JPH0575329A - 多層アレーアンテナ装置 - Google Patents
多層アレーアンテナ装置Info
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- JPH0575329A JPH0575329A JP3231793A JP23179391A JPH0575329A JP H0575329 A JPH0575329 A JP H0575329A JP 3231793 A JP3231793 A JP 3231793A JP 23179391 A JP23179391 A JP 23179391A JP H0575329 A JPH0575329 A JP H0575329A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
- H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
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- H—ELECTRICITY
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- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q5/00—Arrangements for simultaneous operation of antennas on two or more different wavebands, e.g. dual-band or multi-band arrangements
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- H01Q5/42—Imbricated or interleaved structures; Combined or electromagnetically coupled arrangements, e.g. comprising two or more non-connected fed radiating elements using two or more imbricated arrays
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体基板を用いたマイクロストリップアン
テナを多層に構成して、異なる２つの周波数の共用化を
図る多層アレーアンテナ装置を得る。 【構成】 マイクロストリップアンテナ３の上に低周波
数帯用のすだれ形のマイクロストリップアンテナ７を形
成し、更にこの低周波数帯用マイクロストリップアンテ
ナ７にマイクロ波を供給するための給電用スルーホール
４ｂを具備する２つの異なる周波数帯域の内、低周波数
帯域ではすだれ形マイクロストリップアンテナ７を用
い、高周波数帯域ではマイクロストリップアンテナ３を
用いて２周波数共用のアレーアンテナとして動作可能で
ある。低周波数用すだれ形マイクロストリップアンテナ
のすだれ状の隙間から高周波数用マイクロストリップア
ンテナの放射する電磁波を、すだれ形マイクロストリッ
プアンテナのブロッキングの影響を受けずに空間に放射
することが出来る。
テナを多層に構成して、異なる２つの周波数の共用化を
図る多層アレーアンテナ装置を得る。 【構成】 マイクロストリップアンテナ３の上に低周波
数帯用のすだれ形のマイクロストリップアンテナ７を形
成し、更にこの低周波数帯用マイクロストリップアンテ
ナ７にマイクロ波を供給するための給電用スルーホール
４ｂを具備する２つの異なる周波数帯域の内、低周波数
帯域ではすだれ形マイクロストリップアンテナ７を用
い、高周波数帯域ではマイクロストリップアンテナ３を
用いて２周波数共用のアレーアンテナとして動作可能で
ある。低周波数用すだれ形マイクロストリップアンテナ
のすだれ状の隙間から高周波数用マイクロストリップア
ンテナの放射する電磁波を、すだれ形マイクロストリッ
プアンテナのブロッキングの影響を受けずに空間に放射
することが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロストリップ
アンテナを用いたアレーアンテナ装置の２周波数共用化
及びブロッキング化に関するものである。
アンテナを用いたアレーアンテナ装置の２周波数共用化
及びブロッキング化に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】不平衡平面回路を利用したマイクロスト
リップアンテナは、一般に小型・軽量・低損失であると
いう利点を有している。図１２は、例えばＩ．Ｊ．Ｂａ
ｈｌ，Ｐ．Ｂｈａｒｔｉａ共著の「ＭＩＣＲＯＳＴＲＩ
Ｐ ＡＮＴＥＮＮＡＳ」第２章Ｐ３１〜Ｐ８４ １９８
０年 ＡＲＴＥＣＨ ＨＯＵＳＥ，ＩＮＣ．社出版に示
された従来のマイクロストリップアンテナの一例を示す
斜視図である。図において、１ａは誘電体基板、２ａは
上記誘電体基板１ａの一方の面に構成された地導体、３
は上記誘電体基板１ａの他方の面に構成された辺長Ｌと
Ｗから成る矩形の放射導体、４ａは上記放射導体３にマ
イクロ波を供給するための給電用スルーホール、５ａは
上記給電用スルーホール４ａと上記地導体２ａとの直流
的導通を断つためのクリアランス、１１は電波を放射す
るマイクロストリップアンテナの開放周辺端、６はアレ
ーアンテナから放射された主偏波の偏波方向である。な
お、図１２（ａ）は従来のマイクロストリップアンテナ
を上面から見た場合であり、（ｂ）は従来のマイクロス
トリップアンテナを下面から見た場合である。
リップアンテナは、一般に小型・軽量・低損失であると
いう利点を有している。図１２は、例えばＩ．Ｊ．Ｂａ
ｈｌ，Ｐ．Ｂｈａｒｔｉａ共著の「ＭＩＣＲＯＳＴＲＩ
Ｐ ＡＮＴＥＮＮＡＳ」第２章Ｐ３１〜Ｐ８４ １９８
０年 ＡＲＴＥＣＨ ＨＯＵＳＥ，ＩＮＣ．社出版に示
された従来のマイクロストリップアンテナの一例を示す
斜視図である。図において、１ａは誘電体基板、２ａは
上記誘電体基板１ａの一方の面に構成された地導体、３
は上記誘電体基板１ａの他方の面に構成された辺長Ｌと
Ｗから成る矩形の放射導体、４ａは上記放射導体３にマ
イクロ波を供給するための給電用スルーホール、５ａは
上記給電用スルーホール４ａと上記地導体２ａとの直流
的導通を断つためのクリアランス、１１は電波を放射す
るマイクロストリップアンテナの開放周辺端、６はアレ
ーアンテナから放射された主偏波の偏波方向である。な
お、図１２（ａ）は従来のマイクロストリップアンテナ
を上面から見た場合であり、（ｂ）は従来のマイクロス
トリップアンテナを下面から見た場合である。
【０００３】次に動作について図１２（ａ），（ｂ）を
用いて説明する。複数の給電用スルーホール４ａを介し
て複数の放射導体３に供給されたマイクロ波は、放射導
体３上とその周囲において、偏波方向６の電流成分、あ
