JPH05175318A - 静電チャックの基板脱着方法 - Google Patents
静電チャックの基板脱着方法Info
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- JPH05175318A JPH05175318A JP3337397A JP33739791A JPH05175318A JP H05175318 A JPH05175318 A JP H05175318A JP 3337397 A JP3337397 A JP 3337397A JP 33739791 A JP33739791 A JP 33739791A JP H05175318 A JPH05175318 A JP H05175318A
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- Japan
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- substrate
- electrostatic chuck
- semiconductor substrate
- insulator
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体基板を保持する静電チャック
の構造に関し，半導体基板を静電チャックより脱着する
際の局所放電の防止を目的とする。 【構成】 基板１の吸着領域に設けられた貫通孔３から
突出して, 該基板１を該静電チャック２から脱着する機
能を有するリフトピン４の構造が，外囲を絶縁体５で被
覆した導電体５からなり，該基板１を該静電チャック２
より脱着するに際して，該基板１上に帯電した電荷と同
じ種類の電荷が, 該絶縁体５上に帯電するように, 該導
電体６に該基板１上に帯電した電位とほぼ同じ電位を与
えるように構成する。
の構造に関し，半導体基板を静電チャックより脱着する
際の局所放電の防止を目的とする。 【構成】 基板１の吸着領域に設けられた貫通孔３から
突出して, 該基板１を該静電チャック２から脱着する機
能を有するリフトピン４の構造が，外囲を絶縁体５で被
覆した導電体５からなり，該基板１を該静電チャック２
より脱着するに際して，該基板１上に帯電した電荷と同
じ種類の電荷が, 該絶縁体５上に帯電するように, 該導
電体６に該基板１上に帯電した電位とほぼ同じ電位を与
えるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体基板を保持する
静電チャックの構造に関する。近年，ＩＣデバイス等の
半導体装置の高集積化，微細化にともない，塵埃等のパ
ーティクルの発生が少ない搬送機構が求められている。
静電チャックの構造に関する。近年，ＩＣデバイス等の
半導体装置の高集積化，微細化にともない，塵埃等のパ
ーティクルの発生が少ない搬送機構が求められている。
【０００２】半導体基板の搬送時に，基板固定用のステ
ージに半導体基板を固定する際にも，メカニックな部分
が殆どないため，発塵の少ない静電チャックが多く用い
られるようになってきた。
ージに半導体基板を固定する際にも，メカニックな部分
が殆どないため，発塵の少ない静電チャックが多く用い
られるようになってきた。
【０００３】
【従来の技術】図４は従来例の説明図である。図におい
て，23は半導体基板, 24は静電チャック, 25は絶縁物,
26は電極, 27はＤＣ電源，28は貫通孔, 29はリフトピ
ン, 30は局所放電である。
て，23は半導体基板, 24は静電チャック, 25は絶縁物,
26は電極, 27はＤＣ電源，28は貫通孔, 29はリフトピ
ン, 30は局所放電である。
【０００４】図４（ａ）に示すように，従来，静電チャ
ック24は原理的にはメカニックな部分を必要としない
が，実際には，半導体基板23を固定するステージより,
搬送アームに半導体基板23を収容できるように，図４
（ｃ）に示すような半導体基板23を持ち上げるリフトピ
ン29が用いられている。
ック24は原理的にはメカニックな部分を必要としない
が，実際には，半導体基板23を固定するステージより,
搬送アームに半導体基板23を収容できるように，図４
（ｃ）に示すような半導体基板23を持ち上げるリフトピ
ン29が用いられている。
【０００５】この，半導体基板23をリフトピン29により
ステージの静電チャック24より脱着するため，持ち上げ
る際に，図４（ｂ）に示すように，半導体基板23の裏面
