JPH05340866A

JPH05340866A - 塵粒子検出器

Info

Publication number: JPH05340866A
Application number: JP4145993A
Authority: JP
Inventors: Haruzo Miyashita; 治三宮下; Toshio Kikuchi; 俊雄菊地
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1992-06-05
Filing date: 1992-06-05
Publication date: 1993-12-24

Abstract

(57)【要約】【目的】微妙な調整作業等を必要とせず、安価で、メ
ンテナンス性に優れ、塵粒子の数、大きさを小さい誤差
で検出することのできる塵粒子検出器を提供する。【構成】単一のレーザ発振器から出射されたレーザ光
から幅が広く厚さが薄い平行レーザビーム光を作る装置
と、そのレーザビーム光をスリットを通して送り込み、
被測定空間に隙間の無いシート状レーザビーム光を形成
する装置と、そのシート状光を塵粒子が横切る際に発生
する散乱光の検出装置と、レーザビーム光を最終的に吸
収して外部にもらさないレーザビーム光吸収器とを備え
て構成する。シート状レーザビーム光を横切る塵粒子の
散乱光を検出し、その強度の変化を利用して、塵粒子の
数、散乱光の強度を利用して塵粒子の大きさを検出す
る。断面が長楕円形状のシート状レーザビーム光のとき
塵粒子の大きさの検出誤差が小さい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体あるいは電子
部品製造空間において、塵粒子の数、塵粒子の概略の大
きさ、又はその両者をリアルタイムで計測する塵粒子検
出器に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造用装置あるいは電子部品製造
用装置では、製品の歩留まりを確保するために、基板に
対する塵（ダスト）の付着を最小限にする必要がある。
このため、常時、製品製造環境における塵の発生状況
（塵粒子の数、塵粒子の概略の大きさ、又はその両者）
をモニターし、塵の増加があればこれを検知して塵を抑
制する対策をとる必要がありその研究がなされている。

【０００３】図６は、従来のこの種の塵粒子検出器の一
例（特開昭６２−２１５８４３公報に開示のあるもの）
を説明するための図である。同図の（Ａ）、（Ｂ）およ
び（Ｃ）は、それぞれその塵粒子検出器の平面図、側面
図および斜視図を示している。

【０００４】レーザ発振器１０から出たレーザビーム光
１２は、対向設置された二枚の平行平面鏡１４ａおよび
１４ｂの間で反射を繰り返し、両平面鏡１４ａおよび１
４ｂ間に単一の平面状のレーザビーム光ネット１２０を
形成している。レーザビーム光１２は、レーザビーム光
吸収器１６に入り、ここで最終的に吸収されて外部に洩
れないようになっている。

【０００５】塵粒子１８が矢印２０のようにこのレーザ
ビーム光ネット１２０に飛来してレーザビーム光１２を
横切るとき散乱光２２を生じる。この散乱光２２は集光
ミラー２４ａおよび２４ｂによって、散乱光検出器２６
ａおよび２６ｂに集められ、ここでレーザビーム光１２
を横切った塵粒子１８の数がカウントされる。

【０００６】レーザビーム光１２の反射の繰り返し回数
を増やすことによってレーザビーム光ネット１２０のビ
ーム光密度を密にし、ネットの隙間を少なくして、検出
されないまま通過する塵粒子１８の数を減らして塵粒子
数計測の感度を向上させることができる。

【０００７】図７は、従来の塵粒子検出器の他の例（特
開平３−１７６６４１号公報に開示のあるもの）を示す
図である。図７の（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ平面
図および側面図である。符号は図６に合わせてある。

【０００８】図７に示した構成例では、半導体レーザア
レイ等で構成されるレーザ光照射手段２８により、複数
のレーザビーム光を平行かつ緻密に照射してレーザビー
ム光シート３０を形成している。このレーザビーム光シ
ート３０を塵粒子１８が遮ると散乱光２２が発生する。
この散乱光２２を検出器２６を使って検出するようにし
ている。１６はレーザビーム光吸収器である。図６でレ
ーザビーム光を反射させるのに使用していた反射鏡１４
ａおよび１４ｂは必要としない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述の図６に示した構
成の従来の塵粒子検出器では、対向する反射鏡１４ａお
よび１４ｂの鏡面が飛来するダスト等によって次第に汚
染されるため、定期的にクリーニングしなければならな
い。また、反射鏡１４ａおよび１４ｂは機械的に精密に
平行平面に設置されなければならないが、製造、使用お
よびクリーニングのすべての過程で常時この精密さを保
つのには困難がある。また、レーザビーム光ネット１２
０のビーム光密度にも限界があるため、ネットの隙間を
素通りする塵粒子１８の数が多い。このため、高い測定
精度を得ることができない。

