JPH06140814A - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
- Publication number
- JPH06140814A JPH06140814A JP28615792A JP28615792A JPH06140814A JP H06140814 A JPH06140814 A JP H06140814A JP 28615792 A JP28615792 A JP 28615792A JP 28615792 A JP28615792 A JP 28615792A JP H06140814 A JPH06140814 A JP H06140814A
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- JP
- Japan
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- microwave
- circuit
- high frequency
- amplifier circuit
- band
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】マイクロ波用ＩＣを用いたマイクロ波回路にお
いて、低温時下での異常発振を防止することができるマ
イクロ波回路を提供するにある。 【構成】チップコンデンサ１２を帯域フィルタ１０の出
力端と、マイクロ波用ＩＣ１１の高周波信号入力端子
との間に挿入している。チップコンデンサ１２はその損
失分によって、異常発振が起きやすい周波数での帯域フ
ィルタ１０の反射を低減し、低温下で利得が増加しても
異常発振が起きるのを防止することができる。
いて、低温時下での異常発振を防止することができるマ
イクロ波回路を提供するにある。 【構成】チップコンデンサ１２を帯域フィルタ１０の出
力端と、マイクロ波用ＩＣ１１の高周波信号入力端子
との間に挿入している。チップコンデンサ１２はその損
失分によって、異常発振が起きやすい周波数での帯域フ
ィルタ１０の反射を低減し、低温下で利得が増加しても
異常発振が起きるのを防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、通信衛星や、放送衛星
からの信号を受信するアンテナに接続される、受信信号
を周波数変換（ダウン・コンバート）するＬＮＢ（Ｌｏ
ｗ Ｎｏｉｓｅ Ｂｌｏｃｋ ｄｏｗｎ ｃｏｎｖｅｒ
ｔｅｒ）等に用いられるマイクロ波回路に関する。
からの信号を受信するアンテナに接続される、受信信号
を周波数変換（ダウン・コンバート）するＬＮＢ（Ｌｏ
ｗ Ｎｏｉｓｅ Ｂｌｏｃｋ ｄｏｗｎ ｃｏｎｖｅｒ
ｔｅｒ）等に用いられるマイクロ波回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波回路利用の市場としては、衛
星放送用ＬＮＢが一番にあげられる。従来ＬＮＢの回路
としては図４のブロック図に示すように導波管入力部８
からの高周波信号（ＲＦ信号）を増幅する高周波増幅回
路１と、帯域フィルタ２と、ミキサ回路３と、局部発振
器４と、中間周波増幅回路５と、電源回路６と、出力部
７とからなり、高周波に関わる回路にはＧａＡｓＦＥＴ
（ガリウム・ヒ素電界効果トランジスタ）等のマイクロ
波能動素子を用いたディスクリート回路方式を採用して
いた。
星放送用ＬＮＢが一番にあげられる。従来ＬＮＢの回路
としては図４のブロック図に示すように導波管入力部８
からの高周波信号（ＲＦ信号）を増幅する高周波増幅回
路１と、帯域フィルタ２と、ミキサ回路３と、局部発振
器４と、中間周波増幅回路５と、電源回路６と、出力部
７とからなり、高周波に関わる回路にはＧａＡｓＦＥＴ
（ガリウム・ヒ素電界効果トランジスタ）等のマイクロ
波能動素子を用いたディスクリート回路方式を採用して
いた。
【０００３】ところが近年、回路の小型化や信頼性向上
等の目的でマイクロ波回路のＩＣ化の気運が高まってき
ている。このようなマイクロ波用ＩＣはＧａＡｓ基板上
に各回路を構成するためＭＭＩＣ（ＭｏｎｏｌＩｔｈｃ
Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒ
ｃｕｉｔ）と呼ばれている。ＩＣ化する場合、ＬＮＢの
マイクロ波回路の全てをＩＣ化する方法もあるが性能面
・コスト面を考慮すると、図４の破線枠Ａで囲まれた回
路部分に高周波増幅回路を加えた回路のＩＣ化が現実的
であり、半導体メーカより発売されるようになってきて
いる。図５はそのＭＭＩＣからなるマイクロ波用ＩＣ１
１の構成例を示しており、このマイクロ波用ＩＣ１１は
高周波増幅回路１’、ミキサ回路３’、局部発振器
