JPH05288904A - Manufacture of optical component - Google Patents
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- JPH05288904A JPH05288904A JP4114165A JP11416592A JPH05288904A JP H05288904 A JPH05288904 A JP H05288904A JP 4114165 A JP4114165 A JP 4114165A JP 11416592 A JP11416592 A JP 11416592A JP H05288904 A JPH05288904 A JP H05288904A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、液晶パネルや固体撮
像素子の開口率向上に使用されるマイクロレンズアレイ
のようなレンズ、またはこのレンズを備えた発光素子ア
レイ、受光素子アレイなどからなる光学部品の製造法に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lens such as a microlens array used for improving the aperture ratio of a liquid crystal panel or a solid-state image pickup device, or an optical device including a light emitting device array or a light receiving device array provided with this lens. The present invention relates to a method of manufacturing parts.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、CCDエリアセンサーやCCDラ
インセンサーなどのような画像入力用受光素子アレイに
おいては、高精細化が促進され、それにともなって画素
寸法が小さくなるにしたがって、画素ごとの実効受光面
積が小さくなり、感度の低下を招いている。この感度を
向上させるために、画素中の受光エリアに選択的に入射
光を集光させるマイクロレンズなどのような光学部品を
各画素上に設置する方法が採用されている。2. Description of the Related Art In recent years, in a light-receiving element array for image input such as a CCD area sensor or a CCD line sensor, high definition has been promoted, and the pixel size has been reduced accordingly. The area is small, which causes a decrease in sensitivity. In order to improve this sensitivity, a method is adopted in which an optical component such as a microlens that selectively collects incident light is installed on each pixel in a light receiving area in the pixel.
【0003】また、液晶パネルにおいても、高精細化が
進んだ結果、光線不透過部である配線の占める面積の増
加に反して、光線透過部の面積の割合(開口率)が低下
し、表示が暗くなるという問題が発生しており、この問
題を解決するためにも、各画素上にマイクロレンズのよ
うな光学部品を設置して、照明光を画素中の受光エリア
に集光させることが提案されている。Further, in the liquid crystal panel, as a result of the higher definition, the area ratio (aperture ratio) of the light transmitting portion is decreased in contrast to the increase in the area occupied by the wiring which is the light non-transmitting portion. In order to solve this problem, it is possible to install an optical component such as a microlens on each pixel to focus the illumination light on the light receiving area in the pixel. Proposed.
【0004】ところで、従来から知られているマイクロ
レンズのような光学部品の種類としては、表面のレリー
フパターンよりなる凸レンズ形状をしたものやフレネル
レンズ形状をしたものなどがあり、これらは樹脂または
無機材料を用いて形成できることが知られている。ま
た、表面が平坦で樹脂または無機材料中に屈折率分布を
形成したものや、表面形状と屈折率分布とを兼ね備えた
ものも知られている。Incidentally, conventionally known types of optical components such as microlenses include those having a convex lens shape having a relief pattern on the surface and those having a Fresnel lens shape. These are made of resin or inorganic material. It is known that it can be formed using a material. Also known are those having a flat surface with a refractive index distribution formed in a resin or an inorganic material, and those having both a surface shape and a refractive index distribution.
【0005】上記した従来の種々のマイクロレンズのよ
うな光学部品のうち、樹脂で凸レンズ形状を形成するも
のは、フォトリソグラフィー技術によって表面に、例え
ば円柱状のパターンを形成したのち、加熱して流動さ
せ、表面張力によって球面状の光学部品のパターンを形
成する方法が採られており、また、無機材料で凸レンズ
形状を形成するものは、エッチング、研磨等の技術を応
用して球面状の光学部品のパターンを形成する方法が採
られている。Among various conventional optical components such as the above-mentioned microlenses, those having a convex lens shape made of resin are formed by forming a columnar pattern on the surface by photolithography and then heating and flowing. Then, a method of forming a pattern of a spherical optical component by surface tension is adopted, and a method of forming a convex lens shape with an inorganic material is a spherical optical component by applying a technique such as etching and polishing. The method of forming the pattern is adopted.
【0006】また、樹脂や無機材料でフレネルレンズ形
状を形成するものは、フォトレジストを用いて、電子線
あるいはレーザー光を使用して描画して光学部品のパタ
ーンを形成する方法が採られている。For forming a Fresnel lens shape with a resin or an inorganic material, a method of forming a pattern of an optical component by using a photoresist and drawing with an electron beam or a laser beam is adopted. ..
【0007】さらに、表面が平坦で屈折率分布を形成す
るものは、ガラス基板に対して適当なマスクを施した
上、イオン交換あるいはイオン注入によって形成する方
法や、樹脂中で屈折率の異なるモノマーを分布させてか
ら重合する方法などが採られている。Further, those having a flat surface and forming a refractive index distribution include a method in which a glass substrate is provided with an appropriate mask and then ion exchange or ion implantation is performed, or a monomer having a different refractive index in a resin is used. The method of polymerizing after distributing is adopted.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の光学部品の製造方法のうち、フォトレジスト等で凸レ
ンズパターンを形成したのち、加熱して流動させる方法
は、パターン形状のコントロールが難しいために、再現
性が悪く、特にレンズ間の境目に平坦部分が残りやすく
て、それだけ集光特性が低下するという問題がある。さ
らに、この方法で、曲率半径が大きく焦点距離の長いレ
ンズを形成しようとすれば、パターン面積に比べて僅か
な段差しか形成できないので、表面張力を利用して球面
状のパターンを得ようとしても、レンズの頂点領域に広
い平らな領域が形成されるため、十分な集光特性が得ら
れない問題もある。However, among the above-mentioned conventional methods for manufacturing an optical component, the method of forming a convex lens pattern with photoresist or the like and then heating and flowing it is difficult to control the pattern shape. However, there is a problem that the reproducibility is poor, and a flat portion is likely to remain at the boundary between the lenses, and the condensing characteristic is deteriorated accordingly. Furthermore, if an attempt is made to form a lens having a large radius of curvature and a long focal length by this method, only a small step can be formed compared to the pattern area, so even if an attempt is made to obtain a spherical pattern by using surface tension. Since a wide flat area is formed in the apex area of the lens, there is also a problem that sufficient condensing characteristics cannot be obtained.