には静電チャック24の電極26に印加した電位と同じ電位
が残留しており，電荷を持たないリフトピン29が近ずく
と，図４（ｄ）に示すように，半導体基板23とリフトピ
ン29の間で局所放電30が起こる。
ステージの静電チャック24より脱着するため，持ち上げ
る際に，図４（ｂ）に示すように，半導体基板23の裏面
には静電チャック24の電極26に印加した電位と同じ電位
が残留しており，電荷を持たないリフトピン29が近ずく
と，図４（ｄ）に示すように，半導体基板23とリフトピ
ン29の間で局所放電30が起こる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】即ち，半導体基板をス
テージの静電チャックから脱着する時には，電位の差に
より半導体基板とステージの間に局所的な放電が発生す
るため，これにより，半導体基板上のデバイスが形成さ
れた薄い絶縁膜の絶縁破壊を生ずる。
テージの静電チャックから脱着する時には，電位の差に
より半導体基板とステージの間に局所的な放電が発生す
るため，これにより，半導体基板上のデバイスが形成さ
れた薄い絶縁膜の絶縁破壊を生ずる。
【０００７】本発明は, 以上の点を考慮し, 半導体基板
をステージの静電チャックから脱着する時には，局所的
な放電が発生しないような静電チャックの構造を得るこ
とを目的として提供されるものである。
をステージの静電チャックから脱着する時には，局所的
な放電が発生しないような静電チャックの構造を得るこ
とを目的として提供されるものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において，１は基板，２は静電チャック，
３は貫通孔，４はリフトピン，５は絶縁体，６は導電
体，７はＤＣ電源である。
図である。図において，１は基板，２は静電チャック，
３は貫通孔，４はリフトピン，５は絶縁体，６は導電
体，７はＤＣ電源である。
【０００９】上記の問題点を解決する手段として，図１
に示すように，静電吸着により生じる半導体の基板１の
裏面の電荷と，同じ電位の電荷をリフトピン４に帯電さ
せて，基板１を半導体装置内基板ステージの静電チャッ
ク２より脱着する際に，電位の差による局所的な放電が
発生しないようにする。
に示すように，静電吸着により生じる半導体の基板１の
裏面の電荷と，同じ電位の電荷をリフトピン４に帯電さ
せて，基板１を半導体装置内基板ステージの静電チャッ
ク２より脱着する際に，電位の差による局所的な放電が
発生しないようにする。
【００１０】具体的には，リフトピン４の先端を絶縁体
５で被覆し，内部に導電体６を入れ，負の電圧を掛ける
ことで，リフトピン４の外部表面は，基板１の裏面と同
じ＋に帯電する。
５で被覆し，内部に導電体６を入れ，負の電圧を掛ける
ことで，リフトピン４の外部表面は，基板１の裏面と同
じ＋に帯電する。
【００１１】このように，基板１の裏面と，リフトピン
４の外部表面の電位を同じにすることで，局所的な放電
を防ぐことができる。即ち，本発明の目的は，図１に示
すように，基板１を静電気により吸着する静電チャック
２において，該基板１の吸着領域に設けられた貫通孔３
から突出して, 該基板１を該静電チャック２から脱着す
る機能を有するリフトピン４の構造が，外囲を絶縁体５
で被覆した導電体６からなり，該基板１を該静電チャッ
ク２より脱着するに際して，該基板１上に帯電した電荷
と同じ種類の電荷が, 該絶縁体５上に帯電するように,
該導電体６に該基板１上に帯電した電位とほぼ同じ電位
を与えることにより達成される。
４の外部表面の電位を同じにすることで，局所的な放電
を防ぐことができる。即ち，本発明の目的は，図１に示
すように，基板１を静電気により吸着する静電チャック
２において，該基板１の吸着領域に設けられた貫通孔３
から突出して, 該基板１を該静電チャック２から脱着す
る機能を有するリフトピン４の構造が，外囲を絶縁体５
で被覆した導電体６からなり，該基板１を該静電チャッ
ク２より脱着するに際して，該基板１上に帯電した電荷
と同じ種類の電荷が, 該絶縁体５上に帯電するように,
該導電体６に該基板１上に帯電した電位とほぼ同じ電位
を与えることにより達成される。
【００１２】
【作用】本発明では，上記のように，半導体基板をステ
ージの静電チャックから持ち上げる際に，半導体基板を
押し上げるリフトピンの表面と，半導体基板の裏面が同
電位であるため，局所的な放電を防止できる。
