JPH05249211A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH05249211A JPH05249211A JP4083351A JP8335192A JPH05249211A JP H05249211 A JPH05249211 A JP H05249211A JP 4083351 A JP4083351 A JP 4083351A JP 8335192 A JP8335192 A JP 8335192A JP H05249211 A JPH05249211 A JP H05249211A
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- magnetoresistive element
- magnetic sensor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 周囲温度が変化しても十分な温度補償を行っ
て、磁界の強さを正確に測定可能な磁気センサを容易か
つ低コストで提供する。 【構成】 磁気センサ１は、強磁性体金属の蒸着薄膜に
より構成され、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗素子Ｒ
１，Ｒ２とは別に、前記強磁性体金属の蒸着薄膜により
構成され、線幅が６μ以下のパターンで形成される温度
検出回路Ｒ３を有しているので、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ
２の温度を応答性良く正確に計測できるため、磁界Ｂの
強さを正確に計測できる。
て、磁界の強さを正確に測定可能な磁気センサを容易か
つ低コストで提供する。 【構成】 磁気センサ１は、強磁性体金属の蒸着薄膜に
より構成され、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗素子Ｒ
１，Ｒ２とは別に、前記強磁性体金属の蒸着薄膜により
構成され、線幅が６μ以下のパターンで形成される温度
検出回路Ｒ３を有しているので、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ
２の温度を応答性良く正確に計測できるため、磁界Ｂの
強さを正確に計測できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強磁性体金属の薄膜に
より形成される磁気抵抗素子の磁気抵抗効果を利用する
磁気センサに関するものである。
より形成される磁気抵抗素子の磁気抵抗効果を利用する
磁気センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気センサは、近接スイッチ、位
置検出器、電子ロック装置、キーボード、薄膜磁気ヘッ
ド、圧力スイッチングセンサ、パターン認識センサ等と
して広く使用されている。そして、磁界の強さを計測す
るための磁気センサには、磁気抵抗効果を有する磁気抵
抗素子が広く使用されている。
置検出器、電子ロック装置、キーボード、薄膜磁気ヘッ
ド、圧力スイッチングセンサ、パターン認識センサ等と
して広く使用されている。そして、磁界の強さを計測す
るための磁気センサには、磁気抵抗効果を有する磁気抵
抗素子が広く使用されている。
【０００３】ここで、磁気抵抗効果とは、強磁性体金属
薄膜等の素子を磁界内に置くとき、導体中の内部電気抵
抗が変化する現象をいう。磁気抵抗効果を利用する磁気
抵抗素子としては、インジウムアンチモン、ガリウム砒
素等の化合物半導体を利用したものと、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃ
ｏ、パーマロイ等の強磁性体金属で形成される磁気感応
薄膜を利用したものの２種類が使用されている。
薄膜等の素子を磁界内に置くとき、導体中の内部電気抵
抗が変化する現象をいう。磁気抵抗効果を利用する磁気
抵抗素子としては、インジウムアンチモン、ガリウム砒
素等の化合物半導体を利用したものと、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃ
ｏ、パーマロイ等の強磁性体金属で形成される磁気感応
薄膜を利用したものの２種類が使用されている。
【０００４】そして、一般に、半導体磁気抵抗素子では
磁界をかけるとその内部抵抗が増加する。すなわち、半
導体磁気抵抗素子は正の磁気特性をもっている。これに
対して強磁性体磁気抵抗素子では、磁界をかけるとその
内部抵抗が減少する。すなわち、強磁性体磁気抵抗素子
は負の磁気特性をもっている。
磁界をかけるとその内部抵抗が増加する。すなわち、半
導体磁気抵抗素子は正の磁気特性をもっている。これに