【0009】また、無機材料で凸レンズパターンを形成
する方法は、上記と同様にパターン形状のコントロール
が難しくて、生産性が悪い。さらに、フレネルレンズ形
状を描画する方法も、描画時間が長いために、生産性に
欠ける。さらにまた、ガラス等の無機材料上にマスクを
施して屈折率分布を形成する方法は、イオン交換あるい
はイオン注入に長い時間を要するために、生産性が悪
く、樹脂中に屈折率分布を形成する方法も、条件コント
ロールが難しくて再現性が悪いという問題があった。Further, in the method of forming the convex lens pattern with the inorganic material, it is difficult to control the pattern shape and the productivity is poor as in the above case. Further, the method of drawing the Fresnel lens shape also lacks in productivity because the drawing time is long. Furthermore, the method of forming a refractive index distribution by applying a mask on an inorganic material such as glass requires a long time for ion exchange or ion implantation, and thus has poor productivity and forms a refractive index distribution in the resin. The method also had a problem that the condition control was difficult and the reproducibility was poor.
【0010】この発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、レンズ形状を精密にコントロールして集光特性に優
れたレンズパターンを生産性よく、かつ再現性よく形成
することができる光学部品の製造法を提供することを目
的としている。The present invention has been made in view of the above circumstances, and manufactures an optical component capable of accurately controlling the lens shape to form a lens pattern having excellent light-collecting characteristics with high productivity and reproducibility. It is intended to provide the law.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に係る光学部品の製造法は、多数の小レン
ズが所定ピッチで配置されたレンズ群からなる光学部品
を製造する方法において、感光性樹脂膜上にフォトマス
クを介して光学部品のパターンを露光する際に、小レン
ズに対応する部分の配置ピッチが同一で、その部分の面
積が異なる2種類のフォトマスクを用い、小レンズに対
応する部分の面積が大きい方の第1フォトマスクを用い
た第1の露光をする際には解像度良く露光し、小レンズ
に対応する部分の面積が小さい方の第2フォトマスクを
用いた第2の露光をする際には解像度悪く露光し、上記
第1,第2の順序または第2,第1の順序で2回の露光
を行うものである。In order to achieve the above object, an optical component manufacturing method according to the present invention is a method for manufacturing an optical component comprising a lens group in which a large number of small lenses are arranged at a predetermined pitch. , When exposing the pattern of the optical component on the photosensitive resin film through the photomask, use two types of photomasks in which the arrangement pitches of the portions corresponding to the small lenses are the same and the areas of the portions are different. When performing the first exposure using the first photomask having the larger area corresponding to the lens, the second photomask having the smaller area corresponding to the small lens is used for the first exposure. When the second exposure is performed, the exposure is performed with poor resolution, and the exposure is performed twice in the first, second order or the second, first order.
【0012】ここで、解像度良く露光するとは、感光性
樹脂膜上でのフォトマスクの開口部に相当する位置での
光線強度に対し、フォトマスクの遮光部に相当する位置
での光線強度が十分低下していることをいい、例えば、
その強度比が0.1未満であるのが好ましい。また、解
像度悪く露光するとは、上記開口部に相当する位置での
光線強度に対し、フォトマスクの遮光部に相当する位置
での光線強度が比較的高いことをいい、例えば、その光
線強度の比が0.1以上であるのが好ましい。Here, exposure with good resolution means that the light intensity at the position corresponding to the light shielding portion of the photomask is sufficient with respect to the light intensity at the position corresponding to the opening of the photomask on the photosensitive resin film. It means decreasing, for example,
The intensity ratio is preferably less than 0.1. Also, exposure with poor resolution means that the light intensity at the position corresponding to the light shielding portion of the photomask is relatively high with respect to the light intensity at the position corresponding to the opening, and for example, the ratio of the light intensity. Is preferably 0.1 or more.
【0013】上記の方法において、第2の解像度悪く露
光する方法としては、第1の露光の時よりもフォトマス
クと感光性樹脂膜との距離を大きくすること、フォトマ
スクと光源との間に光拡散板を設置すること、または、
投影式の露光装置を用いて、フォーカスの位置を感光性
樹脂膜からずらせて露光することのいずれを採用しても
よい。In the above method, as the second exposure method with poor resolution, the distance between the photomask and the photosensitive resin film is made larger than that in the first exposure, and the distance between the photomask and the light source is increased. Installing a light diffuser, or
Any of using a projection type exposure apparatus to shift the focus position from the photosensitive resin film for exposure may be adopted.
【0014】[0014]
【作用】この発明に係る光学部品の製造法によれば、感
光性樹脂膜上にフォトマスクを介して光学部品のレンズ
パターンを露光する際に、小レンズに対応する部分の面
積が異なる2種類のフォトマスクを用いて、解像度が異
なる2回の露光を行なうことにより、パターン形状をい
びつにすることなく、精密にコントロールして、集光効
率のよいレンズパターンを生産性よく形成することがで
きる。According to the method of manufacturing an optical component according to the present invention, when the lens pattern of the optical component is exposed on the photosensitive resin film through the photomask, two kinds of areas corresponding to the small lenses have different areas. By using the photomask of No. 2 and performing the exposure twice with different resolutions, it is possible to form a lens pattern with good light-collecting efficiency with high productivity by controlling precisely without making the pattern shape distorted. ..
【0015】1回目の露光の時よりもフォトマスクと感
光性樹脂膜との距離を大きくすると、光の回折現象によ
り、感光性樹脂膜上でのフォトマスクの開口部と遮光部
に相当する部分間の上記光線強度の比が小さくなる、つ
まりパターン像がぼやけるので、解像度が低下する。ま
た、フォトマスクと光源との間に光拡散板を設置する
と、光の平行度が低下して、やはり解像度が低下する。
さらに、投影式の露光装置を用いて、フォーカスの位置
を感光性樹脂膜からずらせて露光することによっても、
解像度が低下する。When the distance between the photomask and the photosensitive resin film is made larger than that at the time of the first exposure, due to the diffraction phenomenon of light, a portion corresponding to the opening portion and the light shielding portion of the photomask on the photosensitive resin film. The ratio of the above-mentioned ray intensities becomes small, that is, the pattern image is blurred, and the resolution is lowered. Further, if a light diffusing plate is installed between the photomask and the light source, the parallelism of light is lowered and the resolution is also lowered.