るいは偏波成分６と直交する磁流成分を形成する。この
電流成分あるいは磁流成分を電流源あるいは磁流源とし
て電磁波が放射導体３から空間に放射される。この放射
された電磁波は、電界方向が偏波方向６と一致する合成
波である。
用いて説明する。複数の給電用スルーホール４ａを介し
て複数の放射導体３に供給されたマイクロ波は、放射導
体３上とその周囲において、偏波方向６の電流成分、あ
るいは偏波成分６と直交する磁流成分を形成する。この
電流成分あるいは磁流成分を電流源あるいは磁流源とし
て電磁波が放射導体３から空間に放射される。この放射
された電磁波は、電界方向が偏波方向６と一致する合成
波である。
【０００４】このマイクロストリップアンテナの基本モ
ードの共振周波数ｆ０は、主に放射導体３の辺長Ｌと誘
電体基板１ａ比誘電率εｒにより決定される。また、周
波数帯域幅は、主に誘電体基板１ａの比誘電率εｒと厚
さｈにより決定され、比誘電率εｒを小とし、誘電体基
板１ａの厚さｈを大とする程広帯域となる性質がある
が、高次モードの発生を防止するために厚さｈの選択範
囲には限界があり、実用されているマイクロストリップ
アンテナの周波数帯域幅は、図１３に示すように数％程
度である。
ードの共振周波数ｆ０は、主に放射導体３の辺長Ｌと誘
電体基板１ａ比誘電率εｒにより決定される。また、周
波数帯域幅は、主に誘電体基板１ａの比誘電率εｒと厚
さｈにより決定され、比誘電率εｒを小とし、誘電体基
板１ａの厚さｈを大とする程広帯域となる性質がある
が、高次モードの発生を防止するために厚さｈの選択範
囲には限界があり、実用されているマイクロストリップ
アンテナの周波数帯域幅は、図１３に示すように数％程
度である。
【０００５】また、マイクロストリップアンテナにマイ
クロ波を給電する給電用スルーホール４ａの位置で表わ
される給電点インピーダンスは、給電用スルーホール４
ａを開放周辺端に一致させてＸ＝０とした場合に高イン
ピーダンスとなり、給電用スルーホール４ａを放射導体
３の中心に近づけるに従って順次給電点インピーダンス
が低下する性質があり、給電点インピーダンスの整合を
図るように寸法Ｘを選定する。
クロ波を給電する給電用スルーホール４ａの位置で表わ
される給電点インピーダンスは、給電用スルーホール４
ａを開放周辺端に一致させてＸ＝０とした場合に高イン
ピーダンスとなり、給電用スルーホール４ａを放射導体
３の中心に近づけるに従って順次給電点インピーダンス
が低下する性質があり、給電点インピーダンスの整合を
図るように寸法Ｘを選定する。
【０００６】マイクロストリップアンテナの寸法Ｙは、
交差偏波成分の発生を防止するため、Ｙ＝Ｗ／２とす
る。
交差偏波成分の発生を防止するため、Ｙ＝Ｗ／２とす
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のアレーアンテナ
は以上のように構成されているので、例えば、レーダ用
アレーアンテナとして使用する場合、単一の周波数帯で
しか使用できず、かつ、レーダのビーム捜索範囲内に目
標物が２つ以上存在する場合などの同時多目標対処がで
きないという問題点があった。
は以上のように構成されているので、例えば、レーダ用
アレーアンテナとして使用する場合、単一の周波数帯で
しか使用できず、かつ、レーダのビーム捜索範囲内に目
標物が２つ以上存在する場合などの同時多目標対処がで
きないという問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、２つの周波数帯域で使用でき、
かつ、低ブロッキング化を図れる２周波数共用および低
ブロッキング化のアレーアンテナを得ることを目的とす
る。
ためになされたもので、２つの周波数帯域で使用でき、
かつ、低ブロッキング化を図れる２周波数共用および低
ブロッキング化のアレーアンテナを得ることを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる多層ア
レーアンテナ装置は、従来の放射導体３を高周波数帯域
用のマイクロストリップアンテナとし、この上に誘電体
基板と低周波数帯用のマイクロストリップアンテナを形
成し、その形状をすだれ形のマイクロストリップアンテ
ナとして、更にこの低周波数帯用のすだれ形マイクロス
トリップアンテナにマイクロ波を供給するための給電用
スルーホールを具備したものである。
レーアンテナ装置は、従来の放射導体３を高周波数帯域
用のマイクロストリップアンテナとし、この上に誘電体
基板と低周波数帯用のマイクロストリップアンテナを形
成し、その形状をすだれ形のマイクロストリップアンテ
ナとして、更にこの低周波数帯用のすだれ形マイクロス
トリップアンテナにマイクロ波を供給するための給電用
スルーホールを具備したものである。
【００１０】この発明に係わる多層アレーアンテナ装置
は、従来の放射導体３を低周波数帯域用のすだれ形のマ
イクロストリップアンテナとし、その下に高周波数帯域
用スロットアンテナと低周波数帯域用すだれ形マイクロ
ストリップアンテナにマイクロ波を供給するための給電
用スルーホールを設けた誘電体基板を設け、更にその下
に高周波数帯域用スロットアンテナにマイクロ波を供給
するための結合用ストリップ線路と低周波数帯域用すだ
れ形マイクロストリップアンテナにマイクロ波を供給す
るための給電用スルーホールを設けた誘電体基板を具備
したものである。
は、従来の放射導体３を低周波数帯域用のすだれ形のマ
イクロストリップアンテナとし、その下に高周波数帯域
用スロットアンテナと低周波数帯域用すだれ形マイクロ
ストリップアンテナにマイクロ波を供給するための給電
用スルーホールを設けた誘電体基板を設け、更にその下
に高周波数帯域用スロットアンテナにマイクロ波を供給
するための結合用ストリップ線路と低周波数帯域用すだ
れ形マイクロストリップアンテナにマイクロ波を供給す
るための給電用スルーホールを設けた誘電体基板を具備
したものである。
【００１１】
【作用】この発明における多層アレーアンテナ装置は、
２つの異なる周波数帯域のうち、低い周波数帯域では低
周波数用のすだれ形マイクロストリップアンテナを用
い、また、高い周波数帯域では高周波数用のマイクロス
トリップアンテナを用いることで２周波数共用のアレー
アンテナとして動作させることが出来る。更に、低周波
数用のすだれ形マイクロストリップアンテナのすだれ状
の隙間から高周波数用マイクロストリップアンテナの放
射する電磁波を、低周波数用すだれ形マイクロストリッ
プアンテナのブロッキングの影響を受けずに空間に放射
することが出来る。
２つの異なる周波数帯域のうち、低い周波数帯域では低
周波数用のすだれ形マイクロストリップアンテナを用
い、また、高い周波数帯域では高周波数用のマイクロス
トリップアンテナを用いることで２周波数共用のアレー
アンテナとして動作させることが出来る。更に、低周波
数用のすだれ形マイクロストリップアンテナのすだれ状
の隙間から高周波数用マイクロストリップアンテナの放
