JPH05211185A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05211185A JPH05211185A JP29533191A JP29533191A JPH05211185A JP H05211185 A JPH05211185 A JP H05211185A JP 29533191 A JP29533191 A JP 29533191A JP 29533191 A JP29533191 A JP 29533191A JP H05211185 A JPH05211185 A JP H05211185A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- pot
- cavity
- thermosetting resin
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】金型の構造として、キャビティ部６の近傍に小
さなポケット部１を多数設け、樹脂封止時に熱硬化性樹
脂をパウダー状樹脂６とし、このパウダー状樹脂６をポ
ケット部１に供給し、高温高圧エアーで圧力を加え、高
圧空気注入口５からキャビティ部６に注入させることに
より、ポケット部１から、ゲート部２を通して直接キャ
ビティ３内に溶融樹脂を注入することが可能となる。 【効果】樹脂のキャビティ部と同程度の体積のポット部
と細いゲート部だけが不要として廃棄させるため、樹脂
の利用効率を飛躍的に向上できる。また、パウダー状の
樹脂を使用できるため樹脂製造工程におけるタブレット
加工が不要となり、資材費の低減が行なえる。
さなポケット部１を多数設け、樹脂封止時に熱硬化性樹
脂をパウダー状樹脂６とし、このパウダー状樹脂６をポ
ケット部１に供給し、高温高圧エアーで圧力を加え、高
圧空気注入口５からキャビティ部６に注入させることに
より、ポケット部１から、ゲート部２を通して直接キャ
ビティ３内に溶融樹脂を注入することが可能となる。 【効果】樹脂のキャビティ部と同程度の体積のポット部
と細いゲート部だけが不要として廃棄させるため、樹脂
の利用効率を飛躍的に向上できる。また、パウダー状の
樹脂を使用できるため樹脂製造工程におけるタブレット
加工が不要となり、資材費の低減が行なえる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に熱硬化性樹脂を用いた封入方法を含む半導体
装置の製造方法に関する。
関し、特に熱硬化性樹脂を用いた封入方法を含む半導体
装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止半導体装置の製造に使用
される封入金型は、図３に示す様に、上下金型をかみ合
せる様に圧接し、ポット部１，ランナー部８，ゲート部
２，キャビティ部３を金型内部で空洞となる様に形成し
ている。
される封入金型は、図３に示す様に、上下金型をかみ合
せる様に圧接し、ポット部１，ランナー部８，ゲート部
２，キャビティ部３を金型内部で空洞となる様に形成し
ている。
【０００３】樹脂封止時には、油圧プレス上に取付けら
れ加熱された封入金型のキャビティ部３に半導体チップ
が搭載されたリードフレームを所定の位置に配置した
後、上下金型を圧接しリードフレームを挟みこみポット
部１に円柱形状にタブレット加工された熱硬化性樹脂
（以下、樹脂と記す）タブレット１０を供給し、高温状
態で溶融した樹脂をポット部１上のプランジャー９によ
り加圧し、ランナー部８へ流しこみ、更に、ゲート部２
を通し半導体チップを覆う様な半導体装置の外囲器とな
る樹脂部を形取りしたキャビティ部３に溶融樹脂を注入
させる。
れ加熱された封入金型のキャビティ部３に半導体チップ
が搭載されたリードフレームを所定の位置に配置した
後、上下金型を圧接しリードフレームを挟みこみポット
部１に円柱形状にタブレット加工された熱硬化性樹脂
（以下、樹脂と記す）タブレット１０を供給し、高温状
態で溶融した樹脂をポット部１上のプランジャー９によ
り加圧し、ランナー部８へ流しこみ、更に、ゲート部２
を通し半導体チップを覆う様な半導体装置の外囲器とな
る樹脂部を形取りしたキャビティ部３に溶融樹脂を注入
させる。
【０００４】樹脂注入後、所定の時間が経過し、樹脂が
硬化した後、上下封入金型を開き、図４に示す様に、ポ
ット部１からランナー部８，ゲート部２，キャビティ部
３の形状に硬化した樹脂をリードフレーム７と共に金型
から取りはずし、金型表面は樹脂かすの残りがない様に
ブラシや高圧エアーの吹きつけにより清掃を行った後、
次のリードフレームを配置し前述と同様に樹脂を注入、
硬化させることにより、連続で半導体装置の樹脂封止成
形を行っている。
