキシルアミ
ン、[(α,α−ジメチル)ジメトキシベンジルオキシ
カルボニル]シクロヘキシルアミン、[(α,α−ジメ
チル)トリメトキシベンジルオキシカルボニル]シクロ
ヘキシルアミン、(o−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル)シクロヘキシルアミン、[(α−メチル)o−ニト
ロベンジルオキシカルボニル]シクロヘキシルアミン、
[(α−(o−ニトロフェニル))o−ニトロベンジル
オキシカルボニル]シクロヘキシルアミン、(o,o−
ジニトロベンジルオキシカルボニル)シクロヘキシルア
ミン、[(α−メチル)o,o−ジニトロベンジルオキ
シカルボニル]シクロヘキシルアミン、[(α−(o−
ニトロフェニル))o,o−ジニトロベンジルオキシカ
ルボニル]シクロヘキシルアミンなど。
(A) Monofunctional compound [(α-methyl) methoxybenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, [(α-methyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine,
[(Α-Methyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, [(α, α-dimethyl) methoxybenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, [(α, α-dimethyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, [(α , Α-Dimethyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, (o-nitrobenzyloxycarbonyl) cyclohexylamine, [(α-methyl) o-nitrobenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine,
[(Α- (o-nitrophenyl)) o-nitrobenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, (o, o-
Dinitrobenzyloxycarbonyl) cyclohexylamine, [(α-methyl) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, [(α- (o-
Nitrophenyl)) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine and the like.

【0026】[(α−メチル)メトキシベンジルオキ
シカルボニル]プロピルアミン、[(α−メチル)ジメ
トキシベンジルオキシカルボニル]プロピルアミン、
[(α−メチル)トリメトキシベンジルオキシカルボニ
ル]プロピルアミン、[(α,α−ジメチル)メトキシ
ベンジルオキシカルボニル]プロピルアミン、[(α,
α−ジメチル)ジメトキシベンジルオキシカルボニル]
プロピルアミン、[(α,α−ジメチル)トリメトキシ
ベンジルオキシカルボニル]プロピルアミン、(o−ニ
トロベンジルオキシカルボニル)プロピルアミン、
[(α−メチル)o−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル]プロピルアミン、[(α−(o−ニトロフェニ
ル))o−ニトロベンジルオキシカルボニル]プロピル
アミン、(o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニ
ル)プロピルアミン、[(α−メチル)o,o−ジニト
ロベンジルオキシカルボニル]プロピルアミン、[(α
−(o−ニトロフェニル))o,o−ジニトロベンジル
オキシカルボニル]プロピルアミンなど。
[(Α-methyl) methoxybenzyloxycarbonyl] propylamine, [(α-methyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] propylamine,
[(Α-methyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] propylamine, [(α, α-dimethyl) methoxybenzyloxycarbonyl] propylamine, [(α,
α-Dimethyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl]
Propylamine, [(α, α-dimethyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] propylamine, (o-nitrobenzyloxycarbonyl) propylamine,
[(Α-methyl) o-nitrobenzyloxycarbonyl] propylamine, [(α- (o-nitrophenyl)) o-nitrobenzyloxycarbonyl] propylamine, (o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl) propylamine, [(Α-methyl) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] propylamine, [(α
-(O-nitrophenyl)) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] propylamine and the like.

【0027】[(α−メチル)メトキシベンジルオキ
シカルボニル]ヘキシルアミン、[(α−メチル)ジメ
トキシベンジルオキシカルボニル]ヘキシルアミン、
[(α−メチル)トリメトキシベンジルオキシカルボニ
ル]ヘキシルアミン、[(α,α−ジメチル)メトキシ
ベンジルオキシカルボニル]ヘキシルアミン、[(α,
α−ジメチル)ジメトキシベンジルオキシカルボニル]
ヘキシルアミン、[(α,α−ジメチル)トリメトキシ
ベンジルオキシカルボニル]ヘキシルアミン、(o−ニ
トロベンジルオキシカルボニル)ヘキシルアミン、
[(α−メチル)o−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル]ヘキシルアミン、[(α−(o−ニトロフェニ
ル))o−ニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキシル
アミン、(o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニ
ル)ヘキシルアミン、[(α−メチル)o,o−ジニト
ロベンジルオキシカルボニル]ヘキシルアミン、[(α
−(o−ニトロフェニル))o,o−ジニトロベンジル
オキシカルボニル]ヘキシルアミンなど。
[(Α-methyl) methoxybenzyloxycarbonyl] hexylamine, [(α-methyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] hexylamine,
[(Α-methyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] hexylamine, [(α, α-dimethyl) methoxybenzyloxycarbonyl] hexylamine, [(α,
α-Dimethyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl]
Hexylamine, [(α, α-dimethyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] hexylamine, (o-nitrobenzyloxycarbonyl) hexylamine,
[(Α-methyl) o-nitrobenzyloxycarbonyl] hexylamine, [(α- (o-nitrophenyl)) o-nitrobenzyloxycarbonyl] hexylamine, (o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl) hexylamine, [(Α-methyl) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] hexylamine, [(α
-(O-nitrophenyl)) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] hexylamine and the like.

【0028】[(α−メチル)メトキシベンジルオキ
シカルボニル]ベンジルアミン、[(α−メチル)ジメ
トキシベンジルオキシカルボニル]ベンジルアミン、
[(α−メチル)トリメトキシベンジルオキシカルボニ
ル]ベンジルアミン、[(α,α−ジメチル)メトキシ
ベンジルオキシカルボニル]ベンジルアミン、[(α,
α−ジメチル)ジメトキシベンジルオキシカルボニル]
ベンジルアミン、[(α,α−ジメチル)トリメトキシ
ベンジルオキシカルボニル]ベンジルアミン、(o−ニ
トロベンジルオキシカルボニル)ベンジルアミン、
[(α−メチル)o−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル]ベンジルアミン、[(α−(o−ニトロフェニ
ル))o−ニトロベンジルオキシカルボニル]ベンジル
アミン、(o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニ
ル)ベンジルアミン、[(α−メチル)o,o−ジニト
ロベンジルオキシカルボニル]ベンジルアミン、[(α
−(o−ニトロフェニル))o,o−ジニトロベンジル
オキシカルボニル]ベンジルアミンなど。
[(Α-methyl) methoxybenzyloxycarbonyl] benzylamine, [(α-methyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] benzylamine,
[(Α-methyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] benzylamine, [(α, α-dimethyl) methoxybenzyloxycarbonyl] benzylamine, [(α,
α-Dimethyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl]
Benzylamine, [(α, α-dimethyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] benzylamine, (o-nitrobenzyloxycarbonyl) benzylamine,
[(Α-methyl) o-nitrobenzyloxycarbonyl] benzylamine, [(α- (o-nitrophenyl)) o-nitrobenzyloxycarbonyl] benzylamine, (o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl) benzylamine, [(Α-methyl) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] benzylamine, [(α
-(O-nitrophenyl)) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] benzylamine and the like.