射する電磁波を、低周波数用すだれ形マイクロストリッ
プアンテナのブロッキングの影響を受けずに空間に放射
することが出来る。
【００１２】この発明における多層アレーアンテナ装置
は、２つの異なる周波数帯域のうち、低い周波数帯域で
は低周波数用のすだれ形マイクロストリップアンテナを
用い、また、高い周波数帯域では高周波数用のスロット
アンテナを用いることで２周波数共用のアレーアンテナ
として動作させることが出来る。更に、低周波数用のマ
イクロストリップアンテナと高周波数用のストリップア
ンテナの２つの主偏波を直交させることで、偏波共用の
アレーアンテナとすることができ、かつ、低周波数用の
すだれ形マイクロストリップアンテナのすだれ状の隙間
から高周波数用スロットアンテナから放射される電磁波
を、低周波数用すだれ形マイクロストリップアンテナの
ブロッキングの影響を受けずに空間に放射することが出
来る。
は、２つの異なる周波数帯域のうち、低い周波数帯域で
は低周波数用のすだれ形マイクロストリップアンテナを
用い、また、高い周波数帯域では高周波数用のスロット
アンテナを用いることで２周波数共用のアレーアンテナ
として動作させることが出来る。更に、低周波数用のマ
イクロストリップアンテナと高周波数用のストリップア
ンテナの２つの主偏波を直交させることで、偏波共用の
アレーアンテナとすることができ、かつ、低周波数用の
すだれ形マイクロストリップアンテナのすだれ状の隙間
から高周波数用スロットアンテナから放射される電磁波
を、低周波数用すだれ形マイクロストリップアンテナの
ブロッキングの影響を受けずに空間に放射することが出
来る。
【００１３】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１は多層化アレーアンテナ装置の一
部を示す斜視図である。図中、１、２及び５は従来のア
レーアンテナと全く同一のものである。３は給電用スル
ーホール４ａと接続される高周波数帯域用マイクロスト
リップアンテナ、６は上記高周波数帯域用マイクロスト
リップアンテナ３の主偏波方向を示す高周波数帯域偏波
方向、７は給電用スルーホール４ｂと接続される低周波
数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ、８は上
記低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ
７の主偏波方向を示す低周波数帯域偏波方向である。な
お、図１（ａ）は多層化アレーアンテナ装置の上面から
見た斜視図であり、（ｂ）は多層化アレーアンテナ装置
の下面から見た斜視図である。
ついて説明する。図１は多層化アレーアンテナ装置の一
部を示す斜視図である。図中、１、２及び５は従来のア
レーアンテナと全く同一のものである。３は給電用スル
ーホール４ａと接続される高周波数帯域用マイクロスト
リップアンテナ、６は上記高周波数帯域用マイクロスト
リップアンテナ３の主偏波方向を示す高周波数帯域偏波
方向、７は給電用スルーホール４ｂと接続される低周波
数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ、８は上
記低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ
７の主偏波方向を示す低周波数帯域偏波方向である。な
お、図１（ａ）は多層化アレーアンテナ装置の上面から
見た斜視図であり、（ｂ）は多層化アレーアンテナ装置
の下面から見た斜視図である。
【００１４】次に、動作について説明する。便宜上、低
周波数帯域と高周波数帯域の２つの動作周波数帯域にそ
れぞれ分けて説明する。
周波数帯域と高周波数帯域の２つの動作周波数帯域にそ
れぞれ分けて説明する。
【００１５】まず、動作周波数帯域が低周波数帯の場合
について説明する。例えば、Ｘ帯のマイクロ波が地導体
２ａ上の給電用スルーホール４ｂに入力され、誘電体基
板１ａを介して誘電体基板１ｂ上の低周波数帯域用すだ
れ形マイクロストリップアンテナ７に供給されると、低
周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ７上
あるいはその周囲に低周波数帯域偏波方向８の電流成分
あるいは低周波数帯域偏波方向８と直交する磁流成分が
形成される。この電流または磁流成分を、電流源または
磁流源として電磁波が低周波数帯域用すだれ形マイクロ
ストリップアンテナ７から空間に放射される。この放射
された電磁波は、電界方向が低周波数帯域偏波方向８と
一致する合成波となる。ここで、上記電流源または上記
磁流源から放射されたＸ帯の電磁波は高周波数帯域用マ
イクロストリップアンテナ３の共振周波数から帯域がず
れており、また、低周波数帯域偏波方向８が高周波数帯
域用マイクロストリップアンテナ３の高周波数帯域偏波
方向６と直交しているため、高周波数帯域用マイクロス
トリップアンテナ３からの影響を受けにくい。
について説明する。例えば、Ｘ帯のマイクロ波が地導体
２ａ上の給電用スルーホール４ｂに入力され、誘電体基
板１ａを介して誘電体基板１ｂ上の低周波数帯域用すだ
れ形マイクロストリップアンテナ７に供給されると、低
周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ７上
あるいはその周囲に低周波数帯域偏波方向８の電流成分
あるいは低周波数帯域偏波方向８と直交する磁流成分が
形成される。この電流または磁流成分を、電流源または
磁流源として電磁波が低周波数帯域用すだれ形マイクロ
ストリップアンテナ７から空間に放射される。この放射
された電磁波は、電界方向が低周波数帯域偏波方向８と
一致する合成波となる。ここで、上記電流源または上記
磁流源から放射されたＸ帯の電磁波は高周波数帯域用マ
イクロストリップアンテナ３の共振周波数から帯域がず
れており、また、低周波数帯域偏波方向８が高周波数帯
域用マイクロストリップアンテナ３の高周波数帯域偏波
方向６と直交しているため、高周波数帯域用マイクロス
トリップアンテナ３からの影響を受けにくい。
【００１６】ここで、低周波数帯域用すだれ形マイクロ
ストリップアンテナ７について説明する。図２は低周波
数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナの斜視図
である。すだれ形マイクロストリップアンテナの動作原
理は、従来の矩形マイクロストリップアンテナの特性と
全く同一である。すだれ形マイクロストリップアンテナ
の基本モードの共振周波数ｆ０は主に放射導体３の辺長
Ｌと誘電体基板１ａの比誘電率εｒにより決定され、周
波数帯域幅は主に誘電体基板１ａの比誘電率εｒと厚さ
ｈにより決定される。すだれ形マイクロストリップアン
テナの周波数帯域幅は、図４に示したように数％程度で
ある。
ストリップアンテナ７について説明する。図２は低周波
数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナの斜視図
