JPH0597772A - エステル化合物及び液晶組成物及び液晶表示素子 - Google Patents
エステル化合物及び液晶組成物及び液晶表示素子Info
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- JPH0597772A JPH0597772A JP3259336A JP25933691A JPH0597772A JP H0597772 A JPH0597772 A JP H0597772A JP 3259336 A JP3259336 A JP 3259336A JP 25933691 A JP25933691 A JP 25933691A JP H0597772 A JPH0597772 A JP H0597772A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【構成】一般式
【化１】
（Ｒは炭素数１〜８のアルキル基、ＸはＨ又はＦ）で表
わされるエステル化合物およびその化合物を含有する液
晶組成物およびその液晶組成物を使用した液晶表示素
子。 【効果】この化合物は誘電異方性が正で大きく、それを
含有する液晶組成物を用いた液晶表示素子はしきい値電
圧を低くすることができる。
わされるエステル化合物およびその化合物を含有する液
晶組成物およびその液晶組成物を使用した液晶表示素
子。 【効果】この化合物は誘電異方性が正で大きく、それを
含有する液晶組成物を用いた液晶表示素子はしきい値電
圧を低くすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子に用いら
れる液晶組成物の成分として有用な新規のエステル化合
物及びそれを含有する液晶組成物及びその液晶組成物を
使用する液晶表示素子に関する。
れる液晶組成物の成分として有用な新規のエステル化合
物及びそれを含有する液晶組成物及びその液晶組成物を
使用する液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は電場印加により液晶分子
の配列が変化することで液晶セルの光学的性質が変化し
て光変調が生ずる液晶の電気光学効果を応用したもので
あり、その表示方式により動的散乱型（ＤＳ型）、捩れ
たネマチック型（ＴＮ型）、複屈折制御型（ＥＣＢ
型）、超捩れネマチック型（ＳＴＮ型）、超捩れ複屈折
型（ＳＢＥ型）などに分けられる。また、これらの液晶
表示素子を動作させる駆動方式にはスタティク駆動方
式、時分割駆動方式、アクティブマトリックス駆動方
式、二周波駆動方式などがある。
の配列が変化することで液晶セルの光学的性質が変化し
て光変調が生ずる液晶の電気光学効果を応用したもので
あり、その表示方式により動的散乱型（ＤＳ型）、捩れ
たネマチック型（ＴＮ型）、複屈折制御型（ＥＣＢ
型）、超捩れネマチック型（ＳＴＮ型）、超捩れ複屈折
型（ＳＢＥ型）などに分けられる。また、これらの液晶
表示素子を動作させる駆動方式にはスタティク駆動方
式、時分割駆動方式、アクティブマトリックス駆動方
式、二周波駆動方式などがある。
【０００３】液晶表示素子はＬＥＤ、ＥＬ、ＣＲＴ等の
表示素子と比較して （１）小型、薄型化が容易にできる。 （２）駆動電圧が低く、また消費電力が非常に小さい。 （３）ＬＳＩとの相性が良く、駆動回路の簡単化ができ
る。 （４）受光型素子であるため直射日光下でも見やすく、
また長時間使用しても目が疲れにくい。 等の特徴を有するため、これらの特徴を生かして主とし
てＴＮ型の液晶表示素子がウォッチ、電卓、オーディオ
機器、ゲーム、自動車のダッシュボード、カメラ、電話
器、家庭用電気製品、その他各種計測器の表示用として
応く使用されてきた。最近ではＳＴＮ型の液晶表示素子
がパーソナルコンピューターやワードプロセッサーのデ
