JPH05299177A - 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH05299177A JPH05299177A JP4102827A JP10282792A JPH05299177A JP H05299177 A JPH05299177 A JP H05299177A JP 4102827 A JP4102827 A JP 4102827A JP 10282792 A JP10282792 A JP 10282792A JP H05299177 A JPH05299177 A JP H05299177A
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- JP
- Japan
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- electrode
- transparent
- film
- thin film
- thin
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 画面の高いコントラストを保ちつつ透明電極
の配線抵抗を低減する。 【構成】 ガラス基板１１上に背面電極１２,第１絶縁
層１３,ＺnＳ:Ｍn発光層１４,第２絶縁層１５および透
明電極１６を順次積層して形成された二重絶縁構造の薄
膜ＥＬ素子の透明電極１６における絵素部を除く箇所の
上には、透明電極１６に接触した補助電極１７を積層す
る。こうして、透明電極の配線抵抗を低減し、且つ補助
電極１７によって絵素部が遮蔽されるのを防止して高い
コントラストを維持する。
の配線抵抗を低減する。 【構成】 ガラス基板１１上に背面電極１２,第１絶縁
層１３,ＺnＳ:Ｍn発光層１４,第２絶縁層１５および透
明電極１６を順次積層して形成された二重絶縁構造の薄
膜ＥＬ素子の透明電極１６における絵素部を除く箇所の
上には、透明電極１６に接触した補助電極１７を積層す
る。こうして、透明電極の配線抵抗を低減し、且つ補助
電極１７によって絵素部が遮蔽されるのを防止して高い
コントラストを維持する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜エレクトロ・ル
ミネッセンス(ＥＬ)素子に関し、特に発光をガラス基板
を介さずに得る所謂反転構造の薄膜ＥＬ素子に関する。
ミネッセンス(ＥＬ)素子に関し、特に発光をガラス基板
を介さずに得る所謂反転構造の薄膜ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜ＥＬ素子は、図５に示すように、発
光層４が第１,第２絶縁層３,５で挟まれ、さらに背面電
極２と透明電極６とで挟まれた二重絶縁構造を持ち、発
光取り出し側の透明電極６の材料は一般に錫添加酸化イ
ンジウム(ＩＴＯ)である。尚、１はガラス基板,８は保
護材としての樹脂層である。さらに、上記構成の薄膜Ｅ
Ｌ素子は、カラーフィルタ９が塗布されたシールガラス
１０によって真空封止されている。ここで、上記ＩＴＯ
は透明電極として優れた特性を有し、９０％以上の透過
率を有する。
光層４が第１,第２絶縁層３,５で挟まれ、さらに背面電
極２と透明電極６とで挟まれた二重絶縁構造を持ち、発
光取り出し側の透明電極６の材料は一般に錫添加酸化イ
ンジウム(ＩＴＯ)である。尚、１はガラス基板,８は保
護材としての樹脂層である。さらに、上記構成の薄膜Ｅ
Ｌ素子は、カラーフィルタ９が塗布されたシールガラス
１０によって真空封止されている。ここで、上記ＩＴＯ
は透明電極として優れた特性を有し、９０％以上の透過
率を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、薄膜ＥＬ素
子における配線抵抗は、ＥＬ特性のうちの発光輝度と相
関がある駆動パルスの遅延に影響を与えるＣＲ積を決定
する要因の一つである。この配線抵抗の値は低い方がよ
く、その値は電極材料の固有抵抗,電極の膜厚および画
面サイズによって決まる。
子における配線抵抗は、ＥＬ特性のうちの発光輝度と相
関がある駆動パルスの遅延に影響を与えるＣＲ積を決定
する要因の一つである。この配線抵抗の値は低い方がよ
く、その値は電極材料の固有抵抗,電極の膜厚および画
面サイズによって決まる。
【０００４】薄膜ＥＬ素子の透明電極として用いられる
ＩＴＯの固有抵抗は１〜３×１０-4Ω・cmと金属の固有
抵抗と比べて高い値を呈する。したがって、その薄膜Ｅ
Ｌ素子が反転構造の場合には、下地の平滑性が粗いこと
と相俟ってＩＴＯの膜厚を厚く設定する必要がある。と
ころが、その反面、膜厚が厚くなるにしたがってＥＬ特
性の絶縁破壊特性は低下してしまうのである。そのため
に、透明電極としてＩＴＯを用いる場合における配線抵
抗の値はＥＬ特性との兼合いで設計され、薄膜ＥＬ素子
のサイズが大きい程その影響は大きくなるという欠点が
ある。
ＩＴＯの固有抵抗は１〜３×１０-4Ω・cmと金属の固有
抵抗と比べて高い値を呈する。したがって、その薄膜Ｅ
Ｌ素子が反転構造の場合には、下地の平滑性が粗いこと
と相俟ってＩＴＯの膜厚を厚く設定する必要がある。と
ころが、その反面、膜厚が厚くなるにしたがってＥＬ特
性の絶縁破壊特性は低下してしまうのである。そのため
に、透明電極としてＩＴＯを用いる場合における配線抵
抗の値はＥＬ特性との兼合いで設計され、薄膜ＥＬ素子
のサイズが大きい程その影響は大きくなるという欠点が
ある。
【０００５】その対策として、透明電極上にＡl(アルミ
ニウム)配線を付属させる方法(テルンクヴィスト他「低
出力−薄膜ＥＬディスプレイ」ＳＩＤダイジェスト(199
1))がある。しかしながら、この方法では、Ａl配線の遮
光で絵素面積の１０％〜２０％が犠牲になるという問題
がある。また、高いＡlの反射率による外光の反射が画
面のコントラストを低下させる原因になるという問題も
ある。
ニウム)配線を付属させる方法(テルンクヴィスト他「低
出力−薄膜ＥＬディスプレイ」ＳＩＤダイジェスト(199
1))がある。しかしながら、この方法では、Ａl配線の遮
光で絵素面積の１０％〜２０％が犠牲になるという問題
がある。また、高いＡlの反射率による外光の反射が画
