JPH06168451A - 光ディスク装置 - Google Patents
光ディスク装置Info
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- JPH06168451A JPH06168451A JP4341491A JP34149192A JPH06168451A JP H06168451 A JPH06168451 A JP H06168451A JP 4341491 A JP4341491 A JP 4341491A JP 34149192 A JP34149192 A JP 34149192A JP H06168451 A JPH06168451 A JP H06168451A
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- JP
- Japan
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- optical disk
- signal
- polarization direction
- pit
- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【構成】直線偏光されたレーザー光35の偏光方向38をそ
の走行方向（プリグルーブ１に沿う方向）に対して交差
（特に直交）するようにした光ディスクシステム。 【効果】最小反転間隔で記録された信号の再生時にその
信号振幅を大きくでき、分解能を向上させ、高密度化に
十分対応させることができる。
の走行方向（プリグルーブ１に沿う方向）に対して交差
（特に直交）するようにした光ディスクシステム。 【効果】最小反転間隔で記録された信号の再生時にその
信号振幅を大きくでき、分解能を向上させ、高密度化に
十分対応させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク装置、特に書
換え可能な光磁気ディスクプレーヤに関するものであ
る。
換え可能な光磁気ディスクプレーヤに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザービームを用いて情報の書込み、
消去及び読出を行うことができるいわゆる書換え可能の
光ディスクの一つに、光磁気ディスクと称されるものが
ある。
消去及び読出を行うことができるいわゆる書換え可能の
光ディスクの一つに、光磁気ディスクと称されるものが
ある。
【０００３】こうした光磁気ディスクにおいて、例えば
5.25インチや 3.5インチのＩＳＯフォーマットが図５に
示す如きレイアウトで１セクタ毎に規格化されている。
但し、これらはサーボ方式に依存して大きく異なってい
る。
5.25インチや 3.5インチのＩＳＯフォーマットが図５に
示す如きレイアウトで１セクタ毎に規格化されている。
但し、これらはサーボ方式に依存して大きく異なってい
る。
【０００４】図５のセクタフォーマットは1024バイト／
セクタ対応であり、１セクタ内にプリフォーマット部Ｐ
Ｆ（アドレス部）、ミラーマーク部ＭＭ（フラグ部）、
データエリア部ＤＡ、更にはバッファ部ＢＦが設けられ
ている。プリフォーマット部ＰＦにはプリフォーマット
化されたアドレスピット（プリピット）が設けられ、ま
たデータエリア部ＤＡにはレーザービームによる光磁気
記録を行う領域が設けられている。
セクタ対応であり、１セクタ内にプリフォーマット部Ｐ
Ｆ（アドレス部）、ミラーマーク部ＭＭ（フラグ部）、
データエリア部ＤＡ、更にはバッファ部ＢＦが設けられ
ている。プリフォーマット部ＰＦにはプリフォーマット
化されたアドレスピット（プリピット）が設けられ、ま
たデータエリア部ＤＡにはレーザービームによる光磁気
記録を行う領域が設けられている。
【０００５】このセクタフォーマットは、いわゆるＣＳ
方式（連続溝サーボ方式）用として好適なものであっ
て、プリフォーマット部ＰＦとデータエリア部ＤＡでは
図６に示す如きプリグルーブ（案内溝）１がトラックピ
ッチ間隔（ここではトラックピッチ＝1.5 μｍ）で形成
されている。なお、上記したミラーマーク部ＭＭはプリ
グルーブはなく、ミラー面となっている。
方式（連続溝サーボ方式）用として好適なものであっ