【００１０】一方、図７に示した構成の従来の塵粒子検
出器では、半導体レーザアレイ２８等からの光でレーザ
ビーム光シートを形成するため、反射鏡を必要とせず、
そのため構成が極めて単純になる。しかし、半導体レー
ザアレイ２８等を構成する多数のレーザ光源から発する
レーザビーム光を、平行、かつ、等間隔で、よく揃った
スポット状ビーム光に変換して実用に耐えるレーザビー
ム光シートを形成するためには、レーザ光源のそれぞれ
に微細で高精度の補正用光学的レンズを備える必要があ
る。

【００１１】しかし、多数のレーザ光源の各々に補正用
光学的レンズを装着して正確に平行なレーザビーム光を
形成するのは容易な作業ではない。またもし、その作業
に成功して、数十μｍ間隔で多数本の平行なレーザビー
ム光を形成することができたとしても、これではレーザ
ビーム光相互間の間隙はあまりに広い。測定の対象とな
る塵粒子１８の粒径は最大でも数μｍの大きさであるた
め、その広い間隙を検出されないまま素通りする塵粒子
がどうしても多くなる。

【００１２】さらに、複数のレーザビーム光を一斉に放
射する半導体レーザアレイは、多数の半導体レーザの発
生する熱によって動作が不安定になる可能性がある。こ
の発熱の問題を解決するためには、半導体レーザに投入
する電力を制限したり、或いはまたは、半導体レーザア
レイに冷却機構を付加したりしなければならない。そう
すると、塵粒子の検出感度が低下したり、あるいは塵粒
子検出器の構成部品数が増えて構造が複雑化してコスト
上昇を招いたりする欠点がある。

【００１３】また、散乱光の強度を利用して塵粒子の概
略の粒子径、即ち概略の大きさを測定しようとすると
き、図７でレーザ発振器から出射される光ビーム光の断
面内の光強度分布はおよそガウス関数の二乗で表される
分布をしているのが普通であり、図６では光強度の分布
は更に複雑な様相を呈するが、これが塵粒子の粒子径の
測定誤差を大きくする。つまり、レーザビーム光の断面
内の光強度分布を考えた場合、一般にビーム光の中心部
は強い光強度であるが、周辺部に向かって光強度は次第
に弱くなる。従来の塵粒子検出器のレーザビーム光径は
１ｍｍ程度であるが、対象となる塵粒子の直径は数ミク
ロン程度である。ビーム光断面内の光強度に強弱の分布
があると、同じ大きさの塵粒子がビーム光を横切っても
散乱光の強度は、横切る位置によって異なるため、塵粒
子の大きさの概略値も知ることができない。

【００１４】この発明の目的は、微妙な調整作業等を必
要とせず、安価で、しかも優れたメンテナンス性と高い
測定精度を備え、塵粒子の数だけでなく、塵粒子の概略
の大きさ、又は、必要に応じてその両者を、小さい誤差
で検出することのできる塵粒子検出器を提供することに
ある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上述の目的達成のため
に、この発明の塵粒子検出器は、単一のレーザ発振器
と、このレーザ発振器から出射されたレーザ光から幅が
広く厚さが薄い平行レーザビーム光を作る装置と、該平
行レーザビーム光を導入して被測定空間に隙間の無いシ
ート状レーザビーム光を形成する装置と、該シート状レ
ーザビーム光を塵粒子が横切る際に発生する散乱光を検
出する散乱光検出装置と、該シート状レーザビーム光を
最終的に吸収して外部にもらさないレーザビーム光吸収
器とを備えて構成される。

