JPH0550076A - オゾン注入制御装置 - Google Patents
オゾン注入制御装置Info
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- JPH0550076A JPH0550076A JP20160791A JP20160791A JPH0550076A JP H0550076 A JPH0550076 A JP H0550076A JP 20160791 A JP20160791 A JP 20160791A JP 20160791 A JP20160791 A JP 20160791A JP H0550076 A JPH0550076 A JP H0550076A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理水のインテリジェンスセラミックセン
サによる測定値と紫外線分光光度計による測定値によっ
て、オゾン注入を制御することにより、高性能なオゾン
注入制御装置を得る。 【構成】 オゾン処理槽に導入されるべき被処理水のカ
ビ臭物質量と分光度を測定し、これらの測定値を基にオ
ゾン注入量を制御すると共に、オゾン処理槽によって処
理された被処理水のカビ臭物質量と分光度を測定し、こ
れらの測定値を基にオゾン注入量の補正を行う。
サによる測定値と紫外線分光光度計による測定値によっ
て、オゾン注入を制御することにより、高性能なオゾン
注入制御装置を得る。 【構成】 オゾン処理槽に導入されるべき被処理水のカ
ビ臭物質量と分光度を測定し、これらの測定値を基にオ
ゾン注入量を制御すると共に、オゾン処理槽によって処
理された被処理水のカビ臭物質量と分光度を測定し、こ
れらの測定値を基にオゾン注入量の補正を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高度浄水処理におけるオ
ゾン注入制御装置に関するものである。
ゾン注入制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、浄水場では当面の課題である色
度、臭気、トリハロメタン（以下ＴＨＭと称す）を除去
するため、オゾン活性炭処理が研究されている。特にオ
ゾンは、ふっ素に次ぐ強力な酸化力を有するため、色
度、カビ臭の除去に関して有効であることが知られてい
る。しかしながら、オゾンは人体に対して有害であるこ
とからその取扱に関しては注意を要する。
度、臭気、トリハロメタン（以下ＴＨＭと称す）を除去
するため、オゾン活性炭処理が研究されている。特にオ
ゾンは、ふっ素に次ぐ強力な酸化力を有するため、色
度、カビ臭の除去に関して有効であることが知られてい
る。しかしながら、オゾンは人体に対して有害であるこ
とからその取扱に関しては注意を要する。
【０００３】オゾン処理を行っている浄水場では、オゾ
ン活性炭処理の除去対象物質であるＴＨＭ、カビ臭に対
するモニタリングシステムが無く、両物質の測定は手分
析に頼らざる終えない。しかも、その分析も短時間で容
易に分析できないため、オゾン処理の対応が遅れる。ま
た、オゾン処理を行っても、設定されたオゾン注入濃度
で除去可能な濃度レベル以上の被処理水が流入してきた
場合、必要なオゾン処理効果が得られない。従って、夜
間の無人時ではオゾン処理水質に応じてオゾン注入制御
が行えないため、水道利用者から臭気等の苦情が多く発
生する。
ン活性炭処理の除去対象物質であるＴＨＭ、カビ臭に対
するモニタリングシステムが無く、両物質の測定は手分
析に頼らざる終えない。しかも、その分析も短時間で容
易に分析できないため、オゾン処理の対応が遅れる。ま
た、オゾン処理を行っても、設定されたオゾン注入濃度
で除去可能な濃度レベル以上の被処理水が流入してきた
場合、必要なオゾン処理効果が得られない。従って、夜
間の無人時ではオゾン処理水質に応じてオゾン注入制御
が行えないため、水道利用者から臭気等の苦情が多く発
生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在の浄水場における
オゾン処理の問題点は次の通りである。すなわち、
（１）夜間、無人時ではオゾン処理を停止するかオゾン
注入一定の場合が多く、その時に臭気濃度の高い被処理
水が流入した場合の対応ができない。（２）オゾン処理