て、プリフォーマット部ＰＦとデータエリア部ＤＡでは
図６に示す如きプリグルーブ（案内溝）１がトラックピ
ッチ間隔（ここではトラックピッチ＝1.5 μｍ）で形成
されている。なお、上記したミラーマーク部ＭＭはプリ
グルーブはなく、ミラー面となっている。
【０００６】光磁気ディスク10のプリグルーブ１−１間
のランド22には、図６のように、プリフォーマット部Ｐ
ＦではＶＦＯ１、ＶＦＯ２のＶＦＯ（同期信号パターン
ＶＦＯ１、ＶＦＯ２）信号ピット２等の信号ピットが予
めプリフォーマット化されて形成され、データエリア部
ＤＡではレーザービームによる情報記録トラックが設け
られている（但し、データエリア部ＤＡのＶＦＯ３はプ
リピットによるものではなく、レーザービームにより記
録されるものである）。そして、データエリア部ＤＡで
は、プリグルーブ１に沿ってレーザービームを照射する
ことにより、連続的にトラッキングサーボをかけながら
記録、再生等の操作を行い得るようになっている。
のランド22には、図６のように、プリフォーマット部Ｐ
ＦではＶＦＯ１、ＶＦＯ２のＶＦＯ（同期信号パターン
ＶＦＯ１、ＶＦＯ２）信号ピット２等の信号ピットが予
めプリフォーマット化されて形成され、データエリア部
ＤＡではレーザービームによる情報記録トラックが設け
られている（但し、データエリア部ＤＡのＶＦＯ３はプ
リピットによるものではなく、レーザービームにより記
録されるものである）。そして、データエリア部ＤＡで
は、プリグルーブ１に沿ってレーザービームを照射する
ことにより、連続的にトラッキングサーボをかけながら
記録、再生等の操作を行い得るようになっている。
【０００７】なお、光磁気ディスク10は、図７に拡大図
示するように、ポリカーボネート等の透明基板11にプリ
グルーブ１とランド22とをディスク半径方向に交互に形
成し、その上に、誘電体膜12、磁性膜13、誘電体膜14、
反射膜15、保護膜16を順次積層したものである。そし
て、上記した信号ピット２は、図６では楕円形の平面パ
ターンとして示すが、その厚み方向では図７において図
面上方へ突出した形状となっている（但し、図７では図
示省略）。
示するように、ポリカーボネート等の透明基板11にプリ
グルーブ１とランド22とをディスク半径方向に交互に形
成し、その上に、誘電体膜12、磁性膜13、誘電体膜14、
反射膜15、保護膜16を順次積層したものである。そし
て、上記した信号ピット２は、図６では楕円形の平面パ
ターンとして示すが、その厚み方向では図７において図
面上方へ突出した形状となっている（但し、図７では図
示省略）。
【０００８】こうした信号ピット２をはじめ、プリグル
ーブ１に沿ってランド22上に、直線偏光された読み取り
用のレーザービーム５を基板11側から照射し、この反射
光によってピットを光学的に検出し、所定のクロック信
号を再生したり、或いは光磁気記録又はその再生を行え
るようになっている。ディスク10は回転駆動されるの
で、レーザービームはプリグルーブ１に沿って（トラッ
ク方向に）ディスク10に対し相対的に走行することにな
る。
ーブ１に沿ってランド22上に、直線偏光された読み取り
用のレーザービーム５を基板11側から照射し、この反射
光によってピットを光学的に検出し、所定のクロック信
号を再生したり、或いは光磁気記録又はその再生を行え
るようになっている。ディスク10は回転駆動されるの
で、レーザービームはプリグルーブ１に沿って（トラッ
ク方向に）ディスク10に対し相対的に走行することにな
る。
【０００９】図８には、所定間隔ｄ（又はピッチ）で設
けられたピット２に対してレーザービーム５が照射され
る状態を概略的に示した。この場合、レーザービーム17
の偏光方向は矢印18で示すように、プリグルーブ１に対
して平行（即ち、トラック方向）となっている。
けられたピット２に対してレーザービーム５が照射され
る状態を概略的に示した。この場合、レーザービーム17
の偏光方向は矢印18で示すように、プリグルーブ１に対
して平行（即ち、トラック方向）となっている。
【００１０】こうした従来の光磁気ディスクシステムの
一例として、トラックピッチ（ランド間又はプリグルー
ブ間の距離）を 1.6μｍ、データの最小反転間隔を1.53
μｍ、レーザー波長を 780nm、対物レンズの開口数を0.