面のコントラストを低下させる原因になるという問題も
ある。
【０００６】そこで、この発明の目的は、高い画面コン
トラストを保ちつつ透明電極の配線抵抗値を低減し、発
光輝度の面内分布を改善して薄膜ＥＬパネルの大面積化
に対応できる薄膜ＥＬ素子を提供することにある。
トラストを保ちつつ透明電極の配線抵抗値を低減し、発
光輝度の面内分布を改善して薄膜ＥＬパネルの大面積化
に対応できる薄膜ＥＬ素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明の薄膜ＥＬ素子は、基板上に第１電極,
第１絶縁層,発光層,第２絶縁層および透明第２電極を順
次積層して形成した二重絶縁構造を有する薄膜ＥＬ素子
において、上記透明第２電極における絵素部を除く箇所
のみの上に、上記透明第２電極に電気的に接触して配線
抵抗を低減させる補助金属電極を設けたことを特徴とし
ている。
め、第１の発明の薄膜ＥＬ素子は、基板上に第１電極,
第１絶縁層,発光層,第２絶縁層および透明第２電極を順
次積層して形成した二重絶縁構造を有する薄膜ＥＬ素子
において、上記透明第２電極における絵素部を除く箇所
のみの上に、上記透明第２電極に電気的に接触して配線
抵抗を低減させる補助金属電極を設けたことを特徴とし
ている。
【０００８】また、第２の発明の薄膜ＥＬ素子は、基板
上に第１電極,第１絶縁層,発光層,第２絶縁層および透
明第２電極を順次積層して形成した二重絶縁構造を有す
る薄膜ＥＬ素子において、上記透明第２電極および第２
絶縁層上に積層されると共に絵素部の箇所および上記絵
素部以外の箇所に開口部を有する層間絶縁膜と、上記層
間絶縁膜上に積層されて上記第２透明電極に沿って帯状
に延在すると共に上記絵素部の箇所に開口部を有し、上
記層間絶縁膜における上記絵素部以外の箇所の開口部を
介して上記透明第２電極に電気的に接続されて上記透明
第２電極の配線抵抗を低減させる補助金属電極を備えた
ことを特徴としている。
上に第１電極,第１絶縁層,発光層,第２絶縁層および透
明第２電極を順次積層して形成した二重絶縁構造を有す
る薄膜ＥＬ素子において、上記透明第２電極および第２
絶縁層上に積層されると共に絵素部の箇所および上記絵
素部以外の箇所に開口部を有する層間絶縁膜と、上記層
間絶縁膜上に積層されて上記第２透明電極に沿って帯状
に延在すると共に上記絵素部の箇所に開口部を有し、上
記層間絶縁膜における上記絵素部以外の箇所の開口部を
介して上記透明第２電極に電気的に接続されて上記透明
第２電極の配線抵抗を低減させる補助金属電極を備えた
ことを特徴としている。
【０００９】また、第３の発明の薄膜ＥＬ素子は、第１
あるいは第２の発明の薄膜ＥＬ素子において、上記補助
金属電極はアルミニウム,銅,モリブデン,タングステン,
クロム,ニッケル,タンタルあるいはそれらの積層膜によ
って形成したことを特徴としている。
あるいは第２の発明の薄膜ＥＬ素子において、上記補助
金属電極はアルミニウム,銅,モリブデン,タングステン,
クロム,ニッケル,タンタルあるいはそれらの積層膜によ
って形成したことを特徴としている。
【００１０】また、第４の発明の薄膜ＥＬ素子は、第１
乃至第３発明のうちのいずれか一つの発明の薄膜ＥＬ素
子において、上記補助金属電極は陽極酸化および加熱処
理によってその表面が酸化物に変質していることを特徴
としている。
乃至第３発明のうちのいずれか一つの発明の薄膜ＥＬ素
子において、上記補助金属電極は陽極酸化および加熱処
理によってその表面が酸化物に変質していることを特徴
としている。
【００１１】
【作用】第１の発明では、基板上に第１電極,第１絶縁
層,発光層,第２絶縁層および透明第２電極を順次積層し
て形成された二重絶縁構造を有する薄膜ＥＬ素子の上記
透明第２電極における絵素部を除く箇所のみの上に、こ
の透明第２電極に電気的に接触した補助金属電極が設け
られている。したがって、上記透明第２電極の配線抵抗
が低減されて、発光輝度の面内分布が改善される。
層,発光層,第２絶縁層および透明第２電極を順次積層し
て形成された二重絶縁構造を有する薄膜ＥＬ素子の上記
透明第２電極における絵素部を除く箇所のみの上に、こ
の透明第２電極に電気的に接触した補助金属電極が設け
られている。したがって、上記透明第２電極の配線抵抗
が低減されて、発光輝度の面内分布が改善される。
【００１２】第２の発明では、上記二重絶縁構造を有す
る薄膜ＥＬ素子における上記透明第２電極および第２絶
縁層上に、絵素部の箇所および上記絵素部以外の箇所に
開口部を有する層間絶縁膜が積層されて形成されてい
る。そして、この層間絶縁膜上に、上記絵素部の箇所に
開口部を有すると共に、上記層間絶縁膜における上記絵
素部以外の箇所の開口部を介して上記透明第２電極に電
気的に接続された補助金属電極が積層されて、上記透明
第２電極に沿って帯状に延在して設けらている。したが
って、上記透明第２電極の配線抵抗が低減されて発光輝
度の面内分布が改善される。また、上記補助金属電極が
透明第２電極の配線の役目を担うので、透明第２電極が
薄く形成されて絶縁破壊特性が改善される。
る薄膜ＥＬ素子における上記透明第２電極および第２絶
縁層上に、絵素部の箇所および上記絵素部以外の箇所に
開口部を有する層間絶縁膜が積層されて形成されてい
る。そして、この層間絶縁膜上に、上記絵素部の箇所に
開口部を有すると共に、上記層間絶縁膜における上記絵
素部以外の箇所の開口部を介して上記透明第２電極に電
気的に接続された補助金属電極が積層されて、上記透明
第２電極に沿って帯状に延在して設けらている。したが
って、上記透明第２電極の配線抵抗が低減されて発光輝
度の面内分布が改善される。また、上記補助金属電極が
透明第２電極の配線の役目を担うので、透明第２電極が
薄く形成されて絶縁破壊特性が改善される。
【００１３】第３の発明では、上記補助金属電極はアル
ミニウム,銅,モリブデン,タングステン,クロム,ニッケ
ル,タンタルあるいはそれらの積層膜によって形成され
ている。したがって、効果的に上記透明第２電極の配線
抵抗が低減される。
ミニウム,銅,モリブデン,タングステン,クロム,ニッケ
ル,タンタルあるいはそれらの積層膜によって形成され
ている。したがって、効果的に上記透明第２電極の配線