【0029】(b)2官能の化合物 ビス[(α−メチル)メトキシベンジルオキシカルボ
ニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[(α−メチル)
ジメトキシヘキサメチレンジオキシカルボニル]ヘキサ
メチレンジアミン、ビス[(α−メチル)トリメトキシ
ヘキサメチレンジオキシカルボニル]ヘキサメチレンジ
アミン、ビス[(α,α−ジメチル)メトキシベンジル
オキシカルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス
[(α,α−ジメチル)ジメトキシベンジルオキシカル
ボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[(α,α−ジ
メチル)トリメトキシベンジルオキシカルボニル]ヘキ
サメチレンジアミン、ビス(o−ニトロベンジルオキシ
カルボニル)ヘキサメチレンジアミン、ビス[(α−メ
チル)o−ニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメ
チレンジアミン、ビス[(α−(o−ニトロフェニ
ル))o−ニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメ
チレンジアミン、ビス(o,o−ジニトロベンジルオキ
シカルボニル)ヘキサメチレンジアミン、ビス[(α−
メチル)o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニル]
ヘキサメチレンジアミン、ビス[(α−(o−ニトロフ
ェニル))o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニ
ル]ヘキサメチレンジアミンなど。
(B) Bifunctional compound bis [(α-methyl) methoxybenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α-methyl)
Dimethoxyhexamethylenedioxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α-methyl) trimethoxyhexamethylenedioxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α, α-dimethyl) methoxybenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [ (Α, α-Dimethyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α, α-dimethyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis (o-nitrobenzyloxycarbonyl) hexamethylenediamine, bis [ (Α-Methyl) o-nitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α- (o-nitrophenyl)) o-nitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis (o, o- Nitrobenzyloxycarbonyl) hexamethylenediamine, bis [(alpha-
Methyl) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl]
Hexamethylenediamine, bis [(α- (o-nitrophenyl)) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine and the like.

【0030】ビス[(α−メチル)メトキシベンジル
オキシカルボニル]フェニレンジアミン、ビス[(α−
メチル)ジメトキシヘキサメチレンジオキシカルボニ
ル]フェニレンジアミン、ビス[(α−メチル)トリメ
トキシヘキサメチレンジオキシカルボニル]フェニレン
ジアミン、ビス[(α,α−ジメチル)メトキシベンジ
ルオキシカルボニル]フェニレンジアミン、ビス
[(α,α−ジメチル)ジメトキシベンジルオキシカル
ボニル]フェニレンジアミン、ビス[(α,α−ジメチ
ル)トリメトキシベンジルオキシカルボニル]フェニレ
ンジアミン、ビス(o−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル)フェニレンジアミン、ビス[(α−メチル)o−ニ
トロベンジルオキシカルボニル]フェニレンジアミン、
ビス[(α−(o−ニトロフェニル))o−ニトロベン
ジルオキシカルボニル]フェニレンジアミン、ビス
(o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニル)フェニ
レンジアミン、ビス[(α−メチル)o,o−ジニトロ
ベンジルオキシカルボニル]フェニレンジアミン、ビス
[(α−(o−ニトロフェニル))o,o−ジニトロベ
ンジルオキシカルボニル]フェニレンジアミンなど。
Bis [(α-methyl) methoxybenzyloxycarbonyl] phenylenediamine, bis [(α-
Methyl) dimethoxyhexamethylenedioxycarbonyl] phenylenediamine, bis [(α-methyl) trimethoxyhexamethylenedioxycarbonyl] phenylenediamine, bis [(α, α-dimethyl) methoxybenzyloxycarbonyl] phenylenediamine, bis [( α, α-dimethyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] phenylenediamine, bis [(α, α-dimethyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] phenylenediamine, bis (o-nitrobenzyloxycarbonyl) phenylenediamine, bis [(α-methyl) ) O-nitrobenzyloxycarbonyl] phenylenediamine,
Bis [(α- (o-nitrophenyl)) o-nitrobenzyloxycarbonyl] phenylenediamine, bis (o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl) phenylenediamine, bis [(α-methyl) o, o-dinitrobenzyloxy Carbonyl] phenylenediamine, bis [(α- (o-nitrophenyl)) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] phenylenediamine and the like.

【0031】ビス[(α−メチル)メトキシベンジル
オキシカルボニル]メチルフェニレンジアミン、ビス
[(α−メチル)ジメトキシヘキサメチレンジオキシカ
ルボニル]メチルフェニレンジアミン、ビス[(α−メ
チル)トリメトキシヘキサメチレンジオキシカルボニ
ル]メチルフェニレンジアミン、ビス[(α,α−ジメ
チル)メトキシベンジルオキシカルボニル]メチルフェ
ニレンジアミン、ビス[(α,α−ジメチル)ジメトキ
シベンジルオキシカルボニル]メチルフェニレンジアミ
ン、ビス[(α,α−ジメチル)トリメトキシベンジル
オキシカルボニル]メチルフェニレンジアミン、ビス
(o−ニトロベンジルオキシカルボニル)メチルフェニ
レンジアミン、ビス[(α−メチル)o−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル]メチルフェニレンジアミン、ビス
[(α−(o−ニトロフェニル))o−ニトロベンジル
オキシカルボニル]メチルフェニレンジアミン、ビス
(o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニル)メチル
フェニレンジアミン、ビス[(α−メチル)o,o−ジ
ニトロベンジルオキシカルボニル]メチルフェニレンジ
アミン、ビス[(α−(o−ニトロフェニル))o,o
−ジニトロベンジルオキシカルボニル]メチルフェニレ
ンジアミンなど。
Bis [(α-methyl) methoxybenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis [(α-methyl) dimethoxyhexamethylenedioxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis [(α-methyl) trimethoxyhexamethylenedioxy Carbonyl] methylphenylenediamine, bis [(α, α-dimethyl) methoxybenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis [(α, α-dimethyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis [(α, α-dimethyl) ) Trimethoxybenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis (o-nitrobenzyloxycarbonyl) methylphenylenediamine, bis [(α-methyl) o-nitrobenzyloxycarbonyl] methylphen Diamine, bis [(α- (o-nitrophenyl)) o-nitrobenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis (o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl) methylphenylenediamine, bis [(α-methyl) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis [(α- (o-nitrophenyl)) o, o
-Dinitrobenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine and the like.

