JPH06152263A - Amplifier - Google Patents
AmplifierInfo
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- JPH06152263A JPH06152263A JP29942392A JP29942392A JPH06152263A JP H06152263 A JPH06152263 A JP H06152263A JP 29942392 A JP29942392 A JP 29942392A JP 29942392 A JP29942392 A JP 29942392A JP H06152263 A JPH06152263 A JP H06152263A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は増幅器に関し、特に高周
波の広帯域トランジスタ増幅回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an amplifier, and more particularly to a high frequency wide band transistor amplifier circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のバイポーラトランジスタ増幅器に
おいて、特に高周波のマルチ帰還広帯域増幅器には、初
段のエミッタ接地回路と終段のエミッタ接地回路とが縦
続接続され、かつ初段のエミッタ接地回路のエミッタと
終段のエミッタ接地回路のコレクタとの間に電圧直列帰
還抵抗が接続され、かつ初段のエミッタ接地回路のベー
スと終段のエミッタ接地回路のエミッタとの間に電流並
列帰還抵抗を接続した回路があった。このトランジスタ
増幅器では、入出力部のインピーダンスマッチングが行
なわれ、かつ広帯域の利得周波数特性を持たせようとし
ていた。2. Description of the Related Art In a conventional bipolar transistor amplifier, particularly a high-frequency multi-feedback broadband amplifier, a first-stage grounded-emitter circuit and a final-stage grounded-emitter circuit are connected in cascade, and an emitter and a final-stage emitter-grounded circuit are connected. There is a circuit in which a voltage series feedback resistor is connected between the collector of the stage grounded-emitter circuit and a current parallel feedback resistor is connected between the base of the first stage grounded-emitter circuit and the emitter of the final stage grounded-emitter circuit. It was In this transistor amplifier, the impedance matching of the input / output portion is performed, and it is intended to have a gain-frequency characteristic in a wide band.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のトラン
ジスタ増幅器では、初段と終段のエミッタ接地回路同士
が縦続接続されている為、終段のエミッタ接地回路の入
力インピーダンスが初段のエミッタ接地回路の負荷にな
っていて、その値が高く、かつ初段がエミッタ接地回路
となっている為、コレクタ−ベース間容量Ccsがコレ
クタからエミッタへの帰還容量となってミラー効果を生
じ、高域における周波数特性を劣化させるという問題点
があった。In the above-described conventional transistor amplifier, since the first-stage and the last-stage grounded emitter circuits are connected in cascade, the input impedance of the last-stage emitter grounded circuit is equal to that of the first-stage emitter grounded circuit. Since it is a load and its value is high and the first stage is a grounded-emitter circuit, the collector-base capacitance Ccs serves as a feedback capacitance from the collector to the emitter to produce the Miller effect, and the frequency characteristic in the high range. There was a problem that it deteriorated.
【0004】本発明の目的は、前記問題点が解決され、
簡単な構成で高域における周波数特性の改善を行なった
増幅器を提供することにある。The object of the present invention is to solve the above problems.
It is an object of the present invention to provide an amplifier having improved frequency characteristics in a high frequency band with a simple structure.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の増幅器の構成
は、第1のエミッタ接地回路と、前記第1のエミッタ接
地回路とカスケード接続されたベース接地回路と、前記
ベース接地回路に縦続接続された第2のエミッタ接地回
路と、前記第2のエミッタ接地回路から前記第1のエミ
ッタ接地へ電圧及び電流帰還する手段とを設けたことを
特徴とする。The amplifier of the present invention has a first grounded-emitter circuit, a grounded-base circuit cascade-connected to the first grounded-emitter circuit, and a cascade connection to the grounded-base circuit. A second grounded-emitter circuit and means for feeding back voltage and current from the second grounded-emitter circuit to the first grounded-emitter are provided.
【0006】[0006]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の第1の実施例の増幅器の要
部を示す回路図である。図1において、トランジスタと
してNPN型バイポーラトランジスタだけを用いた実施
例を示す。なお、バイアス回路は省略してある。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a main part of an amplifier according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 shows an embodiment in which only NPN type bipolar transistors are used as transistors. The bias circuit is omitted.
