JPH05215791A - 電圧低下検出回路 - Google Patents
電圧低下検出回路Info
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- JPH05215791A JPH05215791A JP4056217A JP5621792A JPH05215791A JP H05215791 A JPH05215791 A JP H05215791A JP 4056217 A JP4056217 A JP 4056217A JP 5621792 A JP5621792 A JP 5621792A JP H05215791 A JPH05215791 A JP H05215791A
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
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- G01R19/16533—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application
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Abstract
(57)【要約】
【目的】被監視電圧の低下を検出する閾値がICごとに
ばらつくことがなく、しかもIC化に適した構成の電圧
低下検出回路を実現する。 【構成】被監視電圧である電圧Vccが定常値のときに、
基準電圧区分用の検出用電圧発生回路群11からの分圧
電圧Va〜Vcにより基準電圧Bを区分けする。その区
分に応じて被監視電圧の低下検出用の検出用電圧発生回
路群12からの分圧電圧Va〜Vcの1つを検出用電圧
Aとする。そうすると、IC化した場合には抵抗比は比
較的正確に実現できるので、基準電圧Bのばらつきの範
囲を見掛け上縮小することができる。その結果、検出精
度が向上する。
ばらつくことがなく、しかもIC化に適した構成の電圧
低下検出回路を実現する。 【構成】被監視電圧である電圧Vccが定常値のときに、
基準電圧区分用の検出用電圧発生回路群11からの分圧
電圧Va〜Vcにより基準電圧Bを区分けする。その区
分に応じて被監視電圧の低下検出用の検出用電圧発生回
路群12からの分圧電圧Va〜Vcの1つを検出用電圧
Aとする。そうすると、IC化した場合には抵抗比は比
較的正確に実現できるので、基準電圧Bのばらつきの範
囲を見掛け上縮小することができる。その結果、検出精
度が向上する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、電圧低下検出回路に
関し、詳しくは、より正確な閾値で電源電圧等の被監視
電圧の低下を検出する回路であって、IC化に適した構
成の電圧低下検出回路に関する。
関し、詳しくは、より正確な閾値で電源電圧等の被監視
電圧の低下を検出する回路であって、IC化に適した構
成の電圧低下検出回路に関する。
【0002】
【従来の技術】バッテリーバックアップされたメモリを
有する回路等では、回路全体の電力供給が断たれたとき
にはメモリへの電力供給をバックアップバッテリーから
のものに切り換えることが必要である。この切換えのタ
イミングの決定は、例えば、電圧低下検出回路により電
源電圧を監視してこの電圧がメモリの動作電圧以下にな
ると電圧低下検出信号を発生することで行われている。
図3に、従来の電圧検出回路のブロック図を示す。ここ
で、1は比較回路、2は基準電圧発生回路、3は検出用
電圧発生回路である。
有する回路等では、回路全体の電力供給が断たれたとき
にはメモリへの電力供給をバックアップバッテリーから
のものに切り換えることが必要である。この切換えのタ
イミングの決定は、例えば、電圧低下検出回路により電
源電圧を監視してこの電圧がメモリの動作電圧以下にな
ると電圧低下検出信号を発生することで行われている。
図3に、従来の電圧検出回路のブロック図を示す。ここ
で、1は比較回路、2は基準電圧発生回路、3は検出用
電圧発生回路である。
【0003】比較回路1は、コンパレータを主体に構成
される回路であり、検出用電圧Aと基準電圧Bを比較し
て、検出用電圧Aが基準電圧Bより小さいときに電圧低
下検出信号Cを出力する。基準電圧発生回路2は、通常
はダイオード又はトランジスタ等を用いて構成され、基
本的には電源電圧の変化に影響されない一定電圧の基準
電圧Bを発生するためのものである。検出用電圧発生回
路3は、電源電圧Vccの端子と接地GNDの端子との間
に直列接続された抵抗により構成され、電源電圧Vccか
ら抵抗分圧により検出用電圧Aを発生する。なお、検出
したい閾値に電源電圧Vccが等しいときにこの検出用電
圧Aが基準電圧Bに一致するように前記の抵抗の抵抗比
が定められる。
される回路であり、検出用電圧Aと基準電圧Bを比較し
て、検出用電圧Aが基準電圧Bより小さいときに電圧低
下検出信号Cを出力する。基準電圧発生回路2は、通常
はダイオード又はトランジスタ等を用いて構成され、基
本的には電源電圧の変化に影響されない一定電圧の基準
電圧Bを発生するためのものである。検出用電圧発生回
路3は、電源電圧Vccの端子と接地GNDの端子との間
に直列接続された抵抗により構成され、電源電圧Vccか
ら抵抗分圧により検出用電圧Aを発生する。なお、検出
したい閾値に電源電圧Vccが等しいときにこの検出用電
圧Aが基準電圧Bに一致するように前記の抵抗の抵抗比
が定められる。
【0004】このような構成の下では、電源電圧Vccが
定常値のときには、検出用電圧Aが基準電圧Bより大き
いので、電圧低下検出信号Cは出力されない。しかし、
電源電圧Vccが閾値以下に低下したときには、検出用電
圧Aが基準電圧B以下になるので、電圧低下検出信号C
が出力される。したがって、この電圧低下検出信号Cが
出力されたタイミングで必要な処理を行えばよい。例え
ば、上述の例では、電圧低下検出信号Cが出力されたタ
イミングでメモリへの電力供給をバックアップバッテリ
ーからのものに切り換えればよい。