４’、中間周波増幅回路５’からなる。
等の目的でマイクロ波回路のＩＣ化の気運が高まってき
ている。このようなマイクロ波用ＩＣはＧａＡｓ基板上
に各回路を構成するためＭＭＩＣ（ＭｏｎｏｌＩｔｈｃ
Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒ
ｃｕｉｔ）と呼ばれている。ＩＣ化する場合、ＬＮＢの
マイクロ波回路の全てをＩＣ化する方法もあるが性能面
・コスト面を考慮すると、図４の破線枠Ａで囲まれた回
路部分に高周波増幅回路を加えた回路のＩＣ化が現実的
であり、半導体メーカより発売されるようになってきて
いる。図５はそのＭＭＩＣからなるマイクロ波用ＩＣ１
１の構成例を示しており、このマイクロ波用ＩＣ１１は
高周波増幅回路１’、ミキサ回路３’、局部発振器
４’、中間周波増幅回路５’からなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところでＬＮＢとして
は、屋外で使用されることが前提であるため、温度とし
て、−３０℃〜＋５０℃にて動作に以上が無いこと必要
である。しかし一般にＧａＡｓＦＥＴやＨＥＭＴで高周
波増幅回路を構成した場合、低温にて利得が増加し、異
常発振が起こり易くなる傾向にある。ＭＭＩＣからなる
マイクロ波用ＩＣ１１においても、高周波増幅回路１’
はＧａＡｓＦＥＴを基本として構成されるため、その例
外ではない。
は、屋外で使用されることが前提であるため、温度とし
て、−３０℃〜＋５０℃にて動作に以上が無いこと必要
である。しかし一般にＧａＡｓＦＥＴやＨＥＭＴで高周
波増幅回路を構成した場合、低温にて利得が増加し、異
常発振が起こり易くなる傾向にある。ＭＭＩＣからなる
マイクロ波用ＩＣ１１においても、高周波増幅回路１’
はＧａＡｓＦＥＴを基本として構成されるため、その例
外ではない。
【０００５】本発明は、上述の問題点に鑑みて為された
もので、その目的とするところはマイクロ波用ＩＣを用
いたマイクロ波回路において、低温時下での異常発振を
防止することができるマイクロ波回路を提供するにあ
る。
もので、その目的とするところはマイクロ波用ＩＣを用
いたマイクロ波回路において、低温時下での異常発振を
防止することができるマイクロ波回路を提供するにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、高周波増幅回路と、局部発
振回路と、ミキサ回路と、中間周波増幅回路とが一体に
なったマイクロ波用ＩＣと、このマイクロ波用ＩＣの入
力部と、マイクロ波用ＩＣの高周波増幅回路の信号周波
数帯を通過帯域とした帯域フィルタの出力部とを接続し
てなるマイクロ波回路において、上記帯域フィルタの出
力部と、上記マイクロ波用ＩＣの入力部との間にインピ
ーダンス素子を挿入したものである。
に、請求項１記載の発明は、高周波増幅回路と、局部発
振回路と、ミキサ回路と、中間周波増幅回路とが一体に
なったマイクロ波用ＩＣと、このマイクロ波用ＩＣの入
力部と、マイクロ波用ＩＣの高周波増幅回路の信号周波
数帯を通過帯域とした帯域フィルタの出力部とを接続し
てなるマイクロ波回路において、上記帯域フィルタの出
力部と、上記マイクロ波用ＩＣの入力部との間にインピ
ーダンス素子を挿入したものである。
【０００７】尚請求項２記載ではインピーダンス素子と
してコンデンサを、請求項３記載ではインピーダンス素
子として抵抗を、更に請求項４記載ではインピーダンス
素子としてインダクタンス素子を夫々用いている。
してコンデンサを、請求項３記載ではインピーダンス素
子として抵抗を、更に請求項４記載ではインピーダンス
素子としてインダクタンス素子を夫々用いている。
【０００８】
【作用】本発明の構成によれば、インピーダンス素子の
損失分により、異常発振が起きやすい周波数でのフィル
タの反射を低減することが可能となり、そのため低温下
で利得が増加しても異常発振するのを防止することがで
きるのである。特に高周波信号周波数帯よりも低い周波
数で発振が起こり易い場合にはコンデンサをインピーダ
ンス素子として用いれば有効で、逆に高周波信号周波数
帯よりも高い周波数で発振が起こり易い場合にはインダ
クタンス素子をインピーダンス素子として用いれば有効
である。更に抵抗を用いた場合には全ての周波数で有効
となる。
損失分により、異常発振が起きやすい周波数でのフィル
タの反射を低減することが可能となり、そのため低温下
で利得が増加しても異常発振するのを防止することがで
きるのである。特に高周波信号周波数帯よりも低い周波
数で発振が起こり易い場合にはコンデンサをインピーダ
ンス素子として用いれば有効で、逆に高周波信号周波数
