[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH05327218A - Manufacture of multilayer ceramic base - Google Patents

Manufacture of multilayer ceramic base

Info

Publication number
JPH05327218A
JPH05327218A JP13067292A JP13067292A JPH05327218A JP H05327218 A JPH05327218 A JP H05327218A JP 13067292 A JP13067292 A JP 13067292A JP 13067292 A JP13067292 A JP 13067292A JP H05327218 A JPH05327218 A JP H05327218A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
ceramic
temperature
crystallization
laminated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13067292A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Miura
和裕 三浦
Seiichi Nakatani
誠一 中谷
Sei Yuhaku
祐伯  聖
Yasuhiko Hakotani
靖彦 箱谷
Yoshifumi Nakamura
嘉文 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP13067292A priority Critical patent/JPH05327218A/en
Publication of JPH05327218A publication Critical patent/JPH05327218A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a multilayer base of which a glass-ceramic base shrinks only in the direction of thickness and not in the direction of plane at the time of baking. CONSTITUTION:A green sheet 1 is made of a glass-ceramic low-temperature sintered base material made to contain an organic binder and a plasticizer, electrode patterns 3 are formed of a conductor paste composition and a plurality of the sheets are laminated. Thereafter, lamination is made so that the green sheet laminate is held on the opposite sides by green sheets 2 of glass which are not crystallized at the baking temperature of a glass-ceramic base, but start to be crystallized at the crystallization completion temperature of glass- ceramic or above and are sintered. As for a baking process, binder removal for removing an organic substance is executed, then a temperature is raised to and kept at the temperature of crystallization of a glass-ceramic composition of an inner layer, and after the crystallization of this glass-ceramic composition of the inner layer is completed, the temperature is further raised to and kept at the temperature of the crystallization of the glass laminated on the opposite sides. After the crystallization is completed, crystallized substances on the opposite sides are removed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体LSI、チップ部
品などを搭載し、それらを相互配線するための多層セラ
ミック基板の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multi-layer ceramic substrate for mounting semiconductor LSIs, chip parts, etc. and interconnecting them.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体LSI、チップ部品等は小
型、軽量化が進んでおり、これらを実装する配線基板も
小型、軽量化が望まれている。このような要求に対し
て、セラミック多層基板は、要求される高密度配線が得
られ、なお薄膜化が可能な事より、今日のエレクトロニ
クス業界において重要視されている。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor LSIs, chip parts and the like have been made smaller and lighter, and wiring boards for mounting them have also been desired to be smaller and lighter. In order to meet such demands, the ceramic multilayer substrate has obtained the required high-density wiring, and since it can be thinned, it is regarded as important in today's electronics industry.

【0003】このセラミック多層基板に使用される電極
材料としての導体組成物は、一般に導電性金属、無機酸
化物、ガラス粉末が有機媒体中に分散されているペース
ト状組成物である。近年、低温焼結ガラス・セラミック
多層基板の開発によって、使用できる導体材料は、金、
銀、銅、パラジウムまたはそれらの混合物が用いられる
ようになった。これらの金属は従来使用されたタングス
テン、モリブデンなどに比べ導体抵抗が低く、且つ使用
できる設備も安全で低コストに製造できる。
The conductor composition as an electrode material used in this ceramic multilayer substrate is generally a paste composition in which a conductive metal, an inorganic oxide and glass powder are dispersed in an organic medium. In recent years, with the development of low-temperature sintered glass / ceramic multilayer substrates, usable conductor materials are gold,
Silver, copper, palladium or mixtures thereof have come into use. These metals have lower conductor resistance than conventionally used tungsten, molybdenum, etc., and the equipment that can be used is safe and can be manufactured at low cost.

【0004】一方これらの金属の内、貴金属である金、
銀、パラジウムは高価でかつ価格変動が大きいことか
ら、安価で価格変動の少ない卑金属系が使用されてきて
いる。この中でも銅が比抵抗が小さく半田濡れ性も優れ
ているため、銅の電極材料の使用が望まれている。
On the other hand, of these metals, the precious metal gold,
Since silver and palladium are expensive and have large price fluctuations, base metals based on cheap prices and low price fluctuations have been used. Among them, since copper has a low specific resistance and an excellent solder wettability, use of a copper electrode material is desired.

【0005】ここではそれらの低温焼結多層基板に銅を
使用する代表的な製造方法の一例を述べる。一つには多
層基板の内層電極に銀を用い、低温焼結基板のグリーン
シートを所望の枚数積層し、空気中で焼成し、その後最
上層に銀、銅を印刷、焼成して得られるものである(例
えば特開平3-78798号公報参照)。これはインピーダン
スの小さい銀、銅を使用するものである。しかし、最上
層に用いる銅は銀との共晶温度が低いため600℃程度
の低温焼成銅ペーストを用いなければならない。その結
果、接着強度、半田濡れの点で課題が多い。二つめの方
法として、内層および最上層に銅電極を用いる方法があ
る。導体抵抗、半田濡れ性、コストの点で最も良いが、
すべて窒素などの中性雰囲気で焼成しなければ成らずそ
の作製が困難である。一般に銅電極を使用するには、基
板上にCuペーストをスクリーン印刷にて配線パターン
を形成し、乾燥後、Cuの融点以下の温度(850〜9
50℃程度)で、かつCuが酸化されず導体ペースト中
の有機成分が十分燃焼するように酸素分圧を制御した窒
素雰囲気中で焼成を行なうものである。多層する場合
は、同様の条件で絶縁層を印刷焼成して得られる。しか
し、焼成工程における雰囲気を適度な酸素分圧下にコン
トロールすることは困難であり、また多層化する場合、
各ペーストを印刷後その都度焼成を繰り返し行なう必要
があり、リードタイムが長くなり設備などのコストアッ
プにつながるなどの課題を有している(特願昭55-12889
9)。そこで特開平3-20914号公報において、セラミック
多層基板の作製にあたり、酸化第二銅ペーストを用い、
脱バインダ工程、還元工程、焼成工程の3段階とする方
法がすでに開示されている。それは酸化第二銅を導体の
出発原料とし多層体を作製し、脱バインダ工程は、炭素
に対して充分な酸素雰囲気でかつ内部の有機バインダを
熱分解させるに充分な温度で熱処理を行なう。次に酸化
第二銅を銅に還元する還元工程、基板の焼結を行なう焼
成工程により成立しているものである。これにより、焼
成時の雰囲気制御が容易になり緻密な焼結体が得られる
ようになった。
Here, an example of a typical manufacturing method using copper for these low temperature sintered multilayer substrates will be described. One is obtained by using silver for the inner layer electrodes of a multilayer substrate, stacking a desired number of green sheets of low-temperature sintered substrates, firing in air, and then printing and firing silver and copper on the top layer. (See, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 3-78798). This uses silver and copper, which have low impedance. However, since the copper used for the uppermost layer has a low eutectic temperature with silver, a low temperature fired copper paste of about 600 ° C. must be used. As a result, there are many problems in terms of adhesive strength and solder wetting. The second method is to use copper electrodes for the inner layer and the uppermost layer. Best in terms of conductor resistance, solder wettability, and cost,
All of them have to be fired in a neutral atmosphere such as nitrogen and are difficult to manufacture. Generally, to use a copper electrode, a wiring pattern is formed by screen-printing a Cu paste on a substrate, and after drying, a temperature (850 to 9) below the melting point of Cu is used.
Firing is performed at about 50 ° C.) in a nitrogen atmosphere in which the oxygen partial pressure is controlled so that Cu is not oxidized and the organic components in the conductor paste are sufficiently burned. In the case of multiple layers, the insulating layer is obtained by printing and firing under the same conditions. However, it is difficult to control the atmosphere in the firing step under an appropriate oxygen partial pressure, and in the case of forming multiple layers,
It is necessary to repeat firing each time after printing each paste, which leads to a long lead time and an increase in equipment costs (Japanese Patent Application No. 55-12889).
9). Therefore, in Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 3-20914, cupric oxide paste is used in manufacturing a ceramic multilayer substrate,
A method having three steps of a binder removal step, a reduction step, and a firing step has already been disclosed. It uses cupric oxide as a starting material of a conductor to form a multilayer body, and in the binder removal step, heat treatment is performed in a sufficient oxygen atmosphere for carbon and at a temperature sufficient to thermally decompose the organic binder inside. Next, the reduction step of reducing cupric oxide to copper and the firing step of sintering the substrate are established. As a result, the control of the atmosphere during firing becomes easy and a dense sintered body can be obtained.

