JPH0590676A - 電源装置 - Google Patents
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- JPH0590676A JPH0590676A JP6721792A JP6721792A JPH0590676A JP H0590676 A JPH0590676 A JP H0590676A JP 6721792 A JP6721792 A JP 6721792A JP 6721792 A JP6721792 A JP 6721792A JP H0590676 A JPH0590676 A JP H0590676A
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
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- G05F1/569—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection
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- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
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- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit
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- Automation & Control Theory (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電源装置により附勢される半導体レーザの如
きデバイスに関連する種々の変数の内の1つを所望値に
維持し、他の変数を安全とみなせる範囲内の値に留め
る。 【構成】 デバイスに電気エネルギーを供給する電源装
置であって、或る変数に依存し、この変数そのものがデ
バイスに供給される電力に依存するテスト信号を受信す
るための少なくとも2つのテスト入力端子を具え、これ
らの各入力端子を関連する比較回路の第1入力端子に接
続し、比較回路の第2入力端子をテスト入力端子の数に
相当する基準信号を発生する基準信号発生器に接続し、
これらの基準信号が前記変数の所望値を表し、比較回路
の出力端子を制御部材に接続して、この制御部材を用い
て、前記デバイスに電源装置が供給する電力を制御し
て、前記変数の少なくとも1つが本来所望値に等しくな
り、他の変数が所望値から所定の割合しかずれないよう
にする。
きデバイスに関連する種々の変数の内の1つを所望値に
維持し、他の変数を安全とみなせる範囲内の値に留め
る。 【構成】 デバイスに電気エネルギーを供給する電源装
置であって、或る変数に依存し、この変数そのものがデ
バイスに供給される電力に依存するテスト信号を受信す
るための少なくとも2つのテスト入力端子を具え、これ
らの各入力端子を関連する比較回路の第1入力端子に接
続し、比較回路の第2入力端子をテスト入力端子の数に
相当する基準信号を発生する基準信号発生器に接続し、
これらの基準信号が前記変数の所望値を表し、比較回路
の出力端子を制御部材に接続して、この制御部材を用い
て、前記デバイスに電源装置が供給する電力を制御し
て、前記変数の少なくとも1つが本来所望値に等しくな
り、他の変数が所望値から所定の割合しかずれないよう
にする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、デバイスに電気エネル
ギーを供給するための電源装置であって、或る変数に依
存し、この変数そのものが前記デバイスに供給される電
力に依存するテスト信号を受信する少なくとも1つのテ
スト入力端子を具えており、このテスト入力端子を比較
回路の第1入力端子に接続し、前記比較回路の第2入力
端子を基準信号発生器に接続し、この基準信号発生器を
用いて前記変数の所望値の目安となる基準信号を発生さ
せ、前記比較回路の出力端子を制御部材に接続し、この
制御部材を用いて、前記変数が本質的に所望値に等しく
なるように前記デバイスに電源装置により供給される電
力を制御する電源装置に関するものである。
ギーを供給するための電源装置であって、或る変数に依
存し、この変数そのものが前記デバイスに供給される電
力に依存するテスト信号を受信する少なくとも1つのテ
スト入力端子を具えており、このテスト入力端子を比較
回路の第1入力端子に接続し、前記比較回路の第2入力
端子を基準信号発生器に接続し、この基準信号発生器を
用いて前記変数の所望値の目安となる基準信号を発生さ
せ、前記比較回路の出力端子を制御部材に接続し、この
制御部材を用いて、前記変数が本質的に所望値に等しく
なるように前記デバイスに電源装置により供給される電
力を制御する電源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】斯種の電源装置の例は、「フィリップス
テクニカル レビュー」(PhilipsTechnical Review 3
9 (1980), No.2. 第37〜47頁、特に図14)に記載
されている。この従来の電源装置は半導体レーザを附勢
するためのものであり、このレーザと同じ容器内に入れ
るフォトダイオードは、レーザの光束に比例すると共に
テスト信号を構成する光電流を発生する。従来の電源装
置でレーザに供給される電力は、フォトダイオード(モ
ニタ)によって発生される電流が所望値にて一定に留ま
るように制御することができる。
テクニカル レビュー」(PhilipsTechnical Review 3
9 (1980), No.2. 第37〜47頁、特に図14)に記載