である。すだれ形マイクロストリップアンテナの動作原
理は、従来の矩形マイクロストリップアンテナの特性と
全く同一である。すだれ形マイクロストリップアンテナ
の基本モードの共振周波数ｆ０は主に放射導体３の辺長
Ｌと誘電体基板１ａの比誘電率εｒにより決定され、周
波数帯域幅は主に誘電体基板１ａの比誘電率εｒと厚さ
ｈにより決定される。すだれ形マイクロストリップアン
テナの周波数帯域幅は、図４に示したように数％程度で
ある。
【００１７】また、すだれ形マイクロストリップアンテ
ナにマイクロ波を給電する給電用スルーホール４ａの位
置で表わされる給電点インピーダンスは、給電用スルー
ホール４ａを開放周辺端に一致させてＸ＝０とした場合
に高インピーダンスとなり、給電用スルーホール４ａを
放射導体３の中心に近づけるに従って順次給電点インピ
ーダンスが低下する性質があり、給電点インピーダンス
の整合を図るように寸法Ｘを選定する。
ナにマイクロ波を給電する給電用スルーホール４ａの位
置で表わされる給電点インピーダンスは、給電用スルー
ホール４ａを開放周辺端に一致させてＸ＝０とした場合
に高インピーダンスとなり、給電用スルーホール４ａを
放射導体３の中心に近づけるに従って順次給電点インピ
ーダンスが低下する性質があり、給電点インピーダンス
の整合を図るように寸法Ｘを選定する。
【００１８】すだれ形マイクロストリップアンテナの寸
法Ｙは、交差偏波成分の発生を防止するため、Ｙ＝Ｗ／
２とする。
法Ｙは、交差偏波成分の発生を防止するため、Ｙ＝Ｗ／
２とする。
【００１９】すだれ形マイクロストリップアンテナのす
だれの長さＬ１，Ｌ２と間隔Ｗ１は、ブロッキングされ
る高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３から放
射される電磁波をすだれ状の隙間から空間に放射できる
ように実験的に求める。
だれの長さＬ１，Ｌ２と間隔Ｗ１は、ブロッキングされ
る高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３から放
射される電磁波をすだれ状の隙間から空間に放射できる
ように実験的に求める。
【００２０】高周波数帯域用マイクロストリップアンテ
ナ３から放射した電磁波をブロッキングの影響が小さく
なるように上層に配置する低周波数帯域用マイクロスト
リップアンテナ７の形状を求める。また、下層の高周波
数帯域用マイクロストリップアンテナ３の位置と上層に
配置する低周波数帯域用マイクロストリップアンテナ７
の位置によるブロッキングの影響の関係から実験的に求
める。
ナ３から放射した電磁波をブロッキングの影響が小さく
なるように上層に配置する低周波数帯域用マイクロスト
リップアンテナ７の形状を求める。また、下層の高周波
数帯域用マイクロストリップアンテナ３の位置と上層に
配置する低周波数帯域用マイクロストリップアンテナ７
の位置によるブロッキングの影響の関係から実験的に求
める。
【００２１】図３に上層に配置する低周波数帯域用マイ
クロストリップアンテナ１２の形状を下層に配置する高
周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３と同じ矩形
のマイクロストリップアンテナとした場合を示す。図３
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ下層の高周波数帯域
用マイクロストリップアンテナ３とのずれを示す。
クロストリップアンテナ１２の形状を下層に配置する高
周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３と同じ矩形
のマイクロストリップアンテナとした場合を示す。図３
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ下層の高周波数帯域
用マイクロストリップアンテナ３とのずれを示す。
【００２２】このときの下層の高周波数帯域用マイクロ
ストリップアンテナ３の反射特性を図４に示す。設計中
心の規格化周波数ｆ０において、上層にブロッキングの
矩形の低周波数帯域用マイクロストリップアンテナ１２
を配置した場合は反射損失が約−１３ｄＢから約−４ｄ
Ｂと悪く、下層の高周波数帯域用マイクロストリップア
ンテナ３から放射した電磁波は空間に十分放射されない
ことがわかった。
ストリップアンテナ３の反射特性を図４に示す。設計中
心の規格化周波数ｆ０において、上層にブロッキングの
矩形の低周波数帯域用マイクロストリップアンテナ１２
を配置した場合は反射損失が約−１３ｄＢから約−４ｄ
Ｂと悪く、下層の高周波数帯域用マイクロストリップア
ンテナ３から放射した電磁波は空間に十分放射されない
ことがわかった。
【００２３】図５に上層に配置する低周波数帯域用マイ
クロストリップアンテナ７の形状を片側のみすだれ形の
低周波数帯域用マイクロストリップアンテナ７ａとした
場合を示す。図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ下
層の高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３との
ずれを示す。また、すだれ形状はＬ１＝Ｌａ／２とし、
すだれの幅は低周波数帯域用マイクロストリップアンテ
ナの幅Ｗａを均等５分割したＷ１とした。
クロストリップアンテナ７の形状を片側のみすだれ形の
低周波数帯域用マイクロストリップアンテナ７ａとした
場合を示す。図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ下
層の高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３との
ずれを示す。また、すだれ形状はＬ１＝Ｌａ／２とし、
すだれの幅は低周波数帯域用マイクロストリップアンテ
ナの幅Ｗａを均等５分割したＷ１とした。
【００２４】このときの下層の高周波数帯域用マイクロ
ストリップアンテナ３の反射特性を図６に示す。設計中
心の規格化周波数ｆ０において、上層にブロッキングの
片側すだれ形低周波数帯域用マイクロストリップアンテ
ナ７ａを配置した場合は反射損失が約−１４ｄＢから約
−６ｄＢと悪く、下層の高周波数帯域用マイクロストリ
ップアンテナ３から放射した電磁波は空間に十分放射さ
れないことがわかった。
ストリップアンテナ３の反射特性を図６に示す。設計中
心の規格化周波数ｆ０において、上層にブロッキングの
片側すだれ形低周波数帯域用マイクロストリップアンテ
ナ７ａを配置した場合は反射損失が約−１４ｄＢから約
−６ｄＢと悪く、下層の高周波数帯域用マイクロストリ
ップアンテナ３から放射した電磁波は空間に十分放射さ
れないことがわかった。
【００２５】図７に上層に配置する低周波数帯域用マイ
クロストリップアンテナ７の形状を両側すだれ形の低周
波数帯域用マイクロストリップアンテナ７とした場合を