ージの静電チャックから持ち上げる際に，半導体基板を
押し上げるリフトピンの表面と，半導体基板の裏面が同
電位であるため，局所的な放電を防止できる。
【００１３】
【実施例】図２，図３は本発明の実施例の説明図であ
る。図において，８はSiウエハ，９は静電チャック，10
はアルミナセラミック，11は電極，12はリフトピン, 13
は導電体, 14はアルミナセラミック, 15はステージ, 16
はチャンバ, 17は対向電極, 18はＤＣ電源，19はＤＣ電
源，20はＲＦ電源，21はガス導入口, 22は排気口であ
る。
る。図において，８はSiウエハ，９は静電チャック，10
はアルミナセラミック，11は電極，12はリフトピン, 13
は導電体, 14はアルミナセラミック, 15はステージ, 16
はチャンバ, 17は対向電極, 18はＤＣ電源，19はＤＣ電
源，20はＲＦ電源，21はガス導入口, 22は排気口であ
る。
【００１４】本発明の一実施例として，通常，エッチン
グ時の出力が最も高いSiO2膜のエッチングの場合につい
て説明する。SiO2膜の異方性ドライエッチングには図２
に示すＲＩＥ装置を用い，静電チャック９の絶縁体とし
ては抵抗が1011Ωcmのアルミナセラミック10にタングス
テン(W) 製の電極11を埋め込んだものを使用する。電極
11から静電チャック９表面までの絶縁体の厚さｄは 300
μｍにしてある。本発明のリフトピン12も同じ抵抗を有
する，厚さｄが同じ 300μｍのアルミナセラミック14の
絶縁体をＷ製の導電体13の表面に被覆してある。
グ時の出力が最も高いSiO2膜のエッチングの場合につい
て説明する。SiO2膜の異方性ドライエッチングには図２
に示すＲＩＥ装置を用い，静電チャック９の絶縁体とし
ては抵抗が1011Ωcmのアルミナセラミック10にタングス
テン(W) 製の電極11を埋め込んだものを使用する。電極
11から静電チャック９表面までの絶縁体の厚さｄは 300
μｍにしてある。本発明のリフトピン12も同じ抵抗を有
する，厚さｄが同じ 300μｍのアルミナセラミック14の
絶縁体をＷ製の導電体13の表面に被覆してある。
【００１５】先ず，基板として用いるSiウエハ８を静電
チャック９上へ載置する。この時点では，リフトピン12
に電圧を掛けて，電位を持たせる必要はない。次に，静
電チャック９にSiウエハ８を吸着するが，吸着時のみ，
Siウエハ８が静電チャック９に吸着しやすいように，＋
1,000 Ｖの電圧を５〜10秒掛ける。
チャック９上へ載置する。この時点では，リフトピン12
に電圧を掛けて，電位を持たせる必要はない。次に，静
電チャック９にSiウエハ８を吸着するが，吸着時のみ，
Siウエハ８が静電チャック９に吸着しやすいように，＋
1,000 Ｖの電圧を５〜10秒掛ける。
【００１６】この後, 静電チャック９に＋200 Ｖ掛け
て，Siウエハ８をエッチングプロセスが終了するまで，
静電チャック９に吸着し続ける。ＲＩＥ装置のチャンバ
16内に, ガス導入口21より四弗化炭素(CF4) と三弗化メ
タン(CHF3)とを各 100sccmずつ導入し, チャンバ16内真
空度 200mTorr,ＲＦ出力1.4ＫＷ，ヘリウムバックプレ
ッシャ10Torr, ステージ15の温度15℃でSiウエハ８上の
SiO2膜の異方性エッチングを行う。
て，Siウエハ８をエッチングプロセスが終了するまで，
静電チャック９に吸着し続ける。ＲＩＥ装置のチャンバ
16内に, ガス導入口21より四弗化炭素(CF4) と三弗化メ
タン(CHF3)とを各 100sccmずつ導入し, チャンバ16内真
空度 200mTorr,ＲＦ出力1.4ＫＷ，ヘリウムバックプレ
ッシャ10Torr, ステージ15の温度15℃でSiウエハ８上の
SiO2膜の異方性エッチングを行う。
【００１７】SiO2膜のエッチングが終了したら, 図３
（ａ）に示すように，リフトピン12に静電チャック９と
逆の電位として，− 200Ｖを掛ける。続いて，リフトピ
ン12と静電チャック９の両方の電源を切り，図３（ｂ）
に示すように，リフトピン12を上方に動かして, 等電位
となったSiウエハ８を持ち上げ，装置外に取り出す。
（ａ）に示すように，リフトピン12に静電チャック９と
逆の電位として，− 200Ｖを掛ける。続いて，リフトピ
ン12と静電チャック９の両方の電源を切り，図３（ｂ）
に示すように，リフトピン12を上方に動かして, 等電位