されている。この従来の電源装置は半導体レーザを附勢
するためのものであり、このレーザと同じ容器内に入れ
るフォトダイオードは、レーザの光束に比例すると共に
テスト信号を構成する光電流を発生する。従来の電源装
置でレーザに供給される電力は、フォトダイオード(モ
ニタ)によって発生される電流が所望値にて一定に留ま
るように制御することができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、僅か1つの変
数を制御するだけでは、レーザの他の変数値が最早所望
範囲内の値でなくなり、さらに悪いことにはその変数値
が最早安全範囲内の値でなくなると云う危険を伴う。半
導体レーザダイオードを安全な作動範囲を越えて駆動さ
せると、レーザは簡単に破壊してしまう。従って、レー
ザを安全に作動させるためには、レーザに供給する電力
を制御して、1つ以上のレーザ変数を所望値に、又はほ
ぼ所望値に維持するのが望ましい。変数には前記モニタ
電流以外に、例えばレーザ電流、レーザ電圧及びレーザ
の放射電力がある。しかし、種々の変数はかなり複雑に
からまり合っているために、上述したようにレーザ変数
の1つを所望値に維持することはあまり良好にはできな
い。
数を制御するだけでは、レーザの他の変数値が最早所望
範囲内の値でなくなり、さらに悪いことにはその変数値
が最早安全範囲内の値でなくなると云う危険を伴う。半
導体レーザダイオードを安全な作動範囲を越えて駆動さ
せると、レーザは簡単に破壊してしまう。従って、レー
ザを安全に作動させるためには、レーザに供給する電力
を制御して、1つ以上のレーザ変数を所望値に、又はほ
ぼ所望値に維持するのが望ましい。変数には前記モニタ
電流以外に、例えばレーザ電流、レーザ電圧及びレーザ
の放射電力がある。しかし、種々の変数はかなり複雑に
からまり合っているために、上述したようにレーザ変数
の1つを所望値に維持することはあまり良好にはできな
い。
【0004】本発明の目的は、1つの変数を所望値に維
持することができると共に他の変数を少なくとも安全と
みなせる範囲内に維持し得る冒頭にて述べた種類の電源
装置を提供することにある。
持することができると共に他の変数を少なくとも安全と
みなせる範囲内に維持し得る冒頭にて述べた種類の電源
装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明はデバイスに電気
エネルギーを供給するための電源装置であって、或る変
数に依存し、この変数そのものが前記デバイスに供給さ
れる電力に依存するテスト信号を受信する少なくとも1
つのテスト入力端子を具えており、このテスト入力端子
を比較回路の第1入力端子に接続し、前記比較回路の第
2入力端子を基準信号発生器に接続し、この基準信号発
生器を用いて前記変数の所望値の目安となる基準信号を
発生させ、前記比較回路の出力端子を制御部材に接続
し、この制御部材を用いて、前記変数が本質的に所望値
に等しくなるように前記デバイスに電源装置により供給
される電力を制御する電源装置において、当該電源装置
が、関連する比較回路と共に少なくとも2つのテスト入
力端子を具え、前記基準信号発生器が、テスト信号の数
に相当する多数の基準信号を発生させるのに用いられ、
前記制御部材が、電源装置によりデバイスに供給される
電力を制御するのに用いられて、テスト信号に対応する
変数の内の少なくとも1つの変数が、それに関連する変
数に対する所望値に本来等しくなり、テスト信号に対応
する他の変数が、関連する所望値から所定の割合しかず
れないようにしたことを特徴とする。
エネルギーを供給するための電源装置であって、或る変
数に依存し、この変数そのものが前記デバイスに供給さ
れる電力に依存するテスト信号を受信する少なくとも1
つのテスト入力端子を具えており、このテスト入力端子
を比較回路の第1入力端子に接続し、前記比較回路の第
2入力端子を基準信号発生器に接続し、この基準信号発
生器を用いて前記変数の所望値の目安となる基準信号を
発生させ、前記比較回路の出力端子を制御部材に接続
し、この制御部材を用いて、前記変数が本質的に所望値
に等しくなるように前記デバイスに電源装置により供給
される電力を制御する電源装置において、当該電源装置
が、関連する比較回路と共に少なくとも2つのテスト入
力端子を具え、前記基準信号発生器が、テスト信号の数
に相当する多数の基準信号を発生させるのに用いられ、
前記制御部材が、電源装置によりデバイスに供給される
電力を制御するのに用いられて、テスト信号に対応する
変数の内の少なくとも1つの変数が、それに関連する変
数に対する所望値に本来等しくなり、テスト信号に対応
する他の変数が、関連する所望値から所定の割合しかず
れないようにしたことを特徴とする。
【0006】上記本発明による電源装置を用いることに
より、原則として任意に選定できる変数を所望値に維持
することができ、他の変数の全てを所望値以下に留め
て、これらの変数が所望値を越えて高い危険な値になら
ないようにすることができる。変数の値が所定値以下に
ずれることが危険と思われる場合には、制御部材を順応
させて、関連する変数が常に「危険」値よりも高い調整
値以上に留まるようにすべきであることは勿論である。
より、原則として任意に選定できる変数を所望値に維持
することができ、他の変数の全てを所望値以下に留め
て、これらの変数が所望値を越えて高い危険な値になら
ないようにすることができる。変数の値が所定値以下に
ずれることが危険と思われる場合には、制御部材を順応
させて、関連する変数が常に「危険」値よりも高い調整
値以上に留まるようにすべきであることは勿論である。
【0007】制御部材には例えば適切にプログラム化し
たマイクロプロセッサを設け、これによりどの変数を所
望値に維持して、他の変数を所望値以下(又は以上)に
保つべきかを決めることができる。このプロセッサは選
定変数の調整及び他の変数のモニタリングを制御するこ