【0007】本実施例のトランジスタ増幅器は、トラン
ジスタQ1と、一端がトランジスタQ1のエミッタに接
続され他端が接地されたエミッタ抵抗R2から構成され
る電流直列帰還抵抗と、この回路とカスケード接続され
たトランジスタQ2によるベース接地回路と、さらに前
記ベース接地回路と縦続接続されたトランジスタQ3に
よるエミッタ接地回路の出力電極であるコレクタとトラ
ンジスタQ1のエミッタとの間に接続された帰還抵抗R
1から構成される電圧直列帰還抵抗と、終段のエミッタ
接地回路のエミッタと初段のエミッタ接地回路の入力電
極としてのベースとの間に接続された抵抗R3から構成
される電流並列帰還抵抗とを備えている。The transistor amplifier of this embodiment is connected in cascade with a transistor Q1, a current series feedback resistor composed of an emitter resistor R2 having one end connected to the emitter of the transistor Q1 and the other end grounded. A feedback resistor R connected between the collector, which is the output electrode of the grounded base circuit of the transistor Q2, and the output electrode of the grounded emitter circuit of the transistor Q3, which is cascade-connected to the base ground circuit, and the emitter of the transistor Q1.
A voltage series feedback resistor composed of 1 and a current parallel feedback resistor composed of a resistor R3 connected between the emitter of the final-stage grounded-emitter circuit and the base as an input electrode of the first-stage grounded-emitter circuit. I have it.
【0008】さらに、トランジスタQ3のエミッタと接
地との間に、抵抗R4を接続し、トランジスタQ1,Q
3のコレクタと電源VCC端子との間に、それぞれ抵抗
R5,R6を接続している。Further, a resistor R4 is connected between the emitter of the transistor Q3 and the ground to connect the transistors Q1 and Q1.
Resistors R5 and R6 are connected between the collector of No. 3 and the power supply VCC terminal, respectively.
【0009】次に、本実施例の動作について説明する。
トランジスタQ1によるエミッタ接地回路に対して、ト
ランジスタQ2によるベース接地回路をカスケードに接
続したことにより、トランジスタQ1によるエミッタ接
地回路単独の場合に比べて高域の周波数特性は大幅に改
善される。その理由は、トランジスタQ2によるベース
接地回路の入力インピーダンスが低くかつトランジスタ
Q1のエミッタ接地回路の負荷として働くからである。
前記のトランジスタQ1によるエミッタ接地回路とカス
ケード接続されたトランジスタQ2によるベース接地回
路を1つの回路として、更にトランジスタQ3によるエ
ミッタ接地回路を縦続接続し、かつトランジスタQ3の
コレクタとトランジスタQ1のエミッタ間に電圧直列帰
還抵抗R1を接続し、トランジスタQ3のエミッタとト
ランジスタQ1のベース間に電流並列帰還抵抗R3を接
続することにより、複合化されたマルチ帰還回路構成と
することになり、高域における周波数特性の改善を図っ
ている。Next, the operation of this embodiment will be described.
By connecting the grounded base circuit of the transistor Q2 in cascade to the grounded emitter circuit of the transistor Q1, the high-frequency characteristic is significantly improved as compared with the case of the grounded emitter circuit of the transistor Q1 alone. The reason is that the grounded base circuit of the transistor Q2 has a low input impedance and acts as a load for the grounded emitter circuit of the transistor Q1.
The grounded-emitter circuit formed by the transistor Q1 and the grounded-base circuit formed by the transistor Q2 connected in cascade are connected as a single circuit, and the grounded-emitter circuit formed by the transistor Q3 is connected in cascade. By connecting the series feedback resistor R1 and connecting the current parallel feedback resistor R3 between the emitter of the transistor Q3 and the base of the transistor Q1, a composite multi-feedback circuit configuration is obtained, and the frequency characteristics in the high frequency range are improved. We are making improvements.
【0010】図2は本発明の第2の実施例の増幅器を示
す回路図である。図2において、本第2の実施例の増幅
器は、図1の回路の抵抗R2,R4と並列に、それぞれ
ピーキング用コンデンサC1,C2を接続した回路であ
る。FIG. 2 is a circuit diagram showing an amplifier according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 2, the amplifier of the second embodiment is a circuit in which peaking capacitors C1 and C2 are connected in parallel with the resistors R2 and R4 of the circuit of FIG.
【0011】図2では、高域における周波数特性の更な
る改善の為、図1の回路に対して、トランジスタQ1及
びトランジスタQ3のエミッタ抵抗R2,R4に対し、
並列にエミッタピーキング容量C1,C2を接続したも
のてある。In FIG. 2, in order to further improve the frequency characteristic in the high frequency range, the emitter resistances R2 and R4 of the transistor Q1 and the transistor Q3 are compared with the circuit of FIG.
In this example, the emitter peaking capacitors C1 and C2 are connected in parallel.
【0012】図3は、図2の第2の実施例の回路をPN
P型トランジスタで構成した第3の実施例を示す回路図
である。図3において、本実施例の動作は図2と同様で
ある。図3のコンデンサC1,C2を除去すれば、図1
の回路をPNPトランジスタで構成したものと同等であ
る。FIG. 3 shows the circuit of the second embodiment of FIG.
