JPH0484405A - 力率改善用チョーク - Google Patents
力率改善用チョークInfo
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- JPH0484405A JPH0484405A JP90199919A JP19991990A JPH0484405A JP H0484405 A JPH0484405 A JP H0484405A JP 90199919 A JP90199919 A JP 90199919A JP 19991990 A JP19991990 A JP 19991990A JP H0484405 A JPH0484405 A JP H0484405A
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Landscapes
- Arc Welding Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、インバータのような電気機器の交流入力部
に用いられる力率改善用のチヨークに関するものでであ
る。
に用いられる力率改善用のチヨークに関するものでであ
る。
[従来の技術及び課題]
従来より、たとえばインバータの交流入力部には、交流
電源からの電力を整流する整流回路と、整流された電力
を直流入力としてインバータに供給するコンデンサとが
接続され、さらに、力率改善のために5有鉄心チヨーク
が使用されており、このチョークは、大きなインダクタ
ンスが得られるように、第13図に示すコアのB/H特
性線図の直線部分a−bを使用していた。そのため、負
荷(通電量)の大小にかかわらず、そのインダクタンス
は変化しない、その場合、高負荷時の力率改善度を大き
くとると、低負荷時の力率改善度は低下する。
電源からの電力を整流する整流回路と、整流された電力
を直流入力としてインバータに供給するコンデンサとが
接続され、さらに、力率改善のために5有鉄心チヨーク
が使用されており、このチョークは、大きなインダクタ
ンスが得られるように、第13図に示すコアのB/H特
性線図の直線部分a−bを使用していた。そのため、負
荷(通電量)の大小にかかわらず、そのインダクタンス
は変化しない、その場合、高負荷時の力率改善度を大き
くとると、低負荷時の力率改善度は低下する。
この発明は、従来の技術が持つ上記欠点を解消し、力率
改善の度合を高負荷時も低負荷時も増大させることを目
的としている。
改善の度合を高負荷時も低負荷時も増大させることを目
的としている。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本件発明者は、研究を重ね
た結果、小電流時のインダクタンスを小さく、大電流時
のインダクタンスを大きくすれば、高負荷時も低負荷時
も力率が改善されることを見い出した。これが、この発
明の基礎となっている。
た結果、小電流時のインダクタンスを小さく、大電流時
のインダクタンスを大きくすれば、高負荷時も低負荷時
も力率が改善されることを見い出した。これが、この発
明の基礎となっている。
このように小電流時のインダクタンスを小さく、大電流
時のインダクタンスを大きくするために、請求項1の発
明は、交流電源からの電力を整流回路で整流した直流入
力を電気機器に供給するコンデンサと、上記交流電源と
の間に接続されるチョークにおいて、コアに直流磁界を
付加する磁気バイアス手段を設けるとともに、上記コア
の少なくとも一部に、上記直流磁界で磁気飽和点に近づ
き、かつ、通電用の巻線が発生する磁界の大部分を上記
直流磁界と逆方向に通過させる磁束調節部を設けている
。
時のインダクタンスを大きくするために、請求項1の発
明は、交流電源からの電力を整流回路で整流した直流入
力を電気機器に供給するコンデンサと、上記交流電源と
の間に接続されるチョークにおいて、コアに直流磁界を
付加する磁気バイアス手段を設けるとともに、上記コア
の少なくとも一部に、上記直流磁界で磁気飽和点に近づ
き、かつ、通電用の巻線が発生する磁界の大部分を上記
直流磁界と逆方向に通過させる磁束調節部を設けている
。
請求項2においては、上記磁束調節部を、たとえば1対
設け、上記巻線が発生する磁界を、一方の磁束調節部に
は上記直流磁界と同方向に、他方の磁束調節部には上記
直流磁界と逆方向にそれぞれかけるように設定する。
設け、上記巻線が発生する磁界を、一方の磁束調節部に
は上記直流磁界と同方向に、他方の磁束調節部には上記
直流磁界と逆方向にそれぞれかけるように設定する。
チョークの具体的な構造としては、請求項3のように、
コアをEI型として、そのE型の中脚に通電用の巻線を
巻き、この中脚および両側脚の各先端部とI型コアとの
間にギャップを設け、上記両側脚の各外側面に、上記直
流磁界を発生する永久磁石を装着し、各永久磁石の外側
