JPH05249138A - 3軸加速度計 - Google Patents
3軸加速度計Info
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- JPH05249138A JPH05249138A JP4301708A JP30170892A JPH05249138A JP H05249138 A JPH05249138 A JP H05249138A JP 4301708 A JP4301708 A JP 4301708A JP 30170892 A JP30170892 A JP 30170892A JP H05249138 A JPH05249138 A JP H05249138A
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- G01P2015/082—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for two degrees of freedom of movement of a single mass
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Abstract
感度、小型かつ低価格の3軸加速度計を実現する。 【構成】 一対の固定プレート(14,24または5
4,60)とそれらの間に可動的に装着された第3のプ
レート(16または56)を有しすべての3つのプレー
トを通る第1の軸(Z)に沿った加速度を検出する。プ
レートの内2つ(14,16)はまたお互いに対しかつ
前記第1の軸(Z)に対し垂直な2つの軸(X,Y)内
でそこから外側に延びるフィンガ(30,31,32,
33,34)を有する。前記プレートおよびフィンガは
それらの間に容量を形成し、これらの容量は3つの互い
に直交する軸に沿った加速度を示す信号を生成するため
に使用される。
Description
erometer)に関しかつ、より特定的には、3つ
の互いに直交する軸に沿った加速度を測定可能な加速度
計に関する。
ために、多くの異なるタイプの加速度検出構造が考案さ
れている。これらの構造は容量デバイスおよび圧電抵抗
デバイスを含み、それらの内の幾つかは半導体製造技術
および/またはバルクマイクロ機械加工(bulk m
icromachining)を用いて製作される。容
量デバイスは一般に金属などで形成され、基板上に装着
されて該基板に対して移動する、導電プレートからな
る。このプレートは基板の平坦な面に平行に配置されか
つ該基板とともに1つまたはそれ以上の容量を形成す
る。そこに加えられる加速力により、プレートが動く
と、容量が変化する。この変化が接続された電子回路に
よって検出されかつ前記加速度を表す信号に変換され
る。
向における車両の運動、または加速度、を検出するため
の慣性誘導システムにおいて有用である。この情報か
ら、車両の位置が常時決定できる。上に述べたような、
加速度計は単一軸の装置として製造される。すべての方
向での運動の表示を得るためには、3つの従来技術の加
速度計が検出軸が互いに直交するように配置されなけれ
ばならない。このことは1つまたはそれ以上の加速度計
が他のものに対してある角度をもって配置されなければ
ならずかつパッケージ全体が単一の平坦なパッケージと
して形成できないため最終的なパッケージが依然として
かなり大きくなることを意味する。さらに、各々の加速
度計は別個の半導体基板上に構築されなけらばならない
から、信号を核チップの間で通信しなければならない。
信号を増幅し、バッファリングしかつチップ間で通信す
るためには多量の電力が必要なことはよく知られてい
る。
交する軸に沿った加速度を測定することができる新規な
かつ改良された加速度計を提供することにある。
って製造され、かつ比較的低価格でありかつ小型である
とともに、製造が容易な3軸加速度計を提供することに
ある。
他の目的は1つの半導体基板上に形成される3軸加速度
計によって満たされる。
つの面を規定しかつ各々前記規定された面が互いに平行
でありかつ互いに間隔をあけるように装着された複数層
の導電材料を含む3軸加速度計によって満たされる。前
記各層の内の第1のものは固定的に装着され第2の層は
前記第1の層に関して限られた運動が可能なように装着
される。第1および第2の層は該第1および第2の層に
よって規定される第1の軸に沿った加速度計の加速度に
従って変化する第1の容量を形成する。第1および第2
の構造が、それぞれ、前記第1および第2の層の一部と
して形成され、かつ並列に配置され、前記第2の構造は
前記第2の層とともにかつ前記第1の層に対して移動可
能である。前記第1および第2の構造はさらに互いにか
つ前記第1の軸に対して相互に直交する第2および第3
の軸を規定するよう形成され、かつ可変容量が前記第1
および第2の構造の間で形成され、これらの容量はそれ
ぞれ、前記第2および第3の軸における加速度に従って
変化する。
係わる、3軸加速度計10が示されている。加速度計1
0は平面図で示されており、その一部が内部構造をより
よく見えるようにするため除去されている。
2の上には第1の導電層14(図4に示されている)が
固定的に装着されている。第2の導電層16が第1の導
電層14と平行にかつ第1の導電層14から離れて配置
されている。層16は4つの支持アーム20によって相
対的に運動するよう装着されており、前記4つの支持ア
ーム20の各々は一端で基板12に固定的に取り付けら
れかつ他端において対角線的に層16のそれぞれのコー
ナに取り付けられている。アーム20は基板12の面に
平行な2つの直交軸(XおよびY)においてかつ基板1
2に垂直な第3の軸(Z)において層16の限定された
運動を可能にするよう構成されている。本実施例におい
ては、アーム20は単に真っ直ぐなカンチレバー構造と
して図示されている。しかしながら、もし感度を増大す
るために必要であればより複雑な構造も導入することが
できる。
ンで形成される、複数の垂直ポスト22が一端で基板1
2により支持されておりかつそれらは基板12に関し第
3の導電層24(図4を参照)を固定的に支持してい
る。この特定の実施例においては、12個のポスト22
が層16の外側エッジを越えて配置されておりかつ9個
のポストが層16の開口23を通って延びており、これ
らの開口23はポスト22に関して層16がそれらの間
の物理的接触を生ずることなく運動するための十分な空
間を提供する。ここでは層24のいずれの実質的な動き
をも防止するため比較的多数のポスト23が利用されて
いるが、異なる数のポスト、異なる位置および異なる構
造を含む多くの他の構成も層24の固定的な位置づけの
ために利用できることが理解されるべきである。
4,16および24の各々はほぼ四角形あるいは長方形
の構造を有する部分によって構成されておりかつこれら
長方形の部分は、層14および24の固定された長方形
部分の間に層16の可動長方形部分が配置されるような
関係で間隔をあけて重なるように配置されている。従っ
て、可変容量26(図4を参照)が層14および16の
長方形部分の間に形成され、この容量26はZ軸に沿っ
た加速度による層14および16の長方形部分の間の相
対的運動に従って変化する。同様に、可変容量27は層
16および24の長方形部分の間に形成され、この容量
は容量26の変化と反対方向に変化する。
それに固定されXおよびY軸に沿った運動を検出するた
めの構造を有する。この特定の実施例においては、該構
造は層14および16内の長方形部分の各々の一体化部
分として形成された、複数の突起、または入り込んだフ
ィンガである。層16は、該層16の面内で、該層16
の長方形部分の4つの側部の各々から外側に延びた複数
の平行な、間隔をあけたフィンガ30を含む。各々同様
の複数の平行な、間隔をあけたフィンガを含む、4つの