示す。図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ下層の高
周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３とのずれを
示す。また、すだれ形状はＬ１＝Ｌａ／２とし、Ｌ２＝
Ｌａ／４とした。また、すだれの幅は低周波数帯域用マ
イクロストリップアンテナの幅Ｗａを均等５分割したＷ
１とした。
クロストリップアンテナ７の形状を両側すだれ形の低周
波数帯域用マイクロストリップアンテナ７とした場合を
示す。図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ下層の高
周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３とのずれを
示す。また、すだれ形状はＬ１＝Ｌａ／２とし、Ｌ２＝
Ｌａ／４とした。また、すだれの幅は低周波数帯域用マ
イクロストリップアンテナの幅Ｗａを均等５分割したＷ
１とした。
【００２６】このときの下層の高周波数帯域用マイクロ
ストリップアンテナ３の反射特性を図８に示す。設計中
心の規格化周波数ｆ０において、上層にブロッキングの
両側すだれ形低周波数帯域用マイクロストリップアンテ
ナ７を配置した場合は、すだれ形低周波数帯域用マイク
ロストリップアンテナ７をずらしても反射損失の劣化は
生じずに約−２０ｄＢ以下と良好な特性を得られ、下層
の高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３から放
射した電磁波は空間に十分放射されることがわかった。
ストリップアンテナ３の反射特性を図８に示す。設計中
心の規格化周波数ｆ０において、上層にブロッキングの
両側すだれ形低周波数帯域用マイクロストリップアンテ
ナ７を配置した場合は、すだれ形低周波数帯域用マイク
ロストリップアンテナ７をずらしても反射損失の劣化は
生じずに約−２０ｄＢ以下と良好な特性を得られ、下層
の高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３から放
射した電磁波は空間に十分放射されることがわかった。
【００２７】ここでは両側すだれ形低周波数帯域用マイ
クロストリップアンテナ７のすだれの本数を３本で説明
したが、低周波数帯域用マイクロストリップアンテナ７
のすだれ形の長さＬ１とＬ２を変えずに、低周波数帯域
用マイクロストリップアンテナの幅Ｗａを均等７分割し
たすだれ幅Ｗ１で形成される本数４本の場合でも、ま
た、同じく低周波数帯域用マイクロストリップアンテナ
の幅Ｗａを均等９分割したすだれ幅Ｗ１で形成される本
数５本の場合でもすだれの本数が３本の場合と同様の性
能を有した。
クロストリップアンテナ７のすだれの本数を３本で説明
したが、低周波数帯域用マイクロストリップアンテナ７
のすだれ形の長さＬ１とＬ２を変えずに、低周波数帯域
用マイクロストリップアンテナの幅Ｗａを均等７分割し
たすだれ幅Ｗ１で形成される本数４本の場合でも、ま
た、同じく低周波数帯域用マイクロストリップアンテナ
の幅Ｗａを均等９分割したすだれ幅Ｗ１で形成される本
数５本の場合でもすだれの本数が３本の場合と同様の性
能を有した。
【００２８】次に、動作周波数帯域が高周波数帯域の場
合について説明する。例えば、Ｋｕ帯のマイクロストリ
ップアンテナが地導体２ａ上の給電用スルーホール４ａ
に入力され、誘電体基板１ａ上の高周波数帯域用マイク
ロストリップアンテナ３に供給されると、高周波数帯域
用マイクロストリップアンテナ３上またはその周辺に高
周波数帯域偏波方向６の電流成分または高周波数帯域偏
波方向６と直交する磁流成分が形成される。この電流ま
たは磁流成分を、電流源または磁流源として電磁波が空
間に放射される。この放射された電磁波は、電界方向が
高周波数帯域偏波方向６と一致する合成波となる。ここ
で、上記電流源または上記磁流源から放射されたＫｕ帯
の電磁波は低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップ
アンテナ７の共振周波数から帯域がずれており、また、
高周波数帯域偏波方向６は低周波数帯域用すだれ形マイ
クロストリップアンテナ７の低周波数帯域偏波方向８と
直交しているため、低周波数帯域用マイクロストリップ
アンテナ７の影響を受けにくく、かつ、上層に配置した
低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ７
の形状をすだれ状に形成することで、すだれ状の隙間か
ら高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３から放
射された電磁波に対するブロッキングの影響を受けずに
空間に電磁波を放射する。
合について説明する。例えば、Ｋｕ帯のマイクロストリ
ップアンテナが地導体２ａ上の給電用スルーホール４ａ
に入力され、誘電体基板１ａ上の高周波数帯域用マイク
ロストリップアンテナ３に供給されると、高周波数帯域
用マイクロストリップアンテナ３上またはその周辺に高
周波数帯域偏波方向６の電流成分または高周波数帯域偏
波方向６と直交する磁流成分が形成される。この電流ま
たは磁流成分を、電流源または磁流源として電磁波が空
間に放射される。この放射された電磁波は、電界方向が
高周波数帯域偏波方向６と一致する合成波となる。ここ
で、上記電流源または上記磁流源から放射されたＫｕ帯
の電磁波は低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップ
アンテナ７の共振周波数から帯域がずれており、また、
高周波数帯域偏波方向６は低周波数帯域用すだれ形マイ
クロストリップアンテナ７の低周波数帯域偏波方向８と
直交しているため、低周波数帯域用マイクロストリップ
アンテナ７の影響を受けにくく、かつ、上層に配置した
低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ７
の形状をすだれ状に形成することで、すだれ状の隙間か
ら高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３から放
射された電磁波に対するブロッキングの影響を受けずに
空間に電磁波を放射する。
【００２９】ここで、図３の（ａ）に示した場合の高周
波数帯域用マイクロストリップアンテナ３から放射した
電磁波の放射特性を図９に示す。図中、（ａ）は高周波
数帯域用マイクロストリップアンテナ３から放射した電
磁波のＨ面の放射特性であり、（ｂ）は高周波数帯域用
マイクロストリップアンテナ３から放射した電磁波のＥ
面放射特性である。（ａ）、（ｂ）において実線は正偏
波であり、破線は交差偏波である。正偏波と交差偏波の
相対電力のレベル値は差異が見られず、低周波数帯域用
矩形マイクロストリップアンテナ１２により高周波数帯
域用マイクロストリップアンテナ３から放射した電磁波