定常値のときには、検出用電圧Aが基準電圧Bより大き
いので、電圧低下検出信号Cは出力されない。しかし、
電源電圧Vccが閾値以下に低下したときには、検出用電
圧Aが基準電圧B以下になるので、電圧低下検出信号C
が出力される。したがって、この電圧低下検出信号Cが
出力されたタイミングで必要な処理を行えばよい。例え
ば、上述の例では、電圧低下検出信号Cが出力されたタ
イミングでメモリへの電力供給をバックアップバッテリ
ーからのものに切り換えればよい。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基準電圧発
生回路はダイオード等により構成されるため、基準電圧
は製造工程や材料等の影響により製品ICごとにばらつ
きが見られる。このばらつきを排除するための方法とし
ては、例えば、1つ1つのICごとに必要な精度が得ら
れるまでレーザトリミング等により測定調整を繰り返す
という方法がある。しかし、このような方法には高価な
設備と工数がかかるため、この方法の適用範囲は、付加
価値の高い例えば計測目的のもの等に限られる。このた
め、付加価値の低い汎用ICにおける電圧低下検出回路
では、検出のための閾値がICごとに大きくばらつくと
いう問題がある。この発明の目的は、このような従来技
術の問題点を解決するものであって、電源電圧等の被監
視電圧の低下を検出する閾値がICごとにばらつくこと
がなく、しかもIC化に適した構成の電圧低下検出回路
を実現することである。
生回路はダイオード等により構成されるため、基準電圧
は製造工程や材料等の影響により製品ICごとにばらつ
きが見られる。このばらつきを排除するための方法とし
ては、例えば、1つ1つのICごとに必要な精度が得ら
れるまでレーザトリミング等により測定調整を繰り返す
という方法がある。しかし、このような方法には高価な
設備と工数がかかるため、この方法の適用範囲は、付加
価値の高い例えば計測目的のもの等に限られる。このた
め、付加価値の低い汎用ICにおける電圧低下検出回路
では、検出のための閾値がICごとに大きくばらつくと
いう問題がある。この発明の目的は、このような従来技
術の問題点を解決するものであって、電源電圧等の被監
視電圧の低下を検出する閾値がICごとにばらつくこと
がなく、しかもIC化に適した構成の電圧低下検出回路
を実現することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るこの発明の電圧低下検出回路の構成は、被監視電圧ラ
インに接続された第1の抵抗と、この第1の抵抗に対し
て下流に接続され、順次抵抗値が増加あるいは減少する
複数の第2の抵抗からなる第1の抵抗群回路と、第1の
抵抗(又は第3の抵抗)に対して下流に接続され、順次
抵抗値が第1の抵抗群回路に対応する順序で同様に増加
あるいは減少する複数の第4の抵抗からなる第2の抵抗
群回路と、第1および第2の抵抗群回路のそれぞれの抵
抗のうち少なくとも1つを基準電圧ラインに選択的に接
続する選択接続回路と、第1の抵抗(又は第3の抵抗)
と第2の抵抗群回路との接続点の電圧が所定値以下にな
ったことを検出する電圧検出回路とを備え、第1の抵抗
群回路のそれぞれの抵抗の第1の抵抗に対する抵抗比と
第2の抵抗群回路のそれぞれの抵抗の第1の抵抗(又は
第3の抵抗)に対する抵抗比との比がほぼ定常状態の被
監視電圧と前記所定値との比に対応し、被監視電圧が定
常状態にあるときに、第1の抵抗群回路の抵抗が前記選
択接続回路により順次選択されて前記基準電圧ラインに
接続され、前記電圧検出回路で電圧低下が検出されたと
きに前記選択接続回路により選択された抵抗の順位に対
応した第2の抵抗群回路の抵抗が選択的に前記基準電圧
ラインに接続されるものである。
るこの発明の電圧低下検出回路の構成は、被監視電圧ラ
インに接続された第1の抵抗と、この第1の抵抗に対し
て下流に接続され、順次抵抗値が増加あるいは減少する
複数の第2の抵抗からなる第1の抵抗群回路と、第1の
抵抗(又は第3の抵抗)に対して下流に接続され、順次
抵抗値が第1の抵抗群回路に対応する順序で同様に増加
あるいは減少する複数の第4の抵抗からなる第2の抵抗
群回路と、第1および第2の抵抗群回路のそれぞれの抵
抗のうち少なくとも1つを基準電圧ラインに選択的に接
続する選択接続回路と、第1の抵抗(又は第3の抵抗)
と第2の抵抗群回路との接続点の電圧が所定値以下にな
ったことを検出する電圧検出回路とを備え、第1の抵抗
群回路のそれぞれの抵抗の第1の抵抗に対する抵抗比と
第2の抵抗群回路のそれぞれの抵抗の第1の抵抗(又は
第3の抵抗)に対する抵抗比との比がほぼ定常状態の被
監視電圧と前記所定値との比に対応し、被監視電圧が定
常状態にあるときに、第1の抵抗群回路の抵抗が前記選
択接続回路により順次選択されて前記基準電圧ラインに
接続され、前記電圧検出回路で電圧低下が検出されたと
きに前記選択接続回路により選択された抵抗の順位に対
応した第2の抵抗群回路の抵抗が選択的に前記基準電圧
ラインに接続されるものである。
【0007】具体的には、監視対象としての電圧である
被監視電圧に従う電圧の検出用電圧を発生し、基準電圧
発生回路が発生する基準電圧と前記検出用電圧とを比較
することで、前記被監視電圧が所定の閾値電圧よりも低
下したことを検出して電圧低下検出信号を発生する電圧
低下検出回路において、前記被監視電圧の定常値と前記
基準電圧の設計値との比に対して同一(又は前記基準電
圧の前記設計値からのばらつきの範囲内)の第1の抵抗
比を有する第1の抵抗回路に直列接続された第1のスイ
ッチ回路が第1の選択信号を受けると前記被監視電圧か
ら第1の抵抗比に従う抵抗分圧により第1の分圧電圧を
前記検出用電圧として発生する第1の検出用電圧発生回
路と、前記ばらつきの範囲外で第1の抵抗比以上又は以
下の値の第2の抵抗比を有する第2の抵抗回路に直列接
続された第2のスイッチ回路が第2の選択信号を受ける
と前記被監視電圧から第2の抵抗比に従う抵抗分圧によ
り第2の分圧電圧を前記検出用電圧として発生する第2
の検出用電圧発生回路と、を具備する第1の検出用電圧