対して強磁性体磁気抵抗素子では、磁界をかけるとその
内部抵抗が減少する。すなわち、強磁性体磁気抵抗素子
は負の磁気特性をもっている。
【０００５】一方、従来、強磁性体金属で形成される磁
気感応薄膜は、真空蒸着法やスパッタ法を利用して、ガ
ラス基板等の上にパーマロイ等の強磁性体金属を、厚さ
約１０００オングストロームの薄膜状に付着させること
により形成されている。強磁性体金属薄膜で形成される
磁気抵抗素子は、半導体磁気抵抗素子よりも周波数特性
が優れているため広く使用されている。磁気抵抗素子
は、上記磁気感応薄膜をエッチング加工により、つづら
折り状のパターンとすることで形成される。
気感応薄膜は、真空蒸着法やスパッタ法を利用して、ガ
ラス基板等の上にパーマロイ等の強磁性体金属を、厚さ
約１０００オングストロームの薄膜状に付着させること
により形成されている。強磁性体金属薄膜で形成される
磁気抵抗素子は、半導体磁気抵抗素子よりも周波数特性
が優れているため広く使用されている。磁気抵抗素子
は、上記磁気感応薄膜をエッチング加工により、つづら
折り状のパターンとすることで形成される。
【０００６】しかし、強磁性体金属薄膜のパターンで形
成される磁気抵抗素子では温度依存性が大きく、このま
までは実用上問題がある。すなわち、強磁性体金属は一
般的に温度により内部抵抗が変化する性質があり、また
磁気抵抗素子では薄膜状のパターンであるため温度変化
の影響を受けやすい。従って、磁気抵抗素子の内部抵抗
が磁界の強さのみでなく、周囲温度によっても変化して
しまう。
成される磁気抵抗素子では温度依存性が大きく、このま
までは実用上問題がある。すなわち、強磁性体金属は一
般的に温度により内部抵抗が変化する性質があり、また
磁気抵抗素子では薄膜状のパターンであるため温度変化
の影響を受けやすい。従って、磁気抵抗素子の内部抵抗
が磁界の強さのみでなく、周囲温度によっても変化して
しまう。
【０００７】この問題を解決する手段として、従来よ
り、２つの磁気抵抗素子を同一基板上に設け、差動的に
温度補償を行うことが行われていた。強磁性体金属薄膜
を利用する従来の磁気センサ１６の一例を図５に示す。
同一の磁気抵抗素子１１，１２は、各々約１０〜２０μ
の線幅を有するパターンとして形成されている。磁気抵
抗素子１１，１２のパターンは直角の位相差をもつよう
に形成されている。
り、２つの磁気抵抗素子を同一基板上に設け、差動的に
温度補償を行うことが行われていた。強磁性体金属薄膜
を利用する従来の磁気センサ１６の一例を図５に示す。
同一の磁気抵抗素子１１，１２は、各々約１０〜２０μ
の線幅を有するパターンとして形成されている。磁気抵
抗素子１１，１２のパターンは直角の位相差をもつよう
に形成されている。
【０００８】そして、磁気抵抗素子１１，１２は、パタ
ーンの線の長手方向に対して直角に磁界を受けた場合
に、内部抵抗値が減少する性質を有しており、パターン
の線の長手方向に磁界を受けた場合には、内部抵抗値が
変化しない。そのため、図５に示すように、磁気抵抗素
子１１のパターン線の長手方向に磁界Ａがかけられた場
合、磁気抵抗素子１２の内部抵抗値は減少するが、磁気
抵抗素子１１の内部抵抗値は磁界Ａによっては変化しな
い。
ーンの線の長手方向に対して直角に磁界を受けた場合
に、内部抵抗値が減少する性質を有しており、パターン
の線の長手方向に磁界を受けた場合には、内部抵抗値が
変化しない。そのため、図５に示すように、磁気抵抗素
子１１のパターン線の長手方向に磁界Ａがかけられた場
合、磁気抵抗素子１２の内部抵抗値は減少するが、磁気
抵抗素子１１の内部抵抗値は磁界Ａによっては変化しな
い。
【０００９】よって、磁気抵抗素子１１の内部抵抗値の
変化は、温度変化のみを直接表わすこととなる。それに
対して、磁気抵抗素子１２の内部抵抗値は磁界Ａの強さ
及び周囲温度の両方により変化している。従って、磁気
抵抗素子１２の内部抵抗値の変化を磁気抵抗素子１１の
内部抵抗値の変化により温度補償することが可能であ
る。すなわち、この磁気抵抗素子１２の内部抵抗値の変
化により変動した直流電流が流れる磁気抵抗素子１１の
両端部端子１３，１４の直流電圧を計測することによ
り、温度補償された磁界Ａの強さを測定することができ
る。
変化は、温度変化のみを直接表わすこととなる。それに
対して、磁気抵抗素子１２の内部抵抗値は磁界Ａの強さ
及び周囲温度の両方により変化している。従って、磁気
抵抗素子１２の内部抵抗値の変化を磁気抵抗素子１１の
内部抵抗値の変化により温度補償することが可能であ
る。すなわち、この磁気抵抗素子１２の内部抵抗値の変
化により変動した直流電流が流れる磁気抵抗素子１１の
両端部端子１３，１４の直流電圧を計測することによ
り、温度補償された磁界Ａの強さを測定することができ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように二つの磁気抵抗素子１１，１２を利用して差動的
に温度補償を行わせるためには、二つの磁気抵抗素子の
寸法を精度よく管理することが必要であった。磁気抵抗
素子１２の温度変化による内部抵抗値の変化を温度補償
するのに、二つの磁気抵抗素子１１，１２の寸法精度が
悪いと複雑な演算や定数を決定するための余分な実験等
が必要になるためである。
ように二つの磁気抵抗素子１１，１２を利用して差動的
に温度補償を行わせるためには、二つの磁気抵抗素子の
寸法を精度よく管理することが必要であった。磁気抵抗
素子１２の温度変化による内部抵抗値の変化を温度補償
するのに、二つの磁気抵抗素子１１，１２の寸法精度が
悪いと複雑な演算や定数を決定するための余分な実験等
が必要になるためである。
【００１１】ここで、磁気抵抗素子の寸法等は、蒸着に
より膜厚が決まり、エッチング加工によりパターンの線
幅が決まる。このうち、ウエットエッチング加工、はエ
ッチング液の濃度や液温度等により大きく変動するもの
であり、パターンの線幅を所定の幅に精度よく加工する
のは難しかった。
より膜厚が決まり、エッチング加工によりパターンの線
幅が決まる。このうち、ウエットエッチング加工、はエ
ッチング液の濃度や液温度等により大きく変動するもの
であり、パターンの線幅を所定の幅に精度よく加工する
のは難しかった。
【００１２】従って、二つの磁気抵抗素子の加工精度を
良くすることは困難であり、また、そのために余分なコ
ストが発生していた。このことは特に、磁気センサを周
囲温度が数十度の幅で変化する環境で使用するような場
合に問題となっていた。
良くすることは困難であり、また、そのために余分なコ
ストが発生していた。このことは特に、磁気センサを周
囲温度が数十度の幅で変化する環境で使用するような場
合に問題となっていた。
【００１３】この問題を解決する手段として、周囲温度
を計測するための温度検出器を磁気センサとは別に設け
て、温度検出器から得られた周囲温度に基づいて磁気セ
ンサの温度補償を行うことも行われていた。しかし、こ
の場合、磁気抵抗素子自体の温度を計測することは困難
であり、磁気抵抗素子から離れた位置で、磁気抵抗素子
と異なった応答性の温度検出器で周囲温度を計測してい
るため、正確に磁気センサの温度補償を行えていなかっ
た。
を計測するための温度検出器を磁気センサとは別に設け
て、温度検出器から得られた周囲温度に基づいて磁気セ
ンサの温度補償を行うことも行われていた。しかし、こ
の場合、磁気抵抗素子自体の温度を計測することは困難
であり、磁気抵抗素子から離れた位置で、磁気抵抗素子
と異なった応答性の温度検出器で周囲温度を計測してい
るため、正確に磁気センサの温度補償を行えていなかっ
た。
【００１４】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、周囲温度が変化しても十分な温
度補償を行って、磁界の強さを正確に測定可能な磁気セ
ンサを容易かつ低コストで提供することを目的とする。
になされたものであり、周囲温度が変化しても十分な温
度補償を行って、磁界の強さを正確に測定可能な磁気セ
ンサを容易かつ低コストで提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の磁気センサは、強磁性体金属の蒸着薄膜に
より構成され、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗素子を使
用する磁気センサであって、磁気抵抗素子とは別に、前
記強磁性体金属の蒸着薄膜により構成され、線幅が６μ
以下のパターンで形成される温度検出回路を有してい
る。
に、本発明の磁気センサは、強磁性体金属の蒸着薄膜に
より構成され、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗素子を使
用する磁気センサであって、磁気抵抗素子とは別に、前
記強磁性体金属の蒸着薄膜により構成され、線幅が６μ
以下のパターンで形成される温度検出回路を有してい
る。
【００１６】
【作用】上記の構成よりなる本発明の磁気センサは、磁
界内に置かれると磁界の強さに応じて電気的な抵抗値が
減少する。この抵抗値の変化を測定し、磁界の強さに換
算することにより磁界の強さが測定される。
界内に置かれると磁界の強さに応じて電気的な抵抗値が
減少する。この抵抗値の変化を測定し、磁界の強さに換
算することにより磁界の強さが測定される。
【００１７】例えば、磁気センサを回転数検出器として
使用する場合、回転体に永久磁石を取付け、永久磁石を
検出可能な位置に磁気センサを取り付ける。永久磁石の
回転に伴い、磁気センサの磁気抵抗素子の内部抵抗値が
周期的に変化する。ここで、周囲温度が変化した場合、
磁気抵抗素子の内部抵抗値も周囲温度に応じて変化す
る。
使用する場合、回転体に永久磁石を取付け、永久磁石を
検出可能な位置に磁気センサを取り付ける。永久磁石の
回転に伴い、磁気センサの磁気抵抗素子の内部抵抗値が
周期的に変化する。ここで、周囲温度が変化した場合、
磁気抵抗素子の内部抵抗値も周囲温度に応じて変化す
る。
【００１８】一方、温度検出回路は、磁気抵抗素子と同
じ材質の強磁性体金属で線幅６μ以下のパターンで形成
されているので、温度検出回路は、磁気抵抗素子と同じ
条件で周囲温度の変化の影響をうけるが、磁気抵抗素子
と比べて磁界の強さの変化の影響を受けることがほとん
どない。従って、この温度検出器の出力を用いて磁気抵
抗素子の温度補償を行うことにより、周囲温度に影響さ
れない正確な磁気センサを得ることができる。
じ材質の強磁性体金属で線幅６μ以下のパターンで形成
されているので、温度検出回路は、磁気抵抗素子と同じ
条件で周囲温度の変化の影響をうけるが、磁気抵抗素子
と比べて磁界の強さの変化の影響を受けることがほとん
どない。従って、この温度検出器の出力を用いて磁気抵
抗素子の温度補償を行うことにより、周囲温度に影響さ
れない正確な磁気センサを得ることができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例である磁
気センサ１について図面を参照して説明する。図１に磁
気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２を利用した磁気センサ１の構成を
示す。磁気センサ１上には、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の
２つのつづら折り状のパターンが、各々直角の位相差を
もつように形成されている。
気センサ１について図面を参照して説明する。図１に磁
気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２を利用した磁気センサ１の構成を
示す。磁気センサ１上には、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の
２つのつづら折り状のパターンが、各々直角の位相差を
もつように形成されている。
【００２０】ここで、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２は、共に
約１０〜２０μの線幅を有するつづら折りパターンとし
て形成されている。また、温度検出回路Ｒ３は、約４μ
の線幅を有するつづら折りパターンとして形成されてい
る。本実施例では、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２および温度
検出回路Ｒ３の素材である強磁性体金属として、共にパ
ーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ，８３：１７）を使用している。
約１０〜２０μの線幅を有するつづら折りパターンとし
て形成されている。また、温度検出回路Ｒ３は、約４μ
の線幅を有するつづら折りパターンとして形成されてい
る。本実施例では、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２および温度
検出回路Ｒ３の素材である強磁性体金属として、共にパ
ーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ，８３：１７）を使用している。
【００２１】磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２は、パターンの線
の長手方向に対して直角に磁界を受けた場合に、抵抗値
が減少する性質を有しており、パターンの線の長手方向
に磁界を受けた場合には、抵抗値が変化しない。磁気抵
抗素子Ｒ１の両端に端子部２，３が配設され、磁気抵抗
素子Ｒ２の両端に端子部３，４が配設されている。温度
検出回路Ｒ３の両端に端子部５，６が配設されている。
の長手方向に対して直角に磁界を受けた場合に、抵抗値
が減少する性質を有しており、パターンの線の長手方向
に磁界を受けた場合には、抵抗値が変化しない。磁気抵
抗素子Ｒ１の両端に端子部２，３が配設され、磁気抵抗
素子Ｒ２の両端に端子部３，４が配設されている。温度
検出回路Ｒ３の両端に端子部５，６が配設されている。
【００２２】次に磁気センサ１の検出回路について説明
する。図２に磁気センサ１の検出回路を示す。端子部
２，４の間に直流電圧Ｅがかけられている。そして、端
子部３，４の間の直流電圧が出力Ａ１７として出力され
る。
する。図２に磁気センサ１の検出回路を示す。端子部
２，４の間に直流電圧Ｅがかけられている。そして、端