【0032】ビス[(α−メチル)メトキシベンジル
オキシカルボニル]メタンジフェニレンジアミン、ビス
[(α−メチル)ジメトキシヘキサメチレンジオキシカ
ルボニル]メタンジフェニレンジアミン、ビス[(α−
メチル)トリメトキシヘキサメチレンジオキシカルボニ
ル]メタンジフェニレンジアミン、ビス[(α,α−ジ
メチル)メトキシベンジルオキシカルボニル]メタンジ
フェニレンジアミン、ビス[(α,α−ジメチル)ジメ
トキシベンジルオキシカルボニル]メタンジフェニレン
ジアミン、ビス[(α,α−ジメチル)トリメトキシベ
ンジルオキシカルボニル]メタンジフェニレンジアミ
ン、ビス(o−ニトロベンジルオキシカルボニル)メタ
ンジフェニレンジアミン、ビス[(α−メチル)o−ニ
トロベンジルオキシカルボニル]メタンジフェニレンジ
アミン、ビス[(α−(o−ニトロフェニル))o−ニ
トロベンジルオキシカルボニル]メタンジフェニレンジ
アミン、ビス(o,o−ジニトロベンジルオキシカルボ
ニル)メタンジフェニレンジアミン、ビス[(α−メチ
ル)o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニル]メタ
ンジフェニレンジアミン、ビス[(α−(o−ニトロフ
ェニル))o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニ
ル]メタンジフェニレンジアミンなど。
Bis [(α-methyl) methoxybenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine, bis [(α-methyl) dimethoxyhexamethylenedioxycarbonyl] methanediphenylenediamine, bis [(α-
Methyl) trimethoxyhexamethylenedioxycarbonyl] methanediphenylenediamine, bis [(α, α-dimethyl) methoxybenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine, bis [(α, α-dimethyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] methanedi Phenylenediamine, bis [(α, α-dimethyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine, bis (o-nitrobenzyloxycarbonyl) methanediphenylenediamine, bis [(α-methyl) o-nitrobenzyloxycarbonyl ] Methandiphenylenediamine, Bis [(α- (o-nitrophenyl)) o-nitrobenzyloxycarbonyl] Methandiphenylenediamine, Bis (o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl) methanediphenylene Diamine, bis [(α-methyl) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine, bis [(α- (o-nitrophenyl)) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine and the like.

【0033】(c)3官能の化合物 トリス[(α−メチル)メトキシベンジルオキシカルボ
ニル]トリフェニルメタントリアミン、トリス[(α−
メチル)ジメトキシヘキサメチレンジオキシカルボニ
ル]トリフェニルメタントリアミン、トリス[(α−メ
チル)トリメトキシヘキサメチレンジオキシカルボニ
ル]トリフェニルメタントリアミン、トリス[(α,α
−ジメチル)メトキシベンジルオキシカルボニル]トリ
フェニルメタントリアミン、トリス[(α,α−ジメチ
ル)ジメトキシベンジルオキシカルボニル]トリフェニ
ルメタントリアミン、トリス[(α,α−ジメチル)ト
リメトキシベンジルオキシカルボニル]トリフェニルメ
タントリアミン、トリス(o−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル)トリフェニルメタントリアミン、トリス
[(α−メチル)o−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル]トリフェニルメタントリアミン、トリス[(α−
(o−ニトロフェニル))o−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル]トリフェニルメタントリアミン、トリス
(o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニル)トリフ
ェニルメタントリアミン、トリス[(α−メチル)o,
o−ジニトロベンジルオキシカルボニル]トリフェニル
メタントリアミン、トリス[(α−(o−ニトロフェニ
ル))o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニル]ト
リフェニルメタントリアミンなど。
(C) Trifunctional Compound Tris [(α-methyl) methoxybenzyloxycarbonyl] triphenylmethanetriamine, Tris [(α-
Methyl) dimethoxyhexamethylenedioxycarbonyl] triphenylmethanetriamine, tris [(α-methyl) trimethoxyhexamethylenedioxycarbonyl] triphenylmethanetriamine, tris [(α, α
-Dimethyl) methoxybenzyloxycarbonyl] triphenylmethanetriamine, tris [(α, α-dimethyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] triphenylmethanetriamine, tris [(α, α-dimethyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] triphenylmethane Triamine, tris (o-nitrobenzyloxycarbonyl) triphenylmethanetriamine, tris [(α-methyl) o-nitrobenzyloxycarbonyl] triphenylmethanetriamine, tris [(α-
(O-Nitrophenyl)) o-nitrobenzyloxycarbonyl] triphenylmethanetriamine, tris (o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl) triphenylmethanetriamine, tris [(α-methyl) o,
o-dinitrobenzyloxycarbonyl] triphenylmethanetriamine, tris [(α- (o-nitrophenyl)) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] triphenylmethanetriamine and the like.

【0034】(d)4官能の化合物 テトラ[(α−メチル)メトキシベンジルオキシカルボ
ニル]ヘキサメチレンテトラアミン、テトラ[(α−メ
チル)ジメトキシヘキサメチレンジオキシカルボニル]
ヘキサメチレンテトラアミン、テトラ[(α−メチル)
トリメトキシヘキサメチレンジオキシカルボニル]ヘキ
サメチレンテトラアミン、テトラ[(α,α−ジメチ
ル)メトキシベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレ
ンテトラアミン、テトラ[(α,α−ジメチル)ジメト
キシベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレンテトラ
アミン、テトラ[(α,α−ジメチル)トリメトキシベ
ンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレンテトラアミ
ン、テトラ(o−ニトロベンジルオキシカルボニル)ヘ
キサメチレンテトラアミン、テトラ[(α−メチル)o
−ニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレンテ
トラアミン、テトラ[(α−(o−ニトロフェニル))
o−ニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレン
テトラアミン、テトラ(o,o−ジニトロベンジルオキ
シカルボニル)ヘキサメチレンテトラアミン、テトラ
[(α−メチル)o,o−ジニトロベンジルオキシカル
ボニル]ヘキサメチレンテトラアミン、テトラ[(α−
(o−ニトロフェニル))o,o−ジニトロベンジルオ
キシカルボニル]ヘキサメチレンテトラアミンなど。
(D) Tetrafunctional compound tetra [(α-methyl) methoxybenzyloxycarbonyl] hexamethylenetetraamine, tetra [(α-methyl) dimethoxyhexamethylenedioxycarbonyl]
Hexamethylenetetramine, tetra [(α-methyl)
Trimethoxyhexamethylenedioxycarbonyl] hexamethylenetetraamine, tetra [(α, α-dimethyl) methoxybenzyloxycarbonyl] hexamethylenetetraamine, tetra [(α, α-dimethyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] hexamethylenetetraamine , Tetra [(α, α-dimethyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] hexamethylenetetraamine, tetra (o-nitrobenzyloxycarbonyl) hexamethylenetetraamine, tetra [(α-methyl) o
-Nitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenetetramine, tetra [(α- (o-nitrophenyl))
o-nitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenetetraamine, tetra (o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl) hexamethylenetetraamine, tetra [(α-methyl) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenetetraamine, tetra [(Α-
(O-nitrophenyl)) o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenetetramine and the like.

