JPH057017A - Manufacture of silicon carbide light emitting diode - Google Patents
Manufacture of silicon carbide light emitting diodeInfo
- Publication number
- JPH057017A JPH057017A JP15715191A JP15715191A JPH057017A JP H057017 A JPH057017 A JP H057017A JP 15715191 A JP15715191 A JP 15715191A JP 15715191 A JP15715191 A JP 15715191A JP H057017 A JPH057017 A JP H057017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- layer
- substrate
- type
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は炭化ケイ素発光ダイオー
ドの製造方法に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a silicon carbide light emitting diode.
【0002】[0002]
【従来の技術】炭化ケイ素(SiC)結晶は、耐熱性及び
機械的強度に優れ、放射線に対して強いなどの物理的、
化学的性質から耐環境性半導体材料として注目されてい
る。2. Description of the Related Art Silicon carbide (SiC) crystals have excellent heat resistance and mechanical strength, and are physically and electrically resistant to radiation.
Due to its chemical properties, it has attracted attention as an environment-resistant semiconductor material.
【0003】しかもSiC単結晶には同一の化学組成に
対して、立方、六方などの種々の結晶構造が存在し、そ
の禁制帯幅は2.39〜3.33eVと広範囲にわたる
とともに、pn接合の形成が可能であることから、赤色
から青色まですべての波長範囲の可視光を発する発光ダ
イオード材料として有望視されている。なかでも室温に
おいて約3eVの禁制帯幅を有する6H型のSiC結晶
は、青色発光ダイオードの材料として用いられている。Moreover, SiC single crystals have various crystal structures such as cubic and hexagonal for the same chemical composition, and their forbidden band widths are wide ranging from 2.39 to 3.33 eV. Since it can be formed, it is promising as a light emitting diode material that emits visible light in all wavelength ranges from red to blue. Among them, a 6H-type SiC crystal having a band gap of about 3 eV at room temperature is used as a material for a blue light emitting diode.
【0004】SiC結晶のエピタキシャル成長には、例
えば日刊工業新聞社発行の雑誌「電子技術」第26巻、第
14号、128〜129頁に記載されている、ディップ法と呼ば
れる液相成長法、あるいはJapanese Journal of Applie
d Physics,Vol.26,No.11(1987),pp.L1815〜L1817に記載
されている気相成長法が用いられている。For epitaxial growth of SiC crystals, for example, "Electronic Technology", vol. 26, vol.
No. 14, pp. 128-129, a liquid phase growth method called the dip method, or the Japanese Journal of Applie
The vapor phase growth method described in d Physics, Vol. 26, No. 11 (1987), pp. L1815 to L1817 is used.
【0005】上記ディップ法には、図3に示す成長装置
が用いられる。The growth apparatus shown in FIG. 3 is used for the dipping method.
【0006】図において、(1)は石英製の反応管、(2)
及び(3)は反応管(1)を密閉する上フランジ及び下フラ
ンジ、(4)は下フランジ(3)を介して反応管(1)内に連
通する雰囲気ガス導入口、(5)は上フランジ(2)を介し
て反応管(1)内に連通する雰囲気ガス排出口、(8)は反
応管(1)内に配され、Si原料(9)を収納するグラファ
イト製のルツボ、(10)はルツボ(8)を支持する支持棒、
(11)は上フランジ(2)を介して反応管(1)内を上下に移
動可能で、先端に成長基板(12)を保持するための切り欠
き部(11a)を有した基板ホルダー、(13)は反応管(1)の
周りに巻回され、ルツボ(8)及びSi原料(9)を加熱す
る高周波加熱コイルである。In the figure, (1) is a reaction tube made of quartz, (2)
And (3) are upper and lower flanges for sealing the reaction tube (1), (4) is an atmospheric gas inlet communicating with the reaction tube (1) through the lower flange (3), and (5) is an upper An atmosphere gas outlet communicating with the reaction tube (1) through the flange (2), a graphite crucible (8) arranged in the reaction tube (1) and containing a Si raw material (9), ) Is a support rod for supporting the crucible (8),
A substrate holder (11) is vertically movable in the reaction tube (1) via an upper flange (2) and has a notch (11a) for holding the growth substrate (12) at the tip, Reference numeral 13 is a high frequency heating coil which is wound around the reaction tube 1 and heats the crucible 8 and the Si raw material 9.
