JPH06163934A - 半導体加速度センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06163934A JPH06163934A JP4305709A JP30570992A JPH06163934A JP H06163934 A JPH06163934 A JP H06163934A JP 4305709 A JP4305709 A JP 4305709A JP 30570992 A JP30570992 A JP 30570992A JP H06163934 A JPH06163934 A JP H06163934A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- movable electrode
- acceleration sensor
- fixed electrodes
- silicon substrate
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 46
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 46
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011949 advanced processing technology Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 より少ない基板数で、かつ、一対の固定電極
と可動電極との間の二つの静電容量を容易に等しくでき
る半導体加速度センサとその製造方法を提供することに
ある。 【構成】 Ｐ型シリコン基板の主表面に絶縁膜を形成
し、絶縁膜上に梁形状の可動電極を形成し、可動電極に
対し自己整合的に基板に不純物を拡散して可動電極の両
側において固定電極を形成し、固定電極の下の絶縁膜を
エッチング除去した。よって、Ｐ型シリコン基板１と、
基板１の上方に所定の間隔を隔てて配置された梁構造の
可動電極４と、基板１における可動電極４の両側に可動
電極４に対し自己整合的に形成された不純物拡散層より
なる固定電極８，９とを備え、加速度の作用に伴う可動
電極４の変位によって生じる可動電極４と二つの固定電
極８，９の間の二つの静電容量の変化（増減）で加速度
が検出されることとなる。
と可動電極との間の二つの静電容量を容易に等しくでき
る半導体加速度センサとその製造方法を提供することに
ある。 【構成】 Ｐ型シリコン基板の主表面に絶縁膜を形成
し、絶縁膜上に梁形状の可動電極を形成し、可動電極に
対し自己整合的に基板に不純物を拡散して可動電極の両
側において固定電極を形成し、固定電極の下の絶縁膜を
エッチング除去した。よって、Ｐ型シリコン基板１と、
基板１の上方に所定の間隔を隔てて配置された梁構造の
可動電極４と、基板１における可動電極４の両側に可動
電極４に対し自己整合的に形成された不純物拡散層より
なる固定電極８，９とを備え、加速度の作用に伴う可動
電極４の変位によって生じる可動電極４と二つの固定電
極８，９の間の二つの静電容量の変化（増減）で加速度
が検出されることとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体加速度センサ
に係り、特に、自動車の車体制御、エンジン制御、エア
バック制御等に好適な半導体加速度センサ及びその製造
方法に関するものである。
に係り、特に、自動車の車体制御、エンジン制御、エア
バック制御等に好適な半導体加速度センサ及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】自動車用の加速度センサに要求される性
能としては、比較的低レベルの加速度（０〜±１Ｇ）を
低レベルの周波数（０〜１００Ｈｚ）で精度よく検出す
ることが挙げられる。尚、ここで１Ｇは加速度の単位
で、９．８ｍ／ｓｅｃ2 を表す。
能としては、比較的低レベルの加速度（０〜±１Ｇ）を
低レベルの周波数（０〜１００Ｈｚ）で精度よく検出す
ることが挙げられる。尚、ここで１Ｇは加速度の単位
で、９．８ｍ／ｓｅｃ2 を表す。
【０００３】ところで、このような加速度センサとして
は、従来から圧電効果を利用した圧電式、差動トランス
を利用した磁気式、あるいは半導体式でシリコンの微細
加工技術を駆使した半導体歪ゲージ式や静電容量式等が
広く知られている。この中でも低加速度レベル、低周波
数レベルを精度よく検出でき、安価で大量生産に向く方
式としては、半導体式が最も有望と考えられている。特
に、静電容量式は歪みゲージ式に比較して、検出感度が
大きく温度特性も良好であるという特徴を有している。
は、従来から圧電効果を利用した圧電式、差動トランス
を利用した磁気式、あるいは半導体式でシリコンの微細
加工技術を駆使した半導体歪ゲージ式や静電容量式等が
広く知られている。この中でも低加速度レベル、低周波
数レベルを精度よく検出でき、安価で大量生産に向く方
式としては、半導体式が最も有望と考えられている。特
に、静電容量式は歪みゲージ式に比較して、検出感度が
大きく温度特性も良好であるという特徴を有している。
【０００４】このような静電容量型加速度センサの従来
例として特開平２−１３４５７０号公報に開示されてい
るものを図１６に示す。図１６において静電容量型加速
度センサの検出部は３枚のシリコン基板７１，７２，７
３を絶縁膜である熱酸化膜７４を介して直接張り合わ
せ、接合したものである。シリコン基板７１には、エッ
チング加工により、接合前にシリコンビーム（梁状部）
７５と可動電極７６が予め形成されている。さらに、シ
リコン基板７２，７３にも接合前に予めポリシリコンに
よる固定電極７７，７８が形成されている。重りの機能
を有する可動電極７６はシリコンビーム７５によって支
持されており、これに作用する図の上下方向の加速度の
大きさに応じて、可動電極７６と固定電極７７，７８と
の間の空隙の寸法が変化する。即ち、検出部に作用する
加速度に応じて空隙部の静電容量が変化し、この変化を