帯よりも高い周波数で発振が起こり易い場合にはインダ
クタンス素子をインピーダンス素子として用いれば有効
である。更に抵抗を用いた場合には全ての周波数で有効
となる。
【０００９】
【実施例】以下本発明を実施例により説明する。図１は
衛星放送受信用アンテナに接続するＬＮＢに用いる実施
例の配線構成を示しており、アンテナより入力した高周
波信号をＨＥＭＴなどで構成した低雑音の高周波増幅回
路（図示せず）にて増幅した後、高周波信号帯域を通過
帯域とする帯域フィルタ１０を介してマイクロ波用ＩＣ
１１に入力されるようになっている。尚１４は帯域フィ
ルタ１０の入力部を示す。
衛星放送受信用アンテナに接続するＬＮＢに用いる実施
例の配線構成を示しており、アンテナより入力した高周
波信号をＨＥＭＴなどで構成した低雑音の高周波増幅回
路（図示せず）にて増幅した後、高周波信号帯域を通過
帯域とする帯域フィルタ１０を介してマイクロ波用ＩＣ
１１に入力されるようになっている。尚１４は帯域フィ
ルタ１０の入力部を示す。
【００１０】マイクロ波用ＩＣ１１はＭＭＩＣと呼ばれ
るもので、図５に示すように高周波増幅回路１’、ミキ
サ回路３’、局部発振器４’、中間周波増幅回路５’か
らなり、接続端子としては高周波信号入力端子、外付
け誘電体共振器１３に接続する端子、中間周波出力端
子及び正負のバイアス端子の他に、グランドパター
ン１５に接続する接地用端子等を設けている。誘電体共
振器１３、マイクロ波用ＩＣ１１を実装している誘電体
基板１６の部分は金属キャビティ（図示せず）内に収納
される。
るもので、図５に示すように高周波増幅回路１’、ミキ
サ回路３’、局部発振器４’、中間周波増幅回路５’か
らなり、接続端子としては高周波信号入力端子、外付
け誘電体共振器１３に接続する端子、中間周波出力端
子及び正負のバイアス端子の他に、グランドパター
ン１５に接続する接地用端子等を設けている。誘電体共
振器１３、マイクロ波用ＩＣ１１を実装している誘電体
基板１６の部分は金属キャビティ（図示せず）内に収納
される。
【００１１】尚帯域フィルタ１０は直流カットになって
いるので、マイクロ波用ＩＣ１１のＲＦ入力端子が直
流遮断用タイプでなくても良く、帯域フィルタ１０の出
力部と、マイクロ波用ＩＣ１１の高周波信号入力端子
とをマイクロストリップ線路で直接接続するのが通常で
ある。しかしこのような通常の構成では上述したように
低温下にて動作させた場合マイクロ波用ＩＣ１１の異常
発振が発生する。この異常発振の原因は、高周波信号入
力端子に接続される帯域フィルタ１０のＳパラメータ
（図２に示すＳ11、Ｓ 22、Ｓ21、Ｓ12、但し入出力の方
向性が無いので、Ｓ11＝Ｓ22、Ｓ21＝Ｓ12）の周波数特
性が図３に示す点にある。つまり対象とする高周波信号
帯域（１１．２ＧＨｚ〜１２ＧＨｚ）ＲＦにおいては挿
入損失が少なく、マッチングの状態も良いが帯域外では
マッチングが得られず、殆ど反射してしまう特性を示す
からである。
いるので、マイクロ波用ＩＣ１１のＲＦ入力端子が直
流遮断用タイプでなくても良く、帯域フィルタ１０の出
力部と、マイクロ波用ＩＣ１１の高周波信号入力端子
とをマイクロストリップ線路で直接接続するのが通常で
ある。しかしこのような通常の構成では上述したように
低温下にて動作させた場合マイクロ波用ＩＣ１１の異常
発振が発生する。この異常発振の原因は、高周波信号入
力端子に接続される帯域フィルタ１０のＳパラメータ
（図２に示すＳ11、Ｓ 22、Ｓ21、Ｓ12、但し入出力の方
向性が無いので、Ｓ11＝Ｓ22、Ｓ21＝Ｓ12）の周波数特
性が図３に示す点にある。つまり対象とする高周波信号
帯域（１１．２ＧＨｚ〜１２ＧＨｚ）ＲＦにおいては挿
入損失が少なく、マッチングの状態も良いが帯域外では
マッチングが得られず、殆ど反射してしまう特性を示す
からである。
【００１２】特に−３０℃で動作させた場合、高周波信
号より低い周波数の異常発振が確認できている。そのた
め実施例構成では低い周波数ほどインピーダンスが高
く、ハイパス性を示すインピーダンス素子としてチップ
コンデンサ１２（０．５乃至数ｐＦ）を帯域フィルタ１
０の出力部と、マイクロ波用ＩＣ１１の高周波信号入力
端子との間に挿入している。
号より低い周波数の異常発振が確認できている。そのた
め実施例構成では低い周波数ほどインピーダンスが高
く、ハイパス性を示すインピーダンス素子としてチップ
コンデンサ１２（０．５乃至数ｐＦ）を帯域フィルタ１
０の出力部と、マイクロ波用ＩＣ１１の高周波信号入力
端子との間に挿入している。
【００１３】而して、本実施例では、チップコンデンサ
１２の損失分だけ、上記の異常発振の周波数での帯域フ
ィルタ１０の反射を低減することができ、その結果低温
