JPH05243252A - バイポーラトランジスタの製造方法 - Google Patents
バイポーラトランジスタの製造方法Info
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- JPH05243252A JPH05243252A JP4160892A JP4160892A JPH05243252A JP H05243252 A JPH05243252 A JP H05243252A JP 4160892 A JP4160892 A JP 4160892A JP 4160892 A JP4160892 A JP 4160892A JP H05243252 A JPH05243252 A JP H05243252A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １×１０20ｃｍ-3以上のｐ型高不純物濃度層
を外部ベース領域に形成するにあたって、成長の不安定
性を取り除くとともに選択性を向上させ、それによっ
て、高速・高周波特性の優れた素子を安定して歩留まり
良く供給することのできるバイポーラトランジスタの製
造方法を提供する。 【構成】 バイポーラトランジスタを製造するにあた
り、ベースコンタクト層もしくは外部ベース層を少なく
とも原料ガスの１つに有機ＩＩＩ族原料を含む分子線エ
ピタキシー法により、成長温度を徐々に、もしくは階段
的に変化させて形成する。または、Ｖ族原料の分子線強
度を徐々に、もしくは階段的に変化させて形成する。あ
るいは、結晶成長中の基板表面に紫外線を照射するとと
もに、その紫外線の光強度を徐々に、もしくは階段的に
変化させて形成する。
を外部ベース領域に形成するにあたって、成長の不安定
性を取り除くとともに選択性を向上させ、それによっ
て、高速・高周波特性の優れた素子を安定して歩留まり
良く供給することのできるバイポーラトランジスタの製
造方法を提供する。 【構成】 バイポーラトランジスタを製造するにあた
り、ベースコンタクト層もしくは外部ベース層を少なく
とも原料ガスの１つに有機ＩＩＩ族原料を含む分子線エ
ピタキシー法により、成長温度を徐々に、もしくは階段
的に変化させて形成する。または、Ｖ族原料の分子線強
度を徐々に、もしくは階段的に変化させて形成する。あ
るいは、結晶成長中の基板表面に紫外線を照射するとと
もに、その紫外線の光強度を徐々に、もしくは階段的に
変化させて形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバイポーラトランジスタ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】バイポーラトランジスタは電界効果トラ
ンジスタに比べて電流駆動能力が大きいという優れた特
徴を有している。このため、近年、ＳｉのみならずＧａ
Ａｓなどの化合物半導体を用いたバイポーラトランジス
タの研究開発が盛んに行われている。特に、化合物半導
体を用いたバイポーラトランジスタは、エミッタ・ベー
ス接合をヘテロ接合に構成でき、ベースを高濃度にして
もエミッタ注入効率を大きく保てるなど利点は大きい。
ンジスタに比べて電流駆動能力が大きいという優れた特
徴を有している。このため、近年、ＳｉのみならずＧａ
Ａｓなどの化合物半導体を用いたバイポーラトランジス
タの研究開発が盛んに行われている。特に、化合物半導
体を用いたバイポーラトランジスタは、エミッタ・ベー
ス接合をヘテロ接合に構成でき、ベースを高濃度にして
もエミッタ注入効率を大きく保てるなど利点は大きい。
【０００３】化合物半導体のバイポーラトランジスタに
おいて、ベースコンタクト抵抗を低減するために、ＩＩ
Ｉ族原料に有機金属を使用した分子線エピタキシー法
（以降、ＭＯＭＢＥ法と称す）により、ｐ型高不純物濃
度層を外部ベース領域に形成する手法が、特願平２−１
９７１０２号明細書および特願平２−１９７１０３号明
細書に記載されている。
おいて、ベースコンタクト抵抗を低減するために、ＩＩ
Ｉ族原料に有機金属を使用した分子線エピタキシー法
（以降、ＭＯＭＢＥ法と称す）により、ｐ型高不純物濃
度層を外部ベース領域に形成する手法が、特願平２−１
９７１０２号明細書および特願平２−１９７１０３号明
細書に記載されている。
【０００４】図６（ａ）および（ｂ）は、それぞれ特願
平２−１９７１０２号明細書および特願平２−１９７１
０３号明細書記載のバイポーラトランジスタの模式的断
面図である。ＭＯＭＢＥ法により形成されたｐ−ＧａＡ
ｓ層１１が、図６（ａ）では外部ベース領域の表面に配
置されベースコンタクト層として機能しており、また、
図６（ｂ）では外部ベース領域全体を占めている。これ
により、ベース電極と真性ベース層の間のベースコンタ
クト抵抗が低減されている。
平２−１９７１０２号明細書および特願平２−１９７１
０３号明細書記載のバイポーラトランジスタの模式的断
面図である。ＭＯＭＢＥ法により形成されたｐ−ＧａＡ
ｓ層１１が、図６（ａ）では外部ベース領域の表面に配
置されベースコンタクト層として機能しており、また、
図６（ｂ）では外部ベース領域全体を占めている。これ
により、ベース電極と真性ベース層の間のベースコンタ
クト抵抗が低減されている。
【０００５】図６（ａ）および（ｂ）において、１はＧ
ａＡｓからなる半絶縁性基板、２はｎ−ＧａＡｓからな
るコレクタコンタクト層、３はｎ−ＧａＡｓからなるコ
レクタ層、４はｐ−ＧａＡｓからなるベース層、５はｎ
−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓからなるエミッタ層、６はｎ−
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ：０．２５→０）からなるグレ
ーデッド層、７はｎ−ＧａＡｓからなるエミッタコンタ
クト層、１１はｐ−ＧａＡｓからなるベースコンタクト
層もしくは外部ベース層、１８はＡｕＧｅＮｉからなる
エミッタ電極、１４はＴｉＰｔＡｕからなるベース電
極、１７はＡｕＧｅＮｉからなるコレクタ電極、８およ
び１０はＳｉＯ2 膜、１２は絶縁領域である。
ａＡｓからなる半絶縁性基板、２はｎ−ＧａＡｓからな
るコレクタコンタクト層、３はｎ−ＧａＡｓからなるコ
レクタ層、４はｐ−ＧａＡｓからなるベース層、５はｎ
−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓからなるエミッタ層、６はｎ−
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ：０．２５→０）からなるグレ
ーデッド層、７はｎ−ＧａＡｓからなるエミッタコンタ
クト層、１１はｐ−ＧａＡｓからなるベースコンタクト
層もしくは外部ベース層、１８はＡｕＧｅＮｉからなる
エミッタ電極、１４はＴｉＰｔＡｕからなるベース電
極、１７はＡｕＧｅＮｉからなるコレクタ電極、８およ
び１０はＳｉＯ2 膜、１２は絶縁領域である。
【０００６】上述のバイポーラトランジスタを製造する
にあたり、ｐ−ＧａＡｓ層１１の形成は、ＳｉＯ2 膜８
および１０をマスクとして選択的に行われる。その場
合、成長温度およびＶ族原料の分子線強度は一定として
行われる。また、成長基板表面への紫外線照射は行われ
ない。
にあたり、ｐ−ＧａＡｓ層１１の形成は、ＳｉＯ2 膜８
および１０をマスクとして選択的に行われる。その場
合、成長温度およびＶ族原料の分子線強度は一定として
行われる。また、成長基板表面への紫外線照射は行われ
ない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】エヌ・フルハタ他
（Ｎ．Ｆｕｒｕｈａｔａ ｅｔ ａｌ．）、ジャーナル
・オブ・クリスタル・グロウス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）、１０７巻、１９９
１年、１０４９頁には、成長原料にトリメチルガリウム
（Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ：以降、ＴＭＧと称す）と固体砒素
を用いた場合に得られる成長層のキャリア濃度と成長条
件の関係が報告されている。それによれば、ＴＭＧ流
量：１ｃｃ／ｍｉｎ、砒素分圧：１．５×１０-5Ｔｏｒ
ｒの下では成長温度を５３０℃以下に、また、ＴＭＧ流
量：１ｃｃ／ｍｉｎ、成長温度５５０℃の下では砒素分
圧を９×１０-6Ｔｏｒｒ以下に設定することにより、１
×１０20ｃｍ-3以上のキャリア濃度を有するｐ−ＧａＡ
ｓ層が得られる。
（Ｎ．Ｆｕｒｕｈａｔａ ｅｔ ａｌ．）、ジャーナル
・オブ・クリスタル・グロウス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）、１０７巻、１９９
１年、１０４９頁には、成長原料にトリメチルガリウム
（Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ：以降、ＴＭＧと称す）と固体砒素
を用いた場合に得られる成長層のキャリア濃度と成長条
件の関係が報告されている。それによれば、ＴＭＧ流
量：１ｃｃ／ｍｉｎ、砒素分圧：１．５×１０-5Ｔｏｒ
ｒの下では成長温度を５３０℃以下に、また、ＴＭＧ流
量：１ｃｃ／ｍｉｎ、成長温度５５０℃の下では砒素分
圧を９×１０-6Ｔｏｒｒ以下に設定することにより、１
×１０20ｃｍ-3以上のキャリア濃度を有するｐ−ＧａＡ
ｓ層が得られる。
【０００８】ベースコンタクト抵抗低減のためには、外
部ベース領域のキャリア濃度をより高濃度にすることが
望ましい。そのためには、ｐ−ＧａＡｓ層形成時の成長
温度を低く、また、Ｖ族原料の分子線強度を小さく設定
することが必要となる。また、一般に、化合物半導体の
バイポーラトランジスタはトランジスタの真性領域に高
濃度にドーピングされた半導体層を有することから、真
性領域の不純物プロファイルの急峻性を保持するために
も、成長温度はより低い方が望ましい。
部ベース領域のキャリア濃度をより高濃度にすることが
望ましい。そのためには、ｐ−ＧａＡｓ層形成時の成長
温度を低く、また、Ｖ族原料の分子線強度を小さく設定
することが必要となる。また、一般に、化合物半導体の
バイポーラトランジスタはトランジスタの真性領域に高
濃度にドーピングされた半導体層を有することから、真
性領域の不純物プロファイルの急峻性を保持するために
も、成長温度はより低い方が望ましい。
【０００９】しかしながら、成長温度を５００℃以下に
設定したり、砒素分圧を１×１０-7Ｔｏｒｒ以下に設定
してｐ−ＧａＡｓ層形成を行った場合には、基板温度が
不安定になったり、成長室内のバックグラウンドの真空
度が低下してくるために、砒素分圧の制御が困難にな
り、成長そのものが不安定になることが多い。それによ
って、成長速度や不純物濃度の再現性が低下するのみな
らず、激しい表面荒れが生じたり、場合によっては，成
長層の多結晶化が生じてしまうことがある。また、選択
成長を行った場合には、ＳｉＯ2 等のマスクに対する選
択性が劣化してしまう要因ともなる。しかも、上述のよ
うな成長条件下では、基板温度や砒素分圧などの成長パ
ラメータを精密に制御することが非常に困難であるため
に、ウェハ間でのバラツキが大きい。従来、外部ベース
領域の全体もしくは一部に高濃度ｐ−ＧａＡｓ層を形成
するこの工程は、トランジスタの歩留まりを向上させる
ための大きな妨げとなっていた。
設定したり、砒素分圧を１×１０-7Ｔｏｒｒ以下に設定
してｐ−ＧａＡｓ層形成を行った場合には、基板温度が
不安定になったり、成長室内のバックグラウンドの真空
度が低下してくるために、砒素分圧の制御が困難にな
り、成長そのものが不安定になることが多い。それによ
って、成長速度や不純物濃度の再現性が低下するのみな
らず、激しい表面荒れが生じたり、場合によっては，成
長層の多結晶化が生じてしまうことがある。また、選択
成長を行った場合には、ＳｉＯ2 等のマスクに対する選
択性が劣化してしまう要因ともなる。しかも、上述のよ
うな成長条件下では、基板温度や砒素分圧などの成長パ
ラメータを精密に制御することが非常に困難であるため
に、ウェハ間でのバラツキが大きい。従来、外部ベース
領域の全体もしくは一部に高濃度ｐ−ＧａＡｓ層を形成
するこの工程は、トランジスタの歩留まりを向上させる
ための大きな妨げとなっていた。
【００１０】本発明はこのような問題点を解決し、１×
１０20ｃｍ-3以上のｐ型高不純物濃度層を外部ベース領
域に形成するにあたって、成長の不安定性を取り除くと
ともに選択性を向上させ、それによってベースコンタク
ト抵抗が低減され、高速・高周波特性の優れた素子を安
定して歩留まり良く供給することのできるバイポーラト
ランジスタの製造方法を提供することにある。
１０20ｃｍ-3以上のｐ型高不純物濃度層を外部ベース領
域に形成するにあたって、成長の不安定性を取り除くと
ともに選択性を向上させ、それによってベースコンタク
ト抵抗が低減され、高速・高周波特性の優れた素子を安
定して歩留まり良く供給することのできるバイポーラト
ランジスタの製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明のバイポーラ
トランジスタの製造方法は、半絶縁性基板上に少なくと
もコレクタ層、ベース層およびエミッタ層を含む積層構
造を形成する工程と、少なくとも原料ガスの１つに有機
ＩＩＩ族原料を含む分子線エピタキシー法により、成長
温度を徐々に、もしくは階段的に変化させて、外部ベー
ス領域の少なくとも一部を形成する工程とを含むことを
特徴とする。
トランジスタの製造方法は、半絶縁性基板上に少なくと
もコレクタ層、ベース層およびエミッタ層を含む積層構
造を形成する工程と、少なくとも原料ガスの１つに有機
ＩＩＩ族原料を含む分子線エピタキシー法により、成長
温度を徐々に、もしくは階段的に変化させて、外部ベー
ス領域の少なくとも一部を形成する工程とを含むことを
特徴とする。
【００１２】第２の発明のバイポーラトランジスタの製
造方法は、半絶縁性基板上に少なくともコレクタ層、ベ
ース層およびエミッタ層を含む積層構造を形成する工程
と、少なくとも原料ガスの１つに有機ＩＩＩ族原料を含
む分子線エピタキシー法により、Ｖ族原料の分子線強度
を徐々に、もしくは階段的に変化させて、外部ベース領
域の少なくとも一部を形成する工程とを含むことを特徴
とする。
造方法は、半絶縁性基板上に少なくともコレクタ層、ベ
ース層およびエミッタ層を含む積層構造を形成する工程
と、少なくとも原料ガスの１つに有機ＩＩＩ族原料を含
む分子線エピタキシー法により、Ｖ族原料の分子線強度
を徐々に、もしくは階段的に変化させて、外部ベース領
域の少なくとも一部を形成する工程とを含むことを特徴
とする。
【００１３】第３の発明のバイポーラトランジスタの製
造方法は、半絶縁性基板上に少なくともコレクタ層、ベ
ース層およびエミッタ層を含む積層構造を形成する工程
と、少なくとも原料ガスの１つに有機ＩＩＩ族原料を含
む分子線エピタキシー法により、結晶成長中の基板表面
に紫外線を照射するとともに、前記紫外線の光強度を徐
々に、もしくは階段的に変化させて、外部ベース領域の
少なくとも一部を形成する工程とを含むことを特徴とす
る。
造方法は、半絶縁性基板上に少なくともコレクタ層、ベ
ース層およびエミッタ層を含む積層構造を形成する工程
と、少なくとも原料ガスの１つに有機ＩＩＩ族原料を含
む分子線エピタキシー法により、結晶成長中の基板表面
に紫外線を照射するとともに、前記紫外線の光強度を徐
々に、もしくは階段的に変化させて、外部ベース領域の
少なくとも一部を形成する工程とを含むことを特徴とす
る。
【００１４】
【作用】ＭＯＭＢＥ法などにより高濃度にドープされた
半導体層を形成する場合、特に結晶成長の初期過程にお
いて三次元成長や多結晶化を抑止することが、良好な単
結晶薄膜を得るための重要なポイントである。そのため
には、基板表面へのＶ族原料とＩＩＩ族原料の供給をバ
ランスよく行うとともに、二次元成長モードにより結晶
成長が進行するよう、吸着分子・粒子の表面泳動を充分
活性化してやることが必要である。この活性化の方法と
して、熱励起と光励起の２つの方法があり、前者は基板
温度を高くすることにより、また、後者は基板表面に紫
外線を照射することにより達成される。紫外線照射によ
る効果は、例えばエム・クマガワ他（Ｍ．Ｋｕｍａｇａ
ｗａ ｅｔ ａｌ．）、ジャパニーズ・ジャーナル・オ
ブ・アプライド・フィジクス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ）、７巻、１９６８年、１３３２頁、およびアール・
ジィ・フリーザー他（Ｒ．Ｇ．Ｆｒｉｅｓｅｒ ｅｔ
ａｌ．）、ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソ
サイエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、１１５巻、１９６
８年、４０１頁に報告されている。
半導体層を形成する場合、特に結晶成長の初期過程にお
いて三次元成長や多結晶化を抑止することが、良好な単
結晶薄膜を得るための重要なポイントである。そのため
には、基板表面へのＶ族原料とＩＩＩ族原料の供給をバ
ランスよく行うとともに、二次元成長モードにより結晶
成長が進行するよう、吸着分子・粒子の表面泳動を充分
活性化してやることが必要である。この活性化の方法と
して、熱励起と光励起の２つの方法があり、前者は基板
温度を高くすることにより、また、後者は基板表面に紫
外線を照射することにより達成される。紫外線照射によ
る効果は、例えばエム・クマガワ他（Ｍ．Ｋｕｍａｇａ
ｗａ ｅｔ ａｌ．）、ジャパニーズ・ジャーナル・オ
ブ・アプライド・フィジクス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ）、７巻、１９６８年、１３３２頁、およびアール・
ジィ・フリーザー他（Ｒ．Ｇ．Ｆｒｉｅｓｅｒ ｅｔ
ａｌ．）、ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソ
サイエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、１１５巻、１９６
８年、４０１頁に報告されている。
【００１５】また、ＩＩＩ族原料の多層吸着による三次
元成長や、Ｖ族原料不足によって生じる化学量論的組成
からの大幅なずれ・表面荒れ等を防止するためには、Ｖ
／ＩＩＩ比を所定の値よりも高くする、即ち、砒素分圧
をある程度大きくすることが有効である。
元成長や、Ｖ族原料不足によって生じる化学量論的組成
からの大幅なずれ・表面荒れ等を防止するためには、Ｖ
／ＩＩＩ比を所定の値よりも高くする、即ち、砒素分圧
をある程度大きくすることが有効である。
【００１６】即ち、上述したように、ＭＯＭＢＥ法によ
り高不純物濃度を安定して形成するためには、（１）成
長温度を高くする、（２）Ｖ族原料の分子線強度を大き
くする、（３）成長基板表面に紫外線を照射する、とい
った３つの方法が有効である。しかしながら、（１）お
よび（２）の方法はいずれも成長層のキャリア濃度の低
下を招くことから、外部ベース領域を高濃度化して、さ
らに一層ベースコンタクト抵抗の低減をはかるという観
点からは望ましくない。同様に、（３）の方法もまた、
成長層のキャリア密度を低下させる方向に作用すること
が、ジュンイチ・ニシザワ（Ｊｕｎ−ｉｃｈｉ Ｎｉｓ
ｈｉｚａｗａ ｅｔ ａｌ．）、ジャーナル・オブ・エ
レクトロケミカル・ソサイエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ）、１３２巻、１９８５年、１１９７頁に報告されて
いる。
り高不純物濃度を安定して形成するためには、（１）成
長温度を高くする、（２）Ｖ族原料の分子線強度を大き
くする、（３）成長基板表面に紫外線を照射する、とい
った３つの方法が有効である。しかしながら、（１）お
よび（２）の方法はいずれも成長層のキャリア濃度の低
下を招くことから、外部ベース領域を高濃度化して、さ
らに一層ベースコンタクト抵抗の低減をはかるという観
点からは望ましくない。同様に、（３）の方法もまた、
成長層のキャリア密度を低下させる方向に作用すること
が、ジュンイチ・ニシザワ（Ｊｕｎ−ｉｃｈｉ Ｎｉｓ
ｈｉｚａｗａ ｅｔ ａｌ．）、ジャーナル・オブ・エ
レクトロケミカル・ソサイエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ）、１３２巻、１９８５年、１１９７頁に報告されて
いる。
【００１７】本発明では、外部ベース領域に高不純物濃
度層を形成する際に、その成長条件を途中で変化させ
て、上述の問題点を解決している。具体的方策として
は、（１）成長温度を変化させる、（２）Ｖ族原料の分
子線強度を変化させる、（３）紫外線の光強度を変化さ
せる、という３つの方法を用いている。変化のさせ方に
ついては、成長の初期過程で安定した２次元成長が、ま
た、成長の末期過程では高濃度層が得られるようにする
ことが必要であるため、（１）では高→低、（２）では
大→小、（３）では大→小とするのが一般的である。そ
の場合、初期過程と末期過程の間の途中の変化を徐々に
行っても、階段的に行っても得られる効果は同様であ
る。また、変化のさせ方を必ずしも上述のような一方向
の減少に限る必要はなく、途中の変化を様々に行うこと
が可能である。しかしながら、外部ベース領域のシート
抵抗をより低減するという観点から、高不純物濃度層が
できるだけ成長層の多くを占めるよう配慮しながら上記
変化を行うことが望ましい。
度層を形成する際に、その成長条件を途中で変化させ
て、上述の問題点を解決している。具体的方策として
は、（１）成長温度を変化させる、（２）Ｖ族原料の分
子線強度を変化させる、（３）紫外線の光強度を変化さ
せる、という３つの方法を用いている。変化のさせ方に
ついては、成長の初期過程で安定した２次元成長が、ま
た、成長の末期過程では高濃度層が得られるようにする
ことが必要であるため、（１）では高→低、（２）では
大→小、（３）では大→小とするのが一般的である。そ
の場合、初期過程と末期過程の間の途中の変化を徐々に
行っても、階段的に行っても得られる効果は同様であ
る。また、変化のさせ方を必ずしも上述のような一方向
の減少に限る必要はなく、途中の変化を様々に行うこと
が可能である。しかしながら、外部ベース領域のシート
抵抗をより低減するという観点から、高不純物濃度層が
できるだけ成長層の多くを占めるよう配慮しながら上記
変化を行うことが望ましい。
【００１８】化合物半導体のバイポーラトランジスタの
ベース抵抗においては、通常、ベースコンタクト抵抗の
占める割合が非常に大きいことから、本発明の手法を用
いることにより、高濃度外部ベース領域を選択性良く、
安定して形成することが可能となり、それによって、ベ
ース抵抗の小さいバイポーラトランジスタを安定して歩
留まり良く製造することが可能となる。
ベース抵抗においては、通常、ベースコンタクト抵抗の
占める割合が非常に大きいことから、本発明の手法を用
いることにより、高濃度外部ベース領域を選択性良く、
安定して形成することが可能となり、それによって、ベ
ース抵抗の小さいバイポーラトランジスタを安定して歩
留まり良く製造することが可能となる。
【００１９】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を用い
て説明する。
て説明する。
【００２０】図４（ａ）〜（ｃ），図５（ｄ）〜（ｅ）
は、第１の発明の実施例であるバイポーラトランジスタ
の製造方法を説明するための、工程順に示した半導体チ
ップの断面図である。
は、第１の発明の実施例であるバイポーラトランジスタ
の製造方法を説明するための、工程順に示した半導体チ
ップの断面図である。
【００２１】まず、図４（ａ）に示すように、ＧａＡｓ
からなる半絶縁性基板１上にｎ−ＧａＡｓ層からなるコ
レクタコンタクト層（３×１０18ｃｍ-3，４００ｎｍ）
２、ｎ−ＧａＡｓ層からなるコレクタ層（５×１０16ｃ
ｍ-3，５００ｎｍ）３、ｐ−ＧａＡｓ層からなるベース
層（２×１０19ｃｍ-3，６０ｎｍ）４、ｎ−Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ層からなるエミッタ層（３×１０17ｃｍ-3，
２００ｎｍ）５、ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層（ｘ：０．
２５→０）からなるグレーデッド層（３×１０17ｃ
ｍ-3，５０ｎｍ）６、ｎ−ＧａＡｓ層からなるエミッタ
コンタクト層（３×１０18ｃｍ-3，１００ｎｍ）７をＭ
ＢＥ法により、成長温度６００℃で順次形成する。続い
て、ｎ−ＧａＡｓ層７上にＳｉＯ2 膜８と所定のパター
ンを有するホトレジスト膜９を順次形成した後、このホ
トレジスト膜９をマスクとして、ＳｉＯ2 膜８を反応性
イオンビームエッチングにより除去する。
からなる半絶縁性基板１上にｎ−ＧａＡｓ層からなるコ
レクタコンタクト層（３×１０18ｃｍ-3，４００ｎｍ）
２、ｎ−ＧａＡｓ層からなるコレクタ層（５×１０16ｃ
ｍ-3，５００ｎｍ）３、ｐ−ＧａＡｓ層からなるベース
層（２×１０19ｃｍ-3，６０ｎｍ）４、ｎ−Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ層からなるエミッタ層（３×１０17ｃｍ-3，
２００ｎｍ）５、ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層（ｘ：０．
２５→０）からなるグレーデッド層（３×１０17ｃ
ｍ-3，５０ｎｍ）６、ｎ−ＧａＡｓ層からなるエミッタ
コンタクト層（３×１０18ｃｍ-3，１００ｎｍ）７をＭ
ＢＥ法により、成長温度６００℃で順次形成する。続い
て、ｎ−ＧａＡｓ層７上にＳｉＯ2 膜８と所定のパター
ンを有するホトレジスト膜９を順次形成した後、このホ
トレジスト膜９をマスクとして、ＳｉＯ2 膜８を反応性
イオンビームエッチングにより除去する。
【００２２】次に、図４（ｂ）に示すように、ホトレジ
スト膜９をマスクとして、ｎ−ＧａＡｓ層７、ｎ−Ａｌ
x Ｇａ1-x Ａｓ層６をＣｌ2 をエッチングガスに用いた
反応性イオンビームエッチングにより除去し、さらに所
定の厚さになるまで同様にしてｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａ
ｓ層５をエッチングする。続いて、有機溶剤による洗浄
を行いホトレジスト膜９を除去した後、全面にＳｉＯ2
膜１０を形成する。続いて、ＣＦ4 をエッチングガスに
用いた反応性イオンビームエッチングによりＳｉＯ2 膜
１０の不要部分を除去することにより、ｎ−ＧａＡｓ層
７、ｎ−ＡｌxＧａ1-x Ａｓ層６およびｎ−Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ層５の側面にＳｉＯ2 膜１０からなる側壁を
形成する。さらに、ＳｉＯ2 膜８および１０をマスクと
して、リン酸、過酸化水素および水の混合液によりｎ−
Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層５をエッチングして除去し、ｐ
−ＧａＡｓ層４表面を露出する。この時、ＳｉＯ2 膜１
０の下にはｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層５からなる保護
層が形成される。
スト膜９をマスクとして、ｎ−ＧａＡｓ層７、ｎ−Ａｌ
x Ｇａ1-x Ａｓ層６をＣｌ2 をエッチングガスに用いた
反応性イオンビームエッチングにより除去し、さらに所
定の厚さになるまで同様にしてｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａ
ｓ層５をエッチングする。続いて、有機溶剤による洗浄
を行いホトレジスト膜９を除去した後、全面にＳｉＯ2
膜１０を形成する。続いて、ＣＦ4 をエッチングガスに
用いた反応性イオンビームエッチングによりＳｉＯ2 膜
１０の不要部分を除去することにより、ｎ−ＧａＡｓ層
７、ｎ−ＡｌxＧａ1-x Ａｓ層６およびｎ−Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ層５の側面にＳｉＯ2 膜１０からなる側壁を
形成する。さらに、ＳｉＯ2 膜８および１０をマスクと
して、リン酸、過酸化水素および水の混合液によりｎ−
Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層５をエッチングして除去し、ｐ
−ＧａＡｓ層４表面を露出する。この時、ＳｉＯ2 膜１
０の下にはｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層５からなる保護
層が形成される。
【００２３】次に、図４（ｃ）に示すように、ＴＭＧお
よび固体砒素を成長原料に用いたＭＯＭＢＥ法により、
ＳｉＯ2 膜８および１０をマスクとして、ｐ−ＧａＡｓ
層４上にｐ−ＧａＡｓ層１１を選択的に形成する。
よび固体砒素を成長原料に用いたＭＯＭＢＥ法により、
ＳｉＯ2 膜８および１０をマスクとして、ｐ−ＧａＡｓ
層４上にｐ−ＧａＡｓ層１１を選択的に形成する。
【００２４】この工程における基板温度の成長開始後の
時間変化を図１に示した。ｐ−ＧａＡｓ層１１の成長に
先立ち、砒素の分子線を照射しながら基板温度を６００
℃に昇温してｐ−ＧａＡｓ層４表面の酸化膜を除去した
後、ＴＭＧ流量を１ｃｃ／ｍｉｎ、砒素分圧を１．５×
１０-5Ｔｏｒｒに保持し、基板温度を５５０℃→５００
℃→４５０℃と変化させて成長を行う。それぞれの基板
温度における成長時間は５５０℃：２分間、５００℃：
３分間、４５０℃：６分間であるが、基板温度変化後の
遷移にそれぞれ約３０秒を要した。これにより、約２５
０ｎｍのｐ−ＧａＡｓ層１１が形成される。
時間変化を図１に示した。ｐ−ＧａＡｓ層１１の成長に
先立ち、砒素の分子線を照射しながら基板温度を６００
℃に昇温してｐ−ＧａＡｓ層４表面の酸化膜を除去した
後、ＴＭＧ流量を１ｃｃ／ｍｉｎ、砒素分圧を１．５×
１０-5Ｔｏｒｒに保持し、基板温度を５５０℃→５００
℃→４５０℃と変化させて成長を行う。それぞれの基板
温度における成長時間は５５０℃：２分間、５００℃：
３分間、４５０℃：６分間であるが、基板温度変化後の
遷移にそれぞれ約３０秒を要した。これにより、約２５
０ｎｍのｐ−ＧａＡｓ層１１が形成される。
【００２５】続いて、バイポーラトランジスタを形成す
る部分を除いた他の部分にＨ+ を注入し絶縁領域１２を
形成した後、所定のパターンのホトレジスト膜１３を形
成し、上方より、ＴｉＰｔＡｕ層１４を蒸着する。
る部分を除いた他の部分にＨ+ を注入し絶縁領域１２を
形成した後、所定のパターンのホトレジスト膜１３を形
成し、上方より、ＴｉＰｔＡｕ層１４を蒸着する。
【００２６】次に、図５（ｄ）に示すように、有機溶剤
による洗浄を行い、ホトレジスト膜１３を除去すること
によりＴｉＰｔＡｕ層１４をリフトオフした後、ベース
電極の幅が所定の値になるように所定のパターンのホト
レジスト膜を形成する。続いて、ホトレジスト膜をマス
クとしてイオンミリング法によりＴｉＰｔＡｕ層１４を
エッチングして除去し、さらにリン酸、過酸化水素およ
び水の混合液により、ｐ−ＧａＡｓ層１１および４を順
次エッチングして除去する。続いて、有機溶剤による洗
浄を行い、ホトレジスト膜を除去した後、コレクタ開口
用の所定のパターンのホトレジスト膜１６を形成し、こ
れをマスクとしてリン酸、過酸化水素および水の混合液
によりｎ−ＧａＡｓ層３をエッチングして除去すること
により、ｎ−ＧａＡｓ層２表面を露出する。さらに、上
方よりｎ−ＧａＡｓ層２のオーミック金属であるＡｕＧ
ｅＮｉ層１７を蒸着する。
による洗浄を行い、ホトレジスト膜１３を除去すること
によりＴｉＰｔＡｕ層１４をリフトオフした後、ベース
電極の幅が所定の値になるように所定のパターンのホト
レジスト膜を形成する。続いて、ホトレジスト膜をマス
クとしてイオンミリング法によりＴｉＰｔＡｕ層１４を
エッチングして除去し、さらにリン酸、過酸化水素およ
び水の混合液により、ｐ−ＧａＡｓ層１１および４を順
次エッチングして除去する。続いて、有機溶剤による洗
浄を行い、ホトレジスト膜を除去した後、コレクタ開口
用の所定のパターンのホトレジスト膜１６を形成し、こ
れをマスクとしてリン酸、過酸化水素および水の混合液
によりｎ−ＧａＡｓ層３をエッチングして除去すること
により、ｎ−ＧａＡｓ層２表面を露出する。さらに、上
方よりｎ−ＧａＡｓ層２のオーミック金属であるＡｕＧ
ｅＮｉ層１７を蒸着する。
【００２７】次に、図５（ｅ）に示すように、有機溶剤
中でホトレジスト膜１６を溶かしリフトオフを行った
後、エミッタ開口用の所定のパターンのホトレジスト膜
を形成し、緩衝フッ酸によりＳｉＯ2 膜８をエッチング
して除去する。続いて、上方よりｎ−ＧａＡｓ層７のオ
ーミック金属であるＡｕＧｅＮｉ層１９を蒸着した後、
有機溶剤中でホトレジスト膜を溶かしリフトオフを行っ
て化合物半導体のバイポーラトランジスタが完成する。
中でホトレジスト膜１６を溶かしリフトオフを行った
後、エミッタ開口用の所定のパターンのホトレジスト膜
を形成し、緩衝フッ酸によりＳｉＯ2 膜８をエッチング
して除去する。続いて、上方よりｎ−ＧａＡｓ層７のオ
ーミック金属であるＡｕＧｅＮｉ層１９を蒸着した後、
有機溶剤中でホトレジスト膜を溶かしリフトオフを行っ
て化合物半導体のバイポーラトランジスタが完成する。
【００２８】第２の発明の実施例では、上述した第１の
発明の実施例と同様、図４（ａ）〜（ｃ），図５（ｄ）
〜（ｅ）の工程を経て化合物半導体のバイポーラトラン
ジスタが得られる。ただし、この実施例ではベースコン
タクト層となるｐ−ＧａＡｓ層１１を形成する際、砒素
の分子線強度を変化させて行っている。
発明の実施例と同様、図４（ａ）〜（ｃ），図５（ｄ）
〜（ｅ）の工程を経て化合物半導体のバイポーラトラン
ジスタが得られる。ただし、この実施例ではベースコン
タクト層となるｐ−ＧａＡｓ層１１を形成する際、砒素
の分子線強度を変化させて行っている。
【００２９】図２はこの工程における砒素分子線強度の
成長開始後の時間変化を示したものである。第１の発明
の実施例と同様に、ｐ−ＧａＡｓ層１１の成長に先立
ち、砒素の分子線を照射しながら基板温度を６００℃に
昇温してｐ−ＧａＡｓ層４表面の酸化膜を除去した後、
ＴＭＧ流量を１ｃｃ／ｍｉｎ、基板温度を４５０℃に保
持し、砒素分圧を１．５×１０-5Ｔｏｒｒ→５×１０-6
Ｔｏｒｒと変化させて成長を行う。それぞれの砒素分圧
における成長時間は１．５×１０-5Ｔｏｒｒ：３分間、
５×１０-6Ｔｏｒｒ：２分間であるが、砒素分圧変化後
の遷移に約３分を要した。これにより、約２５０ｎｍの
ｐ−ＧａＡｓ層１１が形成される。
成長開始後の時間変化を示したものである。第１の発明
の実施例と同様に、ｐ−ＧａＡｓ層１１の成長に先立
ち、砒素の分子線を照射しながら基板温度を６００℃に
昇温してｐ−ＧａＡｓ層４表面の酸化膜を除去した後、
ＴＭＧ流量を１ｃｃ／ｍｉｎ、基板温度を４５０℃に保
持し、砒素分圧を１．５×１０-5Ｔｏｒｒ→５×１０-6
Ｔｏｒｒと変化させて成長を行う。それぞれの砒素分圧
における成長時間は１．５×１０-5Ｔｏｒｒ：３分間、
５×１０-6Ｔｏｒｒ：２分間であるが、砒素分圧変化後
の遷移に約３分を要した。これにより、約２５０ｎｍの
ｐ−ＧａＡｓ層１１が形成される。
【００３０】第３の発明の実施例についても、上述した
第１および第２の発明の実施例と同様、図４（ａ）〜
（ｃ），図５（ｄ）〜（ｅ）の工程を経て化合物半導体
のバイポーラトランジスタが得られる。ただし、この実
施例ではベースコンタクト層となるｐ−ＧａＡｓ層１１
を形成する際に基板表面に紫外線を照射し、その光強度
を変化させた。紫外線の光源としてはキセノン・水銀ラ
ンプを用いた。
第１および第２の発明の実施例と同様、図４（ａ）〜
（ｃ），図５（ｄ）〜（ｅ）の工程を経て化合物半導体
のバイポーラトランジスタが得られる。ただし、この実
施例ではベースコンタクト層となるｐ−ＧａＡｓ層１１
を形成する際に基板表面に紫外線を照射し、その光強度
を変化させた。紫外線の光源としてはキセノン・水銀ラ
ンプを用いた。
【００３１】図３はこの工程における照射紫外光強度の
成長開始後の時間変化を示したものである。第１および
第２の発明の実施例と同様に、ｐ−ＧａＡｓ層１１の成
長に先立ち、砒素の分子線を照射しながら基板温度を６
００℃に昇温してｐ−ＧａＡｓ層４表面の表面酸化膜を
除去した後、ＴＭＧ流量を１ｃｃ／ｍｉｎ、基板温度を
４５０℃、砒素分圧を７×１０-6Ｔｏｒｒに保持し、キ
セノン・水銀ランプの照射光強度を０．５Ｗ／ｃｍ2 →
０Ｗ／ｃｍ2 （即ち、光照射なし）と変化させて成長を
行う。それぞれの光強度における成長時間は０．３Ｗ／
ｃｍ2 ：４分間、０Ｗ／ｃｍ2 ：１２分間である。これ
により、約２５０ｎｍのｐ−ＧａＡｓ層１１が形成され
る。
成長開始後の時間変化を示したものである。第１および
第２の発明の実施例と同様に、ｐ−ＧａＡｓ層１１の成
長に先立ち、砒素の分子線を照射しながら基板温度を６
００℃に昇温してｐ−ＧａＡｓ層４表面の表面酸化膜を
除去した後、ＴＭＧ流量を１ｃｃ／ｍｉｎ、基板温度を
４５０℃、砒素分圧を７×１０-6Ｔｏｒｒに保持し、キ
セノン・水銀ランプの照射光強度を０．５Ｗ／ｃｍ2 →
０Ｗ／ｃｍ2 （即ち、光照射なし）と変化させて成長を
行う。それぞれの光強度における成長時間は０．３Ｗ／
ｃｍ2 ：４分間、０Ｗ／ｃｍ2 ：１２分間である。これ
により、約２５０ｎｍのｐ−ＧａＡｓ層１１が形成され
る。
【００３２】上述した第１，第２および第３の発明の実
施例において得られたバイポーラトランジスタは、形状
および電気伝導性の優れた高濃度ベースコンタクト層を
有し、素子の高速・高周波特性もまた非常に良好であっ
た。
施例において得られたバイポーラトランジスタは、形状
および電気伝導性の優れた高濃度ベースコンタクト層を
有し、素子の高速・高周波特性もまた非常に良好であっ
た。
【００３３】なお、上述の第３の発明の実施例において
は、紫外線の光源としてキセノン・水銀ランプを用いた
が、これに限らず、低圧水銀ランプ、エキシマレーザ
等、種々の紫外線光源を利用して同様の効果を得ること
ができる。その場合、照射光が４００ｎｍ以下の波長を
有する光源が有効である。
は、紫外線の光源としてキセノン・水銀ランプを用いた
が、これに限らず、低圧水銀ランプ、エキシマレーザ
等、種々の紫外線光源を利用して同様の効果を得ること
ができる。その場合、照射光が４００ｎｍ以下の波長を
有する光源が有効である。
【００３４】また、上述の第１，第２および第３の発明
の実施例においては、図６（ａ）と同様にｐ−ＧａＡｓ
層１１をベースコンタクト層として形成した場合につい
て述べたが、本発明はこれに限定されず、ｐ−ＧａＡｓ
層１１を図６（ｂ）と同様、外部ベース領域全体に形成
した場合についても適用でき、同様の効果が得られる。
の実施例においては、図６（ａ）と同様にｐ−ＧａＡｓ
層１１をベースコンタクト層として形成した場合につい
て述べたが、本発明はこれに限定されず、ｐ−ＧａＡｓ
層１１を図６（ｂ）と同様、外部ベース領域全体に形成
した場合についても適用でき、同様の効果が得られる。
【００３５】また、上述の実施例においては、エミッタ
アップ型のものについて述べたが、本発明はこれに限定
されず、コレクタアップ型のものについても同様に適用
できる。
アップ型のものについて述べたが、本発明はこれに限定
されず、コレクタアップ型のものについても同様に適用
できる。
【００３６】さらに、上述の実施例においては、ベース
層がｐ−ＧａＡｓからなるものについて述べたが、本発
明はこれに限定されず、例えばｐ−ＡｌＧａＡｓからな
るベース層のＡｌ組成を徐々に変化させてグレーデッド
ベース構造としたもの、ＡｌＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓ系
やＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ系のヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタの場合のようにベース層がｐ−ＩｎＧａＡｓか
らなるもの、あるいはｐ−ＡｌＩｎＧａＡｓやｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ等からなるものについても同様に適用でき、
効果は同様である。
層がｐ−ＧａＡｓからなるものについて述べたが、本発
明はこれに限定されず、例えばｐ−ＡｌＧａＡｓからな
るベース層のＡｌ組成を徐々に変化させてグレーデッド
ベース構造としたもの、ＡｌＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓ系
やＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ系のヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタの場合のようにベース層がｐ−ＩｎＧａＡｓか
らなるもの、あるいはｐ−ＡｌＩｎＧａＡｓやｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ等からなるものについても同様に適用でき、
効果は同様である。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ｐ
型高不純物濃度層からなるベースコンタクト層もしくは
外部ベース層を大きな表面荒れや多結晶化を生じさせず
に安定して、しかも選択性良く形成することができる。
その結果、素子歩留まりが向上し、ベース抵抗の小さ
な、高速・高周波特性の優れた化合物半導体のバイポー
ラトランジスタを安定して再現性良く実現できるという
効果がある。
型高不純物濃度層からなるベースコンタクト層もしくは
外部ベース層を大きな表面荒れや多結晶化を生じさせず
に安定して、しかも選択性良く形成することができる。
その結果、素子歩留まりが向上し、ベース抵抗の小さ
な、高速・高周波特性の優れた化合物半導体のバイポー
ラトランジスタを安定して再現性良く実現できるという
効果がある。
【図１】第１の発明のバイポーラトランジスタの製造方
法を説明するための図であり、ベースコンタクト層形成
時の基板温度の時間変化を示す図である。
法を説明するための図であり、ベースコンタクト層形成
時の基板温度の時間変化を示す図である。
【図２】第２の発明のバイポーラトランジスタの製造方
法を説明するための図であり、ベースコンタクト層形成
時の砒素分子線強度の時間変化を示す図である。
法を説明するための図であり、ベースコンタクト層形成
時の砒素分子線強度の時間変化を示す図である。
【図３】第３の発明のバイポーラトランジスタの製造方
法を説明するための図であり、ベースコンタクト層形成
時に基板表面に照射する紫外線強度の時間変化を示す図
である。
法を説明するための図であり、ベースコンタクト層形成
時に基板表面に照射する紫外線強度の時間変化を示す図
である。
【図４】第１，第２および第３の発明のバイポーラトラ
ンジスタの製造方法を説明するための、工程順に示した
半導体チップの断面図である。
ンジスタの製造方法を説明するための、工程順に示した
半導体チップの断面図である。
【図５】第１，第２および第３の発明のバイポーラトラ
ンジスタの製造方法を説明するための、工程順に示した
半導体チップの断面図である。
ンジスタの製造方法を説明するための、工程順に示した
半導体チップの断面図である。
【図６】従来の製造方法によって得られるバイポーラト
ランジスタを説明するための半導体チップの断面図であ
る。
ランジスタを説明するための半導体チップの断面図であ
る。
１ 半絶縁性基板（ＧａＡｓ） ２，３，７ ｎ−ＧａＡｓ層 ４，１１ ｐ−ＧａＡｓ層 ５ ｎ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層 ６ ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層（ｘ：０．２５→０） ８，１０ ＳｉＯ2 膜 ９，１３，１６ ホトレジスト膜 １２ 絶縁領域 １４ ＴｉＰｔＡｕ層 １７，１８，１９ ＡｕＧｅＮｉ層
Claims (3)
- 【請求項１】半絶縁性基板上に少なくともコレクタ層、
ベース層およびエミッタ層を含む積層構造を形成する工
程と、 少なくとも原料ガスの１つに有機ＩＩＩ族原料を含む分
子線エピタキシー法により、成長温度を徐々に、もしく
は階段的に変化させて、外部ベース領域の少なくとも一
部を形成する工程とを含むことを特徴とするバイポーラ
トランジスタの製造方法。 - 【請求項２】半絶縁性基板上に少なくともコレクタ層、
ベース層およびエミッタ層を含む積層構造を形成する工
程と、 少なくとも原料ガスの１つに有機ＩＩＩ族原料を含む分
子線エピタキシー法により、Ｖ族原料の分子線強度を徐
々に、もしくは階段的に変化させて、外部ベース領域の
少なくとも一部を形成する工程とを含むことを特徴とす
るバイポーラトランジスタの製造方法。 - 【請求項３】半絶縁性基板上に少なくともコレクタ層、
ベース層およびエミッタ層を含む積層構造を形成する工
程と、 少なくとも原料ガスの１つに有機ＩＩＩ族原料を含む分
子線エピタキシー法により、結晶成長中の基板表面に紫
外線を照射するとともに、前記紫外線の光強度を徐々
に、もしくは階段的に変化させて、外部ベース領域の少
なくとも一部を形成する工程とを含むことを特徴とする
バイポーラトランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4160892A JPH05243252A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4160892A JPH05243252A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243252A true JPH05243252A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12613076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4160892A Pending JPH05243252A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243252A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012102196A1 (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-02 | Ｎｔｔエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4160892A patent/JPH05243252A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012102196A1 (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-02 | Ｎｔｔエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP2012156206A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Ntt Electornics Corp | 半導体装置 |
| US8754445B2 (en) | 2011-01-24 | 2014-06-17 | Ntt Electronics Corporation | Semiconductor device |
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