【0007】斯るディップ法による6H型SiC結晶の
エピタキシャル成長は、Ar等の不活性ガス雰囲気中
で、高周波加熱コイル(13)によって1600〜1800
℃に加熱溶融されたSi原料(9)中に、6H型SiCか
らなる成長基板(12)を浸漬することによって行われる。Epitaxial growth of 6H type SiC crystal by such a dipping method is performed by a high frequency heating coil (13) at 1600 to 1800 in an inert gas atmosphere such as Ar.
It is performed by immersing the growth substrate (12) made of 6H-type SiC in the Si raw material (9) heated and melted at ℃.
【0008】また、斯るディップ法では、Si原料(9)
中にアルミニウム(Al)を添加することによってp型の
SiC結晶が得られ、Si原料(9)中に窒化ケイ素(S
i3N 4)を添加すること、又は雰囲気ガスにN2を混入し
て反応管(1)内に供給することによってn型のSiC結
晶が得られる。Further, in such a dipping method, the Si raw material (9)
By adding aluminum (Al) in the
A SiC crystal was obtained, and silicon nitride (S
i3N Four) Is added, or N is added to the atmosphere gas.2Mixed with
By supplying it into the reaction tube (1),
Crystals are obtained.
【0009】一方、SiC結晶の気相成長法には、図4
に示す成長装置が用いられる。図において図3の成長装
置と同じものには同番号を付している。On the other hand, in the vapor phase growth method of SiC crystal, as shown in FIG.
The growth apparatus shown in is used. In the figure, the same parts as those of the growth apparatus of FIG. 3 are given the same numbers.
【0010】図において、(1)は反応管、(2)及び(3)
は上フランジ及び下フランジ、(6)は上フランジ(2)を
介して反応管(1)内に連通する原料ガス導入口、(7)は
下フランジ(3)を介して反応管(1)内に連通する原料ガ
ス排出口、(14)は反応管(1)内に配され、成長基板(12)
を載置するグラファイト製のサセプタ、(10)は支持棒、
(13)は高周波加熱コイルである。In the figure, (1) is a reaction tube, (2) and (3)
Is an upper flange and a lower flange, (6) is a source gas introduction port communicating with the reaction tube (1) through the upper flange (2), and (7) is a reaction tube (1) through the lower flange (3) Raw material gas outlet communicating with the inside, (14) is arranged in the reaction tube (1), and the growth substrate (12)
A graphite susceptor on which to mount, (10) is a support rod,
(13) is a high frequency heating coil.
【0011】斯る気相成長法による6H型SiC結晶の
エピタキシャル成長は、高周波加熱コイル(13)によって
1400〜1500℃に加熱された6H型SiCからな
る成長基板(12)上に、原料ガス導入口(6)から、キャリ
アガスとしての水素ガス(H2)、原料ガスとしてのシラ
ン(SiH4)とプロパン(C3H8)を供給することによっ
て行われる。Epitaxial growth of 6H-type SiC crystal by the vapor phase growth method is performed by introducing a source gas introduction port on a growth substrate (12) made of 6H-type SiC heated to 1400 to 1500 ° C. by a high frequency heating coil (13). From (6), hydrogen gas (H 2 ) as a carrier gas and silane (SiH 4 ) and propane (C 3 H 8 ) as source gases are supplied.
【0012】また、斯る気相成長法における導電型の制
御は、p型不純物ガスとしてトリメチルアルミニウム
(TMA)又はトリエチルアルミニウム(TEA)、n型不
純物ガスとして窒素ガス(N2)を原料ガスと共に供給す
ることによって行われる。The conductivity type in the vapor phase growth method is controlled by using trimethylaluminum as a p-type impurity gas.
(TMA) or triethylaluminum (TEA), and nitrogen gas (N 2 ) as an n-type impurity gas is supplied together with the source gas.
【0013】ところで、SiC発光ダイオードの構造
は、上記先行文献の「電子技術」に記載されており、n
型SiC基板上に、ドナー及び少量のアクセプタが添加
されたn型SiC層、p型SiC層が順次エピタキシャ
ル成長され、p型SiC層上及び基板裏面に夫々電極が
形成されたものである。By the way, the structure of the SiC light emitting diode is described in "Electronics" of the above-mentioned prior art, and n
An n-type SiC layer to which a donor and a small amount of acceptors are added, and a p-type SiC layer are sequentially epitaxially grown on a type SiC substrate, and electrodes are formed on the p-type SiC layer and the back surface of the substrate, respectively.
