JPH0540274A - 液晶装置 - Google Patents
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- JPH0540274A JPH0540274A JP3215272A JP21527291A JPH0540274A JP H0540274 A JPH0540274 A JP H0540274A JP 3215272 A JP3215272 A JP 3215272A JP 21527291 A JP21527291 A JP 21527291A JP H0540274 A JPH0540274 A JP H0540274A
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Classifications
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 外部駆動回路から液晶材料までの配線抵抗の
減少を図り、しかも接続の信頼性を高めた接続方法を提
供すること。 【構成】 液晶パネルから導出した液晶パネル側電極
と、該液晶パネルを駆動するための外部回路から導出し
た外部回路側電極との間を導電性材料と介して接続した
液晶装置において、前記液晶パネル側電極がインジウム
・ティン・オキサイド・フィルムとメタル・フィルムと
の積層フィルムで形成されており、前記接続個所におけ
る液晶パネル側電極がメタル・フィルム残部とインジウ
ム・ティン・オキサイド・フィルム開口部とを有してい
る。
減少を図り、しかも接続の信頼性を高めた接続方法を提
供すること。 【構成】 液晶パネルから導出した液晶パネル側電極
と、該液晶パネルを駆動するための外部回路から導出し
た外部回路側電極との間を導電性材料と介して接続した
液晶装置において、前記液晶パネル側電極がインジウム
・ティン・オキサイド・フィルムとメタル・フィルムと
の積層フィルムで形成されており、前記接続個所におけ
る液晶パネル側電極がメタル・フィルム残部とインジウ
ム・ティン・オキサイド・フィルム開口部とを有してい
る。
Description
【0001】
【発明の分野】本発明は、外部駆動回路を接続した液晶
装置に関するものである。
装置に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来、液晶パネルと外部駆動回路との接続
は、例えば駆動ICを搭載したフィルムキャリアテープ
の接続電極と液晶パネルのインジウム・ティン・オキサ
イド(ITO)電極とを対峙させ、両者の間に金属粒子
あるいは金属メッキを施した樹脂粒子を分散させた接着
剤である異方性導電接着剤を介して熱圧着によって機械
的、電気的接続をとる方法が広く知られている。
は、例えば駆動ICを搭載したフィルムキャリアテープ
の接続電極と液晶パネルのインジウム・ティン・オキサ
イド(ITO)電極とを対峙させ、両者の間に金属粒子
あるいは金属メッキを施した樹脂粒子を分散させた接着
剤である異方性導電接着剤を介して熱圧着によって機械
的、電気的接続をとる方法が広く知られている。
【0003】また、前記駆動ICの接続電極に金属バン
プを形成し、液晶パネルのITO電極との間に導電性ペ
ーストあるいは金属粒子などを介在させ、両者を接着剤
などにより固定し、電気的接続をとる方法の既知であ
る。
プを形成し、液晶パネルのITO電極との間に導電性ペ
ーストあるいは金属粒子などを介在させ、両者を接着剤
などにより固定し、電気的接続をとる方法の既知であ
る。
【0004】従来の技術においては、外部駆動回路から
液晶材料までの配線抵抗はITO電極の配線抵抗に大き
く支配される。
液晶材料までの配線抵抗はITO電極の配線抵抗に大き
く支配される。
【0005】さらに、液晶材料に印加する駆動波形は、
外部駆動回路から液晶材料までの配線抵抗Rと、上下電
極間に静電要領Cとの関数であるτ=RCの遅延を生
じ、駆動マージンを狭める要因となる。特に強誘電液晶
のように約2ミクロン程度の様に薄いセルギャップを必
要とする場合、前記静電容量Cが極めて大きくなること
は避けられず、したがって前記配線抵抗Rを極力低く抑
えることが必要である。
外部駆動回路から液晶材料までの配線抵抗Rと、上下電
極間に静電要領Cとの関数であるτ=RCの遅延を生
じ、駆動マージンを狭める要因となる。特に強誘電液晶
のように約2ミクロン程度の様に薄いセルギャップを必
要とする場合、前記静電容量Cが極めて大きくなること
は避けられず、したがって前記配線抵抗Rを極力低く抑