【0006】一方、セラミック多層基板は焼成時に焼結
に伴う収縮が生じる。この焼結に伴う収縮は、使用する
基板材料、グリーンシート組成、粉体ロットなどにより
異なる。これにより多層基板の作製においていくつかの
問題が生じている。まず第1に、多層セラミック基板の
作製において前述のごとく内層配線の焼成を行なってか
ら最上層配線の形成を行なうため、基板材料の収縮誤差
が大きいと、最上層配線パターンと寸法誤差のため内層
電極との接続が行えない。その結果、収縮誤差を予め許
容するように最上層電極部に必要以上の大きい面積のラ
ンドを形成しなければならず、高密度の配線を必要とす
る回路には使用できない。そのため収縮誤差にあわせて
最上層配線のためのスクリーン版をいくつか用意してお
き、基板の収縮率に応じて使用する方法が取られること
もある。この方法ではスクリーン版が数多く用意しなけ
ればならず不経済である。
On the other hand, the ceramic multi-layer substrate shrinks due to sintering during firing. The shrinkage due to the sintering varies depending on the substrate material used, the green sheet composition, the powder lot, and the like. This has caused some problems in the fabrication of multilayer substrates. First, in manufacturing a multilayer ceramic substrate, the inner layer wiring is fired as described above and then the uppermost layer wiring is formed. Therefore, when the shrinkage error of the substrate material is large, the inner layer wiring pattern and the dimensional error cause the inner layer wiring to have a large dimensional error. Cannot connect to the electrode. As a result, a land having an unnecessarily large area has to be formed in the uppermost electrode portion so as to allow a shrinkage error in advance, and it cannot be used in a circuit that requires high-density wiring. Therefore, some screen plates may be prepared for the uppermost layer wiring according to the shrinkage error and used according to the shrinkage rate of the substrate. This method is uneconomical because many screen versions must be prepared.

【0007】また最上層配線を内層焼成と同時に行なえ
ば大きなランドを必要としないが、この同時焼成法によ
っても基板そのものの収縮誤差はそのまま存在するの
で、最後の部品搭載時のクリーム半田印刷において、そ
の誤差のため必要な部分に印刷できない場合が起こる。
また部品実装においても所定の部品位置とズレが生じ
る。
Also, if the uppermost layer wiring is carried out at the same time as the inner layer firing, a large land is not required, but since the shrinkage error of the substrate itself still exists even by this simultaneous firing method, in the cream solder printing at the time of the last component mounting, There may be a case where the necessary portion cannot be printed due to the error.
Also, when mounting components, a predetermined component position and displacement occur.

【0008】第2にグリーンシート積層法による多層基
板は、グリーンシートの造膜方向によって幅方向と長手
方向によってもその収縮率が異なる。このこともセラミ
ック多層基板の作製の障害となっている。
Secondly, the shrinkage rate of the multi-layered substrate formed by the green sheet laminating method varies depending on the film-forming direction of the green sheet depending on the width direction and the longitudinal direction. This is also an obstacle to the production of the ceramic multilayer substrate.

【0009】これらの収縮誤差をなるべく少なくするた
めには、製造工程において、基板材料およびグリーンシ
ート組成の管理はもちろん、粉体ロットの違いや積層条
件(プレス圧力、温度)を十分管理する必要がある。し
かし、一般に収縮率の誤差は±0.5%程度存在すると
言われている。
In order to reduce these shrinkage errors as much as possible, it is necessary to control not only the substrate material and the green sheet composition but also the difference in powder lot and the lamination conditions (pressing pressure, temperature) in the manufacturing process. is there. However, it is generally said that the error of the shrinkage ratio is about ± 0.5%.