後段で活性炭処理を行っている場合、夜間、活性炭処理
塔への処理負荷が増大し、活性炭の寿命が短くなる。
（３）オゾン活性炭処理の除去対象物質である色度、カ
ビ臭、トリハロメタンのモニタリングを行っていないた
めオゾン処理効果が分からない。（４）必要なオゾン処
理効果が獲られない場合、後段の活性炭処理等への負荷
が増大する。（５）オゾン被処理水の濃度変動によって
オゾン処理水濃度が変動するため、活性炭処理負荷が変
動し活性炭処理等の処理計画が立てにくい。
オゾン処理の問題点は次の通りである。すなわち、
（１）夜間、無人時ではオゾン処理を停止するかオゾン
注入一定の場合が多く、その時に臭気濃度の高い被処理
水が流入した場合の対応ができない。（２）オゾン処理
後段で活性炭処理を行っている場合、夜間、活性炭処理
塔への処理負荷が増大し、活性炭の寿命が短くなる。
（３）オゾン活性炭処理の除去対象物質である色度、カ
ビ臭、トリハロメタンのモニタリングを行っていないた
めオゾン処理効果が分からない。（４）必要なオゾン処
理効果が獲られない場合、後段の活性炭処理等への負荷
が増大する。（５）オゾン被処理水の濃度変動によって
オゾン処理水濃度が変動するため、活性炭処理負荷が変
動し活性炭処理等の処理計画が立てにくい。
【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、上記問題点を解決した
オゾン注入制御装置を提供することである。
ので、その目的とするところは、上記問題点を解決した
オゾン注入制御装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、被処理水をオゾン処理槽に導入し、該オ
ゾン処理槽内の被処理水にオゾン吹込みを行うオゾン処
理において、前記オゾン処理槽に導入されるべき被処理
水のインテリジェンスセラミックセンサによる測定値と
紫外線分光光度計による測定値を基にオゾン注入濃度の
決定を行う手段と、前記オゾン処理槽によって処理され
た被処理水のインテリジェンスセラミックセンサによる
測定値と紫外線分光光度計による測定値を基にオゾン注
入濃度の補正を行う手段によってオゾン注入制御装置を
構成する。
成するために、被処理水をオゾン処理槽に導入し、該オ
ゾン処理槽内の被処理水にオゾン吹込みを行うオゾン処
理において、前記オゾン処理槽に導入されるべき被処理
水のインテリジェンスセラミックセンサによる測定値と
紫外線分光光度計による測定値を基にオゾン注入濃度の
決定を行う手段と、前記オゾン処理槽によって処理され
た被処理水のインテリジェンスセラミックセンサによる
測定値と紫外線分光光度計による測定値を基にオゾン注
入濃度の補正を行う手段によってオゾン注入制御装置を
構成する。
【０００７】
【作用】本発明においては、被処理水をオゾン処理槽に
導入し、該オゾン処理槽内の被処理水にオゾン吹込みを
行うオゾン処理において、前記オゾン処理槽に導入され
るべき被処理水のインテリジェンスセラミックセンサに
よる測定値と紫外線分光光度計による測定値を基にオゾ
ン注入濃度の決定を行うと共に、前記オゾン処理槽によ
って処理された被処理水のインテリジェンスセラミック
センサによる測定値と紫外線分光光度計による測定値を
基にオゾン注入濃度の補正を行う。
導入し、該オゾン処理槽内の被処理水にオゾン吹込みを
行うオゾン処理において、前記オゾン処理槽に導入され
るべき被処理水のインテリジェンスセラミックセンサに
よる測定値と紫外線分光光度計による測定値を基にオゾ
ン注入濃度の決定を行うと共に、前記オゾン処理槽によ
って処理された被処理水のインテリジェンスセラミック
センサによる測定値と紫外線分光光度計による測定値を
基にオゾン注入濃度の補正を行う。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１〜図９を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【０００９】図１は本発明の実施例によるオゾン注入制
御システムを示すもので、同図において１は着水位、２
は混和池、３はフロック形成池、４は沈澱池、５はオゾ
ン処理槽、６は活性炭処理塔、７は砂濾過槽である。
御システムを示すもので、同図において１は着水位、２
は混和池、３はフロック形成池、４は沈澱池、５はオゾ
ン処理槽、６は活性炭処理塔、７は砂濾過槽である。
【００１０】取水は、着水位１に貯留され混和池で薬剤
と混和処理された後にフロック形成池３に導かれる。フ
ロック形成池３で処理された被処理水は沈澱池４に導か
れ沈澱処理され、オゾン処理槽５でオゾン処理された後
に活性炭処理塔６で処理される。活性炭処理塔６で処理
された被処理水は砂濾過槽７を通して殺菌池へ導かれ
る。
と混和処理された後にフロック形成池３に導かれる。フ
ロック形成池３で処理された被処理水は沈澱池４に導か
れ沈澱処理され、オゾン処理槽５でオゾン処理された後
に活性炭処理塔６で処理される。活性炭処理塔６で処理
された被処理水は砂濾過槽７を通して殺菌池へ導かれ
る。
【００１１】また、図１において８はオゾン発生機、９
は散気管、１０ａ，１０ｂはインテリジェンスセンサ
（ＩＣＳ1，ＩＣＳ2）、１１ａ，１１ｂはフィルタ
（Ｆ）、１２ａ，１２ｂは紫外線分光光度計（ＵＶ1，
ＶＵ2）、１３はオゾンモニタ、１４は制御装置（ＤＤ
Ｃ）、１５は演算制御部であるコンピュータである。
は散気管、１０ａ，１０ｂはインテリジェンスセンサ
（ＩＣＳ1，ＩＣＳ2）、１１ａ，１１ｂはフィルタ
（Ｆ）、１２ａ，１２ｂは紫外線分光光度計（ＵＶ1，
ＶＵ2）、１３はオゾンモニタ、１４は制御装置（ＤＤ
Ｃ）、１５は演算制御部であるコンピュータである。
【００１２】図１のオゾン注入制御装置において、オゾ
ン発生機８から散気管９を通してオゾン処理槽５にオゾ
ンが注入される。沈澱池４からの被処理水の光度が紫外
線分光光度計１０ａによって測定され、インテリジェン
スセラミックセンサ１２ａによってカビ臭が測定され
る。これらの測定信号は制御装置１４に入力される。
ン発生機８から散気管９を通してオゾン処理槽５にオゾ
ンが注入される。沈澱池４からの被処理水の光度が紫外
線分光光度計１０ａによって測定され、インテリジェン
スセラミックセンサ１２ａによってカビ臭が測定され
る。これらの測定信号は制御装置１４に入力される。
【００１３】また、オゾンモニタ１３はオゾン注入量を
モニタし、そのモニタ信号を制御装置１４に入力する。
さらに、オゾン処理槽によって処理された被処理水の分
光度は紫外線分光光度計１２ｂによって測定され、カビ
臭はインテリジェンスセンサ１０ｂによって測定され
る。これらの測定信号は制御装置１４に入力される。
モニタし、そのモニタ信号を制御装置１４に入力する。
さらに、オゾン処理槽によって処理された被処理水の分
光度は紫外線分光光度計１２ｂによって測定され、カビ
臭はインテリジェンスセンサ１０ｂによって測定され
る。これらの測定信号は制御装置１４に入力される。
【００１４】制御装置１４は、コンピュータ１５を制御
中枢とし、オゾン発生機８を制御する。ＵＶ計を用いて
被処理水の色度，有機物，ＴＨＭ前駆物質（以下ＴＨＭ
ＦＰと称する）をモニタリングし、ＩＣＳを用いてカビ
臭をモニタリングし、これらの出力信号によってオゾン
処理のオゾン注入量の決定および補正を行う。
中枢とし、オゾン発生機８を制御する。ＵＶ計を用いて
被処理水の色度，有機物，ＴＨＭ前駆物質（以下ＴＨＭ
ＦＰと称する）をモニタリングし、ＩＣＳを用いてカビ
臭をモニタリングし、これらの出力信号によってオゾン
処理のオゾン注入量の決定および補正を行う。
【００１５】インテリジェンスセラミックセンサとは、
従来からあるセラミックセンサの欠点である自己あるい
は外部からの制御性，自己修復性等を兼ね備えた知的セ
ンサ機能を有するものである。即ち、連続測定において
常にセンサとしての感知機能を最大限に発揮できること
である。
従来からあるセラミックセンサの欠点である自己あるい
は外部からの制御性，自己修復性等を兼ね備えた知的セ
ンサ機能を有するものである。即ち、連続測定において
常にセンサとしての感知機能を最大限に発揮できること
である。
【００１６】このセンサの構造は図２に示すように、ｐ
型半導体とｈ型半導体の焼結体（セラミック）を接触ま
たは圧着したもので、更に接触焼結体表面を人為的に凹
凸を作りこの界面に気体や液体が出入りできるような構
造になっておりヘテロ接触型セラミックセンサと呼ばれ
ている。
型半導体とｈ型半導体の焼結体（セラミック）を接触ま
たは圧着したもので、更に接触焼結体表面を人為的に凹
凸を作りこの界面に気体や液体が出入りできるような構
造になっておりヘテロ接触型セラミックセンサと呼ばれ
ている。
【００１７】原理としては、図３に示すように焼結体に
順方向バイアス（ｐ型半導体に＋）下で電流が増加する
特性があり、接触界面に吸着した水や測定対象物質が電
気分解の効果による。
順方向バイアス（ｐ型半導体に＋）下で電流が増加する
特性があり、接触界面に吸着した水や測定対象物質が電
気分解の効果による。
【００１８】即ち、ｐ型半導体から供給される正孔（ｈ
+）とｎ型半導体からの電子（ｅ-）により水や測定対象
物質が電気分解され、ｐ型からｎ型の方向（順方向）の
み電流が流れ、この電流−電圧は焼結体の間隙に存在す
る気体や液体の種類と量によって変化する。また、間隙
で電気分解が行われているため分子の吸着・脱着が常に
繰り返され、クリーニング（自己修復機能）され連続計
測が可能になる。その結果、検出部の対照側の電流変化
と測定側の電流変化が生じ、この微弱な電流値の差分を
検出することで検水中に含まれている残存物質（臭気・
発ガン性物質等）が検出できる。
+）とｎ型半導体からの電子（ｅ-）により水や測定対象
物質が電気分解され、ｐ型からｎ型の方向（順方向）の
み電流が流れ、この電流−電圧は焼結体の間隙に存在す
る気体や液体の種類と量によって変化する。また、間隙
で電気分解が行われているため分子の吸着・脱着が常に
繰り返され、クリーニング（自己修復機能）され連続計
測が可能になる。その結果、検出部の対照側の電流変化
と測定側の電流変化が生じ、この微弱な電流値の差分を
検出することで検水中に含まれている残存物質（臭気・
発ガン性物質等）が検出できる。
【００１９】オゾン注入の決定に関して、ＩＣＳ計とＵ
Ｖ計を用いたオゾン注入率決定方法を図４と図５に示
す。図４はインテリジェンスセンサ出力値とカビ臭物質
の相関関係を示し、図５は紫外線吸光度Ｅ２６０もしく
はＥ３７０とＴＨＭＰＦの相関関係を示すものである。
ここで、Ｅ２６０は２６０ｍｍにおける紫外線吸光度、
Ｅ３７０は３７０ｍｍにおける紫外線吸光度である。図
４と図５の相関図はあらかじめ室内実験等で求めてお
く。図中のＣＩset、Ｉsetはカビ臭物質のしきい値（Ｃ
Ｉset）におけるＩＣＳ出力値（Ｉset）を示し、ＣＥse
t，ＥsetはＴＨＭＦＰのしきい値（ＣＥset）における
紫外線吸光度（Ｅset）を示す。
Ｖ計を用いたオゾン注入率決定方法を図４と図５に示
す。図４はインテリジェンスセンサ出力値とカビ臭物質
の相関関係を示し、図５は紫外線吸光度Ｅ２６０もしく
はＥ３７０とＴＨＭＰＦの相関関係を示すものである。
ここで、Ｅ２６０は２６０ｍｍにおける紫外線吸光度、
Ｅ３７０は３７０ｍｍにおける紫外線吸光度である。図
４と図５の相関図はあらかじめ室内実験等で求めてお
く。図中のＣＩset、Ｉsetはカビ臭物質のしきい値（Ｃ
Ｉset）におけるＩＣＳ出力値（Ｉset）を示し、ＣＥse
t，ＥsetはＴＨＭＦＰのしきい値（ＣＥset）における
紫外線吸光度（Ｅset）を示す。
【００２０】オゾン注入の判断は、図１中のＩＣＳ1と
ＵＶ1計のフィードフォワード（ＦＦ）信号（Ｉ，Ｅ）
から、図２をもとに制御装置１４とコンピュータ１５に
よって以下のように判断する。
ＵＶ1計のフィードフォワード（ＦＦ）信号（Ｉ，Ｅ）
から、図２をもとに制御装置１４とコンピュータ１５に
よって以下のように判断する。
【００２１】（１）Ｉ−Ｉset≦０ and Ｅ−Ｅset≦０
then オゾン注入は無し （２）Ｉ−Ｉset＞０ or Ｅ−Ｅset＞０ then オゾ
ン注入 オゾン注入濃度の決定は、ＩとＥにおける各物質濃度Ｃ
Ｉ，ＣＥとそれぞれのしきい値ＣＩsetとＣＥsetの差分
ΔＣＩ＝ＣＩ−ＣＩset，ΔＣＥ＝ＣＥ−ＣＥsetを求め
て、図６と図７よりオゾン注入濃度を決定する。図６と
図７はオゾン注入濃度と各物質のしきい値までの除去量
（ΔＣ）の関係を示したものである。
then オゾン注入は無し （２）Ｉ−Ｉset＞０ or Ｅ−Ｅset＞０ then オゾ
ン注入 オゾン注入濃度の決定は、ＩとＥにおける各物質濃度Ｃ
Ｉ，ＣＥとそれぞれのしきい値ＣＩsetとＣＥsetの差分
ΔＣＩ＝ＣＩ−ＣＩset，ΔＣＥ＝ＣＥ−ＣＥsetを求め
て、図６と図７よりオゾン注入濃度を決定する。図６と
図７はオゾン注入濃度と各物質のしきい値までの除去量
（ΔＣ）の関係を示したものである。
【００２２】（１）ΔＣＩの時のオゾン注入濃度ａ≧Δ
ＣＥの時のオゾン注入濃度ｂ thenオゾン注入濃度＝ａ （２）ΔＣＩの時のオゾン注入濃度ａ＜ΔＣＥの時のオ
ゾン注入濃度ｂ thenオゾン注入濃度＝ｂ 尚、ΔＣとオゾン注入濃度の関係は、あらかじめ室内実
験等で求めておく。また、ここではオゾン接触時間を一
定として考えているため、室内実験等で各接触時間にお
けるΔＣとオゾン注入濃度の関係を求めておけば、水質
制御のみならず水量制御によるオゾン注入制御ができ
る。
ＣＥの時のオゾン注入濃度ｂ thenオゾン注入濃度＝ａ （２）ΔＣＩの時のオゾン注入濃度ａ＜ΔＣＥの時のオ
ゾン注入濃度ｂ thenオゾン注入濃度＝ｂ 尚、ΔＣとオゾン注入濃度の関係は、あらかじめ室内実
験等で求めておく。また、ここではオゾン接触時間を一
定として考えているため、室内実験等で各接触時間にお
けるΔＣとオゾン注入濃度の関係を求めておけば、水質
制御のみならず水量制御によるオゾン注入制御ができ
る。
【００２３】オゾン注入濃度の補正は、オゾン処理槽か
らの流出水の各物質濃度ＣI0,ＣＥ0を図１中のＩＣＳ2
とＵＶ2の各出力値から各物質のしきい値との差ΔＣ
Ｉ′＝ＣI0−ＣＩset、ΔＣＥ′＝ＣＥ0-ＣＥsetを求
め、フィードバック（ＦＢ）制御によるオゾン注入濃度
補正を行う。図８と図９にオゾン注入濃度補正方法を示
す。オゾン注入濃度の補正は以下の方法で行う。
らの流出水の各物質濃度ＣI0,ＣＥ0を図１中のＩＣＳ2
とＵＶ2の各出力値から各物質のしきい値との差ΔＣ
Ｉ′＝ＣI0−ＣＩset、ΔＣＥ′＝ＣＥ0-ＣＥsetを求
め、フィードバック（ＦＢ）制御によるオゾン注入濃度
補正を行う。図８と図９にオゾン注入濃度補正方法を示
す。オゾン注入濃度の補正は以下の方法で行う。
【００２４】（１）ΔＣＩ′＝０ and ΔＣＥ′＝０
then オゾン注入濃度補正無し （２）ΔＣＩ′＞０ or ΔＣＩ′＜０ then オゾン注
入濃度補正（±Δａ）有り （３）ΔＣＥ′＞０ or ΔＣＥ′＜０ then オゾン注
入濃度補正（±Δｂ）有り 上記（２）の判断に於いて補正オゾン注入濃度ａ±Δ
ａ、ｂ±Δｂの選択の判断は以下のように行う。
then オゾン注入濃度補正無し （２）ΔＣＩ′＞０ or ΔＣＩ′＜０ then オゾン注
入濃度補正（±Δａ）有り （３）ΔＣＥ′＞０ or ΔＣＥ′＜０ then オゾン注
入濃度補正（±Δｂ）有り 上記（２）の判断に於いて補正オゾン注入濃度ａ±Δ
ａ、ｂ±Δｂの選択の判断は以下のように行う。
【００２５】（１）ａ±Δａ≧ｂ or ａ±Δａ≧ｂ±Δ
ｂ then補正オゾン注入率＝ａ±Δａ （２）ｂ±Δｂ≧ａ or ｂ±Δｂ≧ａ±Δａ then 補正
オゾン注入率＝ｂ±Δｂ
ｂ then補正オゾン注入率＝ａ±Δａ （２）ｂ±Δｂ≧ａ or ｂ±Δｂ≧ａ±Δａ then 補正
オゾン注入率＝ｂ±Δｂ
【００２６】
【発明の効果】本発明は上述の如くであって、被処理水
のインテリジェンスセンサによる測定値と紫外線分光光
度計による測定値を基にオゾン注入を制御するものであ
るから、次のような効果が得られる。
のインテリジェンスセンサによる測定値と紫外線分光光
度計による測定値を基にオゾン注入を制御するものであ
るから、次のような効果が得られる。
【００２７】（１）カビ臭物質およびＴＨＭＦＰのモニ
タリングが可能となる。
タリングが可能となる。
【００２８】（２）夜間無人時においてカビ臭およびＴ
ＨＭＦＰ負荷変動に対する対応が可能となる。
ＨＭＦＰ負荷変動に対する対応が可能となる。
【００２９】（３）オゾン被処理水の変動に対して一定
のオゾン処理効果を維持できる。
のオゾン処理効果を維持できる。
【００３０】（４）活性炭処理塔への負荷変動が小さ
く、活性炭の破過予測および活性炭の逆流洗浄等の活性
炭処理計画が容易になる。
く、活性炭の破過予測および活性炭の逆流洗浄等の活性
炭処理計画が容易になる。
【００３１】（５）必要以上のオゾン処理を行わないた
め、経済的にオゾン処理が行える。
め、経済的にオゾン処理が行える。
【図１】本発明の実施例によるオゾン注入制御装置のブ
ロック図。
ロック図。
【図２】本発明で用いるヘテロ接触型インテリジェンス
セラミックセンサの構成図。
セラミックセンサの構成図。
【図３】インテリジェンスセラミックセンサ測定による
電流−電圧特性図。
電流−電圧特性図。
