JPH05287063A - 金属蒸着成形品用成形材料 - Google Patents
金属蒸着成形品用成形材料Info
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- JPH05287063A JPH05287063A JP4085548A JP8554892A JPH05287063A JP H05287063 A JPH05287063 A JP H05287063A JP 4085548 A JP4085548 A JP 4085548A JP 8554892 A JP8554892 A JP 8554892A JP H05287063 A JPH05287063 A JP H05287063A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ディスク、光カード、各種蒸着フィルム、
蒸着プラスチック反射鏡等に有用な、特に光ディスク等
の情報記録媒体用基板に有用な芳香族ポリカーボネート
系樹脂からなる金属蒸着成形品用成形材料を安価に提供
する。 【構成】 エステル基を含有する芳香族ポリカーボネー
ト系樹脂であって該樹脂中のエステル基の量がカーボネ
ート基100個当り30〜300個である芳香族ポリカ
ーボネート系樹脂からなる金属蒸着成形品用成形材料。
蒸着プラスチック反射鏡等に有用な、特に光ディスク等
の情報記録媒体用基板に有用な芳香族ポリカーボネート
系樹脂からなる金属蒸着成形品用成形材料を安価に提供
する。 【構成】 エステル基を含有する芳香族ポリカーボネー
ト系樹脂であって該樹脂中のエステル基の量がカーボネ
ート基100個当り30〜300個である芳香族ポリカ
ーボネート系樹脂からなる金属蒸着成形品用成形材料。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、蒸着金属膜との密着性
に優れた芳香族ポリカーボネート系樹脂からなる金属蒸
着成形品用成形材料に関する。更に詳しくは、特に光デ
ィスク等の情報記録媒体用基板に有用な金属蒸着成形品
用成形材料に関する。
に優れた芳香族ポリカーボネート系樹脂からなる金属蒸
着成形品用成形材料に関する。更に詳しくは、特に光デ
ィスク等の情報記録媒体用基板に有用な金属蒸着成形品
用成形材料に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光ディスク等の情報記録媒体用基
板として芳香族ポリカーボネート樹脂が広く用いられて
いる。しかしながら、芳香族ポリカーボネート樹脂の基
板上に形成したアルミニウム蒸着膜は、基板との密着性
が充分でなく、高温高湿下での長期保存でアルミニウム
蒸着膜が剥離する問題点が残されている。
板として芳香族ポリカーボネート樹脂が広く用いられて
いる。しかしながら、芳香族ポリカーボネート樹脂の基
板上に形成したアルミニウム蒸着膜は、基板との密着性
が充分でなく、高温高湿下での長期保存でアルミニウム
蒸着膜が剥離する問題点が残されている。
【0003】この問題点を改善するため、種々の末端停
止剤を使用した芳香族ポリカーボネート樹脂が検討され
ている。例えば特開昭63−179301号公報や特開
昭63−182350号公報等には、末端停止剤として
サリチル酸エステルやヒドロキシ安息香酸エステル等を
使用する方法が提案されている。しかしながら、かかる
末端停止剤はエステル基を有するため、芳香族ポリカー
ボネート樹脂の製造の際に加水分解し易い欠点がある。
また、芳香族ポリカーボネート樹脂の末端の量以上には
エステル基を導入できないので、密着性の改善に限界が
あった。また特開昭64−65125号公報には、側鎖
にエステル基を有する二価フェノールを使用する方法が
提案されている。しかしながら、かかる二価フェノール
もエステル基を有するため、芳香族ポリカーボネート樹
脂の製造の際に一部加水分解する欠点がある。またコロ
ナ放電、電子線照射、UV照射等の物理的な処理によりカ
ルボニル基やカルボキシル基を成形品表面に導入して蒸
着膜との密着性を高める方法が知られている。しかしな
がら、この方法では表面処理の工程が加わるため大量生
産するには極めて不利である。
止剤を使用した芳香族ポリカーボネート樹脂が検討され
ている。例えば特開昭63−179301号公報や特開
昭63−182350号公報等には、末端停止剤として
サリチル酸エステルやヒドロキシ安息香酸エステル等を
使用する方法が提案されている。しかしながら、かかる
末端停止剤はエステル基を有するため、芳香族ポリカー
ボネート樹脂の製造の際に加水分解し易い欠点がある。
また、芳香族ポリカーボネート樹脂の末端の量以上には
エステル基を導入できないので、密着性の改善に限界が
あった。また特開昭64−65125号公報には、側鎖
にエステル基を有する二価フェノールを使用する方法が
提案されている。しかしながら、かかる二価フェノール
もエステル基を有するため、芳香族ポリカーボネート樹
脂の製造の際に一部加水分解する欠点がある。またコロ
ナ放電、電子線照射、UV照射等の物理的な処理によりカ
ルボニル基やカルボキシル基を成形品表面に導入して蒸
着膜との密着性を高める方法が知られている。しかしな
がら、この方法では表面処理の工程が加わるため大量生
産するには極めて不利である。
【0004】一方、特開昭53−102399号公報等
には、芳香族ポリエステルカーボネート樹脂の製造法が
記載されている。芳香族ポリエステルカーボネート樹脂
は、芳香族ポリカーボネート樹脂の有する優れた透明性
や衝撃強度等と、芳香族ポリエステル樹脂の有する優れ
た耐油性や寸法安定性等を組合わせて更に優れた特性を
発揮させる目的で製造されているが、芳香族ポリエステ
ルカーボネート樹脂の蒸着金属膜との密着性について
は、全く知られていない。
には、芳香族ポリエステルカーボネート樹脂の製造法が
記載されている。芳香族ポリエステルカーボネート樹脂
は、芳香族ポリカーボネート樹脂の有する優れた透明性
や衝撃強度等と、芳香族ポリエステル樹脂の有する優れ
た耐油性や寸法安定性等を組合わせて更に優れた特性を
発揮させる目的で製造されているが、芳香族ポリエステ
ルカーボネート樹脂の蒸着金属膜との密着性について
は、全く知られていない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光デ
ィスク、光カード、各種蒸着フィルム、蒸着プラスチッ
ク反射鏡等に有用な、特に光ディスク等の情報記録媒体
用基板に有用な芳香族ポリカーボネート系樹脂からなる
金属蒸着成形品用成形材料を安価に提供することであ
る。
ィスク、光カード、各種蒸着フィルム、蒸着プラスチッ
ク反射鏡等に有用な、特に光ディスク等の情報記録媒体
用基板に有用な芳香族ポリカーボネート系樹脂からなる
金属蒸着成形品用成形材料を安価に提供することであ
る。
【0006】本発明者は、上記目的を達成せんとして鋭
意検討した結果、芳香族ポリカーボネート樹脂に特定量
のエステル基を導入させると、蒸着金属膜との密着性を
改良するのに極めて有効であることを究明し、本発明を
完成するに至った。
意検討した結果、芳香族ポリカーボネート樹脂に特定量
のエステル基を導入させると、蒸着金属膜との密着性を
改良するのに極めて有効であることを究明し、本発明を
完成するに至った。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の1項は、エステ
ル基を含有する芳香族ポリカーボネート系樹脂であって
該樹脂中のエステル基の量がカーボネート基100個当
り30〜300個である芳香族ポリカーボネート系樹脂
からなる金属蒸着成形品用成形材料に係るものである。
ル基を含有する芳香族ポリカーボネート系樹脂であって
該樹脂中のエステル基の量がカーボネート基100個当
り30〜300個である芳香族ポリカーボネート系樹脂
からなる金属蒸着成形品用成形材料に係るものである。
【0008】本発明の2項は、エステル基を含有する芳
香族ポリカーボネート系樹脂であって該樹脂中のエステ
ル基の量がカーボネート基100個当り30個以上であ
る芳香族ポリカーボネート系樹脂と、エステル基の量が
カーボネート基100個当り30個未満である芳香族ポ
リカーボネート系樹脂との樹脂混合物であって、該樹脂
混合物中のエステル基の量がカーボネート基100個当
り30〜300個である樹脂混合物からなる金属蒸着成
形品用成形材料に係るものである。
香族ポリカーボネート系樹脂であって該樹脂中のエステ
ル基の量がカーボネート基100個当り30個以上であ
る芳香族ポリカーボネート系樹脂と、エステル基の量が
カーボネート基100個当り30個未満である芳香族ポ
リカーボネート系樹脂との樹脂混合物であって、該樹脂
混合物中のエステル基の量がカーボネート基100個当
り30〜300個である樹脂混合物からなる金属蒸着成
形品用成形材料に係るものである。
【0009】本発明で対象とする芳香族ポリカーボネー
ト系樹脂は、エステル基の量が樹脂中のカーボネート基
100個当り30個以上にする必要がある。30個未満
では蒸着金属膜の密着性が不十分で本発明の目的を達成
し得ない。エステル基の量があまりにも多くなると蒸着
金属膜の密着性は向上するが、芳香族ポリカーボネート
系樹脂の特性が損なわれるようになるので、得られる芳
香族ポリカーボネート系樹脂そのものを成形材料として
使用するときは、エステル基の量が樹脂中のカーボネー
ト基100個当り300個以下にすべきである。また、
エステル基を含有する芳香族ポリカーボネート系樹脂
を、通常の芳香族ポリカーボネート樹脂に混合して成形
材料として使用するときは、使用する芳香族ポリカーボ
ネート系樹脂中のエステル基の量は多くても差支えない
が、エステル基の量が混合樹脂中のカーボネート基10
0個当り30〜300個になるように混合すべきであ
る。特にカーボネート基100個当りエステル基が30
〜300個であるポリエステルカーボネート共重合体
は、透明性も良好であるため、光ディスク用に好ましく
使用できる。
ト系樹脂は、エステル基の量が樹脂中のカーボネート基
100個当り30個以上にする必要がある。30個未満
では蒸着金属膜の密着性が不十分で本発明の目的を達成
し得ない。エステル基の量があまりにも多くなると蒸着
金属膜の密着性は向上するが、芳香族ポリカーボネート
系樹脂の特性が損なわれるようになるので、得られる芳
香族ポリカーボネート系樹脂そのものを成形材料として
使用するときは、エステル基の量が樹脂中のカーボネー
ト基100個当り300個以下にすべきである。また、
エステル基を含有する芳香族ポリカーボネート系樹脂
を、通常の芳香族ポリカーボネート樹脂に混合して成形
材料として使用するときは、使用する芳香族ポリカーボ
ネート系樹脂中のエステル基の量は多くても差支えない
が、エステル基の量が混合樹脂中のカーボネート基10
0個当り30〜300個になるように混合すべきであ
る。特にカーボネート基100個当りエステル基が30
〜300個であるポリエステルカーボネート共重合体
は、透明性も良好であるため、光ディスク用に好ましく
使用できる。
【0010】かかる蒸着金属膜の密着性が改善された芳
香族ポリカーボネート系樹脂は、ポリカーボネートの主
鎖中に特定量のエステル基を導入することにより得られ
る。なおここで述べるエステル基とはカーボネート基以
外のエステル基である。かかる芳香族ポリカーボネート
系樹脂は任意の方法によって製造することができる。例
えば特開昭53−102399号公報に示されている方
法で製造することができる。具体的には、界面重合法で
あり、所定量の二価フェノールと芳香族二価カルボン酸
を苛性ソーダ水溶液に溶解し、塩化メチレンのような有
機溶媒の存在下所定量のホスゲンを加えて界面重合を進
める。反応は0〜40℃、好ましくは20〜30℃で1
0分〜10時間程度で終了する。反応の進行に伴い反応
系のpHを10以上に保持するのが好ましい。この反応に
際し触媒を使用することができ、触媒としては例えばト
リエチルアミン、ピリジン、テトラ−n−ブチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラ−n−ブチルホスホニウムブ
ロマイドのような三級アミン、四級アンモニウム化合
物、四級ホスホニウム化合物等があげられる。また末端
停止剤を使用してもよく、末端停止剤としては例えばp-
tert−ブチルフェノールのような一価フェノール類等が
あげられる。
香族ポリカーボネート系樹脂は、ポリカーボネートの主
鎖中に特定量のエステル基を導入することにより得られ
る。なおここで述べるエステル基とはカーボネート基以
外のエステル基である。かかる芳香族ポリカーボネート
系樹脂は任意の方法によって製造することができる。例
えば特開昭53−102399号公報に示されている方
法で製造することができる。具体的には、界面重合法で
あり、所定量の二価フェノールと芳香族二価カルボン酸
を苛性ソーダ水溶液に溶解し、塩化メチレンのような有
機溶媒の存在下所定量のホスゲンを加えて界面重合を進
める。反応は0〜40℃、好ましくは20〜30℃で1
0分〜10時間程度で終了する。反応の進行に伴い反応
系のpHを10以上に保持するのが好ましい。この反応に
際し触媒を使用することができ、触媒としては例えばト
リエチルアミン、ピリジン、テトラ−n−ブチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラ−n−ブチルホスホニウムブ
ロマイドのような三級アミン、四級アンモニウム化合
物、四級ホスホニウム化合物等があげられる。また末端
停止剤を使用してもよく、末端停止剤としては例えばp-
tert−ブチルフェノールのような一価フェノール類等が
あげられる。
【0011】使用する二価フェノールとしては、例えば
ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)プロパン[通称ビスフェノ
ールA]、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチル
フェニル)プロパン、4,4−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)ヘプタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−
3,5−ジクロロフェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)プロパ
ン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)オキサイド、ビス
(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフェニル)オキサ
イド、4,4′−ジヒドロキシジフェニル、3,3′−
ジクロロ−4,4′−ジヒドロキシジフェニル、ビス
(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,5−
ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、レゾル
シノール、ハイドロキノン、1,4−ジヒドロキシ−
2,5−ジクロロベンゼン、1,4−ジヒドロキシ−3
−メチルベンゼン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ス
ルフィド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホキシ
ド等があげられる。特にビスフェノールAが好ましい。
ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)プロパン[通称ビスフェノ
ールA]、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチル
フェニル)プロパン、4,4−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)ヘプタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−
3,5−ジクロロフェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)プロパ
ン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)オキサイド、ビス
(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフェニル)オキサ
イド、4,4′−ジヒドロキシジフェニル、3,3′−
ジクロロ−4,4′−ジヒドロキシジフェニル、ビス
(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,5−
ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、レゾル
シノール、ハイドロキノン、1,4−ジヒドロキシ−
2,5−ジクロロベンゼン、1,4−ジヒドロキシ−3
−メチルベンゼン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ス
ルフィド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホキシ
ド等があげられる。特にビスフェノールAが好ましい。
【0012】かくして得られる所定量のエステル基を有
する芳香族ポリカーボネート系樹脂は、そのまま成形材
料として使用しても、また通常の芳香族ポリカーボネー
ト樹脂に、樹脂全体としてのエステル基の量が上記所定
量を満足するように混合して成形材料として使用しても
よい。その重合度は、特に制限する必要はないが、所定
量のエステル基を有する芳香族ポリカーボネート系樹脂
をそのまま成形材料として使用するときは、比粘度で通
常0.26〜0.68、好ましくは0.27〜0.46
の範囲のものであり、通常の芳香族ポリカーボネート樹
脂に混合して使用するときは、より低分子量のものを使
用することもできる。
する芳香族ポリカーボネート系樹脂は、そのまま成形材
料として使用しても、また通常の芳香族ポリカーボネー
ト樹脂に、樹脂全体としてのエステル基の量が上記所定
量を満足するように混合して成形材料として使用しても
よい。その重合度は、特に制限する必要はないが、所定
量のエステル基を有する芳香族ポリカーボネート系樹脂
をそのまま成形材料として使用するときは、比粘度で通
常0.26〜0.68、好ましくは0.27〜0.46
の範囲のものであり、通常の芳香族ポリカーボネート樹
脂に混合して使用するときは、より低分子量のものを使
用することもできる。
【0013】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明を更に説明す
る。なお実施例中の%及び部は特に断らない限り重量%
及び重量部である。また密着性試験は得られた樹脂をデ
ィスク成形機によって外径130mm、厚み1.2mmのデ
ィスク基板に成形し、ディスク基板上に厚み約1000
オングストロ−ムのアルミニウム層を真空蒸着し、その
上に紫外線硬化樹脂からなる保護膜を形成させ、その後
JIS H-4001に準じた碁盤目試験によって測定した。
る。なお実施例中の%及び部は特に断らない限り重量%
及び重量部である。また密着性試験は得られた樹脂をデ
ィスク成形機によって外径130mm、厚み1.2mmのデ
ィスク基板に成形し、ディスク基板上に厚み約1000
オングストロ−ムのアルミニウム層を真空蒸着し、その
上に紫外線硬化樹脂からなる保護膜を形成させ、その後
JIS H-4001に準じた碁盤目試験によって測定した。
【0014】
【合成例1】2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
プロパン100部、48%苛性ソーダ水溶液86.8部
及び蒸留水660部を撹拌器付き反応器に仕込み溶解し
た。これに塩化メチレン330部を加え、混合溶液が2
0℃となるように冷却し、テレフタル酸クロライド4
4.5部及びp-tert−ブチルフェノール3.1部を塩化
メチレン100部に溶解させた溶液を滴下しながら、ホ
スゲン28.4部を40分を要して吹込んだ。その後4
8%苛性ソーダ水溶液18.1部、更にトリエチルアミ
ン0.27部を加えて2時間撹拌した。反応終了後反応
液から下層のポリマーの塩化メチレン溶液を分液し、こ
の溶液を塩酸水溶液、蒸留水によって洗浄した後塩化メ
チレンを蒸発除去してカーボネート基100個当り20
0個のエステル基を有する芳香族ポリカーボネート系樹
脂を得た。得られた樹脂0.7g を塩化メチレン100
mlに溶解した溶液の比粘度は0.425であった。
プロパン100部、48%苛性ソーダ水溶液86.8部
及び蒸留水660部を撹拌器付き反応器に仕込み溶解し
た。これに塩化メチレン330部を加え、混合溶液が2
0℃となるように冷却し、テレフタル酸クロライド4
4.5部及びp-tert−ブチルフェノール3.1部を塩化
メチレン100部に溶解させた溶液を滴下しながら、ホ
スゲン28.4部を40分を要して吹込んだ。その後4
8%苛性ソーダ水溶液18.1部、更にトリエチルアミ
ン0.27部を加えて2時間撹拌した。反応終了後反応
液から下層のポリマーの塩化メチレン溶液を分液し、こ
の溶液を塩酸水溶液、蒸留水によって洗浄した後塩化メ
チレンを蒸発除去してカーボネート基100個当り20
0個のエステル基を有する芳香族ポリカーボネート系樹
脂を得た。得られた樹脂0.7g を塩化メチレン100
mlに溶解した溶液の比粘度は0.425であった。
【0015】
【合成例2】2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
プロパン100部、48%苛性ソーダ水溶液84.5部
及び蒸留水660部を撹拌器付き反応器に仕込み溶解し
た。これに塩化メチレン330部を加え、混合溶液が2
0℃となるように冷却し、ホスゲン49.8部を40分
を要して吹込んだ。その後反応液にp-tert−ブチルフェ
ノール4.0部を塩化メチレンに溶解した溶液を加え、
48%苛性ソーダ水溶液12.4部、更にトリエチルア
ミン0.15部を加えて2時間撹拌した。反応終了後反
応液から下層のポリマーの塩化メチレン溶液を分液し、
この溶液を塩酸水溶液、蒸留水によって洗浄した後塩化
メチレンを蒸発除去してエステル基を含まない芳香族ポ
リカーボネート樹脂を得た。得られた樹脂の比粘度は
0.279(粘度平均分子量15000)であった。
プロパン100部、48%苛性ソーダ水溶液84.5部
及び蒸留水660部を撹拌器付き反応器に仕込み溶解し
た。これに塩化メチレン330部を加え、混合溶液が2
0℃となるように冷却し、ホスゲン49.8部を40分
を要して吹込んだ。その後反応液にp-tert−ブチルフェ
ノール4.0部を塩化メチレンに溶解した溶液を加え、
48%苛性ソーダ水溶液12.4部、更にトリエチルア
ミン0.15部を加えて2時間撹拌した。反応終了後反
応液から下層のポリマーの塩化メチレン溶液を分液し、
この溶液を塩酸水溶液、蒸留水によって洗浄した後塩化
メチレンを蒸発除去してエステル基を含まない芳香族ポ
リカーボネート樹脂を得た。得られた樹脂の比粘度は
0.279(粘度平均分子量15000)であった。
【0016】
【実施例1】合成例1で得た芳香族ポリカーボネート系
樹脂を使用して樹脂温度360℃、金型温度120℃で
外径130mm、厚さ1.2mmのディスク基板に射出成形
し、この基板に2×10-5Torrの真空度でアルミニウム
を真空蒸着し、更に紫外線硬化樹脂からなる保護膜を形
成させアルミニウム密着性試験したところ、剥離は全く
起こらなかった。
樹脂を使用して樹脂温度360℃、金型温度120℃で
外径130mm、厚さ1.2mmのディスク基板に射出成形
し、この基板に2×10-5Torrの真空度でアルミニウム
を真空蒸着し、更に紫外線硬化樹脂からなる保護膜を形
成させアルミニウム密着性試験したところ、剥離は全く
起こらなかった。
【0017】
【実施例2】合成例1で得た芳香族ポリカーボネート系
樹脂5部と合成例2で得た芳香族ポリカーボネート樹脂
5部を混合し、実施例1と同様に成形、処理してアルミ
ニウム密着性試験したところ、剥離した部分は35/1
00であった。この混合樹脂はカーボネート基100個
当りエステル基を34個有していた。
樹脂5部と合成例2で得た芳香族ポリカーボネート樹脂
5部を混合し、実施例1と同様に成形、処理してアルミ
ニウム密着性試験したところ、剥離した部分は35/1
00であった。この混合樹脂はカーボネート基100個
当りエステル基を34個有していた。
【0018】
【比較例1】合成例1で得た芳香族ポリカーボネート系
樹脂3部と合成例2で得た芳香族ポリカーボネート樹脂
7部を混合し、実施例1と同様に成形、処理してアルミ
ニウム密着性試験したところ、剥離した部分は75/1
00であった。この混合樹脂はカーボネート基100個
当りエステル基を22個有していた。
樹脂3部と合成例2で得た芳香族ポリカーボネート樹脂
7部を混合し、実施例1と同様に成形、処理してアルミ
ニウム密着性試験したところ、剥離した部分は75/1
00であった。この混合樹脂はカーボネート基100個
当りエステル基を22個有していた。
【0019】
【比較例2】合成例2で得た芳香族ポリカーボネート樹
脂を実施例1と同様に成形、処理してアルミニウム密着
性試験したところ、剥離した部分は95/100であっ
た。
脂を実施例1と同様に成形、処理してアルミニウム密着
性試験したところ、剥離した部分は95/100であっ
た。
【0020】
【発明の効果】本発明の所定量のエステル基を有する芳
香族ポリカーボネート系樹脂は、蒸着金属膜との密着性
に優れており光ディスク、光カード、各種蒸着フイル
ム、蒸着プラスチック反射鏡等の金属蒸着用成形品の成
形材料として有用であり、特に蒸着アルミニウム膜との
密着性に優れているため、光ディスク基板の成形材料と
して特に有用である。
香族ポリカーボネート系樹脂は、蒸着金属膜との密着性
に優れており光ディスク、光カード、各種蒸着フイル
ム、蒸着プラスチック反射鏡等の金属蒸着用成形品の成
形材料として有用であり、特に蒸着アルミニウム膜との
密着性に優れているため、光ディスク基板の成形材料と
して特に有用である。
Claims (2)
- 【請求項1】 エステル基を含有する芳香族ポリカーボ
ネート系樹脂であって該樹脂中のエステル基の量がカー
ボネート基100個当り30〜300個である芳香族ポ
リカーボネート系樹脂からなる金属蒸着成形品用成形材
料。 - 【請求項2】 エステル基を含有する芳香族ポリカーボ
ネート系樹脂であって該樹脂中のエステル基の量がカー
ボネート基100個当り30個以上である芳香族ポリカ
ーボネート系樹脂と、エステル基の量がカーボネート基
100個当り30個未満である芳香族ポリカーボネート
系樹脂との樹脂混合物であって、該樹脂混合物中のエス
テル基の量がカーボネート基100個当り30〜300
個である樹脂混合物からなる金属蒸着成形品用成形材
料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4085548A JPH05287063A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 金属蒸着成形品用成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4085548A JPH05287063A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 金属蒸着成形品用成形材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05287063A true JPH05287063A (ja) | 1993-11-02 |
Family
ID=13861905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4085548A Pending JPH05287063A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 金属蒸着成形品用成形材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05287063A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0849064A (ja) * | 1994-05-03 | 1996-02-20 | General Electric Co <Ge> | 金属化されたプラスチック物品 |
WO2000037251A1 (fr) * | 1998-12-22 | 2000-06-29 | Bridgestone Corporation | Structure stratifiee et son procede de fabrication |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP4085548A patent/JPH05287063A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0849064A (ja) * | 1994-05-03 | 1996-02-20 | General Electric Co <Ge> | 金属化されたプラスチック物品 |
WO2000037251A1 (fr) * | 1998-12-22 | 2000-06-29 | Bridgestone Corporation | Structure stratifiee et son procede de fabrication |
US6562492B1 (en) | 1998-12-22 | 2003-05-13 | Bridgestone Corporation | Laminated structure, and manufacturing method thereof |
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