JPH05291005A - 接触型サーミスタ - Google Patents
接触型サーミスタInfo
- Publication number
- JPH05291005A JPH05291005A JP9251392A JP9251392A JPH05291005A JP H05291005 A JPH05291005 A JP H05291005A JP 9251392 A JP9251392 A JP 9251392A JP 9251392 A JP9251392 A JP 9251392A JP H05291005 A JPH05291005 A JP H05291005A
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- JP
- Japan
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- heat
- thermistor
- substrate
- contact type
- thermistor element
- Prior art date
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- Pending
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高耐熱性で高速熱応答性を有する接触型サー
ミスタを提供する。 【構成】 耐熱性基板４上に板状のサーミスタ素子１０
を焼成硝子１２で固定して接触型のサーミスタとする。
サーミスタ素子１０を耐熱性基板４上に面接触で固定す
るために熱応答性の優れたものとなる。
ミスタを提供する。 【構成】 耐熱性基板４上に板状のサーミスタ素子１０
を焼成硝子１２で固定して接触型のサーミスタとする。
サーミスタ素子１０を耐熱性基板４上に面接触で固定す
るために熱応答性の優れたものとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、対象物表面と機械的に
接触して、その表面温度を４００〜５００℃の高温度ま
で検出できる接触型サーミスタに関する。
接触して、その表面温度を４００〜５００℃の高温度ま
で検出できる接触型サーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の接触型サーミスタは、図
４に示すように、円柱状の硝子封止型サーミスタ１を金
属板２上に樹脂３で接着して構成し、金属板２を対象物
の表面にビス止めなどにより機械的に接触させて、その
表面温度を検出していた（例えば、特開昭６０−１２５
５３５号公報）。
４に示すように、円柱状の硝子封止型サーミスタ１を金
属板２上に樹脂３で接着して構成し、金属板２を対象物
の表面にビス止めなどにより機械的に接触させて、その
表面温度を検出していた（例えば、特開昭６０−１２５
５３５号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、樹脂３の耐熱温度は約２００℃以下で
あるので、最高使用温度も約２００℃に制限されるとい
う問題があった。
ような構成では、樹脂３の耐熱温度は約２００℃以下で
あるので、最高使用温度も約２００℃に制限されるとい
う問題があった。
【０００４】また、硝子封止型サーミスタ１は円筒状の
形状を有するので、金属板２との間の熱伝達が悪く、こ
のため熱応答性が遅い（９０％熱応答時間は２０ｓｅｃ
以上）という問題もあった。
形状を有するので、金属板２との間の熱伝達が悪く、こ
のため熱応答性が遅い（９０％熱応答時間は２０ｓｅｃ
以上）という問題もあった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解消し、従来
よりも高耐熱性で、高速応答性にすることを目的とす
る。
よりも高耐熱性で、高速応答性にすることを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の接触型サーミスタは、耐熱性基板上に板状
のサーミスタ素子を焼成ガラスで固定した構成とする。
めに本発明の接触型サーミスタは、耐熱性基板上に板状
のサーミスタ素子を焼成ガラスで固定した構成とする。
【０００７】
【作用】上記した構成によって、耐熱性の低い有機物材
料を全く使用せず、板状のサーミスタ素子が耐熱性基板
と面接触で固定される。
料を全く使用せず、板状のサーミスタ素子が耐熱性基板
と面接触で固定される。
【０００８】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例を添付図面に
もとづいて説明する。
もとづいて説明する。
【０００９】図１は板状のサーミスタ素子を用いた本発
明の接触型サーミスタの一実施例を示す断面図である。
耐熱性基板４としては絶縁性のアルミナ基板５上に導電
性膜６を形成したものを用いた。アルミナ基板５の形状
は、直径８mm、厚さ０.5mmの円板状である。そして導電
膜６の上に、アルミナ基板７の一方の表面に一対の電極
膜８ａおよび８ｂと感温抵抗体膜９とからなる板状のサ
ーミスタ素子１０を設けた。アルミナ基板７の形状は、
幅２mm、長さ４mm、厚さ０.5mmである。この板状のサー
ミスタ素子１０の一対の電極膜８ａおよび８ｂに一対の
リード線１１ａおよび１１ｂを設け、板状のサーミスタ
素子１０は焼成硝子１２により耐熱性基板４に固定され
ている。
明の接触型サーミスタの一実施例を示す断面図である。
耐熱性基板４としては絶縁性のアルミナ基板５上に導電
性膜６を形成したものを用いた。アルミナ基板５の形状
は、直径８mm、厚さ０.5mmの円板状である。そして導電
膜６の上に、アルミナ基板７の一方の表面に一対の電極
膜８ａおよび８ｂと感温抵抗体膜９とからなる板状のサ
