JPH05304089A - 基板表面からのレジストの除去方法並びに装置 - Google Patents
基板表面からのレジストの除去方法並びに装置Info
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- JPH05304089A JPH05304089A JP13575292A JP13575292A JPH05304089A JP H05304089 A JPH05304089 A JP H05304089A JP 13575292 A JP13575292 A JP 13575292A JP 13575292 A JP13575292 A JP 13575292A JP H05304089 A JPH05304089 A JP H05304089A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の表面からリアクティブ・イオン・エッ
チング処理後などのレジスト膜を剥離する場合に、１つ
の処理工程でレジスト及びシリコンの酸化物を同時に基
板上から完全に除去できるようにする。 【構成】 レジスト膜が被着形成された基板10の表面に
無水硫酸16の蒸気とフッ酸20の蒸気を供給する。
チング処理後などのレジスト膜を剥離する場合に、１つ
の処理工程でレジスト及びシリコンの酸化物を同時に基
板上から完全に除去できるようにする。 【構成】 レジスト膜が被着形成された基板10の表面に
無水硫酸16の蒸気とフッ酸20の蒸気を供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイスや電
子デバイスの製造工程において、例えばポリシリコン膜
をリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）処理し
た後、或いは高濃度のイオン注入（インプランテーショ
ン）処理した後などに、基板の表面に被着形成されてい
るレジスト膜を剥離させ基板表面から除去する方法、並
びにその方法を実施するのに使用される装置に関する。
子デバイスの製造工程において、例えばポリシリコン膜
をリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）処理し
た後、或いは高濃度のイオン注入（インプランテーショ
ン）処理した後などに、基板の表面に被着形成されてい
るレジスト膜を剥離させ基板表面から除去する方法、並
びにその方法を実施するのに使用される装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスや電子デバイスの製造工
程において、例えば、表面に所要の回路パターンのマス
ク（レジスト膜）が被着形成されたポリシリコン膜をＲ
ＩＥ処理したり高濃度のイオン注入を行なった後に、基
板の表面からレジスト膜を剥離させ除去する場合、従来
は、酸素プラズマを利用してレジストを灰化して除去す
る方法（プラズマアッシング法）が広く用いられてい
る。しかしながら、プラズマによりレジストを灰化する
方法によった場合でも、基板表面からレジストの残渣な
どを完全に除去することはできなかった。
程において、例えば、表面に所要の回路パターンのマス
ク（レジスト膜）が被着形成されたポリシリコン膜をＲ
ＩＥ処理したり高濃度のイオン注入を行なった後に、基
板の表面からレジスト膜を剥離させ除去する場合、従来
は、酸素プラズマを利用してレジストを灰化して除去す
る方法（プラズマアッシング法）が広く用いられてい
る。しかしながら、プラズマによりレジストを灰化する
方法によった場合でも、基板表面からレジストの残渣な
どを完全に除去することはできなかった。
【０００３】図２の（ａ）は、シリコンウエハ１の表面
にシリコン熱酸化膜２を被着形成し、そのシリコン熱酸
化膜２の表面にポリシリコン膜３を被着形成し、さら
に、ポリシリコン膜３の表面に所要の回路パターンのレ
ジスト膜４を被着形成した状態を示している。この図２
（ａ）に示した状態の基板をドライエッチングした後、
プラズマアッシングによりレジスト膜４を剥離した状態
を図２の（ｂ）に示す。この図２（ｂ）に示すように、
プラズマアッシング後に、ポリシリコン膜３’のエッチ
ング除去部の側壁にシリコンの酸化物５が生成され残存
する。
にシリコン熱酸化膜２を被着形成し、そのシリコン熱酸
化膜２の表面にポリシリコン膜３を被着形成し、さら