ボンディングパッド７９を介して、外部の電子回路に取
り出すことで加速度を検出しようとするものである。
例として特開平２−１３４５７０号公報に開示されてい
るものを図１６に示す。図１６において静電容量型加速
度センサの検出部は３枚のシリコン基板７１，７２，７
３を絶縁膜である熱酸化膜７４を介して直接張り合わ
せ、接合したものである。シリコン基板７１には、エッ
チング加工により、接合前にシリコンビーム（梁状部）
７５と可動電極７６が予め形成されている。さらに、シ
リコン基板７２，７３にも接合前に予めポリシリコンに
よる固定電極７７，７８が形成されている。重りの機能
を有する可動電極７６はシリコンビーム７５によって支
持されており、これに作用する図の上下方向の加速度の
大きさに応じて、可動電極７６と固定電極７７，７８と
の間の空隙の寸法が変化する。即ち、検出部に作用する
加速度に応じて空隙部の静電容量が変化し、この変化を
ボンディングパッド７９を介して、外部の電子回路に取
り出すことで加速度を検出しようとするものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の静電容量型加速度センサにおいては、シリコ
ン基板自身を加工してビームを形成するために生じる高
度な加工技術の要求や製造コストの増大を招いていた。
うな構成の静電容量型加速度センサにおいては、シリコ
ン基板自身を加工してビームを形成するために生じる高
度な加工技術の要求や製造コストの増大を招いていた。
【０００６】つまり、可動電極を形成するシリコン基板
１枚と固定電極を形成するシリコン基板二枚の合計３枚
のシリコン基板が必要であり、低コスト化が困難であっ
た。さらに、熱酸化膜を介してシリコン基板同士を接合
しなければならないため、プロセス上の熱的制約を受け
るだけでなく、可動電極７６と固定電極７７，７８の位
置決め精度が劣るという問題点もあった。
１枚と固定電極を形成するシリコン基板二枚の合計３枚
のシリコン基板が必要であり、低コスト化が困難であっ
た。さらに、熱酸化膜を介してシリコン基板同士を接合
しなければならないため、プロセス上の熱的制約を受け
るだけでなく、可動電極７６と固定電極７７，７８の位
置決め精度が劣るという問題点もあった。
【０００７】そこで、この発明の目的は、より少ない基
板数で、かつ、一対の固定電極と可動電極との間の二つ
の静電容量を容易に等しくできる半導体加速度センサと
その製造方法を提供することにある。
板数で、かつ、一対の固定電極と可動電極との間の二つ
の静電容量を容易に等しくできる半導体加速度センサと
その製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、半導体基
板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置
された梁構造の可動電極と、前記半導体基板における前
記可動電極の両側に可動電極に対し自己整合的に形成さ
れた不純物拡散層よりなる固定電極とを備え、加速度の
作用に伴う前記可動電極の変位によって生じる前記可動
電極と前記二つの固定電極の間の二つの静電容量の変化
で加速度を検出するようにした半導体加速度センサをそ
の要旨とする。
板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置
された梁構造の可動電極と、前記半導体基板における前
記可動電極の両側に可動電極に対し自己整合的に形成さ
れた不純物拡散層よりなる固定電極とを備え、加速度の
作用に伴う前記可動電極の変位によって生じる前記可動
電極と前記二つの固定電極の間の二つの静電容量の変化
で加速度を検出するようにした半導体加速度センサをそ
の要旨とする。
【０００９】第２の発明は、 半導体基板の主表面に犠
牲層を形成する第１工程と、前記犠牲層上に梁形状の可
動電極を形成する第２工程と、前記可動電極に対し自己
整合的に半導体基板に不純物を拡散して可動電極の両側
において固定電極を形成する第３工程と、前記可動電極
の変位に伴う前記可動電極と前記二つの固定電極間の二
つの静電気容量の変化を検出できるように、前記可動電
極の下の前記犠牲層をエッチング除去する第４工程とを
備えた半導体加速度センサの製造方法をその要旨とする
ものである。
牲層を形成する第１工程と、前記犠牲層上に梁形状の可
動電極を形成する第２工程と、前記可動電極に対し自己
整合的に半導体基板に不純物を拡散して可動電極の両側
において固定電極を形成する第３工程と、前記可動電極
の変位に伴う前記可動電極と前記二つの固定電極間の二
つの静電気容量の変化を検出できるように、前記可動電
極の下の前記犠牲層をエッチング除去する第４工程とを
備えた半導体加速度センサの製造方法をその要旨とする
ものである。
【００１０】
【作用】第１の発明において、加速度が作用すると、可
動電極が変位し可動電極と二つの固定電極の間の二つの
静電容量が変化する。この静電容量の変化により加速度
が検出される。
動電極が変位し可動電極と二つの固定電極の間の二つの
静電容量が変化する。この静電容量の変化により加速度
が検出される。
【００１１】第２の発明において、第１工程により半導
体基板の主表面に犠牲層が形成され、第２工程により犠
牲層上に梁形状の可動電極が形成される。そして、第３
工程により可動電極に対し自己整合的に半導体基板に不
純物が拡散され可動電極の両側において固定電極が形成
される。さらに、第４工程により可動電極の下の犠牲層
がエッチング除去され、可動電極の変位に伴う可動電極
と二つの固定電極間の二つの静電気容量の変化が検出可
能となる。その結果、第１の発明の半導体加速度センサ
が製造される。
体基板の主表面に犠牲層が形成され、第２工程により犠
牲層上に梁形状の可動電極が形成される。そして、第３
工程により可動電極に対し自己整合的に半導体基板に不
純物が拡散され可動電極の両側において固定電極が形成
される。さらに、第４工程により可動電極の下の犠牲層
がエッチング除去され、可動電極の変位に伴う可動電極
と二つの固定電極間の二つの静電気容量の変化が検出可