【図４】インテリジェンスセラミックセンサ出力値とカ
ビ臭物質の相関図。
ビ臭物質の相関図。
【図５】紫外線吸光度とトリハロメタン前駆物質（ＴＨ
ＭＦＰ）の相関図。
ＭＦＰ）の相関図。
【図６】オゾン注入濃度とカビ臭物質除去濃度との相関
図。
図。
【図７】オゾン注入濃度とＴＨＭＦＰ除去量との相関
図。
図。
【図８】オゾン補正注入濃度とカビ臭物質除去量の補正
量を示す相関図。
量を示す相関図。
【図９】オゾン補正注入濃度とＴＨＭＦＰ除去量の補正
量を示す相関図。
量を示す相関図。
５…オゾン処理槽、８…オゾン発生機、９…散気管、１
０ａ，１０ｂ…インテリジェンスセラミックセンサ、１
１…フィルタ、１２ａ，１２ｂ…紫外線分光光度計、１
３…オゾンモニタ、１４…制御装置、１５…コンピュー
タ。
０ａ，１０ｂ…インテリジェンスセラミックセンサ、１
１…フィルタ、１２ａ，１２ｂ…紫外線分光光度計、１
３…オゾンモニタ、１４…制御装置、１５…コンピュー
タ。
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理水をオゾン処理槽に導入し、該オ
ゾン処理槽内の被処理水にオゾン吹込みを行うオゾン処
理において、前記オゾン処理槽に導入されるべき被処理
水のインテリジェンスセラミックセンサによる測定値と
紫外線分光光度計による測定値を基にオゾン注入濃度の
決定を行う手段によって構成したことを特徴とするオゾ
ン注入制御装置。 - 【請求項２】 被処理水をオゾン処理槽に導入し、該オ
ゾン処理槽内の被処理水にオゾン吹込みを行うオゾン処
理において、前記オゾン処理槽に導入されるべき被処理
水のインテリジェンスセラミックセンサによる測定値と
紫外線分光光度計による測定値を基にオゾン注入濃度の
決定を行う手段と、前記オゾン処理槽によって処理され
た被処理水のインテリジェンスセラミックセンサによる
測定値と紫外線分光光度計による測定値を基にオゾン注
入濃度の補正を行う手段によって構成したことを特徴と
するオゾン注入制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20160791A JPH0550076A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | オゾン注入制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20160791A JPH0550076A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | オゾン注入制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0550076A true JPH0550076A (ja) | 1993-03-02 |
Family
ID=16443864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20160791A Pending JPH0550076A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | オゾン注入制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0550076A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021090910A (ja) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | メタウォーター株式会社 | 水処理システム、プログラム、情報処理装置および水処理方法 |
-
1991
- 1991-08-12 JP JP20160791A patent/JPH0550076A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021090910A (ja) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | メタウォーター株式会社 | 水処理システム、プログラム、情報処理装置および水処理方法 |
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