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JPH05226416A - フリップチップの実装方法 - Google Patents

フリップチップの実装方法

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Publication number
JPH05226416A
JPH05226416A JP3167283A JP16728391A JPH05226416A JP H05226416 A JPH05226416 A JP H05226416A JP 3167283 A JP3167283 A JP 3167283A JP 16728391 A JP16728391 A JP 16728391A JP H05226416 A JPH05226416 A JP H05226416A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flux
flip chip
substrate
chip mounting
mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3167283A
Other languages
English (en)
Inventor
Teijiro Ori
貞二郎 小里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP3167283A priority Critical patent/JPH05226416A/ja
Publication of JPH05226416A publication Critical patent/JPH05226416A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フリップチップの実装にあたり、フラックス
の突沸によるチップずれを低減させるとともに、ICの
搭載時に、フラックスの塗布、ICの搭載、キュア工程
を一括して行ない、工程の簡略化を図る。 【構成】 フリップチップの実装方法において、予めフ
ラックス13を塗布し溶剤分を乾燥させたIC11を用
意し、そのフラックス13が融ける温度に加熱されてい
る基板14にIC11を搭載して接続を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フリップチップの実装
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、沖研究開発 第138号、Vol.55,N
o.2,第45〜50頁に記載されるものがあった。図
3はかかる従来のフリップチップ接続フロー図である。
この図に示すように、基板にフラックスを塗布して、そ
の基板にハンダバンプ付き半導体素子(IC)を搭載
し、ハンダリフローを行い、その後、樹脂により封止す
るようにしている。
【0003】図4はかかる従来のフリップチップの概略
実装工程断面図である。図4(a)に示すように、フラ
ックス2が塗布された基板1にハンダバンプ4付きIC
3を搭載し、フラックスキュアを行い、その後、ハンダ
リフローを行い、図4(b)に示すように、樹脂5によ
り封止するようにしていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた従来のフリップチップの実装方法では、フラックス
の中に含まれている溶剤分が温度上昇によって、突沸が
発生し、搭載されるチップずれの原因となり、実装歩留
を低下させるといった問題があった。本発明は、以上述
べたフラックスの突沸によるチップずれを低減させると
ともに、ICの搭載の際に、フラックスの塗布、ICの
搭載、キュア工程を一括して行ない得るフリップチップ
の実装方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、フリップチップの実装方法において、予
めフラックスを塗布し溶剤分を乾燥させた半導体素子を
用意し、前記フラックスが融ける温度に加熱されている
基板に前記半導体素子を搭載して接続を行なうようにし
たものである。
【0006】
【作用】本発明によれば、上記したように、予めフラッ
クスを塗布し溶剤分を乾燥させた半導体素子を用意し、
前記フラックスが融ける温度に加熱されている基板に前
記半導体素子を搭載して接続を行なうようにしたので、
IC搭載の際に、フラックス塗布、ICの搭載、キュア
工程を一括して行なうことができる。
【0007】また、予めICにフラックスを塗布して、
溶剤分を乾燥させるようにしたので、IC搭載時にフラ
ックスに溶剤分が含まれていないため、突沸によるチッ
プずれが生じることがない。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の実施例を示すフ
リップチップの実装工程断面図、図2はそのフリップチ
ップ接続フローを示す図である。まず、図1(a)に示
すように、半導体素子(IC)11上にハンダバンプ1
2を形成する。
【0009】次に、図1(b)に示すように、フラック
ス13を塗布し、硬化させる。次に、図1(c)に示す
ように、100C°に加熱されている基板14の電極1
5上にIC11のハンダバンプ12の位置合わせを行
う。次いで、図1(d)に示すように、フラックス13
が塗布されたハンダバンプ12を有するIC11を、1
00C°に加熱されている基板14にIC11を搭載し
て接続を行なう。つまり、搭載後フラックス13が融け
て、基板14に濡れて、IC11が仮固定される。
【0010】次いで、図1(e)に示すように、ハンダ
リフローを行い、ハンダバンプ12を溶かし、基板14
に接続する。最後に、図1(f)に示すように、接続部
を樹脂からなる封止材16により封止する。このよう
に、構成するために、従来のように、フラックスの中に
含まれている溶剤分が温度上昇によって、突沸が発生
し、搭載されるチップずれを生じることもなくなり、I
C搭載の際、フラックス塗布、ICの搭載、キュア工程
を一括して行なうことができ、工程を簡単にすることが
できる。
【0011】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【0012】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、予めフラックスを塗布したICを用い、フラックス
が融ける温度に加熱されている基板に前記半導体素子を
搭載することによって、IC搭載の際に、フラックス塗
布、ICの搭載、キュア工程を一括して行なうことがで
きる。
【0013】また、予めICにフラックスを塗布して、
溶剤分を乾燥させるようにしたので、IC搭載時にフラ
ックスに溶剤分が含まれていないため、突沸によるチッ
プずれが生じることがなくなる。従って、IC実装の歩
留の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示すフリップチップの実装工
程断面図である。
【図2】本発明の実施例を示すフリップチップの接続フ
ローを示す図である。
【図3】従来のフリップチップの接続フローを示す図で
ある。
【図4】従来のフリップチップの実装工程断面図であ
る。
【符号の説明】
11 半導体素子 12 ハンダバンプ 13 フラックス 14 基板 15 電極 18 封止材

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(a)予めフラックスを塗布し溶剤分を乾
    燥させた半導体素子を用意し、 (b)前記フラックスが融ける温度に、加熱されている
    基板に前記半導体素子を搭載して接続を行なうことを特
    徴とするフリップチップの実装方法。
JP3167283A 1991-07-09 1991-07-09 フリップチップの実装方法 Withdrawn JPH05226416A (ja)

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Effective date: 19981008