【0014】上記ディップ法では、上記気相成長法に比
して結晶性の良いものが得られる。このため、ディップ
法を用いて作製したSiC発光ダイオードでは、気相成
長法を用いて作製したものに比べ、発光光度が高い。In the above-mentioned dipping method, one having better crystallinity can be obtained as compared with the above vapor phase growth method. Therefore, the SiC light emitting diode manufactured by the dip method has a higher luminous intensity than that manufactured by the vapor phase growth method.
【0015】[0015]
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、ディップ
法を用いて上述のSiC発光ダイオードを作製する場
合、n型SiC層とp型SiC層を成長するのに、夫々
の層に必要な不純物を添加したルツボを2つ準備しなけ
ればならない。即ち、ルツボの交換時に降温、昇温工程
を行わなければならなくなるため、量産性が悪い。However, when the above-mentioned SiC light emitting diode is manufactured by using the dip method, the impurities necessary for growing the n-type SiC layer and the p-type SiC layer are required. It is necessary to prepare two crucibles to which is added. That is, since the temperature lowering process and the temperature raising process must be performed when the crucible is replaced, mass productivity is poor.
【0016】また、上述のSiC発光ダイオードの量産
性を上げるため、大型の成長基板を用いると、斯るディ
ップ法では溶融したSi原料内で成長基板表面の温度分
布を均一にすることが困難となり、均一な膜質の結晶成
長ができなくなる。If a large-sized growth substrate is used in order to improve the mass productivity of the above-mentioned SiC light-emitting diode, it becomes difficult for the dipping method to make the temperature distribution on the surface of the growth substrate uniform in the molten Si raw material. However, it becomes impossible to grow crystals with uniform film quality.
【0017】従って、本発明は、発光光度を減少させる
ことなく、量産性を向上できるSiC発光ダイオードの
製造方法を提供するものである。Accordingly, the present invention provides a method for manufacturing a SiC light emitting diode which can improve mass productivity without reducing the luminous intensity.
【0018】[0018]
【課題を解決するための手段】本発明は、発光層となる
n型炭化ケイ素層と、該n型炭化ケイ素層とpn接合を
形成するp型炭化ケイ素層とを有する炭化ケイ素発光ダ
イオードの製造方法において、上記n型炭化ケイ素層を
液相成長法で形成し、上記p型炭化ケイ素層を気相成長
法で形成すると共に、上記n型炭化ケイ素層と上記p型
炭化ケイ素層とを同一の反応管内で連続的に形成するこ
とを特徴とする。The present invention is directed to the manufacture of a silicon carbide light emitting diode having an n-type silicon carbide layer to be a light emitting layer and a p-type silicon carbide layer forming a pn junction with the n-type silicon carbide layer. In the method, the n-type silicon carbide layer is formed by a liquid phase growth method, the p-type silicon carbide layer is formed by a vapor phase growth method, and the n-type silicon carbide layer and the p-type silicon carbide layer are the same. It is characterized in that it is continuously formed in the reaction tube.
【0019】[0019]
【作用】本発明によれば、発光層となるn型炭化ケイ素
層を液相成長法で形成し、キャリア注入層となるp型炭
化ケイ素層を気相成長法で形成することによって、発光
層の結晶性を損なうことなく、同一の反応管内でこれら
の層を連続的に形成できる。According to the present invention, the n-type silicon carbide layer which becomes the light emitting layer is formed by the liquid phase growth method, and the p type silicon carbide layer which becomes the carrier injection layer is formed by the vapor phase growth method. It is possible to continuously form these layers in the same reaction tube without impairing the crystallinity.
【0020】[0020]
【実施例】図1及び図2に本発明方法に用いられる成長
装置の一例を示す。図において、図3、図4と同じもの
には同番号を付し、説明を省略する。1 and 2 show an example of a growth apparatus used in the method of the present invention. In the figure, the same parts as those in FIGS. 3 and 4 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【0021】図において、(15)はグラファイト製の基板
ホルダーで、その先端部に成長基板(12)を載置する載置
部(15a)が設けられ、上フランジ(2)を介して反応管
(1)内を上下に移動可能である。In the figure, reference numeral (15) is a substrate holder made of graphite, and a mounting portion (15a) for mounting a growth substrate (12) is provided at the tip of the substrate holder, and a reaction tube is provided via an upper flange (2).
(1) It is possible to move up and down inside.