ィスプレイに、アクティブマトリックス駆動のＴＮ型液
晶表示素子がカラーテレビに応用されつつあり、近い将
来においてＣＲＴに代る表示素子として注目を集めてい
る。
表示素子と比較して （１）小型、薄型化が容易にできる。 （２）駆動電圧が低く、また消費電力が非常に小さい。 （３）ＬＳＩとの相性が良く、駆動回路の簡単化ができ
る。 （４）受光型素子であるため直射日光下でも見やすく、
また長時間使用しても目が疲れにくい。 等の特徴を有するため、これらの特徴を生かして主とし
てＴＮ型の液晶表示素子がウォッチ、電卓、オーディオ
機器、ゲーム、自動車のダッシュボード、カメラ、電話
器、家庭用電気製品、その他各種計測器の表示用として
応く使用されてきた。最近ではＳＴＮ型の液晶表示素子
がパーソナルコンピューターやワードプロセッサーのデ
ィスプレイに、アクティブマトリックス駆動のＴＮ型液
晶表示素子がカラーテレビに応用されつつあり、近い将
来においてＣＲＴに代る表示素子として注目を集めてい
る。
【０００４】このように液晶表示素子は様々な分野で用
いられているためそれらに使用される液晶材料に要求さ
れる特性は表示方式、駆動方式、応用分野等の組み合せ
により種々変化するが、次に挙げた諸特性はＴＮ型やＳ
ＴＮ型の液晶表示素子等においては必要不可欠である。 （１）着色がなく、熱、光、電気的、化学的に安定であ
ること。 （２）実用温度範囲が室温付近にあり、しかもできるか
ぎり広いこと。 （３）電圧−光透過率特性（Ｖ−ＩO 特性）のしきい値
電圧（Ｖｔｈ）が低く、かつその温度依存性が小さいこ
と。 （４）Ｖ−ＩO 特性の急峻性が良好なこと。 （５）Ｖ−ＩO 特性の視角依存性が小さいこと。 （６）電気光学的な応答速度が速いこと。
いられているためそれらに使用される液晶材料に要求さ
れる特性は表示方式、駆動方式、応用分野等の組み合せ
により種々変化するが、次に挙げた諸特性はＴＮ型やＳ
ＴＮ型の液晶表示素子等においては必要不可欠である。 （１）着色がなく、熱、光、電気的、化学的に安定であ
ること。 （２）実用温度範囲が室温付近にあり、しかもできるか
ぎり広いこと。 （３）電圧−光透過率特性（Ｖ−ＩO 特性）のしきい値
電圧（Ｖｔｈ）が低く、かつその温度依存性が小さいこ
と。 （４）Ｖ−ＩO 特性の急峻性が良好なこと。 （５）Ｖ−ＩO 特性の視角依存性が小さいこと。 （６）電気光学的な応答速度が速いこと。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの諸特性のうち
で（１）を満足する液晶化合物は多数知られているが、
（２）以下の特性を単一成分で満足するような液晶化合
物は現在のところ知られていない。そこで、（２）以下
の特性を充たす方法として複数の液晶化合物又はその類
化合物を混合した液晶組成物を用いているのが実状であ
る。
で（１）を満足する液晶化合物は多数知られているが、
（２）以下の特性を単一成分で満足するような液晶化合
物は現在のところ知られていない。そこで、（２）以下
の特性を充たす方法として複数の液晶化合物又はその類
化合物を混合した液晶組成物を用いているのが実状であ
る。
【０００６】液晶組成物に求められる特性のなかで、し
きい値電圧（Ｖｔｈ）は例えばＴＮ型の液晶表示素子の
場合には次式で表わされる。
きい値電圧（Ｖｔｈ）は例えばＴＮ型の液晶表示素子の
場合には次式で表わされる。
【数１】 （ここで、ｄは液晶層の厚み、Ｋ11，Ｋ22，Ｋ33はそれ
ぞれスプレー、ツイスト、ベンドの弾性定数、ε0 は真
空誘電率、△εは誘電異方性を示す）したがって、Ｖｔ
ｈを下げるには弾性定数が小さく、誘電異方性が大きい
化合物を液晶組成物に添加すれば良いことがわかる。
ぞれスプレー、ツイスト、ベンドの弾性定数、ε0 は真
空誘電率、△εは誘電異方性を示す）したがって、Ｖｔ
ｈを下げるには弾性定数が小さく、誘電異方性が大きい