ーミスタ素子１０を設けた。アルミナ基板７の形状は、
幅２mm、長さ４mm、厚さ０.5mmである。この板状のサー
ミスタ素子１０の一対の電極膜８ａおよび８ｂに一対の
リード線１１ａおよび１１ｂを設け、板状のサーミスタ
素子１０は焼成硝子１２により耐熱性基板４に固定され
ている。
【００１０】上記構成において導電性膜６は、厚膜用導
電性ペースト、例えば、Ａｇペースト、Ａｇ−Ｐｄペー
スト、Ａｕ−Ｐｔペーストなどを印刷した後、８００℃
以上の高温で焼成して形成される。また、焼成硝子１２
は、板状のサーミスタ素子１０の周囲を厚膜用硝子ペー
ストで被覆した後、７００℃以上の高温で焼成して形成
される。焼成硝子１２の厚さは１〜２mmである。
電性ペースト、例えば、Ａｇペースト、Ａｇ−Ｐｄペー
スト、Ａｕ−Ｐｔペーストなどを印刷した後、８００℃
以上の高温で焼成して形成される。また、焼成硝子１２
は、板状のサーミスタ素子１０の周囲を厚膜用硝子ペー
ストで被覆した後、７００℃以上の高温で焼成して形成
される。焼成硝子１２の厚さは１〜２mmである。
【００１１】このようにして構成された本実施例の接触
型サーミスタは従来例に比べ、樹脂などの有機物が全く
使用されていないので、最高使用温度を２００℃以上に
できる。すなわち、板状のサーミスタ素子１０、アルミ
ナ基板５および７、導電性膜６、焼成硝子１２などは、
すべて無機物であり、しかも７００℃以上で焼成される
ので、５００℃以上の耐熱性が容易に得られる。従っ
て、本実施例の耐熱性は、結局、感温抵抗体膜９の耐熱
性に依存する。この耐熱性は感温抵抗体膜９の材質、形
成条件により決まる。感温抵抗体膜９として、複合金属
酸化物、Ｇｅ，Ｓｉ，ＳｉＣなどの蒸着膜、スパッタ
膜、印刷・焼成厚膜など種々あるが、なかでもＳｉＣの
スパッタ法による感温抵抗体膜は５００℃の耐熱性を有
すると共に０〜５００℃の広い温度範囲を検出するのに
適した抵抗温度特性を有する点で優れている。従って本
実施例ではＳｉＣのスパッタ法による感温抵抗体膜を用
いた。本実施例の接触型サーミスタを対象物の表面に密
着させて、９０％熱応答時間を測定した結果、７〜８ｓ
ｅｃの高速熱応答性が得られた。
型サーミスタは従来例に比べ、樹脂などの有機物が全く
使用されていないので、最高使用温度を２００℃以上に
できる。すなわち、板状のサーミスタ素子１０、アルミ
ナ基板５および７、導電性膜６、焼成硝子１２などは、
すべて無機物であり、しかも７００℃以上で焼成される
ので、５００℃以上の耐熱性が容易に得られる。従っ
て、本実施例の耐熱性は、結局、感温抵抗体膜９の耐熱
性に依存する。この耐熱性は感温抵抗体膜９の材質、形
成条件により決まる。感温抵抗体膜９として、複合金属
酸化物、Ｇｅ，Ｓｉ，ＳｉＣなどの蒸着膜、スパッタ
膜、印刷・焼成厚膜など種々あるが、なかでもＳｉＣの
スパッタ法による感温抵抗体膜は５００℃の耐熱性を有
すると共に０〜５００℃の広い温度範囲を検出するのに
適した抵抗温度特性を有する点で優れている。従って本
実施例ではＳｉＣのスパッタ法による感温抵抗体膜を用
いた。本実施例の接触型サーミスタを対象物の表面に密
着させて、９０％熱応答時間を測定した結果、７〜８ｓ
ｅｃの高速熱応答性が得られた。
【００１２】なお、本実施例では耐熱性基板としてアル
ミナ基板上に導電性膜を設けたものについて説明した
が、これに代えてＴｉ、ステンレスなどの耐熱性基板を
用いてもよい。
ミナ基板上に導電性膜を設けたものについて説明した
が、これに代えてＴｉ、ステンレスなどの耐熱性基板を
用いてもよい。
【００１３】また、耐熱性基板４とサーミスタ素子１０
の接着強度を増すためには両者の間にも焼成硝子１２を
設けるとよい。
の接着強度を増すためには両者の間にも焼成硝子１２を
設けるとよい。
【００１４】（実施例２）次に本発明の第２の実施例に
ついて図２にもとづいて説明する。
ついて図２にもとづいて説明する。
【００１５】接触型サーミスタを実際に対象物に取り付
けることを考慮すると、耐熱性基板４の外周部に金属板
１３が固定されることが好ましい。そして両者の固定方
法としてはかしめなどの機械的方法もよいが、ろう付け
法が好ましい。それはアルミナ基板のような薄い平板状
のものはかしめ時に割れ易いからである。アルミナ基板
５と金属板１３とのろう材１４によるろう付けには、導
電性膜６にタングステン膜やモリブデン膜を用いると容
易にできる。
けることを考慮すると、耐熱性基板４の外周部に金属板
１３が固定されることが好ましい。そして両者の固定方
法としてはかしめなどの機械的方法もよいが、ろう付け
法が好ましい。それはアルミナ基板のような薄い平板状
のものはかしめ時に割れ易いからである。アルミナ基板
５と金属板１３とのろう材１４によるろう付けには、導
電性膜６にタングステン膜やモリブデン膜を用いると容
易にできる。
【００１６】実施例１および２の接触型サーミスタは、
例えば、電子レンジ庫内などの高周波電波の満たされた
空間での使用に有効である。すなわち、これらの接触型
サーミスタは、サーミスタ素子１０が導電性膜６により
電波輻射に対して保護される。と同時に電波強度の検出
にも利用できる。それは絶縁基板５および７は電波吸収
体のために電波強度に応じて加熱される。その結果、そ
の温度上昇をサーミスタ素子１０で検出できるので、電
波強度の検出にも利用できる。
例えば、電子レンジ庫内などの高周波電波の満たされた
空間での使用に有効である。すなわち、これらの接触型
サーミスタは、サーミスタ素子１０が導電性膜６により
電波輻射に対して保護される。と同時に電波強度の検出
にも利用できる。それは絶縁基板５および７は電波吸収
体のために電波強度に応じて加熱される。その結果、そ
の温度上昇をサーミスタ素子１０で検出できるので、電
波強度の検出にも利用できる。
【００１７】（実施例３）次に本発明の第３の実施例に