ともできる。
たマイクロプロセッサを設け、これによりどの変数を所
望値に維持して、他の変数を所望値以下(又は以上)に
保つべきかを決めることができる。このプロセッサは選
定変数の調整及び他の変数のモニタリングを制御するこ
ともできる。
【0008】制御部材をマイクロプロセッサなしで構成
するには、制御部材がテスト入力端子の数に対応する多
数の半導体ダイオードを具え、これらの各半導体ダイオ
ードが第1及び第2接続部を具え、第1接続部を互いに
接続して電流源回路に接続し、前記第2接続部の各々を
前記各比較回路の出力端子に接続するのが好適である。
このように構成した制御部材は他の制御を必要とするこ
となく必要な要件を満足する。所望値に維持されない変
数を所望値以下に留めなければならないとう云うことを
特定化する必要がある場合には、各半導体ダイオードの
第1接続部をアノード接続部としなければならない。
するには、制御部材がテスト入力端子の数に対応する多
数の半導体ダイオードを具え、これらの各半導体ダイオ
ードが第1及び第2接続部を具え、第1接続部を互いに
接続して電流源回路に接続し、前記第2接続部の各々を
前記各比較回路の出力端子に接続するのが好適である。
このように構成した制御部材は他の制御を必要とするこ
となく必要な要件を満足する。所望値に維持されない変
数を所望値以下に留めなければならないとう云うことを
特定化する必要がある場合には、各半導体ダイオードの
第1接続部をアノード接続部としなければならない。
【0009】本発明による電源装置を様々な用途に適え
させるには、テスト信号によって表される変数が、デバ
イスに供給される電圧及びデバイスによって取り上げら
れる電流を含むようにするのが好適である。
させるには、テスト信号によって表される変数が、デバ
イスに供給される電圧及びデバイスによって取り上げら
れる電流を含むようにするのが好適である。
【0010】さらに本発明の他の好適例ではデバイスを
半導体レーザとし、前記テスト信号によって表される変
数が、レーザの放射電力及びレーザに接続したモニタが
発生する信号も含むようにする。
半導体レーザとし、前記テスト信号によって表される変
数が、レーザの放射電力及びレーザに接続したモニタが
発生する信号も含むようにする。
【0011】
【実施例】図1にブロック図にて示す本発明による電源
装置はデバイス1に電気エネルギーを供給する働きをす
る。このデバイス1は、例えば半導体レーザとすること
ができる。電源装置はテスト回路3を具えており、この
テスト回路は本例の場合にはデバイス1からのテスト信
号を受信できる4つのテスト入力端子5a,5b,5
c,5dを具えている。各テスト信号の値は或る変数に
依存し、この変数そのものはデバイス1に供給される電
力に依存している。テスト回路3は4つの段3a〜3d
から成り、これらの各段を4つのテスト入力端子5a〜
5dの1つに接続する。各段3a〜3dの出力端子は比
較回路9a〜9dの第1入力端子7a〜7dに接続し、
比較回路の第2入力端子11a〜11dは関連する変数
の所望値の目安となる基準信号を発生する発生器13に
接続する。各比較回路9a〜9dの出力端子を制御部材
17の入力端子15a〜15dに接続する。制御部材1
7は出力段19を経てデバイス1に供給される電力を制
御して、テスト信号に対応する少なくとも1つの変数
が、関連する変数に対する所望値に本来等しくなり、テ
スト信号に対応する他の変数が、関連する所望値よりも
大きくはならないようにする。
装置はデバイス1に電気エネルギーを供給する働きをす
る。このデバイス1は、例えば半導体レーザとすること
ができる。電源装置はテスト回路3を具えており、この
テスト回路は本例の場合にはデバイス1からのテスト信
号を受信できる4つのテスト入力端子5a,5b,5
c,5dを具えている。各テスト信号の値は或る変数に
依存し、この変数そのものはデバイス1に供給される電
力に依存している。テスト回路3は4つの段3a〜3d
から成り、これらの各段を4つのテスト入力端子5a〜
5dの1つに接続する。各段3a〜3dの出力端子は比
較回路9a〜9dの第1入力端子7a〜7dに接続し、
比較回路の第2入力端子11a〜11dは関連する変数
の所望値の目安となる基準信号を発生する発生器13に
接続する。各比較回路9a〜9dの出力端子を制御部材
17の入力端子15a〜15dに接続する。制御部材1
7は出力段19を経てデバイス1に供給される電力を制
御して、テスト信号に対応する少なくとも1つの変数
が、関連する変数に対する所望値に本来等しくなり、テ
スト信号に対応する他の変数が、関連する所望値よりも
大きくはならないようにする。
【0012】図2は制御部材17の一例を示す基本回路
図である。入力端子15a〜15dには「ハード」("Ha
rd")電圧U1 〜U4が供給される。即ちこれらの電圧は
内部インピーダンスのない電圧源から派生する。このこ
とを図面では入力端子15a〜15dの前に設けた単位
増幅器21a〜21dにより記号的に示してある。制御
部材17の出力端子23にも単位増幅器25を接続し
て、この制御部材が出力端子23のインピーダンスとな
らないようにする。
図である。入力端子15a〜15dには「ハード」("Ha
rd")電圧U1 〜U4が供給される。即ちこれらの電圧は
内部インピーダンスのない電圧源から派生する。このこ
とを図面では入力端子15a〜15dの前に設けた単位
増幅器21a〜21dにより記号的に示してある。制御
部材17の出力端子23にも単位増幅器25を接続し
て、この制御部材が出力端子23のインピーダンスとな
らないようにする。
【0013】制御部材17は4個の半導体ダイオード2
7a〜27dを具えており、これらの各ダイオードは第
1及び第2接続部を有しており、図示の例における第1
接続部はアノード接続部であり、又第2接続部はカソー
ド接続部である。第1接続部は互いに接続して、電流源