に、ポリシリコン膜３の表面に所要の回路パターンのレ
ジスト膜４を被着形成した状態を示している。この図２
（ａ）に示した状態の基板をドライエッチングした後、
プラズマアッシングによりレジスト膜４を剥離した状態
を図２の（ｂ）に示す。この図２（ｂ）に示すように、
プラズマアッシング後に、ポリシリコン膜３’のエッチ
ング除去部の側壁にシリコンの酸化物５が生成され残存
する。
【０００４】そこで、基板上からシリコンの酸化物５を
除去し、その他のレジスト残渣も基板上から完全に除去
するために、レジスト灰化後に、希フッ化水素酸（希フ
ッ酸）やバッファードフッ酸、硝酸、硫酸、硫酸と過酸
化水素との混合液、アンモニアと過酸化水素との混合液
などを使用して、基板表面に対しウェット処理が施され
ていた。これにより、図２の（ｃ）に示すように、表面
からシリコンの酸化物等が完全に除去された基板を得る
ようにしていた。
除去し、その他のレジスト残渣も基板上から完全に除去
するために、レジスト灰化後に、希フッ化水素酸（希フ
ッ酸）やバッファードフッ酸、硝酸、硫酸、硫酸と過酸
化水素との混合液、アンモニアと過酸化水素との混合液
などを使用して、基板表面に対しウェット処理が施され
ていた。これにより、図２の（ｃ）に示すように、表面
からシリコンの酸化物等が完全に除去された基板を得る
ようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように、プラズマアッシングによりレジスト膜を剥離し
た後に、基板表面をウェット処理する方法では、レジス
ト除去のための処理工程が２段階となって効率が悪く、
また、２つの処理室を必要とし、それらの処理室間にお
ける基板搬送のための搬送装置を必要とするなど、装置
構成が複雑化し、設置スペースも多く必要とする、とい
った問題点がある。
ように、プラズマアッシングによりレジスト膜を剥離し
た後に、基板表面をウェット処理する方法では、レジス
ト除去のための処理工程が２段階となって効率が悪く、
また、２つの処理室を必要とし、それらの処理室間にお
ける基板搬送のための搬送装置を必要とするなど、装置
構成が複雑化し、設置スペースも多く必要とする、とい
った問題点がある。
【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、ポリシリコン膜のＲＩＥ処理後やイ
オン注入処理後などにおいて基板上からレジスト膜を剥
離させる場合に、１つの処理工程でレジスト及びシリコ
ンの酸化物を同時に基板上から完全に除去することがで
きる方法、並びに、その方法を実施するのに使用される
装置を提供することを技術的課題とする。
されたものであり、ポリシリコン膜のＲＩＥ処理後やイ
オン注入処理後などにおいて基板上からレジスト膜を剥
離させる場合に、１つの処理工程でレジスト及びシリコ
ンの酸化物を同時に基板上から完全に除去することがで
きる方法、並びに、その方法を実施するのに使用される
装置を提供することを技術的課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明では、レジスト
膜が被着形成された基板の表面に無水硫酸の蒸気とフッ
化水素を含む蒸気とを供給するようにした。
膜が被着形成された基板の表面に無水硫酸の蒸気とフッ
化水素を含む蒸気とを供給するようにした。
【０００８】この発明に係る方法では、無水硫酸の蒸気
とフッ化水素を含む蒸気中の水分とにより、ＲＩＥ等の
処理後のレジストが分解されてレジスト残渣を生じるこ
となく基板表面から除去されるとともに、フッ化水素を
含む蒸気中のＨＦ2 -により、レジスト膜剥離時に生成し
たシリコンの酸化物が分解除去される。従って、１つの
処理工程により、図２の（ａ）に示した状態の基板か
ら、図２の（ｃ）に示した状態の基板が得られることに
なる。尚、ポリシリコン膜等の表面に自然酸化膜が形成
されている場合には、フッ化水素を含む蒸気中のＨＦ2 -
によってその自然酸化膜も同時に除去される。また、無
水硫酸の酸化作用とＨＦ2 -の酸化物除去作用とにより、
金属汚染及びダメージが除去される。
とフッ化水素を含む蒸気中の水分とにより、ＲＩＥ等の
処理後のレジストが分解されてレジスト残渣を生じるこ
となく基板表面から除去されるとともに、フッ化水素を
含む蒸気中のＨＦ2 -により、レジスト膜剥離時に生成し
たシリコンの酸化物が分解除去される。従って、１つの