ついて図３にもとづいて説明する。
ついて図３にもとづいて説明する。
【００１８】本実施例が図１の実施例１と相違する点
は、耐熱性基板４として導電性膜６を設けないアルミナ
基板を用いた点である。これにより、本実施例の接触型
サーミスタは耐熱性の低い有機材料を全く使用せず、板
状のサーミスタ素子１０を焼成硝子１２で耐熱性基板４
に固定されているために従来例より耐熱性および熱応答
時間の優れたものである。
は、耐熱性基板４として導電性膜６を設けないアルミナ
基板を用いた点である。これにより、本実施例の接触型
サーミスタは耐熱性の低い有機材料を全く使用せず、板
状のサーミスタ素子１０を焼成硝子１２で耐熱性基板４
に固定されているために従来例より耐熱性および熱応答
時間の優れたものである。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の接触型サーミスタによれば次の効果が得られる。
の接触型サーミスタによれば次の効果が得られる。
【００２０】（１）耐熱性材料のみから構成されるため
に従来例より耐熱性に優れ、耐熱性基板上に板状のサー
ミスタ素子が面接触で固定されるために従来例より熱応
答性の優れたものとなる。
に従来例より耐熱性に優れ、耐熱性基板上に板状のサー
ミスタ素子が面接触で固定されるために従来例より熱応
答性の優れたものとなる。
【００２１】（２）絶縁基板上に導電性膜を設け、その
導電性膜上に板状サーミスタと金属板をろう付けした構
成のために従来例より耐熱性、熱応答性に優れるととも
にサーミスタ素子が電波輻射に対して保護され、対象物
への取り付けが容易である。
導電性膜上に板状サーミスタと金属板をろう付けした構
成のために従来例より耐熱性、熱応答性に優れるととも
にサーミスタ素子が電波輻射に対して保護され、対象物
への取り付けが容易である。
【図１】本発明の第１の実施例における接触型サーミス
タの断面図
タの断面図
【図２】同じく第２の実施例における接触型サーミスタ
の断面図
の断面図
【図３】同じく第３の実施例における接触型サーミスタ
の断面図
の断面図
【図４】従来の接触型サーミスタの斜視図
４ 耐熱性基板 ５ アルミナ基板（絶縁基板） ６ 導電性膜 １０ 板状のサーミスタ素子 １２ 焼成硝子 １３ 金属板 １４ ろう材
フロントページの続き (72)発明者 伊藤 修治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】耐熱性基板上に板状のサーミスタ素子が焼
成硝子で固定された接触型サーミスタ。 - 【請求項２】絶縁基板上に導電性膜を設けた耐熱性基板
上に板状のサーミスタ素子が焼成硝子で固定され、上記
耐熱性基板上の外周部に金属板がろう付けされた接触型
サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9251392A JPH05291005A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 接触型サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9251392A JPH05291005A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 接触型サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291005A true JPH05291005A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14056404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9251392A Pending JPH05291005A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 接触型サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291005A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014199911A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-10-23 | 日本特殊陶業株式会社 | サーミスタ素子、温度センサ及びサーミスタ素子の製造方法 |
| US20220163406A1 (en) * | 2018-01-18 | 2022-05-26 | In-Situ, Inc. | Fast Response Temperature Sensors |
-
1992
- 1992-04-13 JP JP9251392A patent/JPH05291005A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014199911A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-10-23 | 日本特殊陶業株式会社 | サーミスタ素子、温度センサ及びサーミスタ素子の製造方法 |
| US20220163406A1 (en) * | 2018-01-18 | 2022-05-26 | In-Situ, Inc. | Fast Response Temperature Sensors |
| US11920987B2 (en) * | 2018-01-18 | 2024-03-05 | In-Situ, Inc. | Fast response temperature sensors |
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