下での異常発振を防止することができるのである。また
高周波信号周波数帯ＲＦでは損失がないのでトータルで
の利得に殆ど影響を与えず、ＮＦ（雑音指数）の悪化も
殆どない。
１２の損失分だけ、上記の異常発振の周波数での帯域フ
ィルタ１０の反射を低減することができ、その結果低温
下での異常発振を防止することができるのである。また
高周波信号周波数帯ＲＦでは損失がないのでトータルで
の利得に殆ど影響を与えず、ＮＦ（雑音指数）の悪化も
殆どない。
【００１４】尚異常発振の起こり易さが周波数的に異な
る場合は、チップ抵抗やインダクタンス素子をチップコ
ンデンサ１２の代わりに用いても良い。チップ抵抗の場
合にはインピーダンスとして実数成分しかないとする
と、全ての周波数で抵抗分だけの損失となり、全ての周
波数に対応できる。尚その値は数Ω程度が適当である。
またインダクタンス素子はローパス性となるため、高周
波信号周波数帯ＲＦよりも高い周波数で発振が起こりや
すい場合に有効となる。
る場合は、チップ抵抗やインダクタンス素子をチップコ
ンデンサ１２の代わりに用いても良い。チップ抵抗の場
合にはインピーダンスとして実数成分しかないとする
と、全ての周波数で抵抗分だけの損失となり、全ての周
波数に対応できる。尚その値は数Ω程度が適当である。
またインダクタンス素子はローパス性となるため、高周
波信号周波数帯ＲＦよりも高い周波数で発振が起こりや
すい場合に有効となる。
【００１５】
【発明の効果】請求項１の発明は、高周波増幅回路と、
局部発振回路と、ミキサ回路と、中間周波増幅回路とが
一体になったマイクロ波用ＩＣと、このマイクロ波用Ｉ
Ｃの入力部と、マイクロ波用ＩＣの高周波増幅回路の信
号周波数帯を通過帯域とした帯域フィルタの出力部とを
接続してなるマイクロ波回路において、上記帯域フィル
タの出力部と、上記マイクロ波用ＩＣの入力部との間に
インピーダンス素子を挿入したので、インピーダンス素
子の損失分により、異常発振が起きやすい周波数でのフ
ィルタの反射を低減することができ、そのため低温下で
利得が増加しても異常発振が起きるのを防止することが
でき、しかも対策のための構成のためのコストも少な
く、コストアップ分が少なくて済むという効果がある。
局部発振回路と、ミキサ回路と、中間周波増幅回路とが
一体になったマイクロ波用ＩＣと、このマイクロ波用Ｉ
Ｃの入力部と、マイクロ波用ＩＣの高周波増幅回路の信
号周波数帯を通過帯域とした帯域フィルタの出力部とを
接続してなるマイクロ波回路において、上記帯域フィル
タの出力部と、上記マイクロ波用ＩＣの入力部との間に
インピーダンス素子を挿入したので、インピーダンス素
子の損失分により、異常発振が起きやすい周波数でのフ
ィルタの反射を低減することができ、そのため低温下で
利得が増加しても異常発振が起きるのを防止することが
でき、しかも対策のための構成のためのコストも少な
く、コストアップ分が少なくて済むという効果がある。
【００１６】請求項２の発明は、コンデンサをインピー
ダンス素子として用いたので、高周波信号周波数帯より
も低い周波数で発振が起こり易い場合に有効となり、特
に高周波信号周波数帯では殆ど利得の低下もなく、ＮＦ
の悪化も殆どないという効果がある。また請求項３の発
明のように抵抗を用いた場合には全ての周波数で有効と
なり、また請求項４の発明のようにインダクタンス素子
をインピーダンス素子として用いた場合には、高周波信
号周波数帯よりも高い周波数で発振が起こり易い場合に
有効となる。
ダンス素子として用いたので、高周波信号周波数帯より
も低い周波数で発振が起こり易い場合に有効となり、特
に高周波信号周波数帯では殆ど利得の低下もなく、ＮＦ
の悪化も殆どないという効果がある。また請求項３の発
明のように抵抗を用いた場合には全ての周波数で有効と
なり、また請求項４の発明のようにインダクタンス素子
をインピーダンス素子として用いた場合には、高周波信
号周波数帯よりも高い周波数で発振が起こり易い場合に
有効となる。
【図１】本発明の一実施例の部品実装を示す構成図であ
る。
る。
【図２】同上の帯域フィルタのＳパラメータの説明図で
ある。
ある。
【図３】同上の帯域フィルタの周波数特性図
【図４】従来のＬＮＢの回路ブロック図である。
【図５】マイクロ波用ＩＣの回路ブロック図である。
１０ 帯域フィルタ １１ マイクロ波用ＩＣ １２ チップコンデンサ 高周波信号入力端子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】ところが近年、回路の小型化や信頼性向上
等の目的でマイクロ波回路のＩＣ化の気運が高まってき
ている。このようなマイクロ波用ＩＣはＧａＡｓ基板上