【0022】また、斯る成長装置では、高周波加熱コイ
ル(13)は上部コイル(13a)と下部コイル(13b)に別れ、下
部コイル(13b)は反応管(1)内に配置されたルツボ(8)
の位置に配される。Further, in such a growth apparatus, the high frequency heating coil (13) is divided into an upper coil (13a) and a lower coil (13b), and the lower coil (13b) is placed in the crucible (1) inside the reaction tube (1). 8)
Will be placed in the position.
【0023】即ち、図1、図2に示す成長装置は、図
3、図4に示した成長装置を合わせたもので、(16)が液
相成長部となり、(17)が気相成長部となる。従って、斯
る成長装置では、ディップ法による液相成長及び気相成
長が、同一の反応管(1)内において行えるようになって
いる。That is, the growth apparatus shown in FIGS. 1 and 2 is a combination of the growth apparatuses shown in FIGS. 3 and 4, in which (16) is a liquid phase growth section and (17) is a vapor phase growth section. Becomes Therefore, in such a growth apparatus, liquid phase growth and vapor phase growth by the dip method can be performed in the same reaction tube (1).
【0024】次に、図1及び図2を参照して、斯る成長
装置を用いた本発明方法の一実施例を説明する。Next, one embodiment of the method of the present invention using such a growth apparatus will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
【0025】先ず、第1の工程として、図1に示す如
く、6H型のn型SiC基板を成長基板(12)として、基
板ホルダー(15)の載置部(15a)に載置固定し、雰囲気ガ
ス導入口(4)から反応管(1)内にAr又はH2を供給
し、雰囲気ガス排出口(5)から排出しながら、基板ホル
ダー(15)を降下させて、成長基板(12)を、下部コイル(1
3b)によって1600〜1800℃に加熱溶融されたル
ツボ(8)内のSi原料(9)中に浸漬し、成長基板(12)上
に6H型のn型SiC層を5〜10μm成長する。この
時、Si原料(9)中にはn型不純物としてのSi3N4と
共にp型不純物としてのAlが少量添加される。また、
原料ガス導入口(6)及び原料ガス排出口(7)は図示して
いないバルブによって閉じられている。First, as a first step, as shown in FIG. 1, a 6H type n-type SiC substrate is mounted as a growth substrate (12) on a mounting portion (15a) of a substrate holder (15) and fixed, The growth substrate (12) is lowered by supplying Ar or H 2 into the reaction tube (1) from the atmospheric gas inlet (4) and lowering the substrate holder (15) while discharging it from the atmospheric gas outlet (5). The lower coil (1
3b) is immersed in the Si raw material (9) in the crucible (8) heated and melted at 1600 to 1800 ° C. to grow a 6H-type n-type SiC layer on the growth substrate (12) by 5 to 10 μm. At this time, a small amount of Al as a p-type impurity is added to Si raw material (9) together with Si 3 N 4 as an n-type impurity. Also,
The raw material gas inlet (6) and the raw material gas outlet (7) are closed by valves not shown.
【0026】次に、第2の工程として、図2に示す如
く、基板ホルダー(15)を上昇させ、上部コイル(13b)に
よって基板ホルダー(15)の載置部(15a)と共に成長基板
(12)を1400〜1600℃に加熱し、原料ガス導入口
(6)から、キャリアガスとしてのH2を約5l/min流す
と共に、原料ガスとしてのSiH4、C3H8、及び不純
物ガスとしてのTMA又はTEAを同時に流し、n型S
iC層上にp型SiC層を5〜10μm成長する。この
時、雰囲気ガス導入口(4)及び雰囲気ガス排出口(5)は
図示していないバルブによって閉じられている。Then, as a second step, as shown in FIG. 2, the substrate holder (15) is raised, and the upper coil (13b) is used together with the mounting portion (15a) of the substrate holder (15) to grow the growth substrate.
(12) is heated to 1400 to 1600 ℃, raw material gas inlet
From (6), H 2 as a carrier gas is caused to flow at about 5 l / min, and SiH 4 , C 3 H 8 as a source gas and TMA or TEA as an impurity gas are caused to flow at the same time to obtain n-type S.
A p-type SiC layer is grown on the iC layer for 5 to 10 μm. At this time, the atmospheric gas inlet (4) and the atmospheric gas outlet (5) are closed by valves not shown.