化合物を液晶組成物に添加すれば良いことがわかる。
【０００７】そこで、本発明の目的は誘電異方性が正で
大きい化合物を提供することである。また、本発明の他
の目的はその化合物を含有する誘電異方性が正で大きな
液晶組成物を提供することである。さらに、本発明の他
の目的はその液晶組成物を用いることにより駆動電圧の
低い液晶表示素子を提供することである。
大きい化合物を提供することである。また、本発明の他
の目的はその化合物を含有する誘電異方性が正で大きな
液晶組成物を提供することである。さらに、本発明の他
の目的はその液晶組成物を用いることにより駆動電圧の
低い液晶表示素子を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のエステル化合物
は、一般式
は、一般式
【化４】 （ここで、Ｒは炭素原子数が１〜８のアルカリ基、Ｘは
Ｈ又はＦを示す）で表わされるエステル化合物である。
Ｈ又はＦを示す）で表わされるエステル化合物である。
【０００９】また、本発明の液晶組成物は前記エステル
化合物を少なくとも一種類含有することを特徴とする。
化合物を少なくとも一種類含有することを特徴とする。
【００１０】また、本発明の液晶表示素子は、前記エス
テル化合物を少なくとも一種類含有する前記液晶組成物
を使用することを特徴とする。
テル化合物を少なくとも一種類含有する前記液晶組成物
を使用することを特徴とする。
【００１１】本発明のエステル化合物は、例えば表１に
示すスキームにより製造することができる。
示すスキームにより製造することができる。
【表１】 （ここで、Ｒは炭素原子数が１〜８のアルキル基、Ｘは
Ｈ又はＦを示す。）即ち、ステップ（１）においては４
−シアノベンズアルデヒド（Ｂ）をエタノール中で水素
化ホウ素ナトリウムを用いて還元して４−ヒドロキシメ
チルベンゾニトリル（Ｃ）を得る。ステップ（２）にお
いては化合物（Ｃ）をクロロホルム中で塩化チオニルを
用いて塩素化して４−クロロメチルベンゾニトリル
（Ｄ）を得る。ステップ（３）においては化合物（Ｄ）
を相当するナトリウムアルコラートを用いてアルコキシ
化して４−アルコキシメチルベンゾニトリル（Ｅ）を得
る。ステップ（４）においては化合物（Ｅ）をエチレン
グリコール中でＫＯＨと水を用いて加水分解して４−ア
ルコキシメチル安息香酸（Ｆ）を得る。ステップ（５）
においては化合物（Ｆ）と化合物（Ｇ）をテトラヒドロ
フラン中でトリフェニルホスフィンとジエチルアゾカル
ボキシレートを用いてエステル化して本発明のエステル
化合物（Ａ）を得る。
Ｈ又はＦを示す。）即ち、ステップ（１）においては４
−シアノベンズアルデヒド（Ｂ）をエタノール中で水素
化ホウ素ナトリウムを用いて還元して４−ヒドロキシメ
チルベンゾニトリル（Ｃ）を得る。ステップ（２）にお
いては化合物（Ｃ）をクロロホルム中で塩化チオニルを
用いて塩素化して４−クロロメチルベンゾニトリル
（Ｄ）を得る。ステップ（３）においては化合物（Ｄ）
を相当するナトリウムアルコラートを用いてアルコキシ
化して４−アルコキシメチルベンゾニトリル（Ｅ）を得
る。ステップ（４）においては化合物（Ｅ）をエチレン
グリコール中でＫＯＨと水を用いて加水分解して４−ア
ルコキシメチル安息香酸（Ｆ）を得る。ステップ（５）
においては化合物（Ｆ）と化合物（Ｇ）をテトラヒドロ
フラン中でトリフェニルホスフィンとジエチルアゾカル
ボキシレートを用いてエステル化して本発明のエステル
化合物（Ａ）を得る。
【００１２】このようにして得られるエステル化合物
（Ａ）は電気化学的に安定であり他の液晶化合物との相
容性が良好であり、誘電異方性の値が正で大きく、特に
フッソ原子が２個置換した化合物は４位にシアノ基が置
換したものと同程度の大きな誘電異方性を持ち、しか
も、それよりも電気化学的に安定であり複屈折も小さい