発生回路群と、前記被監視電圧の定常値と前記閾値との
比を第1の抵抗比に乗じた値の第3の抵抗比を有する第
3の抵抗回路に直列接続された第3のスイッチ回路が第
3の選択信号を受けると前記被監視電圧から第3の抵抗
比に従う抵抗分圧により第3の分圧電圧を前記検出用電
圧として発生する第3の検出用電圧発生回路と、前記被
監視電圧の定常値と前記閾値との比を第2の抵抗比に乗
じた値の第4の抵抗比を有する第4の抵抗回路に直列接
続された第4のスイッチ回路が第4の選択信号を受ける
と前記被監視電圧から第4の抵抗比に従う抵抗分圧によ
り第4の分圧電圧を前記検出用電圧として発生する第4
の検出用電圧発生回路と、を具備する第2の検出用電圧
発生回路群と、外部から動作開始のタイミングを示すト
リガ信号を受けると、第1の選択信号を一時的に出力し
これに応じた前記電圧低下検出信号の発生があれば第3
の選択信号を出力し、さもなければ第2の選択信号を一
時的に出力しこれに応じた前記電圧低下検出信号の発生
を受けて第4の選択信号を出力する選択信号発生回路
と、を備えるものである。
被監視電圧に従う電圧の検出用電圧を発生し、基準電圧
発生回路が発生する基準電圧と前記検出用電圧とを比較
することで、前記被監視電圧が所定の閾値電圧よりも低
下したことを検出して電圧低下検出信号を発生する電圧
低下検出回路において、前記被監視電圧の定常値と前記
基準電圧の設計値との比に対して同一(又は前記基準電
圧の前記設計値からのばらつきの範囲内)の第1の抵抗
比を有する第1の抵抗回路に直列接続された第1のスイ
ッチ回路が第1の選択信号を受けると前記被監視電圧か
ら第1の抵抗比に従う抵抗分圧により第1の分圧電圧を
前記検出用電圧として発生する第1の検出用電圧発生回
路と、前記ばらつきの範囲外で第1の抵抗比以上又は以
下の値の第2の抵抗比を有する第2の抵抗回路に直列接
続された第2のスイッチ回路が第2の選択信号を受ける
と前記被監視電圧から第2の抵抗比に従う抵抗分圧によ
り第2の分圧電圧を前記検出用電圧として発生する第2
の検出用電圧発生回路と、を具備する第1の検出用電圧
発生回路群と、前記被監視電圧の定常値と前記閾値との
比を第1の抵抗比に乗じた値の第3の抵抗比を有する第
3の抵抗回路に直列接続された第3のスイッチ回路が第
3の選択信号を受けると前記被監視電圧から第3の抵抗
比に従う抵抗分圧により第3の分圧電圧を前記検出用電
圧として発生する第3の検出用電圧発生回路と、前記被
監視電圧の定常値と前記閾値との比を第2の抵抗比に乗
じた値の第4の抵抗比を有する第4の抵抗回路に直列接
続された第4のスイッチ回路が第4の選択信号を受ける
と前記被監視電圧から第4の抵抗比に従う抵抗分圧によ
り第4の分圧電圧を前記検出用電圧として発生する第4
の検出用電圧発生回路と、を具備する第2の検出用電圧
発生回路群と、外部から動作開始のタイミングを示すト
リガ信号を受けると、第1の選択信号を一時的に出力し
これに応じた前記電圧低下検出信号の発生があれば第3
の選択信号を出力し、さもなければ第2の選択信号を一
時的に出力しこれに応じた前記電圧低下検出信号の発生
を受けて第4の選択信号を出力する選択信号発生回路
と、を備えるものである。
【0008】
【作用】このような構成のこの発明の電圧低下検出回路
では、IC化においてはダイオード等により発生される
基準電圧はばらつき易いが抵抗比はほとんどばらつかな
いことから、抵抗分圧による比較的高精度の検出用電圧
発生回路を複数具備する。そして、ICの一部として実
際に出来上がった基準電圧発生回路が発生する基準電圧
は設計値からのずれを有するが、このずれを相殺する値
の検出用電圧を発生する検出用電圧発生回路を複数の中
から1つ選択して用いる。これにより、基準電圧のばら
つきの範囲を見掛け上半減し、精度の向上を達成してい
る。
では、IC化においてはダイオード等により発生される
基準電圧はばらつき易いが抵抗比はほとんどばらつかな
いことから、抵抗分圧による比較的高精度の検出用電圧
発生回路を複数具備する。そして、ICの一部として実
際に出来上がった基準電圧発生回路が発生する基準電圧
は設計値からのずれを有するが、このずれを相殺する値
の検出用電圧を発生する検出用電圧発生回路を複数の中
から1つ選択して用いる。これにより、基準電圧のばら
つきの範囲を見掛け上半減し、精度の向上を達成してい
る。
【0009】具体的には、被監視電圧が定常値のときに
トリガ信号を受けると、第1の選択信号が出力され、こ
れに応じて検出用電圧として第1の分圧電圧が得られ
る。このとき被監視電圧が定常値であり、かつ、第1の
分圧回路の抵抗比がこの定常値と基準電圧の設計値との
比の近傍の値であるから、このときの検出用電圧は基準
電圧の設計値の近傍の値となる。そして、基準電圧がこ
の検出用電圧と比較されるが、前述ことから、このこと
は、基準電圧が設計値の近傍の値と比較されることを意
味する。よって、第1の選択信号に応じて電圧低下検出
信号の発生があれば、基準電圧が設計値の近傍の値より
大きい方にばらついており、第1の選択信号に応じて電
圧低下検出信号の発生がなければ、基準電圧が設計値の
近傍の値より小さい方にばらついていると言える。つま
り、第1の検出用電圧発生回路の選択により基準電圧の
設計値からのずれが区分される。
トリガ信号を受けると、第1の選択信号が出力され、こ
れに応じて検出用電圧として第1の分圧電圧が得られ
る。このとき被監視電圧が定常値であり、かつ、第1の
分圧回路の抵抗比がこの定常値と基準電圧の設計値との
比の近傍の値であるから、このときの検出用電圧は基準
電圧の設計値の近傍の値となる。そして、基準電圧がこ
の検出用電圧と比較されるが、前述ことから、このこと
は、基準電圧が設計値の近傍の値と比較されることを意
味する。よって、第1の選択信号に応じて電圧低下検出
信号の発生があれば、基準電圧が設計値の近傍の値より
大きい方にばらついており、第1の選択信号に応じて電
圧低下検出信号の発生がなければ、基準電圧が設計値の
近傍の値より小さい方にばらついていると言える。つま