回路29に接続する。第2接続部の各々は入力端子15
a〜15dの1つに接続する。
7a〜27dを具えており、これらの各ダイオードは第
1及び第2接続部を有しており、図示の例における第1
接続部はアノード接続部であり、又第2接続部はカソー
ド接続部である。第1接続部は互いに接続して、電流源
回路29に接続する。第2接続部の各々は入力端子15
a〜15dの1つに接続する。
【0014】回路作動の説明を簡単にするために、入力
電圧としてU1 とU2 の2つしかないものとする。電流
源29はダイオード27a及び27bに定電流Iccを供
給する。この電流は、供給される電圧U1 及びU2 に応
じて電流I1 がダイオード27aに流れ、又電流I2 が
ダイオード27bに流れるようにこれら2つのダイオー
ド間に分配される。このようにして、出力電圧U0 が規
定される。ダイオード27aと27bが理想的なもの
で、全く同一構成のものであるとすると、次の関係式が
成立する。
電圧としてU1 とU2 の2つしかないものとする。電流
源29はダイオード27a及び27bに定電流Iccを供
給する。この電流は、供給される電圧U1 及びU2 に応
じて電流I1 がダイオード27aに流れ、又電流I2 が
ダイオード27bに流れるようにこれら2つのダイオー
ド間に分配される。このようにして、出力電圧U0 が規
定される。ダイオード27aと27bが理想的なもの
で、全く同一構成のものであるとすると、次の関係式が
成立する。
【0015】
【数1】 ここに、Isat はダイオードの飽和電流を表し、qは電
荷量であり、kはボルツマン定数であり、Tは絶対温度
である。上式から出力電圧U0を求めることができる。
即ち、
荷量であり、kはボルツマン定数であり、Tは絶対温度
である。上式から出力電圧U0を求めることができる。
即ち、
【数2】
【0016】図3は制御部材の伝達関数をグラフ的に示
したものである。判り易くするために、この場合には一
方の入力電圧U1 だけを変化させる。他方の入力電圧U
2 はずっと任意の値に維持する。2つの入力電圧の相対
位置に応じて伝達関数内に次の3つの領域を見分けるこ
とができる。
したものである。判り易くするために、この場合には一
方の入力電圧U1 だけを変化させる。他方の入力電圧U
2 はずっと任意の値に維持する。2つの入力電圧の相対
位置に応じて伝達関数内に次の3つの領域を見分けるこ
とができる。
【0017】1. U1 <U2 の場合:式(4)における
U1 を伴う指数項はU2 を伴う指数項に対して無視する
ことができる。ICCを伴う定数項は、ダイオードが全電
流ICCを搬送する場合にはこのダイオード間の電圧UD
に極めて良好に近似する。これはシリコンダイオードの
場合、分子のIsat の項はICCの項に比べて全く無視す
ることができるからである。従って、出力電圧U0 は入
力電圧U1 の関数として直線的に変化し、しかも入力電
圧U2 に無関係であり、、次のようになる。
U1 を伴う指数項はU2 を伴う指数項に対して無視する
ことができる。ICCを伴う定数項は、ダイオードが全電
流ICCを搬送する場合にはこのダイオード間の電圧UD
に極めて良好に近似する。これはシリコンダイオードの
場合、分子のIsat の項はICCの項に比べて全く無視す
ることができるからである。従って、出力電圧U0 は入
力電圧U1 の関数として直線的に変化し、しかも入力電
圧U2 に無関係であり、、次のようになる。
【数3】U0 =U1 +UD (5) 2. U1 ≒U2 の場合:
【0018】この電圧領域は遷移領域を制定する。この
場合には式(4)を単純化することができず、出力電圧
の値は計算により求めなければならない。全ての個々の
項は連続しており、これらの項は微分できるため、遷移
領域は滑らかになる。即ち、
場合には式(4)を単純化することができず、出力電圧
の値は計算により求めなければならない。全ての個々の
項は連続しており、これらの項は微分できるため、遷移
領域は滑らかになる。即ち、
【数4】
【0019】遷移領域を、ダイオード電流が100分の
1のファクタ以上はずれない領域として規定する場合
に、シリコンダイオードに対する総体的な遷移領域は、
約2(kT/q)ln 0.01 ≒230 mVとなる。 3. U1 >U2 の場合:
1のファクタ以上はずれない領域として規定する場合
に、シリコンダイオードに対する総体的な遷移領域は、
約2(kT/q)ln 0.01 ≒230 mVとなる。 3. U1 >U2 の場合:
【0020】前式(4)の入力電圧の項は対称であるた
め、指数を入れ替えることにより、出力電圧U0 が入力
電圧U2 の関数として直線的に変化し、しかも出力電圧
が入力電圧U1 に無関係となる。入力電圧U2 は一定と
するため、出力電圧U0 は一定となる。即ち、
め、指数を入れ替えることにより、出力電圧U0 が入力
電圧U2 の関数として直線的に変化し、しかも出力電圧
が入力電圧U1 に無関係となる。入力電圧U2 は一定と
するため、出力電圧U0 は一定となる。即ち、
【数5】U0 =U2 +UD (7)
【0021】双方の入力電圧が変化する場合に、出力電
圧U0 はUD に相当する電圧距離の個所の最低入力電圧
に従うようになる。上述した入力電圧の関数としての出
力電圧の変化を図3にグラフにて示してある。これから
明らかなように、出力電圧はダイオード電圧UD を除け
ば常に2つの入力電圧の内の小さい方の入力電圧にほぼ
等しくなるが、ダイオード電圧UD は一定で、しかもそ
の値はわかっているために、容易に補正することができ
る。遷移領域においてのみ出力電圧が2つの入力電圧の
一方に正確には等しくならなくなるが、それはこれら2
つの入力電圧の小さい方の入力電圧よりも決して大きく
はならない。従って、デバイス1が危険な状態にさらさ
れることはない。遷移領域の主要な利点は、急激な切り
替えに応答する場合に起り得るような電圧ピークが遷移