えることが必要である。
【0006】このため、従来の技術においては、液晶セ
ル内に配線した帯状の透明導電膜であるITO電極に
は、該帯状形状の長手方向に沿って細いモリブデン、ア
ルミニウムなどの金属薄膜を設ける方法が採用されてい
た。
ル内に配線した帯状の透明導電膜であるITO電極に
は、該帯状形状の長手方向に沿って細いモリブデン、ア
ルミニウムなどの金属薄膜を設ける方法が採用されてい
た。
【0007】ところで、液晶セル外でも、ITO電極の
配線抵抗が大きいため、やはり金属薄膜が設けられてい
るが、モリブデンフィルムやアルミニウムフィルムが細
い線で設けられていると、例えば水分の存在下に電気分
解反応が生じ、この結果細いモリブデンフィルムやアル
ミニウムフィルムが腐食によって断線し、本来の機能を
奏さなくなる。このため、液晶セル外では、金属薄膜が
ITO電極全面に亘って覆って設けられていた。
配線抵抗が大きいため、やはり金属薄膜が設けられてい
るが、モリブデンフィルムやアルミニウムフィルムが細
い線で設けられていると、例えば水分の存在下に電気分
解反応が生じ、この結果細いモリブデンフィルムやアル
ミニウムフィルムが腐食によって断線し、本来の機能を
奏さなくなる。このため、液晶セル外では、金属薄膜が
ITO電極全面に亘って覆って設けられていた。
【0008】上述の金属薄膜は、表面酸化を生じやすい
ため、その表面は薄い、例えば1000Å〜3000Å
程度の酸価金属の薄膜で覆われることになる。この酸価
金属の薄膜は、通常絶縁体であるため、この金属薄膜に
対峙させて配置したフィルム・キャリアテープの接続電
極との接続には、酸化金属の薄膜を突き破ることが可能
な硬い金属(例えばニッケルなど)粒子が用いられてい
た。この際、ニッケル粒子を用いた接続法では、ニッケ
ル粒子と電極との接続が点接触での接続となり、配線抵
抗にバラツキを生じていた。また、この際、ニッケル粒
子が酸化金属薄膜とともに金属薄膜をも突き破ることが
生じ、接続の信頼性を低下させていた。
ため、その表面は薄い、例えば1000Å〜3000Å
程度の酸価金属の薄膜で覆われることになる。この酸価
金属の薄膜は、通常絶縁体であるため、この金属薄膜に
対峙させて配置したフィルム・キャリアテープの接続電
極との接続には、酸化金属の薄膜を突き破ることが可能
な硬い金属(例えばニッケルなど)粒子が用いられてい
た。この際、ニッケル粒子を用いた接続法では、ニッケ
ル粒子と電極との接続が点接触での接続となり、配線抵
抗にバラツキを生じていた。また、この際、ニッケル粒
子が酸化金属薄膜とともに金属薄膜をも突き破ることが
生じ、接続の信頼性を低下させていた。
【0009】(発明の概要)本発明の目的は、外部駆動
回路から液晶材料までの配線抵抗の減少を図り、しかも
接続の信頼性を高めた接続方法を提供することにある。
回路から液晶材料までの配線抵抗の減少を図り、しかも
接続の信頼性を高めた接続方法を提供することにある。
【0010】本発明のかかる目的は、液晶パネルから導
出した液晶パネル側電極と、該液晶パネルを駆動するた
めの外部回路から導出した外部回路側電極との間を導電
性材料を介して接続した液晶装置において、前記液晶パ
ネル側電極がインジウム・ティン・オキサイド膜と金属
薄膜との積層膜で形成されており、前記接続個所におけ
る液晶パネル側電極が金属薄膜残部とインジウム・ティ
ン・オキサイド膜開口部とを有している液晶装置によっ
て達成される。
出した液晶パネル側電極と、該液晶パネルを駆動するた
めの外部回路から導出した外部回路側電極との間を導電
性材料を介して接続した液晶装置において、前記液晶パ
ネル側電極がインジウム・ティン・オキサイド膜と金属
薄膜との積層膜で形成されており、前記接続個所におけ
る液晶パネル側電極が金属薄膜残部とインジウム・ティ
ン・オキサイド膜開口部とを有している液晶装置によっ
て達成される。
【0011】(発明の態様の詳細な説明)図1(a)
は、図2に示した駆動形態で、強誘電液晶セルを駆動す
る場合の電気系統図を簡略化して示したものである。走
査電極群に与える信号は、クロック発生器より発生した
クロック信号(CS)を走査電極を選択する走査電極セ
レクタに送り、これを走査電極ドライバに送ることによ
って形成される。
は、図2に示した駆動形態で、強誘電液晶セルを駆動す
る場合の電気系統図を簡略化して示したものである。走
査電極群に与える信号は、クロック発生器より発生した
クロック信号(CS)を走査電極を選択する走査電極セ
レクタに送り、これを走査電極ドライバに送ることによ
って形成される。