【0035】上記の中でも特に好ましいものとしては、
ビス[(α,α−ジメチル)メトキシベンジルオキシカ
ルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[(α,α−
ジメチル)ジメトキシベンジルオキシカルボニル]ヘキ
サメチレンジアミン、ビス[(α,α−ジメチル)トリ
メトキシベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレンジ
アミン、ビス(o−ニトロベンジルオキシカルボニル)
ヘキサメチレンジアミン、ビス[(α−メチル)o−ニ
トロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレンジアミ
ン、ビス[(α−(o−ニトロフェニル))o−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレンジアミン、
ビス(o,o−ジニトロベンジルオキシカルボニル)ヘ
キサメチレンジアミン、ビス[(α−メチル)o,o−
ジニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレンジ
アミン、ビス[(α−(o−ニトロフェニル))o,o
−ジニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレン
ジアミンなどがあげられる。
Among the above, particularly preferable are:
Bis [(α, α-dimethyl) methoxybenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α, α-
Dimethyl) dimethoxybenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α, α-dimethyl) trimethoxybenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis (o-nitrobenzyloxycarbonyl)
Hexamethylenediamine, bis [(α-methyl) o-nitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α- (o-nitrophenyl)) o-nitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine,
Bis (o, o-dinitrobenzyloxycarbonyl) hexamethylenediamine, bis [(α-methyl) o, o-
Dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α- (o-nitrophenyl)) o, o
-Dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine and the like.

【0036】このような一般式[2]で表される光アミ
ン発生剤は、通常ベンジルアルコール誘導体と、イソシ
アネート化合物との縮合反応によって合成することがで
きる。
The photoamine generator represented by the general formula [2] can be usually synthesized by a condensation reaction between a benzyl alcohol derivative and an isocyanate compound.

【0037】光アミン発生剤としては、上記以外にコバ
ルト等の遷移金属のアンモニア錯体なども知られている
が、金属成分が残留するなどの問題があるため、好まし
くない。
Other than the above, ammonia complexes of transition metals such as cobalt are also known as photoamine generators, but they are not preferred because of problems such as metal components remaining.

【0038】光アミン発生剤は、ポリマに対して1〜2
00重量%、好ましくは3〜100重量%添加するのが
良い。この範囲を外れると像が形成できなくなったり、
膜の機械的性質が悪化する恐れがあるので注意を要す
る。
The photoamine generator is 1 to 2 relative to the polymer.
It is preferable to add it in an amount of 00% by weight, preferably 3 to 100% by weight. If it is out of this range, the image cannot be formed,
Care should be taken as the mechanical properties of the membrane may be degraded.

【0039】本発明の組成物には、必要に応じて増感剤
を添加することもできる。本発明に適した増感剤として
は、N−フェニルジエタノ−ルアミン、N−フェニルグ
リシン、ミヒラ−ケトンなどの芳香族アミン、アジドア
ントラキノン、アジドベンザルアセトフェノンなどの芳
香族モノアジド、3、3´−カルボニルビス(ジエチル
アミノクマリン)など一般に光硬化性樹脂に使用される
ようなもの、その他電子写真の電荷移動剤として使用さ
れるものであれば好ましく使用できることもある。
If desired, a sensitizer may be added to the composition of the present invention. Examples of the sensitizer suitable for the present invention include aromatic amines such as N-phenyldiethanolamine, N-phenylglycine and Michler-ketone, and aromatic monoazides such as azidoanthraquinone and azidobenzalacetophenone, 3,3 '. -Carbonylbis (diethylaminocoumarin), etc., which are generally used for photocurable resins, and others which are used as a charge transfer agent for electrophotography may be preferably used.

【0040】増感剤はポリマに対して0.1〜5重量%
の範囲で添加するのが好ましい。この範囲を外れると感
光性が低下したり、ポリマの機械特性が低下したりする
ので注意を要する。これらの増感剤は、単独で、あるい
は二種以上混合して用いることができる。
The sensitizer is 0.1 to 5% by weight based on the polymer.
It is preferable to add in the range of. If it is out of this range, the photosensitivity may be lowered, or the mechanical properties of the polymer may be lowered, so that caution is required. These sensitizers can be used alone or in admixture of two or more.

【0041】本発明の組成物の塗膜または加熱処理後の
ポリイミド被膜と支持体との接着性を向上させるために
適宜接着助剤を用いることもできる。
An adhesion aid may be appropriately used in order to improve the adhesiveness between the coating of the composition of the present invention or the polyimide coating after heat treatment and the support.

【0042】接着助剤としては、オキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−
メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランなどの有
機ケイ素化合物、あるいはアルミニウムモノエチルアセ
トアセテートジイソプロピレート、アルミニウムトリス
(アセチルアセトネート)などのアルミニウムキレート
化合物あるいはチタニウムビス(アセチルアセネート)
などのチタニウムキレート化合物などが好ましく用いら
れる。
As the adhesion aid, oxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-
Organosilicon compounds such as methacryloxypropyltrimethoxysilane, aluminum chelate compounds such as aluminum monoethylacetoacetate diisopropylate and aluminum tris (acetylacetonate), or titanium bis (acetylacenate)
Titanium chelate compounds and the like are preferably used.