抵抗が低減される。
【００１４】第４の発明では、上記補助金属電極におけ
る表面が陽極酸化および加熱処理によって酸化物に変質
されている。したがって、上記補助金属電極からの反射
率が低減される。
る表面が陽極酸化および加熱処理によって酸化物に変質
されている。したがって、上記補助金属電極からの反射
率が低減される。
【００１５】
【実施例】以下、この発明を図示の実施例により詳細に
説明する。図１は本実施例における薄膜ＥＬ素子および
有機カラーフィルタから成るカラーＥＬパネルの断面図
である。上記薄膜ＥＬ素子は所謂反転構造を採り、ガラ
ス基板１１上に、一方向(図１では紙面に垂直方向)に並
列された帯状の背面電極１２,第１絶縁層１３,ＺnＳ:Ｍ
n発光層１４,第２絶縁層１５および背面電極１２に直交
して並列された帯状の透明電極１６を順次積層して形成
されている。つまり、発光層を絶縁層で挟み、さらに帯
状電極で挟んだ二重絶縁構造を有しているのである。
説明する。図１は本実施例における薄膜ＥＬ素子および
有機カラーフィルタから成るカラーＥＬパネルの断面図
である。上記薄膜ＥＬ素子は所謂反転構造を採り、ガラ
ス基板１１上に、一方向(図１では紙面に垂直方向)に並
列された帯状の背面電極１２,第１絶縁層１３,ＺnＳ:Ｍ
n発光層１４,第２絶縁層１５および背面電極１２に直交
して並列された帯状の透明電極１６を順次積層して形成
されている。つまり、発光層を絶縁層で挟み、さらに帯
状電極で挟んだ二重絶縁構造を有しているのである。
【００１６】上記薄膜ＥＬ素子は、交差した箇所におけ
る背面電極１２および透明電極１６とその両電極１２,
１６間に挟入されたＺnＳ:Ｍn発光層１４とで絵素を形
成するのである。そして、上記透明電極１６における絵
素以外の箇所のみの上に補助電極１７を形成している。
る背面電極１２および透明電極１６とその両電極１２,
１６間に挟入されたＺnＳ:Ｍn発光層１４とで絵素を形
成するのである。そして、上記透明電極１６における絵
素以外の箇所のみの上に補助電極１７を形成している。
【００１７】上記ＺnＳ:Ｍn発光層１４は、母体材料で
あるＺnＳ(硫化亜鉛)中に発光中心となるＭn(マンガン)
をドープして形成されて、約８００nmの膜厚を有してい
る。上記第１絶縁層１３は、厚さ３０nm〜８０nmのＳi
Ｏ2膜と厚さ２００nm〜３００nmのＳi3Ｎ4膜とで構成さ
れている。一方、第２絶縁層１５は、厚さ１００nm〜２
００nmのＳi3Ｎ4膜と厚さ３０nm〜８０nmのＡl2Ｏ3膜と
で構成されている。
あるＺnＳ(硫化亜鉛)中に発光中心となるＭn(マンガン)
をドープして形成されて、約８００nmの膜厚を有してい
る。上記第１絶縁層１３は、厚さ３０nm〜８０nmのＳi
Ｏ2膜と厚さ２００nm〜３００nmのＳi3Ｎ4膜とで構成さ
れている。一方、第２絶縁層１５は、厚さ１００nm〜２
００nmのＳi3Ｎ4膜と厚さ３０nm〜８０nmのＡl2Ｏ3膜と
で構成されている。
【００１８】また、上記背面電極１２は厚さ１５０nmの
金属Ｗ(タングステン)膜によって形成され、透明電極１
６は厚さ１５０nmのＩＴＯ膜によって形成され、補助電
極１７は厚さ３５０nmのＡl膜と厚さ２５０nmのＮi(ニ
ッケル)膜の積層膜によって形成されている。さらに、
上記補助電極１７上および透明電極１６上には、保護材
として厚さ１０μmのシリコン樹脂層１８が形成され
る。
金属Ｗ(タングステン)膜によって形成され、透明電極１
６は厚さ１５０nmのＩＴＯ膜によって形成され、補助電
極１７は厚さ３５０nmのＡl膜と厚さ２５０nmのＮi(ニ
ッケル)膜の積層膜によって形成されている。さらに、
上記補助電極１７上および透明電極１６上には、保護材
として厚さ１０μmのシリコン樹脂層１８が形成され
る。
【００１９】こうして形成された薄膜ＥＬ素子は、内側
にカラーフィルタ１９が積層されて縁が上記ガラス基板
１１に取り付けられた函体を成すシールガラス２０によ
って封入される。上記カラーフィルタ１９は、緑色膜と
赤色膜とを夫々所定のパターンで順次積層して形成され
ている。
にカラーフィルタ１９が積層されて縁が上記ガラス基板
１１に取り付けられた函体を成すシールガラス２０によ
って封入される。上記カラーフィルタ１９は、緑色膜と
赤色膜とを夫々所定のパターンで順次積層して形成され
ている。
【００２０】上記構成の薄膜ＥＬパネルは次の手順によ
って作成される。先ず、ガラス基板１１上に金属Ｍo膜
をスパッタ蒸着し、フォトリソグラフィ法によって帯状
に加工して背面電極１２を形成する。次に、反応性スパ
ッタ法によってＳiＯ2膜およびＳi3Ｎ4膜を順次堆積し
て第１絶縁層１３を形成する。
って作成される。先ず、ガラス基板１１上に金属Ｍo膜
をスパッタ蒸着し、フォトリソグラフィ法によって帯状
に加工して背面電極１２を形成する。次に、反応性スパ
ッタ法によってＳiＯ2膜およびＳi3Ｎ4膜を順次堆積し
て第１絶縁層１３を形成する。
【００２１】そうした後、化学的気相成長法(ＣＶＤ法)
あるいは電子ビーム蒸着法(ＥＢ法)を用いてＺnＳ:Ｍn
発光層１４を形成する。但し、ＺnＳ:Ｍn発光層１４を
ＥＢ法によって形成した場合には、形成後に熱処理を行
う。次に、反応性スパッタ法によってＳi3Ｎ4膜および
Ａl2Ｏ3膜を順次形成して第２絶縁層１５を形成する。
あるいは電子ビーム蒸着法(ＥＢ法)を用いてＺnＳ:Ｍn
発光層１４を形成する。但し、ＺnＳ:Ｍn発光層１４を
ＥＢ法によって形成した場合には、形成後に熱処理を行
う。次に、反応性スパッタ法によってＳi3Ｎ4膜および
Ａl2Ｏ3膜を順次形成して第２絶縁層１５を形成する。
【００２２】さらに、上記ＩＴＯをスパッタ蒸着し、フ
ォトリソグラフィ法によって上記背面電極１２に直交す
る帯状の透明電極１６を形成する。こうして、帯状の背
面電極１２と帯状の透明電極１６とを交差させることに
よって、交差位置における背面電極１２および透明電極
１６とその両電極間に挟入されたＺnＳ:Ｍn発光層１４
によって、発光する絵素が構成されるのである。
ォトリソグラフィ法によって上記背面電極１２に直交す
る帯状の透明電極１６を形成する。こうして、帯状の背
面電極１２と帯状の透明電極１６とを交差させることに
よって、交差位置における背面電極１２および透明電極