処理工程により、図２の（ａ）に示した状態の基板か
ら、図２の（ｃ）に示した状態の基板が得られることに
なる。尚、ポリシリコン膜等の表面に自然酸化膜が形成
されている場合には、フッ化水素を含む蒸気中のＨＦ2 -
によってその自然酸化膜も同時に除去される。また、無
水硫酸の酸化作用とＨＦ2 -の酸化物除去作用とにより、
金属汚染及びダメージが除去される。
【０００９】上記した方法において、基板表面に無水硫
酸の蒸気とフッ化水素を含む蒸気とを供給する前に、基
板表面に紫外線を照射するようにするとよい。このよう
にした場合は、紫外線照射により基板表面上のレジスト
の種々の化学結合が切断され、レジストの分解反応が促
進されるとともに、レジストが改質させられてその膜表
面が疎水性から親水性を呈するように変化し、無水硫酸
の蒸気やフッ化水素を含む蒸気がレジスト膜の表面に吸
着され易くなって、レジストの分解反応等が迅速に進
み、また、蒸気が基板表面の全体にわたって吸着され、
レジストの分解反応が基板の全面にわたって均一に進行
することになる。
酸の蒸気とフッ化水素を含む蒸気とを供給する前に、基
板表面に紫外線を照射するようにするとよい。このよう
にした場合は、紫外線照射により基板表面上のレジスト
の種々の化学結合が切断され、レジストの分解反応が促
進されるとともに、レジストが改質させられてその膜表
面が疎水性から親水性を呈するように変化し、無水硫酸
の蒸気やフッ化水素を含む蒸気がレジスト膜の表面に吸
着され易くなって、レジストの分解反応等が迅速に進
み、また、蒸気が基板表面の全体にわたって吸着され、
レジストの分解反応が基板の全面にわたって均一に進行
することになる。
【００１０】また、上記した方法において、レジスト膜
の剥離が終わった後に、基板表面に純水を供給して基板
表面を洗浄（リンス処理）し、基板表面を完全に清浄化
するようにするとよい。
の剥離が終わった後に、基板表面に純水を供給して基板
表面を洗浄（リンス処理）し、基板表面を完全に清浄化
するようにするとよい。
【００１１】上記方法を実施するための装置は、内部に
基板を収容保持する表面処理室に、無水硫酸の蒸気を基
板表面に供給する無水硫酸蒸気供給手段、及び、フッ化
水素を含む蒸気を基板表面に供給するフッ化水素蒸気供
給手段を付設することにより構成される。また、表面処
理室の内部に収容保持された基板の表面に紫外線を照射
する紫外線照射手段を配設したり、表面処理室に、基板
表面に純水を供給する純水供給手段を付設したりしても
よい。
基板を収容保持する表面処理室に、無水硫酸の蒸気を基
板表面に供給する無水硫酸蒸気供給手段、及び、フッ化
水素を含む蒸気を基板表面に供給するフッ化水素蒸気供
給手段を付設することにより構成される。また、表面処
理室の内部に収容保持された基板の表面に紫外線を照射
する紫外線照射手段を配設したり、表面処理室に、基板
表面に純水を供給する純水供給手段を付設したりしても
よい。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１３】図１は、この発明に係る方法を実施するの
に使用される装置の構成の１例を示す模式図である。こ
の装置は、気密に密閉可能であり、カセット12に収納さ
れた基板10を内部に収容保持する表面処理室14、液体無
水硫酸（液体三酸化硫黄：ＳＯ3）16を収容する密閉容
器18、フッ酸（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）20を収容する密閉容器22
などを備えている。
に使用される装置の構成の１例を示す模式図である。こ
の装置は、気密に密閉可能であり、カセット12に収納さ
れた基板10を内部に収容保持する表面処理室14、液体無
水硫酸（液体三酸化硫黄：ＳＯ3）16を収容する密閉容
器18、フッ酸（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）20を収容する密閉容器22
などを備えている。
【００１４】表面処理室14と無水硫酸16を収容した密閉
容器18及びフッ酸20を収容した密閉容器22とは、それぞ
れ蒸気供給管24、26を介して連通接続している。また、
無水硫酸16を収容した密閉容器18及びフッ酸20を収容し
た密閉容器22は、それぞれ窒素ガス導入管28、30を介し
て窒素ガス供給源に連通接続している。そして、窒素ガ
ス供給源から各窒素ガス導入管28、30を介して各密閉容