能となる。その結果、第１の発明の半導体加速度センサ
が製造される。
【００１２】
（第１実施例）以下、この発明を具体化した一実施例を
図面に従って説明する。
図面に従って説明する。
【００１３】図１は、半導体加速度センサの平面図を示
す。又、図２には図１のＡ−Ａ断面を示し、図３には図
１のＢ−Ｂ断面を示す。Ｐ型シリコン基板１上には絶縁
膜２が形成され、絶縁膜２はＳｉＯ2 、Ｓｉ3Ｎ 4等よ
りなる。又、Ｐ型シリコン基板１上には、絶縁膜２の無
い長方形状の領域、即ち、空隙部３が形成されている
（図１参照）。絶縁膜２の上には、空隙部３を架設する
ように両持ち梁構造の可動電極４が配置されている。こ
の可動電極４は棒状のポリシリコンよりなる。このよう
に、絶縁膜２によりＰ型シリコン基板１と可動電極４と
が絶縁されている。
す。又、図２には図１のＡ−Ａ断面を示し、図３には図
１のＢ−Ｂ断面を示す。Ｐ型シリコン基板１上には絶縁
膜２が形成され、絶縁膜２はＳｉＯ2 、Ｓｉ3Ｎ 4等よ
りなる。又、Ｐ型シリコン基板１上には、絶縁膜２の無
い長方形状の領域、即ち、空隙部３が形成されている
（図１参照）。絶縁膜２の上には、空隙部３を架設する
ように両持ち梁構造の可動電極４が配置されている。こ
の可動電極４は棒状のポリシリコンよりなる。このよう
に、絶縁膜２によりＰ型シリコン基板１と可動電極４と
が絶縁されている。
【００１４】尚、可動電極４の下部における絶縁膜２の
空隙部３は、犠牲層としてエッチングされることにより
形成されたものである。この犠牲層エッチングの際に
は、エッチング液として、可動電極４がエッチングされ
ず、犠牲層である絶縁層２がエッチングされるエッチン
グ液が使用される。
空隙部３は、犠牲層としてエッチングされることにより
形成されたものである。この犠牲層エッチングの際に
は、エッチング液として、可動電極４がエッチングされ
ず、犠牲層である絶縁層２がエッチングされるエッチン
グ液が使用される。
【００１５】又、絶縁膜２上には層間絶縁膜５が配置さ
れ、その上にはコンタクトホール７を介して可動電極４
と電気的接続するためのアルミ配線６が配置されてい
る。図３において、Ｐ型シリコン基板１には不純物拡散
層からなる固定電極８，９が形成され、この固定電極
８，９はＰ型シリコン基板１にイオン注入等によりＮ型
不純物を導入することによって形成されたものである。
れ、その上にはコンタクトホール７を介して可動電極４
と電気的接続するためのアルミ配線６が配置されてい
る。図３において、Ｐ型シリコン基板１には不純物拡散
層からなる固定電極８，９が形成され、この固定電極
８，９はＰ型シリコン基板１にイオン注入等によりＮ型
不純物を導入することによって形成されたものである。
【００１６】尚、可動電極（両持ち梁）４はポリシリコ
ンの他にも、タングステン等の耐熱金属を用いてもよ
い。又、図１に示すように、Ｐ型シリコン基板１には不
純物拡散層からなる配線１０，１１が形成され、配線１
０，１１はＰ型シリコン基板１にイオン注入等によりＮ
型不純物を導入することによって形成されたものであ
る。そして、固定電極８と配線１０とは電気的に接続さ
れるとともに固定電極９と配線１１とは電気的に接続さ
れている。
ンの他にも、タングステン等の耐熱金属を用いてもよ
い。又、図１に示すように、Ｐ型シリコン基板１には不
純物拡散層からなる配線１０，１１が形成され、配線１
０，１１はＰ型シリコン基板１にイオン注入等によりＮ
型不純物を導入することによって形成されたものであ
る。そして、固定電極８と配線１０とは電気的に接続さ
れるとともに固定電極９と配線１１とは電気的に接続さ
れている。
【００１７】さらに、配線１０はコンタクトホール１２
を介してアルミ配線１３と電気的に接続されている。
又、配線１１はコンタクトホール１４を介してアルミ配
線１５と電気的に接続されている。そして、アルミ配線
１３，１５及び６は外部の電子回路と接続されている。
を介してアルミ配線１３と電気的に接続されている。
又、配線１１はコンタクトホール１４を介してアルミ配
線１５と電気的に接続されている。そして、アルミ配線
１３，１５及び６は外部の電子回路と接続されている。
【００１８】次に、このような半導体加速度センサの製
造工程を図４〜図１２にを用いて説明する。まず、図４
に示すように、Ｐ型シリコン基板１６を用意し、固定電
極の配線部分となるＮ型拡散層１７をフォトリソ工程を
経てイオン注入等により形成する。そして、図５に示す
ように、Ｐ型シリコン基板１６上に、その一部が犠牲層
となる絶縁膜１８を成膜するとともに、その上にポリシ
リコン１９を成膜する。
造工程を図４〜図１２にを用いて説明する。まず、図４
に示すように、Ｐ型シリコン基板１６を用意し、固定電
極の配線部分となるＮ型拡散層１７をフォトリソ工程を
経てイオン注入等により形成する。そして、図５に示す
ように、Ｐ型シリコン基板１６上に、その一部が犠牲層
となる絶縁膜１８を成膜するとともに、その上にポリシ
リコン１９を成膜する。
【００１９】さらに、図６に示すように、ポリシリコン
１９を両持ち梁形状の可動電極２０となるようにフォト
リソ工程を経て加工する。引き続き、図７に示すよう
に、Ｎ型拡散層からなる固定電極を形成するために、フ
ォトリソ工程を経て絶縁層１８に開口部２１を可動電極
２０に対して自己整合的に形成する。
１９を両持ち梁形状の可動電極２０となるようにフォト
リソ工程を経て加工する。引き続き、図７に示すよう
に、Ｎ型拡散層からなる固定電極を形成するために、フ
ォトリソ工程を経て絶縁層１８に開口部２１を可動電極
２０に対して自己整合的に形成する。
【００２０】そして、図８に示すように、絶縁層１８の
開口部２１に可動電極２０に対して自己整合的にイオン
注入等によって不純物を導入し、Ｎ型拡散層からなる固
定電極２２，２３を形成する。さらに、図９に示すよう
に、Ｐ型シリコン基板１６上に可動電極２０とアルミ配
線を電気的に絶縁するための層間絶縁膜２４を成膜す
る。
開口部２１に可動電極２０に対して自己整合的にイオン
注入等によって不純物を導入し、Ｎ型拡散層からなる固