個所にて起こらなくなると云うことにある。
圧U0 はUD に相当する電圧距離の個所の最低入力電圧
に従うようになる。上述した入力電圧の関数としての出
力電圧の変化を図3にグラフにて示してある。これから
明らかなように、出力電圧はダイオード電圧UD を除け
ば常に2つの入力電圧の内の小さい方の入力電圧にほぼ
等しくなるが、ダイオード電圧UD は一定で、しかもそ
の値はわかっているために、容易に補正することができ
る。遷移領域においてのみ出力電圧が2つの入力電圧の
一方に正確には等しくならなくなるが、それはこれら2
つの入力電圧の小さい方の入力電圧よりも決して大きく
はならない。従って、デバイス1が危険な状態にさらさ
れることはない。遷移領域の主要な利点は、急激な切り
替えに応答する場合に起り得るような電圧ピークが遷移
個所にて起こらなくなると云うことにある。
【0022】上述した処では2つの入力変数に対する伝
達関数について説明したが、上述した計算方法を任意数
の入力変数に適用することができることは容易に立証で
きる。出力電圧に対する一般式は次のように表すことが
できる。
達関数について説明したが、上述した計算方法を任意数
の入力変数に適用することができることは容易に立証で
きる。出力電圧に対する一般式は次のように表すことが
できる。
【数6】
【0023】従って、一定のダイオード電圧UD を除け
ば、出力電圧が一方の入力電圧から他方の入力電圧へと
次第に変化する遷移領域以外では、出力電圧UD は供給
される入力電圧の最小値によって与えられる。即ち
ば、出力電圧が一方の入力電圧から他方の入力電圧へと
次第に変化する遷移領域以外では、出力電圧UD は供給
される入力電圧の最小値によって与えられる。即ち
【数7】 U0 =min (U1 ,U2 ,--- ,UN ) +UD (9)
【0024】定数項UD の影響は、例えば制御部材の入
力端子に供給する前に入力電圧を量UD だけ減らすこと
によって除去することができる。この場合、出力電圧U
D が量UD だけ低減することにもなるが、制御部材17
そのものは閉帰還ループの一部を形成しているため(図
1参照)、UD の影響は帰還ループのループ利得による
配分により低減される。
力端子に供給する前に入力電圧を量UD だけ減らすこと
によって除去することができる。この場合、出力電圧U
D が量UD だけ低減することにもなるが、制御部材17
そのものは閉帰還ループの一部を形成しているため(図
1参照)、UD の影響は帰還ループのループ利得による
配分により低減される。
【0025】図4は基準信号発生器13の一例を示す回
路図である。ツェナーダイオード31及び演算増幅器3
3を用いて、供給電圧UB から安定基準電圧UREF を形
成する。この基準電圧UREF から4つの正確なポテンシ
オメータ35a,35b,35c及び35dによって4
つの基準信号IS , US , MS 及びLS を形成すること
ができる。デバイス1を半導体レーザとする場合、Is
及びUs はそれぞれレーザを流れる電流I及びこのレー
ザの両端間の電圧Uに関する所望値を表すものとするた
とができる。この場合、MS及びLS は、レーザの容器
内に収容させるモニタとしての働きをするフォトダイオ
ード及びレーザ光電流を測定するセンサのそれぞれの出
力信号M及びLに関する所望値を表す。ツェナーダイオ
ード31に並列にコンデンサ32を接続し、この並列接
続したものと供給電圧UB との間に抵抗34を接続す
る。コンデンサ32と抵抗34とにより形成されるRC
回路の時定数により、基準電圧UREF 及びこれから取り
出される基準信号を値0から作動点まで所定の割合で制
御することができる。ツェナーダイオード31とコンデ
ンサ32との並列接続を演算増幅器33の正入力端子に
接続する。必要に応じて、演算増幅器の正入力端子に外
部信号を重畳させることにより、基準信号を変調させる
ことができる。基準信号は原則として任意の形状のもの
とすることができ、これらの基準信号は交流電圧とする
こともできる。
路図である。ツェナーダイオード31及び演算増幅器3
3を用いて、供給電圧UB から安定基準電圧UREF を形
成する。この基準電圧UREF から4つの正確なポテンシ
オメータ35a,35b,35c及び35dによって4
つの基準信号IS , US , MS 及びLS を形成すること
ができる。デバイス1を半導体レーザとする場合、Is
及びUs はそれぞれレーザを流れる電流I及びこのレー
ザの両端間の電圧Uに関する所望値を表すものとするた
とができる。この場合、MS及びLS は、レーザの容器
内に収容させるモニタとしての働きをするフォトダイオ
ード及びレーザ光電流を測定するセンサのそれぞれの出
力信号M及びLに関する所望値を表す。ツェナーダイオ
ード31に並列にコンデンサ32を接続し、この並列接
続したものと供給電圧UB との間に抵抗34を接続す
る。コンデンサ32と抵抗34とにより形成されるRC
回路の時定数により、基準電圧UREF 及びこれから取り
出される基準信号を値0から作動点まで所定の割合で制
御することができる。ツェナーダイオード31とコンデ
ンサ32との並列接続を演算増幅器33の正入力端子に
接続する。必要に応じて、演算増幅器の正入力端子に外
部信号を重畳させることにより、基準信号を変調させる
ことができる。基準信号は原則として任意の形状のもの
とすることができ、これらの基準信号は交流電圧とする
こともできる。
【0026】図5A及び図5Bは変数I,U,M及びL
を表すテスト信号Im , Um ,Mm 及びLm を得るため
のテスト回路3の例を示す回路図である。このテスト回
路は4つの区分3a--- 3dから成るものであり、判り
易くするために、区分3aと3bを半導体レーザと一緒
に図5Aに示してあり、区分3cと3dを半導体レーザ
と一緒に図5Bに示してある。これら両図では半導体レ
ーザを参照番号37にて示してある。