器18、22内へ窒素ガスをそれぞれ供給することにより、
密閉容器18、22の内部で無水硫酸の蒸気及びフッ酸蒸気
をそれぞれ発生させ、無水硫酸の蒸気及びフッ酸蒸気
を、窒素ガスをキャリアガスとして、各蒸気供給管24、
26を通し表面処理室14内へそれぞれ供給するようになっ
ている。また、表面処理室14と窒素ガス供給源とは、窒
素ガス供給管32を介して連通接続しており、窒素ガス供
給源から窒素ガス供給管32を通して表面処理室14内へ窒
素ガスが供給されるようになっている。
容器18及びフッ酸20を収容した密閉容器22とは、それぞ
れ蒸気供給管24、26を介して連通接続している。また、
無水硫酸16を収容した密閉容器18及びフッ酸20を収容し
た密閉容器22は、それぞれ窒素ガス導入管28、30を介し
て窒素ガス供給源に連通接続している。そして、窒素ガ
ス供給源から各窒素ガス導入管28、30を介して各密閉容
器18、22内へ窒素ガスをそれぞれ供給することにより、
密閉容器18、22の内部で無水硫酸の蒸気及びフッ酸蒸気
をそれぞれ発生させ、無水硫酸の蒸気及びフッ酸蒸気
を、窒素ガスをキャリアガスとして、各蒸気供給管24、
26を通し表面処理室14内へそれぞれ供給するようになっ
ている。また、表面処理室14と窒素ガス供給源とは、窒
素ガス供給管32を介して連通接続しており、窒素ガス供
給源から窒素ガス供給管32を通して表面処理室14内へ窒
素ガスが供給されるようになっている。
【００１５】表面処理室14の内部には、基板10の上方に
低圧水銀灯等の紫外線照射ランプ34が配設されており、
その紫外線照射ランプ34から基板10の表面に紫外線が照
射されるようになっている。また、表面処理室14の下部
には、排気管36及びドレン38が設けられている。さら
に、図示を省略しているが、表面処理室14内には、基板
10の表面に噴出口から純水を供給する純水供給管が配設
されている。
低圧水銀灯等の紫外線照射ランプ34が配設されており、
その紫外線照射ランプ34から基板10の表面に紫外線が照
射されるようになっている。また、表面処理室14の下部
には、排気管36及びドレン38が設けられている。さら
に、図示を省略しているが、表面処理室14内には、基板
10の表面に噴出口から純水を供給する純水供給管が配設
されている。
【００１６】上記した構成の装置を使用し、例えばＲＩ
Ｅ処理後の基板のレジスト膜剥離処理を行なうには、カ
セット12に収納した基板10を表面処理室14内へ搬入して
表面処理室14を密封した後、紫外線照射ランプ34から基
板10の表面に紫外線を照射する。この紫外線照射によ
り、基板表面に被着したＲＩＥレジストが分解され易く
なるとともに、レジスト膜の表面が改質して親水性を呈
するようになる。この状態で、紫外線照射ランプ34から
基板10の表面に紫外線を照射しながら、表面処理室14内
へ無水硫酸の蒸気とフッ酸蒸気とを供給する。無水硫酸
の蒸気とフッ酸蒸気とが基板10の表面に供給されると、
親水性を呈するようになったレジスト膜の表面にそれら
の蒸気が吸着され、無水硫酸とフッ酸中の水とにより、
分解され易くなっているレジストの分解が速やかにかつ
基板全面にわたって均一に進行する。また、同時に、フ
ッ酸中のＨＦ2 -により、レジスト膜の剥離に際して生成
したシリコンの酸化物が分解除去される。また、基板上
のポリシリコン膜等の表面にシリコン自然酸化膜が形成
されている場合には、ＨＦ2 -によりその自然酸化膜も同
時に除去されてポリシリコン膜表面が露出し、さらに、
無水硫酸の酸化作用とＨＦ2 -の酸化物除去作用とによ
り、金属汚染やダメージが除去される。
Ｅ処理後の基板のレジスト膜剥離処理を行なうには、カ
セット12に収納した基板10を表面処理室14内へ搬入して
表面処理室14を密封した後、紫外線照射ランプ34から基
板10の表面に紫外線を照射する。この紫外線照射によ
り、基板表面に被着したＲＩＥレジストが分解され易く
なるとともに、レジスト膜の表面が改質して親水性を呈
するようになる。この状態で、紫外線照射ランプ34から
基板10の表面に紫外線を照射しながら、表面処理室14内
へ無水硫酸の蒸気とフッ酸蒸気とを供給する。無水硫酸
の蒸気とフッ酸蒸気とが基板10の表面に供給されると、
親水性を呈するようになったレジスト膜の表面にそれら
の蒸気が吸着され、無水硫酸とフッ酸中の水とにより、
分解され易くなっているレジストの分解が速やかにかつ