グループの電気的に結合されたフィンガ31,32,3
3および34が固定的に層14に取り付けられ、かつ、
層16の面内で、層16の長方形部分の4つの側部の各
々に向かって内側に延びている。フィンガ31,32,
33および34はさらに各フィンガがフィンガ30に対
して平行でありかつその長手方向の側部においてそれに
隣接してそれらの間で容量を生成するように配置されて
いる。さらに、フィンガ31および32はX軸に平行に
かつ該X軸に平行なフィンガ30の対向側に配置され、
かつフィンガ33および34はY軸に平行にかつ該Y軸
に平行なフィンガ30の対向側に配置されている。
長方形部分の上側側部および下側側部(図1)に沿って
グループとして配置され、それにより、図1の上部から
下部に延びる、X軸を規定し、かつフィンガ30,33
及び34は図1の左側から右側に延びる、Y軸を規定す
る。構成上の都合のため、層16のすべては装着アーム
20を介して共通の電位に接続されるようになってい
る。層16の長方形部分の両側に、X軸に平行に横たわ
る固定フィンガ31および32は2つのグループに分割
され、すなわち、すべてのフィンガ31は一緒に接続さ
れかつすべてのフィンガ32は一緒に接続されて隣接
の、可動フィンガ30と組み合わせて可変容量36およ
び37(図3を参照)を形成する。フィンガ30および
31は容量36を形成しかつフィンガ30及び32は容
量37を形成する。層16の長方形部分の両側に、Y軸
に平行に横たわる固定フィンガ33は一緒に接続されて
隣接の、可動フィンガ30と組み合わせて1つの可変容
量38(図3を参照)を形成する。固定フィンガ34は
同様にフィンガ30と組み合わせて可変容量39を形成
するよう結合される。
0,33および34の非常に拡大された平面図である。
これらのフィンガは接近して平行に配置されているか
ら、それらの間に容量が形成される。各フィンガは非常
に小さいため、各対のフィンガの間に形成される容量は
非常に小さいが、複数のフィンガを並列に接続すること
により、2分の1ピコファラッドのオーダーの、合理的
な大きさの容量が得られる。フィンガ30がフィンガ3
3に向かってかつフィンガ34から離れて横に移動する
と、それらの間の容量が変化する。この容量の変化は電
子回路によって検出され、該電子回路はこの容量をフィ
ンガ30の運動によって生じた加速度を表す信号に変換
する。
する容量を示す。加速度計10がZ軸に沿って加速され
た時、容量26および27は反対方向に変化し、一方が
増大し他方が減少し、従って容量の変化が増大して検出
が容易になる。加速度計10がY軸に沿って加速された
時、容量36および37が反対方向に変化し、かつ加速
度計10がX軸に沿って加速された時、容量38および
39が反対方向に変化する。
面図を示す。絶縁層40が基板12の平坦な面上に形成
されておりかつ層14がその上に被着されている。層1
4は基板12から層40によって絶縁されており、それ
により基板12がドーピングできあるいは、半導体技術
上よく知られているように、種々の構成要素の間の導電
経路を提供するために利用できるようになる。絶縁層4
2が層14の回りに形成され、それにより層16が十分
遠くに移動して層14及び層16の間に電気的短絡を生
ずる可能性がなくなる。ポスト22は開口部23におい
て、絶縁材料および導電性材料によって形成され、それ
により基板12によって支持される。燐珪酸塩ガラス
(phosphosilicate glass)のよ
うな、材料(図示せず)の第1の犠牲層が基板12およ
び層42上に適合的に(conformally)被着
される。この第1の犠牲層の厚さは導電層14および1
6の間の所望の間隔に従って変えられる。層16は第1
の犠牲層の上に優先的に(preferentiall
y)被着されかつ絶縁層44がその上に被着されて層1
6と24との間の電気的接触を防止する。第2の犠牲
層、図示せず、が層44と他のオープン領域に適合的に
被着される。前と同様に、第2の犠牲層の厚さは層16
と24の間の所望の間隔を得るために変えられる。層2
4は優先的に第2の犠牲層の上に被着され、それにより
ポスト22と支持接触しかつ層16に対し上に横たわる
関係になる。これらの犠牲層は次に何等かの都合のよい
エッチング処理によって除去されかつ図4に示される構
造が得られる。もちろん、以上の説明からは多くの中間
ステップが省略されているが、それはこれらの中間ステ
ップがマイクロマシーンの技術の分野においてよく当業
者によく知られておりこの実施例の一部を構成しないか
らである。
照数字50で示される、本発明を実施した3軸加速度計
の他の実施例を示す。
板52上に形成されておりかつ絶縁層53および該絶縁
層53上に支持された第1の導電層54を含む。第2の
導電層56が中央に配置されたポスト58に支持されて
おり、該ポスト58は絶縁層53上に支持されている。
層56は層54に対して間隔をあけて上に横たわるよう
に配置され、かつ、後に説明するように、層54に対し
て動くことができる。第3の導電層60が該層60の外
側周辺部から絶縁層53に延びている柱状部材(pil
lars)62(図5および図6を参照)によって、層
56に対して間隔をあけて上に横たわる関係に固定して
配置されている。これら種々の層はよく知られたマイク
ロマシーン技術および、上に述べた、犠牲層の使用によ
って形成され、従ってこれ以上説明しない。
62はその相対的位置を示すために断面図で図示されて
いる。層56は4つのアームによって中央装着ポスト5
8に固定されたほぼ四角形の、平坦な質量部材である。
アーム64は装着ポスト58に関して任意の方向に層5
6の運動ができるようにするためバネのような作用を提
供する曲がりくねった中央部を有するよう形成されてい
る。
に層56上に配置された層60の平面図を示す。層60
は4つのほぼ長方形の導電プレート66Aないし66D
を含み、これらの導電プレート66Aないし66Dの各
々は層56の同様の形状部と一致させるため2つの切り
落とされたコーナを有する。プレート66Aないし66
Dの各々は層56と協働して、それぞれ、容量67Aな
いし67Dを形成し(図9を参照)、かつ層54の同様
のプレートは層56と協働して容量68Aないし68D
を形成する(図9を参照)。プレート66Aおよび66
CはY軸を規定するよう配置されている。プレート66
Bおよび66DはX軸を規定するよう配置されている。
Z軸は層54,56および60によって規定され、かつ
基板52の面と垂直である。従って、3つの互いに直交
する軸が規定されかつ容量67Aないし67Dおよび6
8Aないし68Dがそれに沿った加速度を検出するため
に配置されることになる。
6Dの一部の非常に拡大された平面図であり、容量67
Bおよび67Dが変えられる様子をより詳細に示す。X
軸に沿った加速力は層56を図8の上部方向に移動さ
せ、プレート66Bの多くが層56と重なって容量67
Bを増大させる。また、プレート66Dが層56に重な
る量が少なくなると、容量67Dが減少する。同様に、
層56および層54の間の、容量68Bおよび68Dが
それぞれ増加しかつ減少する。従って、容量67B,6
7D,68Bおよび68Dは差動電子回路において使用
されX軸に沿った加速度を検出する。同様に、容量67
A,67C,68Aおよび68CはY軸に沿った加速度
を検出するために使用される。図9は典型的な検出回路
における比較器69に接続された容量67Aないし67
Dおよび68Aないし68Dを示す。比較器69はこれ
らの容量から受信された入力信号を基準信号と比較して
容量の何等かの変化を判定する。
み、スイッチング、または駆動、回路75が図示されて
いる。種々の容量の変化の検出によって、次のような機
