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JPH05284024A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JPH05284024A
JPH05284024A JP4083604A JP8360492A JPH05284024A JP H05284024 A JPH05284024 A JP H05284024A JP 4083604 A JP4083604 A JP 4083604A JP 8360492 A JP8360492 A JP 8360492A JP H05284024 A JPH05284024 A JP H05284024A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
power supply
block
analog
logic circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4083604A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsunari Oya
充也 大家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP4083604A priority Critical patent/JPH05284024A/ja
Publication of JPH05284024A publication Critical patent/JPH05284024A/ja
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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高精度のアナログ処理を行わせつつ、効率良
く低消費電力化を図る。 【構成】 アナログレンジを決定するA/D、D/Aコ
ンバータブロック30に対しては、第1の電源電圧VD
D1を使用し、そのブロック30を制御するA/D、D
/A制御ロジック回路40やアナログレンジに直接関与
しないディジタル回路等の他のロジック回路60に対し
ては、第2の電源電圧VDD2を使用する。そして、V
DD2をVDD1より低下させることを可能とするた
め、VDD2で動作する回路40の信号を、VDD1で
動作するブロック30へ伝送するとき、レベルシフト回
路50を経由して伝送する。これにより、ブロック30
では広いレンジで使用でき、回路40,60を低いVD
D2で動作させて低消費電力化を図る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アナログ/ディジタル
コンバータ(以下、A/Dコンバータという)、ディジ
タル/アナログコンバータ(以下、D/Aコンバータと
いう)等のアナログ回路を有する半導体集積回路(以
下、ICという)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来のA/Dコンバータ及びD
/Aコンバータを有するモノリシックICの一構成例を
示すブロック図である。このモノリシックICは、電源
電圧VDDを印加する電源端子1、接地電位GNDを印
加するグランド端子2、高電位側基準電圧VREF+が
印加される基準電圧端子3、低電位側基準電圧VREF
−が印加される基準電圧端子4、アナログ信号AINを
入力する入力端子5、アナログ信号AOUTを出力する
出力端子6、及び複数のインタフェース端子7を有して
いる。また、A/D、D/Aコンバータブロック11、
A/D、D/A制御ロジック回路12、及び他のロジッ
ク回路13が設けられている。
【0003】A/D、D/Aコンバータブロック11
は、A/Dコンバータ、D/Aコンバータ等といったア
ナログ回路を全て含み、それには基準電圧端子3,4が
接続されている。A/D、D/Aコンバータブロック1
1は、例えばA/Dコンバータで構成されるときには、
入力端子5が接続され、D/Aコンバータで構成される
ときには、出力端子6が接続される。また、このA/
D、D/Aコンバータブロック11には、その中のコン
パレータやアナログスイッチ等の電源として、電源端子
1及びグランド端子2が接続されている。A/D、D/
A制御ロジック回路12は、A/D、D/Aコンバータ
ブロック11内のコンパレータやアナログスイッチ等を