定電極２２，２３を形成する。さらに、図９に示すよう
に、Ｐ型シリコン基板１６上に可動電極２０とアルミ配
線を電気的に絶縁するための層間絶縁膜２４を成膜す
る。
【００２１】次に、図１０に示すように、層間絶縁膜２
４に固定電極２２，２３とアルミ配線を電気的に接続す
るためのコンタクトホール２５をフォトリソ工程を経て
加工する。そして、図１１に示すように、電極材料であ
るアルミニウムを成膜して、フォトリソ工程を経てアル
ミ配線２６を形成する。
４に固定電極２２，２３とアルミ配線を電気的に接続す
るためのコンタクトホール２５をフォトリソ工程を経て
加工する。そして、図１１に示すように、電極材料であ
るアルミニウムを成膜して、フォトリソ工程を経てアル
ミ配線２６を形成する。
【００２２】引き続き、図１２に示すように、最後に層
間絶縁膜２４の一部と絶縁層１８の一部である犠牲層を
エッチングする。その結果、半導体加速度センサの作製
工程が終了する。
間絶縁膜２４の一部と絶縁層１８の一部である犠牲層を
エッチングする。その結果、半導体加速度センサの作製
工程が終了する。
【００２３】次に、半導体加速度センサの作動を図３を
用いて説明する。可動電極（両持ち梁）４と固定電極８
は静電容量Ｃ１を形成する。さらに、可動電極４と固定
電極９は静電容量Ｃ２を形成する。
用いて説明する。可動電極（両持ち梁）４と固定電極８
は静電容量Ｃ１を形成する。さらに、可動電極４と固定
電極９は静電容量Ｃ２を形成する。
【００２４】そして、本加速度センサが加速度を受け
て、図中に示すＸ方向に可動電極４が変位した場合に
は、静電容量Ｃ１は減少し、静電容量Ｃ２は逆に増大す
る。一方、本加速度センサが加速度を受けて、図中に示
すＺ方向に可動電極４が変位した場合には、静電容量Ｃ
１と静電容量Ｃ２は同時に減少する。このように本加速
度センサは２個の静電容量の増減で２次元の加速度を検
出することができる。
て、図中に示すＸ方向に可動電極４が変位した場合に
は、静電容量Ｃ１は減少し、静電容量Ｃ２は逆に増大す
る。一方、本加速度センサが加速度を受けて、図中に示
すＺ方向に可動電極４が変位した場合には、静電容量Ｃ
１と静電容量Ｃ２は同時に減少する。このように本加速
度センサは２個の静電容量の増減で２次元の加速度を検
出することができる。
【００２５】このように本実施例では、Ｐ型シリコン基
板１６（半導体基板）の主表面に絶縁膜１８（犠牲層）
を形成し（第１工程）、絶縁膜１８（犠牲層）上に梁形
状の可動電極２０を形成し（第２工程）、可動電極２０
に対し自己整合的にＰ型シリコン基板１６（半導体基
板）に不純物を拡散して可動電極２０の両側において固
定電極２２，２３を形成し（第３工程）、固定電極２
２，２３の下の絶縁膜１８（犠牲層）をエッチング除去
した（第４工程）。
板１６（半導体基板）の主表面に絶縁膜１８（犠牲層）
を形成し（第１工程）、絶縁膜１８（犠牲層）上に梁形
状の可動電極２０を形成し（第２工程）、可動電極２０
に対し自己整合的にＰ型シリコン基板１６（半導体基
板）に不純物を拡散して可動電極２０の両側において固
定電極２２，２３を形成し（第３工程）、固定電極２
２，２３の下の絶縁膜１８（犠牲層）をエッチング除去
した（第４工程）。
【００２６】その結果、図１〜図３に示すように、Ｐ型
シリコン基板１（半導体基板）と、Ｐ型シリコン基板１
（半導体基板）の上方に所定の間隔を隔てて配置された
梁構造の可動電極４と、Ｐ型シリコン基板１（半導体基
板）における可動電極４の両側に可動電極４に対し自己
整合的に形成された不純物拡散層よりなる固定電極８，
９とを備え、加速度の作用に伴う可動電極４の変位によ
って生じる可動電極４と二つの固定電極８，９の間の二
つの静電容量の変化（増減）で加速度を検出するように
した。
シリコン基板１（半導体基板）と、Ｐ型シリコン基板１
（半導体基板）の上方に所定の間隔を隔てて配置された
梁構造の可動電極４と、Ｐ型シリコン基板１（半導体基
板）における可動電極４の両側に可動電極４に対し自己
整合的に形成された不純物拡散層よりなる固定電極８，
９とを備え、加速度の作用に伴う可動電極４の変位によ
って生じる可動電極４と二つの固定電極８，９の間の二
つの静電容量の変化（増減）で加速度を検出するように
した。
【００２７】このように、梁（ビーム）を形成する材料
としてシリコン基板を使用せず、シリコン基板上に成膜
した薄膜、例えば高精度に不純物をドープしたポリシリ
コン（あるいは耐熱性の金属のような材料）を使用し
た。よって、可動電極を形成するための梁の厚さのばら
つきを低減させることができる。一般的に片持ち梁や両
持ち梁に一点荷重が加わった場合、その変位は梁の厚さ
の３乗とビームの幅の１乗に反比例する。このためビー
ムの厚さの加工は、梁の幅の加工に比較して非常に精度
が要求される。本実施例では梁の厚さを従来のようにエ
ッチングで制御するものでなく、薄膜の堆積膜厚で制御
するものであり、その方法による膜厚制御性がエッチン
グによる方法に比較して著しく良好なため、可動電極に
加速度が印加された時の可動電極の変位の値の制御性を
著しく向上させることができる。
としてシリコン基板を使用せず、シリコン基板上に成膜
した薄膜、例えば高精度に不純物をドープしたポリシリ
コン（あるいは耐熱性の金属のような材料）を使用し
た。よって、可動電極を形成するための梁の厚さのばら
つきを低減させることができる。一般的に片持ち梁や両
持ち梁に一点荷重が加わった場合、その変位は梁の厚さ
の３乗とビームの幅の１乗に反比例する。このためビー
ムの厚さの加工は、梁の幅の加工に比較して非常に精度
が要求される。本実施例では梁の厚さを従来のようにエ
ッチングで制御するものでなく、薄膜の堆積膜厚で制御
するものであり、その方法による膜厚制御性がエッチン
グによる方法に比較して著しく良好なため、可動電極に
加速度が印加された時の可動電極の変位の値の制御性を
著しく向上させることができる。
【００２８】又、梁を形成するために、予め犠牲層を成
膜した後に梁の材料を成膜し、梁の形状を形成した後に
犠牲層をエッチングで除去した。ここで、一般的に犠牲
