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JPH0484507A - Differential amplifier circuit - Google Patents

Differential amplifier circuit

Info

Publication number
JPH0484507A
JPH0484507A JP2200651A JP20065190A JPH0484507A JP H0484507 A JPH0484507 A JP H0484507A JP 2200651 A JP2200651 A JP 2200651A JP 20065190 A JP20065190 A JP 20065190A JP H0484507 A JPH0484507 A JP H0484507A
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JP
Japan
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group
channel
transistor
channels
transistors
Prior art date
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Application number
JP2200651A
Other languages
Japanese (ja)
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Inventor
Yoichi Endo
陽一 遠藤
Takashi Matsui
松井 孝至
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Publication of JPH0484507A publication Critical patent/JPH0484507A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve the noise frequency characteristic even against further multi-channel requirements by providing sets of transistors (TRs) each comprising a couple of common base TRs to each group channel, connecting outputs of each of TR sets altogether and using the connected point as a signal output terminal. CONSTITUTION:Lots of channels 1 are grouped to form group channels A-C, sets of TRs 2A-2C each comprising a couple of common base TRs are provided respectively to the group channels A-C, and outputs of the sets of TRs 2A-2C are connected together to form signal output terminals 41,42. Thus, the parasitic capacitance between the input and output terminals of the common base TRs being components of an activated group is reduced. Then the noise frequency characteristic at harmonic frequencies even against further multi-channel requirements is maintained within a prescribed excellent range.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の概要] 多チャンネルのカスケード接続の差動増幅回路に関し。[Detailed description of the invention] [Summary of the invention] Regarding multi-channel cascade-connected differential amplifier circuits.

一層の多チャンネル化に際して雑音の周波数特性の向−
1−を目的とし。
Improvements in the frequency characteristics of noise when increasing the number of channels
The purpose is 1-.

多数のチャンネルを各BY毎に分けて群チャンネルを構
成し、一対のベース接地トランジスタからなるトランジ
スタ組を各群チャンネル毎に備え。
A large number of channels are divided into each BY to form a group channel, and each group channel is provided with a transistor set consisting of a pair of common base transistors.

この各トランジスタ組の出力側を一括に接続して信号出
力端子とするように構成する。
The output sides of each transistor set are connected together to form a signal output terminal.

[産業上の利用分野] 本発明は、多チャンネルの入力の一つをアクティヴにし
て一つのチャンネルの入力信号を増幅して出力する形式
の多チャンネルのカスケード接続の差動増幅回路に関す
る。
[Field of Industrial Application] The present invention relates to a multi-channel cascade-connected differential amplifier circuit that activates one of the multi-channel inputs to amplify and output the input signal of one channel.

ハードディスク等の磁気記憶装置において読出し回路の
第一段増幅回路として使用されるカスケード接続の差動
増幅回路は、従来2〜4チヤンネルとして構成されてい
たが、磁気記憶装置の高容量化に対応して信号処理能力
の向上が要請され1例えば8〜10チヤンネルというよ
うな一層の多チャンネル化が必要となってきており、こ
の多チャンネル化においても従来と同等又はそれ以」−
の低雑音性、低入力容量特性、高周波数域での雑音の周
波数特性が要請されている。
The cascade-connected differential amplifier circuit used as the first stage amplifier circuit of the readout circuit in magnetic storage devices such as hard disks has conventionally been configured as 2 to 4 channels, but it has been developed to accommodate the increasing capacity of magnetic storage devices. In response to the demand for improved signal processing capability, it has become necessary to have even more channels, for example, 8 to 10 channels, and this multi-channel technology is equivalent to or even higher than the conventional one.
Low noise, low input capacitance characteristics, and noise frequency characteristics in a high frequency range are required.

[従来の技術] 従来のカスケード接続の差動増幅回路を第6図に示す。[Conventional technology] A conventional cascade-connected differential amplifier circuit is shown in FIG.