１６とその両電極間に挟入されたＺnＳ:Ｍn発光層１４
によって、発光する絵素が構成されるのである。
【００２３】次に、Ａl膜をＥＢ法によって蒸着し、上
記透明電極１６上における上記絵素の箇所を除く箇所に
重なるようにフォトリソグラフィ法によって加工して、
補助電極１７を形成する。そうした後に、シリコン樹脂
をスピンコート法によって塗布して保護用のシリコン樹
脂層１８を形成し、薄膜ＥＬ素子の形成を終了する。
記透明電極１６上における上記絵素の箇所を除く箇所に
重なるようにフォトリソグラフィ法によって加工して、
補助電極１７を形成する。そうした後に、シリコン樹脂
をスピンコート法によって塗布して保護用のシリコン樹
脂層１８を形成し、薄膜ＥＬ素子の形成を終了する。
【００２４】次に、緑色あるいは赤色の有機顔料を感光
性樹脂に分散した溶液を函体を有するシールガラス２０
の内面に塗布した後、フォトリソグラフィ法によってモ
ザイク状に加工する。この工程を緑色用フィルタおよび
赤色用フィルタ夫々繰り返してカラーフィルタ１９を形
成する。最後に、上記カラーフィルタ１９側が内側にな
るようにしてシールガラス２０の縁を薄膜ＥＬ素子のガ
ラス基板１１に張り合わせ、上記薄膜ＥＬ素子を真空封
入してカラーＥＬパネルの形成を終了する。
性樹脂に分散した溶液を函体を有するシールガラス２０
の内面に塗布した後、フォトリソグラフィ法によってモ
ザイク状に加工する。この工程を緑色用フィルタおよび
赤色用フィルタ夫々繰り返してカラーフィルタ１９を形
成する。最後に、上記カラーフィルタ１９側が内側にな
るようにしてシールガラス２０の縁を薄膜ＥＬ素子のガ
ラス基板１１に張り合わせ、上記薄膜ＥＬ素子を真空封
入してカラーＥＬパネルの形成を終了する。
【００２５】上述のようにして形成された薄膜ＥＬ素子
は、透明電極１６における絵素部以外の箇所(透明電極
１６の大略１/３の領域)の上にＡl膜から成る補助電極
１７が透明電極１６に電気的に接触して形成されている
ので、透明電極１６の配線抵抗を従来の約２/３にでき
るのである。また、その際に、補助電極１７は透明電極
１６における上記絵素の箇所の上には形成されないの
で、絵素が補助電極１７によって遮られることがなく画
面のコントラストの低下が防止される。したがって、本
実施例によれば、ＥＬ特性のうちの発光輝度の面内分布
を改善して、ＥＬパネルの大面積化への対応を可能にで
きるのである。
は、透明電極１６における絵素部以外の箇所(透明電極
１６の大略１/３の領域)の上にＡl膜から成る補助電極
１７が透明電極１６に電気的に接触して形成されている
ので、透明電極１６の配線抵抗を従来の約２/３にでき
るのである。また、その際に、補助電極１７は透明電極
１６における上記絵素の箇所の上には形成されないの
で、絵素が補助電極１７によって遮られることがなく画
面のコントラストの低下が防止される。したがって、本
実施例によれば、ＥＬ特性のうちの発光輝度の面内分布
を改善して、ＥＬパネルの大面積化への対応を可能にで
きるのである。
【００２６】図２は、上記実施例とは異なるカラーＥＬ
パネルの断面図である。図２に示すカラーＥＬパネル
は、上記補助電極部以外については図１に示すカラーＥ
Ｌパネルと同じであるから同じ番号を付してその説明は
省略する。但し、透明電極１６の膜厚については、後に
説明するように、上記実施例よりも薄く設定できる。
パネルの断面図である。図２に示すカラーＥＬパネル
は、上記補助電極部以外については図１に示すカラーＥ
Ｌパネルと同じであるから同じ番号を付してその説明は
省略する。但し、透明電極１６の膜厚については、後に
説明するように、上記実施例よりも薄く設定できる。
【００２７】本実施例における補助電極２２は、層間絶
縁膜２１を介在させて設けられている。上記層間絶縁膜
２１は、上記薄膜ＥＬ素子上に積層されて、絵素部の箇
所と透明電極１６方向に隣接する絵素部間の箇所とに開
口部が形成されている。また、上記補助電極２２は、層
間絶縁膜２１上に積層されて透明電極１６に沿って延在
すると共に、絵素部の箇所に開口部を有し、且つ層間絶
縁膜２１における上記絵素間の箇所の開口部を介して透
明電極１６と電気的に接続されている。端的に言うなら
ば、絵素部の箇所を避けて帯状に存在して絵素間で透明
電極１６にコンタクトしているのである。
縁膜２１を介在させて設けられている。上記層間絶縁膜
２１は、上記薄膜ＥＬ素子上に積層されて、絵素部の箇
所と透明電極１６方向に隣接する絵素部間の箇所とに開
口部が形成されている。また、上記補助電極２２は、層
間絶縁膜２１上に積層されて透明電極１６に沿って延在
すると共に、絵素部の箇所に開口部を有し、且つ層間絶
縁膜２１における上記絵素間の箇所の開口部を介して透
明電極１６と電気的に接続されている。端的に言うなら
ば、絵素部の箇所を避けて帯状に存在して絵素間で透明
電極１６にコンタクトしているのである。
【００２８】上記層間絶縁膜２１および補助電極２２
は、以下のようにして形成する。上述の実施例の場合と
同様にして、ガラス基板１１上に、背面電極１２,第１
絶縁層１３,ＺnＳ:Ｍn発光層１４,第２絶縁層１５およ
び透明電極１６を形成する。その後、感光性ポリイミド
樹脂を厚さ２μmにスピンコートし、フォトリソグラフ
ィ法によって絵素部の箇所と透明電極１６の方向に隣接
する絵素部間における補助電極２２の透明電極１６への
コンタクト部の箇所とを開口して層間絶縁膜２１を形成
する。
は、以下のようにして形成する。上述の実施例の場合と
同様にして、ガラス基板１１上に、背面電極１２,第１
絶縁層１３,ＺnＳ:Ｍn発光層１４,第２絶縁層１５およ
び透明電極１６を形成する。その後、感光性ポリイミド
樹脂を厚さ２μmにスピンコートし、フォトリソグラフ
ィ法によって絵素部の箇所と透明電極１６の方向に隣接
する絵素部間における補助電極２２の透明電極１６への
コンタクト部の箇所とを開口して層間絶縁膜２１を形成
する。
【００２９】次に、Ｍoを厚さ８００nmにスパッタ蒸着
し、フォトリソグラフィ法によって絵素部の箇所が開口
されて帯状を成すように加工して補助電極２２を形成す
るのである。こうして、上記層間絶縁膜２１上に形成さ
れて、上記絵素部の箇所を避けて透明電極１６に沿って