特徴を有する。
（Ａ）は電気化学的に安定であり他の液晶化合物との相
容性が良好であり、誘電異方性の値が正で大きく、特に
フッソ原子が２個置換した化合物は４位にシアノ基が置
換したものと同程度の大きな誘電異方性を持ち、しか
も、それよりも電気化学的に安定であり複屈折も小さい
特徴を有する。
【００１３】したがって、エステル化合物（Ａ）を従来
の液晶組成物に混合することにより電気化学的な安定性
を損なうことなく誘電異方性を正で大きくすることがで
きる。この場合にエステル化合物（Ａ）を添加する母液
晶の成分としては従来の液晶化合物の全てが利用可能で
あるが、特に有用な液晶化合物を表２に挙げた。
の液晶組成物に混合することにより電気化学的な安定性
を損なうことなく誘電異方性を正で大きくすることがで
きる。この場合にエステル化合物（Ａ）を添加する母液
晶の成分としては従来の液晶化合物の全てが利用可能で
あるが、特に有用な液晶化合物を表２に挙げた。
【表２】 これらの化合物を混合した母液晶にエステル化合物
（Ａ）を添加できる割合は１〜５０重量％の範囲である
が、より実用的には３〜３０重量％の範囲が好ましい。
（Ａ）を添加できる割合は１〜５０重量％の範囲である
が、より実用的には３〜３０重量％の範囲が好ましい。
【００１４】また、エステル化合物（Ａ）を添加した液
晶組成物をＴＮ型又はＳＴＮ型の液晶表示素子に使用す
ると駆動電圧を下げることが可能となり、特に高時分割
駆動の液晶表示素子においてはＩＣに高耐圧を必要とし
ないため有用である。本発明の液晶表示素子の構造は図
１に示した通りであり、詳しくは実施例に示した。
晶組成物をＴＮ型又はＳＴＮ型の液晶表示素子に使用す
ると駆動電圧を下げることが可能となり、特に高時分割
駆動の液晶表示素子においてはＩＣに高耐圧を必要とし
ないため有用である。本発明の液晶表示素子の構造は図
１に示した通りであり、詳しくは実施例に示した。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明の化合物の製造お
よび液晶組成物および液晶表示素子を更に詳しく説明す
る。
よび液晶組成物および液晶表示素子を更に詳しく説明す
る。
【００１６】［実施例１］ （化合物の製造） ４−フルオロフェニル ４′−ブトキシメチルベンゾエ
ートの製造方法。
ートの製造方法。
【００１７】ステップ１ ４−シアノベンズアルデヒド
１９７ｇ（１．５モル）を無水エタノール７５０ｃｍ3
に溶解し、撹拌しながらＮａＢＨ4 の粉末を少しずつ加
えた。その後室温で５時間撹拌し、エタノールを留去し
た。残渣をエーテルに溶解し、飽和食塩水で洗浄後エー
テルを留去した。残渣をメタノールから再結晶して４−
ヒドロキシメチルベンゾニトリル１７９ｇを得た。
１９７ｇ（１．５モル）を無水エタノール７５０ｃｍ3
に溶解し、撹拌しながらＮａＢＨ4 の粉末を少しずつ加
えた。その後室温で５時間撹拌し、エタノールを留去し
た。残渣をエーテルに溶解し、飽和食塩水で洗浄後エー
テルを留去した。残渣をメタノールから再結晶して４−
ヒドロキシメチルベンゾニトリル１７９ｇを得た。
【００１８】ステップ２ ４−ヒドロキシメチルベンゾ
ニトリル１７９ｇをクロロホルム２００ｃｍ3 に溶解
し、氷水冷却撹拌下にＳＯＣｌ2 ３２０ｇを滴下した。
その後撹拌しながら２時間還流した。過剰なＳＯＣｌ2
を留去し、残渣を減圧蒸留（ｂ．ｐ．８７℃／２ｍｍＨ
ｇ）して４−クロロメチルベンゾニトリル２００ｇを得
た。
ニトリル１７９ｇをクロロホルム２００ｃｍ3 に溶解
し、氷水冷却撹拌下にＳＯＣｌ2 ３２０ｇを滴下した。
その後撹拌しながら２時間還流した。過剰なＳＯＣｌ2
を留去し、残渣を減圧蒸留（ｂ．ｐ．８７℃／２ｍｍＨ
ｇ）して４−クロロメチルベンゾニトリル２００ｇを得
た。
【００１９】ステップ３ ブタノール１２４ｃｍ3 にＮ