【0043】他の添加剤としては、共重合モノマあるい
は基板との接着改良剤を感度と耐熱性が大幅に低下しな
い範囲で含んでいても良い。
As other additives, a copolymerization monomer or an adhesion improver with a substrate may be contained within a range in which sensitivity and heat resistance are not significantly lowered.

【0044】本発明の組成物の製造方法の一例について
説明する。まず溶媒中でジアミン化合物と酸2無水物を
反応させ、一般式[1]で表される構造単位を主成分と
するポリマを得る。次にこの溶液に光アミン発生剤およ
び必要に応じてその他の添加剤を溶解調合することによ
り組成物を得る。なお、上記のポリマとして、固体状の
ポリアミド酸ポリマあるいは、反応後に溶液から分離精
製したポリマを再溶解して用いても差し支えない。
An example of the method for producing the composition of the present invention will be described. First, a diamine compound and an acid dianhydride are reacted in a solvent to obtain a polymer having a structural unit represented by the general formula [1] as a main component. Next, the composition is obtained by dissolving and compounding the photo amine generator and other additives as required in this solution. As the above-mentioned polymer, a solid polyamic acid polymer or a polymer separated and purified from a solution after the reaction may be redissolved and used.

【0045】上記製造方法でもちいる溶媒としてはポリ
マの溶解性の面から極性溶媒が好ましく用いられ、特に
非プロトン性極性溶媒が好適である。非プロトン性極性
溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリ
アミド、γ−ブチロラクトンなどが好ましく用いられ
る。
As the solvent used in the above production method, a polar solvent is preferably used from the viewpoint of polymer solubility, and an aprotic polar solvent is particularly preferable. As the aprotic polar solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-
Dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphorotriamide, γ-butyrolactone and the like are preferably used.

【0046】次に、本発明の組成物の使用方法について
説明をする。本発明の組成物は化学線を用いた周知の微
細加工技術でパターン加工が可能である。
Next, the method of using the composition of the present invention will be described. The composition of the present invention can be patterned by a known fine processing technique using actinic radiation.

【0047】まず本発明の組成物を適当な支持体の上に
塗布する。支持体の材質としては、例えば、金属、ガラ
ス、半導体、金属酸化絶縁体、窒化ケイ素などが挙げら
れる。
First, the composition of the present invention is coated on a suitable support. Examples of the material of the support include metal, glass, semiconductor, metal oxide insulator, silicon nitride and the like.

【0048】塗布方法としては、スピンナーを用いた回
転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロールコーティングなどの手段が可能である。塗布
膜厚は塗布手段、組成物の固形分濃度、粘度によって調
節することができるが、通常1〜30μmの範囲になる
ように塗布される。
As a coating method, spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, roll coating and the like can be used. The coating film thickness can be adjusted depending on the coating means, the solid content concentration of the composition, and the viscosity, but it is usually coated in the range of 1 to 30 μm.

【0049】次に上記支持体上で塗膜となった本発明の
組成物に所望のパターン状に化学線を照射する。化学線
としてはX線、電子線、紫外線、可視光線などが例とし
て挙げられるが、紫外線および短波長の可視光線、すな
わち波長範囲で200〜500nmが好ましい。
Next, the composition of the present invention formed into a coating film on the support is irradiated with actinic rays in a desired pattern. Examples of actinic rays include X-rays, electron rays, ultraviolet rays, and visible rays, but ultraviolet rays and visible rays of short wavelengths, that is, 200 to 500 nm in the wavelength range are preferable.

【0050】露光後、ベーク処理をすることでイミド化
反応、架橋反応を行う。この温度としては60〜160
℃の範囲が好ましい。この範囲を外れると、反応が進行
しなかったり、全ての領域が溶解しなくなるのどの恐れ
があるので注意を要する。
After exposure, baking treatment is carried out to carry out imidization reaction and crosslinking reaction. This temperature is 60-160
The range of ° C is preferred. If the amount is out of this range, the reaction may not proceed or the entire region may not be dissolved, so be careful.

【0051】ついで未照射部を現像液で溶解除去するこ
とによりレリーフ・パターンを得る。現像液はポリマの
構造に合わせて適当なものを選択することができるが、
アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、ジエタノールアミンなどのアルカリ水溶液などを
好ましく使用することができる。また、本組成物の溶媒
であるN−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2
−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキ
サメチルホスホルトリアミドなどを単独あるいはメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、水、メチ
ルカルビトール、エチルカルビトール、トルエン、キシ
レンなどの組成物の非溶媒との混合液も好ましく使用す
ることができる。
Then, the unirradiated portion is dissolved and removed with a developing solution to obtain a relief pattern. A suitable developer can be selected according to the structure of the polymer,
Ammonia, an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, an aqueous solution of diethanolamine, or the like can be preferably used. In addition, N-methyl-2-pyrrolidone and N-acetyl-2, which are solvents for the composition, are used.
-Pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N
-Dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphortriamide and the like are also preferably used alone or as a mixture of a composition such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, water, methyl carbitol, ethyl carbitol, toluene and xylene with a non-solvent. can do.

【0052】現像は上記の現像液を塗膜面にスプレーす
る、現像液中に浸漬する、あるいは浸漬しながら超音波
をかけるなどの方法によって行うことができる。
The development can be carried out by a method of spraying the above-mentioned developing solution on the coating film surface, immersing in the developing solution, or applying ultrasonic waves while immersing.

【0053】ついでリンス液により、現像によって形成
したレリーフパターンを洗浄することが望ましい。リン
ス液としてはアルカリ水溶液で現像を行う場合、水が好
ましく用いられる。また、有機溶媒で現像をする場合、
現像液との混和性の良いメタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール、酢酸ブチルなどが好ましく用いら
れる。
Next, it is desirable to wash the relief pattern formed by development with a rinse liquid. As the rinse liquid, water is preferably used when the development is performed with an alkaline aqueous solution. When developing with an organic solvent,
Methanol, ethanol, isopropyl alcohol, butyl acetate and the like, which have good miscibility with the developing solution, are preferably used.

【0054】上記の処理によって得られたレリーフ・パ
ターンのポリマは耐熱性を有するポリイミド系ポリマの
前駆体であり、加熱処理によりイミド環やその他の環状
構造を有する耐熱ポリマとなる。熱処理温度としては、
135〜400℃で行うのが好ましい。熱処理は通常、
段階的にあるいは連続的に昇温しながら行われる。
The relief pattern polymer obtained by the above treatment is a precursor of a heat-resistant polyimide polymer, and becomes a heat-resistant polymer having an imide ring or other cyclic structure by heat treatment. As the heat treatment temperature,
It is preferably carried out at 135 to 400 ° C. The heat treatment is usually
The temperature is raised stepwise or continuously.