を表すテスト信号Im , Um ,Mm 及びLm を得るため
のテスト回路3の例を示す回路図である。このテスト回
路は4つの区分3a--- 3dから成るものであり、判り
易くするために、区分3aと3bを半導体レーザと一緒
に図5Aに示してあり、区分3cと3dを半導体レーザ
と一緒に図5Bに示してある。これら両図では半導体レ
ーザを参照番号37にて示してある。
【0027】第1区分3aはレーザ37に直列に接続す
る測定抵抗39を具えている。この抵抗間の電圧はレー
ザ電流Iに比例し、この電圧を演算増幅器41によって
テスト信号Um に変換する。
る測定抵抗39を具えている。この抵抗間の電圧はレー
ザ電流Iに比例し、この電圧を演算増幅器41によって
テスト信号Um に変換する。
【0028】第2区分3bはレーザ37のアノードとカ
ソードとにそれぞれ接続する2つの接続点43と45と
を具えている。従って、レーザ電圧Uを無電流法にて測
定することができるため、レーザの給電リード線間の電
圧降下がなくなる(4点測定)。演算増幅器47を用い
てダイオード電圧をテスト信号Um に変換する。
ソードとにそれぞれ接続する2つの接続点43と45と
を具えている。従って、レーザ電圧Uを無電流法にて測
定することができるため、レーザの給電リード線間の電
圧降下がなくなる(4点測定)。演算増幅器47を用い
てダイオード電圧をテスト信号Um に変換する。
【0029】前記「フィリップス テクニカル レビュ
ー 39」(1980), No.2第37〜47頁に記載
されているように半導体レーザ37はモニタとしての働
きをするフォトダイオード49と一緒に共通の容器51
内に入れる(図5B参照)。このフォトダイオードは第
3区分の一部を形成し、これはレーザ37の後方に放射
する光電流Mを検出する。このフォトダイオード49に
より発生する電流を演算増幅器53によりテスト信号M
m に変換する。
ー 39」(1980), No.2第37〜47頁に記載
されているように半導体レーザ37はモニタとしての働
きをするフォトダイオード49と一緒に共通の容器51
内に入れる(図5B参照)。このフォトダイオードは第
3区分の一部を形成し、これはレーザ37の後方に放射
する光電流Mを検出する。このフォトダイオード49に
より発生する電流を演算増幅器53によりテスト信号M
m に変換する。
【0030】テスト回路3の第4区分3dはフォトダイ
オード55を具えており、このダイオードは容器51の
外部に配置され、レーザ37が発生する光電流Lを検出
する。フォトダイオード55により発生される電流を演
算増幅器57によりテスト信号Lm に変換する。
オード55を具えており、このダイオードは容器51の
外部に配置され、レーザ37が発生する光電流Lを検出
する。フォトダイオード55により発生される電流を演
算増幅器57によりテスト信号Lm に変換する。
【0031】図6は比較回路9a--- 9dの内の1つの
比較回路の構成を示す回路図である。第1比較回路9a
しか示してないが、他の比較回路9a--- 9dも第1比
較回路と同様に構成する。図示の比較回路9aは電流基
準信号Is 及び電流テスト信号Im をそれぞれ受信する
2つの入力端子11a及び7aを具えている。これらの
入力端子を差動増幅器59の正及び負入力端子にそれぞ
れ接続する。この増幅器の出力端子には差電流Is −I
m を表す誤差信号U1 が発生する。他の比較回路9b--
- 9dはそれぞれ差Us −Um ,Ms −Mm 及びLs −
Lm を表す出力信号U2 --- U4 を発生する。出力信号
U1 --- U4 は制御部材17に対する入力信号を形成
し、制御部材17は半導体レーザ37に対する制御電圧
U0 を供給する。差動増幅器59の出力信号U1 --- U
4 は「ハード」電圧であるため、実際には図2に示した
単位増幅器21a--- 21dは省くことができる。
比較回路の構成を示す回路図である。第1比較回路9a
しか示してないが、他の比較回路9a--- 9dも第1比
較回路と同様に構成する。図示の比較回路9aは電流基
準信号Is 及び電流テスト信号Im をそれぞれ受信する
2つの入力端子11a及び7aを具えている。これらの
入力端子を差動増幅器59の正及び負入力端子にそれぞ
れ接続する。この増幅器の出力端子には差電流Is −I
m を表す誤差信号U1 が発生する。他の比較回路9b--
- 9dはそれぞれ差Us −Um ,Ms −Mm 及びLs −
Lm を表す出力信号U2 --- U4 を発生する。出力信号
U1 --- U4 は制御部材17に対する入力信号を形成
し、制御部材17は半導体レーザ37に対する制御電圧
U0 を供給する。差動増幅器59の出力信号U1 --- U
4 は「ハード」電圧であるため、実際には図2に示した
単位増幅器21a--- 21dは省くことができる。
【0032】制御電圧U0 は出力段19の入力端子に供
給する。この出力段の回路構成の一例を図7に示す。出
力段19は、制御部材17(図2)が半導体レーザ37
に供給すべき電流の負荷とならないようにするために必
要である。このために、出力段19は出力トランジスタ
61を具えており、このトランジスタが適切な電流を供
給することができるため、実際には図2に示す単位増幅
器25を省くこともできる。出力トランジスタ61は演
算増幅器63により制御され、この増幅器には制御電圧
U0 が供給される。この増幅器は制御部材17の出力2
3の負荷にはならない。出力トランジスタ61及びレー
ザ電流を測定する測定抵抗39(図5Aも参照)は演算
増幅器63の帰還ループに含まれるため、これら両素子
間の各電圧降下はレーザ制御そのものはに何等影響を及
ぼさない。レーザ37間の電圧は上述したような4点測
定によって測定されるため、給電リード線の抵抗による
電圧降下も除去される。
給する。この出力段の回路構成の一例を図7に示す。出
力段19は、制御部材17(図2)が半導体レーザ37