帯状に存在し、且つ層間絶縁膜２１における上記絵素部
間の箇所における開口部を介して透明電極１６に電気的
に接続された補助電極２２が形成されるのである。
し、フォトリソグラフィ法によって絵素部の箇所が開口
されて帯状を成すように加工して補助電極２２を形成す
るのである。こうして、上記層間絶縁膜２１上に形成さ
れて、上記絵素部の箇所を避けて透明電極１６に沿って
帯状に存在し、且つ層間絶縁膜２１における上記絵素部
間の箇所における開口部を介して透明電極１６に電気的
に接続された補助電極２２が形成されるのである。
【００３０】その結果、上記補助電極２２は透明電極１
６の配線の役割を担うことになるために、絶縁破壊特性
に寄与する透明電極１６の膜厚を薄く設定することがで
きるのである。その結果、透明電極１６の膜厚は１絵素
分の電極として動作するのに十分な抵抗になる膜厚、例
えば５０nmとすることによって絶縁破壊特性を改善でき
るのである。
６の配線の役割を担うことになるために、絶縁破壊特性
に寄与する透明電極１６の膜厚を薄く設定することがで
きるのである。その結果、透明電極１６の膜厚は１絵素
分の電極として動作するのに十分な抵抗になる膜厚、例
えば５０nmとすることによって絶縁破壊特性を改善でき
るのである。
【００３１】本実施例の場合には、上記背面電極１２と
補助電極２２とが重なり合う箇所も絵素の箇所と同じ構
造を成すことになる。ところが、上記補助電極２２には
層間絶縁膜２１が積層されている。そして、この層間絶
縁膜２１の比誘電率の値は“約３"とＺnＳ:Ｍn発光層１
４および第１,第２絶縁層１３,１５から成る無機絶縁層
の比誘電率に比べて小さく、且つその膜厚が２μmと厚
い。そのために、背面電極１２と補助電極２２との間に
印加された電圧の大部分は層間絶縁膜２１と補助電極２
２との間に加わることになり、ＺnＳ:Ｍn発光層１４の
両側にある層間絶縁膜２１と背面電極１２との間に印加
される電圧は低いのである。したがって、駆動電圧の範
囲では層間絶縁膜２１と背面電極１２との間の電界強度
は発光閾値以下となり、ＺnＳ:Ｍn発光層１４は発光し
ないのである。
補助電極２２とが重なり合う箇所も絵素の箇所と同じ構
造を成すことになる。ところが、上記補助電極２２には
層間絶縁膜２１が積層されている。そして、この層間絶
縁膜２１の比誘電率の値は“約３"とＺnＳ:Ｍn発光層１
４および第１,第２絶縁層１３,１５から成る無機絶縁層
の比誘電率に比べて小さく、且つその膜厚が２μmと厚
い。そのために、背面電極１２と補助電極２２との間に
印加された電圧の大部分は層間絶縁膜２１と補助電極２
２との間に加わることになり、ＺnＳ:Ｍn発光層１４の
両側にある層間絶縁膜２１と背面電極１２との間に印加
される電圧は低いのである。したがって、駆動電圧の範
囲では層間絶縁膜２１と背面電極１２との間の電界強度
は発光閾値以下となり、ＺnＳ:Ｍn発光層１４は発光し
ないのである。
【００３２】図３(a)は、本実施例における薄膜ＥＬ素
子におけるシリコン樹脂層１８形成前の状態における平
面図(図２は図３(a)のＡ−Ａ断面に相当する断面図であ
る)であり、図３(b)は図３(a)の変形例を示す平面図で
ある。図３(b)に示す変形例では、層間絶縁膜２１に設
ける上記絵素部の箇所の開口部とこの開口部に隣接する
上記コンタクト用開口部の一つとを連続させて一つの開
口部としている。いずれの場合も、上記補助電極２２が
透明電極１６に絵素部間においてコンタクトし、且つ各
絵素部の箇所を開口するように、層間絶縁膜２１および
補助電極２２をパターンニングしている。したがって、
上述のように、補助電極２２は絵素部を避けて透明電極
１６に沿って帯状に延在しているのである。
子におけるシリコン樹脂層１８形成前の状態における平
面図(図２は図３(a)のＡ−Ａ断面に相当する断面図であ
る)であり、図３(b)は図３(a)の変形例を示す平面図で
ある。図３(b)に示す変形例では、層間絶縁膜２１に設
ける上記絵素部の箇所の開口部とこの開口部に隣接する
上記コンタクト用開口部の一つとを連続させて一つの開
口部としている。いずれの場合も、上記補助電極２２が
透明電極１６に絵素部間においてコンタクトし、且つ各
絵素部の箇所を開口するように、層間絶縁膜２１および
補助電極２２をパターンニングしている。したがって、
上述のように、補助電極２２は絵素部を避けて透明電極
１６に沿って帯状に延在しているのである。
【００３３】本実施例においては、上記補助電極２２
を、層間絶縁膜２１上に積層されて透明電極１６に沿っ
て延在すると共に絵素部の箇所に開口部を有し、且つ層
間絶縁膜２１における上記絵素間の箇所の開口部を介し
て透明電極１６と電気的に接続して形成している。した
がって、上記透明電極１６の配線抵抗値を従来の１/２
に低減でき、発光輝度の面内分布を改善できる。また、
補助電極２２が透明電極１６の配線の役目を担うので透
明電極１６を薄く形成でき、絶縁破壊特性を改善できる
のである。
を、層間絶縁膜２１上に積層されて透明電極１６に沿っ
て延在すると共に絵素部の箇所に開口部を有し、且つ層
間絶縁膜２１における上記絵素間の箇所の開口部を介し
て透明電極１６と電気的に接続して形成している。した
がって、上記透明電極１６の配線抵抗値を従来の１/２
に低減でき、発光輝度の面内分布を改善できる。また、
補助電極２２が透明電極１６の配線の役目を担うので透
明電極１６を薄く形成でき、絶縁破壊特性を改善できる
のである。
【００３４】上記実施例において、上記補助電極２２と
してＡlを用いた場合には透明電極１６の配線抵抗の値
を従来の１/１０に、またＷ(タングステン)を用いた場
合には２/５に夫々低減できる。さらに、金属Ｔaを補助
電極２２材料として用いた場合には、陽極酸化処理で表
面を酸化物にすることによって図４に示すように反射率
を低減できるので、ブラックマトリックスとしも使用可
能となる。
してＡlを用いた場合には透明電極１６の配線抵抗の値
を従来の１/１０に、またＷ(タングステン)を用いた場
合には２/５に夫々低減できる。さらに、金属Ｔaを補助
電極２２材料として用いた場合には、陽極酸化処理で表
面を酸化物にすることによって図４に示すように反射率