Further, by using a projection type exposure apparatus, by shifting the focus position from the photosensitive resin film and exposing,
The resolution is reduced.
【0016】[0016]
【実施例】以下、この発明の実施例を図面にもとづいて
説明する。 実施例1 図1は、この発明による光学部品の一例となるマイクロ
レンズアレイ(光学部品)の設置された液晶パネルの製
造法を示す断面図、図2(a)はそれを製造するときに
使用する第1フォトマスクの平面図、図2(b)は第2
フォトマスクの平面図、図3および図4はそれらフォト
マスクを用いて露光するときの様子を示す図である。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. Example 1 FIG. 1 is a sectional view showing a method for manufacturing a liquid crystal panel having a microlens array (optical part) as an example of an optical part according to the present invention, and FIG. 2 (a) is used when manufacturing it. 2B is a plan view of the first photomask shown in FIG.
Plan views of the photomasks, and FIGS. 3 and 4 are views showing the manner of exposure using the photomasks.
【0017】本実施例で使用する第1フォトマスク15
Aおよび第2フォトマスク15Bの仕様はそれぞれ図2
(a),(b)に示す通りである。これら2種類のフォ
トマスク15Aおよび15Bは、小レンズ4a(図1)
に対応する小レンズパターンを有しており、このパター
ンの配置ピッチは同一で、液晶パネルの画素ピッチに対
応しており、縦方向ピッチpvが200μm、横方向ピ
ッチphが150μmであり、これら配置ピッチpv,
phで平面格子状に小レンズ4aに対応する部分が遮光
部として形成される。上記2種類のフォトマスク15
A,15Bは、その小レンズに対応する部分の面積が異
なるものであり、第1フォトマスク15Aでは、長辺
(L1)180μm、短辺(S1)135μmの長方形
の遮光部13aが形成され、各遮光部13a間に開口部
(透明部)14aが形成されている。また、第2フォト
マスク15Bでは、長辺(L2)が80μm、短辺(S
2)60μmの長方形の遮光部13bが形成され、それ
らの各遮光部13b間に開口部14bが形成されてい
る。The first photomask 15 used in this embodiment.
The specifications of A and the second photomask 15B are shown in FIG.
This is as shown in (a) and (b). These two types of photomasks 15A and 15B are small lenses 4a (FIG. 1).
Corresponding to the pixel pitch of the liquid crystal panel, the vertical pitch pv is 200 μm, and the horizontal pitch ph is 150 μm. Pitch pv,
A portion corresponding to the small lens 4a is formed as a light-shielding portion in a planar lattice shape with ph. Two types of photomask 15
A and 15B have different areas corresponding to the small lenses, and in the first photomask 15A, a rectangular light-shielding portion 13a having a long side (L1) 180 μm and a short side (S1) 135 μm is formed. An opening portion (transparent portion) 14a is formed between each light shielding portion 13a. In the second photomask 15B, the long side (L2) is 80 μm and the short side (S
2) A 60 μm rectangular light-shielding portion 13b is formed, and an opening 14b is formed between these light-shielding portions 13b.
【0018】そして、図3に示すように、ガラス基板1
8上に、感光性樹脂膜として厚さ15μmの市販のポジ
型フォトレジスト19を形成し、そのフォトレジスト1
9の上に、上記した第1フォトマスク15Aをマスクア
ライナーを介して設置して、1回目(第1)の露光を行
なう。この1回目の露光時における第1フォトマスク1
5Aとフォトレジスト19の表面との距離(プリントギ
ャップ)gは10μmに、また露光量は50mJ/cm
2 に設定して解像度良く露光する。この1回目の露光に
より、図5(a)に示すように、短辺方向の断面形状に
おいて、第1フォトマスク15Aの開口部14aに対応
する部分16aが露光され、遮光部13aに対応する部
分が平らな未露光部17aとして残る。Then, as shown in FIG. 3, the glass substrate 1
A commercially available positive photoresist 19 having a thickness of 15 μm is formed as a photosensitive resin film on the photoresist 8.
The first photomask 15A described above is placed on the substrate 9 through the mask aligner, and the first (first) exposure is performed. The first photomask 1 at the time of this first exposure
The distance (print gap) g between 5A and the surface of the photoresist 19 is 10 μm, and the exposure amount is 50 mJ / cm 2.
Set to 2 to expose with good resolution. By this first exposure, as shown in FIG. 5A, in the cross-sectional shape in the short side direction, the portion 16a corresponding to the opening 14a of the first photomask 15A is exposed, and the portion corresponding to the light shielding portion 13a. Remains as a flat unexposed portion 17a.
【0019】引き続いて、上記1回目の露光が終了した
フォトレジスト19の上に、図4のように、第2フォト
マスク15Bをマスクアライナーを介して設置して、2
回目(第2)の露光を行なう。この2回目の露光時にお
ける第2フォトマスク15Bとフォトレジスト19の表
面との距離(プリントギャップ)gは1000μmに広
げるとともに、露光量は25mJ/cm2 に設定して解
像度悪く露光する。この2回目の露光により、図5
(b)に示すように、短辺方向の断面形状において、第
2フォトマスク15Bの開口部14bに対応する1回目
の露光よりも広い部分16bが露光され、遮光部13b
に対応する1回目の未露光部17aの頂部付近のみが未
露光部17bとして残る。ここで、図5(a)は露光後
の状態を示し、図5(b)は露光・現像後の状態を示し
ている。Then, as shown in FIG. 4, a second photomask 15B is placed via a mask aligner on the photoresist 19 which has been subjected to the first exposure, and the second photomask 15B is formed.
The second (second) exposure is performed. The distance (print gap) g between the second photomask 15B and the surface of the photoresist 19 at the time of the second exposure is expanded to 1000 μm, and the exposure amount is set to 25 mJ / cm 2 to perform exposure with poor resolution. By this second exposure, as shown in FIG.
As shown in (b), in the cross-sectional shape in the short side direction, a portion 16b wider than the first exposure corresponding to the opening 14b of the second photomask 15B is exposed, and the light shielding portion 13b is exposed.
In the vicinity of the top of the first unexposed portion 17a corresponding to, the unexposed portion 17b remains. Here, FIG. 5A shows the state after exposure, and FIG. 5B shows the state after exposure and development.
【0020】以上のような1回目および2回目の露光後
に、アルカリ水溶液を用いて現像することにより、段差
(t)が13μmで、多数の球面状の小レンズ4aが同
一のピッチで配置されたレンズ群からなるマイクロレン
ズアレイパターン4が形成される。After the first and second exposures as described above, by developing with an alkaline aqueous solution, a step (t) is 13 μm and a large number of spherical small lenses 4a are arranged at the same pitch. A microlens array pattern 4 including lens groups is formed.
【0021】上記のようにして形成されたマイクロレン
ズアレイパターン4を備えた図4のガラス基板18に紫
外線を全面照射することにより、フォトレジスト19の
着色を解消する。そして、上記マイクロレンズアレイパ
ターン4付きのガラス基板18の下側に、図1に示すよ
うに、上側透明絶縁基板5、共通電極6、ブラックマト
リクス7、液晶8、TFT9および透明画素電極10、
下側透明絶縁基板11、および下側偏光板12を積層し
て、液晶パネル本体20を作製し、上記ガラス基板18
上に、上側偏光板2および照明用光源1をそれぞれ積層
配置することによって、所定の液晶パネル21を組立製
造する。このように製造された液晶パネル21において
は、マイクロレンズアレイパターン4の存在により、そ
の裏面から照明光を照射した場合の透明光の明るさが、
マイクロレンズアレイパターンのないものに比べて、
1.50倍に向上していた。By irradiating the entire surface of the glass substrate 18 of FIG. 4 having the microlens array pattern 4 formed as described above with ultraviolet rays, coloring of the photoresist 19 is eliminated. Then, on the lower side of the glass substrate 18 with the microlens array pattern 4, as shown in FIG. 1, the upper transparent insulating substrate 5, the common electrode 6, the black matrix 7, the liquid crystal 8, the TFT 9 and the transparent pixel electrode 10,
The lower transparent insulating substrate 11 and the lower polarizing plate 12 are laminated to produce a liquid crystal panel body 20, and the glass substrate 18
A predetermined liquid crystal panel 21 is assembled and manufactured by stacking and arranging the upper polarizing plate 2 and the illumination light source 1 on the upper side. In the liquid crystal panel 21 manufactured as described above, the brightness of the transparent light when the illumination light is emitted from the back surface of the microlens array pattern 4 is
Compared to the one without microlens array pattern,
It was improved by 1.50 times.
【0022】つぎに、上記実施例1による液晶パネル2
1と、それに対する比較例1〜3による液晶パネルとの
明るさの比較結果について、以下説明する。その説明か
ら、上記実施例1に示す液晶パネル21の表示の明るさ
が向上していることが判るであろう。Next, the liquid crystal panel 2 according to the first embodiment described above.
The result of comparing the brightness of the liquid crystal panel of Example 1 with the liquid crystal panels of Comparative Examples 1 to 3 will be described below. From the explanation, it will be understood that the display brightness of the liquid crystal panel 21 shown in the first embodiment is improved.
【0023】比較例1 実施例1で示した図2の第1フォトマスク15Aのみを
用いて、プリントギャップ10μmで、かつ50mJ/
cm2 の露光量に設定して1回だけの露光を行ない、実
施例1と同様に現像する。これによって形成されたマイ
クロレンズアレイパターンは、段差(t)が14μm
で、短辺方向の断面形状は、図6に示すように、小レン
ズ4aの頂部に平らな部分が形成された形状となり、所
望の球面形状が得られなかった。これを実施例1と同様
に、液晶パネルに組立てて、その裏面から照明光を照射
したときの透過光の明るさを測定したところ、マイクロ
レンズアレイパターンのないものに比べて、1.15倍
であった。Comparative Example 1 Using only the first photomask 15A of FIG. 2 shown in Example 1, with a print gap of 10 μm and 50 mJ /
The exposure amount is set to cm 2 , exposure is performed only once, and development is performed in the same manner as in Example 1. The microlens array pattern thus formed has a step (t) of 14 μm.
As shown in FIG. 6, the cross-sectional shape in the short side direction was a shape in which a flat portion was formed on the top of the small lens 4a, and a desired spherical shape could not be obtained. This was assembled into a liquid crystal panel in the same manner as in Example 1, and the brightness of the transmitted light when the illumination light was irradiated from the back surface thereof was measured. As a result, it was 1.15 times higher than that without the microlens array pattern. Met.
【0024】比較例2 実施例1で示した図2(b)の第2フォトマスク15B
のみを用いて、プリントギャップ1000μmで、かつ
75mJ/cm2 の露光量に設定して1回だけの露光を
行ない、実施例1と同様に現像する。これによって形成
されたマイクロレンズアレイパターンは、段差(t)が
12μmで、短辺方向の断面形状は、図7に示すよう
に、小レンズ4aの隣接間の境目の谷部分が広く形成さ
れた形状となり、これを実施例1と同様に、液晶パネル
に組立てて、その裏面から照明光を照射したときの透過
光の明るさを測定したところ、マイクロレンズアレイパ
ターンのないものに比べて、1.20倍であった。Comparative Example 2 Second photomask 15B shown in FIG. 2 (b) shown in Example 1
Using only the above, the print gap is set to 1000 μm, the exposure amount is set to 75 mJ / cm 2 , the exposure is performed only once, and the development is performed in the same manner as in Example 1. The microlens array pattern formed by this has a step (t) of 12 μm, and the cross-sectional shape in the short side direction is such that the valley portion of the boundary between the adjacent small lenses 4a is wide, as shown in FIG. As shown in Example 1, when the same was assembled into a liquid crystal panel and the brightness of the transmitted light when the illumination light was irradiated from the back surface was measured, it was found to be 1 compared with that without the microlens array pattern. It was 20 times.
【0025】比較例3 実施例1で示した図2(a)の第1フォトマスク15A
を用いて、プリントギャップ100μmで、かつ40m
J/cm2 の露光量に設定して1回目の露光を行ない、
続いて、実施例1で示した図3の第2フォトマスク15
Bを用いて、上記1回目と同様に、プリントギャップ1
00μmで、かつ40mJ/cm2 の露光量に設定して
2回目の露光を行ない、つまり、1回目と同一の解像度
で露光を行ない、実施例1と同様に現像する。これによ
って形成されたマイクロレンズアレイパターンは、段差
(t)が13μmで、短辺方向の断面形状は、図8に示
すように、小レンズ4a部分が少しいびつに形成された
形状であり、これを実施例1と同様に、液晶パネルに組
立てて、その裏面から照明光を照射したときの透過光の
明るさを測定したところ、マイクロレンズアレイパター
ンのないものに比べて、1.10倍であった。Comparative Example 3 First photomask 15A shown in FIG. 2A shown in Example 1
Print gap of 100 μm and 40 m
Set the exposure amount to J / cm 2 and perform the first exposure,
Then, the second photomask 15 shown in FIG.
Using B, the print gap 1
The second exposure is performed by setting the exposure amount to 00 μm and 40 mJ / cm 2 , that is, the exposure is performed at the same resolution as the first exposure, and the development is performed in the same manner as in Example 1. The microlens array pattern formed by this has a step (t) of 13 μm, and the cross-sectional shape in the short side direction is a shape in which the small lens 4a portion is slightly distorted as shown in FIG. Was assembled into a liquid crystal panel in the same manner as in Example 1 and the brightness of the transmitted light when the illumination light was emitted from the back surface thereof was measured. As a result, it was 1.10 times higher than that without the microlens array pattern. there were.
【0026】実施例2 本実施例では、上記実施例1と同様に、液晶パネルの開
口率の向上用のマイクロレンズアレイパターンを作製し
た。本実施例で使用した第1フォトマスク25Aおよび
第2フォトマスク25Bを、それぞれ図9(a),
(b)に示す。これらフォトマスク25A,25Bは、
上記実施例1で使用した2種のフォトマスク15Aおよ
び15Bと寸法仕様が同一で、白黒の反転したもの、つ
まり、小レンズに対応する部分が開口部14aおよび1
4bとされたフォトマスクを使用したものである。Example 2 In this example, a microlens array pattern for improving the aperture ratio of a liquid crystal panel was prepared in the same manner as in Example 1 above. The first photomask 25A and the second photomask 25B used in this embodiment are respectively shown in FIG.
It shows in (b). These photomasks 25A and 25B are
The size specifications are the same as those of the two types of photomasks 15A and 15B used in the first embodiment, and the black and white inverted ones, that is, the portions corresponding to the small lenses are the openings 14a and 1a.
4b is used for the photomask.
【0027】そして、ガラス基板18上に、メチルメタ
クリレートと2−ブテニルメタクリートの共重合体とm
−ベンゾイルベンゾフェノンの混合物よりなる特殊感光
性樹脂膜(特開平3−15070号公報参照)を厚さ5
0μmに形成する。この樹脂膜の上に上記第1フォトマ
スク25Aをマスクアライナーを介して設置して、1回
目の露光を行なう。この1回目の露光時における第1フ
ォトマスク25Aと樹脂膜の表面との距離(プリントギ
ャップ)gは10μmに、また露光量は10000mJ
/cm2 に設定して解像度良く露光する。On the glass substrate 18, a copolymer of methyl methacrylate and 2-butenyl methacrylate and m
A special photosensitive resin film made of a mixture of benzoylbenzophenone (see JP-A-3-15070) with a thickness of 5
It is formed to 0 μm. The first photomask 25A is placed on the resin film via a mask aligner, and the first exposure is performed. The distance (print gap) g between the first photomask 25A and the surface of the resin film during this first exposure is 10 μm, and the exposure amount is 10,000 mJ.
/ Cm 2 and expose with good resolution.
【0028】引き続いて、上記1回目の露光が終了した
樹脂膜の上に上記第2フォトマスク25Bをマスクアラ
イナーを介して設置して、2回目の露光を行なう。この
2回目の露光時における第2フォトマスク25Bと樹脂
膜の表面との距離(プリントギャップ)gは100μm
に設定するとともに、第2フォトマスク25Bと光源と
の間に石英製のすりガラス(図示せず)を設置して、5
000mJ/cm2 の露光量で解像度悪く露光する。こ
の2回目の露光後に真空加熱することにより、未反応の
m−ベンゾイルベンゾフェノンを除去する。これによっ
て、図10に示すように、短辺方向の断面形状におい
て、段差(t)が12μmで、多数の小レンズ4aが同
一のピッチで配置されたレンズ群からなるマイクロレン
ズアレイパターン4が形成された。Subsequently, the second photomask 25B is placed on the resin film after the first exposure is completed via a mask aligner, and the second exposure is performed. The distance (print gap) g between the second photomask 25B and the surface of the resin film at the time of the second exposure is 100 μm.
And setting a quartz frosted glass (not shown) between the second photomask 25B and the light source.
Exposure is performed with poor resolution at an exposure dose of 000 mJ / cm 2 . After the second exposure, vacuum heating is performed to remove unreacted m-benzoylbenzophenone. As a result, as shown in FIG. 10, in the cross-sectional shape in the short side direction, a microlens array pattern 4 is formed which is a lens group in which a step (t) is 12 μm and a large number of small lenses 4a are arranged at the same pitch. Was done.
【0029】上記のように形成されたマイクロレンズア
レイパターン4を、上記実施例1と同様に、液晶パネル
の光入射面側に配置して、図1に示すような液晶パネル
21を組立製造する。この液晶パネル21に、その裏面
から照明光を照射した場合の透明光の明るさは、マイク
ロレンズアレイパターンのないものに比べて、1.55
倍に向上していた。The microlens array pattern 4 formed as described above is arranged on the light incident surface side of the liquid crystal panel in the same manner as in the first embodiment, and the liquid crystal panel 21 as shown in FIG. 1 is assembled and manufactured. .. The brightness of the transparent light when the liquid crystal panel 21 is illuminated with the illumination light from the back surface is 1.55 as compared with that without the microlens array pattern.
It was doubled.
【0030】実施例3 図11は、この発明の他の実施例による製造法によって
得られるマイクロレンズアレイ付きのCCDエリアセン
サーの断面図、図12および図13はそれを製造する際
の第1および第2フォトマスクによる露光の様子を示す
図である。Embodiment 3 FIG. 11 is a sectional view of a CCD area sensor with a microlens array obtained by a manufacturing method according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 12 and 13 are first and second views for manufacturing the same. It is a figure which shows the mode of exposure by a 2nd photomask.
【0031】本実施例で使用する第1フォトマスク15
Aおよび第2フォトマスク15Bは、図2に示したもの
であり、その仕様はそれぞれ次の通りである。これらフ
ォトマスク15Aおよび15Bは、小レンズ4a(図1
1)に対応する小レンズパターンの配置ピッチが同一
で、CCDの画素ピッチに対応しており、縦方向ピッチ
pvが15μm、横方向ピッチphが12μmであり、
この配置ピッチpv,phで平面格子状に小レンズ4a
に対応する部分が遮光部として形成される。上記2種類
のフォトマスク15A,15Bは、小レンズ4aに対応
する部分の面積が異なるものであり、第1フォトマスク
15Aでは、長辺13μm、短辺10μmの長方形の遮
光部13aが形成され、それらの各遮光部13a間に開
口部14aが形成されており、また、第2フォトマスク
15Bでは、長辺6μm、短辺4μmの長方形の遮光部
13bが形成され、それらの各遮光部13b間に開口部
14bが形成されている。First photomask 15 used in this embodiment
A and the second photomask 15B are those shown in FIG. 2, and their specifications are as follows. These photomasks 15A and 15B include the small lens 4a (see FIG.
The arrangement pitch of the small lens patterns corresponding to 1) is the same and corresponds to the pixel pitch of the CCD, the vertical pitch pv is 15 μm, and the horizontal pitch ph is 12 μm.
The small lenses 4a are arranged in a plane lattice with the arrangement pitches pv and ph.
Is formed as a light-shielding portion. The two types of photomasks 15A and 15B are different in the area of the portion corresponding to the small lens 4a. In the first photomask 15A, a rectangular light-shielding portion 13a having a long side of 13 μm and a short side of 10 μm is formed. An opening 14a is formed between each of the light shielding portions 13a, and a rectangular light shielding portion 13b having a long side of 6 μm and a short side of 4 μm is formed in the second photomask 15B, and between the respective light shielding portions 13b. An opening 14b is formed in the.
【0032】そして、図12のガラス基板18上に感光
性樹脂膜として厚さ5μmの市販のポジ型フォトレジス
ト19を形成し、そのフォトレジスト19に対向させて
上記第1フォトマスク15Aを配置して、図12に示す
ように、台形ミラー23、凹面鏡24および凸面鏡25
などからなるミラープロジェクション露光装置26(投
影式の露光装置)を使用して1回目の露光を行なう。こ
の時のフォーカスfは、フォトレジスト面に合わせ、2
0mJ/cm2 の露光量に設定することで、解像度良い
露光を行なった。Then, a commercially available positive photoresist 19 having a thickness of 5 μm is formed as a photosensitive resin film on the glass substrate 18 of FIG. 12, and the first photomask 15A is arranged so as to face the photoresist 19. As shown in FIG. 12, the trapezoidal mirror 23, the concave mirror 24, and the convex mirror 25
The first exposure is performed using the mirror projection exposure apparatus 26 (projection type exposure apparatus) including the above. The focus f at this time is adjusted to the photoresist surface,
By setting the exposure amount to 0 mJ / cm 2 , exposure with good resolution was performed.
【0033】引き続いて、図13に示すように、上記第
2フォトマスク15Bを配置するとともに、上記ミラー
プロジェクション露光装置26のフォーカスfをフォト
レジスト面から10μmずらし、10mJ/cm2 の露
光量で2回目の解像度悪い露光を行なった。Subsequently, as shown in FIG. 13, the second photomask 15B is arranged, and the focus f of the mirror projection exposure device 26 is shifted by 10 μm from the photoresist surface, and the exposure amount of 10 mJ / cm 2 is set to 2. The second exposure was performed with poor resolution.
【0034】以上のような1回目および2回目の露光後
に、アルカリ水溶液を用いて現像することによって、図
14に示すように、段差(t)が4μmで、多数の球面
状の小レンズ4aが同一のピッチで配置されたレンズ群
からなるマイクロレンズアレイパターン4が形成され
た。After the first and second exposures as described above, by developing with an alkaline aqueous solution, as shown in FIG. 14, a large number of spherical small lenses 4a having a step (t) of 4 μm are formed. The microlens array pattern 4 including the lens groups arranged at the same pitch was formed.
【0035】こうして形成されたマイクロレンズアレイ
パターン4に紫外線を全面照射することにより、フォト
レジスト19の着色を解消する。そして、上記マイクロ
レンズアレイパターン4を、図11に示すように、シリ
コンウエハーなどの基板27上に、各小レンズ4aとC
CDエリアセンサー28の各画素受光部29および非受
光部30との位置合わせを行なって組立ることにより、
マイクロレンズアレイパターン4付きのCCDエリアセ
ンサー28を製造する。こうして得られたCCDエリア
センサー28は、マイクロレンズアレイパターン4の存
在により、それのないものと比べて1.50倍の感度の
向上が図れた。By irradiating the surface of the microlens array pattern 4 thus formed with ultraviolet rays, coloring of the photoresist 19 is eliminated. Then, as shown in FIG. 11, the microlens array pattern 4 is formed on the substrate 27 such as a silicon wafer by using the small lenses 4a and C.