【0010】このことは多層基板にかかわらずセラミッ
ク、およびガラス・セラミックの焼結を伴うものに共通
の課題である。そこで特願昭3-257553において、低温焼
結ガラス・セラミックよりなるグリーンシートに電極パ
ターンを形成したものを所望枚数積層し、この積層体の
両面、もしくは片面に前記ガラス・セラミック低温焼結
基板材料の焼成温度では焼結しない無機組成物よりなる
グリーンシートで挟み込む様に積層し、前記積層体を焼
成し、しかる後に焼結しない無機組成物を取り除くとい
う発明がなされた。これにより基板材料の焼結が厚み方
向だけ起こり、平面方向の収縮がゼロの基板が作製でき
上記の様な課題が解決できる。
This is a common problem with ceramics and glass-ceramics sintering, regardless of the multilayer substrate. Therefore, in Japanese Patent Application No. 3-257553, a desired number of green sheets made of low temperature sintered glass / ceramic with electrode patterns are laminated, and the glass / ceramic low temperature sintered substrate material is laminated on both sides or one side of the laminated body. The invention has been made in which green sheets made of an inorganic composition that does not sinter at the firing temperature are laminated so as to be sandwiched, the laminate is fired, and then the inorganic composition that does not sinter is removed. As a result, the substrate material is sintered only in the thickness direction, and a substrate having no shrinkage in the plane direction can be manufactured, and the above problems can be solved.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
事から平面方向の収縮が起こらない基板が作成されてい
るが、ここには幾つかの課題がある。それは、未収縮基
板を得るために低温焼結ガラスセラミック積層体の両面
もしくは片面に積層した前記ガラス・セラミック低温焼
結基板材料の焼成温度では焼結しない無機組成物の除去
の点にある。この未焼結の無機組成物の除去は超音波洗
浄で行っているが、これは、多層基板を湿式を通す事に
なり、多層基板が膨潤するなどの影響も考えられ、工程
的にも通常の工程よりも1段階増える事となる。また、
導体がセラミック基板表面に現れているビアの部分で
は、焼成時にビア中の導体と表面の無機組成物が反応し
てしまい、ビア部の上の未焼結無機組成物の除去が、超
音波洗浄や研磨などの方法を行っても充分に取り除くこ
とができず長い時間を要するため、もっと短時間で除去
できる方法が必要となる。
However, although a substrate which does not shrink in the planar direction has been produced from the above, there are some problems. The point is to remove the inorganic composition that does not sinter at the firing temperature of the glass-ceramic low-temperature sintered substrate material laminated on both sides or one side of the low-temperature sintered glass-ceramic laminate to obtain an unshrinkable substrate. This unsintered inorganic composition is removed by ultrasonic cleaning, but this is because the multi-layered substrate is passed through a wet process, and the effects such as swelling of the multi-layered substrate are also considered. It will be one step more than the process of. Also,
In the part of the via where the conductor appears on the ceramic substrate surface, the conductor in the via reacts with the inorganic composition on the surface during firing, and the unsintered inorganic composition on the via part is removed by ultrasonic cleaning. Even if a method such as polishing or polishing is performed, it cannot be removed sufficiently and it takes a long time. Therefore, a method that can be removed in a shorter time is required.

【0012】本発明は、このような従来の製造方法の課
題を考慮し、多層基板が膨潤することなく、工程数も少
なく、未焼結無機組成物の除去を短時間で行える多層セ
ラミック基板の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
In consideration of the above problems of the conventional manufacturing method, the present invention provides a multilayer ceramic substrate in which the multilayer substrate does not swell, the number of steps is small, and the unsintered inorganic composition can be removed in a short time. It is intended to provide a manufacturing method.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス・セラ
ミック低温焼結基板材料に少なくとも有機バインダ、可
塑剤を含むグリーンシートを作製し、導体ペースト組成
物で電極パターンを形成し、前記生シートと別の電極パ
ターン形成済みグリーンシートとを複数枚数積層する。
しかる後、前記低温焼結ガラス・セラミックよりなるグ
リーンシート積層体の両面に、前記ガラス・セラミック
基板焼成温度では結晶化が起こらず、ガラス・セラミッ
ク結晶化終了温度以上で結晶化が始まり焼結するガラ
ス、もしくはガラスとセラミックよりなるグリーンシー
トで挟み込むように積層する。そして前記積層体の焼成
処理として、有機物を除去する脱バインダを行った後、
前記内層のガラス・セラミック組成物の結晶化温度まで
昇温、保持し、この内層ガラスセラミック組成物の結晶
化が終了した後、さらに両面に積層した前記ガラス、も
しくはガラスとセラミック混合物の結晶化温度まで昇
温、保持を行う。そして結晶化が終了した後に両面の結
晶化物を取り除く。
According to the present invention, a green sheet containing at least an organic binder and a plasticizer is prepared on a glass / ceramic low temperature sintered substrate material, an electrode pattern is formed with a conductor paste composition, and the green sheet is prepared. And a plurality of different electrode pattern formed green sheets are laminated.
After that, crystallization does not occur on both surfaces of the green sheet laminated body composed of the low-temperature sintered glass / ceramic at the glass / ceramic substrate firing temperature, and crystallization begins and sinters at the glass / ceramic crystallization end temperature or higher. It is laminated so as to be sandwiched between glass or a green sheet made of glass and ceramic. Then, as a firing treatment of the laminate, after removing the binder to remove organic matter,
After the crystallization temperature of the glass-ceramic composition of the inner layer is raised and maintained, and after the crystallization of the glass-ceramic composition of the inner layer is completed, the crystallization temperature of the glass or the glass and ceramic mixture further laminated on both surfaces. The temperature is raised to and maintained. After the crystallization is completed, the crystallized substances on both sides are removed.

【0014】[0014]

【作用】ガラス・セラミック低温焼結基板材料に少なく
とも有機バインダ、可塑剤を含むグリーンシートを作製
し、導体ペースト組成物で電極パターンを形成し、前記
生シートと別の電極パターン形成済みグリーンシートと
を複数枚数積層して多層化し、前記低温焼結ガラス・セ
ラミックよりなるグリーンシート積層体の両面に前記ガ
ラス・セラミック低温焼結基板材料の結晶化温度では結
晶化の挙動を起こさず、前記ガラス・セラミック結晶化
温度終了後に結晶化が始まり焼結を起こす、ガラス、も
しくはガラスとセラミック混合物よりなるグリーンシー
トを積層する。この事により、前記積層体を焼成して
も、厚み方向以外は収縮が起こらない。これは、ガラス
・セラミック積層体が収縮を起こすガラスの軟化点から
焼結までの間、両面に積層した焼結挙動を起こさない材
料で挟み込まれているため、焼結による平面方向の収縮
が阻止されると考えられる。そしてガラス・セラミック
積層体が焼結を完了した後に、両面に積層した材料が焼
結を起こし、平面方向の収縮を起こす。このために、必
要とするガラス・セラミック積層体からの取り外しが容
易に行われる。このように最終的に、平面方向の収縮が
起こらないガラス・セラミック基板が得られる。
[Function] A green sheet containing at least an organic binder and a plasticizer is prepared on a glass / ceramic low-temperature sintered substrate material, an electrode pattern is formed by a conductor paste composition, and a green sheet on which an electrode pattern has been formed is formed separately from the green sheet. A plurality of sheets are laminated to form a multilayer, and the green sheet laminated body made of the low temperature sintered glass / ceramic does not cause crystallization behavior at the crystallization temperature of the glass / ceramic low temperature sintered substrate material, A green sheet made of glass or a mixture of glass and ceramic is laminated, which starts crystallization after the completion of the ceramic crystallization temperature and causes sintering. As a result, even if the laminate is fired, no shrinkage occurs except in the thickness direction. This is because the glass-ceramic laminate is sandwiched between the softening point of the glass, which causes shrinkage, and the sintering, and is sandwiched by materials that do not cause the sintering behavior on both sides. It is thought to be done. Then, after the glass / ceramic laminate is completely sintered, the materials laminated on both sides are sintered and contract in the plane direction. Because of this, the required removal from the glass-ceramic laminate is easy. Thus, a glass-ceramic substrate that does not shrink in the planar direction is finally obtained.