ａ２０ｇを溶解し４−クロロメチルベンゾニトリル３
０．３ｇを一度に加えて７時間還流した。反応液にクロ
ロホルム５００ｃｍ3 を加えて水で洗浄し、クロロホル
ムを留去した。残った油状物を減圧蒸留（ｂ．ｐ．１２
１℃／１ｍｍＨｇ）して４−ブトキシメチルベンゾニト
リル３３．６ｇを得た。
ａ２０ｇを溶解し４−クロロメチルベンゾニトリル３
０．３ｇを一度に加えて７時間還流した。反応液にクロ
ロホルム５００ｃｍ3 を加えて水で洗浄し、クロロホル
ムを留去した。残った油状物を減圧蒸留（ｂ．ｐ．１２
１℃／１ｍｍＨｇ）して４−ブトキシメチルベンゾニト
リル３３．６ｇを得た。
【００２０】ステップ４ ４−ブトキシメチルベンゾニ
トリル３３．６ｇ、ＫＯＨ５８ｇ，水３２ｃｍ3 、エチ
レングリコール１８０ｃｍ3 を撹拌しながら１５時間還
流した。反応液を１０％塩酸５００ｃｍ3 に注ぎ、析出
した結晶を濾過し、水で充分洗浄した。結晶を含水メタ
ノールから再結晶して４−ブトキシメチル安息香酸３１
ｇを得た。
トリル３３．６ｇ、ＫＯＨ５８ｇ，水３２ｃｍ3 、エチ
レングリコール１８０ｃｍ3 を撹拌しながら１５時間還
流した。反応液を１０％塩酸５００ｃｍ3 に注ぎ、析出
した結晶を濾過し、水で充分洗浄した。結晶を含水メタ
ノールから再結晶して４−ブトキシメチル安息香酸３１
ｇを得た。
【００２１】ステップ５ ４−ブトキシメチル安息香酸
３．１ｇ、４−フルオロフェノール１．７ｇ、トリフェ
ニルホスフィン４．８ｇをテトラヒドロフラン５０ｃｍ
3 に溶解し、撹拌しながらジエチル アゾカルボキシレ
ート３．１ｇを滴下した。その後室温で１晩撹拌した。
テトラヒドロフランを留去し、残渣を含水メタノールか
ら再結晶して４−フルオロフェニル ４′−ブトキシメ
チルベンゾエート３．４ｇを得た。
３．１ｇ、４−フルオロフェノール１．７ｇ、トリフェ
ニルホスフィン４．８ｇをテトラヒドロフラン５０ｃｍ
3 に溶解し、撹拌しながらジエチル アゾカルボキシレ
ート３．１ｇを滴下した。その後室温で１晩撹拌した。
テトラヒドロフランを留去し、残渣を含水メタノールか
ら再結晶して４−フルオロフェニル ４′−ブトキシメ
チルベンゾエート３．４ｇを得た。
【００２２】この化合物の相転移温度をＤＳＣ（昇降温
速度５℃／ｍｉｎ）を用いて測定した結果は次のとおり
であった。
速度５℃／ｍｉｎ）を用いて測定した結果は次のとおり
であった。
【００２３】Ｃ−Ｓ ２６．９℃ Ｓ−Ｉ ５３．４℃ 以下、同様な製造方法により次の化合物を製造した。
【００２４】４−フルオロフェニル ４′−メトキシメ
チルベンゾエート Ｃ−Ｉ ６９．０℃ ４−フルオロフェニル ４′−エトキシメチルベンゾエ
ート Ｃ−Ｉ ７１．０℃ ４−フルオロフェニル ４′−プロポキシメチルベンゾ
エート Ｃ−Ｉ ５７．６℃ ３，４−ジフルオロフェニル ４′−メトキシメチルベ
ンゾエート Ｃ−Ｉ １１２．７℃ ３，４−ジフルオロフェニル ４′−エトキシメチルベ
ンゾエート Ｃ−Ｉ ６０．２℃ Ｓ−Ｉ ２９．０℃ ３，４−ジフルオロフェニル ４′−プロポキシメチル
ベンゾエート Ｃ−Ｉ ４０．７℃ ３，４−ジフルオロフェニル ４′−ブトキシメチルベ
ンゾエート Ｃ−Ｓ ２９．８℃ Ｓ−Ｉ ４２．７℃ ［実施例２］ （結晶組成物） 市販の液晶組成物ＺＬＩ−１５６５（メルク社製）の９
０重量％に本発明の化合物４−フルオロフェニル ４′
−ブトキシメチルベンゾエートおよび３，４−ジフルオ
ロフェニル ４′−ブトキシメチルベンゾエートを各々
１０重量％混合した液晶組成物ＡおよびＢ、また比較例
としてＺＬＩ−１５６５自体のネマチック一等方性液体
相転移温度（Ｎ−Ｉ点）および複屈折（△ｎ）を測定し
た。以上の結果を表３に示した。 ［実施例３］ （液晶表示素子） 図１に示すようにガラス基板１および２の対向する内面