に供給すべき電流の負荷とならないようにするために必
要である。このために、出力段19は出力トランジスタ
61を具えており、このトランジスタが適切な電流を供
給することができるため、実際には図2に示す単位増幅
器25を省くこともできる。出力トランジスタ61は演
算増幅器63により制御され、この増幅器には制御電圧
U0 が供給される。この増幅器は制御部材17の出力2
3の負荷にはならない。出力トランジスタ61及びレー
ザ電流を測定する測定抵抗39(図5Aも参照)は演算
増幅器63の帰還ループに含まれるため、これら両素子
間の各電圧降下はレーザ制御そのものはに何等影響を及
ぼさない。レーザ37間の電圧は上述したような4点測
定によって測定されるため、給電リード線の抵抗による
電圧降下も除去される。
【0033】図8は半導体レーザダイオードの特性の一
例を示す。曲線65,67及び69はレーザ電流Iの関
数としてのレーザ電圧U、放射電力L及びモニタ信号M
の変化をそれぞれ示している。図8には基準値Is ,U
s,Ls 及びMs も示してある。上述した電源装置を用
いてレーザ電流Iを値Im に調整する。この値の場合、
前記4つの変数はいずれも関連する基準値よりも大きく
はならず、実際上は上記変数の1つ、この場合Lが基準
値に等しくなる(Lm =Ls )だけである。ポテンシオ
メータ35d(図4)の設定値を変えることによって基
準値Ls を高める場合、レーザ電流Iは、他の変数の1
つが基準値にほぼ等しくなるまで、例えばMm =Ms と
なるまで増大する。遷移領域内ではL並びにMは関連す
る基準値にほぼ等しく、いずれにしても4つの変数はど
れも基準値以上にはならない。
例を示す。曲線65,67及び69はレーザ電流Iの関
数としてのレーザ電圧U、放射電力L及びモニタ信号M
の変化をそれぞれ示している。図8には基準値Is ,U
s,Ls 及びMs も示してある。上述した電源装置を用
いてレーザ電流Iを値Im に調整する。この値の場合、
前記4つの変数はいずれも関連する基準値よりも大きく
はならず、実際上は上記変数の1つ、この場合Lが基準
値に等しくなる(Lm =Ls )だけである。ポテンシオ
メータ35d(図4)の設定値を変えることによって基
準値Ls を高める場合、レーザ電流Iは、他の変数の1
つが基準値にほぼ等しくなるまで、例えばMm =Ms と
なるまで増大する。遷移領域内ではL並びにMは関連す
る基準値にほぼ等しく、いずれにしても4つの変数はど
れも基準値以上にはならない。
【0034】前述したように、本発明による電源装置は
半導体レーザに、特に測定及び寿命試験をするのにエネ
ルギーを供給するのに特に好適である。しかし、本発明
による装置は、2つ以上のプロセス変数を測定し、且つ
制御する必要がある場合に常に使用することができる。
なお、本発明は或る部品や、装置や、又はプロセスを最
小値に調整することに限定されず、多数の変数値を調整
することができる。制御部材17の機能は、ダイオード
27a--- 27d(図2)の極性及び電流ICCの方向を
単に反対にするだけで、多数の変数値を最高の設定値と
するように変換することができる。従って、制御部材1
7内での最高と最低の設定値を組合わせることによっ
て、多数の変数の最低と最高の設定値の範囲内の所定の
範囲内にてプロセスを制御することもできる。本発明の
好適な応用分野として、一般に電圧と電流が可変の給電
装置の分野がある。制御部材内で正の最低設定値と負の
最高設定値とを組合せることにより、所謂4象限電源を
実現することさえもできる。4象限電源は電力を発生し
たり、消費したりすることのできる電源である。なお、
この点に関し、附勢されるデバイスの性質は無関係であ
る。特に、容量性、誘導性又は負性インピーダンスを安
定性の問題を起生することなく駆動させることができ
る。これは、本発明では電流及び電圧の実際の(非複
素)測定値を利用するからである。従って、本発明によ
る電源装置は他の給電装置用の可調整負荷として使用す
ることもできる。
半導体レーザに、特に測定及び寿命試験をするのにエネ
ルギーを供給するのに特に好適である。しかし、本発明
による装置は、2つ以上のプロセス変数を測定し、且つ
制御する必要がある場合に常に使用することができる。
なお、本発明は或る部品や、装置や、又はプロセスを最
小値に調整することに限定されず、多数の変数値を調整
することができる。制御部材17の機能は、ダイオード
27a--- 27d(図2)の極性及び電流ICCの方向を
単に反対にするだけで、多数の変数値を最高の設定値と
するように変換することができる。従って、制御部材1
7内での最高と最低の設定値を組合わせることによっ
て、多数の変数の最低と最高の設定値の範囲内の所定の
範囲内にてプロセスを制御することもできる。本発明の
好適な応用分野として、一般に電圧と電流が可変の給電
装置の分野がある。制御部材内で正の最低設定値と負の
最高設定値とを組合せることにより、所謂4象限電源を
実現することさえもできる。4象限電源は電力を発生し
たり、消費したりすることのできる電源である。なお、
この点に関し、附勢されるデバイスの性質は無関係であ
る。特に、容量性、誘導性又は負性インピーダンスを安
定性の問題を起生することなく駆動させることができ
る。これは、本発明では電流及び電圧の実際の(非複
素)測定値を利用するからである。従って、本発明によ
る電源装置は他の給電装置用の可調整負荷として使用す
ることもできる。
【図1】本発明による電源装置の一実施例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図2】図1に示した電源装置用の制御部材の回路図で
ある。
ある。
【図3】図2に示した制御部材の作動説明用特性図であ
る。
る。
【図4】図1に示した電源装置に使用する基準信号発生
器の回路図である。
器の回路図である。
【図5】図1に示した電源装置に使用するテスト回路の
回路図である。