【0027】最後に、図には示していないが、n型Si
C層及びp型SiC層が形成された成長基板(12)を斯る
成長装置から取り出し、基板裏面及びp型SiC層上に
夫々電極を形成することによってSiC発光ダイオード
が製造される。Finally, although not shown in the figure, n-type Si
The growth substrate 12 on which the C layer and the p-type SiC layer are formed is taken out from the growth apparatus, and electrodes are formed on the back surface of the substrate and on the p-type SiC layer, respectively, to manufacture a SiC light emitting diode.
【0028】本実施例によって作製されたSiC発光ダ
イオードでは、20mAの駆動電流において15mcd
の発光光度が得られた。この発光光度は、n型SiC
層、p型SiC層とも液相成長法で結晶性良く形成した
ものと同じである。The SiC light-emitting diode manufactured according to this example has a driving current of 20 mA, and a driving current of 15 mcd.
The luminescence intensity of was obtained. This luminous intensity is n-type SiC
The layer and the p-type SiC layer are the same as those formed with good crystallinity by the liquid phase growth method.
【0029】この理由は以下のように考えられる。The reason for this is considered as follows.
【0030】即ち、本実施例方法では、p型SiC層が
気相成長法で成長され、その結晶性は低くなるが、斯る
p型SiC層は、キャリア注入層として働くもので、発
光に直接寄与するものでないのに対し、発光層となるn
型SiC層は液相成長法で結晶性良く成長されたためで
ある。That is, in the method of this embodiment, the p-type SiC layer is grown by the vapor phase epitaxy method and its crystallinity becomes low. However, the p-type SiC layer functions as a carrier injection layer and emits light. Although it does not contribute directly, it serves as a light emitting layer n
This is because the type SiC layer was grown with good crystallinity by the liquid phase growth method.
【0031】しかして、本実施例方法では、n型SiC
層とp型SiC層を同一の反応管内で連続して成長でき
るため、従来液相成長法のみでSiC発光ダイオードを
製造する場合に比して、製造時間が大幅に短縮でき、量
産性を向上させることができる。In the method of this embodiment, however, n-type SiC is used.
Layer and p-type SiC layer can be continuously grown in the same reaction tube, so the manufacturing time can be greatly shortened and mass productivity can be improved compared to the case where a SiC light emitting diode is manufactured only by the conventional liquid phase growth method. Can be made
【0032】また、本実施例に用いた成長装置では、液
相成長部(16)と気相成長部(17)とを直接連通させている
が、液相成長部(16)と気相成長部(17)との間にゲートバ
ルブを設け、液相成長工程後、ゲートバルブを閉じ、液
相成長部(16)と気相成長部(17)との間を仕切っても良
い。この場合、原料ガス排出口(7)は気相成長部(17)内
に設ければ良い。Further, in the growth apparatus used in this embodiment, the liquid phase growth section (16) and the vapor phase growth section (17) are directly communicated with each other, but the liquid phase growth section (16) and the vapor phase growth section (16) are directly connected to each other. A gate valve may be provided between the liquid phase growth part (17) and the vapor phase growth part (17) by closing the gate valve after the liquid phase growth step. In this case, the source gas discharge port (7) may be provided in the vapor phase growth section (17).
【0033】また、図1に示す成長装置において、気相
成長部(17)の上にゲートバルブを介してドライエッチン
グ室を設け、液相成長前に成長基板(12)の表面を清浄化
すれば、より良好な結晶成長が行えるため、SiC発光
ダイオードの素子特性が良くなる。この場合も、一連の
工程を同一の反応管内で行うことができるので、量産性
良くSiC発光ダイオードを製造できる。In the growth apparatus shown in FIG. 1, a dry etching chamber is provided on the vapor phase growth section (17) via a gate valve to clean the surface of the growth substrate (12) before liquid phase growth. If so, better crystal growth can be performed, so that the device characteristics of the SiC light emitting diode are improved. Also in this case, since a series of steps can be performed in the same reaction tube, a SiC light emitting diode can be manufactured with high mass productivity.
【0034】[0034]
【発明の効果】本発明方法によれば、発光層としてのn
型炭化ケイ素層を液相成長法で形成し、キャリア注入層
としてのp型炭化ケイ素層を気相成長法で形成すること
によって、発光層の結晶性を損なうことなく、且つ上記
n型炭化ケイ素層と上記p型炭化ケイ素層を同一の反応
管内で連続的に形成できるので、製造されるSiC発光
ダイオードの発光光度を低下させることなく、量産性を
向上させることができる。According to the method of the present invention, n as a light emitting layer is used.