能が達成できる。 機能 駆動される容量 Y方向の加速度 67A + 68A 対 67C + 68C X方向の加速度 67B + 68B 対 67D + 68D Z方向の加速度 67A + 67C 対 68A + 68C Z方向のセルフテスト 67B + 67Dまたは68B + 68D Y軸まわりの回転加速度 67B + 68D 対 67D + 68B X軸まわりの回転加速度 67A + 68C 対 68A + 67C
示されたいずれかの関係に接続し所望の測定を行なわ
せ、かつ比較器69は各容量からの入力信号を基準信号
と比較する。このようにして、3つの互いに直交する軸
に沿った加速度が測定され、2つの軸の回りの回転加速
度が測定でき、かつ加速度計の少なくとも一部および関
連する回路が試験できる。
量を含む、閉ループ回路(図示せず)が容量の検出され
た変化を用いることにより形成されて周期的に静電力を
容量構造の間の可動部材を中心に位置づけるために印加
する。すなわち、この閉ループは可動部材をできるだけ
静止位置に近く維持ししかも検出信号を発生する。これ
は一般に可動部材を中心に維持するために静電力を発生
させるため容量構造を駆動しかつ前記中心に維持するた
めの処理に必要な駆動量を検出することにより達成され
る。必要な駆動量は可動部材を動かす加速力に比例す
る。検出容量を含む閉ループ回路を形成することによ
り、動作範囲および感度が実質的に増大する。
度計の実施例が開示された。開示された加速度計は3つ
の互いに直交する軸の加速度を検出し、前記軸の内の2
つの回りの回転加速度を検出し、かつ幾つかのセルフテ
スト機能を含む。開示された種々の実施例はマイクロ機
械加工技術および、シリコン、多結晶シリコン、種々の
被着金属層、あるいは通常半導体製品を製造する場合に
使用される任意の材料のような、半導体材料を使用して
形成される。新規な構造のため、本加速度計は低い加速
力を検出できるようになりかつしかも丈夫である。本加
速度計に接続される回路は比較的単純でありかつ構造全
体は良好な周波数応答を有する。また、差動容量を使用
するため、良好な交差軸感度(cross axis
sensitivity)が得られかつ軸間のクロスト
ークが最小になる。これらおよび他の利点は上述の説明
から当業者にとって明らかであろう。
部を除去して、示す拡大平面図である。
ある。
る。
拡大断面図である。
す単純化した断面図であり、種々の構成要素の間の物理
的関係を一般的に示している。
る。
図である。
回路図である。
動回路を示す電気回路図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 3軸加速度計であって、 各々ほぼ1つの面を規定しかつ各々前記規定された面が
互いに平行でありかつ間隔をおいて装着された複数の導
電材料層(14,16)であって、前記層の内第1のも
の(14)は固定的に装着されかつ第2の層(16)は
前記第1の層に関して限られた運動が可能なように装着
されているもの、 前記第1および第2の層(14,16)によって形成さ
れる第1の容量(26)であって該第1の容量は前記第
1および第2の層(14,16)によって規定される第
1の軸(Z)に沿った加速度計の加速度に従って変化す
るもの、 それぞれ、前記第1および第2の層(14,16)の一
部として形成されかつ平行に並べて配置された第1およ
び第2の構造体(54,56または30,31,32,
33,34)であって、前記第2の構造体(56または
30)は前記第2の層(16)とともにかつ前記第1の
層(14)に対して移動可能であり、前記第1および第
2の構造体はさらに互いにかつ前記第1の軸(Z)に対
して相互に直交する第2および第3の軸(X,Y)を規
定するよう形成されているもの、そして前記第1および
第2の構造体の間に形成される可変容量(38,39お
よび36,37)であって、該可変容量はそれぞれ前記
第2および第3の軸における加速度に従って変化するも
の、 を具備することを特徴とする3軸加速度計。 - 【請求項2】 3軸加速度計であって、 ほぼ1つの平面を規定する導電材料の第1の層(14ま
たは54)、 その主要面が前記第1の層(14または54)から離れ
てかつ前記平面に対し平行に装着され前記第1の層(1
4または54)に対して限られた運動が可能な導電材料
の第2の層(16または56)、 前記第1の層(14または54)に関して固定的にかつ
前記平面に平行に装着された導電材料の第3の層(24
または60)であって、該第3の層(24または60)
は前記第2の層(16または56)の第2の主要面に隣
接しかつ該第2の主要面から離れて装着されているも
の、 前記第1および第2の層(14,16または54,5
6)によって形成される第1の容量(26)および前記
第2および第3の層(16,24または56,60)に
よって形成される第2の容量(27)であって、各々の
容量は前記第1、第2および第3の層によって規定され
る第1の軸(Z)に沿った加速度計の加速度に従って変
化するもの、 前記第1の層の一部、前記第2の層の一部および前記第
3の層の一部として形成された構造体(30,31,3
2,33および34または54,56,66)であっ
て、これら種々の構造体は前記第1および第3の層に対
し、前記第2の層とともに移動可能な第2の層の一部と
して形成される構造体と平行して配置され、前記構造体
はさらに互いにかつ前記第1の軸に対して相互に直交す
る第2および第3の軸(X,Y)を規定するよう形成さ
れているもの、そして前記種々の構造体の間に形成され
た可変容量(38,39および36,37)であって、
該容量は前記第2および第3の軸における加速度に従っ
て変化するもの、 を具備することを特徴とする3軸加速度計。 - 【請求項3】 3軸加速度計であって、 各々ほぼ平面を規定しかつ各々規定された平面が互いに
平行でありかつ互いに間隔をおくように装着された、導
電材料の第1、第2および第3の層(14,16および
24または54,56および60)であって、前記第1
および第3の層は固定的に装着され、前記第2の層は前
記第1および第3の層に対して限られた運動が可能なよ
うに装着されているもの、 前記第1および第2の層によってかつ前記第2および第
3の層によってそれぞれ形成される第1および第2の容
量(26および27)であって、これらの容量は前記第
1、第2および第3の層によって規定される第1の軸
(Z)に沿った加速度計の加速度に従って変化するも
の、 それぞれ、前記第1、第2および第3の層の一部として
形成されかつ平行に並べて配置された第1、第2および
第3の構造体(30,31,32,33および34また
は54,56,66)であって、前記第2の構造体(3
0または56)は前記第2の層とともにかつ前記第1お
よび第3の層に対して移動可能であり、前記第1、第2
および第3の構造体はさらにお互いにかつ前記第1の軸
に対し相互に直交する第2および第3の軸(Xおよび
Y)を規定するよう形成されるもの、そして前記第1お
よび第2の構造体の間および前記第2および第3の構造
体の間に形成された可変容量(38,39および36,
37)であって、該容量は、それぞれ、前記第2および
第3の軸における加速度に従って変化するもの、 を具備することを特徴とする3軸加速度計。
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---|---|---|---|
JP30170892A Expired - Fee Related JP3327595B2 (ja) | 1991-12-19 | 1992-10-14 | 3軸加速度計 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5487305A (ja) |
EP (1) | EP0547742B1 (ja) |
JP (1) | JP3327595B2 (ja) |