面に、一端部がIコアの端部に接触するヨークを装着し
、上記Iコアに、その磁束通路の一部を絞って上記磁束
調節部を形成した構造とすることができる。
コアをEI型として、そのE型の中脚に通電用の巻線を
巻き、この中脚および両側脚の各先端部とI型コアとの
間にギャップを設け、上記両側脚の各外側面に、上記直
流磁界を発生する永久磁石を装着し、各永久磁石の外側
面に、一端部がIコアの端部に接触するヨークを装着し
、上記Iコアに、その磁束通路の一部を絞って上記磁束
調節部を形成した構造とすることができる。
また、請求項4のように、コアをやはりEI型として、
そのE型の中脚に通電用の巻線を巻き、この中脚の先端
部とIコアとの間にギャップを設け、I型コアを2分割
してその分割部に、上記直流磁界を発生する永久磁石を
挿入した構造とすることができる。
そのE型の中脚に通電用の巻線を巻き、この中脚の先端
部とIコアとの間にギャップを設け、I型コアを2分割
してその分割部に、上記直流磁界を発生する永久磁石を
挿入した構造とすることができる。
さらに、請求項5のように、Iコアに永久磁石を挿入す
る代りに、E型コアの中脚を縦に2分割してその分割部
に、上記直流磁界を発生する永久磁石を挿入した構造と
することもできる。
る代りに、E型コアの中脚を縦に2分割してその分割部
に、上記直流磁界を発生する永久磁石を挿入した構造と
することもできる。
[作用]
請求項1〜4の発明によれば、コアの少なくとも一部に
、磁気バイアス手段による直流磁界で磁気飽和点に近づ
き、かつ、通電用の巻線が発生する磁界の大部分を上記
直流磁界と逆方向に通過させる磁束調節部が設けられて
いるので、通電用の巻線を流れる電流が小さい時には、
上記磁束調節部の磁束密度は、まだ磁気飽和点に近い状
態にあるので、インダクタンスが小さくなるのに対し、
上記電流が大きい時には、上記磁束調節部の磁束密度は
、B/H特性線図の勾配の大きい直線部分になるので、
インダクタンスが大きくなる。
、磁気バイアス手段による直流磁界で磁気飽和点に近づ
き、かつ、通電用の巻線が発生する磁界の大部分を上記
直流磁界と逆方向に通過させる磁束調節部が設けられて
いるので、通電用の巻線を流れる電流が小さい時には、
上記磁束調節部の磁束密度は、まだ磁気飽和点に近い状
態にあるので、インダクタンスが小さくなるのに対し、
上記電流が大きい時には、上記磁束調節部の磁束密度は
、B/H特性線図の勾配の大きい直線部分になるので、
インダクタンスが大きくなる。
コンデンサへのチャージ電流は、正弦波の電流波形のゼ
ロ点に近い下部を除いた上部のみとなるので、コンデン
サと交流電源との間にチョークが挿入されていない場合
には、その電流波形は、幅の狭い山形で、正弦波形とは
大きく相違するものになり、その結果、力率が低下する
。これに対し、この発明では、チョークのインダクタン
スが、小電流時には小さく、大電流時には大きいから、
上記幅の狭い電流波形が、その裾部分(小電流部)では
小さく抑制され、頂部(大電流部)では大きく抑制され
る結果、全体として、正弦波に近づくので、力率が向上
する。
ロ点に近い下部を除いた上部のみとなるので、コンデン
サと交流電源との間にチョークが挿入されていない場合
には、その電流波形は、幅の狭い山形で、正弦波形とは
大きく相違するものになり、その結果、力率が低下する
。これに対し、この発明では、チョークのインダクタン
スが、小電流時には小さく、大電流時には大きいから、
上記幅の狭い電流波形が、その裾部分(小電流部)では
小さく抑制され、頂部(大電流部)では大きく抑制され
る結果、全体として、正弦波に近づくので、力率が向上
する。
ここで、請求項2のように、上記磁束調節部を1対設け
て、上記巻線が発生する磁界を、一方の磁束調節部には
上記直流磁界と同方向に、他方の磁束調節部には上記直
流磁界と逆方向にそれぞれかけるように設定しておけば
、磁気バイアスの方向を一定にしておいても、巻線に流
れる交流の極性の反転に応じて交互に、いずれか一方の
磁束調整部が、巻線の発生する磁界の大部分を上記直流
磁界と逆方向に通過させる磁束調節部として作用する。
て、上記巻線が発生する磁界を、一方の磁束調節部には
上記直流磁界と同方向に、他方の磁束調節部には上記直
流磁界と逆方向にそれぞれかけるように設定しておけば
、磁気バイアスの方向を一定にしておいても、巻線に流
れる交流の極性の反転に応じて交互に、いずれか一方の
磁束調整部が、巻線の発生する磁界の大部分を上記直流
磁界と逆方向に通過させる磁束調節部として作用する。
また、請求項3のように、コアをEI型とし、E型コア
の前側脚の外側面に永久磁石を装着すれば、2つの永久
磁石によって、大きな磁気バイアスを容易にかけること
ができる。しかも、巻線電流による磁界は、主としてE
I型コアの中を通り、永久磁石を通りにくいから、永久
磁石を減磁させる力が小さい。