り、第1の検出用電圧発生回路の選択により基準電圧の
設計値からのずれが区分される。
【0010】一方、第1の抵抗比と第3の抵抗比の関係
は、被監視電圧の定常値と閾値との比により定められて
いるから、第1の選択信号での電圧低下検出信号発生に
応じて第3の選択信号が出力が保持されているときに
は、被監視電圧が閾値の設計値のときに検出用電圧が、
設計値の近傍の値より大きい方にばらついている基準電
圧の近傍の値になる。同様に、第2の選択信号での電圧
低下検出信号発生に応じて第4の選択信号が出力が保持
されているときには、第2の抵抗比と第4の抵抗比の関
係から基準電圧も第4の分圧も同じ比率で小さいので、
やはり被監視電圧が閾値の設計値のときに検出用電圧
が、設計値の近傍の値より小さい方にばらついている基
準電圧の近傍の値になる。
は、被監視電圧の定常値と閾値との比により定められて
いるから、第1の選択信号での電圧低下検出信号発生に
応じて第3の選択信号が出力が保持されているときに
は、被監視電圧が閾値の設計値のときに検出用電圧が、
設計値の近傍の値より大きい方にばらついている基準電
圧の近傍の値になる。同様に、第2の選択信号での電圧
低下検出信号発生に応じて第4の選択信号が出力が保持
されているときには、第2の抵抗比と第4の抵抗比の関
係から基準電圧も第4の分圧も同じ比率で小さいので、
やはり被監視電圧が閾値の設計値のときに検出用電圧
が、設計値の近傍の値より小さい方にばらついている基
準電圧の近傍の値になる。
【0011】そこで、第1の選択信号に応じて電圧低下
検出信号の発生があったときに第3の選択信号が出力さ
れるとそれ以後は、被監視電圧が閾値の設計値の近傍の
値のときに電圧低下検出信号が出力される。また、第1
の選択信号に応じて電圧低下検出信号の発生がないと、
第2の選択信号の出力に応じて第2の分圧電圧が検出用
電圧として選択されて出力される。この検出用電圧は基
準電圧のばらつきの範囲外で且つ小さい値に設定されて
いるので、第2の選択信号に応じて電圧低下検出信号が
発生されるので、第4の選択信号が出力される。する
と、それ以後は、やはり被監視電圧が閾値の設計値の近
傍の値のときに電圧低下検出信号が出力される。
検出信号の発生があったときに第3の選択信号が出力さ
れるとそれ以後は、被監視電圧が閾値の設計値の近傍の
値のときに電圧低下検出信号が出力される。また、第1
の選択信号に応じて電圧低下検出信号の発生がないと、
第2の選択信号の出力に応じて第2の分圧電圧が検出用
電圧として選択されて出力される。この検出用電圧は基
準電圧のばらつきの範囲外で且つ小さい値に設定されて
いるので、第2の選択信号に応じて電圧低下検出信号が
発生されるので、第4の選択信号が出力される。する
と、それ以後は、やはり被監視電圧が閾値の設計値の近
傍の値のときに電圧低下検出信号が出力される。
【0012】つまり、第1の分圧電圧により基準電圧の
ばらつきが区分けされ、基準電圧が属する区分に適した
検出用電圧が選択されて出力されるので、基準電圧のば
らつきが相殺される。その結果、基準電圧のばらつきの
範囲が見掛け上狭まり、その分だけ検出精度が向上す
る。なお、第1,第3の検出用電圧発生回路を一対とし
て複数対設ければ、その分だけ、ばらつきの範囲が細分
化されるので、一層検出精度を向上させることができ
る。
ばらつきが区分けされ、基準電圧が属する区分に適した
検出用電圧が選択されて出力されるので、基準電圧のば
らつきが相殺される。その結果、基準電圧のばらつきの
範囲が見掛け上狭まり、その分だけ検出精度が向上す
る。なお、第1,第3の検出用電圧発生回路を一対とし
て複数対設ければ、その分だけ、ばらつきの範囲が細分
化されるので、一層検出精度を向上させることができ
る。
【0013】
【実施例】以下、この発明の構成の電圧低下検出回路の
一実施例について、図1のブロック図を参照しながら説
明する。ここで、1は比較回路、2は基準電圧発生回
路、11は基準電圧区分用の検出用電圧発生回路群、1
2は被監視電圧の低下検出用の検出用電圧発生回路群、
13は選択信号発生回路である。なお、比較回路1、基
準電圧発生回路2は、従来と同様の構成なので、同一符
号をもって示し、再度の説明を割愛する。また、検出用
電圧発生回路群11は請求項1における第1の抵抗と第
1の抵抗群回路からなる回路の具体例であり、検出用電
圧発生回路群12は請求項1における第1の抵抗(又は
第3の抵抗)と第2の抵抗群回路からなる回路の具体例
である。
一実施例について、図1のブロック図を参照しながら説
明する。ここで、1は比較回路、2は基準電圧発生回
路、11は基準電圧区分用の検出用電圧発生回路群、1
2は被監視電圧の低下検出用の検出用電圧発生回路群、
13は選択信号発生回路である。なお、比較回路1、基
準電圧発生回路2は、従来と同様の構成なので、同一符
号をもって示し、再度の説明を割愛する。また、検出用
電圧発生回路群11は請求項1における第1の抵抗と第
1の抵抗群回路からなる回路の具体例であり、検出用電
圧発生回路群12は請求項1における第1の抵抗(又は
第3の抵抗)と第2の抵抗群回路からなる回路の具体例
である。
【0014】検出用電圧発生回路群11は、被監視電圧
である電源電圧Vcc側の分圧用抵抗を共有する3つの検
出用電圧発生回路から構成される。各検出用電圧発生回
路は、接地GND側抵抗とスイッチが直列接続されて構
成され、このスイッチが選択信号により選択されると、
電源電圧Vcc側の分圧用抵抗と接地GND側抵抗とで分
圧電圧を検出用電圧Aとして発生する。具体的には、選
択信号Saを受けると第1の分圧電圧に相当する分圧電
圧Vaを検出用電圧Aとして発生し、選択信号Sbを受
けるとそれより少し高い第2の分圧電圧Vbを検出用電
圧Aとして発生し、選択信号Scを受けるとさらに少し
高い第3の分圧電圧Vcを検出用電圧Aとして発生す
る。つまり、これらの検出用電圧発生回路は、基準電圧
Bを挟んで順次高くなる検出用電圧を発生する検出用電
圧発生回路の群である。なお、第3の分圧電圧Vcは、
基準電圧Bのばらつきの範囲の上限値に設定される。