に各回路を構成するためＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉ
ｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉ
ｒｃｕｉｔ）と呼ばれている。ＩＣ化する場合、ＬＮＢ
のマイクロ波回路の全てをＩＣ化する方法もあるが性能
面・コスト面を考慮すると、図４の破線枠Ａで囲まれた
回路部分に高周波増幅回路を加えた回路のＩＣ化が現実
的であり、半導体メーカより発売されるようになってき
ている。図５はそのＭＭＩＣからなるマイクロ波用ＩＣ
１１の構成例を示しており、このマイクロ波用ＩＣ１１
は高周波増幅回路１’、ミキサ回路３’、局部発振器
４’、中間周波増幅回路５’からなる。
等の目的でマイクロ波回路のＩＣ化の気運が高まってき
ている。このようなマイクロ波用ＩＣはＧａＡｓ基板上
に各回路を構成するためＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉ
ｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉ
ｒｃｕｉｔ）と呼ばれている。ＩＣ化する場合、ＬＮＢ
のマイクロ波回路の全てをＩＣ化する方法もあるが性能
面・コスト面を考慮すると、図４の破線枠Ａで囲まれた
回路部分に高周波増幅回路を加えた回路のＩＣ化が現実
的であり、半導体メーカより発売されるようになってき
ている。図５はそのＭＭＩＣからなるマイクロ波用ＩＣ
１１の構成例を示しており、このマイクロ波用ＩＣ１１
は高周波増幅回路１’、ミキサ回路３’、局部発振器
４’、中間周波増幅回路５’からなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところでＬＮＢとして
は、屋外で使用されることが前提であるため、温度とし
て、−３０℃〜＋５０℃にて動作に異常が無いこと必要
である。しかし一般にＧａＡｓＦＥＴやＨＥＭＴ（Ｈｉ
ｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ）で高周波増幅回路を構成した場合、低温
にて利得が増加し、異常発振が起こり易くなる傾向にあ
る。ＭＭＩＣからなるマイクロ波用ＩＣ１１において
も、高周波増幅回路１’はＧａＡｓＦＥＴを基本として
構成されるため、その例外ではない。
は、屋外で使用されることが前提であるため、温度とし
て、−３０℃〜＋５０℃にて動作に異常が無いこと必要
である。しかし一般にＧａＡｓＦＥＴやＨＥＭＴ（Ｈｉ
ｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ）で高周波増幅回路を構成した場合、低温
にて利得が増加し、異常発振が起こり易くなる傾向にあ
る。ＭＭＩＣからなるマイクロ波用ＩＣ１１において
も、高周波増幅回路１’はＧａＡｓＦＥＴを基本として
構成されるため、その例外ではない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】尚帯域フィルタ１０は直流カットになって
いるので、マイクロ波用ＩＣ１１のＲＦ入力端子が直
流遮断用タイプでなくても良く、帯域フィルタ１０の出
力部と、マイクロ波用ＩＣ１１の高周波信号入力端子
とをマイクロストリップ線路で直接接続するのが通常で
ある。しかしこのような通常の構成では上述したように
低温下にて動作させた場合マイクロ波用ＩＣ１１の異常
発振が発生する。この異常発振の原因は、高周波信号入
力端子に接続される帯域フィルタ１０のＳパラメータ
（図２に示すＳ11、Ｓ 22、Ｓ21、Ｓ12、但し入出力の方
向性が無いので、Ｓ11＝Ｓ22、Ｓ21＝Ｓ12）の周波数特
性が図３に示す点にある。つまり対象とする高周波信号
帯域（１１．７ＧＨｚ〜１２ＧＨｚ）ＲＦにおいては挿
入損失が少なく、マッチングの状態も良いが帯域外では
マッチングが得られず、殆ど反射してしまう特性を示す
からである。
いるので、マイクロ波用ＩＣ１１のＲＦ入力端子が直
流遮断用タイプでなくても良く、帯域フィルタ１０の出
力部と、マイクロ波用ＩＣ１１の高周波信号入力端子
とをマイクロストリップ線路で直接接続するのが通常で
ある。しかしこのような通常の構成では上述したように
低温下にて動作させた場合マイクロ波用ＩＣ１１の異常
発振が発生する。この異常発振の原因は、高周波信号入
力端子に接続される帯域フィルタ１０のＳパラメータ
（図２に示すＳ11、Ｓ 22、Ｓ21、Ｓ12、但し入出力の方
向性が無いので、Ｓ11＝Ｓ22、Ｓ21＝Ｓ12）の周波数特
性が図３に示す点にある。つまり対象とする高周波信号
帯域（１１．７ＧＨｚ〜１２ＧＨｚ）ＲＦにおいては挿
入損失が少なく、マッチングの状態も良いが帯域外では