の前側脚の外側面に永久磁石を装着すれば、2つの永久
磁石によって、大きな磁気バイアスを容易にかけること
ができる。しかも、巻線電流による磁界は、主としてE
I型コアの中を通り、永久磁石を通りにくいから、永久
磁石を減磁させる力が小さい。
さらに、請求項4のように、コアをEI型として、その
I型コアを中央部で2分割した分割部に上記永久磁石を
挿入すれば、小型の永久磁石1つで磁気バイアスをかけ
ることが可能になる。また、巻線電流による磁界は、永
久磁石をその磁化方向に横切ることがないので、永久磁
石を減磁させる力が小さい。
I型コアを中央部で2分割した分割部に上記永久磁石を
挿入すれば、小型の永久磁石1つで磁気バイアスをかけ
ることが可能になる。また、巻線電流による磁界は、永
久磁石をその磁化方向に横切ることがないので、永久磁
石を減磁させる力が小さい。
他方、請求項5のように、コアをEI型として、そのE
型コアの中脚を縦に2分割し、その分割部に永久磁石を
挿入すれば、上記中脚の面積の大きい分割面で永久磁石
を挟み込むので、永久磁石が強固に保持されるとともに
、上記分割面が大きい分だけ永久磁石が大型になるので
、請求項4の永久磁石と比較して、磁束密度は低いが安
価な材料からなる永久磁石を用いることができる。また
、請求項4の場合と同一の理由で、永久磁石の減磁が少
ない。
型コアの中脚を縦に2分割し、その分割部に永久磁石を
挿入すれば、上記中脚の面積の大きい分割面で永久磁石
を挟み込むので、永久磁石が強固に保持されるとともに
、上記分割面が大きい分だけ永久磁石が大型になるので
、請求項4の永久磁石と比較して、磁束密度は低いが安
価な材料からなる永久磁石を用いることができる。また
、請求項4の場合と同一の理由で、永久磁石の減磁が少
ない。
[実施例]
以下、この発明の実施例を図面にしたがって説明する。
第1a図において、10は電気機器の一種であるインバ
ータであり、交流電源11からの電力を整流する整流回
路12と、平滑用のコンデンサ13とを介して直流入力
を受ける、いわゆるコンデンサーインプット型である。
ータであり、交流電源11からの電力を整流する整流回
路12と、平滑用のコンデンサ13とを介して直流入力
を受ける、いわゆるコンデンサーインプット型である。
このインバータ10は、コンデンサ13からの直流入力
を交流出力に変換して、負荷14に供給する。
を交流出力に変換して、負荷14に供給する。
上記交流電源11と整流回路12との間には、この発明
のチヨーク21が介挿されている。このチョーク21は
、第1b図に示すように、整流回路12とコンデンサ1
3との間に接続してもよい。
のチヨーク21が介挿されている。このチョーク21は
、第1b図に示すように、整流回路12とコンデンサ1
3との間に接続してもよい。
上記チョーク21は、第2図に示すように、E型コア2
2、I型コア23、左右1対のL型ヨーク24、上記E
型コア22の中脚25に巻かれた通電用の巻[26、お
よびE型コア22の前側脚27.27の各外側面27a
に装着された永久磁石28.28からなる磁気バイアス
手段を備えており、上記り型ヨーク24は、その一端部
24aがI型コア23の端部23aに接触した状態で、
永久磁石28の外側面28aに装着されている。
2、I型コア23、左右1対のL型ヨーク24、上記E
型コア22の中脚25に巻かれた通電用の巻[26、お
よびE型コア22の前側脚27.27の各外側面27a
に装着された永久磁石28.28からなる磁気バイアス
手段を備えており、上記り型ヨーク24は、その一端部
24aがI型コア23の端部23aに接触した状態で、
永久磁石28の外側面28aに装着されている。
Iコア23と、E型コア22の中脚25および前側脚2
7の各先端部との間には、それぞれギャップ29.30
が設けられている。
7の各先端部との間には、それぞれギャップ29.30
が設けられている。
上記I型コア23には、磁束通路の一部を絞るために、
部分的に断面積を減少させた磁束調節部31.32が左
右1対設けられており、永久磁石28の直流磁界によっ
て、上記磁束調節部31゜32が磁気飽和点に近づいて
いる。チョーク21は全体として、中心線33を挟んで
左右対称な構造となっている。
部分的に断面積を減少させた磁束調節部31.32が左
右1対設けられており、永久磁石28の直流磁界によっ
て、上記磁束調節部31゜32が磁気飽和点に近づいて
いる。チョーク21は全体として、中心線33を挟んで
左右対称な構造となっている。
ここで、「磁気飽和点に近づく」とは、第3図のB/H
曲線の直線部分a−b(厳密には若干の曲りがある)か
ら外れることをいう。
曲線の直線部分a−b(厳密には若干の曲りがある)か
ら外れることをいう。
上記第2図の構成において、永久磁石28による直流磁
界は、E型コアとI型コア23の間にギャップ29.3
0があるから、8塁コア22の3つの脚部25,27.