【００１６】前記の平行レーザビーム光を作る装置を、
レーザ発振器から発するレーザ光を平行ビーム光に変換
する光学レンズ系と、該平行ビーム光の断面形状の幅を
広く厚さを薄く変形するプリズム光学系とを以て構成す
るのが好適である。

【００１７】前記散乱光検出装置には、検出した散乱光
の強度の変化を利用して、該シート状レーザビーム光を
横切る塵粒子の個数を計測する構成を具える。若しく
は、検出した散乱光の強度を利用して、該シート状レー
ザビーム光を横切る塵粒子の概略の大きさを計測する構
成を具えるのが好適である。又は、その両構成を具えて
いてもよい。

【００１８】特に、前記の平行レーザビーム光の断面を
長楕円形状にすると、塵粒子数及び塵粒子の概略の大き
さの計測に好適となる。このときは、散乱光検出装置は
光の進行方向に延長された一対の散乱光検出端（以下、
フォトセンサ）を具え、該一対のフォトセンサは該シー
ト状レーザビーム光を間に挟み、その全体の断面形状
が、Ｈ字形状をなす構成とすることによって、計測に好
結果を得ることが出来る。

【００１９】

【作用】上述の、被測定空間に形成されたシート状レー
ザビーム光には隙間がない。そのため、散乱光の強度が
検出限界以上でありさえすれば、横切る塵粒子は全てそ
の数をリアルタイムで計測することができ、また、横切
る塵粒子の概略の大きさをリアルタイムで計測すること
ができる。

【００２０】特に、シート状レーザビーム光はその断面
が長楕円形状のときには、その長軸方向の断面内光強度
分布がガウス関数の二乗に比例しているため、ビーム光
の中心部から離れた部分を横切る塵粒子で発生する散乱
光の強さは、ビーム光の中心部を横切る塵粒子で発生す
る散乱光の強さよりもかなり弱くなる性質を持つ。散乱
光検出装置が光の進行方向に延長された一対のフォトセ
ンサを具え、該一対のフォトセンサが該シート状レーザ
ビーム光を間に挟んで、その全体の断面形状がＨ字形状
をなす構成の場合には、塵粒子の大きさの計測の誤差を
小くすることができる。ビーム光の中心から離れた位置
を横切る塵粒子はフォトセンサに近く、その分、光強度
の検出値が大きくなり、従って、それぞれの効果が互い
に打ち消される、などがその理由である。

【００２１】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の塵粒子検出
器の実施例につき説明する。図１は、この発明の塵粒子
検出器の実施例の構成を説明するための図である。

【００２２】半導体レーザ発振器４０から出射されたレ
ーザ光は、平行レーザビーム光を作る装置、例えば、光
学レンズ系としてコリメータレンズ４２によって、幅が
広く厚さが薄い平行ビーム光、ここでは、断面が楕円形
のコリメート光線である平行ビーム光４４ａに変換され
る。図２の（Ａ）にこの平行ビーム光４４ａの断面形状
の一例を示した。短軸の長さＬ１＝０．５ｍｍ、長軸の
長さＬ２＝１．２ｍｍである。図２の（Ｃ）にその長軸
方向の光強度分布の様子を示した。短軸方向の光強度と
同様形状の光強度分布を示す。この発明は、上述の楕円
形断面及び光強度分布を必須条件とするものではない
が、その場合に後述のように、様々なメリットが得られ
る。

【００２３】図１に示す構造では、上述の断面の楕円の
短軸が紙面に対し垂直になるように置かれた平行ビーム
光４４ａを、シート状レーザビーム光を形成する装置、
例えば、プリズム４６ａおよび４６ｂのプリズム系に入
射させる。このとき、プリズム４６ａの入射面に対して
斜めに入射させ、プリズム４６ａの出射面からは、この
面に対してはほぼ垂直に出射させて、長軸を拡大した長
楕円断面形状の平行ビーム光４４ｂを得ている。このと
きの長軸の拡大率は、プリズム４６ａの入射面に対する
ビーム光４４ａの入射角によって変る。平行ビーム光４
４ｂは先と同じ要領でもう一度プリズム４６ｂを通され
て長軸が更に拡大され、一層の長楕円断面形状の平行ビ
ーム光４４ｃとなる。この平行ビーム光４４ｃは、被測
定空間において隙間の無いシート状レーザビーム光５２
となる。今仮に、一つのプリズムによる拡大率を２．４
５倍とすると、２個のプリズムでは約６倍の拡大が得ら
れる。したがってこの場合は、図２の（Ａ）の断面の平
行ビーム光４４ａから、図２の（Ｂ）に示すような、長
軸がＬ３＝７．２ｍｍ（＝１．２ｍｍ×６）、短軸がＬ
１＝０．５ｍｍ（不変）の長楕円断面形状の平行ビーム
光４４ｃが得られる。図２の（Ｄ）にその長軸方向の光
強度分布の様子を示した。