マッチングが得られず、殆ど反射してしまう特性を示す
からである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｆ 3/60 8522−5Ｊ // Ｈ０４Ｂ 1/18 Ｃ 9298−5Ｋ
Claims (4)
- 【請求項１】高周波増幅回路と、局部発振回路と、ミキ
サ回路と、中間周波増幅回路とが一体になったマイクロ
波用ＩＣと、このマイクロ波用ＩＣの入力部と、マイク
ロ波用ＩＣの高周波増幅回路の信号周波数帯を通過帯域
とした帯域フィルタの出力部とを接続してなるマイクロ
波回路において、上記帯域フィルタの出力部と、上記マ
イクロ波用ＩＣの入力部との間にインピーダンス素子を
挿入したことを特徴とするマイクロ波回路。 - 【請求項２】上記インピーダンス素子にコンデンサを用
いて成ることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波回
路。 - 【請求項３】上記インピーダンス素子に抵抗を用いて成
ることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波回路。 - 【請求項４】上記インピーダンス素子にインダクタンス
素子を用いて成ることを特徴とする請求項１記載のマイ
クロ波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28615792A JPH06140814A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | マイクロ波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28615792A JPH06140814A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | マイクロ波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140814A true JPH06140814A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17700683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28615792A Pending JPH06140814A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | マイクロ波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140814A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004506909A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | レイセオン・カンパニー | レーダ受信機用ビデオ増幅器 |
| US7023081B2 (en) * | 2003-09-22 | 2006-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Land pattern configuration |
| JP2007214655A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Sharp Corp | 衛星放送受信装置 |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP28615792A patent/JPH06140814A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004506909A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | レイセオン・カンパニー | レーダ受信機用ビデオ増幅器 |
| US7023081B2 (en) * | 2003-09-22 | 2006-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Land pattern configuration |
| JP2007214655A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Sharp Corp | 衛星放送受信装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000808 |