を低減できるので、ブラックマトリックスとしも使用可
能となる。
【００３５】
【発明の効果】以上より明らかなように、第１の発明の
薄膜ＥＬ素子は、二重絶縁構造を有する薄膜ＥＬ素子の
透明第２電極における絵素部を除く箇所のみの上に、上
記透明第２電極に電気的に接触した補助金属電極を設け
たので、上記透明第２電極の配線抵抗を低減できる。し
たがって、この発明によれば、ＥＬ特性のうちの発光輝
度の面内分布を改善でき、ＥＬパネルの大面積化に対処
できる。
薄膜ＥＬ素子は、二重絶縁構造を有する薄膜ＥＬ素子の
透明第２電極における絵素部を除く箇所のみの上に、上
記透明第２電極に電気的に接触した補助金属電極を設け
たので、上記透明第２電極の配線抵抗を低減できる。し
たがって、この発明によれば、ＥＬ特性のうちの発光輝
度の面内分布を改善でき、ＥＬパネルの大面積化に対処
できる。
【００３６】また、第２の発明の薄膜ＥＬ素子は、二重
絶縁構造を有する薄膜ＥＬ素子の上に、絵素部の箇所お
よび上記絵素部以外の箇所に開口部を有する層間絶縁膜
を積層し、この層間絶縁膜上に、上記透明第２電極に沿
って帯状に延在すると共に上記絵素部の箇所に開口を有
して上記層間絶縁膜における上記絵素部以外の箇所の開
口部を介して上記透明第２電極に電気的に接続されて配
線の役目を担う補助金属電極を積層したので、上記透明
第２電極の配線抵抗を低減できると共に、上記透明第２
電極の膜厚を薄く形成できる。したがって、この発明に
よればＥＬ特性のうち発光輝度の面内分布を改善して薄
膜ＥＬパネルの大面積化に対処できると共に、絶縁破壊
特性を改善できるのである。
絶縁構造を有する薄膜ＥＬ素子の上に、絵素部の箇所お
よび上記絵素部以外の箇所に開口部を有する層間絶縁膜
を積層し、この層間絶縁膜上に、上記透明第２電極に沿
って帯状に延在すると共に上記絵素部の箇所に開口を有
して上記層間絶縁膜における上記絵素部以外の箇所の開
口部を介して上記透明第２電極に電気的に接続されて配
線の役目を担う補助金属電極を積層したので、上記透明
第２電極の配線抵抗を低減できると共に、上記透明第２
電極の膜厚を薄く形成できる。したがって、この発明に
よればＥＬ特性のうち発光輝度の面内分布を改善して薄
膜ＥＬパネルの大面積化に対処できると共に、絶縁破壊
特性を改善できるのである。
【００３７】また、第３の発明の薄膜ＥＬ素子は、上記
補助金属電極をアルミニウム,銅,モリブデン,タングス
テン,クロム,ニッケル,タンタルあるいはそれらの積層
膜によって形成したので、より顕著に上記透明第２電極
の配線抵抗を低減できる。
補助金属電極をアルミニウム,銅,モリブデン,タングス
テン,クロム,ニッケル,タンタルあるいはそれらの積層
膜によって形成したので、より顕著に上記透明第２電極
の配線抵抗を低減できる。
【００３８】また、第４の発明の薄膜ＥＬ素子は、上記
補助金属電極の表面を陽極酸化および加熱処理によって
酸化物に変質したので、上記補助金属配線の反射率を低
減してＥＬパネルのブラクマトリックス化を図ることが
できる。
補助金属電極の表面を陽極酸化および加熱処理によって
酸化物に変質したので、上記補助金属配線の反射率を低
減してＥＬパネルのブラクマトリックス化を図ることが
できる。
【図１】この発明の一実施例における薄膜ＥＬ素子を用
いたカラーＥＬパネルの断面図である。
いたカラーＥＬパネルの断面図である。
【図２】図１とは異なる薄膜ＥＬ素子を用いたカラーＥ
Ｌパネルの断面図である。
Ｌパネルの断面図である。
【図３】図２における薄膜ＥＬ素子の平面図である。
【図４】補助電極として金属Ｔaを用いた場合の反射率
スペクトルを示す図である。
スペクトルを示す図である。
【図５】従来の薄膜ＥＬ素子を用いたカラーＥＬパネル
の断面図である。
の断面図である。
１１…ガラス基板、 １２…背面電
極、 １３…第１絶縁層、 １４…ＺnＳ:Ｍ
n発光層、 １５…第２絶縁層、 １６…透明電
極、 １７,２２…補助電極、 １８…シリコン
樹脂層、 １９…カラーフィルタ、 ２０…シールガ
ラス、 ２１…層間絶縁膜。
極、 １３…第１絶縁層、 １４…ＺnＳ:Ｍ
n発光層、 １５…第２絶縁層、 １６…透明電
極、 １７,２２…補助電極、 １８…シリコン
樹脂層、 １９…カラーフィルタ、 ２０…シールガ
ラス、 ２１…層間絶縁膜。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に第１電極,第１絶縁層,発光層,
第２絶縁層および透明第２電極を順次積層して形成した
二重絶縁構造を有する薄膜エレクトロ・ルミネッセンス
素子において、 上記透明第２電極における絵素部を除く箇所のみの上
に、上記透明第２電極に電気的に接触して配線抵抗を低
減させる補助金属電極を設けたことを特徴とする薄膜エ
レクトロ・ルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 基板上に第１電極,第１絶縁層,発光層,
第２絶縁層および透明第２電極を順次積層して形成した
二重絶縁構造を有する薄膜エレクトロ・ルミネッセンス
素子において、 上記透明第２電極および第２絶縁層上に積層されると共
に、絵素部の箇所および上記絵素部以外の箇所に開口部
を有する層間絶縁膜と、 上記層間絶縁膜上に積層されて上記透明第２電極に沿っ
て帯状に延在すると共に、上記絵素部の箇所に開口部を
有し、上記層間絶縁膜における上記絵素部以外の箇所の
開口部を介して上記透明第２電極に電気的に接続されて
上記透明第２電極の配線抵抗を低減させる補助金属電極
を備えたことを特徴とする薄膜エレクトロ・ルミネッセ
ンス素子。 - 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２に記載の薄膜
エレクトロ・ルミネッセンス素子において、 上記補助金属電極は、アルミニウム,銅,モリブデン,タ
ングステン,クロム,ニッケル,タンタルあるいはそれら
の積層膜によって形成したことを特徴とする薄膜エレク
トロ・ルミネッセンス素子。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれか一つに
記載の薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子において、 上記補助金属電極は、陽極酸化および加熱処理によって