50としたときには、再生信号に与えるレーザー光の偏光
方向の依存性は小さかった。ここで、「最小反転間隔」
とは、再生信号が反転した後に再び同様に反転するまで
の間隔、即ち図８に示した距離ｄが最小となるときの間
隔を意味する。逆に「最大反転間隔」は、上記間隔（又
は距離ｄ）が最大となるときの間隔を意味する。
一例として、トラックピッチ（ランド間又はプリグルー
ブ間の距離）を 1.6μｍ、データの最小反転間隔を1.53
μｍ、レーザー波長を 780nm、対物レンズの開口数を0.
50としたときには、再生信号に与えるレーザー光の偏光
方向の依存性は小さかった。ここで、「最小反転間隔」
とは、再生信号が反転した後に再び同様に反転するまで
の間隔、即ち図８に示した距離ｄが最小となるときの間
隔を意味する。逆に「最大反転間隔」は、上記間隔（又
は距離ｄ）が最大となるときの間隔を意味する。
【００１１】ところが、トラックピッチ及びデータの最
小反転間隔を小さくした高密度光磁気ディスクシステム
の一例として、トラックピッチを1.39μｍ、データの最
小反転間隔を 1.3μｍ、レーザー波長を 780nm、対物レ
ンズの開口数を0.55としたときには、レーザー光の偏光
方向の影響が大きくなる。このことは、再生信号の特徴
を表す指標の一つである分解能に現れてくる。以下に、
その分解能の定義を示す。
小反転間隔を小さくした高密度光磁気ディスクシステム
の一例として、トラックピッチを1.39μｍ、データの最
小反転間隔を 1.3μｍ、レーザー波長を 780nm、対物レ
ンズの開口数を0.55としたときには、レーザー光の偏光
方向の影響が大きくなる。このことは、再生信号の特徴
を表す指標の一つである分解能に現れてくる。以下に、
その分解能の定義を示す。
【００１２】 そして、この値が１に近いほど、光磁気信号として優れ
ていることをあらわしている。
ていることをあらわしている。
【００１３】しかし、上記の如くに高密度化されると、
図９のように、信号振幅と相関性のあるＭＴＦ（変調伝
達関数）は、データの最小反転間隔の場合ａと最大反転
間隔の場合ｂとで差が大きくなってしまう。この場合、
特に、ＶＦＯ信号ピットはセクタマーク等よりも細密パ
ターンで形成されるので、上記したＭＴＦの低下による
振幅低下が生じ易い。
図９のように、信号振幅と相関性のあるＭＴＦ（変調伝
達関数）は、データの最小反転間隔の場合ａと最大反転
間隔の場合ｂとで差が大きくなってしまう。この場合、
特に、ＶＦＯ信号ピットはセクタマーク等よりも細密パ
ターンで形成されるので、上記したＭＴＦの低下による
振幅低下が生じ易い。
【００１４】この結果、高密度化に伴って、特に最小反
転間隔で記録された信号を再生したときにその信号振幅
の低下が大きくなり、上記に定義した分解能が悪くなっ
てしまう。
転間隔で記録された信号を再生したときにその信号振幅
の低下が大きくなり、上記に定義した分解能が悪くなっ
てしまう。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、最小
反転間隔で記録された信号（これは、予めディスクに成
形（プリフォーマット化）された凹凸パターン（ピッ
ト）や、光磁気記録された磁区パターン等の信号であっ
ても構わない。）を再生した場合、その信号振幅を大き
くして分解能を向上させ、高密度化に十分に対応できる
光ディスクシステムを提供することにある。
反転間隔で記録された信号（これは、予めディスクに成
形（プリフォーマット化）された凹凸パターン（ピッ
ト）や、光磁気記録された磁区パターン等の信号であっ
ても構わない。）を再生した場合、その信号振幅を大き
くして分解能を向上させ、高密度化に十分に対応できる
光ディスクシステムを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】即ち、請求項１に記載の
発明は、偏光された光を光ディスクに対して相対的に走
行させながら照射する（更には、信号の記録及び／又は
再生を行う）光ディスク装置において、前記光の偏光方
向がその走行方向に対して交差するように構成されてい
ることを特徴とする光ディスク装置に係るものである。
発明は、偏光された光を光ディスクに対して相対的に走
行させながら照射する（更には、信号の記録及び／又は