なお同図をはじめとして各図においては、各チャンネル
1の内部回路は全て同じ構成を有するため、一部のチャ
ンネル1を除いて他のチャンネルの内部回路の図示を省
略している。
Note that in this figure and other figures, since all the internal circuits of each channel 1 have the same configuration, illustrations of the internal circuits of other channels except for some channels 1 are omitted.

同図において夫々のベースを信号入力端子11゜12と
する一対のトランジスタQ1.Q2はエミッタ相互が直
接接続された差動対として構成され差動対と、この差動
対をアクティヴにする選択部として成るトランジスタQ
3とが組合されて一つのチャンネル1を構成する。各チ
ャンネル1の差動対の一方のトランジスタQ1は、他の
チャンネル1の差動対の一方のトランジスタQ1と夫々
のコレクタ相互において一括接続されて第一の一括接続
部を形成し、同様に各チャンネル1の差動対の他方のト
ランジスタQ2は、他のチャンネル1の差動対の他方の
トランジスタQ2と夫々のコレクタ相互において一括接
続されて第二の一括接続部を形成するよう、夫々構成さ
れる。
In the figure, a pair of transistors Q1. Q2 is configured as a differential pair whose emitters are directly connected to each other, and a transistor Q constitutes a differential pair and a selection section that activates this differential pair.
3 constitutes one channel 1. One transistor Q1 of each channel 1 differential pair is collectively connected to one transistor Q1 of the other channel 1 differential pair at their respective collectors to form a first collective connection, and similarly each The other transistor Q2 of the channel 1 differential pair is each configured to be collectively connected with the other transistor Q2 of the other channel 1 differential pair at their respective collectors to form a second collective connection. Ru.

双方の一括接続部は夫々、トランジスタ組を構成する第
一ベース接地トランジスタQ4及び第二ベース接地トラ
ンジスタQ5の夫々のエミッタ端子に接続されている。
Both collective connection portions are connected to respective emitter terminals of the first common base transistor Q4 and the second common base transistor Q5 constituting the transistor set.

この双方のベース接地トランジスタQ4.Q5のコレク
タ端子は、夫々負荷抵抗R1,R2を介して同一電源V
ccに接続されると共に、一対の信号出力端子41.、
42として構成されている。
Both of these common base transistors Q4. The collector terminal of Q5 is connected to the same power supply V through load resistors R1 and R2, respectively.
cc and a pair of signal output terminals 41.cc. ,
42.

−に記全体の構成により1選択された一つのチャンネル
1の入力信号端子11.12からの入力信号は、信号出
力端子41.42から増幅して出力され。
- The input signal from the input signal terminal 11.12 of one selected channel 1 is amplified and outputted from the signal output terminal 41.42 according to the overall configuration described in (a).

次段の増幅回路に入力され或いは出力信号としてそのま
ま利用される。
The signal is input to the next stage amplifier circuit or used as is as an output signal.

[発明が解決しようとする課題] 前述の如くハードディスク等の磁気記憶装置の高密度化
、大容量化に伴い、従来の多チャンネルのカスケード接
続の差動増幅回路においては、信号処理能力の向−1−
を目的とする一層の多チャンネル化と高周波数域の雑音
の周波数特性の向」−とが常に要請されている。
[Problems to be Solved by the Invention] As mentioned above, with the increase in density and capacity of magnetic storage devices such as hard disks, conventional multi-channel cascade-connected differential amplifier circuits have had to improve their signal processing capabilities. 1-
There is a constant demand for further multichannelization and improvement of the frequency characteristics of noise in the high frequency range.

本発明は、従来の多チャンネルのカスケード接続の差動
増幅回路の一層の多チャンネル化を図ると共に、この−
層の多チャンネル化においても高周波数域における雑音
の周波数特性を一定に維持し、もって前記要請に応える
ことを目的とする。
The present invention aims to further increase the number of channels in a conventional multi-channel cascade-connected differential amplifier circuit, and to
The purpose of this invention is to maintain constant frequency characteristics of noise in a high frequency range even when the layer is multi-channeled, thereby meeting the above requirements.

[課題を達成するための手段] 第1図は本発明の原理図である。[Means to achieve the task] FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention.

多数のチャンネル1を各群毎に分けて群チャンネルAB
、Cを構成し、一対のベース接地トランジスタからなる
トランジスタ組2A、2B。
Divide the large number of channels 1 into each group and divide them into group channels AB.
, C, and transistor sets 2A and 2B consisting of a pair of common base transistors.

2Cを各群チャンネルA、B、C毎に備え、この各トラ
ンジスタ組2A、2B、2Cの出力側を一括に接続しこ
れを信号出力端子41.42とする。
2C is provided for each group of channels A, B, and C, and the output sides of each transistor set 2A, 2B, and 2C are connected together to form signal output terminals 41 and 42.

本発明は下記の知見による。The present invention is based on the following findings.

従来の4チヤンネルのカスケード接続の差動増幅回路を
前提として一層の多チャンネル化を図る場合1例えば8
チヤンネルとする場合には、第5図に示した比較例の増
幅回路が選択されることとなる。
When attempting to increase the number of channels based on the conventional 4-channel cascade-connected differential amplifier circuit 1 For example, 8
In the case of using a channel, the amplifier circuit of the comparative example shown in FIG. 5 will be selected.

即ち、IC回路としてかかる増幅回路を構成すれば、当
然のことながらチップ面積は極限に近くまでその極小化
が図られるものであり、しかも多くのチャンネルが存在
しているこのカスケード接続の差動増幅回路にあっては
、常に唯一つのチャンネルのみがアクティヴとなるよう
選択されるものであり、唯一つの信号を増幅伝達するも
のであることを考慮すれば、前記従来のカスケード接続
の差動増幅回路において全てのチャンネルを並列的に接
続し、一つのトランジスタ組と組み合わせる比較例の増
幅回路(第5図)を選択することがまず試みられよう。
In other words, if such an amplifier circuit is constructed as an IC circuit, the chip area can be minimized to a near limit, and moreover, this cascade-connected differential amplifier with many channels Considering that in a circuit, only one channel is always selected to be active, and only one signal is amplified and transmitted, in the conventional cascade-connected differential amplifier circuit, An attempt will first be made to select a comparative amplifier circuit (FIG. 5) in which all channels are connected in parallel and combined with one transistor set.

本発明においては、まず上記の如き比較例の増幅回路の
場合について所要信号特性の解析を行ったところ、雑音
の周波数特性が10〜1.00M1lzの高い周波数域
で劣化することが明らかになったのでその改良のため、
さらに検討を加えたものである。その結果本発明の構成
によれば比較例の増幅回路の欠点が解消されることを見
出したものである。
In the present invention, we first analyzed the required signal characteristics in the case of the comparative example amplifier circuit as described above, and it became clear that the noise frequency characteristics deteriorate in the high frequency range of 10 to 1.00 M1lz. Therefore, for the improvement,
This is a result of further consideration. As a result, it has been found that the configuration of the present invention eliminates the drawbacks of the amplifier circuit of the comparative example.

[作用コ 即ち、多数のチャンネルを群毎に分けて群チャンネルを
構成し、この群チャンネル毎に各トランジスタ組を組合
せたことで、アクティヴとされない各チャンネルの出力
端子及びこれを接続する配線と基板との間に存在する寄
生容量が、アクティヴとされた群のトランジスタ組に付
加されず、アクティヴとされた群のトランジスタ組を構
成するベース接地トランジスタの入出力端子間の寄生容
量が減少して高周波数域での周波数特性が向上し、カス
ケード接続の差動増幅回路全体の雑音の周波数特性が向
上する。
[In other words, by dividing a large number of channels into groups to form a group channel, and combining each transistor set for each group channel, the output terminal of each channel that is not active and the wiring and board that connect it. The parasitic capacitance that exists between the input and output terminals of the common-base transistors that make up the active group of transistors is reduced and increases. The frequency characteristics in the frequency range are improved, and the frequency characteristics of the noise of the entire cascade-connected differential amplifier circuit are improved.

[実施例] 図面を参照して本発明の実施例について更に説明する。[Example] Embodiments of the present invention will be further described with reference to the drawings.

第2図は本発明の第一の実施例の回路図である。同図に
おいて各チャンネル1,1′は、一対のNPNトランジ
スタQl、Q2.Ql’、Q2’から成る差動対と、こ
の差動対の各トランジスタQl、Q2.Ql’、Q2’
の相互に接続されたエミッタ端子にコレクタが接続され
、且つ選択端子I3を介してチャンネル選択信号がベー
スに供給される第三〇NPN トランジスタQ3.Q3
’とから構成される。
FIG. 2 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention. In the figure, each channel 1, 1' consists of a pair of NPN transistors Ql, Q2 . A differential pair consisting of Ql', Q2' and each transistor Ql, Q2 . Ql', Q2'
A 30NPN transistor Q3. whose collector is connected to the mutually connected emitter terminals of the transistors Q3. and whose base is supplied with a channel selection signal via the selection terminal I3. Q3
It consists of ' and.

各チャンネルは二群に分割されており、各群には夫々4
個のチャンネル1.1′が含まれている。
Each channel is divided into two groups, and each group has 4
channels 1.1' are included.

各群チャンネルA、Bにおいては1群内の各チャンネル
の差動対の一方のトランジスタQl、Ql’のコレクタ
は群チャンネルA、B毎に一括接続されて第一の一括接
続部を形成し、他方のトランジスタQ2.Q2’のコレ
クタも同様に群チャンネルA、B毎に一括接続されて第
二の一括接続部を形成している。
In each group channel A, B, the collectors of one transistor Ql, Ql' of the differential pair of each channel in one group are collectively connected for each group channel A, B to form a first collective connection part, The other transistor Q2. The collectors of Q2' are similarly connected together for each of the group channels A and B to form a second collective connection section.

トランジスタ組2A、2Bを構成する各第一ベース接地
トランジスタQ4.Q4’のエミッタは、前記一括接続
されたコレクタから成る第一の一括接続部と接続され、
同様に各第二ベース接地トランジスタQ5.Q5’のエ
ミッタは、前記一括接続されたコレクタから成る第二の
一括接続部と接続されており、各群チャンネルA、Bと
トランジスタ組2A、2Bとが組合わされる。
Each of the first common base transistors Q4 configuring the transistor sets 2A and 2B. The emitter of Q4' is connected to the first collective connection consisting of the collective connected collectors,
Similarly, each second common base transistor Q5. The emitter of Q5' is connected to a second collective connection consisting of the collective connected collectors, and each group channel A, B is combined with a transistor set 2A, 2B.

各群チャンネルA、Bと組合わされた夫々のトランジス
タ組2A、2Bの第一ベース接地トランジスタQ4のコ
レクタ端子は他のトランジスタ組の第一ベース接地トラ
ンジスタQ4’のコレクタ端子と一括接続されて一方の
信号出力端子41となり、第二ベース接地トランジスタ
Q5のコレクタ端子も同様に他のトランジスタ組の第二
ベース接地トランジスタのコレクタ端子と一括接続され
て他方の信号出力端子42となり、これにより一対の信
号出力端子41.42が形成される。
The collector terminals of the first common-base transistors Q4 of the respective transistor sets 2A and 2B combined with the channels A and B of each group are collectively connected to the collector terminals of the first common-base transistors Q4' of the other transistor set. The collector terminal of the second common-base transistor Q5 is similarly connected to the collector terminal of the second common-base transistor of the other transistor group to become the other signal output terminal 42, and thus a pair of signal outputs. Terminals 41, 42 are formed.

第2図の構成により1選択されたチャンネル1.1′を
アクティヴにするためのチャンネル選択信号が選択端子
13.13’を通じて当該チャンネルに伝達されると、
一対の信号入力端子11.12゜11’ 、 12’ 
に入力された信号は、当該チャンネル1.1′及び当該
群チャンネルA、Bと組み合わされたトランジスタ組2
A、2Bによって増幅され、信号出力端子41.42を
経て次段の増幅回路に伝達され或いは出力信号として利
用される。
When a channel selection signal for activating one selected channel 1.1' with the configuration shown in FIG. 2 is transmitted to the selected channel through the selection terminal 13.13',
A pair of signal input terminals 11.12°11', 12'
The signal input to the channel 1.1' and the transistor group 2 combined with the channels A and B
The signals A and 2B are amplified and transmitted to the next stage amplifier circuit via signal output terminals 41 and 42, or used as an output signal.

この実施例においては、差動対を構成するNPN トラ
ンジスタQl、Q2.Ql’、Q2’のコレクタを、各
群内の各組毎に一括接続し、当該l・ランジスタ組の一
対のベース接地トランジスタQ4.Q5.Q4’、Q5
’のエミッタと夫々接続しているため、アクティヴとさ
れたチャンネルとは別の群に属する各チャンネルのトラ
ンジスタのコレクタ及びこれらを接続する配線の対地間
寄生容量は、アクティヴとされたチャンネルの群と組合
されたトランジスタ組の入出力間の寄生容量とはならず
比較例の増幅回路に比べて特に高周波数域における雑音
の周波数特性が向上する。
In this embodiment, NPN transistors Ql, Q2 . The collectors of Ql' and Q2' are connected together for each set in each group, and the base-grounded transistors Q4. Q5. Q4', Q5
', the parasitic capacitance to ground of the collectors of the transistors of each channel that belong to a group different from the active channels and the wiring that connects them is different from the group of active channels. There is no parasitic capacitance between the input and output of the combined transistor set, and the frequency characteristics of noise, especially in the high frequency range, are improved compared to the amplifier circuit of the comparative example.

第3図(a) 、(b) 、(c)に夫々各チャンネル
1の構成を示す回路図を例として掲げる。同図(a)は
第2図に示したチャンネルの回路図と同じであり。
FIGS. 3(a), 3(b), and 3(c) each show a circuit diagram showing the configuration of each channel 1 as an example. FIG. 2(a) is the same as the channel circuit diagram shown in FIG.

同図(b)は一対のバイポーラトランジスタQl。Figure (b) shows a pair of bipolar transistors Ql.

Q2のエミッタ相互がダイオードDI、D2を介して接
続され、同図(C)では同様にエミッタ相互が抵抗R1
,R2を介して接続されている。同図(b) (C)の
回路によれば、各チャンネル内のトランジスタQl、Q
2.Ql’、Q2’の人力容量を小さくすることができ
る。しかしこの場合回路内で発生する雑音は幾分増大す
る傾向にある。同図(a)〜(e)のいずれも差動対を
バイポーラトランジスタによって構成した好適な例を示
したが1周知の如く電界効果トランジスタから構成され
る差動対を採用することも可能である。
The emitters of Q2 are connected to each other via diodes DI and D2, and in the same figure (C), the emitters are connected to each other via a resistor R1.
, R2. According to the circuits of (b) and (c) in the same figure, the transistors Ql and Q in each channel
2. The manpower capacity of Ql' and Q2' can be reduced. However, in this case, the noise generated within the circuit tends to increase somewhat. In each of the figures (a) to (e), a preferable example is shown in which the differential pair is composed of bipolar transistors, but as is well known, it is also possible to employ a differential pair composed of field effect transistors. .

第4図には本発明の第二の実施例の回路図が示されてい
る。第1図との違いは主としてトランジスタ組2A、2
Bの出力端子となるコレクタ側にシャント用のショット
キーダイオードSDI。
FIG. 4 shows a circuit diagram of a second embodiment of the invention. The main differences from Figure 1 are transistor sets 2A and 2.
Schottky diode SDI for shunt on the collector side which becomes the output terminal of B.

SO2、SDI’、 SD2’が接続され、各コレクタ
はこのショットキーダイオードを介して一括に接続され
ており、この一括接続部が信号出力端子41.42とし
て構成されていることである。このようにするとアクテ
ィヴにされたチャンネルを含む群チャンネル以外の群チ
ャンネルと組合わされたトランジスタ組のベース接地ト
ランジスタによる信号出力端子の対地間寄生容量の増大
を防止でき9周波数特性の向」二を図ることができる。
SO2, SDI', and SD2' are connected, and each collector is collectively connected via this Schottky diode, and this collective connection is configured as a signal output terminal 41, 42. In this way, it is possible to prevent an increase in the parasitic capacitance of the signal output terminal to ground due to the common-base transistor of the transistor set combined with a group channel other than the group channel including the activated channel, and to improve the frequency characteristics. be able to.

ショッ]・キーダイオードSDI 、 SO2、SDI
’、 SD2’に代えて抵抗を介して各トランジスタ組
の出力端子を一括接続することも可能である。
Key diode SDI, SO2, SDI
It is also possible to connect the output terminals of each transistor group together via a resistor instead of ', SD2'.

第7図に従来、前記比較例及び本発明の第一の実施例に
係る夫々のカスケード接続の差動増幅回路における入力
換算雑音電圧(nV/f[)の周波数特性が示されてい
る。同図(a)に示された本発明の実施例の8チヤンネ
ルの差動増幅回路線図の場合、1〜1.00 M H2
の周波数域において同図(C)に示された4チヤンネル
の差動増幅回路の入力換算電圧の周波数特性と同様に好
適な線図を得ることができ −層の多チャンネル化に際
して増加したチャンネルを単に一括に接続して一つのト
ランジスタ組と組合わせて構成した比較例のカスケード
接続の差動増幅回路の線図に比して良好な特性を有して
いる。比較例の回路の特性の場合、高密度のハードディ
スク装置に使用した場合には入力換算雑音電圧が、良好
な特性についての上限値である0、9 nVム月■を越
えており、このままでは1〜100MIIZの周波数域
において使用に耐え得ないものであることが理解できる
FIG. 7 shows the frequency characteristics of the input equivalent noise voltage (nV/f[) in the conventional cascade-connected differential amplifier circuits according to the comparative example and the first embodiment of the present invention. In the case of the 8-channel differential amplifier circuit diagram of the embodiment of the present invention shown in FIG.
In the frequency range of , it is possible to obtain a suitable diagram similar to the frequency characteristics of the input equivalent voltage of the 4-channel differential amplifier circuit shown in the same figure (C). It has better characteristics than the diagram of the cascade-connected differential amplifier circuit of the comparative example, which is simply connected all together and combined with one transistor set. In the case of the circuit characteristics of the comparative example, when used in a high-density hard disk drive, the input equivalent noise voltage exceeds the upper limit for good characteristics, which is 0.9 nV. It can be understood that this cannot be used in the frequency range of ~100 MIIZ.

なお1本実施例においては群チャンネルを二つとしたも
のを示したが3以上の群チャンネルでも同様に構成でき
る。好ましくは一つの群チャンネルは5以下のチャンネ
ル数として高周波数域における雑音の周波数特性を一定
の良好な範囲に維持する。
In this embodiment, two group channels are shown, but a similar configuration can be made with three or more group channels. Preferably, the number of channels in one group is 5 or less to maintain the frequency characteristics of noise in a high frequency range within a certain good range.