【0012】一方、信号電極群に与える信号(DM)
は、データ発生器の出力信号(DS)と、クロック信号
(CS)とから、情報信号と、補助信号を形成しうるデ
ータ変調器に送られ、さらに信号電極ドライバを通して
供給される。
は、データ発生器の出力信号(DS)と、クロック信号
(CS)とから、情報信号と、補助信号を形成しうるデ
ータ変調器に送られ、さらに信号電極ドライバを通して
供給される。
【0013】図1(b)は、上記データ変調器によって
出力される信号の例であって、前記実施例に基く図2に
おけるI1信号に対応するものである。
出力される信号の例であって、前記実施例に基く図2に
おけるI1信号に対応するものである。
【0014】また、図1(c)は、上記図1(b)に示
した信号を出力するためのデータ変調器を模式的に示し
たものであって、2つのインバータ11及び12と2つ
のAND回路13と14、さらに1つのOR回路15に
よって構成される。
した信号を出力するためのデータ変調器を模式的に示し
たものであって、2つのインバータ11及び12と2つ
のAND回路13と14、さらに1つのOR回路15に
よって構成される。
【0015】図2に示すS1、S2、S3、S4、S5はマ
トリクス電極内の走査電極に印加した走査信号で、図1
(a)の走査電極ドライバーから出力される信号であ
る。I1、I2、I3はマトリクス電極内の情報電極に印
加した情報信号で、図1(a)の情報電極ドライバーか
ら出力される信号である。また、AはS1とI1との交点
に印加された電圧波形で、CはS3とI3との交点に印加
された電圧波形である。
トリクス電極内の走査電極に印加した走査信号で、図1
(a)の走査電極ドライバーから出力される信号であ
る。I1、I2、I3はマトリクス電極内の情報電極に印
加した情報信号で、図1(a)の情報電極ドライバーか
ら出力される信号である。また、AはS1とI1との交点
に印加された電圧波形で、CはS3とI3との交点に印加
された電圧波形である。
【0016】図1に示す液晶装置は、外部駆動回路とし
て走査電極セレクタと走査電極ドライバとを組み合わせ
た走査側駆動回路と、データ発生器、データ変調器と信
号電極ドライバとを組み合わせた情報側駆動回路とを備
えている。
て走査電極セレクタと走査電極ドライバとを組み合わせ
た走査側駆動回路と、データ発生器、データ変調器と信
号電極ドライバとを組み合わせた情報側駆動回路とを備
えている。
【0017】図3は本発明の接続構造の平面図(液晶パ
ネル111の基板8を矢印114の方向から見た図)で
ある。図4は図3中Y−Y′線の断面図である。図7は
本発明外の接続構造の平面図(図3と同一方向から見た
図)である。
ネル111の基板8を矢印114の方向から見た図)で
ある。図4は図3中Y−Y′線の断面図である。図7は
本発明外の接続構造の平面図(図3と同一方向から見た
図)である。
【0018】液晶パネル111の接続電極1(例えば線
幅100μm、線間100μmの平行電極で、その平面
図を図5に示す)は、500〜1500Å程度のITO
(Indium−Tin−Oxide)薄膜2aとその
上に形成した1000〜3000Å程度の金属薄膜3a
(例えばモリブデン、アルミニウム)とからなる2層構
造である。この際の金属薄膜としては、2層以上の積層
膜を用いることも可能である。この電極1の中央に80
μm幅のITO開口部4を設け、電極1の両端(両側縁
部)にはそれぞれ金属薄膜3a(図5に示す)を残した
構造とする。
幅100μm、線間100μmの平行電極で、その平面
図を図5に示す)は、500〜1500Å程度のITO
(Indium−Tin−Oxide)薄膜2aとその
上に形成した1000〜3000Å程度の金属薄膜3a
(例えばモリブデン、アルミニウム)とからなる2層構
造である。この際の金属薄膜としては、2層以上の積層
膜を用いることも可能である。この電極1の中央に80
μm幅のITO開口部4を設け、電極1の両端(両側縁
部)にはそれぞれ金属薄膜3a(図5に示す)を残した
構造とする。
【0019】本発明で用いた液晶パネル111は、基板
8と一体的に形成した液晶セルを備えている。
8と一体的に形成した液晶セルを備えている。
【0020】液晶セルは、金属薄膜3bとITO電極2
bとを積層した基板8対向基板118(該対向基板11
8には金属薄膜3bと交差配置した対向する金属薄膜1
13とITO電極112とが設けられている)、液晶材
料115を備えたセル構造となっている。このセル構造
は一対の基板118と8との周辺部に設けたシール材1
16によってシールされている。