制御するための回路であり、電源端子1及びグランド端
子2に接続され、該電源端子1に印加される電源電圧V
DDによって動作する。他のロジック回路13は、A/
Dコンバータのときにはその変換結果のディジタル出
力、D/Aコンバータのときにはそのディジタルソース
を入力する等のインタフェースロジック等を含む回路で
あり、それには電源端子1、グランド端子2、及び複数
のインタフェース端子7が接続されている。
【0004】この種のモノリシックICでは、内部の回
路が共通の電源端子1及びグランド端子2に接続され、
該電源端子1に印加される電源電圧VDDによってA/
D、D/Aコンバータブロック11、A/D、D/A制
御ロジック回路12、及び他のロジック回路13が動作
する。例えば、アナログ信号AINが入力端子5に入力
されると、そのアナログ信号AINがA/D、D/Aコ
ンバータブロック11でディジタル信号に変換された
後、その変換結果がA/D、D/A制御ロジック回路1
2へ送られる。A/D、D/A制御ロジック回路12で
は、A/D、D/Aコンバータブロック11に対してA
/D変換動作を制御すると共に、該A/D、D/Aコン
バータブロック11から受け取ったディジタル信号を他
のロジック回路13へ送る。すると、他のロジック回路
13が所定のディジタル処理を行う。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の装置では、低消費電力化等が困難という問題があっ
た。近年、システムの消費電力制限、微細ICプロセス
のホットキャリア対策等で、ICの低電圧化が急速に進
んでいるが、アナログ信号を扱うA/D、D/Aコンバ
ータ分野では、基準電圧範囲(アナログ・レンジ)が狭
くなることにより、精度の確保が極めて困難になるとい
う欠点がある。
【0006】例えば、従来デバイスのように、電源電圧
VDD=5VのA/D、D/Aコンバータで、高電位側
基準電圧VREF+=5V、低電位側基準電圧VREF
−=0Vのとき、10ビットのA/D変換を考えると、
最少分解能は5V/210≒4.88mVとなる。ところ
が、VDD=3Vに低下させると、VDD≧VREF+
の条件から、高電位側基準電圧VREF+は3Vにせざ
るをえなくなり、3V/210≒2.93mVと、1LS
B(最下位ビット)が小さくなり、従来レベルと比べる
と、精度確保が困難になってくる。特に、数mVのノイ
ズでも、レンジが狭くなった分、信号対ノイズ比(S/
N)も悪くなり、また電源低下によってコンパレータの
応答速度も低下し、高分解能、高速のA/D、D/Aコ
ンバータを内蔵したICを開発するときに問題になって
いた。
【0007】この対策として、A/D、D/Aコンバー
タを含むモノリシックICのみを、従来通りVDD=5
Vで使用し、アナログ入力/出力は0〜5Vで使用、他
のデバイスは3Vに低下して使用していた。従って、直
結が困難、つまりデバイス間インタフェースが困難で、
トランジスタによるオープン・コレクタインタフェース
等を用いなければならず、回路構成が複雑であった。本
発明は、前記従来技術が持っていた課題として、低消費
電力化のために低電圧化を図ると、A/D、D/Aコン
バータ等のアナログ回路の精度確保が困難になること、
A/D、D/Aコンバータ等のアナログ回路を含むIC
を他のICと異なる電源で動作させると、インタフェー
スが困難になるという点について解決した半導体集積回
路を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、アナログ信号処理を行うアナログ回路を
含むICにおいて、アナログ入力レンジまたはアナログ
出力レンジを決定する第1の回路ブロックとそれ以外の
第2の回路ブロックのうち、第1の電源電圧で該第1の
回路ブロックを駆動し、該第1の電源電圧に対してそれ
と同一レベルまたは低レベルの第2の電源電圧で該第2
の回路ブロックを駆動する構成にすると共に、前記第2
の回路ブロックの信号をレベル変換して前記第1の回路
ブロックへ伝送するレベルシフト回路を設けている。
【0009】
【作用】本発明によれば、以上のようにアナログ回路を
含むICを構成したので、アナログ入力レンジまたはア
ナログ出力レンジに関与するアナログ回路からなる第1
の回路ブロックは第1の電源電圧で動作し、アナログ回
路を制御し、アナログレンジに直接関与しないディジタ
ル回路等の第2の回路ブロックについては第2の電源電
圧で駆動する。そして、低消費電力化を図るために第2
の電源電圧を第1の電源電圧よりも低下させる場合、第