By aligning and assembling each pixel light receiving portion 29 and non-light receiving portion 30 of the CD area sensor 28,
The CCD area sensor 28 with the microlens array pattern 4 is manufactured. Due to the presence of the microlens array pattern 4, the CCD area sensor 28 thus obtained was 1.50 times more sensitive than a sensor without it.
【0036】なお、2回目の露光において解像度悪く露
光する方法として、図15に示すように、フォトマスク
15A,15Bと光源31との間に、光拡散板32を設
置してもよい。As a method of exposing with low resolution in the second exposure, as shown in FIG. 15, a light diffusion plate 32 may be installed between the photomasks 15A and 15B and the light source 31.
【0037】また、上記各実施例では、市販のポジ型フ
ォトレジストや特殊なネガ型のフォトレジストを使用し
たが、光パターンの形成が可能であれば、その使用材料
は特に限定されない。また、第1フォトマスク、第2フ
ォトマスクともに長方形の開口部または遮光部を組合せ
たパターンで説明したが、それらパターンの形状は長方
形に制限されるものでなく、例えば楕円形、6角形、8
角形など用途、画素配置等を考慮に入れて適当な形状に
設定すればよく、第1フォトマスクと第2フォトマスク
でパターンの形状を異にしてもよい。In each of the above embodiments, a commercially available positive photoresist or a special negative photoresist was used, but the material used is not particularly limited as long as it can form an optical pattern. Further, although the first photomask and the second photomask have been described with the pattern in which the rectangular opening portions or the light shielding portions are combined, the shape of the patterns is not limited to the rectangular shape, and may be, for example, an elliptical shape, a hexagonal shape, or a hexagonal shape.
The shape of the pattern may be different between the first photomask and the second photomask, as long as the shape is set in consideration of the use such as a prism and the pixel arrangement.
【0038】また、上記実施例3においては、投影式の
露光装置として、ミラープロジェクション露光装置を使
用したが、ステッパ等の他の投影式の露光装置を用いて
もよい。また、実施例3では、CCDエリアセンサーの
製造法について説明したが、ラインセンサーの製造に適
用してもよい。In the third embodiment, the mirror projection exposure apparatus is used as the projection type exposure apparatus, but another projection type exposure apparatus such as a stepper may be used. Further, although the method of manufacturing the CCD area sensor has been described in the third embodiment, it may be applied to the manufacturing of the line sensor.
【0039】また、上記実施例1および2においては、
マイクロレンズアレイパターンを形成したガラス基板を
液晶パネル上に押し付けたが、液晶パネル上に直接にマ
イクロレンズアレイパターンを形成してもよく、また、
透明電極とブラックマトリクスのみを形成したガラス基
板上にマイクロレンズアレイパターンを形成したのち、
液晶パネルの組立を行なってもよい。さらに、液晶パネ
ル上の入射側に設置された偏光板の上にマイクロレンズ
アレイパターンを形成してもよい。Further, in the above-mentioned Examples 1 and 2,
Although the glass substrate on which the microlens array pattern is formed is pressed onto the liquid crystal panel, the microlens array pattern may be directly formed on the liquid crystal panel.
After forming a microlens array pattern on a glass substrate on which only transparent electrodes and black matrix are formed,
The liquid crystal panel may be assembled. Further, the microlens array pattern may be formed on the polarizing plate provided on the incident side of the liquid crystal panel.
【0040】さらに、上記各実施例において、現像処理
によって形成されたマイクロレンズアレイパターンに対
して熱処理を施してレンズ形状を一層滑らかにしてもよ
く、また、上記各実施例では、光パターン形成したマイ
クロレンズアレイをそのまま開口率向上用に使用した
が、マイクロレンズアレイの複製を作製してから、この
複製を使用することも可能である。Further, in each of the above embodiments, the microlens array pattern formed by the development process may be subjected to heat treatment to make the lens shape smoother. In each of the above embodiments, an optical pattern is formed. Although the microlens array was used as it is for improving the aperture ratio, it is also possible to make a duplicate of the microlens array and then use this duplicate.
【0041】さらにまた、上記実施例では、液晶パネル
およびCCDエリアセンサーの製造法に適用したもので
説明したが、この発明は、光通信用の発光素子アレイ、
光ファイバーアレイ、受光素子アレイなどの各種の光学
素子に対するマイクロレンズアレイパターンの形成に応
用することが可能である。Furthermore, in the above-mentioned embodiment, the description has been made on the case of being applied to the manufacturing method of the liquid crystal panel and the CCD area sensor, but the present invention is a light emitting element array for optical communication,
It can be applied to the formation of a microlens array pattern for various optical elements such as an optical fiber array and a light receiving element array.
【0042】[0042]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、レン
ズに対応する部分の面積の異なる2種類のフォトマスク
を使用して、解像度が異なる2回の露光を行なうことに
より、レンズ形状をいびつにしたり、平坦部を残したり
するようなことなく、その断面形状を精密にコントロー
ルすることができる。したがって、集光効率のよいレン
ズパターンをもつ光学部品を、再現性よく、また生産性
よく製造することができる。As described above, according to the present invention, by using two types of photomasks having different areas of the portions corresponding to the lenses, the exposure is performed twice with different resolutions, so that the lens shape is changed. It is possible to precisely control the cross-sectional shape without causing distorting or leaving a flat portion. Therefore, it is possible to manufacture an optical component having a lens pattern with good light collection efficiency with good reproducibility and high productivity.
【図1】この発明による光学部品の製造法の一例となる
マイクロレンズアレイ付き液晶パネルの製造法を示す断
面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a liquid crystal panel with a microlens array, which is an example of a method of manufacturing an optical component according to the present invention.
【図2】(a)は同製造法において使用する第1フォト
マスク、(b)は第2フォトマスクをそれぞれ示す平面
図である。FIG. 2A is a plan view showing a first photomask used in the same manufacturing method, and FIG. 2B is a plan view showing a second photomask.
【図3】1回目の露光時の様子を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a state during a first exposure.
【図4】2回目の露光時の様子を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a state during a second exposure.
【図5】(a)は1回目の露光後の要部の状態を示す
図、(b)は2回目の露光・現像後の要部の状態を示す
図である。5A is a diagram showing a state of a main part after the first exposure, and FIG. 5B is a diagram showing a state of a main part after the second exposure / development.
【図6】比較例1の露光・現像後の要部の状態を示す図
である。FIG. 6 is a diagram showing a state of a main part after exposure and development in Comparative Example 1.
【図7】比較例2の露光・現像後の要部の状態を示す図
である。FIG. 7 is a diagram showing a state of a main part after exposure and development in Comparative Example 2.
【図8】比較例3の露光・現像後の要部の状態を示す図
である。FIG. 8 is a diagram showing a state of a main part after exposure and development in Comparative Example 3.
【図9】第1および第2フォトマスクの他の例を示す平
面図である。FIG. 9 is a plan view showing another example of the first and second photomasks.
【図10】この発明の他の実施例によるマイクロレンズ
アレイ付き液晶パネルの製造プロセスで、2回目の露光
・現像後の要部の状態を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a state of a main part after the second exposure and development in the manufacturing process of the liquid crystal panel with the microlens array according to another embodiment of the present invention.
【図11】この発明による光学部品の製造法の他の例と
なるマイクロレンズアレイ付きCCDエリアセンサーの
製造法を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a CCD area sensor with a microlens array, which is another example of the method of manufacturing an optical component according to the present invention.
【図12】同製造法における1回目の露光時の様子を示
す図である。FIG. 12 is a diagram showing a state at the time of the first exposure in the same manufacturing method.
【図13】同製造法における2回目の露光時の様子を示
す図である。FIG. 13 is a diagram showing a state at the time of second exposure in the same manufacturing method.
【図14】同2回目の露光・現像後の要部の状態を示す
図である。FIG. 14 is a diagram showing a state of a main part after the second exposure and development.
【図15】この発明のさらに他の実施例による2回目の
露光状態を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a second exposure state according to still another embodiment of the present invention.
4a…小レンズ、4…マイクロレンズアレイパターン
(光学部品)、15A,25A…第1フォトマスク、1
5B,25B…第2フォトマスク、19…フォトレジス
ト(感光性樹脂膜)、26…ミラープロジェクション露
光装置(投影式の露光装置)、31…光源、32…光拡
散板。4a ... small lens, 4 ... microlens array pattern (optical component), 15A, 25A ... first photomask, 1
5B, 25B ... Second photomask, 19 ... Photoresist (photosensitive resin film), 26 ... Mirror projection exposure apparatus (projection type exposure apparatus), 31 ... Light source, 32 ... Light diffusion plate.
Claims (4)
たレンズ群からなる光学部品を製造する方法において、
感光性樹脂膜上にフォトマスクを介して光学部品のパタ
ーンを露光する際に、小レンズに対応する部分の配置ピ
ッチが同一で、その部分の面積が異なる2種類のフォト
マスクを用い、小レンズに対応する部分の面積が大きい
方の第1フォトマスクを用いた第1の露光をする際には
解像度良く露光し、小レンズに対応する部分の面積が小
さい方の第2フォトマスクを用いた第2の露光をする際
には解像度悪く露光し、上記第1,第2の露光のいずれ
か一方を先行させて両方とも行なうことを特徴とする光
学部品の製造法。1. A method of manufacturing an optical component comprising a lens group in which a large number of small lenses are arranged at a predetermined pitch,
When exposing a pattern of an optical component on a photosensitive resin film through a photomask, two types of photomasks having the same arrangement pitch of parts corresponding to the small lenses and different areas of the parts are used. When the first exposure is performed using the first photomask having the larger area corresponding to the area, the second photomask having the smaller area corresponding to the small lens is used. A method of manufacturing an optical component, characterized in that when the second exposure is carried out, the exposure is performed with poor resolution, and either one of the first and second exposures is carried out first and both are carried out.
解像度悪く露光する方法として、1回目の露光のときよ
りもフォトマスクと感光性樹脂膜との距離を大きくする
ことを特徴とする光学部品の製造法。2. The method according to claim 1, wherein during the second exposure,
A method of manufacturing an optical component, which comprises exposing the photomask to a photosensitive resin film at a larger distance than that in the first exposure as a method of exposing with a poor resolution.
解像度悪く露光する方法として、フォトマスクと光源と
の間に、光拡散板を設置することを特徴とする光学部品
の製造法。3. The method according to claim 1, wherein during the second exposure,
A method of manufacturing an optical component, which comprises placing a light diffusion plate between a photomask and a light source as a method of exposing with poor resolution.
解像度悪く露光する方法として、露光装置として投影式
の露光装置を用い、フォーカスの位置を感光性樹脂膜か
らずらして露光することを特徴とする光学部品の製造
法。4. The method according to claim 1, wherein during the second exposure,
As a method of exposing with poor resolution, a projection type exposure apparatus is used as the exposure apparatus, and the exposure is performed by shifting the focus position from the photosensitive resin film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04114165A JP3131019B2 (en) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | Optical component manufacturing method |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH05288904A true JPH05288904A (en) | 1993-11-05 |
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JP (1) | JP3131019B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008032912A (en) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of manufacturing microlens |
JP2008535019A (en) * | 2005-11-04 | 2008-08-28 | 韓国科学技術院 | Polymer or resist pattern, metal thin film pattern, metal pattern, polymer mold using the same, and methods for forming them |
US7781155B2 (en) | 2006-12-29 | 2010-08-24 | Hyong Sik Won | Fabrication method of micro-lens and fabrication method of master for micro-lens |
-
1992
- 1992-04-06 JP JP04114165A patent/JP3131019B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP3131019B2 (en) | 2001-01-31 |
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