である電源電圧Vcc側の分圧用抵抗を共有する3つの検
出用電圧発生回路から構成される。各検出用電圧発生回
路は、接地GND側抵抗とスイッチが直列接続されて構
成され、このスイッチが選択信号により選択されると、
電源電圧Vcc側の分圧用抵抗と接地GND側抵抗とで分
圧電圧を検出用電圧Aとして発生する。具体的には、選
択信号Saを受けると第1の分圧電圧に相当する分圧電
圧Vaを検出用電圧Aとして発生し、選択信号Sbを受
けるとそれより少し高い第2の分圧電圧Vbを検出用電
圧Aとして発生し、選択信号Scを受けるとさらに少し
高い第3の分圧電圧Vcを検出用電圧Aとして発生す
る。つまり、これらの検出用電圧発生回路は、基準電圧
Bを挟んで順次高くなる検出用電圧を発生する検出用電
圧発生回路の群である。なお、第3の分圧電圧Vcは、
基準電圧Bのばらつきの範囲の上限値に設定される。
【0015】検出用電圧発生回路群12は、被監視電圧
である電源電圧Vcc側の分圧用抵抗を先の検出用電圧発
生回路と共有する3つの検出用電圧発生回路から構成さ
れる。各検出用電圧発生回路は、接地GND側抵抗とス
イッチが直列接続されて構成され、このスイッチが選択
信号により選択されると、電源電圧Vcc側の分圧用抵抗
と接地GND側抵抗とで分圧電圧を検出用電圧Aとして
発生する。具体的には、選択信号Qaを受けると第4の
分圧電圧Aaを検出用電圧Aとして発生し、選択信号Q
bを受けるとそれより少し高い第5の分圧電圧Abを検
出用電圧Aとして発生し、選択信号Qcを受けるとさら
に少し高い第6の分圧電圧Acを検出用電圧Aとして発
生する。つまり、これらの検出用電圧発生回路は、電源
電圧の低下を検出するためにその検出用電圧が順次高く
なる検出用電圧発生回路の群である。
である電源電圧Vcc側の分圧用抵抗を先の検出用電圧発
生回路と共有する3つの検出用電圧発生回路から構成さ
れる。各検出用電圧発生回路は、接地GND側抵抗とス
イッチが直列接続されて構成され、このスイッチが選択
信号により選択されると、電源電圧Vcc側の分圧用抵抗
と接地GND側抵抗とで分圧電圧を検出用電圧Aとして
発生する。具体的には、選択信号Qaを受けると第4の
分圧電圧Aaを検出用電圧Aとして発生し、選択信号Q
bを受けるとそれより少し高い第5の分圧電圧Abを検
出用電圧Aとして発生し、選択信号Qcを受けるとさら
に少し高い第6の分圧電圧Acを検出用電圧Aとして発
生する。つまり、これらの検出用電圧発生回路は、電源
電圧の低下を検出するためにその検出用電圧が順次高く
なる検出用電圧発生回路の群である。
【0016】選択信号発生回路13は、シフトレジスタ
13eを主体として構成され、外部から動作開始のタイ
ミングを示すトリガ信号Tを受けると、第1の選択信号
Saを一時的に出力しこれに応じた電圧低下検出信号C
の発生があれば第4の選択信号Qaを出力する。電圧低
下検出信号Cの発生がなければ、第2の選択信号Sbを
一時的に出力しこれに応じた電圧低下検出信号Cの発生
があれば第5の選択信号Qbを出力する。さもなければ
第3の選択信号Scを一時的に出力しこれに応じた電圧
低下検出信号Cの発生を受けて第6の選択信号Qcを出
力する。なお、第3の分圧電圧Vcが基準電圧Bのばら
つきの範囲の上限値に設定されていることから、第3の
選択信号Scの出力があれば、これに応じて電圧低下検
出信号Cが必ず発生する。
13eを主体として構成され、外部から動作開始のタイ
ミングを示すトリガ信号Tを受けると、第1の選択信号
Saを一時的に出力しこれに応じた電圧低下検出信号C
の発生があれば第4の選択信号Qaを出力する。電圧低
下検出信号Cの発生がなければ、第2の選択信号Sbを
一時的に出力しこれに応じた電圧低下検出信号Cの発生
があれば第5の選択信号Qbを出力する。さもなければ
第3の選択信号Scを一時的に出力しこれに応じた電圧
低下検出信号Cの発生を受けて第6の選択信号Qcを出
力する。なお、第3の分圧電圧Vcが基準電圧Bのばら
つきの範囲の上限値に設定されていることから、第3の
選択信号Scの出力があれば、これに応じて電圧低下検
出信号Cが必ず発生する。
【0017】これを詳述すると、外部から動作開始のタ
イミングを示すトリガ信号Tを受けると、1パルス発生
回路13aからのパルスがシフトレジスタ13eのシリ
アル入力として入力され、3パルス発生回路13dから
の最初のパルスがシフトレジスタ13eのクロック入力
として入力されて、選択信号Saが出力される。さら
に、3パルス発生回路13dからの後続のパルスがシフ
トレジスタ13eのクロック入力として入力されて、出
力される選択信号が選択信号Saから切り換わって選択
信号Sb,選択信号Scが順次出力されることとなる。
ただし、このとき、電圧低下検出信号Cの出力があると
3パルス発生回路13dからの後続のパルスがANDゲ
ートにより抑制されるので、基準信号Bより僅かに大き
な分圧電圧を発生する検出用電圧発生回路を選択する選
択信号の出力が保持される。
イミングを示すトリガ信号Tを受けると、1パルス発生
回路13aからのパルスがシフトレジスタ13eのシリ
アル入力として入力され、3パルス発生回路13dから
の最初のパルスがシフトレジスタ13eのクロック入力
として入力されて、選択信号Saが出力される。さら
に、3パルス発生回路13dからの後続のパルスがシフ
トレジスタ13eのクロック入力として入力されて、出
力される選択信号が選択信号Saから切り換わって選択
信号Sb,選択信号Scが順次出力されることとなる。
ただし、このとき、電圧低下検出信号Cの出力があると
3パルス発生回路13dからの後続のパルスがANDゲ
ートにより抑制されるので、基準信号Bより僅かに大き
な分圧電圧を発生する検出用電圧発生回路を選択する選
択信号の出力が保持される。
【0018】そして、遅延回路13bによりトリガ信号
Tが遅延されたことで、その後から、3パルス発生回路
13dからの3つのパルスが遅れてシフトレジスタ13
eのクロック入力として入力される。これによりシフト
レジスタ13eの出力が3ビット分だけシフトするの
で、選択信号Saが出力されていた場合には選択信号Q
aに切り換わり、選択信号Sbが出力されていた場合に
は選択信号Qbに切り換わり、選択信号Scが出力され
ていた場合には選択信号Qcに切り換わる。
Tが遅延されたことで、その後から、3パルス発生回路
13dからの3つのパルスが遅れてシフトレジスタ13
eのクロック入力として入力される。これによりシフト
レジスタ13eの出力が3ビット分だけシフトするの
で、選択信号Saが出力されていた場合には選択信号Q
aに切り換わり、選択信号Sbが出力されていた場合に
は選択信号Qbに切り換わり、選択信号Scが出力され
ていた場合には選択信号Qcに切り換わる。
【0019】ここで、各電圧値に実際の数値を割り当て
て具体的に説明する。例として、被監視電圧である電圧
Vccの定常値を5.0V、低下検出の閾値を3.0Vと
し、基準電圧Bが設計値を1.0Vとして実際に製造さ
れたICではICごとに0.8〜1.1Vの範囲内の何
れかの値にばらつくものとする。なお、このばらつきの
程度は製造実績から判明する。すると、従来の電圧低下
検出回路では、電圧Vccが3.0Vのときに1.0Vの
検出用電圧Aが出力されるように検出用電圧発生回路の
抵抗比が定められるが、基準電圧Bのばらつきの影響に
より、電圧低下検出信号Cが出力されるときの電圧Vcc
は2.4V(=0.8*3.0/1.0)から3.3V
(=1.1*3.0/1.0)の範囲にばらついてしま
う。
て具体的に説明する。例として、被監視電圧である電圧
Vccの定常値を5.0V、低下検出の閾値を3.0Vと
し、基準電圧Bが設計値を1.0Vとして実際に製造さ
れたICではICごとに0.8〜1.1Vの範囲内の何
れかの値にばらつくものとする。なお、このばらつきの
程度は製造実績から判明する。すると、従来の電圧低下
検出回路では、電圧Vccが3.0Vのときに1.0Vの
検出用電圧Aが出力されるように検出用電圧発生回路の
抵抗比が定められるが、基準電圧Bのばらつきの影響に
より、電圧低下検出信号Cが出力されるときの電圧Vcc
は2.4V(=0.8*3.0/1.0)から3.3V
(=1.1*3.0/1.0)の範囲にばらついてしま
う。
【0020】一方、この実施例では、例えば、電圧Vcc
が3Vのときに、分圧電圧Aaが0.9V、分圧電圧A
bが1.0V、分圧電圧Acが1.1Vになるように検
出用電圧発生回路群12内の検出用電圧発生回路の抵抗
比を定める。そして、これに対応して、電圧Vccが5V
のときに、分圧電圧Vaが0.9V、分圧電圧Vbが
1.0V、分圧電圧Vcが1.1Vになるように検出用
電圧発生回路群11内の検出用電圧発生回路の抵抗比を
定める。これらの条件設定は構成要件を満たすものであ
り、しかも、IC内での抵抗比は比較的高精度なのでこ
れらの抵抗分圧により生成される検出用電圧Aの値は正
確である。
が3Vのときに、分圧電圧Aaが0.9V、分圧電圧A
bが1.0V、分圧電圧Acが1.1Vになるように検
出用電圧発生回路群12内の検出用電圧発生回路の抵抗
比を定める。そして、これに対応して、電圧Vccが5V
のときに、分圧電圧Vaが0.9V、分圧電圧Vbが
1.0V、分圧電圧Vcが1.1Vになるように検出用
電圧発生回路群11内の検出用電圧発生回路の抵抗比を
定める。これらの条件設定は構成要件を満たすものであ
り、しかも、IC内での抵抗比は比較的高精度なのでこ
れらの抵抗分圧により生成される検出用電圧Aの値は正
確である。
【0021】このような構成の下で、電源電圧Vccが定
常値すなわち5Vのときにトリガ信号Tを受けると、先
ず、基準電圧Bが0.8〜0.9Vの場合には、選択信
号Saに応じて0.9Vの検出用電圧Aが発生し引き続
いて電圧低下検出信号Cも出力され、最終的には選択信
号Qaの出力が保持される。よって、この場合には、電
圧低下検出信号Cが出力されるときの電圧Vccは2.6
7V(=3.0*0.8/0.9)から3.0V(=
3.0*0.9/0.9)の範囲でばらつくことにな
る。
常値すなわち5Vのときにトリガ信号Tを受けると、先
ず、基準電圧Bが0.8〜0.9Vの場合には、選択信
号Saに応じて0.9Vの検出用電圧Aが発生し引き続
いて電圧低下検出信号Cも出力され、最終的には選択信
号Qaの出力が保持される。よって、この場合には、電
圧低下検出信号Cが出力されるときの電圧Vccは2.6
7V(=3.0*0.8/0.9)から3.0V(=
3.0*0.9/0.9)の範囲でばらつくことにな
る。
【0022】次に、基準電圧Bが0.9〜1.0Vの場
合には、選択信号Saに応じて0.9Vの検出用電圧A
が発生しても電圧低下検出信号Cが出力されず、選択信
号Sbに応じて1.0Vの検出用電圧Aが発生すると引
き続いて電圧低下検出信号Cも出力され、最終的には選
択信号Qbの出力が保持される。よって、この場合に
は、電圧低下検出信号Cが出力されるときの電圧Vccは
2.7V(=3.0*0.9/1.0)から3.0V
(=3.0*1.0/1.0)の範囲でばらつくことに
なる。
合には、選択信号Saに応じて0.9Vの検出用電圧A
が発生しても電圧低下検出信号Cが出力されず、選択信
号Sbに応じて1.0Vの検出用電圧Aが発生すると引
き続いて電圧低下検出信号Cも出力され、最終的には選
択信号Qbの出力が保持される。よって、この場合に
は、電圧低下検出信号Cが出力されるときの電圧Vccは
2.7V(=3.0*0.9/1.0)から3.0V
(=3.0*1.0/1.0)の範囲でばらつくことに
なる。
【0023】さらに、基準電圧Bが1.0〜1.1Vの
場合には、選択信号Saに応じて0.9Vの検出用電圧
Aが発生しても電圧低下検出信号Cが出力されず、選択
信号Sbに応じて1.0Vの検出用電圧Aが発生しても
やはり電圧低下検出信号Cが出力されず、選択信号Sc
に応じて1.1Vの検出用電圧Aが発生すると引き続い
て電圧低下検出信号Cも出力され、最終的には選択信号
Qcの出力が保持される。よって、この場合には、電圧
低下検出信号Cが出力されるときの電圧Vccは2.73
V(=3.0*1.0/1.1)から3.0V(=3.
0*1.1/1.1)の範囲でばらつくことになる。
場合には、選択信号Saに応じて0.9Vの検出用電圧
Aが発生しても電圧低下検出信号Cが出力されず、選択
信号Sbに応じて1.0Vの検出用電圧Aが発生しても
やはり電圧低下検出信号Cが出力されず、選択信号Sc
に応じて1.1Vの検出用電圧Aが発生すると引き続い
て電圧低下検出信号Cも出力され、最終的には選択信号
Qcの出力が保持される。よって、この場合には、電圧
低下検出信号Cが出力されるときの電圧Vccは2.73
V(=3.0*1.0/1.1)から3.0V(=3.
0*1.1/1.1)の範囲でばらつくことになる。
【0024】したがって、従来では、実際の閾値が0.
9V(=3.3−2.4)の範囲にばらついていたの
が、この実施例では、その範囲が0.33V(=3.0
−2.67)の範囲に狭められており、その分だけ検出
精度が向上している。なお、選択信号Sa〜Sc,Qa
〜Qcは複数のものが同時に出力されることはないの
で、この実施例では、電源電圧Vcc側の抵抗を全基準電
圧発生回路で共有して回路規模を削減している。
9V(=3.3−2.4)の範囲にばらついていたの
が、この実施例では、その範囲が0.33V(=3.0
−2.67)の範囲に狭められており、その分だけ検出
精度が向上している。なお、選択信号Sa〜Sc,Qa
〜Qcは複数のものが同時に出力されることはないの
で、この実施例では、電源電圧Vcc側の抵抗を全基準電
圧発生回路で共有して回路規模を削減している。
【0025】また、この実施例では、第1,第4の基準
電圧発生回路の対に相当する基準電圧発生回路を3組具
備する。これは、最小限としては2組でもよいが、この
数を増やせば、ばらつきの区分けもより細分化されるの
で検出精度も向上する。そして、この場合には、その組
み数の増加に合わせて、シフトレジスタのビット数とパ
ルス発生回路が発生するパルス数とを増加させればよ
い。また、この実施例では検出用電圧を低い方から高い
方に順次比較しているが、逆に検出用電圧を高い方から
低い方に順次比較してもよい。この場合には、第3の分
圧電圧Vcが基準電圧Bのばらつきの範囲の下限値に設
定され、比較回路1の入力が入れ替わるか電圧低下検出
信号の正負論理が入れ替わればよい。
電圧発生回路の対に相当する基準電圧発生回路を3組具
備する。これは、最小限としては2組でもよいが、この
数を増やせば、ばらつきの区分けもより細分化されるの
で検出精度も向上する。そして、この場合には、その組
み数の増加に合わせて、シフトレジスタのビット数とパ
ルス発生回路が発生するパルス数とを増加させればよ
い。また、この実施例では検出用電圧を低い方から高い
方に順次比較しているが、逆に検出用電圧を高い方から
低い方に順次比較してもよい。この場合には、第3の分
圧電圧Vcが基準電圧Bのばらつきの範囲の下限値に設
定され、比較回路1の入力が入れ替わるか電圧低下検出
信号の正負論理が入れ替わればよい。
【0026】また、図2に、他の実施例を示すが、この
電圧低下検出回路は、選択回路23がシフトレジスタ2
3cとフリップフロップ23d,23e,23fを主体
として構成され、基準電圧発生回路群21,22のスイ
ッチがMOSトランジスタで構成されている。選択回路
23内で、選択信号Sa,Sb,Scに対応して選択信
号Qa,Qb,Qcを出力するタイミングがフリップフ
ロップ23d,23e,23fのクロック入力として入
力される電圧低下検出信号Cによる以外は基本的に前述
の例と同様である。
電圧低下検出回路は、選択回路23がシフトレジスタ2
3cとフリップフロップ23d,23e,23fを主体
として構成され、基準電圧発生回路群21,22のスイ
ッチがMOSトランジスタで構成されている。選択回路
23内で、選択信号Sa,Sb,Scに対応して選択信
号Qa,Qb,Qcを出力するタイミングがフリップフ
ロップ23d,23e,23fのクロック入力として入
力される電圧低下検出信号Cによる以外は基本的に前述
の例と同様である。
【0027】
【発明の効果】以上の説明から理解できるように、この
発明の構成の電圧低下検出回路にあっては、IC化に適
する高精度の抵抗分圧による検出用電圧発生回路を複数
具備し、基準電圧の設計値からのずれを相殺する値の検
出用電圧を発生する検出用電圧発生回路をそれらの中か
ら1つ選択して用いる。これにより、基準電圧のばらつ
きの範囲を見掛け上半減することができ、検出精度が向
上するという効果がある。
発明の構成の電圧低下検出回路にあっては、IC化に適
する高精度の抵抗分圧による検出用電圧発生回路を複数
具備し、基準電圧の設計値からのずれを相殺する値の検
出用電圧を発生する検出用電圧発生回路をそれらの中か
ら1つ選択して用いる。これにより、基準電圧のばらつ
きの範囲を見掛け上半減することができ、検出精度が向
上するという効果がある。
【図1】図1は、この発明の構成の電圧低下検出回路の
一実施例についてのブロック図である。
一実施例についてのブロック図である。
【図2】図2は、この発明の構成の電圧低下検出回路の
他の実施例についてのブロック図である。
他の実施例についてのブロック図である。
【図3】図3は、従来の電圧低下検出回路のブロック図
である。
である。
1 比較回路 2 基準電圧発生回路 3 検出用電圧発生回路 11 基準電圧区分用の検出用電圧発生回路群 12 被監視電圧の低下検出用の検出用電圧発生回路群 13 選択信号発生回路
Claims (3)
- 【請求項1】被監視電圧ラインに接続された第1の抵抗
と、この第1の抵抗に対して下流に接続され、順次抵抗
値が増加あるいは減少する複数の第2の抵抗からなる第
1の抵抗群回路と、第1の抵抗(又は第3の抵抗)に対
して下流に接続され、順次抵抗値が第1の抵抗群回路に
対応する順序で同様に増加あるいは減少する複数の第4
の抵抗からなる第2の抵抗群回路と、第1および第2の
抵抗群回路のそれぞれの抵抗のうち少なくとも1つを基
準電圧ラインに選択的に接続する選択接続回路と、第1
の抵抗(又は第3の抵抗)と第2の抵抗群回路との接続
点の電圧が所定値以下になったことを検出する電圧検出
回路とを備え、第1の抵抗群回路のそれぞれの抵抗の第
1の抵抗に対する抵抗比と第2の抵抗群回路のそれぞれ
の抵抗の第1の抵抗(又は第3の抵抗)に対する抵抗比
との比がほぼ定常状態の被監視電圧と前記所定値との比
に対応し、被監視電圧が定常状態にあるときに、第1の
抵抗群回路の抵抗が前記選択接続回路により順次選択さ
れて前記基準電圧ラインに接続され、前記電圧検出回路
で電圧低下が検出されたときに前記選択接続回路により
選択された抵抗の順位に対応した第2の抵抗群回路の抵
抗が選択的に前記基準電圧ラインに接続されることを特
徴とする電圧低下検出回路。 - 【請求項2】監視対象としての電圧である被監視電圧に
従う電圧の検出用電圧を発生し、基準電圧発生回路が発
生する基準電圧と前記検出用電圧とを比較することで、
前記被監視電圧が所定の閾値電圧よりも低下したことを
検出して電圧低下検出信号を発生する電圧低下検出回路
において、 前記被監視電圧の定常値と前記基準電圧の設計値との比
に対して同一(又は前記基準電圧の前記設計値からのば
らつきの範囲内)の第1の抵抗比を有する第1の抵抗回
路に直列接続された第1のスイッチ回路が第1の選択信
号を受けると前記被監視電圧から第1の抵抗比に従う抵
抗分圧により第1の分圧電圧を前記検出用電圧として発
生する第1の検出用電圧発生回路と、前記ばらつきの範
囲外で第1の抵抗比以上又は以下の値の第2の抵抗比を
有する第2の抵抗回路に直列接続された第2のスイッチ
回路が第2の選択信号を受けると前記被監視電圧から第
2の抵抗比に従う抵抗分圧により第2の分圧電圧を前記
検出用電圧として発生する第2の検出用電圧発生回路
と、を具備する第1の検出用電圧発生回路群と、 前記被監視電圧の定常値と前記閾値との比を第1の抵抗
比に乗じた値の第3の抵抗比を有する第3の抵抗回路に
直列接続された第3のスイッチ回路が第3の選択信号を
受けると前記被監視電圧から第3の抵抗比に従う抵抗分
圧により第3の分圧電圧を前記検出用電圧として発生す
る第3の検出用電圧発生回路と、前記被監視電圧の定常
値と前記閾値との比を第2の抵抗比に乗じた値の第4の
抵抗比を有する第4の抵抗回路に直列接続された第4の
スイッチ回路が第4の選択信号を受けると前記被監視電
圧から第4の抵抗比に従う抵抗分圧により第4の分圧電
圧を前記検出用電圧として発生する第4の検出用電圧発
生回路と、を具備する第2の検出用電圧発生回路群と、 外部から動作開始のタイミングを示すトリガ信号を受け
ると、第1の選択信号を一時的に出力しこれに応じた前
記電圧低下検出信号の発生があれば第3の選択信号を出
力し、さもなければ第2の選択信号を一時的に出力しこ
れに応じた前記電圧低下検出信号の発生を受けて第4の
選択信号を出力する選択信号発生回路と、 を備えることを特徴とする電圧低下検出回路。 - 【請求項3】請求項2記載の電圧低下検出回路であっ
て、第1,第2,第3,第4の抵抗回路は、それぞれの
抵抗比を定めるための一方の抵抗を共有することを特徴
とする電圧低下検出回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4056217A JPH05215791A (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 電圧低下検出回路 |
US08/010,563 US5512837A (en) | 1992-02-06 | 1993-01-28 | Voltage drop detecting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4056217A JPH05215791A (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 電圧低下検出回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05215791A true JPH05215791A (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=13020941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4056217A Pending JPH05215791A (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 電圧低下検出回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5512837A (ja) |
JP (1) | JPH05215791A (ja) |
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US8064274B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-11-22 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit having voltage generation circuitry for memory cell array, and method of operating and/or controlling same |
US9151818B2 (en) * | 2011-11-08 | 2015-10-06 | Analog Devices Global | Voltage measurement |
EP3736578A3 (en) | 2011-09-12 | 2021-04-28 | Analog Devices International Unlimited Company | Current measurement |
GB201120295D0 (en) | 2011-11-24 | 2012-01-04 | Metroic Ltd | Current measurement apparatus |
JP6868381B2 (ja) * | 2016-12-09 | 2021-05-12 | ローム株式会社 | 電圧変動検知回路、半導体集積回路、車両 |
TWI659657B (zh) * | 2017-09-26 | 2019-05-11 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 偵測電路與相關偵測方法 |
CN109581093B (zh) * | 2017-09-29 | 2021-10-01 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 侦测电路与相关侦测方法 |
US20230194356A1 (en) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Simmonds Precision Products, Inc. | Resistance measurement systems |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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