2の電源電圧で動作する第2の回路ブロックの信号を、
第1の電源電圧で動作する第1の回路ブロックへ伝送す
るとき、レベルシフト回路を経由して伝送される。これ
により、第1の回路ブロックで高精度なアナログ処理を
行わせ、第2の回路ブロックではその低消費電力化が図
れる。従って、前記課題を解決できるのである。
【0010】
【実施例】第1の実施例 図1は、A/D、D/Aコンバータを含むモノリシック
ICの構成ブロック図である。このモノリシックIC
は、第1の電源電圧VDD1を印加する電源端子21、
第2の電源電圧VDD2を印加する電源端子22、接地
電位GNDを印加するグランド端子23、高電位側基準
電圧VREF+を入力する基準電圧端子24、低電位側
基準電圧VREF−を入力する基準電圧端子25、アナ
ログ信号AINを入力する入力端子26、アナログ信号
AOUTを出力する出力端子27、及び複数のインタフ
ェース端子28を有している。電源端子21、グランド
端子23、基準電圧端子24,25、入力端子26、及
び出力端子27には、A/D、D/Aコンバータブロッ
ク30が接続され、そのブロック30にはA/D、D/
A制御ロジック回路40及びレベルシフト回路50が接
続されている。A/D、D/A制御ロジック回路40及
びレベルシフト回路50には、グランド端子23が接続
され、さらにそのA/D、D/A制御ロジック回路40
には電源端子22が接続されると共に、レベルシフト回
路50に電源端子21が接続されている。A/D、D/
A制御ロジック回路40には、他のロジック回路60が
接続され、そのロジック回路60に電源端子22、グラ
ンド端子23、及びインタフェース端子28が接続され
ている。
【0011】A/D、D/Aコンバータブロック30
は、入力端子26から入力されるアナログ信号AINを
ディジタル信号に変換するA/Dコンバータや、ディジ
タル信号をアナログ信号AOUTに変換して出力端子2
7へ出力するD/Aコンバータ等で構成され、コンパレ
ータによる比較結果等の制御信号をA/D、D/A制御
ロジック回路40へ出力すると共に、レベルシフト回路
50からの制御信号によって変換動作等が制御される回
路である。A/D、D/A制御ロジック回路40は、A
/D、D/Aコンバータブロック30からの制御信号に
基づき、該ブロック30を制御するための制御信号をレ
ベルシフト回路50へ与える回路である。レベルシフト
回路50は、A/D、D/A制御ロジック回路40から
の制御信号のレベルシフトを行ってA/D、D/Aコン
バータブロック30へ与える回路である。他のロジック
回路60は、シリアル通信回路やマイクロコンピュータ
・インタフェース回路等で構成され、A/D、D/A制
御ロジック回路40に対して送受信を行ったり、インタ
フェース端子28を介して外部との送受信を行う等の機
能を有している。
【0012】このようなブロック分離構成を、1チップ
のモノリシックIC内で実施することにより、A/D、
D/Aコンバータブロック30に使用される第1の電源
電圧VDD1を高電位(例えば、5V)に、その他のA
/D、D/A制御ロジック回路40及び他のロジック回
路60に使用される第2の電源電圧VDD2を低電位
(例えば、3V)に設定してICを動作させることが可
能となる。例えば、アナログ信号AINを入力端子26
に入力すると、該アナログ信号AINがA/D、D/A
コンバータブロック30内のコンパレータで比較されて
ディジタル信号に変換され、その比較結果が制御信号と
してA/D、D/A制御ロジック回路40へ送られる。
A/D、D/A制御ロジック回路40では、A/D、D
/Aコンバータブロック30からの制御信号に基づき、
該ブロック30を制御するための制御信号をレベルシフ
ト回路50へ送る。この制御信号は、低電圧側から高電
圧側への伝送になるため、レベルシフト回路50におい
て、高電位側の第1の電源電圧VDD1を使ってレベル
シフトを行った後に、A/D、D/Aコンバータブロッ
ク30へ送られる。
【0013】このレベルシフト回路50からの制御信号
により、A/D、D/Aコンバータブロック30の変換
動作等が制御される。A/D、D/Aコンバータブロッ
ク30からA/D、D/A制御ロジック回路40へ送ら
れた制御信号は、他のロジック回路60へ送られ、その
ロジック回路60でディジタル処理が行われる。これら
のA/D、D/A制御ロジック回路40及び他のロジッ
ク回路60は、低電位の第2の電源電圧VDD2で動作
させることが可能となるため、ICの低消費電力化を容