再生を行う）光ディスク装置において、前記光の偏光方
向がその走行方向に対して交差するように構成されてい
ることを特徴とする光ディスク装置に係るものである。
【００１７】また、請求項２に記載の発明は、光の偏光
方向が光ディスクのトラック方向に対して実質的に直交
している、請求項１に記載した光ディスク装置に係るも
のである。ここで、「実質的に直交」とは、完全に直交
（又は垂直）であるだけでなく、その誤差範囲も含み、
更に、完全な直交方向から±10°以内ずれた範囲も包含
するものである。
方向が光ディスクのトラック方向に対して実質的に直交
している、請求項１に記載した光ディスク装置に係るも
のである。ここで、「実質的に直交」とは、完全に直交
（又は垂直）であるだけでなく、その誤差範囲も含み、
更に、完全な直交方向から±10°以内ずれた範囲も包含
するものである。
【００１８】また、請求項３に記載の発明は、光が直線
偏光されたレーザー光であり、このレーザー光の波長を
λ（nm）、トラックピッチをＴ（μｍ）、記録情報の最
小反転間隔をＤ（μｍ）、対物レンズの開口数をＮＡと
したとき、 （λ×Ｔ×Ｄ／ＮＡ）＜ 3.0×103nm ・μｍ・μｍ ………(1） を満たしている、請求項１又は２に記載した光ディスク
装置に係るものである。
偏光されたレーザー光であり、このレーザー光の波長を
λ（nm）、トラックピッチをＴ（μｍ）、記録情報の最
小反転間隔をＤ（μｍ）、対物レンズの開口数をＮＡと
したとき、 （λ×Ｔ×Ｄ／ＮＡ）＜ 3.0×103nm ・μｍ・μｍ ………(1） を満たしている、請求項１又は２に記載した光ディスク
装置に係るものである。
【００１９】上記 (1)式は、光ディスクの高密度化を定
義した条件である。この場合、（λ／ＮＡ）＜ 1.5×10
3nm を満たしていることが望ましく、或いは（Ｔ×Ｄ）
＜ 2.0μｍ・μｍを満たしていることが望ましい。
義した条件である。この場合、（λ／ＮＡ）＜ 1.5×10
3nm を満たしていることが望ましく、或いは（Ｔ×Ｄ）
＜ 2.0μｍ・μｍを満たしていることが望ましい。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００２１】図１〜図４は、本発明を書換え可能な光磁
気ディスクプレーヤに適用した実施例を示すものであ
る。
気ディスクプレーヤに適用した実施例を示すものであ
る。
【００２２】本実施例によれば、図１及び図２に概略的
に示すように、ＶＦＯ信号ピット等のピット２が予めマ
ザリング時にカッティングされている（プリフォーマッ
ト化された）ランド22に対して、直線偏光された読み取
り用のレーザービーム35をプリグルーブ１に沿って相対
的に走行させるに際し、レーザービーム35の偏光方向38
をその走行方向（プリグルーブ１に沿う方向）と実質的
に直交して若しくは垂直に配していることが特徴的であ
る。
に示すように、ＶＦＯ信号ピット等のピット２が予めマ
ザリング時にカッティングされている（プリフォーマッ
ト化された）ランド22に対して、直線偏光された読み取
り用のレーザービーム35をプリグルーブ１に沿って相対
的に走行させるに際し、レーザービーム35の偏光方向38
をその走行方向（プリグルーブ１に沿う方向）と実質的
に直交して若しくは垂直に配していることが特徴的であ
る。
【００２３】このように偏光方向38をレーザービーム走
行方向と実質的に直交させることによって、意外にも、
ピット２の再生信号の振幅を増大させることができたの
である。これは、偏光方向38のためにレーザービーム35
がランド22内に十分に入り込み、ピット２を十分な光量
で照射できるためであると考えられる。
行方向と実質的に直交させることによって、意外にも、
ピット２の再生信号の振幅を増大させることができたの
である。これは、偏光方向38のためにレーザービーム35
がランド22内に十分に入り込み、ピット２を十分な光量
で照射できるためであると考えられる。
【００２４】図３には、レーザービームがプリグルーブ
１と実質的に直交又は垂直の偏光方向38を有する本実施
例の光学系（以下、垂直系と記すことがある。）と、プ
リグルーブ１と平行の偏光方向18（図８参照）を有する
従来の光学系（以下、平行系と記すことがある。）とを
用いて実際のディスクで光磁気信号の分解能を測定した