【0015】前記ガラス・セラミック積層体の焼成は8
00℃〜1100℃の範囲で行なわれる。銅電極、銀電
極を使用する場合は950℃で行なう。
The firing of the glass-ceramic laminate is 8
It is carried out in the range of 00 ° C to 1100 ° C. When a copper electrode or a silver electrode is used, it is performed at 950 ° C.

【0016】またガラス・セラミック低温焼結基板材料
の焼成温度では焼結しないガラスと無機組成物混合物の
グリーンシートの無機成分には、Al23,MgO,Z
rO2,TiO2,BeO,BN,の内少なくとも1種以
上を含むグリーンシートからなる。
The inorganic components of the green sheet of the glass / inorganic composition mixture which does not sinter at the firing temperature of the glass / ceramic low temperature sintering substrate material include Al 2 O 3 , MgO, Z.
The green sheet contains at least one of rO 2 , TiO 2 , BeO, and BN.

【0017】前記ガラス・セラミック積層体の焼成時に
前記ガラス・セラミック積層体を加圧して焼成を行なう
と、厚み方向の焼結性が更に促進され緻密な焼結体が得
られる。
When the glass-ceramic laminate is pressed and fired when firing the glass-ceramic laminate, sinterability in the thickness direction is further promoted and a dense sintered body is obtained.

【0018】両面に積層したガラス、もしくはガラス・
セラミック混合物は、結晶化が終了しているので、取り
除きが容易でり、作業時間も短縮できる。
Glass laminated on both sides, or glass
Since the ceramic mixture has been crystallized, it can be easily removed and the working time can be shortened.

【0019】以上の方法によって焼成時の収縮が平面方
向で起こらないガラス・セラミック基板を作製する事が
出来、両面の積層体の取り除き作業も容易となる。
By the above method, it is possible to manufacture a glass-ceramic substrate in which shrinkage during firing does not occur in the plane direction, and the work of removing the laminated body on both sides becomes easy.

【0020】[0020]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の一実施例における多層セラ
ミック基板の断面を示す図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a cross section of a multilayer ceramic substrate according to an embodiment of the present invention.

【0021】(実施例1)まず多層セラミック基板作製
方法を説明する。
(Example 1) First, a method for producing a multilayer ceramic substrate will be described.

【0022】基板材料のガラス・セラミックにはホウ珪
酸鉛ガラス粉末にセラミック材料としてのアルミナ粉末
を重量比で50対50とした組成物(日本電気硝子社製
MLS−27 軟化点870℃)を用いた。このガラス
・セラミック粉を無機成分とし、有機バインダとしてポ
リビニルブチラール、可塑剤としてヂ−n−ブチルフタ
レート、溶剤としてトルエンとイソプロピルアルコール
の混合液(30対70重量比)を混合しスラリーとし
た。
For the glass / ceramic of the substrate material, a composition (MLS-27 softening point 870 ° C. by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) in which the weight ratio of lead borosilicate glass powder to alumina powder as the ceramic material is 50:50 is used. I was there. This glass / ceramic powder was used as an inorganic component, polyvinyl butyral as an organic binder, di-n-butyl phthalate as a plasticizer, and a mixed solution of toluene and isopropyl alcohol (30:70 weight ratio) as a solvent to form a slurry.

【0023】このスラリーをドクターブレード法で有機
フィルム上にシート成形した。この時、造膜から乾燥、
打ち抜き、さらには必要に応じてバイアホール加工を行
う各工程を連続的に行うシステムを使用した。このグリ
ーンシートに銀ペーストを用いて導体パターンの形成お
よびビアホール埋め印刷をスクリーン印刷法によって行
った。導体ペーストは、Ag粉末(平均粒径1μm)に
接着強度を得るためのガラスフリット(日本電気硝子社
製 GA−8ガラス粉末、平均粒径2.5μm)を4w
t%加えたものを無機成分とし、有機バインダであるエ
チルセルロースをターピネオールに溶かしたビヒクルと
ともに加えて、3段ロールにより適度な粘度になるよう
に混合したものを用いた。なおビア埋め用のAgペース
トは更に無機成分として前記ガラス・セラミック粉末を
15重量%加えたものを使用して行なった。
This slurry was formed into a sheet on an organic film by the doctor blade method. At this time, drying from film formation,
A system was used in which each step of punching and, if necessary, via hole processing was continuously performed. A conductive pattern was formed on the green sheet using silver paste and via hole filling printing was performed by a screen printing method. As the conductor paste, a glass frit (GA-8 glass powder manufactured by Nippon Electric Glass Co., average particle size 2.5 μm) for obtaining adhesive strength to Ag powder (average particle size 1 μm) was used in an amount of 4 w.
What added t% was made into the inorganic component, and ethyl cellulose which is an organic binder was added together with the vehicle which melt | dissolved in terpineol, and it mixed so that it might become suitable viscosity with the 3-step roll. The via-filling Ag paste was prepared by further adding 15% by weight of the glass-ceramic powder as an inorganic component.

【0024】次に、ガラス・セラミック基板焼成温度で
は結晶化が起こらず、ガラス・セラミック結晶化温度終
了後に結晶化が始まり焼結するガラスと無機組成物の混
合物よりなるグリーンシートの作製は無機成分としてア
ルミナ(住友化学工業社製AL−41 平均粒径1.9
μm)粉末にガラスフリット(日本電気硝子社製ホウ珪
酸アルミガラス 軟化点930℃ GA−33ガラス粉
末、平均粒径2.5μm)を、5wt%を加えたものを
使用し、前記ガラス・セラミック基板用グリーンシート
と同様のグリーンシート組成で、同様の方法でグリーン
シートを作製した。前記基板用グリーンシートの厚みは
約200μm、アルミナグリーンシートは約250μm
である。
Next, crystallization does not occur at the glass / ceramic substrate firing temperature, but crystallization begins after the glass / ceramic crystallization temperature starts and sinters. A green sheet made of a mixture of glass and an inorganic composition is prepared using an inorganic component. As alumina (AL-41 made by Sumitomo Chemical Co., Ltd. average particle size 1.9
Glass frit (aluminum borosilicate glass manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., softening point: 930 ° C. GA-33 glass powder, average particle size: 2.5 μm) added to powder in an amount of 5 wt% is used. A green sheet was prepared by the same method with the same green sheet composition as the green sheet for use. The thickness of the substrate green sheet is about 200 μm, and the thickness of the alumina green sheet is about 250 μm.
Is.