It is a circuit diagram which shows the 3rd Example comprised with the P-type transistor. In FIG. 3, the operation of this embodiment is similar to that of FIG. By removing the capacitors C1 and C2 of FIG.
This circuit is the same as that of the circuit of PNP transistor.
【0013】尚、図1,図2はNPN型トランジスタに
ついて示したが、PNP型トランジスタでも構成でき、
またバイポーラトランジスタの他に、電界効果トランジ
スタを用いてもよい。この場合は、トランジスタのコレ
クタ,エミッタ,ベースが、それぞれ電界効果トランジ
スタのドレイン,ソース,ゲートに置き換えられ、その
他の回路部分は図1,図2と同様である。Although FIGS. 1 and 2 show the NPN type transistor, a PNP type transistor can also be used.
A field effect transistor may be used instead of the bipolar transistor. In this case, the collector, emitter, and base of the transistor are replaced with the drain, source, and gate of the field effect transistor, respectively, and the other circuit parts are the same as those in FIGS. 1 and 2.
【0014】以上説明したように、本発明によれば、例
えば縦続接続された初段のエミッタ(ソース)接地回路
のコレクタ(ドレイン)と終段のエミッタ(ソース)接
地回路のベース(ゲート)との間にベース(ゲート)接
地回路を挿入し、かつ終段のエミッタ(ソース)接地回
路のコレクタ(ドレイン)と初段のエミッタ(ソース)
接地回路のエミッタ(ソース)との間に電圧直列帰還抵
抗を接続し、かつ初段のベース(ゲート)と終段のエミ
ッタ(ソース)との間に電流並列帰還抵抗を接続した増
幅器が得られ、従来のマルチ帰還型の増幅器の高域周波
数特性を改善するのに、簡単な構成で安価に製造でき
る。As described above, according to the present invention, for example, the collector (drain) of the first-stage emitter (source) ground circuit and the base (gate) of the last-stage emitter (source) ground circuit are connected in cascade. Insert a base (gate) ground circuit between them, and a collector (drain) and a first stage emitter (source) of the final stage emitter (source) ground circuit
An amplifier in which a voltage series feedback resistor is connected between the ground circuit emitter (source) and a current parallel feedback resistor is connected between the first stage base (gate) and the final stage emitter (source), In order to improve the high frequency characteristic of the conventional multi-feedback amplifier, it can be manufactured at a low cost with a simple structure.
【0015】[0015]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電圧,電流帰還手段等を設けたことにより、特に高域周
波数特性が改善できる等の効果が得られる。As described above, according to the present invention,
By providing the voltage / current feedback means and the like, it is possible to obtain an effect that the high frequency characteristic can be improved.
【図1】本発明の第1の実施例の増幅器を示す回路図で
ある。FIG. 1 is a circuit diagram showing an amplifier according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention.
Q1,Q2,Q3 トランジスタ C1,C2 コンデンサ R1,R2,R3,R4,R5,R6 抵抗 Q1, Q2, Q3 transistors C1, C2 capacitors R1, R2, R3, R4, R5, R6 resistors
Claims (2)
エミッタ接地回路とカスケード接続されたベース接地回
路と、前記ベース接地回路に縦続接続された第2のエミ
ッタ接地回路と、前記第2のエミッタ接地回路から前記
第1のエミッタ接地へ電圧及び電流帰還する手段とを設
けたことを特徴とする増幅器。1. A first grounded-emitter circuit, a base-grounded circuit cascade-connected to the first grounded-emitter circuit, a second grounded-emitter circuit cascade-connected to the base-grounded circuit, and the second Means for feeding back voltage and current from the grounded-emitter circuit to the first grounded emitter.
ぞれピーキング用コンデンサを備えている請求項1に記
載の増幅器。2. The amplifier according to claim 1, wherein the first and second grounded-emitter circuits each include a peaking capacitor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29942392A JPH06152263A (en) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | Amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29942392A JPH06152263A (en) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | Amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06152263A true JPH06152263A (en) | 1994-05-31 |
Family
ID=17872379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29942392A Withdrawn JPH06152263A (en) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | Amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06152263A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013094138A1 (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | パナソニック株式会社 | Variable gain amplifier |
JP2014011668A (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | Electronic circuit |
-
1992
- 1992-11-10 JP JP29942392A patent/JPH06152263A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013094138A1 (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | パナソニック株式会社 | Variable gain amplifier |
JP2013131829A (en) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Panasonic Corp | Variable gain amplifier |
CN103620956A (en) * | 2011-12-20 | 2014-03-05 | 松下电器产业株式会社 | Variable gain amplifier |
US9035700B2 (en) | 2011-12-20 | 2015-05-19 | Panasonic Corporation | Variable gain amplifier |
JP2014011668A (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | Electronic circuit |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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