結果を示す。
１と実質的に直交又は垂直の偏光方向38を有する本実施
例の光学系（以下、垂直系と記すことがある。）と、プ
リグルーブ１と平行の偏光方向18（図８参照）を有する
従来の光学系（以下、平行系と記すことがある。）とを
用いて実際のディスクで光磁気信号の分解能を測定した
結果を示す。
【００２５】この実験には、垂直系では波長 780nm、レ
ンズの開口数0.55のものを、平行系では波長 780nm、レ
ンズの開口数0.53のものを使用した。実験に使用した
1.4μｍのトラックピッチに(2.7）変調された信号を記
録した。そして、再生信号の分解能（これは既述した定
義によるもの）を測定した。信号を記録する時のレーザ
ーの強度を変えながら振幅比を測定した結果を図３にま
とめたが、図中の○が垂直系の結果を表し、●が平行系
の結果を表している。
ンズの開口数0.55のものを、平行系では波長 780nm、レ
ンズの開口数0.53のものを使用した。実験に使用した
1.4μｍのトラックピッチに(2.7）変調された信号を記
録した。そして、再生信号の分解能（これは既述した定
義によるもの）を測定した。信号を記録する時のレーザ
ーの強度を変えながら振幅比を測定した結果を図３にま
とめたが、図中の○が垂直系の結果を表し、●が平行系
の結果を表している。
【００２６】図３から、垂直系の光学系の方が分解能が
良いことが明らかであり、本発明の優位性を示してい
る。これは特に、上記したピット２の如き信号ピットを
再生するときに顕著となる。この場合、実際にドライブ
で使用することのできるレーザーパワーは、低パワー側
は最小反転間隔で記録される信号の信号雑音比によって
制限され、高パワー側はこの分解能によって制限される
ことになる。即ち、分解能が高いほうが広い範囲のレー
ザーパワーを使うことができるのである。従って、この
実験結果から、垂直系の方がシステムとして広いパワー
マージンを有していることが分かる。
良いことが明らかであり、本発明の優位性を示してい
る。これは特に、上記したピット２の如き信号ピットを
再生するときに顕著となる。この場合、実際にドライブ
で使用することのできるレーザーパワーは、低パワー側
は最小反転間隔で記録される信号の信号雑音比によって
制限され、高パワー側はこの分解能によって制限される
ことになる。即ち、分解能が高いほうが広い範囲のレー
ザーパワーを使うことができるのである。従って、この
実験結果から、垂直系の方がシステムとして広いパワー
マージンを有していることが分かる。
【００２７】このことから、記録容量を上げるために狭
トラックピッチ化や高線密度化を行った光磁気ディスク
の記録再生のためには、本発明に基いてレーザーの偏光
方向を案内溝に垂直に配置した光学系は、最小反転間隔
で記録された信号の再生時にその信号振幅を大きくでき
ることから、分解能を向上させるのに有効であると言え
る。
トラックピッチ化や高線密度化を行った光磁気ディスク
の記録再生のためには、本発明に基いてレーザーの偏光
方向を案内溝に垂直に配置した光学系は、最小反転間隔
で記録された信号の再生時にその信号振幅を大きくでき
ることから、分解能を向上させるのに有効であると言え
る。
【００２８】本発明に基く垂直系の光学系は、特に高密
度化されたディスクにおいて効果的であるが、ここでい
う「高密度」とは、上述した式(1) で示される条件を満
たすことを意味する。
度化されたディスクにおいて効果的であるが、ここでい
う「高密度」とは、上述した式(1) で示される条件を満
たすことを意味する。
【００２９】即ち、式(1) 中の４つのパラメータのう
ち、高密度化に伴って、ＮＡは増大し、λ、Ｔ、Ｄは減
少する方向に進むはずである。λ／ＮＡはレンズで絞ら
れたレーザー光のスポットサイズを示し、Ｔ×Ｄは記録
の密度に対応するが、どちらの値も高密度化で減少する
ものと思われる。
ち、高密度化に伴って、ＮＡは増大し、λ、Ｔ、Ｄは減
少する方向に進むはずである。λ／ＮＡはレンズで絞ら
れたレーザー光のスポットサイズを示し、Ｔ×Ｄは記録
の密度に対応するが、どちらの値も高密度化で減少する
ものと思われる。
【００３０】そこで、（λ／ＮＡ）×（Ｔ×Ｄ）なる式
において現行で使用されている5.25インチ、 3.5インチ
の光磁気ディスクシステムでは、λ＝ 780nm、ＮＡ＝0.
53、Ｔ＝ 1.6μｍ、Ｄ＝1.53μｍ（２−７変調マークポ
ジション方式）では（λ／ＮＡ）×（Ｔ×Ｄ）＝ 3.6×
103 nm・μｍ・μｍとなる。また、高密度の次世代シス
テムで採用されるであろう値はλ＝ 780nm、ＮＡ＝0.5
5、Ｔ＝1.39μｍ、Ｄ＝1.29μｍであるから、（λ／Ｎ
Ａ）×（Ｔ×Ｄ）＝ 2.5×103 nm・μｍ・μｍとなる。
従って、この次世代システムの値から、（λ／ＮＡ）×
（Ｔ×Ｄ）＜ 3.0×103 nm・μｍ・μｍのものを本明細
書では「高密度」システムと定義する。
において現行で使用されている5.25インチ、 3.5インチ
の光磁気ディスクシステムでは、λ＝ 780nm、ＮＡ＝0.
53、Ｔ＝ 1.6μｍ、Ｄ＝1.53μｍ（２−７変調マークポ
ジション方式）では（λ／ＮＡ）×（Ｔ×Ｄ）＝ 3.6×
103 nm・μｍ・μｍとなる。また、高密度の次世代シス
テムで採用されるであろう値はλ＝ 780nm、ＮＡ＝0.5
5、Ｔ＝1.39μｍ、Ｄ＝1.29μｍであるから、（λ／Ｎ
Ａ）×（Ｔ×Ｄ）＝ 2.5×103 nm・μｍ・μｍとなる。
従って、この次世代システムの値から、（λ／ＮＡ）×
（Ｔ×Ｄ）＜ 3.0×103 nm・μｍ・μｍのものを本明細
書では「高密度」システムと定義する。
【００３１】ここで、上記式において、（λ／ＮＡ）＜
1.5nm×103nm とするのがより厳密な高密度化の定義で
あり、或いは（Ｔ×Ｄ）＜ 2.0μｍ・μｍとすることが
よい。
1.5nm×103nm とするのがより厳密な高密度化の定義で
あり、或いは（Ｔ×Ｄ）＜ 2.0μｍ・μｍとすることが
よい。
【００３２】本発明に基くレーザー光の偏光方向は上記
した垂直系に限らず、光学系をセットするときの誤差範
囲内をはじめ、実質的に垂直である範囲内であればよ
い。特に、ディスクの基板の複屈折の主軸の具合によっ
ては垂直方向から±５°程度はずれる可能性があるた
め、許容範囲としては、少し余裕を見て、垂直方向に対
して±10°程度の範囲内であればよく、この範囲内のも
のを「実質的に垂直又は直交」（即ち、垂直と殆ど差の
ない効果を生じる方向）とする。
した垂直系に限らず、光学系をセットするときの誤差範
囲内をはじめ、実質的に垂直である範囲内であればよ
い。特に、ディスクの基板の複屈折の主軸の具合によっ
ては垂直方向から±５°程度はずれる可能性があるた
め、許容範囲としては、少し余裕を見て、垂直方向に対
して±10°程度の範囲内であればよく、この範囲内のも
のを「実質的に垂直又は直交」（即ち、垂直と殆ど差の
ない効果を生じる方向）とする。
【００３３】上記のように、レーザー光の偏光方向をプ
リグルーブと実質的に垂直又は直交させ、特に垂直系と
して構成するには、レーザー光の偏光方向をそのように
制御するために下記に述べるレーザーダイオードを通常
の配置から90度回せばよい。
リグルーブと実質的に垂直又は直交させ、特に垂直系と
して構成するには、レーザー光の偏光方向をそのように
制御するために下記に述べるレーザーダイオードを通常
の配置から90度回せばよい。
【００３４】即ち、図４には、ディスク10に対し上記垂
直方向の偏光方向をもつレーザー光35を入射させる光学
系として、通常の配置から90度回転させてレーザーダイ
オード36を設ける。通常のレーザーダイオードの配置で
は出射されたレーザー光は図８の如くにプリグルーブに
平行の偏光方向となっているので、レーザーダイオード
を90度回すだけでプリグルーブと直交する偏光方向が容
易に得られるのである。
直方向の偏光方向をもつレーザー光35を入射させる光学
系として、通常の配置から90度回転させてレーザーダイ
オード36を設ける。通常のレーザーダイオードの配置で
は出射されたレーザー光は図８の如くにプリグルーブに
平行の偏光方向となっているので、レーザーダイオード
を90度回すだけでプリグルーブと直交する偏光方向が容
易に得られるのである。
【００３５】なお、同図中において、33は偏光ビームス
プリッター、34はビーム断面整形プリズム、35はコリメ
ーターレンズ、36はレーザーダイオード、37は偏光ビー
ムスプリッター、38はレンズ、39はシリンドリカルレン
ズ、40はホトダイオードアレイ、41は半波長板、42はレ
ンズ、43は偏光ビームスプリッター、44はホトダイオー
ド、45はホトダイオード、46は磁気ヘッドをそれぞれ示
す。
プリッター、34はビーム断面整形プリズム、35はコリメ
ーターレンズ、36はレーザーダイオード、37は偏光ビー
ムスプリッター、38はレンズ、39はシリンドリカルレン
ズ、40はホトダイオードアレイ、41は半波長板、42はレ
ンズ、43は偏光ビームスプリッター、44はホトダイオー
ド、45はホトダイオード、46は磁気ヘッドをそれぞれ示
す。
【００３６】以上、本発明を実施例について説明した
が、上述の実施例は本発明の技術的思想に基いて更に変
形が可能である。
が、上述の実施例は本発明の技術的思想に基いて更に変
形が可能である。
【００３７】例えば、上述したレーザービームの偏光方
向はトラック方向（プリグルーブ方向）に対して交差す
る方向であれば、良好な分解能が得られる限り本発明に
採用することができる。ビームの偏光方向の制御手段や
ディスクシステムの構成等は種々変更してよい。
向はトラック方向（プリグルーブ方向）に対して交差す
る方向であれば、良好な分解能が得られる限り本発明に
採用することができる。ビームの偏光方向の制御手段や
ディスクシステムの構成等は種々変更してよい。
【００３８】また、上述の例はプリピット等のピットの
如き予め成形された凹凸パターンに本発明を適用して効
果のあるものであるが、光磁気記録された磁区パターン
等の信号にも適用しても差支えない。
如き予め成形された凹凸パターンに本発明を適用して効
果のあるものであるが、光磁気記録された磁区パターン
等の信号にも適用しても差支えない。
【００３９】また、上述の例はプリグルーブ（案内溝）
を設けた例えばＣＳ（連続溝サーボ）方式のディスクに
ついてのものであるが、プリグルーブのない例えばＳＦ
（サンプルサーボ）方式におけるプリピット、更にはＣ
Ｄ等の再生専用ディスク等のピットに対しても、本発明
の適用は可能である。
を設けた例えばＣＳ（連続溝サーボ）方式のディスクに
ついてのものであるが、プリグルーブのない例えばＳＦ
（サンプルサーボ）方式におけるプリピット、更にはＣ
Ｄ等の再生専用ディスク等のピットに対しても、本発明
の適用は可能である。
【００４０】
【発明の作用効果】本発明は上述した如く、直線偏光さ
れたレーザー光の偏光方向をその走行方向に対して交差
するようにしたので、最小反転間隔で記録された信号の
再生時にその信号振幅を大きくでき、分解能を向上さ
せ、高密度化に十分対応させることができる。
れたレーザー光の偏光方向をその走行方向に対して交差
するようにしたので、最小反転間隔で記録された信号の
再生時にその信号振幅を大きくでき、分解能を向上さ
せ、高密度化に十分対応させることができる。
【図１】本発明を書換え可能な光磁気ディスクに適用し
た実施例によるディスク要部の概略拡大斜視図である。
た実施例によるディスク要部の概略拡大斜視図である。
【図２】同要部の概略平面図である。
【図３】トラック方向に対する偏光方向が垂直又は平行
の垂直系又は平行系の光学系を用いた光磁気信号の分解
能の測定結果を比較して示すグラフである。
の垂直系又は平行系の光学系を用いた光磁気信号の分解
能の測定結果を比較して示すグラフである。
【図４】光磁気ディスクシステムの光学系の概略図であ
る。
る。
【図５】光磁気ディスクのＩＳＯフォーマットによる１
セクタのレイアウト図である。
セクタのレイアウト図である。
【図６】書換え可能な従来の光磁気ディスクのディスク
要部の拡大平面図である。
要部の拡大平面図である。
【図７】同光磁気ディスクの一部分の断面拡大斜視図で
ある。
ある。
【図８】同光磁気ディスクの要部の概略平面図である。
【図９】同光磁気ディスクでの密度とＭＴＦ（変調伝達
関数）との関係を示す概略図である。
関数）との関係を示す概略図である。
１・・・プリグルーブ（案内溝） ２・・・ＶＦＯ信号ピット（同期信号ピット） ５、35・・・レーザービーム 10・・・光磁気ディスク（ＭＯ） 13・・・磁性膜（光磁気記録膜） 18、38・・・偏光方向 22・・・ランド 31・・・対物レンズ 32・・・ミラー 36・・・レーザーダイオード 40・・・ホトダイオードアレイ 45・・・ホトダイオード
Claims (5)
- 【請求項１】 偏光された光を光ディスクに対して相対
的に走行させながら照射する光ディスク装置において、
前記光の偏光方向がその走行方向に対して交差するよう
に構成されていることを特徴とする光ディスク装置。 - 【請求項２】 光の偏光方向が光ディスクのトラック方
向に対して実質的に直交している、請求項１に記載した
光ディスク装置。 - 【請求項３】 光が直線偏光されたレーザー光であり、
このレーザー光の波長をλ（nm）、トラックピッチをＴ
（μｍ）、記録情報の最小反転間隔をＤ（μｍ）、対物
レンズの開口数をＮＡとしたとき、 （λ×Ｔ×Ｄ／ＮＡ）＜ 3.0×103nm ・μｍ・μｍ を満たしている、請求項１又は２に記載した光ディスク
装置。 - 【請求項４】 （λ／ＮＡ）＜ 1.5×103nm を満たして
いる、請求項３に記載した光ディスク装置。 - 【請求項５】 （Ｔ×Ｄ）＜ 2.0μｍ・μｍを満たして
いる、請求項３に記載した光ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341491A JPH06168451A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 光ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341491A JPH06168451A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 光ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168451A true JPH06168451A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18346470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4341491A Pending JPH06168451A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 光ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06168451A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6760294B2 (en) | 2000-07-24 | 2004-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup device |
| WO2005055216A1 (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学情報再生装置 |
| US7327657B2 (en) | 2000-04-07 | 2008-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reproduction signal evaluation method |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP4341491A patent/JPH06168451A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7327657B2 (en) | 2000-04-07 | 2008-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reproduction signal evaluation method |
| US7394740B2 (en) | 2000-04-07 | 2008-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reproduction signal evaluation method |
| US6760294B2 (en) | 2000-07-24 | 2004-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup device |
| WO2005055216A1 (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学情報再生装置 |
| JPWO2005055216A1 (ja) * | 2003-12-04 | 2007-06-28 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報再生装置 |
| US8018801B2 (en) | 2003-12-04 | 2011-09-13 | Panasonic Corporation | Optical information reproduction device |
| JP5100010B2 (ja) * | 2003-12-04 | 2012-12-19 | パナソニック株式会社 | 光学情報再生装置 |
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