DE (1) | DE69206770T2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5719336A (en) * | 1995-05-18 | 1998-02-17 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Capacitive acceleration sensor |
JPH11304834A (ja) * | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Mitsumi Electric Co Ltd | 物理量検出センサ |
KR100454041B1 (ko) * | 2001-12-03 | 2004-10-26 | 가부시키가이샤 덴소 | 반도체 역학량 센서 |
US6938486B2 (en) | 1992-08-21 | 2005-09-06 | Denso Corporation | Semiconductor mechanical sensor |
JP2009192379A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | 加速度センサ及び加速度センサの製造方法 |
WO2010016094A1 (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | パイオニア株式会社 | 静電容量検出型センサ |
JP2010507074A (ja) * | 2006-10-11 | 2010-03-04 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 自由落下自己試験性能を有するセンサおよびその方法 |
Families Citing this family (114)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3156453B2 (ja) * | 1993-07-28 | 2001-04-16 | 富士電機株式会社 | 半導体容量形加速度センサ |
US5665915A (en) * | 1992-03-25 | 1997-09-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor capacitive acceleration sensor |
US5824901A (en) * | 1993-08-09 | 1998-10-20 | Leica Geosystems Ag | Capacitive sensor for measuring accelerations and inclinations |
DE4326666C1 (de) * | 1993-08-09 | 1995-02-23 | Wild Heerbrugg Ag | Kapazitiver Sensor |
US5777226A (en) * | 1994-03-28 | 1998-07-07 | I/O Sensors, Inc. | Sensor structure with L-shaped spring legs |
JP3305516B2 (ja) * | 1994-10-31 | 2002-07-22 | 株式会社東海理化電機製作所 | 静電容量式加速度センサ及びその製造方法 |
JP3936736B2 (ja) * | 1994-11-23 | 2007-06-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 固定電極及び可動電極を有するマイクロ部品が形成されている半導体装置 |
DE19547642A1 (de) * | 1994-12-20 | 1996-06-27 | Zexel Corp | Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
US5583291A (en) * | 1995-07-31 | 1996-12-10 | Motorola, Inc. | Micromechanical anchor structure |
US5806365A (en) * | 1996-04-30 | 1998-09-15 | Motorola, Inc. | Acceleration sensing device on a support substrate and method of operation |
JPH09318649A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Texas Instr Japan Ltd | 複合センサ |
US5978972A (en) * | 1996-06-14 | 1999-11-09 | Johns Hopkins University | Helmet system including at least three accelerometers and mass memory and method for recording in real-time orthogonal acceleration data of a head |
US6065742A (en) * | 1996-09-13 | 2000-05-23 | Lord Corporation | Multi-directional tuned vibration absorber |
DE19637265A1 (de) * | 1996-09-13 | 1998-03-26 | Bosch Gmbh Robert | Sensor zur kapazitiven Aufnahme einer Beschleunigung |
SE9700205D0 (sv) * | 1997-01-24 | 1997-01-24 | Peter Lindberg | Integrated microfluidic element |
US6041655A (en) * | 1997-04-22 | 2000-03-28 | Alliedsignal, Inc. | Active cover accelerometer |
US6199430B1 (en) | 1997-06-17 | 2001-03-13 | Denso Corporation | Acceleration sensor with ring-shaped movable electrode |
US5939633A (en) * | 1997-06-18 | 1999-08-17 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method for multi-axis capacitive sensing |
US6223598B1 (en) | 1997-06-18 | 2001-05-01 | Analog Devices, Inc. | Suspension arrangement for semiconductor accelerometer |
US6082737A (en) * | 1997-08-20 | 2000-07-04 | John Crane Inc. | Rotary shaft monitoring seal system |
US6128954A (en) * | 1998-12-18 | 2000-10-10 | Delco Electronics Corporation | Spring for a resonance ring of an angular rate sensor |
US6122963A (en) * | 1999-01-22 | 2000-09-26 | Motorola, Inc. | Electronic component for measuring acceleration |
