JPH0555854A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
- Publication number
- JPH0555854A JPH0555854A JP21503591A JP21503591A JPH0555854A JP H0555854 A JPH0555854 A JP H0555854A JP 21503591 A JP21503591 A JP 21503591A JP 21503591 A JP21503591 A JP 21503591A JP H0555854 A JPH0555854 A JP H0555854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- acoustic wave
- surface acoustic
- sputtering method
- zno
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 7
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 7
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013211 curve analysis Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＧＨｚの周波数帯において、挿入損失が小さ
い表面弾性波素子を提供する。 【構成】 ＥＣＲスパッタリング法により形成した圧電
体層を、ダイヤモンド膜の上に設けた表面弾性波素子で
ある。 【効果】 圧電体層の表面平坦性がよく、不純物が少な
いため、高周波帯で挿入損失が少ない。したがって、数
１００ＭＨｚからＧＨｚ帯で特性の優れた周波数フィル
ター、共振子、遅延線、コンボルバー、コリレーター等
が実現できる。
い表面弾性波素子を提供する。 【構成】 ＥＣＲスパッタリング法により形成した圧電
体層を、ダイヤモンド膜の上に設けた表面弾性波素子で
ある。 【効果】 圧電体層の表面平坦性がよく、不純物が少な
いため、高周波帯で挿入損失が少ない。したがって、数
１００ＭＨｚからＧＨｚ帯で特性の優れた周波数フィル
ター、共振子、遅延線、コンボルバー、コリレーター等
が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波域で使用される表
面弾性波素子に関するものである。
面弾性波素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】固体の表面にエネルギーが集中して伝搬
する表面弾性波を利用した表面弾性波素子は、小型で性
能の安定な物を作れることからＴＶ受信機の中間周波フ
ィルター等として用いられている。この表面弾性波は通
常、圧電体上の櫛型電極に交流電界を印加することで励
起される。圧電体材料としては、水晶、ＬｉＮｂＯ、Ｌ
ｉＴａＯ等のバルク単結晶やＺｎＯ薄膜を基板上に気相
成長させたものなどが用いられている。
する表面弾性波を利用した表面弾性波素子は、小型で性
能の安定な物を作れることからＴＶ受信機の中間周波フ
ィルター等として用いられている。この表面弾性波は通
常、圧電体上の櫛型電極に交流電界を印加することで励
起される。圧電体材料としては、水晶、ＬｉＮｂＯ、Ｌ
ｉＴａＯ等のバルク単結晶やＺｎＯ薄膜を基板上に気相
成長させたものなどが用いられている。
【０００３】一般に、表面弾性波素子の動作周波数ｆは
ｆ＝ｖ／λ｛ｖ：表面弾性波の伝搬速度｝で決定され
る。λは図３に示した様に櫛型電極の周期で決定され
る。ｖの値は単結晶圧電体のＬｉＮｂＯを用いた場合に
は３５００〜４０００ｍ／ｓ、ＬｉＴａＯでは３３００
〜３４００ｍ／ｓ程度であり、ＺｎＯの圧電体薄膜をガ
ラス基板上に成長させたものでは最大３０００ｍ／ｓ程
度である。
ｆ＝ｖ／λ｛ｖ：表面弾性波の伝搬速度｝で決定され
る。λは図３に示した様に櫛型電極の周期で決定され
る。ｖの値は単結晶圧電体のＬｉＮｂＯを用いた場合に
は３５００〜４０００ｍ／ｓ、ＬｉＴａＯでは３３００
〜３４００ｍ／ｓ程度であり、ＺｎＯの圧電体薄膜をガ
ラス基板上に成長させたものでは最大３０００ｍ／ｓ程
度である。
【０００４】ｆを大きくするにはｖを大きくするかλを
小さくすればよいが、ｖの値は上述のように材料特性に
より制限され、また微細加工技術の限界（フォトリソグ
ラフィー技術では０．８μｍまで、電子ビーム露光技術
を使用すればサブミクロンの加工が可能であるが線幅が
小さくなるほど歩留りは悪くなる）のため櫛型電極の周
期サイズには下限がある。このような理由から現在実用
化されている表面弾性波素子の動作周波数は９００ＭＨ
ｚまでである。
小さくすればよいが、ｖの値は上述のように材料特性に