基板全面にわたって均一に進行する。また、同時に、フ
ッ酸中のＨＦ2 -により、レジスト膜の剥離に際して生成
したシリコンの酸化物が分解除去される。また、基板上
のポリシリコン膜等の表面にシリコン自然酸化膜が形成
されている場合には、ＨＦ2 -によりその自然酸化膜も同
時に除去されてポリシリコン膜表面が露出し、さらに、
無水硫酸の酸化作用とＨＦ2 -の酸化物除去作用とによ
り、金属汚染やダメージが除去される。
【００１７】基板表面からのレジスト膜の剥離が終了
し、シリコンの酸化物の分解除去が終わると、表面処理
室14内への無水硫酸蒸気及びフッ酸蒸気の供給を停止さ
せた後に、純水供給管を通して純水を供給しその噴出口
から基板表面へ純水を吹き付け、基板表面に対し洗浄処
理（リンス処理）を施して基板表面を清浄にする。そし
て、最後に、基板表面を乾燥させることにより、レジス
トが完全に除去され、シリコンの酸化物の付着も見られ
ない基板表面が得られる。
し、シリコンの酸化物の分解除去が終わると、表面処理
室14内への無水硫酸蒸気及びフッ酸蒸気の供給を停止さ
せた後に、純水供給管を通して純水を供給しその噴出口
から基板表面へ純水を吹き付け、基板表面に対し洗浄処
理（リンス処理）を施して基板表面を清浄にする。そし
て、最後に、基板表面を乾燥させることにより、レジス
トが完全に除去され、シリコンの酸化物の付着も見られ
ない基板表面が得られる。
【００１８】尚、上記実施例では、無水硫酸の蒸気とフ
ッ酸蒸気とを個別に表面処理室内へ同時に供給するよう
にしているが、無水硫酸の蒸気とフッ酸蒸気とを合流さ
せた後にその混合蒸気を表面処理室内へ供給するように
してもよく、また、無水硫酸の蒸気又はフッ酸蒸気の何
れか一方を先に表面処理室内へ供給した後、他方の蒸気
を表面処理室内へ供給するようにしてもよい。さらに、
フッ酸蒸気の代わりに、密閉容器に収容されたフッ化水
素の液体から発生させた無水フッ化水素ガスを、別の供
給源から供給される水蒸気と混合して表面処理室内へ供
給するようにしてもよい。また、装置の型式は、枚葉処
理又はバッチ処理の何れであっても構わないし、さら
に、上記実施例では、カセットに基板を収納して表面処
理室内に収容保持するようにしているが、表面処理室内
に配設された回転保持テーブル等の保持手段に基板を載
置し保持するようにしてもよい。
ッ酸蒸気とを個別に表面処理室内へ同時に供給するよう
にしているが、無水硫酸の蒸気とフッ酸蒸気とを合流さ
せた後にその混合蒸気を表面処理室内へ供給するように
してもよく、また、無水硫酸の蒸気又はフッ酸蒸気の何
れか一方を先に表面処理室内へ供給した後、他方の蒸気
を表面処理室内へ供給するようにしてもよい。さらに、
フッ酸蒸気の代わりに、密閉容器に収容されたフッ化水
素の液体から発生させた無水フッ化水素ガスを、別の供
給源から供給される水蒸気と混合して表面処理室内へ供
給するようにしてもよい。また、装置の型式は、枚葉処
理又はバッチ処理の何れであっても構わないし、さら
に、上記実施例では、カセットに基板を収納して表面処
理室内に収容保持するようにしているが、表面処理室内
に配設された回転保持テーブル等の保持手段に基板を載
置し保持するようにしてもよい。
【００１９】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、この発明に係る方法によれば、また
この発明に係る装置を使用すれば、ポリシリコン膜のＲ
ＩＥ処理後やイオン注入処理後などの基板の表面からレ
ジスト膜を剥離する場合に、１つの処理工程でレジスト
を基板表面から完全に除去するとともにシリコンの酸化
物も分解除去することができ、従って、従来の方法に比
べて作業効率を向上させることができるとともに、装置
構成を簡略化させ、省スペース化を図ることができる。
かつ作用するので、この発明に係る方法によれば、また
この発明に係る装置を使用すれば、ポリシリコン膜のＲ
ＩＥ処理後やイオン注入処理後などの基板の表面からレ
ジスト膜を剥離する場合に、１つの処理工程でレジスト
を基板表面から完全に除去するとともにシリコンの酸化
物も分解除去することができ、従って、従来の方法に比
べて作業効率を向上させることができるとともに、装置
構成を簡略化させ、省スペース化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る、基板表面からのレジストの除