bとを積層した基板8対向基板118(該対向基板11
8には金属薄膜3bと交差配置した対向する金属薄膜1
13とITO電極112とが設けられている)、液晶材
料115を備えたセル構造となっている。このセル構造
は一対の基板118と8との周辺部に設けたシール材1
16によってシールされている。
【0021】液晶パネル111の接続電極1と外部駆動
回路の接続電極5(例えばベースフィルム9を有するフ
ィルムキャリアの接続電極で、銅などで形成されてい
る)とは異方性導電膜(例えばエポキシ系接着剤6中に
半田粒子を分散させたもの)を介在させ、熱圧着によっ
て接続させる。このとき、微細な半田粒子は加熱と圧着
とによって溶融し、加圧されて、基板平面方向に拡が
り、図3の7aに示す拡い面積での接続が可能となり、
また、この時接続電極5とITO電極2a(又は4)と
の相対向に存在していた半田粒子が平面方向に拡がった
形状の半田7aを生じるが、接続電極5と相対向してい
ない個所では、半田粒子が加圧されないままの形状の半
田7bを生じる。この半田7bは、電気的接続には全く
関与しない。
回路の接続電極5(例えばベースフィルム9を有するフ
ィルムキャリアの接続電極で、銅などで形成されてい
る)とは異方性導電膜(例えばエポキシ系接着剤6中に
半田粒子を分散させたもの)を介在させ、熱圧着によっ
て接続させる。このとき、微細な半田粒子は加熱と圧着
とによって溶融し、加圧されて、基板平面方向に拡が
り、図3の7aに示す拡い面積での接続が可能となり、
また、この時接続電極5とITO電極2a(又は4)と
の相対向に存在していた半田粒子が平面方向に拡がった
形状の半田7aを生じるが、接続電極5と相対向してい
ない個所では、半田粒子が加圧されないままの形状の半
田7bを生じる。この半田7bは、電気的接続には全く
関与しない。
【0022】これにより液晶パネル111の接続電極1
とフィルムキャリアの接続電極5とは半田粒子7aと互
いに面接触し、信頼性の高い電気的接続が行なわれる。
また外部駆動回路から液晶材料115までの配線抵抗は
液晶パネル111の接続電極1上の金属薄膜3bによっ
て低く抑えられる。
とフィルムキャリアの接続電極5とは半田粒子7aと互
いに面接触し、信頼性の高い電気的接続が行なわれる。
また外部駆動回路から液晶材料115までの配線抵抗は
液晶パネル111の接続電極1上の金属薄膜3bによっ
て低く抑えられる。
【0023】なお、図3中の空白部31は、基板8とベ
ースフィルム9との相対向部を矢印114の方向から観
た時、基板8に設けた金属薄膜3aが不透明であるた
め、図中ハッチングで示したエポキシ系接着剤6が見え
ない部分に対応している。
ースフィルム9との相対向部を矢印114の方向から観
た時、基板8に設けた金属薄膜3aが不透明であるた
め、図中ハッチングで示したエポキシ系接着剤6が見え
ない部分に対応している。
【0024】図6は、本発明の別の好ましい実施態様例
を示している。ITO電極2aに3本の細い金属薄膜3
aを設けた他は、図5の例と同一である。
を示している。ITO電極2aに3本の細い金属薄膜3
aを設けた他は、図5の例と同一である。
【0025】本発明で用いた細い金属薄膜3aの線幅と
しては、帯形状の短手幅Wに対して1/3〜1/30程
度の線幅がよい。この際のWとしては、一般に50μm
〜500μm程度でよい。
しては、帯形状の短手幅Wに対して1/3〜1/30程
度の線幅がよい。この際のWとしては、一般に50μm
〜500μm程度でよい。
【0026】また、本発明においては、図5及び図6に
示す通り、液晶セルの外での金属薄膜3cは、ITO電
極の全面に亘って覆うのがよい。これによって、水分の
存在下で生じていた電気分解反応による腐食又は断線な
どの問題点を解消することができた。
示す通り、液晶セルの外での金属薄膜3cは、ITO電
極の全面に亘って覆うのがよい。これによって、水分の
存在下で生じていた電気分解反応による腐食又は断線な
どの問題点を解消することができた。
【0027】図7(a)と7(b)は、本発明外の装置
を示している。図7(a)と7(b)に示す装置は、本
発明で用いた細い金属薄膜3aの使用を省略したほか
は、図5(a)に示した基板8と同一のものが用いられ
ている。
を示している。図7(a)と7(b)に示す装置は、本
発明で用いた細い金属薄膜3aの使用を省略したほか
は、図5(a)に示した基板8と同一のものが用いられ
ている。
【0028】図8は図3〜図5に示した装置の等価回路
であり、図9は図7に示す装置の等価回路である。R2