上にＩＴＯからなる透明電極３を形成し、この上側にポ
リイミドからなる配向剤を塗布し、この表面を綿布でラ
ビング処理して配向制御層４を形成した。さらに、ガラ
ス基板１と２をギャップ剤を含有するシール剤６を介し
て対向配置させ、その空間に実施例２の液晶組成物を注
入した。なお、セルギャップは９μｍでチルト角は９０
度のＴＮ型の液晶セルとし、２０℃において交流スタテ
ィック駆動方式を用いて電圧−光透過率特性のしきい値
電圧（Ｖｔｈ）、視角特性（α）および急峻性（β）を
測定した。以上の結果を表３に示した。
チルベンゾエート Ｃ−Ｉ ６９．０℃ ４−フルオロフェニル ４′−エトキシメチルベンゾエ
ート Ｃ−Ｉ ７１．０℃ ４−フルオロフェニル ４′−プロポキシメチルベンゾ
エート Ｃ−Ｉ ５７．６℃ ３，４−ジフルオロフェニル ４′−メトキシメチルベ
ンゾエート Ｃ−Ｉ １１２．７℃ ３，４−ジフルオロフェニル ４′−エトキシメチルベ
ンゾエート Ｃ−Ｉ ６０．２℃ Ｓ−Ｉ ２９．０℃ ３，４−ジフルオロフェニル ４′−プロポキシメチル
ベンゾエート Ｃ−Ｉ ４０．７℃ ３，４−ジフルオロフェニル ４′−ブトキシメチルベ
ンゾエート Ｃ−Ｓ ２９．８℃ Ｓ−Ｉ ４２．７℃ ［実施例２］ （結晶組成物） 市販の液晶組成物ＺＬＩ−１５６５（メルク社製）の９
０重量％に本発明の化合物４−フルオロフェニル ４′
−ブトキシメチルベンゾエートおよび３，４−ジフルオ
ロフェニル ４′−ブトキシメチルベンゾエートを各々
１０重量％混合した液晶組成物ＡおよびＢ、また比較例
としてＺＬＩ−１５６５自体のネマチック一等方性液体
相転移温度（Ｎ−Ｉ点）および複屈折（△ｎ）を測定し
た。以上の結果を表３に示した。 ［実施例３］ （液晶表示素子） 図１に示すようにガラス基板１および２の対向する内面
上にＩＴＯからなる透明電極３を形成し、この上側にポ
リイミドからなる配向剤を塗布し、この表面を綿布でラ
ビング処理して配向制御層４を形成した。さらに、ガラ
ス基板１と２をギャップ剤を含有するシール剤６を介し
て対向配置させ、その空間に実施例２の液晶組成物を注
入した。なお、セルギャップは９μｍでチルト角は９０
度のＴＮ型の液晶セルとし、２０℃において交流スタテ
ィック駆動方式を用いて電圧−光透過率特性のしきい値
電圧（Ｖｔｈ）、視角特性（α）および急峻性（β）を
測定した。以上の結果を表３に示した。
【００２５】なお、本実施例においてはＴＮ型の液晶セ
ルを用いて測定したが、ＳＴＮ型の液晶セルを用いた場
合にも同様な効果が得られることを実験により確認し
た。
ルを用いて測定したが、ＳＴＮ型の液晶セルを用いた場
合にも同様な効果が得られることを実験により確認し
た。
【表３】
【００２６】
【発明の効果】以上、実施例により詳述したように、本
発明のエステル化合物は誘電異方性が正で大きな値を有
することがわかった。また、この化合物を従来の液晶組
成物に添加することにより誘電異方性が正で大きく、電
気化学的に安定な液晶組成物が得られることが確認でき
た。さらに、その液晶組成物をＴＮ型又はＳＴＮ型等の
液晶表示素子に使用するとしきい値電圧が低い液晶表示
素子が得られることが確認できた。
発明のエステル化合物は誘電異方性が正で大きな値を有
することがわかった。また、この化合物を従来の液晶組
成物に添加することにより誘電異方性が正で大きく、電
気化学的に安定な液晶組成物が得られることが確認でき
た。さらに、その液晶組成物をＴＮ型又はＳＴＮ型等の
液晶表示素子に使用するとしきい値電圧が低い液晶表示
素子が得られることが確認できた。
【００２７】これらの点で本発明の化合物およびこれを
含有する液晶組成物はＴＮ型やＳＴＮ型の液晶表示素子
にとり極めて有用であり、特にＳＴＮ型の液晶表示素子
においてはＩＣの耐圧に対する負担を大いに軽減でき
る。
含有する液晶組成物はＴＮ型やＳＴＮ型の液晶表示素子