子部３，４の間の直流電圧が出力Ａ１７として出力され
る。
【００２３】一方、温度検出器Ｒ３の端子部６には外部
抵抗Ｓ１が接続され、外部抵抗Ｓ１の別な端子部７は直
流電源に接続している。本実施例では、外部抵抗Ｓ１は
ＴＣＲが数十ｐｐｍ／度のものを使用している。端子部
５，７の間に直流電圧Ｅがかけられている。そして、端
子部６，７の間の直流電圧が出力Ｂ１８として出力され
る。
抵抗Ｓ１が接続され、外部抵抗Ｓ１の別な端子部７は直
流電源に接続している。本実施例では、外部抵抗Ｓ１は
ＴＣＲが数十ｐｐｍ／度のものを使用している。端子部
５，７の間に直流電圧Ｅがかけられている。そして、端
子部６，７の間の直流電圧が出力Ｂ１８として出力され
る。
【００２４】次に、周囲温度が変化する場合について説
明する。まず、温度検出回路Ｒ３について説明する。本
発明者が実験したデータを図３に示す。横軸は、パター
ンを構成する線幅をミクロン単位で示し、縦軸は、その
パターンを磁気抵抗素子として使用した場合の磁気抵抗
変化率を示している。磁界の強さを１００ガウスで実験
したデータを点線８で示し、磁界の強さを５０ガウスで
実験したデータを一点鎖線９で示し、磁界の強さを２５
ガウスで実験したデータを実線１０で示す。
明する。まず、温度検出回路Ｒ３について説明する。本
発明者が実験したデータを図３に示す。横軸は、パター
ンを構成する線幅をミクロン単位で示し、縦軸は、その
パターンを磁気抵抗素子として使用した場合の磁気抵抗
変化率を示している。磁界の強さを１００ガウスで実験
したデータを点線８で示し、磁界の強さを５０ガウスで
実験したデータを一点鎖線９で示し、磁界の強さを２５
ガウスで実験したデータを実線１０で示す。
【００２５】このデータによれば、パターン幅が減少す
ると、磁気抵抗素子の磁気抵抗変化率が減少しているこ
とがわかる。従って、温度検出回路Ｒ３として、磁気抵
抗素子Ｒ１，Ｒ２のパターン幅よりも小さい線幅のパタ
ーンを使用すれば、温度検出回路Ｒ３の磁界の強さによ
る影響が少ないので、従来の同一幅のパターンを使用し
ていた温度補償回路である磁気抵抗素子１１よりも正確
に温度補償を行うことが可能である。
ると、磁気抵抗素子の磁気抵抗変化率が減少しているこ
とがわかる。従って、温度検出回路Ｒ３として、磁気抵
抗素子Ｒ１，Ｒ２のパターン幅よりも小さい線幅のパタ
ーンを使用すれば、温度検出回路Ｒ３の磁界の強さによ
る影響が少ないので、従来の同一幅のパターンを使用し
ていた温度補償回路である磁気抵抗素子１１よりも正確
に温度補償を行うことが可能である。
【００２６】すなわち、線幅の大きいパターンを使用す
る温度補償回路の場合と比較して、線幅の小さいパター
ンを使用する温度検出回路Ｒ３の方が磁界の強さの影響
を受ける量が少ない分だけ、線幅の製作精度に誤差があ
った場合でも、正確な温度検出を行うことができる。
る温度補償回路の場合と比較して、線幅の小さいパター
ンを使用する温度検出回路Ｒ３の方が磁界の強さの影響
を受ける量が少ない分だけ、線幅の製作精度に誤差があ
った場合でも、正確な温度検出を行うことができる。
【００２７】さらに、このデータより、磁気抵抗素子の
パターンを構成する線の線幅を６μ以下とすると磁気抵
抗変化率が著しく減少することがわかる。従って、パタ
ーン幅を６μ以下とすれば、磁気抵抗素子と同じ素材で
ある強磁性体金属薄膜を使用しても磁界の強さによって
薄膜の内部抵抗値が変化する割合が少ないことがわか
る。
パターンを構成する線の線幅を６μ以下とすると磁気抵
抗変化率が著しく減少することがわかる。従って、パタ
ーン幅を６μ以下とすれば、磁気抵抗素子と同じ素材で
ある強磁性体金属薄膜を使用しても磁界の強さによって
薄膜の内部抵抗値が変化する割合が少ないことがわか
る。
【００２８】一方、周囲の温度変化による内部抵抗値の
変化は、パターン幅によって影響を受けないため、強磁
性体金属薄膜をパターン幅６μ以下で形成すれば、温度
検出回路として優れた性質を持つことがわかる。すなわ
ち、温度検出回路Ｒ３が磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２と同じ
材質の強磁性体金属薄膜で構成され、かつパターン幅が
６μ以下で形成されているので、温度検出回路Ｒ３は周
囲温度の変化に対して、磁気抵抗素子と同じ応答性をも
って変動する。従って、温度検出回路Ｒ３を使用すれ
ば、磁気抵抗素子自体と同じ条件の金属の温度を計測す
ることとなり、常に磁気抵抗素子の正確な温度検出を行
うことができる。
変化は、パターン幅によって影響を受けないため、強磁
性体金属薄膜をパターン幅６μ以下で形成すれば、温度
検出回路として優れた性質を持つことがわかる。すなわ
ち、温度検出回路Ｒ３が磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２と同じ