27を通らずに、E型コア22の胴部48,Iコア23
およびLfiヨーク24内を矢印Aのように通り、この
磁気通路内における比較的面積の小さい磁束調節部31
,32が、磁気飽和点に近づく、つまり、第3図のB/
H特性線図の直線部分a−bから外れた領域にあるC点
に達する。ここで、上記永久磁石28は2つ設けられて
いるから、大きな磁気バイアスを容易にかけることがで
きる。
界は、E型コアとI型コア23の間にギャップ29.3
0があるから、8塁コア22の3つの脚部25,27.
27を通らずに、E型コア22の胴部48,Iコア23
およびLfiヨーク24内を矢印Aのように通り、この
磁気通路内における比較的面積の小さい磁束調節部31
,32が、磁気飽和点に近づく、つまり、第3図のB/
H特性線図の直線部分a−bから外れた領域にあるC点
に達する。ここで、上記永久磁石28は2つ設けられて
いるから、大きな磁気バイアスを容易にかけることがで
きる。
この状態で、巻線26の両端子35.36間に交流を通
電したとき、一方の端子35に正、他方の端子36に負
の電圧がかかった場合1巻線26の上向きにN極が生じ
るように磁界B1が発生する。この磁界B1は、ギャッ
プ29.30を通過し、E型コア22とIコア23の中
を通るが、永久磁石28が磁界B1に対してギャップと
して働くことから、ヨーク24および永久磁石28を通
りにくい、したがって、磁界Blによる永久磁石28の
減磁は少ない。
電したとき、一方の端子35に正、他方の端子36に負
の電圧がかかった場合1巻線26の上向きにN極が生じ
るように磁界B1が発生する。この磁界B1は、ギャッ
プ29.30を通過し、E型コア22とIコア23の中
を通るが、永久磁石28が磁界B1に対してギャップと
して働くことから、ヨーク24および永久磁石28を通
りにくい、したがって、磁界Blによる永久磁石28の
減磁は少ない。
上記巻線26による磁界B1は、左側の磁束調節部31
には、上記直流磁界Aと逆方向にかかり、右側の磁束調
節部32には、直流磁界Aと同方向にかかる。その結果
、上記磁界B1のうち、右側の磁束調節部32を通る磁
束は制限され、左側の磁束調節部31を通る磁束が増大
するので、巻線26がつくる磁界B1は、その大部分が
左側の磁束調節部31を通る閉磁路内に収まる。この磁
界B1が通る閉磁路には、ギャップ30が存在するので
、閉磁路は巻線26の大きな電流値に対しても、飽和し
にくい特性となる。
には、上記直流磁界Aと逆方向にかかり、右側の磁束調
節部32には、直流磁界Aと同方向にかかる。その結果
、上記磁界B1のうち、右側の磁束調節部32を通る磁
束は制限され、左側の磁束調節部31を通る磁束が増大
するので、巻線26がつくる磁界B1は、その大部分が
左側の磁束調節部31を通る閉磁路内に収まる。この磁
界B1が通る閉磁路には、ギャップ30が存在するので
、閉磁路は巻線26の大きな電流値に対しても、飽和し
にくい特性となる。
ここで、巻線26に通電される電流が小電流である場合
、磁界Blの閉磁路を構成する左側の磁束調節部31の
磁化強さは、第3図のC点とb点の間になるので、磁束
調節部31の透磁率(B/H曲線の勾配に相当)は低く
、他方、大電流である場合には、磁束調節部31の磁化
強さがb点とa点の間になるので、磁束調節部31の透
磁率が高くなる。したがって、チョーク21のインダク
タンスは、小電流領域では小さく、大電流領域では大き
くなる。
、磁界Blの閉磁路を構成する左側の磁束調節部31の
磁化強さは、第3図のC点とb点の間になるので、磁束
調節部31の透磁率(B/H曲線の勾配に相当)は低く
、他方、大電流である場合には、磁束調節部31の磁化
強さがb点とa点の間になるので、磁束調節部31の透
磁率が高くなる。したがって、チョーク21のインダク
タンスは、小電流領域では小さく、大電流領域では大き
くなる。
つぎに、交流電圧が反転して、第4図に示すように、一
方の端子35に負、他方の端子36に正の電圧がかかっ
た場合、巻線26の下向きにN極が生じるように磁界B
2が発生する。この場合には、第2図の場合とは逆に、
左側の磁束調節部31を通る磁束が制限され、右側の磁
束調節部32を通る磁束が増大するので、磁界B2は、
その大部分が右側の磁束調節部32を通る閉磁路内に収
まり、やはり、この磁束調節部32の透磁率の変化によ
って、チョーク21のインダクタンスは、小電流時に小
さく、大電流時に大きくなる。
方の端子35に負、他方の端子36に正の電圧がかかっ
た場合、巻線26の下向きにN極が生じるように磁界B
2が発生する。この場合には、第2図の場合とは逆に、
左側の磁束調節部31を通る磁束が制限され、右側の磁
束調節部32を通る磁束が増大するので、磁界B2は、
その大部分が右側の磁束調節部32を通る閉磁路内に収
まり、やはり、この磁束調節部32の透磁率の変化によ
って、チョーク21のインダクタンスは、小電流時に小
さく、大電流時に大きくなる。
つまり、交流が両端子35.36に加えられた場合、そ
の極性が反転するたびに、その交流が作る磁力線の主た
る通過経路が、両磁束調節部31.32間で切り換わる
。したがって、千璽−り21が左右対称に作られている
かぎり、永久磁石28による磁気バイアスの方向を一定
にしておいても、巻線電流の正、負の反転に対して同様
に機能する。このチョーク21のインダクタンス特性を
第5図に示す。
の極性が反転するたびに、その交流が作る磁力線の主た