JP4238437B2 (ja) | 1999-01-25 | 2009-03-18 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサとその製造方法 |
DE19920066B4 (de) * | 1999-05-03 | 2007-03-01 | Robert Bosch Gmbh | Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat mit einem aus einer Halbleiterschicht herausstrukturierten Federelement |
JP3525862B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2004-05-10 | トヨタ自動車株式会社 | センサ素子及びセンサ装置 |
FR2810976B1 (fr) * | 2000-06-29 | 2003-08-29 | Planhead Silmag P H S | Microcomposant electronique, capteur et actionneur incorporant un tel microcomposant |
US6536280B1 (en) * | 2000-09-12 | 2003-03-25 | Ic Mechanics, Inc. | Thin film MEMS sensors employing electrical sensing and force feedback |
US6826509B2 (en) * | 2000-10-11 | 2004-11-30 | Riddell, Inc. | System and method for measuring the linear and rotational acceleration of a body part |
US8548768B2 (en) | 2000-10-11 | 2013-10-01 | Riddell, Inc. | System and method for evaluating and providing treatment to sports participants |
US10952671B2 (en) | 2000-10-11 | 2021-03-23 | Riddell, Inc. | System for monitoring a physiological parameter of players engaged in a sporting activity |
US8797165B2 (en) * | 2000-10-11 | 2014-08-05 | Riddell, Inc. | System for monitoring a physiological parameter of players engaged in a sporting activity |
US7526389B2 (en) * | 2000-10-11 | 2009-04-28 | Riddell, Inc. | Power management of a system for measuring the acceleration of a body part |
JP2002131331A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
US6701788B2 (en) * | 2001-07-31 | 2004-03-09 | Kelsey-Hayes Company | Multiple output inertial sensing device |
US6718826B2 (en) * | 2002-02-28 | 2004-04-13 | Delphi Technologies, Inc. | Balanced angular accelerometer |
US6996051B2 (en) * | 2002-04-29 | 2006-02-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data storage module suspension system having primary and secondary flexures |
DE60311281T2 (de) * | 2002-07-19 | 2007-11-15 | Analog Devices Inc., Norwood | Verringerung des offsets eines beschleunigungsaufnehmers |
TW574128B (en) * | 2002-11-29 | 2004-02-01 | Lightuning Tech Inc | Thermal bubble type micro-machined inertial sensor |
JP4156946B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2008-09-24 | 三菱電機株式会社 | 加速度センサ |
US6845670B1 (en) * | 2003-07-08 | 2005-01-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Single proof mass, 3 axis MEMS transducer |
JP2005249446A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 振動型圧電加速度センサ |
TWI255341B (en) | 2004-06-10 | 2006-05-21 | Chung Shan Inst Of Science | Miniature accelerator |
EP1779121A1 (en) | 2004-08-17 | 2007-05-02 | Analog Devices, Inc. | Multiple axis acceleration sensor |
US8746812B2 (en) | 2004-10-08 | 2014-06-10 | Marcia Albright | Brake control unit |
US8789896B2 (en) | 2004-10-08 | 2014-07-29 | Cequent Electrical Products | Brake control unit |
FR2876795B1 (fr) * | 2004-10-19 | 2006-12-29 | Univ Reims Champagne Ardenne | Dispositif de detection de defauts des machines tournantes |
US7228739B2 (en) * | 2004-11-23 | 2007-06-12 | The Boeing Company | Precision flexure plate |
JP4754817B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2011-08-24 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体加速度センサ |
EP1849123A2 (en) * | 2005-01-07 | 2007-10-31 | GestureTek, Inc. | Optical flow based tilt sensor |
US20060207327A1 (en) * | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Zarabadi Seyed R | Linear accelerometer |
CN103257684B (zh) * | 2005-05-17 | 2017-06-09 | 高通股份有限公司 | 方向敏感的信号输出方法及装置 |