易に実現できる。
【0014】以上のように、この第1の実施例では、次
のような利点を有する。 (a) A/D、D/Aコンバータ等のアナログ信号を
扱うA/D、D/Aコンバータブロック30には第1の
電源電圧VDD1を使用し、その他のA/D、D/A制
御ロジック回路40及び他のロジック回路60に対して
は第2の電源電圧VDD2を使用し、VDD1>VDD
2という電位関係においても動作可能な構成になってい
る。そのため、アナログレンジ(入力もしくは出力)を
従来通り確保した上で、ディジタル処理を行うA/D、
D/A制御ロジック回路40及び他のロジック回路60
を低電圧駆動によって低消費電力化を図ることが可能と
なる。従って、半導体プロセスの進歩による微細化によ
り、問題となっていたホットキャリア蓄積による閾値電
圧VT の変動を防止したり、システムの低消費電力化を
実現するための低電圧駆動システムを設計する場合、本
実施例のアナログ回路内蔵のICを適用することによ
り、的確に低電圧化を実現でき、かつアナログ精度の確
保も容易となる。
【0015】(b) 特に、A/D、D/Aコンバータ
を含む1チップマイクロコンピュータ等においては、デ
ィジタルロジック処理を行うA/D、D/A制御ロジッ
ク回路40及び他のロジック回路60の消費電力が非常
に大きく、本実施例を適用すると、その効果が極めて大
きい。また、単品のA/D、D/AコンバータICに本
実施例を適用した場合でも、今後多く発表されるであろ
う低電圧駆動の汎用マイクロプロセッサ等とのインタフ
ェースを考えるときも、特別にレベルシフトICを介す
る必要がなく、直接インタフェース可能である。しか
も、アナログ信号は、従来通りの広いレンジで扱うこと
ができ、精度面での問題も発生しないという利点があ
る。
【0016】(c) 従来デバイスで、アナログ系電源
電圧VDDAとディジタル系電源電圧VDDDとを分離
しているICもあるが、これはノイズ等の影響を防止す
るために分離されているものであり、本実施例のブロッ
ク分離構成と異なる。従来の単に分離しているICの場
合で、本実施例と同様に、両電源電圧間に電位差をつけ
ると、定常的に基板経由で電流が流れたり、ディジタル
側から高電位のアナログ側へ正常に信号伝達ができない
という不具合があり、実現が不可能である。これに対
し、本実施例のようなブロック分離構成を採用すること
により、前記のような不具合が生じることなく、効率よ
く低消費電力化が図れると共に、従来と同様に高精度な
アナログ処理が可能となる。
【0017】第2の実施例 図2は、第1の実施例を示す図1をA/Dコンバータを
含むモノリシックICに適用した場合の具体例を示す回
路図であり、図1中の要素と共通の要素には共通の符号
が付されている。図2は、A/D、D/Aコンバータブ
ロック30を抵抗ラダー型逐次比較A/Dコンバータで
構成し、そのA/Dコンバータを電源電圧VDD1系で
設計し、A/D、D/A制御ロジック回路40及び他の
ロジック回路60を電源電圧VDD2系で設計した構成
例である。また、A/D、D/Aコンバータブロック3
0とA/D、D/A制御ロジック回路40との間の制御
信号として、例えば1本分の制御信号の結線例が示され
ている。
【0018】A/D、D/Aコンバータブロック30
は、両端が基準電圧端子24,25に接続された基準電
圧発生用の抵抗ラダー31を有し、その出力側には、基
準電圧選択用のアナログスイッチツリーからなるスイッ
チマトリクス回路32が接続されている。スイッチマト
リクス回路32の出力側と入力端子26とが、コンパレ
ータ33の入力側に接続されている。コンパレータ33
は、スイッチマトリクス回路32から出力される基準電
圧と、入力端子26から入力されるアナログ信号AIN
とを比較し、それに応じた制御信号S33をA/D、D
/A制御ロジック回路40へ出力する回路である。スイ
ッチマトリクス回路32及びコンパレータ33は、第1
の電源電圧VDD1印加用の電源端子21とグランド端
子23に接続されている。
【0019】A/D、D/A制御ロジック回路40は、
コンパレータ33から出力される制御信号S33に基づ
き、スイッチ制御信号S41を生成するA/D制御ロジ
ック回路41を有し、その出力側に、該スイッチ制御信
号S41を反転したスイッチ制御信号S42を出力する
インバータ42が接続されている。このA/D制御ロジ
ック回路41及びインバータ42の出力側には、レベル
シフト回路50が接続されている。A/D制御ロジック
回路41は、第2の電源電圧VDD2印加用の電源端子