より制限され、また微細加工技術の限界（フォトリソグ
ラフィー技術では０．８μｍまで、電子ビーム露光技術
を使用すればサブミクロンの加工が可能であるが線幅が
小さくなるほど歩留りは悪くなる）のため櫛型電極の周
期サイズには下限がある。このような理由から現在実用
化されている表面弾性波素子の動作周波数は９００ＭＨ
ｚまでである。
【０００５】一方、衛星通信や移動体通信等の通信の高
周波化が進むに伴ってより高周波（ＧＨｚ帯）で利用で
きる表面弾性波素子が必要とされており、開発が進めら
れている。一般に、基板上に成長させた圧電体薄膜を使
用した表面弾性波素子の場合には、基板材料の音速が圧
電体のそれよりも大きい時には複数の表面弾性波（ｖの
小さい方から０次モード、１次モード、２次モード、・
・・）が励起され、また基板材料の音速が大きいほどｖ
の値は大きくなる。
周波化が進むに伴ってより高周波（ＧＨｚ帯）で利用で
きる表面弾性波素子が必要とされており、開発が進めら
れている。一般に、基板上に成長させた圧電体薄膜を使
用した表面弾性波素子の場合には、基板材料の音速が圧
電体のそれよりも大きい時には複数の表面弾性波（ｖの
小さい方から０次モード、１次モード、２次モード、・
・・）が励起され、また基板材料の音速が大きいほどｖ
の値は大きくなる。
【０００６】そこで、音速の大きいサファイヤ（横波の
速度＝６０００ｍ／ｓ、縦波の速度＝１２０００ｍ／
ｓ）を基板上にＺｎＯ圧電体薄膜を成長させた構造でｖ
＝５５００ｍ／ｓを有する素子が試作されている。（特
開昭50-154088等）また、ダイヤモンドは物質中最高の
音速を有しており（横波の速度＝１３０００ｍ／ｓ、縦
波の速度＝１６０００ｍ／ｓ）これを基材に用いれば１
００００ｍ／ｓ以上のｖを実現でき開発が進んでいる。
ダイヤモンド状炭素膜もダイヤモンドと同等の音速を有
しておりこれを基材に用いても同様に大きいｖを実現で
きる。
速度＝６０００ｍ／ｓ、縦波の速度＝１２０００ｍ／
ｓ）を基板上にＺｎＯ圧電体薄膜を成長させた構造でｖ
＝５５００ｍ／ｓを有する素子が試作されている。（特
開昭50-154088等）また、ダイヤモンドは物質中最高の
音速を有しており（横波の速度＝１３０００ｍ／ｓ、縦
波の速度＝１６０００ｍ／ｓ）これを基材に用いれば１
００００ｍ／ｓ以上のｖを実現でき開発が進んでいる。
ダイヤモンド状炭素膜もダイヤモンドと同等の音速を有
しておりこれを基材に用いても同様に大きいｖを実現で
きる。
【０００７】このようなダイヤモンドと圧電体の積層構
造は特開平01-20714、特開平01-62911などに示されてい
る。この構造の表面弾性波素子においては、圧電体の性
質が素子の特性に大きく影響する。具体的には、たとえ
ばダイヤモンド上に圧電体材料であるＺｎＯ膜を形成し
て利用する場合には従来通常高周波スパッタリング法に
より形成したｃ軸配向多結晶膜を応用するが、このｃ軸
配向ＺｎＯ膜のｃ軸配向性、粒径、表面平坦性、抵抗
率、膜のダイヤモンド基板への密着性、等が表面弾性波
の励起効率や波の伝搬損失に影響する。
造は特開平01-20714、特開平01-62911などに示されてい
る。この構造の表面弾性波素子においては、圧電体の性
質が素子の特性に大きく影響する。具体的には、たとえ
ばダイヤモンド上に圧電体材料であるＺｎＯ膜を形成し
て利用する場合には従来通常高周波スパッタリング法に
より形成したｃ軸配向多結晶膜を応用するが、このｃ軸
配向ＺｎＯ膜のｃ軸配向性、粒径、表面平坦性、抵抗
率、膜のダイヤモンド基板への密着性、等が表面弾性波
の励起効率や波の伝搬損失に影響する。
【０００８】たとえばｃ軸配向性が不十分であるとＺｎ
Ｏ膜の圧電性が不十分になり表面弾性波が励起されなく
なってしまう。通常膜のＸ線ロッキングカーブ分析によ
るσ値が５度以内の配向性がないと実用にはならずこの
値は小さいほど好ましい。ＲＦスパッタリング法でダイ
ヤモンド基板上にＺｎＯ膜を形成する場合にはこの値は
通常２〜３度である。
Ｏ膜の圧電性が不十分になり表面弾性波が励起されなく
なってしまう。通常膜のＸ線ロッキングカーブ分析によ
るσ値が５度以内の配向性がないと実用にはならずこの
値は小さいほど好ましい。ＲＦスパッタリング法でダイ
ヤモンド基板上にＺｎＯ膜を形成する場合にはこの値は
通常２〜３度である。
【０００９】膜の粒径は小さいほど表面平坦性は良好
で、表面が平坦なほど表面弾性波の伝搬損失は小さく抑
えられる。伝搬損失が大きくなりすぎると素子での損失
が大きくなることになり実用できなくなる。つまり膜の
表面は平坦であることが望まれる。ＲＦスパッタリング
法によるダイヤモンド基板上のＺｎＯ膜でσ値が２〜３
度程度のものは膜厚が１μｍで粒径が５０ｎｍ程度にな
りこれに対応して数１０ｎｍ程度の表面凹凸がある。
で、表面が平坦なほど表面弾性波の伝搬損失は小さく抑
えられる。伝搬損失が大きくなりすぎると素子での損失