US7337671B2 (en) | 2005-06-03 | 2008-03-04 | Georgia Tech Research Corp. | Capacitive microaccelerometers and fabrication methods |
US7738975B2 (en) * | 2005-10-04 | 2010-06-15 | Fisher-Rosemount Systems, Inc. | Analytical server integrated in a process control network |
US7258011B2 (en) * | 2005-11-21 | 2007-08-21 | Invensense Inc. | Multiple axis accelerometer |
JP4949673B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2012-06-13 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
US7578189B1 (en) * | 2006-05-10 | 2009-08-25 | Qualtre, Inc. | Three-axis accelerometers |
US7757555B2 (en) * | 2006-08-30 | 2010-07-20 | Robert Bosch Gmbh | Tri-axis accelerometer having a single proof mass and fully differential output signals |
DE102006048381A1 (de) * | 2006-10-12 | 2008-04-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Sensor zur Erfassung von Beschleunigungen |
WO2008051973A1 (en) | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Bradley Fixtures Corporation | Capacitive sensing for washroom fixture |
DE102007057044B4 (de) * | 2007-09-10 | 2021-08-05 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Mikromechanische Feder |
JP2009098007A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Denso Corp | 物理量センサ |
US8468887B2 (en) * | 2008-04-14 | 2013-06-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Resonant accelerometer with low sensitivity to package stress |
PL2127964T3 (pl) | 2008-05-27 | 2017-06-30 | Viasat Spa | Urządzenie instalowalne w pojeździe do generowania wezwania o ratunek i automatycznego wysyłania informacji o położeniu geograficznym pojazdu |
US8096182B2 (en) * | 2008-05-29 | 2012-01-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Capacitive sensor with stress relief that compensates for package stress |
TWI374268B (en) * | 2008-09-05 | 2012-10-11 | Ind Tech Res Inst | Multi-axis capacitive accelerometer |
US8205498B2 (en) * | 2008-11-18 | 2012-06-26 | Industrial Technology Research Institute | Multi-axis capacitive accelerometer |
DE102009002702B4 (de) * | 2009-04-28 | 2018-01-18 | Hanking Electronics, Ltd. | Mikromechanischer Sensor |
JP2011022018A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | 静電容量型加速度センサー |
US8739626B2 (en) * | 2009-08-04 | 2014-06-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined inertial sensor devices |
WO2011073935A2 (en) * | 2009-12-16 | 2011-06-23 | Y-Sensors Ltd. | Tethered, levitated-mass accelerometer |
CN102101635B (zh) * | 2009-12-17 | 2013-06-05 | 原相科技股份有限公司 | 适用于微机电传感器的质量体与使用该质量体的三轴微机电传感器 |
TWI429912B (zh) * | 2010-08-17 | 2014-03-11 | Pixart Imaging Inc | 具有增強結構強度之微機電系統加速度計 |
CN103221331B (zh) | 2010-09-18 | 2016-02-03 | 快捷半导体公司 | 用于微机电系统的密封封装 |
WO2012037538A2 (en) | 2010-09-18 | 2012-03-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor |
EP2616389B1 (en) * | 2010-09-18 | 2017-04-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Multi-die mems package |
US9455354B2 (en) * | 2010-09-18 | 2016-09-27 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined 3-axis accelerometer with a single proof-mass |
KR101443730B1 (ko) | 2010-09-18 | 2014-09-23 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 미세기계화 다이, 및 직교 오차가 작은 서스펜션을 제조하는 방법 |
US8813564B2 (en) | 2010-09-18 | 2014-08-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis gyroscope with central suspension and gimbal structure |
CN103209922B (zh) | 2010-09-20 | 2014-09-17 | 快捷半导体公司 | 具有减小的并联电容的硅通孔 |