【0055】本発明の化学線感応性重合体組成物は、半
導体のパッシベーション膜、パッシベーション膜のバッ
ファーコート膜、多層集積回路の層間絶縁膜、混成集積
回路の層間絶縁膜や表面保護膜、プリント回路の半田付
け保護膜、液晶用配向膜、実装基板の層間絶縁膜などの
形成に供せられる。さらに高耐熱性のフォトレジストと
して金属付着や、ドライエッチングプロセスへの応用も
可能である。その他ポリイミドの公知の用途へ適用でき
る。
The actinic radiation-sensitive polymer composition of the present invention is used for a semiconductor passivation film, a buffer coat film for a passivation film, an interlayer insulating film for a multilayer integrated circuit, an interlayer insulating film or a surface protective film for a hybrid integrated circuit, and a printed circuit. It is used to form the soldering protective film, the liquid crystal alignment film, the interlayer insulating film of the mounting substrate, and the like. Further, it can be applied to metal adhesion and dry etching process as a highly heat resistant photoresist. It can be applied to other known uses of polyimide.

【0056】[0056]

【実施例】【Example】

<光アミン発生剤の合成> (o−ニトロベンジルオキシカルボニル)シクロヘキ
シルアミンの合成 o−ニトロベンジルアルコール15.3gをテトラハイ
ドロフラン50mlに溶解させた。ここに、(ジブチ
ル)(ジラウリル)スズを触媒としてシクロヘキシルイ
ソシアネートを滴下し30℃で2時間反応を行った。反
応生成物を水に投入し回収し、(o−ニトロベンジルオ
キシカルボニル)シクロヘキシルアミンを得た。これ
を、光アミン発生剤(1)とする。
<Synthesis of photoamine generator> Synthesis of (o-nitrobenzyloxycarbonyl) cyclohexylamine 15.3 g of o-nitrobenzyl alcohol was dissolved in 50 ml of tetrahydrofuran. Cyclohexyl isocyanate was added dropwise thereto with (dibutyl) (dilauryl) tin as a catalyst, and the reaction was carried out at 30 ° C. for 2 hours. The reaction product was poured into water and recovered to obtain (o-nitrobenzyloxycarbonyl) cyclohexylamine. This is designated as a photoamine generator (1).

【0057】ビス(o−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル)ヘキサメチレンジアミンの合成 o−ニトロベンジルアルコール15.3gをテトラハイ
ドロフラン50mlに溶解させた。ここに、メチルリチ
ウムを触媒としてヘキサメチレンジイソシアネートを滴
下し30℃で2時間反応を行った。反応生成物を水に投
入し回収し、ビス(o−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル)ヘキサメチレンジアミンを得た。これを光アミン発
生剤(2)とする。
Synthesis of bis (o-nitrobenzyloxycarbonyl) hexamethylenediamine 15.3 g of o-nitrobenzyl alcohol was dissolved in 50 ml of tetrahydrofuran. Hexamethylene diisocyanate was added dropwise thereto with methyllithium as a catalyst, and the reaction was carried out at 30 ° C. for 2 hours. The reaction product was poured into water and recovered to obtain bis (o-nitrobenzyloxycarbonyl) hexamethylenediamine. This is designated as a photoamine generator (2).

【0058】ビス[(α−メチル)p−メトキシベン
ジルオキシカルボニル]メチレンフェニレンジアミンの
合成 (α−メチル)p−メトキシベンジルアルコール15.
3gをテトラハイドロフラン50mlに溶解させた。こ
こに、(ジブチル)(ジラウリル)スズを触媒としてメ
チレンビス(フェニルイソシアネート)を滴下し30℃
で2時間反応を行った。反応生成物を水に投入し回収
し、ビス[(α−メチル)p−メトキシベンジルオキシ
カルボニル]メチレンフェニレンジアミンを得た。これ
を光アミン発生剤(3)とする。
Synthesis of bis [(α-methyl) p-methoxybenzyloxycarbonyl] methylenephenylenediamine (α-methyl) p-methoxybenzyl alcohol 15.
3 g was dissolved in 50 ml of tetrahydrofuran. Methylenebis (phenylisocyanate) was added dropwise with (dibutyl) (dilauryl) tin as a catalyst at 30 ° C.
Was reacted for 2 hours. The reaction product was poured into water and recovered to obtain bis [(α-methyl) p-methoxybenzyloxycarbonyl] methylenephenylenediamine. This is designated as a photoamine generator (3).

【0059】<ポリイミド原液の合成> 4,4´−ジアミノジフェニルエーテル100.1g
をN−メチル−2−ピロリドン670g中に室温で溶解
させ、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸157.5gをN−メチル−2−ピロリドン10
3gとともに加え、激しく撹拌を行なった。この時、液
温は急激に上昇し50℃にまでなるが、その後定常状態
になる。このまま30℃で1時間反応させ、さらに60
℃に液温を上昇させ4時間反応を行ない、ポリアミド酸
溶液(A)を得た。
<Synthesis of Polyimide Stock Solution>4,4'-diaminodiphenyl ether 100.1 g
Was dissolved in 670 g of N-methyl-2-pyrrolidone at room temperature, and 157.5 g of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid was added to 10 g of N-methyl-2-pyrrolidone 10.
It was added together with 3 g and vigorously stirred. At this time, the liquid temperature rapidly rises to 50 ° C., but then becomes a steady state. React as it is at 30 ° C for 1 hour, and further 60
The liquid temperature was raised to ° C and the reaction was carried out for 4 hours to obtain a polyamic acid solution (A).

【0060】4、4´−ジアミノジフェニルエーテル
100.1gをN−メチル−2−ピロリドン670g中
に室温で溶解させ、無水ピロメリット酸108.2gを
N−メチル−2−ピロリドン80gとともに加え、激し
く撹拌を行なった。この時、液温は急激に上昇し50℃
にまでなるが、その後定常状態になる。このまま30℃
で1時間反応させ、さらに60℃に液温を上昇させ4時
間反応を行ない、ポリアミド酸溶液(B)を得た。
100.1 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether was dissolved in 670 g of N-methyl-2-pyrrolidone at room temperature, and 108.2 g of pyromellitic dianhydride was added together with 80 g of N-methyl-2-pyrrolidone, followed by vigorous stirring. Was done. At this time, the liquid temperature rapidly rises to 50 ° C.
However, the steady state is reached after that. 30 ℃ as it is
The reaction was carried out for 1 hour, and the liquid temperature was further raised to 60 ° C. for 4 hours to obtain a polyamic acid solution (B).