が大きくなることになり実用できなくなる。つまり膜の
表面は平坦であることが望まれる。ＲＦスパッタリング
法によるダイヤモンド基板上のＺｎＯ膜でσ値が２〜３
度程度のものは膜厚が１μｍで粒径が５０ｎｍ程度にな
りこれに対応して数１０ｎｍ程度の表面凹凸がある。
【００１０】圧電体膜で表面弾性波を励起するためには
膜は高抵抗である必要がある。ＲＦスパッタリングによ
るＺｎＯ膜はＺｎとＯのストイキオメトリが１：１にな
りにくい性質があり、Ｚｎが過剰になるためｎ型半導体
になり導電性を持つ性質がある。これを高抵抗な膜にす
るために通常スパッタリングの際にＺｎＯにＬｉをドー
ピングすることで電荷を補償し膜の高抵抗化を図って実
用している。このＲＦスパッタリングによるＬｉドープ
されたｃ軸配向ＺｎＯ膜の抵抗率は通常１０6Ω・ｃｍ
程度に制御することができる。
膜は高抵抗である必要がある。ＲＦスパッタリングによ
るＺｎＯ膜はＺｎとＯのストイキオメトリが１：１にな
りにくい性質があり、Ｚｎが過剰になるためｎ型半導体
になり導電性を持つ性質がある。これを高抵抗な膜にす
るために通常スパッタリングの際にＺｎＯにＬｉをドー
ピングすることで電荷を補償し膜の高抵抗化を図って実
用している。このＲＦスパッタリングによるＬｉドープ
されたｃ軸配向ＺｎＯ膜の抵抗率は通常１０6Ω・ｃｍ
程度に制御することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前述のように従来のＲ
Ｆスパッタリング法によると、ダイヤモンド基板上にｃ
軸配向ＺｎＯ多結晶膜を形成した場合、膜厚１μｍで粒
径が５０ｎｍ程度と大きく、また高抵抗化する必要から
Ｌｉ不純物をドーピングしている。このような結晶の不
完全性があることから、表面弾性波の伝搬損失が大きく
なってしまう（１ＧＨｚで約７０ｄＢ／ｃｍ）という問
題があった。このため素子の入出力間での挿入損失が大
きくなってしまい応用用途が制限されていた。このよう
な伝搬損失の問題は特に素子の応用周波数が高くなって
くるほど大きな問題になっていた。
Ｆスパッタリング法によると、ダイヤモンド基板上にｃ
軸配向ＺｎＯ多結晶膜を形成した場合、膜厚１μｍで粒
径が５０ｎｍ程度と大きく、また高抵抗化する必要から
Ｌｉ不純物をドーピングしている。このような結晶の不
完全性があることから、表面弾性波の伝搬損失が大きく
なってしまう（１ＧＨｚで約７０ｄＢ／ｃｍ）という問
題があった。このため素子の入出力間での挿入損失が大
きくなってしまい応用用途が制限されていた。このよう
な伝搬損失の問題は特に素子の応用周波数が高くなって
くるほど大きな問題になっていた。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の表面弾性波素子
は、ダイヤモンドと圧電体層と電極を積層してなる表面
弾性波素子においてＥＣＲスパッタリング法により圧電
体層を形成したことを特徴とする表面弾性波素子であ
る。従来のＲＦスパッタリング法に変わってＥＣＲスパ
ッタリング法によりダイヤモンド基板上にＺｎＯ膜を形
成したものを用いていることが特徴である。
は、ダイヤモンドと圧電体層と電極を積層してなる表面
弾性波素子においてＥＣＲスパッタリング法により圧電
体層を形成したことを特徴とする表面弾性波素子であ
る。従来のＲＦスパッタリング法に変わってＥＣＲスパ
ッタリング法によりダイヤモンド基板上にＺｎＯ膜を形
成したものを用いていることが特徴である。
【００１３】
【作用】本発明者らはＥＣＲスパッタリング法によりダ
イヤモンド基板上へのＺｎＯ膜形成を試み、良好なｃ軸
配向性を有しているだけでなく、粒径が小さく（膜厚１
μｍで粒径１０ｎｍ）表面平坦性に優れており（表面凹
凸１０ｎｍ以下）、さらに従来のＲＦスパッタリングと
異なりＬｉをドープしなくても１０6Ω・ｃｍ程度の高
抵抗を有するＺｎＯ膜を形成できることを見いだした。
そしてこのＺｎＯ膜とダイヤモンドの積層構造では表面
弾性波の伝搬損失を１ＧＨｚで２０ｄＢ／ｃｍと小さく
できることを見いだした。この結果従来のＲＦスパッタ
リングによるＺｎＯ膜を用いたものより挿入損失の小さ
い表面弾性波素子を作成できるに至った。
イヤモンド基板上へのＺｎＯ膜形成を試み、良好なｃ軸
配向性を有しているだけでなく、粒径が小さく（膜厚１
μｍで粒径１０ｎｍ）表面平坦性に優れており（表面凹
凸１０ｎｍ以下）、さらに従来のＲＦスパッタリングと
異なりＬｉをドープしなくても１０6Ω・ｃｍ程度の高
抵抗を有するＺｎＯ膜を形成できることを見いだした。
そしてこのＺｎＯ膜とダイヤモンドの積層構造では表面
弾性波の伝搬損失を１ＧＨｚで２０ｄＢ／ｃｍと小さく
できることを見いだした。この結果従来のＲＦスパッタ
リングによるＺｎＯ膜を用いたものより挿入損失の小さ
い表面弾性波素子を作成できるに至った。
【００１４】
【実施例】［実施例］図１に示した構造の表面弾性波フ