は空間に十分放射されない。
波数帯域用マイクロストリップアンテナ３から放射した
電磁波の放射特性を図９に示す。図中、（ａ）は高周波
数帯域用マイクロストリップアンテナ３から放射した電
磁波のＨ面の放射特性であり、（ｂ）は高周波数帯域用
マイクロストリップアンテナ３から放射した電磁波のＥ
面放射特性である。（ａ）、（ｂ）において実線は正偏
波であり、破線は交差偏波である。正偏波と交差偏波の
相対電力のレベル値は差異が見られず、低周波数帯域用
矩形マイクロストリップアンテナ１２により高周波数帯
域用マイクロストリップアンテナ３から放射した電磁波
は空間に十分放射されない。
【００３０】一方、図７（ａ）に示した場合の高周波数
帯域用マイクロストリップアンテナ３から放射した電磁
波の放射特性を図１０に示す。図中、（ａ）は高周波数
帯域用マイクロストリップアンテナ３から放射した電磁
波のＨ面の放射特性であり、（ｂ）は高周波数帯域用マ
イクロストリップアンテナ３から放射した電磁波のＥ面
放射特性である。（ａ）、（ｂ）において実線は正偏波
であり、破線は交差偏波である。正偏波と交差偏波の相
対電力のレベル値は差異が見られ、低周波数帯域用すだ
れ形マイクロストリップアンテナ７によりブロッキング
の影響は少なくなり、高周波数帯域用マイクロストリッ
プアンテナ３から放射した電磁波は空間に十分放射され
る。
帯域用マイクロストリップアンテナ３から放射した電磁
波の放射特性を図１０に示す。図中、（ａ）は高周波数
帯域用マイクロストリップアンテナ３から放射した電磁
波のＨ面の放射特性であり、（ｂ）は高周波数帯域用マ
イクロストリップアンテナ３から放射した電磁波のＥ面
放射特性である。（ａ）、（ｂ）において実線は正偏波
であり、破線は交差偏波である。正偏波と交差偏波の相
対電力のレベル値は差異が見られ、低周波数帯域用すだ
れ形マイクロストリップアンテナ７によりブロッキング
の影響は少なくなり、高周波数帯域用マイクロストリッ
プアンテナ３から放射した電磁波は空間に十分放射され
る。
【００３１】実施例２．次に、この発明の他の実施例を
図について説明する。図２はこの発明の第２の実施例に
よる従来の高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ
３を結合用ストリップ線路１０とし、この複数の結合用
ストリップ線路１０の上に誘電体基板１ｃと高周波数帯
域用スロットアンテナ９を形成し、更に、上記高周波数
帯域用スロットアンテナ９にマイクロ波を給電するため
の結合用ストリップ線路１０に給電用スルーホール４ｃ
とクリアランス５ｃを設けた場合である。
図について説明する。図２はこの発明の第２の実施例に
よる従来の高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ
３を結合用ストリップ線路１０とし、この複数の結合用
ストリップ線路１０の上に誘電体基板１ｃと高周波数帯
域用スロットアンテナ９を形成し、更に、上記高周波数
帯域用スロットアンテナ９にマイクロ波を給電するため
の結合用ストリップ線路１０に給電用スルーホール４ｃ
とクリアランス５ｃを設けた場合である。
【００３２】次に、動作について説明する。便宜上、低
周波数帯域と高周波数帯域の２つの動作周波数帯域にそ
れぞれ分けて説明する。
周波数帯域と高周波数帯域の２つの動作周波数帯域にそ
れぞれ分けて説明する。
【００３３】まず、動作周波数帯域が低周波数帯の場合
について説明する。例えば、Ｘ帯のマイクロ波が地導体
２ａ上の給電用スルーホール４ｂに入力され、誘電体基
板１ａを介して誘電体基板１ｂ上の低周波数帯域用すだ
れ形マイクロストリップアンテナ７に供給されると、低
周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ７上
あるいはその周囲に低周波数帯域偏波方向８の電流成分
あるいは低周波数帯域偏波方向８と直交する磁流成分が
形成される。この電流または磁流成分を、電流源または
磁流源として電磁波が低周波数帯域用すだれ形マイクロ
ストリップアンテナ７から空間に放射される。この放射
された電磁波は、電界方向が低周波数帯域偏波方向８と
一致する合成波となる。ここで、上記電流源または上記
磁流源から放射されたＸ帯の電磁波は高周波数帯域用ス
ロットアンテナ９の共振周波数から帯域がずれており、
また、低周波数帯域偏波方向８が高周波数帯域用スロッ
トアンテナ９の高周波数帯域偏波方向６と直交している
ため、高周波数帯域用スロットアンテナ９からの影響を
受けにくい。
について説明する。例えば、Ｘ帯のマイクロ波が地導体
２ａ上の給電用スルーホール４ｂに入力され、誘電体基
板１ａを介して誘電体基板１ｂ上の低周波数帯域用すだ
れ形マイクロストリップアンテナ７に供給されると、低
周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ７上
あるいはその周囲に低周波数帯域偏波方向８の電流成分
あるいは低周波数帯域偏波方向８と直交する磁流成分が
形成される。この電流または磁流成分を、電流源または
磁流源として電磁波が低周波数帯域用すだれ形マイクロ
ストリップアンテナ７から空間に放射される。この放射
された電磁波は、電界方向が低周波数帯域偏波方向８と
一致する合成波となる。ここで、上記電流源または上記
磁流源から放射されたＸ帯の電磁波は高周波数帯域用ス
ロットアンテナ９の共振周波数から帯域がずれており、
また、低周波数帯域偏波方向８が高周波数帯域用スロッ
トアンテナ９の高周波数帯域偏波方向６と直交している
ため、高周波数帯域用スロットアンテナ９からの影響を
受けにくい。
【００３４】ここで、低周波数帯域用すだれ形マイクロ
ストリップアンテナ７の特性は実施例１と全く同様であ
る。
ストリップアンテナ７の特性は実施例１と全く同様であ
る。
【００３５】次に、動作周波数帯域が高周波数帯域の場
合について説明する。例えば、Ｋｕ帯のマイクロ波が給
電用スルーホール４ｃを介して結合用ストリップ線路１
０に供給され、電磁結合によって高周波数帯域用スロッ
トアンテナ９に励振する。これにより、高周波数帯域用
スロットアンテナ９に磁流が伝わり電界方向が高周波数
帯域偏波方向６である電磁波を誘電体基板１ｂを介して
空間に放射する。また、高周波数帯域偏波方向６は低周
波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ７の低
周波数帯域偏波方向８と直交しているため、低周波数帯
域用マイクロストリップアンテナ７の影響を受けにく
く、上層に配置した低周波数帯域用すだれ形マイクロス
トリップアンテナ７の形状をすだれ状に形成しているの
で、すだれ状の隙間から高周波数帯域用スロットアンテ
ナ９から放射された電磁波に対するブロッキングの影響
を受けずに空間に電磁波を放射する。
合について説明する。例えば、Ｋｕ帯のマイクロ波が給
電用スルーホール４ｃを介して結合用ストリップ線路１
０に供給され、電磁結合によって高周波数帯域用スロッ