その表面が酸化物に変質していることを特徴とする薄膜
エレクトロ・ルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4102827A JPH05299177A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4102827A JPH05299177A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299177A true JPH05299177A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14337856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4102827A Pending JPH05299177A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299177A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001236027A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-08-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| EP1182910A1 (en) * | 1999-04-02 | 2002-02-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| JP2002535822A (ja) * | 1999-01-22 | 2002-10-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 所定のセグメント化されたパターンを表示するエレクトロルミネッセント表示面体およびその製造方法 |
| JP2007026932A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Konica Minolta Holdings Inc | 発光パネル |
| JP2010034079A (ja) * | 2009-11-11 | 2010-02-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| US7994705B2 (en) | 2000-02-16 | 2011-08-09 | Idemitsu Kosan Co. | Actively driven organic EL device and manufacturing method thereof |
| JP2012138378A (ja) * | 2012-04-17 | 2012-07-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2013058484A (ja) * | 1999-12-15 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気器具 |
| US8455873B2 (en) | 2003-08-29 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronics device, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US8599112B2 (en) | 2008-01-16 | 2013-12-03 | Sony Corporation | Display device |
| US8723417B2 (en) | 2003-08-29 | 2014-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US8968822B2 (en) | 2002-03-07 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of fabricating the same |
| US9373809B2 (en) | 2011-05-27 | 2016-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent device and method of manufacturing thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134895A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nec Corp | 薄膜ｅｌパネル |
| JPH02170393A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH02230693A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-13 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ表示素子 |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP4102827A patent/JPH05299177A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134895A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nec Corp | 薄膜ｅｌパネル |
| JPH02170393A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH02230693A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-13 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002535822A (ja) * | 1999-01-22 | 2002-10-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 所定のセグメント化されたパターンを表示するエレクトロルミネッセント表示面体およびその製造方法 |