Forming a p-type silicon carbide layer by a liquid phase epitaxy method and a p-type silicon carbide layer as a carrier injection layer by a vapor phase epitaxy method without damaging the crystallinity of the light emitting layer, and Since the layer and the p-type silicon carbide layer can be continuously formed in the same reaction tube, mass productivity can be improved without lowering the luminous intensity of the manufactured SiC light emitting diode.
【図1】本発明の一実施例方法に用いる成長装置を示
し、本実施例方法の第1の工程を説明するための模式断
面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a growth apparatus used in an example method of the present invention and illustrating a first step of the example method.
【図2】本発明の一実施例方法に用いる成長装置を示
し、本実施例方法の第2の工程を説明するための模式断
面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a growth apparatus used in an example method of the present invention and illustrating a second step of the example method.
【図3】従来の液相成長法に用いる成長装置を示す模式
断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a growth apparatus used in a conventional liquid phase growth method.
【図4】従来の気相成長法に用いる成長装置を示す模式
断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a growth apparatus used in a conventional vapor phase growth method.
Claims (1)
型炭化ケイ素層とpn接合を形成するp型炭化ケイ素層
とを有する炭化ケイ素発光ダイオードの製造方法におい
て、上記n型炭化ケイ素層を液相成長法で形成し、上記
p型炭化ケイ素層を気相成長法で形成すると共に、上記
n型炭化ケイ素層と上記p型炭化ケイ素層とを同一の反
応管内で連続的に形成することを特徴とする炭化ケイ素
発光ダイオードの製造方法。Claim: What is claimed is: 1. An n-type silicon carbide layer serving as a light emitting layer, and n.
In a method of manufacturing a silicon carbide light emitting diode having a p-type silicon carbide layer and a p-type silicon carbide layer forming a pn junction, the n-type silicon carbide layer is formed by a liquid phase growth method, and the p-type silicon carbide layer is formed by vapor deposition. A method for manufacturing a silicon carbide light emitting diode, which comprises forming the n-type silicon carbide layer and the p-type silicon carbide layer continuously in the same reaction tube while forming them by a phase growth method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15715191A JPH057017A (en) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | Manufacture of silicon carbide light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15715191A JPH057017A (en) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | Manufacture of silicon carbide light emitting diode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH057017A true JPH057017A (en) | 1993-01-14 |
Family
ID=15643294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15715191A Pending JPH057017A (en) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | Manufacture of silicon carbide light emitting diode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH057017A (en) |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP15715191A patent/JPH057017A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5704985A (en) | Device and a method for epitaxially growing objects by CVD | |
US3956032A (en) | Process for fabricating SiC semiconductor devices | |
US6613143B1 (en) | Method for fabricating bulk GaN single crystals | |
US6936357B2 (en) | Bulk GaN and ALGaN single crystals | |
JP4818754B2 (en) | Method for producing silicon carbide single crystal ingot | |
US20090130781A1 (en) | Method for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run and semiconductor structure grown thereby | |
JP3879173B2 (en) | Compound semiconductor vapor deposition method | |
US6616757B1 (en) | Method for achieving low defect density GaN single crystal boules | |
JP2007320790A (en) | Method for producing silicon carbide single crystal, silicon carbide single crystal ingot, and silicon carbide single crystal substrate | |
WO2000022203A9 (en) | Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride:silicon carbide alloy | |
EP1144737A3 (en) | Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride:silicon carbide alloy | |
US6030661A (en) | Device and a method for epitaxially growing objects by CVD | |
US20090050913A2 (en) | Method for achieving low defect density algan single crystal boules | |
KR102177385B1 (en) | A Hydride Vapor Phase Epitaxy Apparatus for Manufacturing a GaN Wafer and a Method for Manufacturing the Same | |
JPH11171699A (en) | Growth of gallium nitride phosphide single crystal | |
US6376900B1 (en) | Single crystal SiC | |
JPH04193799A (en) | Production of silicon carbide single crystal | |
JPH06219898A (en) | Production of n-type silicon carbide single crystal | |
JP3577974B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
JPH09107124A (en) | Method for manufacturing iii-v compound semiconductor | |
JPH057017A (en) | Manufacture of silicon carbide light emitting diode | |
JPH08264455A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
KR100749860B1 (en) | Apparatus for growing single crystal and method for growing single crystal | |
JPH0977594A (en) | Production of low resistance single crystal silicon carbide | |
JP2002293694A (en) | Silicon carbide single crystal ingot and method of manufacturing for the same |