硬化した後、上下封入金型を開き、図４に示す様に、ポ
ット部１からランナー部８，ゲート部２，キャビティ部
３の形状に硬化した樹脂をリードフレーム７と共に金型
から取りはずし、金型表面は樹脂かすの残りがない様に
ブラシや高圧エアーの吹きつけにより清掃を行った後、
次のリードフレームを配置し前述と同様に樹脂を注入、
硬化させることにより、連続で半導体装置の樹脂封止成
形を行っている。
【０００５】また、前述の金型から取り出された樹脂と
リードフレーム７は、ゲート部２の先端とキャビティ部
３で切り離され、ポット部１，ランナー部８等の不要な
硬化樹脂は廃棄され、半導体装置の外囲器となる樹脂部
が形成されたリードフレームが得られる。
リードフレーム７は、ゲート部２の先端とキャビティ部
３で切り離され、ポット部１，ランナー部８等の不要な
硬化樹脂は廃棄され、半導体装置の外囲器となる樹脂部
が形成されたリードフレームが得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の樹脂封止方法に於ては、前述のポット部からランナー
部に形成される樹脂は不要物として廃棄されるため、半
導体装置の樹脂体積に対しての使用樹脂量が大きくな
り、利用効率が非常に悪くなるという欠点があった。特
に、小信号系の半導体装置に於いては、利用効率が５％
以下となり、大きな問題点となっていた。
の樹脂封止方法に於ては、前述のポット部からランナー
部に形成される樹脂は不要物として廃棄されるため、半
導体装置の樹脂体積に対しての使用樹脂量が大きくな
り、利用効率が非常に悪くなるという欠点があった。特
に、小信号系の半導体装置に於いては、利用効率が５％
以下となり、大きな問題点となっていた。
【０００７】最近では、従来金型上に１ケ所しか形成さ
れていなかったポット部を、２ケ所以上に分割したマル
チプランジャー方式が採用されているが、この方法に於
いてもランナー部が若干短くなる程度であり、樹脂の利
用効率を高めることができず、また、ポット数を増加し
た場合、使用される樹脂ダブレットのサイズが小さくな
るための樹脂製造工程に於けるダブレット加工比が極端
に上昇してしまうという問題点がある。
れていなかったポット部を、２ケ所以上に分割したマル
チプランジャー方式が採用されているが、この方法に於
いてもランナー部が若干短くなる程度であり、樹脂の利
用効率を高めることができず、また、ポット数を増加し
た場合、使用される樹脂ダブレットのサイズが小さくな
るための樹脂製造工程に於けるダブレット加工比が極端
に上昇してしまうという問題点がある。
【０００８】本発明の目的は、使用樹脂の利用効率の高
い半導体装置の製造方法を提供することにある。
い半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
が搭載されたリードフレームを所定の位置に配置し高温
状態の上下の封入金型で挟みこんだ後封入金型ポット部
に熱硬化性樹脂を供給し該熱硬化性樹脂を溶融して封入
金型の各キャビティ部に圧入し硬化させることにより、
前記半導体チップを覆う外囲器となる封入樹脂を形成す
る工程を含む半導体装置の製造方法に於いて、前記熱硬
化性樹脂をパウダー状で供給し溶融した後、高温高圧エ
アーを前記封入金型ポット部に加えることにより、溶融
した前記熱硬化性樹脂を前記各キャビティ部に注入し封
入して前記封止樹脂を形成する工程を含む。供給するパ
ウダー状の前記熱硬化性樹脂は、ノズルから供給し、供
給時間により該熱硬化性樹脂量を制御する。前記熱硬化
性樹脂は、流動特性と硬化特性の異る少くとも２種の熱
硬化性樹脂を含む。
が搭載されたリードフレームを所定の位置に配置し高温
状態の上下の封入金型で挟みこんだ後封入金型ポット部
に熱硬化性樹脂を供給し該熱硬化性樹脂を溶融して封入
金型の各キャビティ部に圧入し硬化させることにより、
前記半導体チップを覆う外囲器となる封入樹脂を形成す
る工程を含む半導体装置の製造方法に於いて、前記熱硬
化性樹脂をパウダー状で供給し溶融した後、高温高圧エ
アーを前記封入金型ポット部に加えることにより、溶融
した前記熱硬化性樹脂を前記各キャビティ部に注入し封
入して前記封止樹脂を形成する工程を含む。供給するパ
ウダー状の前記熱硬化性樹脂は、ノズルから供給し、供
給時間により該熱硬化性樹脂量を制御する。前記熱硬化
性樹脂は、流動特性と硬化特性の異る少くとも２種の熱
硬化性樹脂を含む。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例を説明する封入金
型の断面図である。
型の断面図である。
【００１２】図１に示す様に、金型に於いては、キャビ
ティ部３の近傍にゲート部２を通じてポット部１が設け
られている。樹脂封入時には、リードフレームを封入金