トアンテナ９に励振する。これにより、高周波数帯域用
スロットアンテナ９に磁流が伝わり電界方向が高周波数
帯域偏波方向６である電磁波を誘電体基板１ｂを介して
空間に放射する。また、高周波数帯域偏波方向６は低周
波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ７の低
周波数帯域偏波方向８と直交しているため、低周波数帯
域用マイクロストリップアンテナ７の影響を受けにく
く、上層に配置した低周波数帯域用すだれ形マイクロス
トリップアンテナ７の形状をすだれ状に形成しているの
で、すだれ状の隙間から高周波数帯域用スロットアンテ
ナ９から放射された電磁波に対するブロッキングの影響
を受けずに空間に電磁波を放射する。
【００３６】ここで、高周波数帯域用スロットアンテナ
９から放射される電磁波の放射特性は、実施例１とほぼ
同様である。
９から放射される電磁波の放射特性は、実施例１とほぼ
同様である。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば放射導
体をそれぞれが狭帯域の高周波数帯域用マイクロストリ
ップアンテナ３と低周波数帯域用すだれ形マイクロスト
リップアンテナ７の２種類にして、高周波数帯域用マイ
クロストリップアンテナ３の上に誘電体基板１ｂを介し
て低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ
７を、それぞれの主偏波が直交するように配置したの
で、２つの周波数帯域で動作させることができ、しかも
高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３の電磁波
は低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ
７にすだれ状の隙間を施すことで、ブロッキングの影響
を受けずに空間に放射させることが可能となる。
体をそれぞれが狭帯域の高周波数帯域用マイクロストリ
ップアンテナ３と低周波数帯域用すだれ形マイクロスト
リップアンテナ７の２種類にして、高周波数帯域用マイ
クロストリップアンテナ３の上に誘電体基板１ｂを介し
て低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ
７を、それぞれの主偏波が直交するように配置したの
で、２つの周波数帯域で動作させることができ、しかも
高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ３の電磁波
は低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ
７にすだれ状の隙間を施すことで、ブロッキングの影響
を受けずに空間に放射させることが可能となる。
【００３８】また、レーダ用アレーアンテナとして使用
する場合、使用周波数帯域を低い周波数帯域から高い周
波数帯域に切換える事で、アンテナの放射パターンの３
ｄＢビーム幅を小さくすることもでき、これによりレー
ダの方位分解能を向上させることもできる。
する場合、使用周波数帯域を低い周波数帯域から高い周
波数帯域に切換える事で、アンテナの放射パターンの３
ｄＢビーム幅を小さくすることもでき、これによりレー
ダの方位分解能を向上させることもできる。
【００３９】以上のようにこの発明によれば放射導体を
それぞれが狭帯域の高周波数帯域用スロットアンテナ９
と低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ
７の２種類にし、高周波数帯域用スロットアンテナ９の
上に誘電体基板１ｂを介して低周波数帯域用すだれ形マ
イクロストリップアンテナ７を、それぞれの主偏波が直
交するように配置したので、２つの周波数帯域で動作さ
せることができ、しかも高周波数帯域用スロットアンテ
ナ９の電磁波は低周波数帯域用すだれ形マイクロストリ
ップアンテナ７にすだれ状の隙間を施すことで、ブロッ
キングの影響を受けずに空間に放射させることが可能と
なる。
それぞれが狭帯域の高周波数帯域用スロットアンテナ９
と低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ
７の２種類にし、高周波数帯域用スロットアンテナ９の
上に誘電体基板１ｂを介して低周波数帯域用すだれ形マ
イクロストリップアンテナ７を、それぞれの主偏波が直
交するように配置したので、２つの周波数帯域で動作さ
せることができ、しかも高周波数帯域用スロットアンテ
ナ９の電磁波は低周波数帯域用すだれ形マイクロストリ
ップアンテナ７にすだれ状の隙間を施すことで、ブロッ
キングの影響を受けずに空間に放射させることが可能と
なる。
【００４０】また、レーダ用アレーアンテナとして使用
する場合、使用周波数帯域を低い周波数帯域から高い周
波数帯域に切換える事で、アンテナの放射パターンの３
ｄＢビーム幅を小さくすることもでき、これによりレー
ダの方位分解能を向上させることもできる。
する場合、使用周波数帯域を低い周波数帯域から高い周
波数帯域に切換える事で、アンテナの放射パターンの３
ｄＢビーム幅を小さくすることもでき、これによりレー
ダの方位分解能を向上させることもできる。
【図１】この発明の実施例１における多層アレーアンテ
ナ装置の一部を示す斜視図である。
ナ装置の一部を示す斜視図である。
【図２】この発明の実施例１におけるすだれ形マイクロ
ストリップアンテナの一部を示す斜視図である。
ストリップアンテナの一部を示す斜視図である。
【図３】この発明の実施例１における高周波数帯域用マ
イクロストリップアンテナとブロッキングとなる低周波
数帯域用矩形マイクロストリップアンテナの一部を示す
上面図である。
イクロストリップアンテナとブロッキングとなる低周波
数帯域用矩形マイクロストリップアンテナの一部を示す
上面図である。
【図４】この発明の実施例１におけるブロッキングとな
る低周波数帯域用矩形マイクロストリップアンテナによ
る高周波数帯域用マイクロストリップアンテナの共振周
波数と反射損失の特性を示す図である。
る低周波数帯域用矩形マイクロストリップアンテナによ
る高周波数帯域用マイクロストリップアンテナの共振周
波数と反射損失の特性を示す図である。
【図５】この発明の実施例１における高周波数帯域用マ
イクロストリップアンテナとブロッキングとなる低周波
数帯域用片側すだれ形マイクロストリップアンテナの一
部を示す上面図である。
イクロストリップアンテナとブロッキングとなる低周波
数帯域用片側すだれ形マイクロストリップアンテナの一
部を示す上面図である。
【図６】この発明の実施例１におけるブロッキングとな
る低周波数帯域用片側すだれ形マイクロストリップアン
テナによる高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ
の共振周波数と反射損失の特性を示す図である。
る低周波数帯域用片側すだれ形マイクロストリップアン