【００２４】尚、これと同じ長楕円断面形状の平行ビー
ム光は、別の方法例えば図４に示す構造を用いても得ら
れる。即ち、図４において、半導体レーザ発振器４０か
ら出射されたレーザ光は、レンズ４３によって、一般
に、断面が円形に近い楕円形の平行ビーム光４５ａに変
換される。図４では、その断面の楕円の長軸を紙面に対
し垂直に置かれた平行ビーム光４５ａを、プリズム４７
ａの入射面に対して垂直に入射させ、プリズム４６ａの
出射面に対しては斜めに出射させて、長軸の縮小された
長楕円断面形状の平行ビーム光４５ｂを得ている。この
ときの長軸の縮小率は、プリズム４７ａの出射面に対す
るビーム光４５ａの出射角によって変る。平行ビーム光
４５ｂはもう一度プリズム４７ｂに垂直に投入され、斜
めに出射されて、先と同様にして長軸が更に拡大された
長楕円断面形状の平行ビーム光４５ｃとなる。これは先
の長楕円断面形状の平行ビーム光４４ｃと変わらず、以
下の記述に同様に使用できる。

【００２５】説明を図１に戻して、平行ビーム光４４ｃ
は、その長楕円断面形状が丁度通り抜ける程度の、図２
の（Ｂ）に示すような矩形状スリット４８を通して、塵
粒子の被測定空間５１に入射し、この空間５１に平行で
隙間の無いシート状レーザビーム光５２を作る。矩形状
スリット４８を通すのは、平行ビーム光４４ｃの周囲に
不正規に発生している、ぼんやりした散乱光乃至漏洩光
を除去するためである。

【００２６】塵粒子がこのシート状のレーザビーム光５
２を横切るとき反射散乱光を生ずる。そしてその散乱光
はレーザビーム光５２を挟んで設けられた、散乱光検出
装置の検出端であるフォトセンサ５０ａおよび５０ｂで
検出される。フォトセンサ５０ａおよび５０ｂで検出さ
れた信号は、散乱光検出装置本体５０に送られて、ここ
で塵粒子の数、又は、塵粒子の数及び塵粒子の概略の大
きさが計測される。シートには隙間がないのでこの空間
を横切る塵粒子に対しては検出漏れの心配は無い。

【００２７】シート状レーザビーム光５２は、レーザビ
ーム光吸収器５４に最終的に吸収されて、漏洩光がフォ
トセンサに捕捉されるようなことがないようになってい
る。この塵粒子検出器は上述の通り簡単な光学系及び検
出系で構成されているため、安価に製作出来る上に、性
能維持の保守性に優れる。尚、図４の、スリット４８及
びその右方に描かれている各部材は、部材の符号を含め
て図１のそれらと同じにしてある。ただ、図１の（それ
らの）平面図が図２（のその場所）に描かれているに過
ぎない。

【００２８】さて、塵粒子がこのシート状レーザビーム
光５２を横切る（図１の紙面に垂直な方向、従って、長
楕円断面をその短軸方向で横切る）際に発生する散乱光
の強度は、塵粒子がシート状レーザビーム光５２に入る
ときと、出るときとで弱く、中心部分で最も強い。その
光強度は、図２の（Ｃ）と同様な曲線を描いてフォトセ
ンサ５０ａおよび５０ｂで検出されるが、その検出値を
受けた散乱光検出装置本体５０の内部では、塵粒子の１
個がこの曲線の山の頂上位置でカウントされるよう電気
的処理が行なわれる。尚、塵粒子の１個のカウント方法
にはこの他にも様々な方法がある。例えば、平行ビーム
光４４ｃの断面が長楕円形状でない一般の場合の塵粒子
の１個のカウントは、検出光強度の階段的変化、又は変
化の急峻さを監視し捕捉する電気的処理で行なわれる。