【0061】3、3´−ジアミノジフェニルスルホン
124.3gをN−メチル−2−ピロリドン600g中
に室温で溶解させ、3,3´,4,4´−ビフェニルテ
トラカルボン酸146.5gをN−メチル−2−ピロリ
ドン100gとともに加え、激しく撹拌を行なった。こ
の時、液温は急激に上昇し50℃にまでなるが、その後
定常状態になる。このまま30℃で1時間反応させ、さ
らに60℃に液温を上昇させ4時間反応を行ない、ポリ
アミド酸溶液(C)を得た。
124.3 g of 3,3'-diaminodiphenyl sulfone was dissolved in 600 g of N-methyl-2-pyrrolidone at room temperature, and 146.5 g of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid was added to N-. Methyl-2-pyrrolidone was added together with 100 g, and the mixture was vigorously stirred. At this time, the liquid temperature rapidly rises to 50 ° C., but then becomes a steady state. The reaction was continued for 1 hour at 30 ° C., the liquid temperature was further raised to 60 ° C., and the reaction was performed for 4 hours to obtain a polyamic acid solution (C).

【0062】ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニ
ルプロパン205.1gをN−メチル−2−ピロリドン
670g中に室温で溶解させ、3,3´,4,4´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸157.5gをN−メチ
ル−2−ピロリドン103gとともに加え、激しく撹拌
を行なった。この時、液温は急激に上昇し50℃にまで
なるが、その後定常状態になる。このまま30℃で1時
間反応させ、さらに60℃に液温を上昇させ4時間反応
を行ない、ポリアミド酸溶液(D)を得た。
205.1 g of bis (4-aminophenoxy) diphenylpropane was dissolved in 670 g of N-methyl-2-pyrrolidone at room temperature, and 157.5 g of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid was added to N. -Methyl-2-pyrrolidone (103 g) was added, and the mixture was vigorously stirred. At this time, the liquid temperature rapidly rises to 50 ° C., but then becomes a steady state. The reaction was continued at 30 ° C. for 1 hour, the liquid temperature was further raised to 60 ° C., and the reaction was performed for 4 hours to obtain a polyamic acid solution (D).

【0063】実施例1 光アミン発生剤(1)5gとポリアミド酸溶液(A)1
00gを混合した。この溶液を4インチシリコンウエハ
ー上に、スピンコートした。次いで、ホットプレート
(大日本スクリーン製造製SCW−636)を用いて、
120℃、3分の加熱処理を行なった。このときの膜厚
は、5μmであった。
Example 1 5 g of photo amine generator (1) and polyamic acid solution (A) 1
00g was mixed. This solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer. Then, using a hot plate (SCW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.),
Heat treatment was performed at 120 ° C. for 3 minutes. The film thickness at this time was 5 μm.

【0064】加熱処理後、コンタクトアライナー(キヤ
ノン製PLA−501)を用いてグレースケールをマス
クにして600mJ/cm2 (365nmでの測定値)の露
光を行った。
After the heat treatment, exposure was carried out at 600 mJ / cm 2 (measured value at 365 nm) using a contact aligner (PLA-501 manufactured by Canon Inc.) with a gray scale as a mask.

【0065】つづいて、アルカリ現像液(東京応化製N
MD−3)を用いて30秒間浸漬し、現像を行った。
Next, an alkaline developing solution (N
It was developed by immersing it for 30 seconds using MD-3).

【0066】露光量が240mJ/cm2 以上のところで、
像が残った。また、600mJ/cm2の露光量のところの
膜厚は4.5μmであった。
At an exposure dose of 240 mJ / cm 2 or more,
The statue remains. The film thickness at an exposure dose of 600 mJ / cm 2 was 4.5 μm.

【0067】実施例2 光アミン発生剤(2)5gとポリアミド酸溶液(B)1
00gを混合した。この溶液を4インチシリコンウエハ
ー上に、スピンコートした。次いで、ホットプレート
(大日本スクリーン製造製SCW−636)を用いて、
120℃、3分の加熱処理を行なった。このときの膜厚
は、5μmであった。
Example 2 5 g of photoamine generator (2) and polyamic acid solution (B) 1
00g was mixed. This solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer. Then, using a hot plate (SCW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.),
Heat treatment was performed at 120 ° C. for 3 minutes. The film thickness at this time was 5 μm.

【0068】加熱処理後、コンタクトアライナー(キヤ
ノン製PLA−501)を用いてグレースケールをマス
クにして600mJ/cm2 (365nmでの測定値)の露
光を行った。露光終了後、120℃で1分間ベーク処理
を行った。
After the heat treatment, 600 mJ / cm 2 (measured value at 365 nm) was exposed using a contact aligner (PLA-501 manufactured by Canon Inc.) with a gray scale as a mask. After completion of the exposure, baking treatment was performed at 120 ° C. for 1 minute.

【0069】つづいて、アルカリ現像液(東京応化製N
MD−3)を用いて30秒間浸漬し、現像を行った。
Next, an alkali developing solution (Tokyo Ohka N
It was developed by immersing it for 30 seconds using MD-3).

【0070】露光量が240mJ/cm2 以上のところで、
像が残った。また、600mJ/cm2の露光量のところの
膜厚は4.3μmであった。
At an exposure dose of 240 mJ / cm 2 or more,
The statue remains. The film thickness at an exposure dose of 600 mJ / cm 2 was 4.3 μm.

【0071】実施例3 光アミン発生剤(3)5gとポリアミド酸溶液(C)1
00gを混合した。この溶液を4インチシリコンウエハ
ー上に、スピンコートした。次いで、ホットプレート
(大日本スクリーン製造製SCW−636)を用いて、
120℃、3分の加熱処理を行なった。このときの膜厚
は、5μmであった。
Example 3 5 g of photoamine generator (3) and polyamic acid solution (C) 1
00g was mixed. This solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer. Then, using a hot plate (SCW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.),
Heat treatment was performed at 120 ° C. for 3 minutes. The film thickness at this time was 5 μm.

【0072】加熱処理後、コンタクトアライナー(キヤ
ノン製PLA−501)を用いてグレースケールをマス
クにして600mJ/cm2 (365nmでの測定値)の露
光を行った。露光終了後、120℃で1分間ベーク処理
を行った。
After the heat treatment, exposure was carried out at 600 mJ / cm 2 (measured value at 365 nm) using a contact aligner (PLA-501 manufactured by Canon Inc.) with a gray scale as a mask. After completion of the exposure, baking treatment was performed at 120 ° C. for 1 minute.