る通過経路が、両磁束調節部31.32間で切り換わる
。したがって、千璽−り21が左右対称に作られている
かぎり、永久磁石28による磁気バイアスの方向を一定
にしておいても、巻線電流の正、負の反転に対して同様
に機能する。このチョーク21のインダクタンス特性を
第5図に示す。
つぎに、インダクタンスを第5図のように変化させると
、第1a図または第1b図のインバータlOへの供給電
力の力率が向上する理由を説明する。
、第1a図または第1b図のインバータlOへの供給電
力の力率が向上する理由を説明する。
まず、低負荷時には、コンデンサ13に蓄積されている
電荷が多いから、交流電源11から整流回路12を経て
コンデンサ13に供給される供給電流は、正弦波の電流
波形の頂部のみとなるので、この発明のチョーク21が
ない場合には、第6図に示すように、交流電源11から
の正弦波である供給電圧41と比べて、供給電流は1幅
の狭い急俊な波形42となる。
電荷が多いから、交流電源11から整流回路12を経て
コンデンサ13に供給される供給電流は、正弦波の電流
波形の頂部のみとなるので、この発明のチョーク21が
ない場合には、第6図に示すように、交流電源11から
の正弦波である供給電圧41と比べて、供給電流は1幅
の狭い急俊な波形42となる。
これに対し、この発明のチョーク21を用いた場合、電
流波形42における小電流時、つまり波形の裾の部分4
2aにおいては、インダクタンスが小さいので、電流は
若干抑制されるだけであるが、大電流時、つまり波形の
頂部42bにおいては、インダクタンスが大きいので、
電流が強く抑制される。したがって、第7図に示すよう
に、裾部分42aが若干下がり、頂部42bが大きく下
がって、出力電圧41の正弦波に近い波形43が得られ
る。その結果、力率が向上する。
流波形42における小電流時、つまり波形の裾の部分4
2aにおいては、インダクタンスが小さいので、電流は
若干抑制されるだけであるが、大電流時、つまり波形の
頂部42bにおいては、インダクタンスが大きいので、
電流が強く抑制される。したがって、第7図に示すよう
に、裾部分42aが若干下がり、頂部42bが大きく下
がって、出力電圧41の正弦波に近い波形43が得られ
る。その結果、力率が向上する。
他方、従来のように、電流の大小にかかわらずにインダ
クタンスが一定なチョークを用いた場合には、第8図に
示すように、電流波形の全体が一様に抑制されるので、
この発明のチョーク21を用いた場合のような力率の向
上は望めない。
クタンスが一定なチョークを用いた場合には、第8図に
示すように、電流波形の全体が一様に抑制されるので、
この発明のチョーク21を用いた場合のような力率の向
上は望めない。
つぎに、高負荷時には、コンデンサ13に蓄積されてい
る電荷が少ないから、コンデンサ13への供給電流は、
正弦波の電流波形の頂部と、その下方の中間部、つまり
、ゼロ点に近い下部を除いた部分となるので、この発明
の千厘−り21がない場合の供給電流は、第9図に示す
ように、若干幅の広い滑らかな波形42となるが、それ
でも、この波形42は、正弦波とはかなり大きく相違し
ている。
る電荷が少ないから、コンデンサ13への供給電流は、
正弦波の電流波形の頂部と、その下方の中間部、つまり
、ゼロ点に近い下部を除いた部分となるので、この発明
の千厘−り21がない場合の供給電流は、第9図に示す
ように、若干幅の広い滑らかな波形42となるが、それ
でも、この波形42は、正弦波とはかなり大きく相違し
ている。
これに対し、この発明のチョーク21を用いた場合には
、やはり電流波形42の裾部分42aが若干押し下げら
れ、頂部42bが大きく押し下げられるので、正弦波に
近い波形47となる結果、力率が向上する。この高負荷
時にも、従来のようにインダクタンスが一定のチョーク
を用いた場合には、上記低負荷時と同様に、やはり正弦
波に近い波形が得られないので、力率は十分向上しない
。
、やはり電流波形42の裾部分42aが若干押し下げら
れ、頂部42bが大きく押し下げられるので、正弦波に
近い波形47となる結果、力率が向上する。この高負荷
時にも、従来のようにインダクタンスが一定のチョーク
を用いた場合には、上記低負荷時と同様に、やはり正弦
波に近い波形が得られないので、力率は十分向上しない
。
実際、インダクタンスが一定の従来のチョークと、第5
図に示した特性を持つこの発明のチョーク21とを用い
てインバータ10への供給電力の力率を比較したところ
、第10図に示した結果が得られた。この第10図から
れかるように、低負荷(100V、8A) テ3ポイン
ト、高負荷(100V、1I3A)テ4ポイント、それ
ぞれ力率の改善が見られた。
図に示した特性を持つこの発明のチョーク21とを用い
てインバータ10への供給電力の力率を比較したところ
、第10図に示した結果が得られた。この第10図から
れかるように、低負荷(100V、8A) テ3ポイン
ト、高負荷(100V、1I3A)テ4ポイント、それ
ぞれ力率の改善が見られた。
ところで、上記第2図に示した実施例では、永久磁石2
8が2つ必要になるうえに、両側部にL型ヨーク24も
必要になるので、チョーク21が大型化する。
8が2つ必要になるうえに、両側部にL型ヨーク24も
必要になるので、チョーク21が大型化する。
これに対し、第11図に示す実施例では、E型コア22
の中脚25の先端部とI型コア23との間に一ギャップ