ィルターを作成した。Ｓｉ基板１上にＨ2とＣＨ4を原料
ガスとしてマイクロ波プラズマＣＶＤ法により多結晶ダ
イヤモンド膜２を形成し、表面研磨後、２対の（入力及
び出力用）Ａｌ櫛型電極３（線幅：２μｍ、交差幅：６
００μｍ、対数：５０対、伝搬距離：５００μｍ）を形
成した。この上にＥＣＲスパッタリング法により膜厚１
μｍのＺｎＯ膜４を形成した。スパッタリング条件は、
基板温度：３００℃、スパッタリングガス：酸素、ガス
圧力：７×１０-2Ｐａ、マイクロ波パワー：２００Ｗ、
円筒ターゲット電圧：６００Ｖ、ターゲット材料：金属
Ｚｎであった。
ィルターを作成した。Ｓｉ基板１上にＨ2とＣＨ4を原料
ガスとしてマイクロ波プラズマＣＶＤ法により多結晶ダ
イヤモンド膜２を形成し、表面研磨後、２対の（入力及
び出力用）Ａｌ櫛型電極３（線幅：２μｍ、交差幅：６
００μｍ、対数：５０対、伝搬距離：５００μｍ）を形
成した。この上にＥＣＲスパッタリング法により膜厚１
μｍのＺｎＯ膜４を形成した。スパッタリング条件は、
基板温度：３００℃、スパッタリングガス：酸素、ガス
圧力：７×１０-2Ｐａ、マイクロ波パワー：２００Ｗ、
円筒ターゲット電圧：６００Ｖ、ターゲット材料：金属
Ｚｎであった。
【００１５】このＺｎＯ膜のｃ軸配向性はσ＝１．０度
と良好で、また粒径は１０ｎｍ、表面平坦性は数ｎｍ〜
１０ｎｍで、抵抗率は１０6Ω・ｃｍであった。こうし
て作製した表面弾性波フィルターの周波数特性を測定し
たところ、１次モードの表面弾性波によるフィルターの
特性は中心周波数：１ＧＨｚのバンドパスフィルターの
特性を示し、中心周波数での挿入損失は１０ｄＢであっ
た。
と良好で、また粒径は１０ｎｍ、表面平坦性は数ｎｍ〜
１０ｎｍで、抵抗率は１０6Ω・ｃｍであった。こうし
て作製した表面弾性波フィルターの周波数特性を測定し
たところ、１次モードの表面弾性波によるフィルターの
特性は中心周波数：１ＧＨｚのバンドパスフィルターの
特性を示し、中心周波数での挿入損失は１０ｄＢであっ
た。
【００１６】［比較例］比較実験としてＲＦスパッタリ
ング法によりＺｎＯ膜を形成し、同様の構造を有する表
面弾性波フィルターを作製した。スパッタリング条件
は、ＲＦパワー：１５０Ｗ、ガス：Ａｒ５０％酸素５０
％、圧力：１．３Ｐａ、基板温度３００℃、ターゲット
材料：ＺｎＯ＋１％Ｌｉ2ＣＯ3のセラミックスであっ
た。このＺｎＯのｃ軸配向性はσ＝２．５度、粒径は５
０ｎｍ、表面平坦性は約３０ｎｍ、抵抗率は１０6Ω・
ｃｍであった。この表面弾性波フィルターの周波数特性
は、中心周波数１ＧＨｚ、挿入損失は２５ｄＢであっ
た。
ング法によりＺｎＯ膜を形成し、同様の構造を有する表
面弾性波フィルターを作製した。スパッタリング条件
は、ＲＦパワー：１５０Ｗ、ガス：Ａｒ５０％酸素５０
％、圧力：１．３Ｐａ、基板温度３００℃、ターゲット
材料：ＺｎＯ＋１％Ｌｉ2ＣＯ3のセラミックスであっ
た。このＺｎＯのｃ軸配向性はσ＝２．５度、粒径は５
０ｎｍ、表面平坦性は約３０ｎｍ、抵抗率は１０6Ω・
ｃｍであった。この表面弾性波フィルターの周波数特性
は、中心周波数１ＧＨｚ、挿入損失は２５ｄＢであっ
た。
【００１７】ＥＣＲスパッタリング法による膜成長にお
いて、実施例ではスパッタリングガスとして酸素を用い
たが、酸素の他にＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、およ
び窒素の中から選んだ１種あるいは２種以上の混合ガス
でも良好な結果を得ることが出来る。また、ターゲット
材料には実施例の金属Ｚｎの他にＺｎＯターゲットも使
用できる。ＥＣＲスパッタリングの装置は、基本形の他
に磁界分布制御形、マイクロ波垂直入射形、電界ミラー
形などがあるが（例えば雑誌「電子材料」１９９０年３
月号、８２ページ、著者小野俊郎、五十嵐賢）、いずれ
のものでも同様の結果が得られる。
いて、実施例ではスパッタリングガスとして酸素を用い
たが、酸素の他にＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、およ
び窒素の中から選んだ１種あるいは２種以上の混合ガス
でも良好な結果を得ることが出来る。また、ターゲット
材料には実施例の金属Ｚｎの他にＺｎＯターゲットも使
用できる。ＥＣＲスパッタリングの装置は、基本形の他
に磁界分布制御形、マイクロ波垂直入射形、電界ミラー
形などがあるが（例えば雑誌「電子材料」１９９０年３
月号、８２ページ、著者小野俊郎、五十嵐賢）、いずれ
のものでも同様の結果が得られる。
【００１８】圧電体材料についてはＺｎＯ以外に、例え
ばＡｌＮ、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、（Ｐｂ、Ｌａ）