層とは可動部を形成するために、最終的に除去消失させ
ることを目的として予め形成する薄膜層のことをいう。
よって、固定電極と可動電極の間の空隙のばらつきを低
減させることが可能となる。一般的に平行平板のコンデ
ンサの静電容量は、空隙の大きさに反比例する。本実施
例は空隙の大きさを犠牲層の膜厚で制御するものであ
り、その方法による膜厚制御性が良好なため、固定電極
と可動電極の間の静電容量の値の制御性を著しく向上さ
せることができる。
膜した後に梁の材料を成膜し、梁の形状を形成した後に
犠牲層をエッチングで除去した。ここで、一般的に犠牲
層とは可動部を形成するために、最終的に除去消失させ
ることを目的として予め形成する薄膜層のことをいう。
よって、固定電極と可動電極の間の空隙のばらつきを低
減させることが可能となる。一般的に平行平板のコンデ
ンサの静電容量は、空隙の大きさに反比例する。本実施
例は空隙の大きさを犠牲層の膜厚で制御するものであ
り、その方法による膜厚制御性が良好なため、固定電極
と可動電極の間の静電容量の値の制御性を著しく向上さ
せることができる。
【００２９】さらに、可動電極を形成するビームに対し
て垂直方向に相対するシリコン基板に１対の固定電極を
設け、一つの可動電極と二つの固定電極の間に生じる二
つの静電容量を形成した。よって、二つの静電容量の増
減から梁の水平および垂直それぞれの方向の加速度を検
出することが可能となる。即ち、二つの静電容量が同相
で変化した場合には、梁は垂直方向に変位し、逆に二つ
の静電容量が逆相で変化した場合には、梁は水平方向に
変位したものとして加速度を検出することができる。こ
のことは一つの加速度検出構成で２次元の検出方向をも
つことを可能とするものである。
て垂直方向に相対するシリコン基板に１対の固定電極を
設け、一つの可動電極と二つの固定電極の間に生じる二
つの静電容量を形成した。よって、二つの静電容量の増
減から梁の水平および垂直それぞれの方向の加速度を検
出することが可能となる。即ち、二つの静電容量が同相
で変化した場合には、梁は垂直方向に変位し、逆に二つ
の静電容量が逆相で変化した場合には、梁は水平方向に
変位したものとして加速度を検出することができる。こ
のことは一つの加速度検出構成で２次元の検出方向をも
つことを可能とするものである。
【００３０】さらには、二つの固定電極は可動電極とな
る梁の形状を形成した後に自己整合的に形成する拡散層
で構成した。このような方法は可動電極となる梁の形状
を形成し、シリコン基板上で固定電極となる部分の上の
犠牲層を窓開けした後、固定電極となる部分にイオン注
入で不純物を導入することで容易に達成される。よっ
て、加速度が全く印加されていない時、あるいは水平方
向に加速度が印加されていない時の固定電極と可動電極
の間の二つの静電容量を容易に一致させることができ
る。このことは僅かな静電容量の変化を検出する電子回
路の設計を著しく容易にし、例えばオフセットの調整回
路等の補償回路を不要にすることを可能にするものであ
る。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
る梁の形状を形成した後に自己整合的に形成する拡散層
で構成した。このような方法は可動電極となる梁の形状
を形成し、シリコン基板上で固定電極となる部分の上の
犠牲層を窓開けした後、固定電極となる部分にイオン注
入で不純物を導入することで容易に達成される。よっ
て、加速度が全く印加されていない時、あるいは水平方
向に加速度が印加されていない時の固定電極と可動電極
の間の二つの静電容量を容易に一致させることができ
る。このことは僅かな静電容量の変化を検出する電子回
路の設計を著しく容易にし、例えばオフセットの調整回
路等の補償回路を不要にすることを可能にするものであ
る。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００３１】図１に示す第１実施例では、１本の両持ち
梁が弾性体としての機能と重りとしての機能を有してい
る。これに対し、図１３に示す第２実施例では弾性体と
しての機能を有する４本の梁部２７と、重りとしての機
能を有する３本の質量部２８とで、ポリシリコンよりな
る可動電極２９を形成している。質量部２８の下部のＰ
型シリコン基板３０にはその両側にＮ型拡散層よりなる
固定電極３１，３２が可動電極２９の質量部２８に対し
て自己整合的に形成されている。
梁が弾性体としての機能と重りとしての機能を有してい
る。これに対し、図１３に示す第２実施例では弾性体と
しての機能を有する４本の梁部２７と、重りとしての機
能を有する３本の質量部２８とで、ポリシリコンよりな
る可動電極２９を形成している。質量部２８の下部のＰ
型シリコン基板３０にはその両側にＮ型拡散層よりなる
固定電極３１，３２が可動電極２９の質量部２８に対し
て自己整合的に形成されている。
【００３２】それぞれの固定電極３１，３２は配線用の
拡散層３３，３４と接続されており、コンタクトホール
３５，３６を介してアルミ配線３７，３８と接続されて
いる。可動電極２９はコンタクトホール３９を介してア
ルミ配線４０と接続されている。空隙部４１は図示され
ていない絶縁膜のうち犠牲層としてエッチングされる領
域であり、犠牲層エッチングを行うことで、可動電極２
９は４ヶ所の固定端４２で固定され、質量部２８が可動
構造となる。
拡散層３３，３４と接続されており、コンタクトホール
３５，３６を介してアルミ配線３７，３８と接続されて
いる。可動電極２９はコンタクトホール３９を介してア
ルミ配線４０と接続されている。空隙部４１は図示され
ていない絶縁膜のうち犠牲層としてエッチングされる領
域であり、犠牲層エッチングを行うことで、可動電極２
９は４ヶ所の固定端４２で固定され、質量部２８が可動
構造となる。
【００３３】本実施例では質量部２８が両端固定となる
ため、犠牲層エッチング後の可動電極２９の反りが抑制
できるという効果がある。 （第３実施例）次に、第３実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