29を設けるとともに、INコア23を上記中脚25の
先端部に対向する中央部で2分割して、その分割部に、
直流磁界を発生する永久磁石28を挿入している。また
、この例では、EJココア2の胴部48をE型コア22
の他の部分およびIコア23よりも細くして、磁束調節
部31.32としている。
の中脚25の先端部とI型コア23との間に一ギャップ
29を設けるとともに、INコア23を上記中脚25の
先端部に対向する中央部で2分割して、その分割部に、
直流磁界を発生する永久磁石28を挿入している。また
、この例では、EJココア2の胴部48をE型コア22
の他の部分およびIコア23よりも細くして、磁束調節
部31.32としている。
この第11図の構成によれば、第2図のL型ヨーク24
を省略でき、しかも1つの小型の永久磁石28によって
磁気バイアスをかけることが可能になるので、チョーク
21が小型化される。ここで、永久磁石28が小型であ
ることから、永久磁石28の材料として、強い磁力の得
られるサマリウム、コバルトのような希土類を用いるの
が好ましい。
を省略でき、しかも1つの小型の永久磁石28によって
磁気バイアスをかけることが可能になるので、チョーク
21が小型化される。ここで、永久磁石28が小型であ
ることから、永久磁石28の材料として、強い磁力の得
られるサマリウム、コバルトのような希土類を用いるの
が好ましい。
また、永久磁石28がI型コア23の中央部に位置して
いるから、巻線26の電流による交番磁界Bl、B2は
、永久磁石28をその磁化方向(第11図の左右方向)
に横切らないので、上記磁界Bl、B2による永久磁石
28の減磁は少ない。
いるから、巻線26の電流による交番磁界Bl、B2は
、永久磁石28をその磁化方向(第11図の左右方向)
に横切らないので、上記磁界Bl、B2による永久磁石
28の減磁は少ない。
第12図はさらに他の実施例を示すもので、同図におい
て、E型コア22の中脚25を縦に2分割し、その分割
部に永久磁石28を挿入している。また、I型コア23
をE型コア22よりも細く形成して、これを磁束調節部
31.32としている。
て、E型コア22の中脚25を縦に2分割し、その分割
部に永久磁石28を挿入している。また、I型コア23
をE型コア22よりも細く形成して、これを磁束調節部
31.32としている。
第12図の実施例によれば、やはりチョーク21が小型
化されるほか、上記中脚25の面積の大きい分割面49
で永久磁石28を挟み込むので、永久磁石28が強固に
保持される。しかも、永久磁石28は第11図の場合よ
りも大型になるので、上記希土類よりも磁束密度は低い
が安価な材料、たとえば、フェライト磁石を用いること
ができる。また、巻線26の電流による交番磁界B1、
B2は、やはり、永久磁石28をその磁化方向に横切ら
ないので、上記磁界Bl 、B2による永久磁石28の
減磁は少ない。
化されるほか、上記中脚25の面積の大きい分割面49
で永久磁石28を挟み込むので、永久磁石28が強固に
保持される。しかも、永久磁石28は第11図の場合よ
りも大型になるので、上記希土類よりも磁束密度は低い
が安価な材料、たとえば、フェライト磁石を用いること
ができる。また、巻線26の電流による交番磁界B1、
B2は、やはり、永久磁石28をその磁化方向に横切ら
ないので、上記磁界Bl 、B2による永久磁石28の
減磁は少ない。
なお、上記各実施例では、コアの一部のみを細くして、
磁束調wi部としたが、これは、コアの他の部分を太く
することによって、磁気回路全体の磁気抵抗を小さくす
るためである。したがって、巻線26が作る磁束密度が
さほど高くない場合には、コア全体を細くして、コア全
体が永久磁石28の直流磁界によって磁気飽和点に近づ
くように設定してもよい。
磁束調wi部としたが、これは、コアの他の部分を太く
することによって、磁気回路全体の磁気抵抗を小さくす
るためである。したがって、巻線26が作る磁束密度が
さほど高くない場合には、コア全体を細くして、コア全
体が永久磁石28の直流磁界によって磁気飽和点に近づ
くように設定してもよい。
また、磁気バイアス手段としては、直流で励磁される巻
線を持つ電磁石を用いることもできる。
線を持つ電磁石を用いることもできる。
さらに、この発明は、インバータに限らず、整流回路を
持つコンデンサーインプットffiの他の電気機器にも
、力率改善用として使用できる。
持つコンデンサーインプットffiの他の電気機器にも
、力率改善用として使用できる。
[発明の効果]
上述のとおり、請求項1〜4の発明によれば、千票−り
のインダクタンスが小電流時には小さく、大電流時には
大きくなるから、正弦波の電圧波形よりも幅の狭い電流
波形が、その裾部分(小電流部)では小さく抑制され、
頂部(大電流部)では大きく抑制される結果、全体とし
て、正弦波に近づくので、力率が向上する。
のインダクタンスが小電流時には小さく、大電流時には
大きくなるから、正弦波の電圧波形よりも幅の狭い電流
波形が、その裾部分(小電流部)では小さく抑制され、
頂部(大電流部)では大きく抑制される結果、全体とし
て、正弦波に近づくので、力率が向上する。
請求項2の発明によれば、磁気バイアスの方向を一定に
しておいても、巻線に流れる交流の極性の反転に応じて
交互に、いずれか一方の磁束調整部が、巻線の発生する
磁界の大部分を上記直流磁界と逆方向に通過させる磁束
