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JPH0527489Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0527489Y2
JPH0527489Y2 JP14787687U JP14787687U JPH0527489Y2 JP H0527489 Y2 JPH0527489 Y2 JP H0527489Y2 JP 14787687 U JP14787687 U JP 14787687U JP 14787687 U JP14787687 U JP 14787687U JP H0527489 Y2 JPH0527489 Y2 JP H0527489Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
substrate
evaporation source
beam evaporation
evaporation
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP14787687U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6453750U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP14787687U priority Critical patent/JPH0527489Y2/ja
Publication of JPS6453750U publication Critical patent/JPS6453750U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0527489Y2 publication Critical patent/JPH0527489Y2/ja
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 技術分野 本考案は、電子ビームスライド方式を採用した
真空蒸着装置に関する。
従来技術 通常、真空蒸着においては、蒸着槽の下部に蒸
発源を配置し、上部(天井部)に基板を置いて蒸
着をしている。しかしこの方式では、有効に利用
できる面積が狭いため、1回の蒸着で処理できる
基板量や基板の大きさに限界がある。真空槽内の
側壁部に基板を立てて配置すれば、真空槽内の面
積を有効に利用することができる。実際にスパツ
タ装置では、高さ方向に亘る長尺のターゲツトを
用い、基板を円筒状ホルダーに支持、回転させて
薄膜を形成しており、サイドスパツタ方式と呼ば
れている。
しかし真空蒸着装置では、蒸発源の大きさが制
限され、基本的には点源となるため、真空槽の側
壁に立てた基板に対して、均一な膜厚で薄膜を蒸
着することが困難であつた。特に、抵抗加熱方式
の場合には長尺のボートを使用するなど多少の工
夫も考えられるが、電子ビーム蒸発源の場合には
そのような工夫も困難である。
一方、光学膜(酸化物、誘電物質)の作成の場
合のように、蒸着物質の融点や要求される膜特性
によつては、電子ビーム蒸着を必要とする場合も
ある。
考案の目的 本考案は、蒸着槽内の空間を有効に利用して生
産性に優れ、しかも均一な膜厚で電子ビーム蒸着
ができる蒸着装置を提供するものである。
考案の構成 本考案の電子ビームスライド方式を採用した真
空蒸着装置は、電子ビーム蒸発源と、基板を立て
た状態で支持する基板ホルダーとを具え、該電子
ビーム蒸発源が前記基板の高さ方向に沿つて移動
しながら蒸着することを特徴とする。
以下、添付図面に沿つて本考案をさらに詳細に
説明する。
第1図および第2図は、本考案の真空蒸着装置
を示す説明図である。蒸着槽11内には、円筒状
の基板ホルダー15が配置され、この基板ホルダ
ー15は架台13上で円筒の仮想軸を中心として
回転する。基板ホルダー15には基板17が支持
されている。
円筒状の基板ホルダー15の内側には電子ビー
ム蒸発源21が設けられている。電子ビーム蒸発
源21は駆動軸23により上下方向に移動するこ
とができ、第1図の電子ビーム蒸発源21が最下
位置に来たとき、第2図は最上位置に来たときを
示す。
いま第1図の場合を考えると、電子ビーム蒸発
源21は理想的には点源であるので、ランバート
の余弦則に従い、電子ビーム蒸発源21との距離
に応じて基板に膜厚分布が生じてしまう。具体的
には、下方位置の基板17aの方が上方位置の基
板17nよりも多くの蒸発物質が堆積し、膜厚が
厚くなる。そこで、第2図に示した上方位置まで
電子ビーム蒸発源21を移動させながら蒸着を行
ない、必要によりこの上下動を繰り返して所望の
膜厚の均一な蒸着膜を得る。
電子ビーム蒸発源21が上方へ移動するにつれ
て、膜が最も多く堆積する部分は、17a,17
b,……17nのように基板上方へ移動する。ま
た、基板の上方部位17nでは電子ビーム蒸発源
21の移動行程のすべてで膜が堆積するのに対
し、基板の下方部位17aでは電子ビーム蒸発源
21がそれより上方へ移動すると、もはや膜が堆
積しない。そこで電子ビームのスライド蒸着を移
動行程を通して均一に行なつたのでは、基板の上
下間に亘り均一な膜厚が得られない。これは、電
子ビーム蒸発源21の上方位置での移動速度を速
めたり、電子ビーム出力(パワー)を下げたりす
ることにより調整でき、前者の方がより好適であ
る。
以上のように、電子ビームスライド蒸着を行な
うことにより、基板の上下方向での膜厚の均一性
を得ることができる。基板の水平方向での膜厚の
均一性は、円筒状の基板ホルダー15を回転する
ことにより実現できる。
25は蒸発量監視素子を示し、具体的には水晶
振動子が用いられる。蒸発量監視素子25は、電
子ビーム蒸発源21と位置関係を保つて一緒に移
動し、電子ビーム蒸発源21の高さ位置に応じて
予め設定された蒸発量から変動したときは、これ
を検知してフイードバツク制御を行なう。この制
御は、電子ビーム蒸発源21の移動速度または電
子ビーム出力を調整することにより行なわれる
が、追従性の点で後者の方が望ましい。
考案の効果 本考案によれば、基板を立てた状態で支持し、
この基板の上下方向に沿つて電子ビーム蒸発源を
移動しながら蒸着することにより、蒸着槽内の空
間を有効に利用し、大量の基板あるいは大面積の
基板に対して、均一な膜厚分布で電子ビーム蒸着
を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は、本考案の電子ビームス
ライド蒸着を示す説明図である。 11……蒸着槽、13……架台、15……基板
ホルダー、17……基板、17a……基板下方部
位、17n……基板上方部位、21……電子ビー
ム蒸発源、23……駆動軸、25……蒸発量監視
素子。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電子ビーム蒸発源と、基板を立てた状態で支持
    する基板ホルダーとを具え、該電子ビーム蒸発源
    が前記基板の高さ方向に沿つて移動しながら蒸着
    することを特徴とする真空蒸着装置。
JP14787687U 1987-09-28 1987-09-28 Expired - Lifetime JPH0527489Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14787687U JPH0527489Y2 (ja) 1987-09-28 1987-09-28

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14787687U JPH0527489Y2 (ja) 1987-09-28 1987-09-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6453750U JPS6453750U (ja) 1989-04-03
JPH0527489Y2 true JPH0527489Y2 (ja) 1993-07-13

Family

ID=31418687

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14787687U Expired - Lifetime JPH0527489Y2 (ja) 1987-09-28 1987-09-28

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JP2014005478A (ja) * 2010-10-08 2014-01-16 Kaneka Corp 蒸着装置

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Publication number Publication date
JPS6453750U (ja) 1989-04-03

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