回路図である。
【図6】図1に示した電源装置に使用する比較回路の回
路図である。
路図である。
【図7】図1に示した電源装置に使用する出力段の回路
図である。
図である。
【図8】本発明による電源装置の作動を説明するための
半導体レーザの特性図である。
半導体レーザの特性図である。
1 デバイス(半導体レーザ) 3 テスト回路 5 テスト入力端子 7a〜7d 比較回路の第1入力端子 9a〜9d 比較回路 11a〜11d 比較回路の第2入力端子 13 基準信号発生器 15a〜15d 制御部材の入力端子 17 制御部材 19 出力段
Claims (4)
- 【請求項1】 デバイス(1)に電気エネルギーを供給
するための電源装置であって、或る変数に依存し、この
変数そのものが前記デバイスに供給される電力に依存す
るテスト信号を受信する少なくとも1つのテスト入力端
子(5a,----, 5d)を具えており、このテスト入力
端子を比較回路(9a,--- ,9d)の第1入力端子
(7a,--- ,7d)に接続し、前記比較回路の第2入
力端子(11a,--- ,11d)を基準信号発生器(1
3)に接続し、この基準信号発生器を用いて前記変数の
所望値の目安となる基準信号を発生させ、前記比較回路
の出力端子を制御部材(17)に接続し、この制御部材
を用いて、前記変数が本質的に所望値に等しくなるよう
に前記デバイスに電源装置により供給される電力を制御
する電源装置において、当該電源装置が、関連する比較
回路(9a,--- ,9d)と共に少なくとも2つのテス
ト入力端子(5a,--- ,5d)を具え、前記基準信号
発生器が、テスト信号の数に相当する多数の基準信号を
発生させるのに用いられ、前記制御部材(17)が、電
源装置によりデバイス(1)に供給される電力を制御す
るのに用いられて、テスト信号に対応する変数の内の少
なくとも1つの変数が、それに関連する変数に対する所
望値に本来等しくなり、テスト信号に対応する他の変数
が、関連する所望値から所定の割合しかずれないように
したことを特徴とする電源装置。 - 【請求項2】 制御部材(17)がテスト入力端子(5
a,--- ,5d)の数に対応する多数の半導体ダイオー
ド(27a,--- ,27d)を具え、これらの各半導体
ダイオードが第1及び第2接続部を具え、第1接続部を
互いに接続して電流源回路(29)に接続し、前記第2
接続部の各々を前記各比較回路(9a,--- ,9d)の
出力端子に接続したことを特徴とする請求項1に記載の
電源装置。 - 【請求項3】 テスト信号によって表される変数が、デ
バイス(1)に供給される電圧及びデバイス(1)によ
って取り上げられる電流を含むことを特徴とする請求項
1又は2に記載の電源装置。 - 【請求項4】 デバイス(1)を半導体レーザ(37)
とし、前記テスト信号によって表される変数が、レーザ
(37)の放射電力及びレーザに接続したモニタ(4
9)が発生する信号も含むことを特徴とする請求項3に
記載の電源装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL912006582 | 1991-03-25 | ||
EP91200658 | 1991-03-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0590676A true JPH0590676A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=8207565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6721792A Pending JPH0590676A (ja) | 1991-03-25 | 1992-03-25 | 電源装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5295145A (ja) |
JP (1) | JPH0590676A (ja) |
DE (1) | DE69214491T2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19503410A1 (de) * | 1995-02-02 | 1996-08-08 | Siemens Ag | Regelung zweier Werte der von einer Laserdiode abgegebenen optischen Leistung unter Einsatz nur eines Reglers |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0386741A3 (en) * | 1989-03-09 | 1992-05-20 | Konica Corporation | Semiconductor laser driving apparatus |
-
1992
- 1992-03-17 DE DE69214491T patent/DE69214491T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-24 US US07/856,782 patent/US5295145A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-25 JP JP6721792A patent/JPH0590676A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69214491D1 (de) | 1996-11-21 |
US5295145A (en) | 1994-03-15 |
DE69214491T2 (de) | 1997-04-24 |
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