調節部として作用するので、チョークの構造が簡単にな
る。
しておいても、巻線に流れる交流の極性の反転に応じて
交互に、いずれか一方の磁束調整部が、巻線の発生する
磁界の大部分を上記直流磁界と逆方向に通過させる磁束
調節部として作用するので、チョークの構造が簡単にな
る。
請求項3の発明によれば、2つの永久磁石によって、大
きな磁気バイアスを容易にかけることができる。
きな磁気バイアスを容易にかけることができる。
請求項4の発明によれば、小型の永久磁石1つで磁気バ
イアスをかけることが可能になるので、チョークが小型
化される。
イアスをかけることが可能になるので、チョークが小型
化される。
請求項5の発明によれば、チヨークが小型化されるうえ
に、E型コアの中脚の面積の大きい分割面で永久磁石を
挟み込むので、永久磁石が強固に保持される。しかも、
上記分割面が大きい分だけ永久磁石が大型になるので、
磁束密度は低いが安価な磁石材料を用いることができる
利点もある。
に、E型コアの中脚の面積の大きい分割面で永久磁石を
挟み込むので、永久磁石が強固に保持される。しかも、
上記分割面が大きい分だけ永久磁石が大型になるので、
磁束密度は低いが安価な磁石材料を用いることができる
利点もある。
さらに、請求項3〜5の発明によれば、巻線電流の磁界
による永久磁石の減磁が少ない。
による永久磁石の減磁が少ない。
第1a図および第1b図はこの発明に係るチョークが用
いられた電気機器の回路を示す回路図、第2図はこの発
明の一実施例を示すチ菖−りの正面図、第3図は同実施
例のチョークのB/H特性を示す特性図、第4図は同実
施例の動作を説明するための正面図、第5図は同実施例
の電流とインダクタンスの関係を示す特性図、第6図は
チョークを用いない場合の低負荷時の電圧波形と電流波
形を示す波形図、第7図は同実施例のチョークを用いた
場合の電流波形を示す波形図、第8図は従来のチョーク
を用いた場合の電流波形を示す波形図、第9図は高負荷
時の電流波形を示す波形図、第10図は負荷と力率との
関係を示す特性図、第11図は他の実施例を示すチョー
クの正面図、第12図はさらに他の実施例を示すチョー
クの正面図、第13図は従来のチョークのB/H特性を
示す特性図である。 10・・・インバータ(電気機器)、11・・・交流電
源、12・・・整流回路、13・・・コンデンサ、14
・・・負荷、21・・・チョーク、22・・・E型コア
、23・・・I型コア、23a−・端部、24−3−り
、24a・・・一端部、25・・・中脚、26・・・巻
線、27・・・側脚、27a・・・外側面、28・・・
永久磁石(磁気バイアス手段)、28a・・・外側面、
31.32・・・磁束調節部。 第 18図 交流電源 整流回路 コンデンサ チョーク 第1b図 第 図 図 3132、磁束調節部 第11 図 第 図 4日 b 第13 図
いられた電気機器の回路を示す回路図、第2図はこの発
明の一実施例を示すチ菖−りの正面図、第3図は同実施
例のチョークのB/H特性を示す特性図、第4図は同実
施例の動作を説明するための正面図、第5図は同実施例
の電流とインダクタンスの関係を示す特性図、第6図は
チョークを用いない場合の低負荷時の電圧波形と電流波
形を示す波形図、第7図は同実施例のチョークを用いた
場合の電流波形を示す波形図、第8図は従来のチョーク
を用いた場合の電流波形を示す波形図、第9図は高負荷
時の電流波形を示す波形図、第10図は負荷と力率との
関係を示す特性図、第11図は他の実施例を示すチョー
クの正面図、第12図はさらに他の実施例を示すチョー
クの正面図、第13図は従来のチョークのB/H特性を
示す特性図である。 10・・・インバータ(電気機器)、11・・・交流電
源、12・・・整流回路、13・・・コンデンサ、14
・・・負荷、21・・・チョーク、22・・・E型コア
、23・・・I型コア、23a−・端部、24−3−り
、24a・・・一端部、25・・・中脚、26・・・巻
線、27・・・側脚、27a・・・外側面、28・・・
永久磁石(磁気バイアス手段)、28a・・・外側面、
31.32・・・磁束調節部。 第 18図 交流電源 整流回路 コンデンサ チョーク 第1b図 第 図 図 3132、磁束調節部 第11 図 第 図 4日 b 第13 図
Claims (5)
- (1)交流電源からの電力を整流回路で整流した直流入
力を電気機器に供給するコンデンサと、上記交流電源と
の間に接続されるチヨークであって、コアと、このコア
に巻かれた通電用の巻線と、コアに直流磁界を付加する
磁気バイアス手段とを備え、上記コアの少なくとも一部
に、上記直流磁界で磁気飽和点に近づき、かつ、上記巻
線が発生する磁界の大部分を上記直流磁界と逆方向に通
過させる磁束調節部が設けられている力率改善用チヨー
ク。 - (2)請求項1において、磁束調節部は1対設けられ、
上記巻線が発生する磁界が、一方の磁束調節部には上記
直流磁界と同方向に、他方の磁束調節部には上記直流磁
界と逆方向にそれぞれかかるよう設定されている力率改
善用チヨーク。 - (3)請求項2において、コアはEI型であり、そのE
型の中脚に通電用の巻線が巻かれて,この中脚および両
側脚の各先端部とI型コアとの間にギャップが設けられ
、上記両側脚の各外側面に、上記直流磁界を発生する永
久磁石が装着され、各永久磁石の外側面に、一端部がI
型コアの端部に接触するヨークが装着され、上記I型コ
アに、その磁束通路の一部を絞って上記磁束調節部が形