【0025】前記基板用グリーンシートに印刷を行なっ
たものを所定の枚数積み重ね、さらにその両面に前記ガ
ラス・セラミック基板焼成温度では結晶化が起こらず、
ガラス・セラミック結晶化温度終了後に結晶化が始まり
焼結するガラスと無機組成物の混合物よりなるグリーン
シートを重ね合わせる。この状態で熱圧着して積層体を
形成した。熱圧着条件は、温度が80℃、圧力は200
Kg/cm2であった。図1にその構成を示す。前記基
板材料によるグリーンシート層1が複数層設けられ、そ
の両面に、ガラス・セラミック基板焼成温度では結晶化
が起こらず、ガラス・セラミック結晶化温度終了後に結
晶化が始まり焼結するガラスと無機組成物の混合物より
なるグリーンシート層2が形成され、内層電極層3が内
部に設けられている。
A predetermined number of printed green sheets for the substrate are stacked, and crystallization does not occur on both surfaces of the glass / ceramic substrate at the firing temperature.
A green sheet made of a mixture of glass and an inorganic composition, which begins to crystallize after the glass / ceramic crystallization temperature is completed and is sintered, is superposed. In this state, thermocompression bonding was performed to form a laminate. The thermocompression bonding conditions are a temperature of 80 ° C. and a pressure of 200.
It was Kg / cm 2 . The structure is shown in FIG. A plurality of green sheet layers 1 made of the substrate material are provided, and on both surfaces thereof, crystallization does not occur at the glass / ceramic substrate calcination temperature, and crystallization starts after the glass / ceramic crystallization temperature ends and the inorganic composition A green sheet layer 2 made of a mixture of substances is formed, and an inner electrode layer 3 is provided inside.

【0026】次に前記積層体をアルミナ96%基板上に
乗せ焼成する。条件はベルト炉によって空気中、500
℃で脱バインダ終了後、950℃で1時間焼成で行なっ
た(この時、焼成は880℃を約10分保持し、950
℃を約12分保持して、2段階の焼結を行っている)。
このとき基板の反りと厚み方向の焼結収縮を助けるため
アルミナ焼結基板を乗せて加圧するようにして焼成を行
なった。
Next, the laminate is placed on a 96% alumina substrate and baked. The conditions are 500 in air by a belt furnace.
After the binder removal was completed at ℃, baking was performed at 950 ° C for 1 hour (at this time, baking was performed at 880 ° C for about 10 minutes.
C. is held for about 12 minutes to perform two-stage sintering).
At this time, in order to assist the warp of the substrate and the sintering shrinkage in the thickness direction, the alumina sintered substrate was placed and pressed so as to be fired.

【0027】焼成後のセラミック積層体の両面にはセラ
ミック基板収縮を抑えた後の焼結体が存在するが、これ
は容易に取り外すことができた。
There was a sintered body after suppressing the shrinkage of the ceramic substrate on both sides of the fired ceramic laminate, which could be easily removed.

【0028】この焼成後の基板の収縮率を測定すると、
収縮率が0.1%以下であった。この結果、平面方向の
収縮が起こらない多層基板が作製できた。さらにこの多
層基板に銀・パラジウムペーストによって最上層パター
ンをスクリーン印刷し、乾燥の後焼成を前記と同様の方
法で行なった。内層基板の収縮が極めて小さい為、最上
層パターンの印刷ズレがなかった。
When the shrinkage ratio of the substrate after firing is measured,
The shrinkage ratio was 0.1% or less. As a result, it was possible to manufacture a multi-layer substrate that does not shrink in the planar direction. Further, the uppermost layer pattern was screen-printed on this multilayer substrate with a silver / palladium paste, and drying and baking were performed in the same manner as described above. Since the shrinkage of the inner layer substrate was extremely small, there was no print displacement of the uppermost layer pattern.

【0029】(実施例2)基板材料のガラス・セラミッ
クグリーンシートは実施例1と同様の組成の物を用い
た。このグリーンシートにCuOペーストを用いて導体パ
ターンの形成およびビアホール埋め印刷をスクリーン印
刷法によって行った。導体ペーストは、CuO粉末(平均
粒径3μm)に接着強度を得るためのガラスフリット
(日本電気硝子社製 LS−0803ガラス粉末、平均
粒径2.5μm)を3wt%加えたものを無機成分と
し、有機バインダであるエチルセルロースをターピネオ
ールに溶かしたビヒクルとともに加えて、3段ロールに
より適度な粘度になるように混合したものを用いた。な
おビア埋め用のCuOペーストは更に無機成分として前記
ガラス・セラミック粉末を15重量%加えたものを使用
して行なった。
(Example 2) As the glass / ceramic green sheet of the substrate material, the same composition as in Example 1 was used. A conductor pattern was formed on the green sheet by using CuO paste and via hole filling printing was performed by a screen printing method. The conductor paste was an inorganic component obtained by adding 3 wt% of glass frit (LS-0803 glass powder manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., average particle size 2.5 μm) for obtaining adhesive strength to CuO powder (average particle size 3 μm). An organic binder, ethyl cellulose, was added together with a vehicle dissolved in terpineol, and the mixture was mixed by a three-stage roll so as to have an appropriate viscosity. The CuO paste for filling vias was prepared by further adding 15% by weight of the above glass-ceramic powder as an inorganic component.

【0030】次に焼結の起こらないグリーンシートの作
製は無機成分として酸化チタン(関東化学社製 平均粒
径1.5μm)粉末にガラスフリット(コーニングジャ
パン社製ホウ珪酸アルミガラス 軟化点928℃ #1
733 平均粒径2.5μm)を加えたものを使用し、
前記ガラス・セラミック基板用グリーンシートと同様の
グリーンシート組成で、同様の方法でグリーンシートを
作製した。前記基板用グリーンシートの厚みは約200
μm、アルミナグリーンシートは約200μmである。
Next, a green sheet that does not sinter is produced by using titanium oxide (Kanto Kagaku Co., Ltd., average particle size: 1.5 μm) powder, and glass frit (Corning Japan borosilicate aluminum glass softening point: 928 ° C.) as an inorganic component. 1
733 with an average particle size of 2.5 μm) added,
A green sheet having the same green sheet composition as the glass / ceramic substrate green sheet was prepared in the same manner. The thickness of the substrate green sheet is about 200.
μm, and the alumina green sheet is about 200 μm.

【0031】前記基板用グリーンシートに印刷を行なっ
たものを所定の枚数積み重ね、さらにその両面に前記ア
ルミナグリーンシートを重ね合わせる。この状態で熱圧
着して積層体を形成した。熱圧着条件は、温度が80
℃、圧力は200Kg/cm2であった。
A predetermined number of the printed green sheets for the substrate are stacked, and the alumina green sheets are stacked on both sides of the stacked green sheets. In this state, thermocompression bonding was performed to form a laminate. The temperature for thermocompression bonding is 80
The temperature was 200 ° C. and the pressure was 200 kg / cm 2 .