にとり極めて有用であり、特にＳＴＮ型の液晶表示素子
においてはＩＣの耐圧に対する負担を大いに軽減でき
る。
【図１】本発明の実施例３において作製したＴＮ型液晶
表示素子の断面を示す図。
表示素子の断面を示す図。
１，２ ガラス基板 ３ 透明電極 ４ 配向制御層 ５ 偏光板 ６ シール剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湯田坂 美穂 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】一般式 【化１】 （ここで、Ｒは炭素原子数が１〜８のアルキル基、Ｘは
Ｈ又はＦを示す）で表わされることを特徴とするエステ
ル化合物。 - 【請求項２】一般式 【化２】 （ここで、Ｒは炭素原子数が１〜８のアルキル基、Ｘは
Ｈ又はＦを示す）で表わされるエステル化合物を少なく
とも一種類含有することを特徴とする液晶組成物。 - 【請求項３】一般式 【化３】 （ここで、Ｒは炭素原子数が１〜８のアルキル基、Ｘは
Ｈ又はＦを示す）で表わされるエステル化合物を少なく
とも一種類含有する液晶組成物を使用することを特徴と
する液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3259336A JPH0597772A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | エステル化合物及び液晶組成物及び液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3259336A JPH0597772A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | エステル化合物及び液晶組成物及び液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597772A true JPH0597772A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=17332690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3259336A Pending JPH0597772A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | エステル化合物及び液晶組成物及び液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0597772A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0738709A3 (en) * | 1995-02-22 | 1997-07-16 | Chisso Corp | Ester derivative, liquid crystal composition and liquid crystal display device |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP3259336A patent/JPH0597772A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0738709A3 (en) * | 1995-02-22 | 1997-07-16 | Chisso Corp | Ester derivative, liquid crystal composition and liquid crystal display device |
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