（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＢｅＯ、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7、ＫＮ
ｂＯ3、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳを使用しても同様の
効果が得られる。また以上のことは図２に示したいずれ
の電極配置構造の場合にも同様に有効である。
ばＡｌＮ、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、（Ｐｂ、Ｌａ）
（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＢｅＯ、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7、ＫＮ
ｂＯ3、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳを使用しても同様の
効果が得られる。また以上のことは図２に示したいずれ
の電極配置構造の場合にも同様に有効である。
【発明の効果】本発明によれば、ＧＨｚ帯において挿入
損失が少ない表面弾性波素子が得られ、数１００ＭＨｚ
からＧＨｚ帯で特性の優れた周波数フィルター、共振
子、遅延線、コンボルバー、コリレーター等が実現でき
る。
損失が少ない表面弾性波素子が得られ、数１００ＭＨｚ
からＧＨｚ帯で特性の優れた周波数フィルター、共振
子、遅延線、コンボルバー、コリレーター等が実現でき
る。
【図１】本発明の表面弾性波素子の断面構造を示す模式
図である。
図である。
【図２】表面弾性波素子の電極配置構造を示す模式平面
図である。
図である。
１：Ｓｉ基板 ２：ダイヤモンド層 ３：櫛型電極 ４：ＺｎＯ膜
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイヤモンドと圧電体層と電極を積層し
てなる表面弾性波素子においてＥＣＲスパッタリング法
により圧電体層を形成したことを特徴とする表面弾性波
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21503591A JPH0555854A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 表面弾性波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21503591A JPH0555854A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 表面弾性波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555854A true JPH0555854A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16665678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21503591A Pending JPH0555854A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 表面弾性波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555854A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100343949B1 (ko) * | 2000-01-26 | 2002-07-24 | 한국과학기술연구원 | 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광소자용 ＺｎＯ박막의 제조 방법 및 그를 위한 장치 |
| GB2382460A (en) * | 2001-10-17 | 2003-05-28 | Murata Manufacturing Co | Forming a moisture-proof layer on a surface acoustic wave device |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21503591A patent/JPH0555854A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100343949B1 (ko) * | 2000-01-26 | 2002-07-24 | 한국과학기술연구원 | 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광소자용 ＺｎＯ박막의 제조 방법 및 그를 위한 장치 |