型上のキャビティ部３の所定の位置に配置し、また、ポ
ット部１に適量のパウダー状樹脂６をノズル等により供
給した後に上下の金型を圧接しリードフレームを挟みこ
みパウダー状樹脂６が溶融した後、高圧空気注入口５か
ら高温高圧エアーを送り溶融樹脂をゲート部２を通して
キャビティ部３に注入させる。
ティ部３の近傍にゲート部２を通じてポット部１が設け
られている。樹脂封入時には、リードフレームを封入金
型上のキャビティ部３の所定の位置に配置し、また、ポ
ット部１に適量のパウダー状樹脂６をノズル等により供
給した後に上下の金型を圧接しリードフレームを挟みこ
みパウダー状樹脂６が溶融した後、高圧空気注入口５か
ら高温高圧エアーを送り溶融樹脂をゲート部２を通して
キャビティ部３に注入させる。
【００１３】樹脂注入後所定の時間が経過した後に上下
封入金型を開きリードフレームと硬化した樹脂を金型上
から取りはずし、清掃を行った後次のリードフレームを
配置し前述と同様の方法により連続で半導体装置の樹脂
成形を行なう。
封入金型を開きリードフレームと硬化した樹脂を金型上
から取りはずし、清掃を行った後次のリードフレームを
配置し前述と同様の方法により連続で半導体装置の樹脂
成形を行なう。
【００１４】図２は図１の封入金型から取りはずされた
リードフレームと硬化した樹脂の斜視図である。
リードフレームと硬化した樹脂の斜視図である。
【００１５】図２に示す様に、リードフレーム７の上に
半導体装置を形成するキャビティ部３とゲート部２及び
ポット部１は、切り離され封入済のリードフレーム７を
得ることができる。
半導体装置を形成するキャビティ部３とゲート部２及び
ポット部１は、切り離され封入済のリードフレーム７を
得ることができる。
【００１６】また、パウダー状樹脂６の量のコントロー
ルが容易にでき、さらに、供給ノズルを複数設けると、
１ケ所のポットに２種類以上のパウダー状樹脂を供給す
ることも可能となる。
ルが容易にでき、さらに、供給ノズルを複数設けると、
１ケ所のポットに２種類以上のパウダー状樹脂を供給す
ることも可能となる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に於いて
は、キャビティ部の近傍にポット部を設け直接ゲート部
を通じてキャビティ部に樹脂注入しているため、従来の
ランナー部が不要となり、不要物として廃棄される樹脂
部を小さくすることができ、利用効率を飛躍的に高める
ことが可能となり、また、樹脂をパウダー状で使用でき
るため、ポット部を小さくし、数を増やすことができ、
樹脂製造工程に於けるタブレット加工も不要となるとい
う効果がある。
は、キャビティ部の近傍にポット部を設け直接ゲート部
を通じてキャビティ部に樹脂注入しているため、従来の
ランナー部が不要となり、不要物として廃棄される樹脂
部を小さくすることができ、利用効率を飛躍的に高める
ことが可能となり、また、樹脂をパウダー状で使用でき
るため、ポット部を小さくし、数を増やすことができ、
樹脂製造工程に於けるタブレット加工も不要となるとい
う効果がある。
【００１８】更に、従来の封止方法に於いては、１ケ所
のポット部からランナー部を通じて多数のキャビティ部
に樹脂を注入させているための、ポット部からの距離に
より各キャビティ部への注入に時差が生じるため、溶融
状態の差から未充テン等の不良が生じていたが、本発明
に於いては、１ケ所のポット部から１つのキャビティ部
へ注入することが可能となり、金型上に全キャビティ部
について同一状態で樹脂を注入できるため、未充てん等
の不良も減少させることができる効果もある。
のポット部からランナー部を通じて多数のキャビティ部
に樹脂を注入させているための、ポット部からの距離に
より各キャビティ部への注入に時差が生じるため、溶融
状態の差から未充テン等の不良が生じていたが、本発明
に於いては、１ケ所のポット部から１つのキャビティ部
へ注入することが可能となり、金型上に全キャビティ部
について同一状態で樹脂を注入できるため、未充てん等
の不良も減少させることができる効果もある。
【図１】本発明の一実施例を説明する封入金型の断面図
である。
である。
【図２】図１の封入金型から取りはずされたリードフレ
ームと硬化した樹脂の斜視図である。
ームと硬化した樹脂の斜視図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を説明する封入金
型の断面図である。
型の断面図である。
【図４】図３の封入金型から取りはずされたリードフレ
ームと硬化した樹脂の斜視図である。
ームと硬化した樹脂の斜視図である。
１ ポット部 ２ ゲート部 ３ キャビティ部 ４ エアーベント部 ５ 高圧空気注入口 ６ バウダー状樹脂 ７ リードフレーム ８ ランナー部 ９ プランジャー １０ 樹脂タブレット