| EP1182910A1 (en) * | 1999-04-02 | 2002-02-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| EP1182910A4 (en) * | 1999-04-02 | 2006-10-18 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT SCREEN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| JP2013235861A (ja) * | 1999-12-15 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気器具 |
| JP2001236027A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-08-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2015065180A (ja) * | 1999-12-15 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気器具 |
| US8754577B2 (en) | 1999-12-15 | 2014-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device |
| JP2013058484A (ja) * | 1999-12-15 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気器具 |
| US7994705B2 (en) | 2000-02-16 | 2011-08-09 | Idemitsu Kosan Co. | Actively driven organic EL device and manufacturing method thereof |
| US10170724B2 (en) | 2002-03-07 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of fabricating the same |
| US11005062B2 (en) | 2002-03-07 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of fabricating the same |
| US8968822B2 (en) | 2002-03-07 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of fabricating the same |
| US8723417B2 (en) | 2003-08-29 | 2014-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US10903402B2 (en) | 2003-08-29 | 2021-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US10367124B2 (en) | 2003-08-29 | 2019-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US8455873B2 (en) | 2003-08-29 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronics device, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP2007026932A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Konica Minolta Holdings Inc | 発光パネル |
| US9024848B2 (en) | 2008-01-16 | 2015-05-05 | Sony Corporation | Display device |
| US10373552B2 (en) | 2008-01-16 | 2019-08-06 | Sony Corporation | Display device having a multilayer wiring structure including a wiring in a lower electrode layer |
| US10529280B2 (en) | 2008-01-16 | 2020-01-07 | Sony Corporation | Display device |
| US8599112B2 (en) | 2008-01-16 | 2013-12-03 | Sony Corporation | Display device |
| JP2010034079A (ja) * | 2009-11-11 | 2010-02-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| US9373809B2 (en) | 2011-05-27 | 2016-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent device and method of manufacturing thereof |
| JP2012138378A (ja) * | 2012-04-17 | 2012-07-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
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