材質の強磁性体金属薄膜で構成され、かつパターン幅が
６μ以下で形成されているので、温度検出回路Ｒ３は周
囲温度の変化に対して、磁気抵抗素子と同じ応答性をも
って変動する。従って、温度検出回路Ｒ３を使用すれ
ば、磁気抵抗素子自体と同じ条件の金属の温度を計測す
ることとなり、常に磁気抵抗素子の正確な温度検出を行
うことができる。
【００２９】次に、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の磁界の強
さと温度変化により変化した内部抵抗値の変化を、計測
した温度により温度補償する方法を説明する。図４に温
度補償を行うための温度補償回路１９をブロック図で示
す。温度補償回路１９は、演算処理装置であるＣＰＵ２
１に、入出力の中継器であるインターフェース２０、演
算プログラムを記憶するＲＯＭ２３、一時的にデータ等
を記憶するＲＡＭ２２が接続されることにより構成され
ている。
さと温度変化により変化した内部抵抗値の変化を、計測
した温度により温度補償する方法を説明する。図４に温
度補償を行うための温度補償回路１９をブロック図で示
す。温度補償回路１９は、演算処理装置であるＣＰＵ２
１に、入出力の中継器であるインターフェース２０、演
算プログラムを記憶するＲＯＭ２３、一時的にデータ等
を記憶するＲＡＭ２２が接続されることにより構成され
ている。
【００３０】そして、ＲＯＭ２３には、磁気検出量の温
度補正プログラム２４が記憶されている。インターフェ
ース２０には、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の出力電圧であ
る出力Ａ１７と、温度検出回路Ｒ３の出力電圧である出
力Ｂ１８が入力している。また、出力ａ２５が出力して
いる。
度補正プログラム２４が記憶されている。インターフェ
ース２０には、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の出力電圧であ
る出力Ａ１７と、温度検出回路Ｒ３の出力電圧である出
力Ｂ１８が入力している。また、出力ａ２５が出力して
いる。
【００３１】入力された出力Ａ１７には、磁界の強さと
磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の温度変化による内部抵抗値の
変化情報が含まれている。入力された出力Ｂ１８には、
温度検出回路Ｒ３の温度変化による内部抵抗の変化情報
のみが含まれている。磁気検出量の温度補正プログラム
２４は、出力Ｂ１８により、出力Ａ１７の値を補正して
磁界の強さを演算する。プログラムは一般的なものであ
るので、詳細な説明を省略する。
磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の温度変化による内部抵抗値の
変化情報が含まれている。入力された出力Ｂ１８には、
温度検出回路Ｒ３の温度変化による内部抵抗の変化情報
のみが含まれている。磁気検出量の温度補正プログラム
２４は、出力Ｂ１８により、出力Ａ１７の値を補正して
磁界の強さを演算する。プログラムは一般的なものであ
るので、詳細な説明を省略する。
【００３２】本実施例では、強磁性体金属材料としてパ
ーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ，８３：１７）を使用している
が、合金の成分比率が変わったばあいでも同様である。
また、材料としてＮｉやＮｉ−Ｃｏを使用した場合でも
同様である。また、本実施例ではバイアス用磁石を使用
していないが、バイアス用磁石を使用したばあいでも同
様の効果が発揮される。また、本実施例では、温度検出
回路Ｒ３を磁気センサの温度補償にのみ使用したが、温
度検出回路Ｒ３を温度センサとして使用することによ
り、温度と磁気の両方を測定可能な複合センサを得るこ
とができる。
ーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ，８３：１７）を使用している
が、合金の成分比率が変わったばあいでも同様である。
また、材料としてＮｉやＮｉ−Ｃｏを使用した場合でも
同様である。また、本実施例ではバイアス用磁石を使用
していないが、バイアス用磁石を使用したばあいでも同
様の効果が発揮される。また、本実施例では、温度検出
回路Ｒ３を磁気センサの温度補償にのみ使用したが、温
度検出回路Ｒ３を温度センサとして使用することによ
り、温度と磁気の両方を測定可能な複合センサを得るこ
とができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したことから明かなように、本
発明の磁気センサによれば、強磁性体金属の蒸着薄膜に