【００２９】塵粒子の概略の大きさの測定は、横切って
いる塵粒子が１個だけと判定されている場合には、散乱
光の強度で行なうことが可能であり、また、塵粒子が複
数個同時に横切りつつあると判定されている場合には、
上述の光強度の階段的変化、又は急峻な変化の、変化分
の大きさを捕捉することで可能となるが、一般にその測
定誤差は大きい。

【００３０】しかし、平行ビーム光４４ｃの断面が長楕
円形状であるときには、フォトセンサの個数、形状及び
設置位置を適当にすることで、即ち例えば図１の実施例
のフォトセンサ５０ａおよび５０ｂのようにすること
で、比較的容易に誤差の小さい測定結果を得ることがで
きる。以下にその理由を述べる。

【００３１】断面が長楕円形状のときには、散乱光の発
生の強さは塵粒子がシート状レーザビーム光を長軸の中
心部分で横切るか、中心を離れて端の方で横切るかによ
って変化する。これは前述のように、シート状レーザビ
ーム光の光及び強度分布が一般にガウス関数の二乗に比
例する分布をしているためである。しかし、検出光強度
は、塵粒子の通過位置のほかに、フォトセンサ５０ａ、
５０ｂとの距離、およびフォトセンサの形状にも依存す
るため、上述の図１の実施例のような構成を採用すれ
ば、測定誤差をかなりの程度打ち消すことができる。以
下それについて詳しく説明する。

【００３２】先ず、シート状レーザビーム光の断面方向
について考察すると、図３の（Ａ）のように、長軸の長
さ２Ｌの長楕円断面形状のシート状レーザビーム光５２
の中心１００から、長軸上、距離ｘだけ離れた点Ｐにお
けるレーザ光の強さＩ₁は、ガウス分布の二乗に比例し
た分布であるため、Ｉ₁＝Ｋ・exp（−２ｘ²／σ²）で
表される。ここでＫは比例定数、σはビーム光の分布の
広がりを示すパラメータであって、σが大きいほどレー
ザビーム光は広がることを示す。点Ｐで塵粒子がレーザ
ビーム光を散乱したとし、それが図のように、シート状
レーザビーム光とＨの字を描いて立てられた高さ（幅）
２Ｈの２つのフォトセンサ５０ａ、５０ｂに検出される
とするときの光強度Ｉは、Ｉ＝Ｉ₁・２（θ₁＋θ₂）
／３６０゜となる。但し散乱光は全方向に均等に散乱さ
れると仮定している。また、検出光強度はこの断面の平
面におけるものだけを考えている。

【００３３】ここで、実際の寸法として、Ｌ＝３．６ｍ
ｍ、Ｈ＝１．２ｍｍ（浜松ホトニクス社製のＳｉフォト
ダイオードＳ２５５１（商品番号））を考え、ビーム光
の分布の広がりを示すパラメータは、σ＝０．６ｍｍ〜
４．２ｍｍのものを、逐次値を変更して計算してみる
（即ち、図３の（Ａ）の楕円断面を逐次長軸にしてみ
る）。こうして得られた検出光強度の計算値を図３の
（Ｂ）に示す。但し、この図の横軸にはｘｍｍ、縦軸に
は検出光強度をとっている。パラメータはσである。σ
＝４．２ｍｍの曲線（ビーム光径、即ちビームの光強度
がピーク値の半分になる範囲、が約５ｍｍのレーザビー
ム光に相当する）では、ｘの値が変化しても、検出光強
度が大きくは変わらないという結果が得られている。

【００３４】次に、シート状レーザビーム光の進行方向
について考察する。図５のように、長さＷ０＝２９ｍｍ
の長いフォトセンサ（Ｈ＝１．２ｍｍで、先と同じ浜松
ホトニクス社のＳｉフォトダイオードＳ２５５１であ
る）５０ａ、５０ｂを使用し、長軸の長さ２Ｌ＝７．２
ｍｍの長楕円断面形状のシート状レーザビーム光５２の
中心から、長軸上、距離ｘだけ離れ、フォトセンサの端
からはＷ１だけ離れた各断面の点Ｐを通過する塵粒子に
よる散乱光を検出するものとし、Ｗ１をＷ１＝０からＷ
１＝Ｗ０にまで逐次変えて、検出光強度の測定値を計算
してみると、その計算値は、Ｗがどの値をとる場合であ
っても図３の（Ｂ）σ＝４．２ｍｍの曲線からは大きく
変化しないことがわかった。