US10065851B2 (en) | 2010-09-20 | 2018-09-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor |
CN102583217B (zh) * | 2011-01-12 | 2015-01-28 | 原相科技股份有限公司 | 微机电系统元件及用于其中的防止变形结构及其制作方法 |
JP5427199B2 (ja) | 2011-03-17 | 2014-02-26 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体物理量検出センサ |
US9140637B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-09-22 | Mihaly Kis, JR. | Method and apparatus for simulating head impacts for helmet testing |
US10105076B2 (en) | 2011-09-01 | 2018-10-23 | Riddell, Inc. | Systems and methods for monitoring a physiological parameter of persons engaged in physical activity |
EP2607849A1 (en) | 2011-12-22 | 2013-06-26 | Tronics Microsystems S.A. | Multiaxial micro-electronic inertial sensor |
US9062972B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-06-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis accelerometer electrode structure |
US8978475B2 (en) | 2012-02-01 | 2015-03-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS proof mass with split z-axis portions |
CN104272062B (zh) * | 2012-02-01 | 2016-05-18 | 快捷半导体公司 | 微机电系统(mems)多轴陀螺仪z轴电极结构 |
US8754694B2 (en) | 2012-04-03 | 2014-06-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Accurate ninety-degree phase shifter |
US8742964B2 (en) | 2012-04-04 | 2014-06-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Noise reduction method with chopping for a merged MEMS accelerometer sensor |
US9027403B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-05-12 | Analog Devices, Inc. | Wide G range accelerometer |
US9488693B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-11-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors |
US9069006B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-06-30 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors |
EP2647952B1 (en) | 2012-04-05 | 2017-11-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Mems device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive |
EP2647955B8 (en) | 2012-04-05 | 2018-12-19 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device quadrature phase shift cancellation |
KR102058489B1 (ko) | 2012-04-05 | 2019-12-23 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 멤스 장치 프론트 엔드 전하 증폭기 |
US9625272B2 (en) | 2012-04-12 | 2017-04-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS quadrature cancellation and signal demodulation |
US9094027B2 (en) | 2012-04-12 | 2015-07-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micro-electro-mechanical-system (MEMS) driver |
US9857254B2 (en) * | 2012-05-18 | 2018-01-02 | Atesteo Gmbh | Torque-measuring device or jig |
DE102013014881B4 (de) | 2012-09-12 | 2023-05-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Verbesserte Silizium-Durchkontaktierung mit einer Füllung aus mehreren Materialien |
JP5799929B2 (ja) | 2012-10-02 | 2015-10-28 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサ |
EP2908141B1 (en) * | 2012-10-12 | 2017-03-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Acceleration sensor |
US9316666B2 (en) | 2012-11-27 | 2016-04-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration sensor having a capacitor array located in the center of an inertial mass |
US9207254B2 (en) * | 2013-02-19 | 2015-12-08 | Maxim Integrated Products, Inc. | Accelerometer with low sensitivity to thermo-mechanical stress |
CN104714050B (zh) * | 2015-03-07 | 2017-12-29 | 南京中诺斯特传感器科技有限公司 | 一种三轴电容式mems加速度传感器及制备方法 |