【0032】次に、焼成の工程を説明する。この工程は
積層体を加圧せずに行ったものである。まず最初は、脱
バインダ工程である。本実施例に使用したグリーンシー
ト、CuOペーストの有機バインダは、PVB及びエチ
ルセルロースである。したがって空気中での分解温度
は、500℃以上あれば良いので、600℃の温度で行
なった。その後前記積層体を水素ガス100%雰囲気中
で250℃ー5時間で還元した。この時のCu層をX線
回折により分析したところ100%Cuであることを確
認した。
Next, the firing process will be described. This step was performed without pressing the laminate. The first is a binder removal step. The organic binders of the green sheet and CuO paste used in this example are PVB and ethyl cellulose. Therefore, the decomposition temperature in air should be 500 ° C. or higher, so 600 ° C. was used. Then, the laminated body was reduced in an atmosphere of 100% hydrogen gas at 250 ° C. for 5 hours. When the Cu layer at this time was analyzed by X-ray diffraction, it was confirmed to be 100% Cu.

【0033】次に焼成工程は、純窒素中950℃である
メッシュベルト炉で焼成した。(この時、焼成は880
℃を約10分保持し、950℃を約12分保持して2段
階の焼結を行っている。)以上の様にして作製した積層
体の両面にはセラミック基板収縮を抑えた後の焼結体が
存在するが、これも実施例1と同じく容易に取り外すこ
とができた。セラミック積層体の収縮率を評価したとこ
ろを0.05%以下の収縮であった。
Next, in the firing step, firing was carried out in pure nitrogen in a mesh belt furnace at 950 ° C. (At this time, firing is 880
C. is held for about 10 minutes and 950.degree. C. is held for about 12 minutes to perform two-stage sintering. ) There is a sintered body after suppressing shrinkage of the ceramic substrate on both surfaces of the laminated body produced as described above, but this could also be easily removed as in Example 1. When the shrinkage rate of the ceramic laminate was evaluated, the shrinkage was 0.05% or less.

【0034】本実施例においても最上層に銅ペーストを
用いて印刷、焼成を行なったところ、良好な低温焼結多
層基板が得られた。
Also in this example, when the uppermost layer was printed and baked using copper paste, a good low temperature sintered multilayer substrate was obtained.

【0035】なお本実施例において、セラミック基板の
焼成時の収縮を抑えるグリーンシートの無機成分として
Al23およびTiO2を用いたが、その他MgO,Z
rO2,BeO,BNを用いても同様の効果が得られ、
ガラス材料にGA−33、#1733を用いているが、
これも必要とするガラス・セラミック基板の結晶化温度
では結晶化を起こさず、後に結晶化を起こすものであれ
ば同様の効果を得られる。またセラミック基板焼成時の
収縮を抑えるグリーンシート層が両面に形成されている
ために、積層体に加重をかけなくとも同様の効果が得ら
れる。
In this example, Al 2 O 3 and TiO 2 were used as the inorganic components of the green sheet for suppressing the shrinkage during firing of the ceramic substrate.
The same effect can be obtained by using rO 2 , BeO and BN,
GA-33 and # 1733 are used for the glass material,
The same effect can be obtained as long as it does not crystallize at the required crystallization temperature of the glass-ceramic substrate, but crystallizes later. Further, since the green sheet layers that suppress shrinkage during firing of the ceramic substrate are formed on both sides, the same effect can be obtained without applying a weight to the laminated body.

【0036】また、最上層パターンの形成を基板焼成後
に行なったが、最上層ペーストをグリーンシート上に印
刷し同時焼成しても、収縮を抑えるためのガラス、もし
くはガラスとセラミック混合物が焼結を起こしているた
めに、容易に取り外しが可能であり、良好な未収縮状態
のセラミック多層基板が得られることは云うまでもな
い。
Although the formation of the uppermost layer pattern was performed after firing the substrate, even if the uppermost layer paste is printed on the green sheet and simultaneously fired, the glass or the glass-ceramic mixture for suppressing shrinkage is sintered. It is needless to say that the ceramic multilayer substrate which can be easily removed and is in a good non-shrink state can be obtained because it is raised.

【0037】以上のように本発明は、多層セラミック基
板の作製工程において、内層するガラス・セラミック積
層体の結晶化する温度では焼結の起こらないガラス、も
しくはガラスとセラミックからなるグリーンシート層を
両面に設け基板焼成を行なうと、焼結による収縮が平面
方向で全く起こらない多層基板が得られる。また前記の
両面に設けたグリーンシート層は、内層ガラス・セラミ
ック積層体の結晶化終了後に、結晶化が始まり焼結を行
うので焼成終了後に両面の焼結物が容易に取り除く事が
できる。
As described above, according to the present invention, in the process of manufacturing a multilayer ceramic substrate, both surfaces of the glass or the green sheet layer made of glass and ceramic which does not sinter at the temperature for crystallizing the inner layer glass-ceramic laminate are crystallized. When the substrate is fired, a multilayer substrate is obtained in which shrinkage due to sintering does not occur in the planar direction at all. Further, the green sheet layers provided on both sides start crystallization after the crystallization of the inner glass / ceramic laminate and start sintering, so that the sintered products on both sides can be easily removed after the firing is completed.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、ガラス・セラミック基板が焼成時において厚
み方向だけ収縮し、平面方向には収縮しない多層基板が
得られ、この多層基板の平面方向の収縮を抑える為に使
用した、両面に積層したガラス、もしくはガラスとセラ
ミックからなる混合物は、焼結が終わり収縮しているた
めに容易に取り外しが可能であり、最終的に良好な状態
の多層基板を得る事ができる。
As is clear from the above description,
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention provides a multilayer substrate in which a glass-ceramic substrate shrinks only in the thickness direction during firing and does not shrink in the planar direction. The glass laminated on both sides is used for suppressing the shrinkage in the planar direction of the multilayer substrate. Alternatively, the mixture of glass and ceramic can be easily removed because it has shrunk after sintering and is contracted, and finally a multilayer substrate in a good state can be obtained.

【0039】これにより多層基板に使用する基板材料、
グリーンシート組成、粉体ロットなどに依存せず常に同
一寸法の基板が得られる。
As a result, the substrate material used for the multilayer substrate,
Substrates of the same size can always be obtained regardless of the green sheet composition and powder lot.