ため、犠牲層エッチング後の可動電極２９の反りが抑制
できるという効果がある。 （第３実施例）次に、第３実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００３４】図１４において、弾性体としての機能を揺
する２本の梁部４３と重りとしての機能を有する２本の
質量部４４とでポリシリコンよりなる可動電極４５が形
成されている。尚、この場合には梁部４３も同時に重り
としての機能も合わせ持つ。この実施例でも同様に、質
量部４４の下部のＰ型シリコン基板４６にはその両側の
Ｎ型拡散層よりなる固定電極４７，４８が可動電極４５
の質量部４４に対して自己整合的に形成されている。
する２本の梁部４３と重りとしての機能を有する２本の
質量部４４とでポリシリコンよりなる可動電極４５が形
成されている。尚、この場合には梁部４３も同時に重り
としての機能も合わせ持つ。この実施例でも同様に、質
量部４４の下部のＰ型シリコン基板４６にはその両側の
Ｎ型拡散層よりなる固定電極４７，４８が可動電極４５
の質量部４４に対して自己整合的に形成されている。
【００３５】それぞれの拡散層４７，４８は配線用の拡
散層４９，５０と接続されており、コンタクトホール５
１，５２を介してアルミ配線５３，５４と接続されてい
る。可動電極４５はコンタクトホール５５を介してアル
ミ配線５６と接続されている。
散層４９，５０と接続されており、コンタクトホール５
１，５２を介してアルミ配線５３，５４と接続されてい
る。可動電極４５はコンタクトホール５５を介してアル
ミ配線５６と接続されている。
【００３６】空隙部５７は図示されていない絶縁膜のう
ち犠牲層としてエッチングされる領域であり、犠牲層エ
ッチングを行なうことで、可動電極４５は２ヶ所の固定
端５８で固定され、質量部４４が可動構造となる。本実
施例では質量部４４が片端固定となるが、犠牲層エッチ
ング後の可動電極４５の横方向の大きさが第２実施例に
比較して小さくできる。 （第４実施例）次に、第４実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
ち犠牲層としてエッチングされる領域であり、犠牲層エ
ッチングを行なうことで、可動電極４５は２ヶ所の固定
端５８で固定され、質量部４４が可動構造となる。本実
施例では質量部４４が片端固定となるが、犠牲層エッチ
ング後の可動電極４５の横方向の大きさが第２実施例に
比較して小さくできる。 （第４実施例）次に、第４実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００３７】図７に示すように、本実施例では３次元の
加速度を検出する３次元静電容量型半導体加速度センサ
としている。シリコン基板５９上には、第１実施例の静
電容量型半導体加速度センサが２つ直交する方向に延設
された状態で配置されている。
加速度を検出する３次元静電容量型半導体加速度センサ
としている。シリコン基板５９上には、第１実施例の静
電容量型半導体加速度センサが２つ直交する方向に延設
された状態で配置されている。
【００３８】つまり、第１のセンサ部６０は、その梁の
長手方向が図中のＹ方向になるようにシリコン基板５９
上に配置され、第２のセンサ部６１は、その梁の長手方
向が図中のＸ方向になるようにシリコン基板５９上に配
置されている。即ち、シリコン基板５９上には可動電極
６２，６３が配置されるとともに、シリコン基板５９に
は固定電極６４，６５，６６，６７が形成されている。
その他の絶縁膜、アルミ配線、コンタクトホール等は省
略されている。
長手方向が図中のＹ方向になるようにシリコン基板５９
上に配置され、第２のセンサ部６１は、その梁の長手方
向が図中のＸ方向になるようにシリコン基板５９上に配
置されている。即ち、シリコン基板５９上には可動電極
６２，６３が配置されるとともに、シリコン基板５９に
は固定電極６４，６５，６６，６７が形成されている。
その他の絶縁膜、アルミ配線、コンタクトホール等は省
略されている。
【００３９】前述したように第１のセンサ部６０（半導
体加速度センサ）は、可動電極６２と固定電極６４，６
５の間の静電容量Ｃ１，Ｃ２の増減で、Ｘ方向とＺ方向
の加速度を検出することができる。さらに、第２のセン
サ部６１（半導体加速度センサ）は、可動電極６３と固
定電極６６，６７の間の静電容量Ｃ３，Ｃ４の増減で、
Ｙ方向とＺ方向の加速度を検出することができる。
体加速度センサ）は、可動電極６２と固定電極６４，６
５の間の静電容量Ｃ１，Ｃ２の増減で、Ｘ方向とＺ方向
の加速度を検出することができる。さらに、第２のセン
サ部６１（半導体加速度センサ）は、可動電極６３と固
定電極６６，６７の間の静電容量Ｃ３，Ｃ４の増減で、
Ｙ方向とＺ方向の加速度を検出することができる。
【００４０】従って、このように半導体加速度センサを
同一シリコン基板上に互いに直交するように２個設置す
ることで３次元の加速度センサを実現できる。従来の加
速度センサはその検出方向がシリコン基板の垂直方向の
一方向に限定され、３次元の検出方向を有する３次元加
速度センサを構成するには、個別の加速度センサを３個
それぞれ軸方向が互いに直交する３方向、Ｘ，Ｙ，Ｚ方
向に配設しなければならず、センサ全体の形状が大きく
なり製造コストも増大してしまっていた。しかし、本実
施例では容易に３次元の加速度の検出が行える。
同一シリコン基板上に互いに直交するように２個設置す
ることで３次元の加速度センサを実現できる。従来の加
速度センサはその検出方向がシリコン基板の垂直方向の
一方向に限定され、３次元の検出方向を有する３次元加
速度センサを構成するには、個別の加速度センサを３個
それぞれ軸方向が互いに直交する３方向、Ｘ，Ｙ，Ｚ方
向に配設しなければならず、センサ全体の形状が大きく
なり製造コストも増大してしまっていた。しかし、本実
施例では容易に３次元の加速度の検出が行える。
【００４１】このように本実施例では、加速度センサを
同一シリコン基板上にそれぞれ９０度回転させて２個配
設するようにした。よって、一つのシリコンチップ上で
３次元の加速度の検出が可能となる。