成されている力率改善用チヨーク。 - (4)請求項2において、コアはEI型であり、そのE
型の中脚に通電用の巻線が巻かれて、この中脚の先端部
とI型コアとの間にギャップが設けられ、I型コアが中
央部で2分割されてその分割部に、上記直流磁界を発生
する永久磁石が挿入されている力率改善用チョーク。 - (5)請求項2において、コアはEI型であり、そのE
型の中脚に通電用の巻線が巻かれて、この中脚の先端部
とIコアとの間にギャツプが設けられ、上記中脚が縦に
2分割されてその分割部に、上記直流磁界を発生する永
久磁石が挿入されている力率改善用チョーク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP90199919A JPH0484405A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 力率改善用チョーク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP90199919A JPH0484405A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 力率改善用チョーク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0484405A true JPH0484405A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16415784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP90199919A Pending JPH0484405A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 力率改善用チョーク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0484405A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5821844A (en) * | 1994-12-09 | 1998-10-13 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | D.C. reactor |
JP2002164217A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Tokin Corp | インダクタンス部品 |
WO2004012214A1 (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-05 | Nihon Riken Co., Ltd. | 永久磁石を用いた電力変換装置 |
EP2001028A1 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-10 | ABB Oy | Protection of permanent magnets in a DC-inductor |
EP2117020A1 (en) * | 2008-05-05 | 2009-11-11 | ABB Oy | A reactor arrangement for alternating electrical current |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP90199919A patent/JPH0484405A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5821844A (en) * | 1994-12-09 | 1998-10-13 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | D.C. reactor |
JP2002164217A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Tokin Corp | インダクタンス部品 |
WO2004012214A1 (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-05 | Nihon Riken Co., Ltd. | 永久磁石を用いた電力変換装置 |
EP2001028A1 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-10 | ABB Oy | Protection of permanent magnets in a DC-inductor |
US8035470B2 (en) | 2007-06-08 | 2011-10-11 | Abb Oy | Protection of permanent magnets in a DC-inductor |
EP2117020A1 (en) * | 2008-05-05 | 2009-11-11 | ABB Oy | A reactor arrangement for alternating electrical current |
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