DE102015211387A1 (de) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | Robert Bosch Gmbh | Drei-achsiger Drehbeschleunigungssensor |
US10184951B2 (en) | 2016-02-10 | 2019-01-22 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Three-axis monolithic MEMS accelerometers and methods for fabricating same |
JP2017187447A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | アルプス電気株式会社 | センサ装置 |
AU2017326530A1 (en) | 2016-09-16 | 2019-05-02 | Horizon Global Americas Inc. | Driver and diagnostic system for a brake controller |
US10363910B2 (en) | 2016-12-07 | 2019-07-30 | Horizon Global Americas Inc. | Automated gain and boost for a brake controller |
US10697994B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-06-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Accelerometer techniques to compensate package stress |
CN107015287B (zh) * | 2017-03-09 | 2018-12-11 | 中国科学院电工研究所 | 一种重力梯度测量装置及测量方法 |
US10712360B2 (en) | 2017-09-27 | 2020-07-14 | Azoteq (Pty) Ltd | Differential charge transfer based accelerometer |
JP7003076B2 (ja) * | 2019-03-08 | 2022-01-20 | 株式会社東芝 | センサ |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4342227A (en) * | 1980-12-24 | 1982-08-03 | International Business Machines Corporation | Planar semiconductor three direction acceleration detecting device and method of fabrication |
US4430895A (en) * | 1982-02-02 | 1984-02-14 | Rockwell International Corporation | Piezoresistive accelerometer |
FR2580389B2 (fr) * | 1985-04-16 | 1989-03-03 | Sfena | Accelerometre micro-usine a rappel electrostatique |
GB8728442D0 (en) * | 1987-12-04 | 1988-01-13 | Russell M K | Triaxial accelerometers |
US5092174A (en) * | 1989-10-19 | 1992-03-03 | Texas Instruments Incorporated | Capacitance accelerometer |
US5249465A (en) * | 1990-12-11 | 1993-10-05 | Motorola, Inc. | Accelerometer utilizing an annular mass |
-
1992
- 1992-09-28 EP EP92308798A patent/EP0547742B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-28 DE DE69206770T patent/DE69206770T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-14 JP JP30170892A patent/JP3327595B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-12 US US08/274,128 patent/US5487305A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6938486B2 (en) | 1992-08-21 | 2005-09-06 | Denso Corporation | Semiconductor mechanical sensor |
US7040165B2 (en) | 1992-08-21 | 2006-05-09 | Denso Corporation | Semiconductor mechanical sensor |
US7407827B2 (en) | 1992-08-21 | 2008-08-05 | Denso Corporation | Semiconductor mechanical sensor |
US7685877B2 (en) | 1992-08-21 | 2010-03-30 | Denso Corporation | Semiconductor mechanical sensor |
US7866210B2 (en) | 1992-08-21 | 2011-01-11 | Denso Corporation | Semiconductor mechanical sensor |
US5719336A (en) * | 1995-05-18 | 1998-02-17 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Capacitive acceleration sensor |
JPH11304834A (ja) * | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Mitsumi Electric Co Ltd | 物理量検出センサ |
KR100454041B1 (ko) * | 2001-12-03 | 2004-10-26 | 가부시키가이샤 덴소 | 반도체 역학량 센서 |
DE10255690B4 (de) * | 2001-12-03 | 2008-10-30 | Denso Corp., Kariya-shi | Halbleitersensor für eine dynamische Größe |
JP2010507074A (ja) * | 2006-10-11 | 2010-03-04 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 自由落下自己試験性能を有するセンサおよびその方法 |
JP2009192379A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | 加速度センサ及び加速度センサの製造方法 |
WO2010016094A1 (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | パイオニア株式会社 | 静電容量検出型センサ |
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