同一シリコン基板上にそれぞれ９０度回転させて２個配
設するようにした。よって、一つのシリコンチップ上で
３次元の加速度の検出が可能となる。
【００４２】尚、この発明は上記各実施例に限定される
ものではなく、例えば、前記各実施例では半導体加速度
センサはＰ型基板について説明してきたが、Ｎ型基板で
は拡散層の不純物をＰ型にすればよい。
ものではなく、例えば、前記各実施例では半導体加速度
センサはＰ型基板について説明してきたが、Ｎ型基板で
は拡散層の不純物をＰ型にすればよい。
【００４３】又、図１３に示す第２実施例では、可動電
極の一部となる質量部２８は３本で説明したが、検出す
る静電容量の値を大きくする場合にはさらにその本数を
大きくすればよい。図１４に示す第３実施例でも同様で
ある。
極の一部となる質量部２８は３本で説明したが、検出す
る静電容量の値を大きくする場合にはさらにその本数を
大きくすればよい。図１４に示す第３実施例でも同様で
ある。
【００４４】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
より少ない基板数で、かつ、一対の固定電極と可動電極
との間の二つの静電容量を容易に等しくできる優れた効
果を発揮する。
より少ない基板数で、かつ、一対の固定電極と可動電極
との間の二つの静電容量を容易に等しくできる優れた効
果を発揮する。
【図１】第１実施例の半導体加速度センサの平面図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図８】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図９】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図１０】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図
である。
である。
【図１１】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図
である。
である。
【図１２】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図
である。
である。
【図１３】第２実施例の半導体加速度センサの平面図で
ある。
ある。
【図１４】第３実施例の半導体加速度センサの平面図で
ある。
ある。
【図１５】第４実施例の半導体加速度センサの斜視図で
ある。
ある。
【図１６】従来技術による半導体加速度センサを示す断
面図である。
面図である。
１ 半導体基板としてのＰ型シリコン基板 ４ 可動電極 ８ 固定電極 ９ 固定電極 １６ 半導体基板としてのＰ型シリコン基板 １８ 犠牲層としての絶縁膜 ２０ 可動電極 ２２ 固定電極 ２３ 固定電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加納 一彦 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内 (72)発明者 秋田 成行 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内 (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板と、 前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置された
梁構造の可動電極と、 前記半導体基板における前記可動電極の両側に可動電極
に対し自己整合的に形成された不純物拡散層よりなる固
定電極とを備え、加速度の作用に伴う前記可動電極の変
位によって生じる前記可動電極と前記二つの固定電極の
間の二つの静電容量の変化で加速度を検出するようにし
たことを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項２】 半導体基板の主表面に犠牲層を形成する
第１工程と、 前記犠牲層上に梁形状の可動電極を形成する第２工程
と、 前記可動電極に対し自己整合的に半導体基板に不純物を
拡散して可動電極の両側において固定電極を形成する第
３工程と、 前記可動電極の変位に伴う前記可動電極と前記二つの固
定電極間の二つの静電気容量の変化を検出できるよう
に、前記可動電極の下の前記犠牲層をエッチング除去す
る第４工程とを備えたことを特徴とする半導体加速度セ
ンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4305709A JPH06163934A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4305709A JPH06163934A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163934A true JPH06163934A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17948418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4305709A Pending JPH06163934A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163934A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09292409A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Hitachi Ltd | 加速度センサ |
| US5922212A (en) * | 1995-06-08 | 1999-07-13 | Nippondenso Co., Ltd | Semiconductor sensor having suspended thin-film structure and method for fabricating thin-film structure body |