[発明の効果] 以」二説明したように1本発明のカスケード接続の差動
増幅回路では、トランジスタ組での入出力端子間の寄生
容量が減少する結果、−層の多チャンネル化においても
高周波数域における雑音の周波数特性が一定の良好な範
囲に維持可能である。
[Effects of the Invention] As explained below, in the cascade-connected differential amplifier circuit of the present invention, the parasitic capacitance between the input and output terminals of the transistor set is reduced, and as a result, the high The frequency characteristics of noise in the frequency range can be maintained within a certain good range.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の原理図。 第2図は本発明の第一の実施例の回路図。 第3図は各チャンネルの回路例を示す図。 第4図は本発明の第二の実施例の回路図。 第5図は本発明の増幅回路と比較するための比較例の回
路図 第6図は従来のカスケード接続の差動増幅回路の回路図
。 第7図は各増幅回路における入力換算雑音電圧の周波数
特性図である。 第1図において、1はチャンネル、2A。 2B、2Cはトランジスタ組、 41.42は信号出力
端子、A、B、Cは群チャンネルを示す。
FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing an example of the circuit of each channel. FIG. 4 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a circuit diagram of a comparative example for comparison with the amplifier circuit of the present invention. FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional cascade-connected differential amplifier circuit. FIG. 7 is a frequency characteristic diagram of the input equivalent noise voltage in each amplifier circuit. In FIG. 1, 1 is a channel and 2A. 2B and 2C are transistor sets, 41.42 are signal output terminals, and A, B, and C are group channels.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)夫々のベース又はゲートを一対の信号入力端子と
し、夫々のエミッタ、又はソース・ドレインのいずれか
が共通に接続され、且つコレクタ、又はソース・ドレイ
ンを一対の出力端子とする一対のトランジスタからなる
差動対と、該差動対をアクティヴにするために前記共通
接続された端子に接続された選択部とから構成されるチ
ャンネル(1)を複数備え、 前記複数のチャンネル(1)を群毎に区分して複数の群
チャンネル(A、B、C)を構成し、前記差動対の一方
のトランジスタの出力端子相互及び他方のトランジスタ
の出力端子相互を夫々群チャンネル(A、B、C)毎に
一括接続して第一及び第二の一括接続部を形成し、 前記第一の一括接続部と接続されて前記一方のトランジ
スタとカスケード接続された第一ベース接地トランジス
タと、前記第二の一括接続部と接続されて前記他方のト
ランジスタとカスケード接続された第二ベース接地トラ
ンジスタとにより構成されるトランジスタ組(2A、2
B、2C)を前記群チャンネル(A、B、C)毎に備え
、 前記各トランジスタ組(2A、2B、2C)の、夫々の
第一ベース接地トランジスタの出力端子相互、及び夫々
の第二ベース接地トランジスタの出力端子相互を夫々一
括に接続して一対の信号出力端子(41、42)を形成
し、 アクティヴとされた一つのチャンネル(1)の信号入力
端子に印加された信号を増幅して一つの増幅信号として
出力することを特徴とする差動増幅回路。
(1) A pair of transistors, each having its base or gate as a pair of signal input terminals, its emitter or source/drain connected in common, and its collector or source/drain serving as a pair of output terminals. a plurality of channels (1) each comprising a differential pair consisting of a differential pair and a selection section connected to the commonly connected terminal to activate the differential pair; Each group is divided into a plurality of group channels (A, B, C), and the output terminals of one transistor of the differential pair and the output terminals of the other transistor are connected to each other of the group channels (A, B, C), respectively. C) are connected together to form first and second collective connection parts, and a first common base transistor connected to the first collective connection part and connected in cascade with the one transistor; A transistor set (2A, 2
B, 2C) are provided for each group channel (A, B, C), and the output terminals of the respective first base-grounded transistors and the respective second bases of each transistor set (2A, 2B, 2C) are provided for each group channel (A, B, C). The output terminals of the grounded transistors are connected together to form a pair of signal output terminals (41, 42), and the signal applied to the signal input terminal of one active channel (1) is amplified. A differential amplifier circuit characterized by outputting a single amplified signal.
(2)請求項1記載の差動増幅回路において、前記差動
対がバイポーラトランジスタから構成され、該バイポー
ラトランジスタのエミッタ相互が抵抗又はダイオードを
介して接続されていることを特徴とする差動増幅回路。
(2) The differential amplifier circuit according to claim 1, wherein the differential pair is composed of bipolar transistors, and the emitters of the bipolar transistors are connected to each other via a resistor or a diode. circuit.
(3)請求項1記載の差動増幅回路において、前記各群
の第一ベース接地トランジスタ相互及び第二ベース接地
トランジスタ相互が、夫々抵抗又はダイオードを介して
一括に接続されていることを特徴とする差動増幅回路。
(3) The differential amplifier circuit according to claim 1, wherein the first common-base transistors and the second common-base transistors of each group are connected together via a resistor or a diode, respectively. differential amplifier circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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