去方法を実施するのに使用される装置の構成の１例を示
す模式図である。
去方法を実施するのに使用される装置の構成の１例を示
す模式図である。
【図２】従来の、基板表面からのレジストの除去方法に
おける問題点について説明するための、基板の一部拡大
縦断面図である。
おける問題点について説明するための、基板の一部拡大
縦断面図である。
10 基板 14 表面処理室 16 液体無水硫酸（液体三酸化硫黄） 18、22 密閉容器 20 フッ酸 24、26 蒸気供給管 28、30 窒素ガス導入管 34 紫外線照射ランプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｐ 8518−4Ｍ
Claims (6)
- 【請求項１】 レジスト膜が被着形成された基板の表面
に無水硫酸の蒸気とフッ化水素を含む蒸気とを供給し、
基板表面からレジスト膜を剥離させて除去することを特
徴とする、基板表面からのレジストの除去方法。 - 【請求項２】 基板の表面に無水硫酸の蒸気とフッ化水
素を含む蒸気とを供給する前に、基板表面に紫外線を照
射するようにする請求項１記載の、基板表面からのレジ
ストの除去方法。 - 【請求項３】 基板の表面に無水硫酸の蒸気とフッ化水
素を含む蒸気とを供給した後に、基板表面に純水を供給
して基板表面を洗浄するようにする請求項１又は請求項
２記載の、基板表面からのレジストの除去方法。 - 【請求項４】 レジスト膜が被着形成された基板を内部
に収容保持する表面処理室に、無水硫酸の蒸気を前記基
板の表面に供給する無水硫酸蒸気供給手段、及び、フッ
化水素を含む蒸気を前記基板の表面に供給するフッ化水
素蒸気供給手段を付設したことを特徴とする、基板表面
からのレジストの除去装置。 - 【請求項５】 表面処理室の内部に収容保持された基板
の表面に紫外線を照射する紫外線照射手段を配設した請
求項４記載の、基板表面からのレジストの除去装置。 - 【請求項６】 表面処理室に、その内部に収容保持され
た基板の表面に純水を供給する純水供給手段を付設した
請求項４又は請求項５記載の、基板表面からのレジスト
の除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13575292A JPH05304089A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 基板表面からのレジストの除去方法並びに装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13575292A JPH05304089A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 基板表面からのレジストの除去方法並びに装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304089A true JPH05304089A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=15159043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13575292A Pending JPH05304089A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 基板表面からのレジストの除去方法並びに装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05304089A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999039382A1 (en) * | 1998-01-28 | 1999-08-05 | Anon, Inc. | Process for ashing organic materials from substrates |
| US6231775B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-05-15 | Anon, Inc. | Process for ashing organic materials from substrates |
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