【0040】また、同様に多層セラミック基板の作製に
おいて前述のごとく内層配線の焼成を行なってから最上
層配線の形成を行なっても、最上層配線パターンと内層
の接続が完全に行える。その結果、接続用のランド面積
が小さくでき、高密度な多層配線基板が得られる。
Similarly, in the production of the multilayer ceramic substrate, even if the inner layer wiring is fired and then the uppermost layer wiring is formed as described above, the uppermost layer wiring pattern and the inner layer can be completely connected. As a result, the land area for connection can be reduced, and a high-density multilayer wiring board can be obtained.

【0041】また、スクリーン版が少なくて済み、基板
設計において収縮率を逆算し内層パターンを拡大する必
要がないので経済的である。
Further, it is economical because the number of screen plates is small and it is not necessary to back-calculate the shrinkage factor and expand the inner layer pattern in the substrate design.

【0042】また、焼成終了後に除去の必要のある両面
の積層物も容易に取り外しが可能となり、作業時間を短
縮でき、作業が簡略化できる。
Further, the laminates on both sides, which need to be removed after the completion of firing, can be easily removed, the working time can be shortened, and the work can be simplified.

【0043】以上のように、本発明は、グリーンシート
積層法の最大の課題となる、収縮誤差の課題を解決し、
その作業工程を容易なものとする有効な発明である。
As described above, the present invention solves the problem of shrinkage error, which is the greatest problem of the green sheet laminating method,
This is an effective invention that facilitates the work process.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例におけるグリーンシート積層
体の断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a green sheet laminate according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス・セラミックグリーンシート層 2 ガラス・セラミック基板の焼成時の収縮を抑えるグ
リーンシート層 3 内部電極層
1 glass / ceramic green sheet layer 2 green sheet layer that suppresses shrinkage during firing of glass / ceramic substrate 3 internal electrode layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 箱谷 靖彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中村 嘉文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yasuhiko Hakotani 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Yoshifumi Nakamura, Kabushi 1006 Kadoma, Osaka Prefecture

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】導体ペースト組成物で電極パターンを形成
した少なくとも有機バインダ、可塑剤を含むガラス・セ
ラミックよりなるグリーンシートを複数枚数積層したグ
リーンシート積層体の両面に、前記ガラス・セラミック
の結晶化温度では結晶化が起こらず、前記ガラス・セラ
ミックの結晶化終了温度以上で結晶化が始まり焼結する
ガラス、もしくはガラスとセラミック混合物よりなるグ
リーンシートを積層した後、焼成処理を行い、前記両面
に積層したグリーンシートの焼結を終了させた後にこの
ガラス・セラミック焼結体を取り除くことを特徴とする
多層セラミック基板の製造方法。
1. Crystallization of the glass-ceramic on both surfaces of a green-sheet laminate in which a plurality of green sheets made of glass-ceramic containing at least an organic binder and a plasticizer having an electrode pattern formed of a conductor paste composition are laminated. Crystallization does not occur at a temperature, but after the glass or the glass that begins to crystallize and sinters at the crystallization end temperature of the glass / ceramic or a green sheet made of a glass and ceramic mixture is laminated, a baking treatment is performed to A method of manufacturing a multilayer ceramic substrate, characterized in that the glass-ceramic sintered body is removed after the sintering of the laminated green sheets is completed.
【請求項2】焼成処理は、脱バインダを行った後、前記
内層のガラス・セラミック組成物の結晶化温度で保持
し、さらに両面に積層した前記ガラス、もしくはガラス
とセラミック混合物の結晶化温度まで昇温して行う事を
特徴とする請求項1記載の多層セラミック基板の製造方
法。
2. The firing treatment is carried out by removing the binder, holding at the crystallization temperature of the glass-ceramic composition of the inner layer, and further up to the crystallization temperature of the glass or the glass and ceramic mixture laminated on both sides. The method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to claim 1, wherein the temperature is raised.
【請求項3】導体ペーストがAg,Ag/Pd,Ag/
Pt,Cuのいずれかを主成分とすることを特徴とする
請求項1記載の多層セラミック基板の製造方法。
3. The conductor paste is Ag, Ag / Pd, Ag /
2. The method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to claim 1, wherein one of Pt and Cu is a main component.
【請求項4】酸化第2銅を主成分とする導体ペースト組
成物で電極パターンを形成した少なくとも有機バイン
ダ、可塑剤を含むガラス・セラミックよりなるグリーン
シートを複数枚数積層し、このグリーンシート積層体の
両面に、前記ガラス・セラミックの結晶化温度では結晶
化が起こらず、前記ガラス・セラミックの結晶化終了温
度以上で結晶化が始まり焼結するガラス、もしくはガラ
スとセラミック混合物よりなるグリーンシートを積層し
た後、これらを空気中で多層体内部の有機バインダが分
解・飛散する温度で熱処理し、しかる後、水素もしくは
水素と窒素の混合ガス雰囲気中で還元熱処理を行い、さ
らに、前記還元熱処理済み多層体を窒素雰囲気中で焼結
させ、しかる後、前記両面に積層したグリーンシートの
焼結を終了させた後にこの焼結体を取り除くことを特徴
とする多層セラミック基板の製造方法。
4. A green sheet laminate comprising a plurality of green sheets made of glass-ceramic containing at least an organic binder and a plasticizer having an electrode pattern formed of a conductor paste composition containing cupric oxide as a main component. Laminated on both sides of the glass, glass that does not crystallize at the crystallization temperature of the glass / ceramic and that begins to crystallize at a temperature above the crystallization end temperature of the glass / ceramic and sinters, or a glass and ceramic mixture. After that, these are heat-treated in air at a temperature at which the organic binder inside the multilayer decomposes and scatters, and then undergoes reduction heat treatment in an atmosphere of hydrogen or a mixed gas of hydrogen and nitrogen. After sintering the body in a nitrogen atmosphere, and after finishing the sintering of the green sheets laminated on both sides Method for manufacturing a multilayer ceramic substrate characterized in that to remove the sintered body.
【請求項5】焼成処理は、前記内層のガラス・セラミッ
ク組成物の結晶化温度で保持し、さらに両面に積層した
前記ガラス、もしくはガラスとセラミック混合物の結晶
化温度まで昇温して行う事を特徴とする請求項4記載の
多層セラミック基板の製造方法。
5. The firing treatment is carried out by holding at the crystallization temperature of the glass-ceramic composition of the inner layer and further raising the temperature to the crystallization temperature of the glass or the glass and ceramic mixture laminated on both surfaces. The method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to claim 4, wherein the multilayer ceramic substrate is manufactured.
【請求項6】焼成による結晶化が850℃〜1100℃
の範囲で起こるガラス、もしくはガラスとセラミック混
合物によるグリーンシートを前記内層するガラス・セラ
ミック積層体の両面の積層に使用することを特徴とした
請求項1又は4に記載の多層セラミック基板の製造方
法。
6. Crystallization by firing is 850 ° C. to 1100 ° C.
The method for producing a multilayer ceramic substrate according to claim 1 or 4, wherein a green sheet made of glass or a glass / ceramic mixture occurring in the range of (4) is used for laminating both surfaces of the inner glass / ceramic laminate.
【請求項7】焼成温度を800℃〜1100℃の範囲で
行なうことを特徴とする請求項1又は4に記載の多層セ
ラミック基板の製造方法。
7. The method for producing a multilayer ceramic substrate according to claim 1, wherein the firing temperature is in the range of 800 ° C. to 1100 ° C.
【請求項8】前記両面に積層するガラス、もしくはガラ
スとセラミックの混合物に、ガラスとして、ホウ珪酸ア
ルミ結晶化ガラス、ホウ珪酸鉛結晶化ガラスのいずれ
か、もしくはセラミック材料としては、Al23,Mg
O,ZrO2,TiO2,BeO,BN,の内少なくとも
1種以上を含む事を特徴とする請求項1又は4に記載の
多層セラミック基板の製造方法。
8. A glass to be laminated on both sides, or a mixture of glass and ceramic, which is selected from the group consisting of aluminum borosilicate crystallized glass and lead borosilicate crystallized glass, or Al 2 O 3 as a ceramic material. , Mg
5. The method for producing a multilayer ceramic substrate according to claim 1, containing at least one of O, ZrO 2 , TiO 2 , BeO and BN.
【請求項9】焼成処理時に前記グリーンシート積層体を
加圧して焼成を行なうことを特徴とする請求項1又は4
に記載の多層セラミック基板の製造方法。
9. The firing process according to claim 1, wherein the green sheet laminate is fired by applying pressure during the firing treatment.
A method for manufacturing the multilayer ceramic substrate according to.
JP13067292A 1992-05-22 1992-05-22 Manufacture of multilayer ceramic base Pending JPH05327218A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13067292A JPH05327218A (en) 1992-05-22 1992-05-22 Manufacture of multilayer ceramic base