は外部駆動回路10から外部駆動回路10に最も近い半
田粒子NO.2までの接続電極5の配線抵抗、R3は隣
接半田粒子間の接続電極5の配線抵抗、R4は半田粒子
1個あたりの接続抵抗、R5は隣接半田粒子間のITO
の配線抵抗、R6は隣接半田粒子間の細い金属薄膜3a
の配線抵抗、R7はポイントAから液晶材料までのIT
Oの配線抵抗、R8はポイントAから液晶材料までの金
属薄膜3cの配線抵抗である。以上の抵抗値は、本発明
外の構成と本発明による構成との間に差異は無い。
であり、図9は図7に示す装置の等価回路である。R2
は外部駆動回路10から外部駆動回路10に最も近い半
田粒子NO.2までの接続電極5の配線抵抗、R3は隣
接半田粒子間の接続電極5の配線抵抗、R4は半田粒子
1個あたりの接続抵抗、R5は隣接半田粒子間のITO
の配線抵抗、R6は隣接半田粒子間の細い金属薄膜3a
の配線抵抗、R7はポイントAから液晶材料までのIT
Oの配線抵抗、R8はポイントAから液晶材料までの金
属薄膜3cの配線抵抗である。以上の抵抗値は、本発明
外の構成と本発明による構成との間に差異は無い。
【0029】本発明外の方法では外部駆動回路10から
液晶材料までの配線抵抗R1は、第1に金属薄膜3cの
ポイントAから最も近い半田粒子NO.1までの距離a
と、この間のITO2aの抵抗RITOに大きく支配さ
れ、またITO2aのシート抵抗値は金属薄膜3cのシ
ート抵抗値に対して数十倍と大きい。第2に前記距離a
は半田粒子の分散に支配され、一般には最大500μm
程度になることは避けられない。本発明による接続構造
は電気的接続をITO開口部4で確実にとり、かつパネ
ルの接続電極1の両端(両側縁)に金属薄膜3aを残
し、半田粒子7aから金属薄膜3aまでの距離を数ミク
ロン以内にすることで、前記2点の問題を解消すること
ができる。図10は液晶パネル111の接続電極1とフ
ィルムキャリアの接続電極5とが図中X方向に位置ずれ
を起こして対峙した場合を示す。
液晶材料までの配線抵抗R1は、第1に金属薄膜3cの
ポイントAから最も近い半田粒子NO.1までの距離a
と、この間のITO2aの抵抗RITOに大きく支配さ
れ、またITO2aのシート抵抗値は金属薄膜3cのシ
ート抵抗値に対して数十倍と大きい。第2に前記距離a
は半田粒子の分散に支配され、一般には最大500μm
程度になることは避けられない。本発明による接続構造
は電気的接続をITO開口部4で確実にとり、かつパネ
ルの接続電極1の両端(両側縁)に金属薄膜3aを残
し、半田粒子7aから金属薄膜3aまでの距離を数ミク
ロン以内にすることで、前記2点の問題を解消すること
ができる。図10は液晶パネル111の接続電極1とフ
ィルムキャリアの接続電極5とが図中X方向に位置ずれ
を起こして対峙した場合を示す。
【0030】前記ITO開口部4を液晶パネル111の
接続電極1の中央部に例えば80μmの幅で設け、電極
両側縁に10μm程度の金属薄膜の平行パターンを走ら
せることで、液晶パネル111の接続電極1と外部駆動
回路の接続電極5とが図10中X方向に例えば10μm
程度ずれたとしても接触面積を減らすことなく接続を行
なうことが可能であり、配線抵抗R1の増大を防ぐこと
ができる。
接続電極1の中央部に例えば80μmの幅で設け、電極
両側縁に10μm程度の金属薄膜の平行パターンを走ら
せることで、液晶パネル111の接続電極1と外部駆動
回路の接続電極5とが図10中X方向に例えば10μm
程度ずれたとしても接触面積を減らすことなく接続を行
なうことが可能であり、配線抵抗R1の増大を防ぐこと
ができる。
【0031】図11及び図12は液晶パネル接続電極1
11とベアチップ状態の駆動IC112との接続を示す
(図12は図11のy−y′断面図である)。液晶パネ
ルの接続電極111はITO113と金属薄膜114の
2層構造とし、IC112の接続電極115と対向する
接続電極111の中央にITO開口部116を設ける。
11とベアチップ状態の駆動IC112との接続を示す
(図12は図11のy−y′断面図である)。液晶パネ
ルの接続電極111はITO113と金属薄膜114の
2層構造とし、IC112の接続電極115と対向する
接続電極111の中央にITO開口部116を設ける。
【0032】このITO開口部116とIC112の接
続電極15との間に金属(金、銀、銅など)バンプ17
を設け、導電ペースト118を介在させて両電極(IT
O開口部116と接続電極115)を接続する。以上の
接続は、電気的接続をITO開口部116で行なうこと
により接続信頼性を高めることができ、その周囲の金属