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップが搭載されたリードフレー
ムを所定の位置に配置し高温状態の上下の封入金型で挟
みこんだ後封入金型ポット部に熱硬化性樹脂を供給し該
熱硬化性樹脂を溶融して封入金型の各キャビティ部に圧
入し硬化させることにより、前記半導体チップを覆う外
囲器となる封入樹脂を形成する工程を含む半導体装置の
製造方法に於いて、前記熱硬化性樹脂をパウダー状で供
給し溶融した後、高温高圧エアーを前記封入金型ポット
部に加えることにより、溶融した前記熱硬化性樹脂を前
記各キャビティ部に注入し封入して前記封止樹脂を形成
する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 供給するパウダー状の前記熱硬化性樹脂
をノズルから供給し、供給時間により該熱硬化性樹脂量
を制御することを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 前記熱硬化性樹脂が流動特性と硬化特性
の異る少くとも２種の熱硬化性樹脂を含むことを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29533191A JP2666630B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29533191A JP2666630B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211185A true JPH05211185A (ja) | 1993-08-20 |
| JP2666630B2 JP2666630B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=17819233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29533191A Expired - Lifetime JP2666630B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2666630B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6491857B2 (en) | 1997-01-13 | 2002-12-10 | Nec Corporation | Process of packaging semiconductor chip in synthetic resin produced from pressurized granular synthetic resin and molding die used therein |
| JP2006073785A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Nec Electronics Corp | 封止装置および素子の製造方法 |
| CN113167757A (zh) * | 2018-11-29 | 2021-07-23 | 兴亚株式会社 | 气体传感器及其制造方法 |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP29533191A patent/JP2666630B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6491857B2 (en) | 1997-01-13 | 2002-12-10 | Nec Corporation | Process of packaging semiconductor chip in synthetic resin produced from pressurized granular synthetic resin and molding die used therein |
| JP2006073785A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Nec Electronics Corp | 封止装置および素子の製造方法 |
| CN113167757A (zh) * | 2018-11-29 | 2021-07-23 | 兴亚株式会社 | 气体传感器及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2666630B2 (ja) | 1997-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970527 |