より構成され、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗素子とは
別に、前記強磁性体金属の蒸着薄膜により構成され、線
幅が６μ以下のパターンで形成される温度検出回路を有
しているので、磁気抵抗素子の温度を応答性良く正確に
計測できるため、磁界の強さを正確に計測できる。
発明の磁気センサによれば、強磁性体金属の蒸着薄膜に
より構成され、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗素子とは
別に、前記強磁性体金属の蒸着薄膜により構成され、線
幅が６μ以下のパターンで形成される温度検出回路を有
しているので、磁気抵抗素子の温度を応答性良く正確に
計測できるため、磁界の強さを正確に計測できる。
【図１】本発明の一実施例である磁気抵抗素子を利用し
た磁気センサの構成図である。
た磁気センサの構成図である。
【図２】本発明の一実施例である磁気センサの検出回路
図である。
図である。
【図３】磁気抵抗素子のパターン幅と磁気抵抗変化率と
の関係を示すデータ図である。
の関係を示すデータ図である。
【図４】本発明の一実施例である磁気センサの温度補償
のための制御ブロック図である。
のための制御ブロック図である。
【図５】従来の磁気センサの検出回路図である。
１ 磁気センサ ２，３，４ 端子部 １９ 温度補償回路 ２４ 磁気検出量の温度補正プログラム Ｂ 磁界 Ｒ１，Ｒ２ 磁気抵抗素子 Ｒ３ 温度検出回路 Ｓ１ 外部抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】 強磁性体金属の蒸着薄膜により構成さ
れ、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗素子を使用する磁気
センサにおいて、 前記磁気抵抗素子とは別に、前記強磁性体金属の蒸着薄
膜により構成され、線幅が６μ以下のパターンで形成さ
れる温度検出回路を有することを特徴とする磁気セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083351A JPH05249211A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083351A JPH05249211A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249211A true JPH05249211A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=13800020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4083351A Pending JPH05249211A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05249211A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7237952B2 (en) | 2004-08-02 | 2007-07-03 | Denso Corporation | Temperature sensor and sensor using a resistance element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03282277A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-12-12 | Hamamatsu Koden Kk | 磁気検出素子 |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP4083351A patent/JPH05249211A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03282277A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-12-12 | Hamamatsu Koden Kk | 磁気検出素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7237952B2 (en) | 2004-08-02 | 2007-07-03 | Denso Corporation | Temperature sensor and sensor using a resistance element |
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