薄膜114によって駆動IC112から液晶材料までの
配線抵抗を低く抑えることができる。図中の120はエ
ポシキ系接着剤、121はSiO2、ポリイミドなどの
絶縁膜である。
続電極15との間に金属(金、銀、銅など)バンプ17
を設け、導電ペースト118を介在させて両電極(IT
O開口部116と接続電極115)を接続する。以上の
接続は、電気的接続をITO開口部116で行なうこと
により接続信頼性を高めることができ、その周囲の金属
薄膜114によって駆動IC112から液晶材料までの
配線抵抗を低く抑えることができる。図中の120はエ
ポシキ系接着剤、121はSiO2、ポリイミドなどの
絶縁膜である。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、液晶パネル接続電
極をITOと金属薄膜の2層構造とし、ITO開口部を
設けることで、外部駆動回路接続電極との接続を高い信
頼性で行なうことができ、かつ外部駆動回路から液晶材
料までの配線抵抗を低く抑えることができた。
極をITOと金属薄膜の2層構造とし、ITO開口部を
設けることで、外部駆動回路接続電極との接続を高い信
頼性で行なうことができ、かつ外部駆動回路から液晶材
料までの配線抵抗を低く抑えることができた。
【0034】また、前記ITO開口部をパネル接続電極
中央部に設けることで、対向する外部駆動回路接続電極
との接続の際に位置ズレが生じた場合も接続面積が減少
することによって生じる接続信頼性の低下を防ぐことが
できた。
中央部に設けることで、対向する外部駆動回路接続電極
との接続の際に位置ズレが生じた場合も接続面積が減少
することによって生じる接続信頼性の低下を防ぐことが
できた。
【図1】(a)は本発明装置のブロック図である。
(b)は本発明装置における情報電極群に与えるデータ
変調器出力信号(DM)を形成する態様を表わす説明図
である。(c)は図1(b)のデータ変調器出力信号
(DM)を形成する回路図である。
(b)は本発明装置における情報電極群に与えるデータ
変調器出力信号(DM)を形成する態様を表わす説明図
である。(c)は図1(b)のデータ変調器出力信号
(DM)を形成する回路図である。
【図2】本発明装置で用いた駆動電圧の波形図である。
【図3】本発明装置の平面図である。
【図4】図3のY−Y′断面構造を有する装置の断面図
である。
である。
【図5】(a)は本発明で用いた基板8の平面図であ
る。(b)は本発明で用いたフィルム・キャリアの平面
図である。
る。(b)は本発明で用いたフィルム・キャリアの平面
図である。
【図6】本発明で用いた別の基板8の平面図である。
【図7】(a)は本発明外の装置の平面図である。
(b)は本発明外の装置で用いた基板8の平面図であ
る。
(b)は本発明外の装置で用いた基板8の平面図であ
る。
【図8】本発明装置の等価回路図である。
【図9】本発明外装置の等価回路図である。
【図10】本発明装置の別の態様の平面図である。
【図11】本発明に係る液晶パネル接続電極とベアチッ
プ状態の駆動ICとの接続の平面図である。
プ状態の駆動ICとの接続の平面図である。
【図12】図11のy−y′線に沿った断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 液晶パネルから導出した液晶パネル側電
極と、該液晶パネルを駆動するための外部回路から導出
した外部回路側電極との間を導電性材料を介して接続し
た液晶装置において、 前記液晶パネル側電極がインジウム・ティン・オキサイ
ド膜と金属薄膜との積層膜で形成されており、前記接続
個所における液晶パネル側電極が金属薄膜残部とインジ
ウム・ティン・オキサイド膜開口部とを有していること
を特徴とする液晶装置。 - 【請求項2】 前記液晶パネル側電極が帯状形状をなし
ており、前記接続個所における液晶パネル側電極の金属
薄膜残部が該帯状の長手方向に沿って、該帯状の短手幅
の1/30〜1/3幅で形成されている請求項1に記載
の液晶装置。 - 【請求項3】 前記液晶パネル側電極が帯状形状をなし
ており、前記接続個所における液晶パネル側電極の金属
薄膜残部が該帯状の両端に、該帯状の長手方向に沿っ
て、該帯状の短手幅の1/30〜1/3幅で形成されて
いる請求項1に記載の液晶装置。 - 【請求項4】 前記金属薄膜がモリブデン・フィルムで
ある請求項1に記載の液晶装置。 - 【請求項5】 前記導電性材料が金属粒子である請求項
1に記載の液晶装置。 - 【請求項6】 前記導電性材料が金属メッキを施した樹