| JP2001133479A (ja) * | 2000-09-21 | 2001-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 慣性力センサおよびその製造方法 |
| US6303976B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-10-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Power sensor |
| JP2008039664A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Hitachi Metals Ltd | マルチレンジ加速度センサー |
| JP2018158394A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 | 微細素子およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-16 JP JP4305709A patent/JPH06163934A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922212A (en) * | 1995-06-08 | 1999-07-13 | Nippondenso Co., Ltd | Semiconductor sensor having suspended thin-film structure and method for fabricating thin-film structure body |
| JPH09292409A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Hitachi Ltd | 加速度センサ |
| US6303976B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-10-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Power sensor |
| JP2001133479A (ja) * | 2000-09-21 | 2001-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 慣性力センサおよびその製造方法 |
| JP2008039664A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Hitachi Metals Ltd | マルチレンジ加速度センサー |
| JP2018158394A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 | 微細素子およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3941694B2 (ja) | 加速度センサ | |
| JP3367113B2 (ja) | 加速度センサ | |
| JP3457037B2 (ja) | 集積型加速度計 | |
| JP3307328B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
| US5987989A (en) | Semiconductor physical quantity sensor | |
| US5587343A (en) | Semiconductor sensor method | |
| US7393714B2 (en) | Method of manufacturing external force detection sensor | |
| JPH06302832A (ja) | 加速度センサ | |
| JPH0654327B2 (ja) | 単一方向性加速度計およびそれを製造する方法 | |
| JPH0479420B2 (ja) | ||
| JPH08220134A (ja) | 捩りビーム式加速度計の検出要素 | |
| JP3985214B2 (ja) | 半導体加速度センサー | |
| JP2001004658A (ja) | ２軸半導体加速度センサおよびその製造方法 | |
| JPH06163934A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
| US7838320B2 (en) | Semiconductor physical quantity sensor and method for manufacturing the same | |
| JP4174853B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法及び半導体圧力センサの製造方法 | |
| JP3633555B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JPH11201984A (ja) | 半導体力学量センサ及びその製造方法 | |
| JP4134384B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| JP4569167B2 (ja) | 外力検知センサの製造方法 | |
| JPH1012896A (ja) | センサの製造方法 | |
| JP4175309B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
| JPH06196721A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
| US20240302404A1 (en) | Acceleration sensor | |
| JP5401820B2 (ja) | センサ |