【００３５】これで、上述のような例えばＨ＝１．２ｍ
ｍ、Ｗ０＝２９ｍｍのような光の進行方向に長い寸法、
Ｈ字型配置のフォトセンサを使用すれば、塵粒子がビー
ム光のどの位置を横切った場合でも、塵粒子の大きさを
小さい誤差で検出できることがわかる。

【００３６】

【発明の効果】この発明によれば、微妙な調整作業等を
必要とせず、安価で、しかも優れたメンテナンス性と高
い測定精度を備え、塵粒子の数、大きさ、又は、その両
者を小さい誤差で検出することのできる塵粒子検出器を
提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例の塵粒子検出器の構成を示す
説明図である。

【図２】（Ａ）と（Ｂ）はこの発明の塵検出器における
平行レーザビーム光の断面形状の図である。（Ｃ）と
（Ｄ）は、そのそれぞれの光強度分布の図である。

【図３】（Ａ）は塵粒子がシート状レーザビーム光を横
切る位置を示す断面図である。（Ｂ）は塵粒子が横切る
位置と検出光強度の関係を示すグラフである。

【図４】この発明の別の実施例の塵粒子検出器の構成を
示す説明図である。

【図５】塵粒子がシート状レーザビーム光を横切る位置
を示す光の進行方向の平面図である。

【図６】従来の塵粒子検出器の、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は側面図および（Ｃ）は斜視図である。

【図７】従来の塵粒子検出器の、（Ａ）は平面図および
（Ｂ）は側面図である。

【符号の説明】

４０：レーザ発振器４２：コリメータレンズ
４３：レンズ４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４５ａ、４５ｂ、４５ｃ：平
行ビーム光４６ａ、４６ｂ、４７ａ、４７ｂ：プリズム４８：スリット５２：シート状レーザビー
ム光５０：散乱光検出装置本体５０ａ、５０ｂ：フォトセ
ンサ５４：レーザビーム光吸収器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】単一のレーザ発振器と、該レーザ発振器
から出射されたレーザ光から幅が広く厚さが薄い平行レ
ーザビーム光を作る装置と、該平行レーザビーム光を導
入して被測定空間に隙間の無いシート状レーザビーム光
を形成する装置と、該シート状レーザビーム光を塵粒子
が横切る際に発生する散乱光を検出する散乱光検出装置
と、該シート状レーザビーム光を最終的に吸収して外部
にもらさないレーザビーム光吸収器とを備えたことを特
徴とする塵粒子検出器。
【請求項２】前記平行レーザビーム光を作る装置が、
レーザ発振器から発するレーザ光を平行ビーム光に変換
する光学レンズ系と、該平行ビーム光の断面形状の幅を
広く厚さを薄く変形するプリズム光学系とを備えること
を特徴とする請求項１に記載の塵粒子検出器。
【請求項３】前記散乱光検出装置は、検出した散乱光
の強度の変化を利用して、該シート状レーザビーム光を
横切る塵粒子の個数を計測することを特徴とする請求項
１、又は２に記載の塵粒子検出器。
【請求項４】前記散乱光検出装置は、検出した散乱光
の強度を利用して、該シート状レーザビーム光を横切る
塵粒子の概略の大きさを計測することを特徴とする請求
項１、２、又は３に記載の塵粒子検出器。
【請求項５】前記平行レーザビーム光の断面が長楕円
形状であることを特徴とする請求項１、２、３又は４に
記載の塵粒子検出器。
【請求項６】前記散乱光検出装置は、光の進行方向に
延長設置された一対の散乱光検出端を具え、該一対の散
乱光検出端が該シート状レーザビーム光を間に挟んで、
その全体の断面形状がＨ字形状をなすことを特徴とする
請求項５に記載の塵粒子検出器。