脂粒子である請求項1に記載の液晶装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3215272A JPH0540274A (ja) | 1990-09-13 | 1991-08-27 | 液晶装置 |
EP91115463A EP0475402B1 (en) | 1990-09-13 | 1991-09-12 | Liquid crystal apparatus |
AT91115463T ATE136657T1 (de) | 1990-09-13 | 1991-09-12 | Flüssigkristallgerät |
US07/757,987 US5270848A (en) | 1990-09-13 | 1991-09-12 | Liquid crystal ITO connector having a metal layer |
DE69118624T DE69118624T2 (de) | 1990-09-13 | 1991-09-12 | Flüssigkristallgerät |
ES91115463T ES2087935T3 (es) | 1990-09-13 | 1991-09-12 | Aparato de cristal liquido. |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24116490 | 1990-09-13 | ||
JP2-241164 | 1990-09-13 | ||
JP3215272A JPH0540274A (ja) | 1990-09-13 | 1991-08-27 | 液晶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0540274A true JPH0540274A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=26520779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3215272A Pending JPH0540274A (ja) | 1990-09-13 | 1991-08-27 | 液晶装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5270848A (ja) |
EP (1) | EP0475402B1 (ja) |
JP (1) | JPH0540274A (ja) |
AT (1) | ATE136657T1 (ja) |
DE (1) | DE69118624T2 (ja) |
ES (1) | ES2087935T3 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007500372A (ja) * | 2003-07-29 | 2007-01-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 配線端子を具備する電子装置 |
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- 1991-09-12 ES ES91115463T patent/ES2087935T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-12 DE DE69118624T patent/DE69118624T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-12 EP EP91115463A patent/EP0475402B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-12 US US07/757,987 patent/US5270848A/en not_active Expired - Fee Related
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DE69118624T2 (de) | 1996-09-19 |
US5270848A (en) | 1993-12-14 |
EP0475402A2 (en) | 1992-03-18 |
DE69118624D1 (de) | 1996-05-15 |
EP0475402A3 (en) | 1992-08-12 |
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