22とグランド端子23に接続されている。A/D、D
/Aコンバータブロック30は第1の電源電圧VDD1
で動作し、A/D、D/A制御ロジック回路40は第2
の電源電圧VDD2で動作する。電源電圧がVDD2≦
VDD1の関係にある場合、A/D、D/A制御ロジッ
ク回路40及びA/D、D/Aコンバータブロック30
間の信号伝達を問題なく動作させるために、レベルシフ
ト回路50が設けられている。
【0020】このレベルシフト回路50は、制御信号S
41でゲート制御されるNチャネル型MOSトランジス
タ(以下、NMOSという)51と、反転されたスイッ
チ制御信号S42でゲート制御されるNMOS52と、
データ保持のためにたすき掛け接続されたPチャネル型
MOSトランジスタ53,54とを、有している。NM
OS51のソースはグランド端子23に接続され、ドレ
インがPMOS53のドレイン及びPMOS54のゲー
トに接続されている。NMOS52のソースはグランド
端子23に接続され、ドレインがPMOS54のドレイ
ン及びPMOS53のゲートに接続されている。NMO
S52のドレインは、スイッチ制御信号S41をレベル
変換したスイッチ制御信号S52を出力する機能を有
し、スイッチマトリクス回路32に接続されている。P
MOS53,54のソースは、電源端子21に共通接続
されている。
【0021】次に、動作を説明する。第1,第2の電源
電圧VDD1,VDD2を電源端子21,22に印加す
ると共に、基準電圧VREF+,VREF−を基準電圧
端子24,25に印加すると、第1の電源電圧VDD1
によってA/D、D/Aコンバータブロック30が動作
を開始すると共に、第2の電源電圧VDD2によってA
/D、D/A制御ロジック回路40及び他のロジック回
路60が動作を開始する。
【0022】A/D、D/Aコンバータブロック30で
は、抵抗ラダー31によって高電位側基準電圧VREF
+と低電位側基準電圧VREF−との電位差が分圧さ
れ、複数の基準電圧が発生する。この複数の基準電圧は
スイッチマトリクス回路32で選択され、コンパレータ
33へ送られる。コンパレータ33では、スイッチマト
リクス回路32で選択された基準電圧と、入力端子26
から入力されるアナログ信号AINとを比較し、その比
較結果(ディジタル出力)に応じた制御信号S33をA
/D制御ロジック回路41へ出力する。
【0023】A/D制御ロジック回路41は、コンパレ
ータ33からの制御信号S33に基づき、スイッチ制御
信号S41を生成する。生成されたスイッチ制御信号S
41は、インバータ42で反転され、反転されたスイッ
チ制御信号S42が作られ、その相補的なスイッチ制御
信号S41,S42によってレベルシフト回路50内の
NMOS51,52がゲート制御される。すると、スイ
ッチ制御信号S41が第1の電源電圧VDD1に応じた
レベルまでシフトされ、そのシフトされたスイッチ制御
信号S52がNMOS52のドレインから出力される。
このスイッチ制御信号S52により、スイッチマトリク
ス回路32が制御され、該スイッチマトリクス回路32
で選択された抵抗ラダー31の基準電圧がコンパレータ
33へ送られる。コンパレータ33は、前記と同様に、
スイッチマトリクス回路32で選択された基準電圧と、
アナログ信号AINとを比較し、その比較結果に応じた
制御信号S33をA/D制御ロジック回路41へ送る。
A/D制御ロジック回路41は、前記と同様にスイッチ
制御信号S41を生成すると共に、コンパレータ33か
らの制御信号S33を他のロジック回路60へ送るの
で、そのロジック回路60で所定のディジタル処理が行
われる。
【0024】この第2の実施例では、A/D、D/Aコ
ンバータブロック30を構成する抵抗ラダー型逐次比較
A/Dコンバータを第1の電源電圧VDD1で駆動し、
その他のA/D制御ロジック回路41及び他のロジック
回路60を第2の電源電圧VDD2で駆動するようにし
ている。このような構成により、アナログ入力レンジは
VDD1,VREF+の入力電圧とVREF−,GND
電圧との差が最大(MAX)レンジとして入力可能とな
る。また、コンパレータ33も同様に、MAXレンジま
で比較可能となり、その比較結果(ディジタル出力)が
制御信号S33の形でA/D制御ロジック回路41へ伝
送されて処理された後、レベルシフト回路50経由で、
A/D、D/Aコンバータブロック30内のスイッチマ
トリクス回路32が制御される。そのため、A/D、D
/Aコンバータブロック30は広いレンジで使用でき、