【0073】つづいて、アルカリ現像液(東京応化製N
MD−3)を用いて30秒間浸漬し、現像を行った。
Next, an alkaline developing solution (Tokyo Ohka N
It was developed by immersing it for 30 seconds using MD-3).

【0074】露光量が360mJ/cm2 以上のところで、
像が残った。また、600mJ/cm2の露光量のところの
膜厚は3.7μmであった。
At an exposure dose of 360 mJ / cm 2 or more,
The statue remains. The film thickness at an exposure dose of 600 mJ / cm 2 was 3.7 μm.

【0075】実施例4 光アミン発生剤(1)5gとポリアミド酸溶液(D)1
00gを混合した。この溶液を4インチシリコンウエハ
ー上に、スピンコートした。次いで、ホットプレート
(大日本スクリーン製造製SCW−636)を用いて、
120℃、3分の加熱処理を行なった。このときの膜厚
は、5μmであった。
Example 4 5 g of photo amine generator (1) and polyamic acid solution (D) 1
00g was mixed. This solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer. Then, using a hot plate (SCW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.),
Heat treatment was performed at 120 ° C. for 3 minutes. The film thickness at this time was 5 μm.

【0076】加熱処理後、コンタクトアライナー(キヤ
ノン製PLA−501)を用いてグレースケールをマス
クにして600mJ/cm2 (365nmでの測定値)の露
光を行った。露光終了後、120℃で1分間ベーク処理
を行った。
After the heat treatment, exposure was carried out at 600 mJ / cm 2 (measured value at 365 nm) using a contact aligner (PLA-501 manufactured by Canon Inc.) with a gray scale as a mask. After completion of the exposure, baking treatment was performed at 120 ° C. for 1 minute.

【0077】つづいて、アルカリ現像液(東京応化製N
MD−3)を用いて30秒間浸漬し、現像を行った。
Next, an alkaline developing solution (N
It was developed by immersing it for 30 seconds using MD-3).

【0078】露光量が150mJ/cm2 以上のところで、
像が残った。また、600mJ/cm2の露光量のところの
膜厚は4.7μmであった。
At an exposure dose of 150 mJ / cm 2 or more,
The statue remains. The film thickness at an exposure dose of 600 mJ / cm 2 was 4.7 μm.

【0079】比較例 トリエチルアミン2gとポリアミド酸溶液(A)100
gを混合した。この溶液を4インチシリコンウエハー上
に、スピンコートした。次いで、ホットプレート(大日
本スクリーン製造製SCW−636)を用いて、120
℃、3分の加熱処理を行なった。このときの膜厚は、5
μmであった。
Comparative Example 2 g of triethylamine and 100 polyamic acid solution (A)
g were mixed. This solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer. Then, using a hot plate (SCW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.), 120
Heat treatment was performed at 3 ° C. for 3 minutes. The film thickness at this time is 5
was μm.

【0080】加熱処理後、コンタクトアライナー(キヤ
ノン製PLA−501)を用いてグレースケールをマス
クにして600mJ/cm2 (365nmでの測定値)の露
光を行った。
After the heat treatment, exposure was performed at 600 mJ / cm 2 (measured value at 365 nm) using a contact aligner (PLA-501 manufactured by Canon Inc.) with a gray scale as a mask.

【0081】つづいて、アルカリ現像液(東京応化製N
MD−3)を用いて30秒間浸漬し、現像を行ったが、
全く溶解しなかった。
Next, an alkaline developing solution (Tokyo Ohka N
It was developed by immersing it in MD-3) for 30 seconds.
It did not dissolve at all.

【0082】[0082]

【発明の効果】本発明によると、有機溶媒を現像液に用
いず、アルカリ水溶液などで現像できる新規な感光性ポ
リイミド組成物を得ることができる。
According to the present invention, it is possible to obtain a novel photosensitive polyimide composition which can be developed with an alkaline aqueous solution without using an organic solvent as a developing solution.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下記一般式[1]で表される構造単位を有
するポリマと、光アミン発生剤とを含むことを特徴とす
る化学線感応性重合体組成物。 【化1】 (R1 は、少なくとも2個以上の炭素原子を有する3価
または4価の有機基、R2 は、少なくとも2個以上の炭
素原子を有する2価の有機基、R3 は、水素またはアル
カリ金属イオンを表す。nは1または2である。)
1. An actinic radiation-sensitive polymer composition comprising a polymer having a structural unit represented by the following general formula [1] and a photoamine generator. [Chemical 1] (R 1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least 2 carbon atoms, R 2 is a divalent organic group having at least 2 carbon atoms, R 3 is hydrogen or an alkali metal Represents an ion, and n is 1 or 2.)
【請求項2】光アミン発生剤が、下記一般式[2]で表
される化合物であることを特徴とする請求項1記載の化
学線感応性重合体組成物。 (R4 −OCO−NH)−R5 [2] [但し、R4 は、分子中、少なくとも1個以上は、下記
一般式[3]、 【化2】 (R6 は、水素または炭素数1以上10未満のアルキル
基を表す。lは、1〜3の整数である。)または下記一
般式[4]、 【化3】 (R7 は、水素またはニトロ基を表す。R8 は、水素、
メチル基、o−ニトロフェニル基またはo,o−ジニト
ロフェニル基を表す。)で表される基であり、それ以外
は、炭素数1個以上20個未満の有機基を表す。R
5 は、炭素数1以上の1〜4価の有機基を表す。mは1
〜4の整数である。]
2. The actinic radiation-sensitive polymer composition according to claim 1, wherein the photoamine generator is a compound represented by the following general formula [2]. (R 4 —OCO—NH) m —R 5 [2] [wherein at least one R 4 in the molecule has the following general formula [3]: (R 6 represents hydrogen or an alkyl group having 1 or more and less than 10 carbon atoms. L is an integer of 1 to 3) or the following general formula [4], (R 7 represents hydrogen or a nitro group. R 8 is hydrogen,
It represents a methyl group, an o-nitrophenyl group or an o, o-dinitrophenyl group. ), And other than that, represents an organic group having 1 or more and less than 20 carbon atoms. R
5 represents a monovalent to tetravalent organic group having 1 or more carbon atoms. m is 1
Is an integer of ~ 4. ]
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