| GB2382460A (en) * | 2001-10-17 | 2003-05-28 | Murata Manufacturing Co | Forming a moisture-proof layer on a surface acoustic wave device |
| GB2382460B (en) * | 2001-10-17 | 2004-01-07 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| US6831340B2 (en) | 2001-10-17 | 2004-12-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| KR100467180B1 (ko) * | 2001-10-17 | 2005-01-24 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11309861B2 (en) | Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection | |
| US5160869A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP3170819B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| US6127768A (en) | Surface acoustic wave and bulk acoustic wave devices using a Zn.sub.(1-X) Yx O piezoelectric layer device | |
| US5440189A (en) | Surface acoustic wave device | |
| US6534895B2 (en) | Surface acoustic wave device, shear bulk wave transducer, and longitudinal bulk wave transducer | |
| US5221870A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPH10507599A (ja) | ダイヤモンド表面音波デバイスとその製造方法 | |
| US11949400B2 (en) | Multiple layer system, method of manufacture and saw device formed on the multiple layer system | |
| JPH04358410A (ja) | 表面弾性波素子及びその製造方法 | |
| US5294858A (en) | Surface acoustic wave device | |
| US5838089A (en) | Acoustic wave devices on diamond with an interlayer | |
| US20220385267A1 (en) | Surface acoustic wave device with high electromechanical coupling coefficient based on double-layer electrodes and preparation method thereof | |
| JPS6341449B2 (ja) | ||
| EP1478089B1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| US5463901A (en) | Stacked piezoelectric surface acoustic wave device with a boron nitride layer in the stack | |
| JPH0555854A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP7550757B2 (ja) | 薄膜ｓａｗデバイス | |
| EP0644651B1 (en) | Surface wave filter element and method for manufacturing it | |
| JPH01103310A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH1131942A (ja) | 弾性表面波モジュール素子及びその製造方法 | |
| JPH09205340A (ja) | 表面弾性波素子用ダイヤモンド基材と素子及びその製造方法 | |
| JPH08162900A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH0590860A (ja) | 表面弾性波素子の製造方法 |