A/D、D/A制御ロジック回路40及び他のロジック
回路60が第2の電源電圧VDD2で動作するので、的
確に、効率良く、低消費電力化が可能となり、かつ従来
と同様に高精度のアナログ処理が行える。
【0025】なお、本発明は上記実施例に限定されず、
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。 (i) 図2の回路では、接地電位GNDをすべて共通
にしているが、アナログ系GNDとディジタル系GND
とを分離してもよい。但し、GNDは同一電圧であるこ
とが条件となる。 (ii) 図1の各ブロックは、図2の回路構成に限定さ
れず、通信回路やマイクロコンピュータ等のモノリシッ
クICの構成に応じて種々の回路で構成できる。 (iii) 図1及び図2では、第1,第2の電源電圧VD
D1,VDD2をVDD1>VDD2の関係に設定した
が、第2の電源電圧VDD2を第1の電源電圧VDD1
と同一にしてモノリシックICを動作させることも可能
である。
【0026】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、A/D、D/Aコンバータ等といったアナログ信
号を扱う第1の回路ブロックに対しては第1の電源電圧
を使用し、その他の第2の回路ブロックに対しては第2
の電源電圧を使用し、第1の電源電圧>第2の電源電圧
という電位関係においても動作可能な構成にしている。
そのため、アナログレンジ(入力もしくは出力)を従来
通り確保した上で、ディジタルロジック回路等で構成さ
れる第2の回路ブロックを低電圧駆動によって低消費電
力化を図ることが可能である。従って、的確に、効率良
く、低消費電力化を図り、かつ従来と同様に高精度なア
ナログ処理を実現するICを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示すA/D、D/Aコ
ンバータを含むモノリシックICの構成ブロック図であ
る。
【図2】図1のモノリシックICをA/Dコンバータに
適用した具体例を示す回路図である。
【図3】従来のA/D、D/Aコンバータを含むモノリ
シックICの構成ブロック図である。
【符号の説明】
30 A/D、D/Aコンバータブロッ
ク 40 A/D、D/A制御ロジック回路 50 レベルシフト回路 60 他のロジック回路 AIN 入力アナログ信号 AOUT 出力アナログ信号 VDD1 第1の電源電圧 VDD2 第2の電源電圧 VREF+ 高電位側基準電圧 VREF− 低電位側基準電圧

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アナログ信号処理を行うアナログ回路を
    含む半導体集積回路において、 アナログ入力レンジまたはアナログ出力レンジを決定す
    る第1の回路ブロックとそれ以外の第2の回路ブロック
    のうち、第1の電源電圧で該第1の回路ブロックを駆動
    し、該第1の電源電圧に対してそれと同一レベルまたは
    低レベルの第2の電源電圧で該第2の回路ブロックを駆
    動する構成にすると共に、 前記第2の回路ブロックの信号をレベル変換して前記第
    1の回路ブロックへ伝送するレベルシフト回路を設けた
    ことを特徴とする半導体集積回路。
JP4083604A 1992-04-06 1992-04-06 半導体集積回路 Withdrawn JPH05284024A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4083604A JPH05284024A (ja) 1992-04-06 1992-04-06 半導体集積回路

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10114611A1 (de) * 2001-03-23 2002-10-17 Infineon Technologies Ag Integrierte Logikschaltung
JP2004088264A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路
JP2013042278A (ja) * 2011-08-12 2013-02-28 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置
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