テナによる高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ
の共振周波数と反射損失の特性を示す図である。
【図７】この発明の実施例１における高周波数帯域用形
マイクロストリップアンテナとブロッキングとなる低周
波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナの一部
を示す上面図である。
マイクロストリップアンテナとブロッキングとなる低周
波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナの一部
を示す上面図である。
【図８】この発明の実施例１におけるブロッキングとな
る低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ
による高周波数帯域用マイクロストリップアンテナの共
振周波数と反射損失の特性を示す図である。
る低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナ
による高周波数帯域用マイクロストリップアンテナの共
振周波数と反射損失の特性を示す図である。
【図９】この発明の実施例１におけるブロッキングとな
る低周波数帯域用矩形マイクロストリップアンテナによ
る高周波数帯域用マイクロストリップアンテナの放射特
性を示す図である。
る低周波数帯域用矩形マイクロストリップアンテナによ
る高周波数帯域用マイクロストリップアンテナの放射特
性を示す図である。
【図１０】この発明の実施例１におけるブロッキングと
なる低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテ
ナによる高周波数帯域用マイクロストリップアンテナの
放射特性を示す図である。
なる低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテ
ナによる高周波数帯域用マイクロストリップアンテナの
放射特性を示す図である。
【図１１】この発明の実施例２における多層アレーアン
テナ装置の一部を示す斜視図である。
テナ装置の一部を示す斜視図である。
【図１２】従来のアレーアンテナ装置の一部を示す斜視
図である。
図である。
【図１３】従来のアレーアンテナ装置に使用されている
マイクロストリップアンテナの共振周波数と反射損失の
特性を示す図である。
マイクロストリップアンテナの共振周波数と反射損失の
特性を示す図である。
１ 誘電体基板 ２ 地導体 ３ 高周波数帯域用マイクロストリップアンテナ ４ 給電用スルーホール ５ クリアランス ６ 高周波数帯域偏波方向 ７ 低周波数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテ
ナ ８ 低周波数帯域偏波方向 ９ 高周波数帯域用スロットアンテナ １０ 結合用ストリップ線路 １１ 開放周辺端 １２ 低周波数帯域用矩形マイクロストリップアンテナ
ナ ８ 低周波数帯域偏波方向 ９ 高周波数帯域用スロットアンテナ １０ 結合用ストリップ線路 １１ 開放周辺端 １２ 低周波数帯域用矩形マイクロストリップアンテナ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片木 孝至 鎌倉市大船五丁目１番１号 三菱電機株式 会社電子システム研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体基板の一方の面に地導体を、他方
の面に複数の放射導体を有し、更に上記放射導体にマイ
クロ波を供給するための給電用スルーホールおよび上記
地導体とスルーホールとの直流的導通を断つ為のクリア
ランスとから成るアレーアンテナにおいて、上記放射導
体で形成された高周波数帯域用マイクロストリップアン
テナと、複数個から成る上記高周波数帯域用マイクロス
トリップアンテナ上に有し、一方の面に低周波数帯域用
すだれ形マイクロストリップアンテナおよび上記低周波
数帯域用すだれ形マイクロストリップアンテナにマイク
ロ波を供給するための給電用スルーホールを形成した誘
電体基板とを具備したことを特徴とする多層アレーアン
テナ装置。 - 【請求項２】 誘電体基板の一方の面に地導体を、他方
の面に複数の放射導体を有し、更に上記放射導体にマイ
クロ波を供給するための給電用スルーホールおよび上記
地導体とスルーホールとの直流的導通を断つ為のクリア
ランスとから成るアレーアンテナにおいて、上記放射導
体で形成された高周波数帯域用スロットアンテナと、複
数個から成る上記高周波数帯域用スロットアンテナ上に
有し、一方の面に、低周波数帯域用すだれ形マイクロス
トリップアンテナおよび上記低周波数帯域用すだれ形マ
イクロストリップアンテナにマイクロ波を供給するため
の給電用スルーホールを形成した誘電体基板とを具備し
たことを特徴とする多層アレーアンテナ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231793A JP2751683B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 多層アレーアンテナ装置 |
| US07/940,081 US5262791A (en) | 1991-09-11 | 1992-09-03 | Multi-layer array antenna |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231793A JP2751683B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 多層アレーアンテナ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575329A true JPH0575329A (ja) | 1993-03-26 |
| JP2751683B2 JP2751683B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16929110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3231793A Expired - Lifetime JP2751683B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 多層アレーアンテナ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5262791A (ja) |
| JP (1) | JP2751683B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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