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13067292A JPH05327218A (en) 1992-05-22 1992-05-22 Manufacture of multilayer ceramic base

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05327218A true JPH05327218A (en) 1993-12-10

Family

ID=15039859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13067292A Pending JPH05327218A (en) 1992-05-22 1992-05-22 Manufacture of multilayer ceramic base

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05327218A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001307671A (en) * 2000-04-21 2001-11-02 Fujitsu Ltd Material for electrode, electrode for charged particle beam apparatus and manufacturing method therefor
JP2002016360A (en) * 2000-06-28 2002-01-18 Kyocera Corp Method of manufacturing glass ceramic substrate
JP2002050869A (en) * 2000-07-31 2002-02-15 Kyocera Corp Method of manufacturing multilayered wiring board
JP2002198646A (en) * 2000-12-26 2002-07-12 Kyocera Corp Method of manufacturing multilayer wiring board
JP2003008215A (en) * 2001-06-18 2003-01-10 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc Method of manufacturing ceramic multilayer board
US6811635B2 (en) 2000-09-07 2004-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic substrate, method for manufacturing the same, and electronic device
KR100462499B1 (en) * 2001-05-25 2004-12-17 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Multilayer ceramic substrate and method for manufacturing the same, non-sintered ceramic laminate and electronic device
JP2005183482A (en) * 2003-12-16 2005-07-07 Kyocera Corp Multilayer substrate and its production process
US7687137B2 (en) 2005-02-28 2010-03-30 Kyocera Corporation Insulating substrate and manufacturing method therefor, and multilayer wiring board and manufacturing method therefor
US20120267037A1 (en) * 2009-04-21 2012-10-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for producing multilayer ceramic substrate

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001307671A (en) * 2000-04-21 2001-11-02 Fujitsu Ltd Material for electrode, electrode for charged particle beam apparatus and manufacturing method therefor
JP4518634B2 (en) * 2000-06-28 2010-08-04 京セラ株式会社 Manufacturing method of glass ceramic substrate
JP2002016360A (en) * 2000-06-28 2002-01-18 Kyocera Corp Method of manufacturing glass ceramic substrate
JP2002050869A (en) * 2000-07-31 2002-02-15 Kyocera Corp Method of manufacturing multilayered wiring board
JP4535576B2 (en) * 2000-07-31 2010-09-01 京セラ株式会社 Manufacturing method of multilayer wiring board
US6811635B2 (en) 2000-09-07 2004-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic substrate, method for manufacturing the same, and electronic device
JP2002198646A (en) * 2000-12-26 2002-07-12 Kyocera Corp Method of manufacturing multilayer wiring board
JP4587562B2 (en) * 2000-12-26 2010-11-24 京セラ株式会社 Manufacturing method of multilayer wiring board
KR100462499B1 (en) * 2001-05-25 2004-12-17 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Multilayer ceramic substrate and method for manufacturing the same, non-sintered ceramic laminate and electronic device
JP2003008215A (en) * 2001-06-18 2003-01-10 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc Method of manufacturing ceramic multilayer board
JP4508625B2 (en) * 2003-12-16 2010-07-21 京セラ株式会社 Multilayer substrate and manufacturing method thereof
JP2005183482A (en) * 2003-12-16 2005-07-07 Kyocera Corp Multilayer substrate and its production process
US7687137B2 (en) 2005-02-28 2010-03-30 Kyocera Corporation Insulating substrate and manufacturing method therefor, and multilayer wiring board and manufacturing method therefor
US20120267037A1 (en) * 2009-04-21 2012-10-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for producing multilayer ceramic substrate
US8372227B2 (en) * 2009-04-21 2013-02-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for producing multilayer ceramic substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2785544B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
US5370759A (en) Method for producing multilayered ceramic substrate
KR0179404B1 (en) Ceramic substrate and manufacturing method thereof
JPH0728128B2 (en) Ceramic multilayer wiring board and manufacturing method thereof
JPH1075060A (en) Method for manufacturing multi-layer glass/ceramic substrate
JPH05327218A (en) Manufacture of multilayer ceramic base
JP3351043B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JP3003413B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JPH06237081A (en) Manufacture of multilayer ceramic substrate
JP3082475B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JP2803414B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JP2803421B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JPH0730253A (en) Method of manufacturing multilayer ceramic board
JP3100796B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JPH06223621A (en) Conductor paste composition
JP2812605B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JPH05327220A (en) Manufacture of multilayer ceramic base
JPH11330705A (en) Substrate containing capacitor and manufacture thereof
JP2855959B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JP3448747B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JPH0786739A (en) Manufacture of multilayer ceramic board
JP3188086B2 (en) Ceramic wiring board, its manufacturing method and its mounting structure
JPH05343851A (en) Manufacture of multilayer ceramic substrate
JP3197147B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JP3222296B2 (en) Conductive ink