となったSiウエハ８を持ち上げ，装置外に取り出す。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば，以上説明したように，
ステージの静電チャックより半導体基板を脱着する際
に，半導体基板とリフトピンの間の局所的な放電が防止
でき，半導体デバイスを構成する薄い絶縁膜の破壊を防
止できる。
ステージの静電チャックより半導体基板を脱着する際
に，半導体基板とリフトピンの間の局所的な放電が防止
でき，半導体デバイスを構成する薄い絶縁膜の破壊を防
止できる。
【００１９】このため，半導体デバイスの品質及び歩留
り向上に寄与するところが大きい。
り向上に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施例の説明図（その１）
【図３】 本発明の実施例の説明図（その２）
【図４】 従来例の説明図
１ 基板 ２ 静電チャック ３ 貫通孔 ４ リフトピン ５ 絶縁体 ６ 導電体 ７ ＤＣ電源 ８ Siウエハ ９ 静電チャック 10 アルミナセラミック 11 電極 12 リフトピン 13 導電体 14 アルミナセラミック 15 ステージ 16 チャンバ 17 対向電極 18 ＤＣ電源 19 ＤＣ電源 20 ＲＦ電源 21 ガス導入口 22 排気口
Claims (1)
- 【請求項１】 基板(1) を静電気により吸着する静電チ
ャック(2) において， 該基板(1) の吸着領域に設けられた貫通孔(3) から突出
して, 該基板(1) を該静電チャック(2) から脱着する機
能を有するリフトピン(4) の構造が，外囲を絶縁体(5)
で被覆した導電体(6) からなり，該基板(1) を該静電チ
ャック(2) より脱着するに際して，該基板(1) 上に帯電
した電荷と同じ種類の電荷が, 該絶縁体(5) 上に帯電す
るように, 該導電体(6) に該基板(1) 上に帯電した電位
とほぼ同じ電位を与えることを特徴とする静電チャック
の基板脱着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3337397A JPH05175318A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 静電チャックの基板脱着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3337397A JPH05175318A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 静電チャックの基板脱着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175318A true JPH05175318A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18308252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3337397A Withdrawn JPH05175318A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 静電チャックの基板脱着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175318A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100362995B1 (ko) * | 1993-09-16 | 2002-11-29 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 기판 유지 방법 및 기판 유지 장치 |
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| JP2020017590A (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | キオクシア株式会社 | 基板支持装置およびプラズマ処理装置 |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP3337397A patent/JPH05175318A/ja not_active Withdrawn
Cited By (24)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |