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JPH0473658A - Electrophotographic copier - Google Patents

Electrophotographic copier

Info

Publication number
JPH0473658A
JPH0473658A JP18568590A JP18568590A JPH0473658A JP H0473658 A JPH0473658 A JP H0473658A JP 18568590 A JP18568590 A JP 18568590A JP 18568590 A JP18568590 A JP 18568590A JP H0473658 A JPH0473658 A JP H0473658A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
atoms
layer
image
electrophotographic
photoconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18568590A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazumoto Tanaka
田中 主幹
Takeshi Kunishi
毅 國司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP18568590A priority Critical patent/JPH0473658A/en
Publication of JPH0473658A publication Critical patent/JPH0473658A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

PURPOSE:To form an image having a wide image latitude even by a back light exposure system by using a photoconductive member obtd. by laminating a light receiving film composed of a layer hindering the injection of electric charges, a photoconductive layer and a surface layer contg. a specified atomic% of H atoms on a substrate. CONSTITUTION:A photoconductive member obtd. by laminating a light receiving film 100 on a substrate 101 is used. The film 100 is composed of a layer 102 hindering the injection of electric charges, based on Si atoms and contg. a conductivity controlling substance, a photoconductive layer 103 made of an amorphous material based on Si atoms and contg. atoms of at least one of H and halogen and a surface layer 104 made of an amorphous material contg. 41-70atomic% H atoms as well as Si and C atoms as constituents. An image is formed with high reproducibility even by a back exposure system.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、デジタル複写機やレーザビームプリンタなど
の電子写真方式を利用して画像形成を行なう電子写真複
写装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an electrophotographic copying apparatus that forms images using an electrophotographic method, such as a digital copying machine or a laser beam printer.

[従来の技術] 従来、光導電体への潜像形成は、帯電、露光、現像、転
写、分離、クリーニングの各工程が施され、かつ、繰り
返し利用されるのが通常である。
[Prior Art] Conventionally, to form a latent image on a photoconductor, the steps of charging, exposure, development, transfer, separation, and cleaning are usually performed and used repeatedly.

そこで、露光方式における画像形成は、レーザビームを
走査する光書き込みには、イメージ露光方式、つまり、
画像部の電荷を消去する方式(IAE)と、背影露光方
式、つまり、非画像部の電荷を消去する方式(BAE)
とがある。また前記IAEにおいては、現像剤は、帯電
極性と同極の反転現像方式を採用し、転写工程では、帯
電と逆極性の高圧を印加する。さらに、前記BAEにお
いては、現像剤は、異極性の正規現像方式を採用し、転
写工程では、帯電と同極性の高圧を印加するのが通説で
ある。
Therefore, for image formation using the exposure method, optical writing using a scanning laser beam is performed using the image exposure method.
A method for erasing the charge in the image area (IAE) and a back shadow exposure method, that is, a method for erasing the charge in the non-image area (BAE)
There is. Further, in the above-mentioned IAE, a reversal development method is adopted in which the developer has the same polarity as the charging polarity, and a high voltage having the opposite polarity to the charging is applied in the transfer process. Furthermore, in the BAE, a regular development method in which the developer has a different polarity is used, and in the transfer process, a high voltage having the same polarity as the charging is applied.

最近のデジタル複写機およびレーザビームプリンタにお
いては、以下に示すことにより、船釣には、反転現像に
よるイメージ露光方式が採用され、画質の向上がはから
れているのが現状である。
In recent digital copying machines and laser beam printers, an image exposure method using reversal development has been adopted for boat fishing, and the image quality has been improved as described below.

いずれの場合も、ビーム径が画質に大きく影響する。一
般に、レーザビーム径りは走査むらを少な(するために
、ドツトピッチPより太き(設定されている。したがっ
て、1ドツトライン幅は、ポジポジの場合はピッチ幅よ
り小さく、ネガポジの場合は大きくなる。
In either case, the beam diameter greatly affects image quality. Generally, the laser beam diameter is set to be thicker than the dot pitch P in order to reduce scanning unevenness. Therefore, the one-dot line width is smaller than the pitch width for positive and larger for negative and positive.

第14図は上記の関係を示した説明図で、同図の(a)
はポジポジ現像を、(b)はネガポジ現像を示している
Figure 14 is an explanatory diagram showing the above relationship;
(b) shows positive development, and (b) shows negative development.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記従来の技術では、以下のことに留意
したことが必要になってきた。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-mentioned conventional technology, it is necessary to pay attention to the following points.

すなわち、最近においては、多品種少量生産あるいはモ
ジュール設計によるベースマシンを一部改良することで
、アナログ複写機とアナログ機にアドオン機能を組み込
んだデジアナ複写機とアナログ複写機ではできなかった
任意な画像の編集機能(たとえば、OA機器との複合化
によるシステム化が可能)といった画像処理が容易に行
なえるデジタル複写機といった3機種同時設計および開
発にせまられているのが現状であり、このモジュール設
計における利点としては、部品の共通化、各要素技術の
共通化、設計の共通化、開発期間の短縮化、シリーズ化
製品が容易、現像剤および感光体の共通化、サービスコ
ストおよび生産コストの低減、感光体周囲の帯電、露光
、現像、転写といった条件設定は、ICカード等による
設定あるいは変更が容易であること。さらには、設計−
生産−販売のルートの位置づけが容易であり、−見、マ
シン本体の外観は同じように見えても、中味は全く違っ
た物である。このように、前記の手法を採用することに
より、各部品の信頼性が高く、高耐久のあるものが必然
に生みだされ、かつ、量産効果も生みだされるものとな
ってくる。
In other words, recently, by partially improving the base machine through high-mix, low-volume production or modular design, analog copiers and digital/analog copiers with add-on functions built into analog copiers and analog copiers have been able to produce arbitrary images that were not possible with analog copiers. Currently, there is a pressing need to simultaneously design and develop three models, such as digital copiers that can easily perform image processing such as editing functions (for example, can be systemized by combining with OA equipment), and this modular design. Advantages include common parts, common elemental technology, common design, shortened development period, easy production of series products, common use of developer and photoreceptor, and reduction in service costs and production costs. Condition settings such as charging around the photoreceptor, exposure, development, and transfer must be easy to set or change using an IC card or the like. Furthermore, the design
It is easy to position the production-sales route, and although the machines may look the same on the outside, the contents are completely different. In this way, by adopting the above-mentioned method, each part will inevitably be produced with high reliability and high durability, and the mass production effect will also be produced.

そこで、前記の手法を採用する上においては、まず、技
術の共通化をはかったことに留意していく。
Therefore, in adopting the above-mentioned method, we must first keep in mind that we aim to standardize the technology.

近年、電子写真をベースとしたレーザ走査によるデジタ
ルプリンタは、一般に、レーザビーム走査による画像記
録技術では、レーザのスポットの大きさ、形状、パワー
等が画質や安定性に大きな影響を与えることが知られて
おり、イメージ露光方式(IAE)のほうがラティチュ
ードが広く、有利とされ、さらに、レーザの点灯時間も
短かくてすみ、レーザの劣化も少ないという長所を生か
し、IAEが主流となっているのが現状であり、背影露
光方式(BAE)にも他の幾つかの長所があるにもかか
わらず、BAEが採用されなくなっているという問題点
がある。
In recent years, digital printers using laser scanning based on electrophotography have generally recognized that in image recording technology using laser beam scanning, the size, shape, power, etc. of the laser spot have a large impact on image quality and stability. The image exposure method (IAE) has a wider latitude and is considered to be more advantageous. Furthermore, IAE has become mainstream because it takes advantage of the advantages of short laser lighting time and less laser deterioration. is the current situation, and although the back shadow exposure method (BAE) also has several other advantages, there is a problem in that BAE is no longer adopted.

本発明は、このような問題点を解決しようとするもので
ある。すなわち、本発明は、背影露光方式でも、複雑な
電気画像処理を必要とすることなく、画像ラティチュー
ドの広い画像形成が可能となる電子写真装置を提供する
ことを目的とするものである。
The present invention attempts to solve these problems. That is, an object of the present invention is to provide an electrophotographic apparatus that is capable of forming images with a wide image latitude even when using a back shadow exposure method without requiring complicated electrical image processing.

[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために、本発明は、光導電体部材に
記録された静電潜像を現像剤により現像する形式の電子
写真複写装置において、該光導電体部材は、支持体と、
該支持体上に、シリコン原子を母体として伝導性を制御
する物質を含有する電荷注入阻止層と、シリコン原子を
母体として水素原子およびハロゲン原子の少な(ともそ
れらの1つを構成要素として含む非晶質材料で構成され
て光導電性を示す光導電層と、シリコン原子と炭素原子
と水素原子とを構成要素として含む非晶質材料で構成さ
れている表面層とからなる光受容層とを有し、かつ、前
記表面層の水素原子が41〜70原子%含有されている
電子写真用光受容部材からなり、しかも、光導電体への
潜像形成手段は、デジタル画像として出力するデジタル
複写機における光書き込み方式であって、かつ、バック
グラウンド露光方式で画像形成を行なうようになってい
るものとした。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides an electrophotographic copying apparatus of a type in which an electrostatic latent image recorded on a photoconductor member is developed with a developer. The body member includes a support body;
On the support, there is provided a charge injection blocking layer containing a substance that controls conductivity using silicon atoms as a base material, and a non-charge injection blocking layer containing silicon atoms as a base material and containing a small amount of hydrogen atoms and halogen atoms (both containing one of them as a constituent element). A photoconductive layer made of a crystalline material and exhibiting photoconductivity, and a surface layer made of an amorphous material containing silicon atoms, carbon atoms, and hydrogen atoms as constituent elements. and the surface layer contains 41 to 70 at.% of hydrogen atoms, and the means for forming a latent image on the photoconductor is a digital copying member that outputs a digital image. The image is formed using an optical writing method in the machine and a background exposure method.

[作   用] 本発明によれば、光導電部材は、支持体と、該支持体上
に設けられた光受容層とがらなり、かつ、該光受容層は
、シリコン原子を母体として伝導性を制御する物質を含
有する電荷注入阻止層と、シリコン原子を母体として水
素原子およびハロゲン原子の少なくとも1つを含む非晶
質材料で構成されて光導電性を示す光導電層と、シリコ
ン原子と炭素原子と水素原子とを構成要素として含む非
晶質材料で構成されている表面層とからなるので、感光
材料の持つ感度、つまり、E−Vカーブにおけるγ値が
リニアスケールで直線性を有し、微量の光のもれ、ある
いはフレアーによる潜像の消去領域が大きくなることが
な(、背影露光方式(BAE)においても、画像パター
ンによる再現性が忠実に行なえる。
[Function] According to the present invention, the photoconductive member consists of a support and a photoreceptive layer provided on the support, and the photoreceptor layer controls conductivity using silicon atoms as a matrix. a photoconductive layer that exhibits photoconductivity and is composed of an amorphous material containing at least one of hydrogen atoms and halogen atoms using silicon atoms as a host; and silicon atoms and carbon atoms. and a surface layer made of an amorphous material containing hydrogen atoms as constituent elements, the sensitivity of the photosensitive material, that is, the γ value in the EV curve, has linearity on a linear scale, Even in back shadow exposure (BAE), the image pattern can be faithfully reproduced without increasing the erased area of the latent image due to slight light leakage or flare.

[実 施 例] 第1図は本発明に利用した光導電体のE−V特性カーブ
である。同図のカーブAは本発明に用いたアモルファス
シリコン(以下、A−3iという。)の光導電体であり
、カーブBは本発明と比較できる通常の機能分離型の有
機光導電材料のOPCである。上記2種類の材料は、そ
の光導電性のもつ暗抵抗値、光感度、光応答性などの電
気的、光学的、光導電的特性については、いちぎ的に決
定されるものである。よって、−船釣には、A−3iは
、リニアスケールでE−Vカーブをプロットすると、ダ
ーク電位■、からライト電位■、まで、ほぼ直線性を示
しており、γ値は、ほぼγ=1.0に近似している。た
だし、VL部のすその部分は、若干、尾を引いており、
残留電位として残っている。また一方、OPCは同図で
示されるように、高電位部分において、非常にγが立フ
ており、微少のレーザ照射にても、敏感に反応(つまり
、感度が早い)し、潜像電位が減衰してしまうことで、
Voのダウンによる画像濃度が不安定となってしまう。
[Example] FIG. 1 is an EV characteristic curve of a photoconductor used in the present invention. Curve A in the figure is an amorphous silicon (hereinafter referred to as A-3i) photoconductor used in the present invention, and curve B is an OPC of a normal functionally separated organic photoconductive material that can be compared with the present invention. be. The electrical, optical, and photoconductive properties of the above two types of materials, such as the dark resistance value of photoconductivity, photosensitivity, and photoresponsiveness, are determined individually. Therefore, for boat fishing, when the EV curve of A-3i is plotted on a linear scale, it shows almost linearity from dark potential ■ to light potential ■, and the γ value is approximately γ= It is close to 1.0. However, the hem of the VL section has a slight tail,
It remains as a residual potential. On the other hand, as shown in the same figure, OPC has a very high γ in the high potential part, and responds sensitively (that is, has fast sensitivity) even to minute laser irradiation, and the latent image potential is attenuated,
The image density becomes unstable due to the decrease in Vo.

ここで、本発明に用いた光導電材料A−3iの材料およ
び処決について説明する。たとえば、第1表の作製条件
に従って、グロー放電法を用いて鏡面加工を施したアル
ミシリンダ上に、シリコン原子を母体とし、伝導性を制
御する物質を含有する電荷注入阻止層と、シリコン原子
を母体とし、水素原子(旧およびハロゲン原子(X)の
少なくともいずれか一方を含有するアモルファス材料、
いわゆる水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化アモ
ルファスシリコン、あるいはハロゲン含有水素化アモル
ファスシリコン[以下、これらの総称的表記としてrA
−3i ()(、X) Jを使用する。]で構成され、
光導電性を示す光導電層と、シリコン原子と炭素原子と
水素原子とを構成要素として含む非晶質材料で構成され
ている表面層とからなる光受容層とを有し、前記表面層
において水素原子が41〜70%含有されているもので
ある。
Here, the material and treatment of the photoconductive material A-3i used in the present invention will be explained. For example, on an aluminum cylinder mirror-finished using the glow discharge method according to the manufacturing conditions shown in Table 1, a charge injection blocking layer containing silicon atoms as a matrix and a substance that controls conductivity, and silicon atoms An amorphous material containing at least one of a hydrogen atom (old and a halogen atom (X)) as a base material,
So-called hydrogenated amorphous silicon, halogenated amorphous silicon, or halogen-containing hydrogenated amorphous silicon [hereinafter referred to generically as rA
-3i ()(,X) Use J. ] Consisting of
It has a photoreceptive layer consisting of a photoconductive layer exhibiting photoconductivity and a surface layer made of an amorphous material containing silicon atoms, carbon atoms, and hydrogen atoms as constituent elements, and in the surface layer: It contains 41 to 70% hydrogen atoms.

第 表 また本発明に用いたA−3iは、支持体と前記電荷注入
阻止層との間に、長波長光を吸収する長波長光吸収層を
有していてもよ(、あるいは、さらに、前記支持体と長
波長光吸収層との間または前記支持体と電荷注入阻止層
との間に、窒素原子、酸素原子、炭素原子の少なくとも
1つと、シリコン原子と必要に応じて水素原子およびハ
ロゲン原子の少な(・ども1つとを含有する非晶質材料
で構成された密着層を有していてもよい。
Table A-3i used in the present invention may also have a long wavelength light absorption layer that absorbs long wavelength light between the support and the charge injection blocking layer (or, in addition, Between the support and the long wavelength light absorption layer or between the support and the charge injection blocking layer, at least one of a nitrogen atom, an oxygen atom, a carbon atom, a silicon atom, and optionally a hydrogen atom and a halogen are present. It may have an adhesion layer made of an amorphous material containing a small number of atoms.

以下1本発明の電子写真用光受容部材について、詳細に
説明する。
The electrophotographic light-receiving member of the present invention will be described in detail below.

第2図ないし第4図は本発明に用いた電子写真用光受容
部材の典型的層構成のいくつかを説明するために模式的
に示した構成図であり、図中、 100は光受容層、1
01は支持体、 102は電荷注入阻止層、 103は
光導電層、 104は表面層、105は自由表面、10
6は長波長光吸収層、107は密着層である。
FIGS. 2 to 4 are structural diagrams schematically shown to explain some typical layer structures of the electrophotographic light-receiving member used in the present invention, and in the figures, 100 is a light-receiving layer. ,1
01 is a support, 102 is a charge injection blocking layer, 103 is a photoconductive layer, 104 is a surface layer, 105 is a free surface, 10
6 is a long wavelength light absorption layer, and 107 is an adhesive layer.

すなわち、第2図の電子写真用光受容部材は、支持体1
01の上に、光受容層100が設けられており、光受容
層100は下から順に、電荷注入阻止層102、光導電
層103、表面層104を有する。
That is, the electrophotographic light receiving member shown in FIG.
A photoreceptive layer 100 is provided on 01, and the photoreceptive layer 100 has a charge injection blocking layer 102, a photoconductive layer 103, and a surface layer 104 in order from the bottom.

また、第3図の電子写真用光受容部材は、支持体lot
の上に、光受容層100が設けられており、光受容層1
00は下から順に、長波長光吸収層106、電荷注入阻
止層102、光導電層103、表面層104を有する。
Further, the electrophotographic light-receiving member shown in FIG.
A photoreceptive layer 100 is provided on the photoreceptive layer 1.
00 has, in order from the bottom, a long wavelength light absorption layer 106, a charge injection blocking layer 102, a photoconductive layer 103, and a surface layer 104.

さらに、第4図の電子写真用光受容部材は、支持体10
1の上に、光受容層100が設けられており、光受容層
100は下から順に、密着層107、長波長光吸収層1
06、電荷注入阻止層102、光導電層103、表面層
104を有する。
Furthermore, the electrophotographic light-receiving member shown in FIG.
1, a light-receiving layer 100 is provided on the light-receiving layer 1, and the light-receiving layer 100 is, in order from the bottom, an adhesive layer 107, a long-wavelength light absorption layer 1
06, a charge injection blocking layer 102, a photoconductive layer 103, and a surface layer 104.

ここで、前記A−3iおよびOPCを用いて画像のシュ
ミレーションおよび実プリント画像で比較した。
Here, a comparison was made between a simulated image and an actual printed image using the A-3i and OPC.

まず、第1図のE−Vカーブをもとに、潜像のシュミレ
ーションと光エネルギー分布のシュミレーションを行な
った。
First, a latent image simulation and a light energy distribution simulation were performed based on the EV curve shown in FIG.

シュミレーションの計算内容として、まず、1ドツト黒
点レーザなONさせることについて説明する。
As calculation contents of the simulation, first, turning on a one-dot black dot laser will be explained.

入力パラメータは、第5図のスポット径(ΔX、Δy)
であり、 ピッチly:第6図の1yで示し、 平均光量φm:第7図のφmで示す。
The input parameters are the spot diameter (ΔX, Δy) in Figure 5.
Pitch ly: Indicated by 1y in FIG. 6; Average light amount φm: Indicated by φm in FIG.

出力パラメータは、 第1に、上記パラメータから孤立I Lineのピーク
光量ryを求める。
The output parameters are: First, the peak light amount ry of the isolated I Line is determined from the above parameters.

第2に、Iyを使って孤立走査線のX方向の光分布F 
(x)を求める。
Second, using Iy, the light distribution F in the X direction of the isolated scanning line is
Find (x).

で示し、 とG (y)の断面を計算することができる。Indicated by The cross section of and G(y) can be calculated.

一方、1ドツト白点(レーザ0FF)について説する。On the other hand, a one-dot white spot (laser 0FF) will be explained.

第1θ図におけるF (x)とG (y)については、
ここで、ERF(a)はeroor function
で、で示される。なお である。またF (x)の分布は第8図に示される。
Regarding F (x) and G (y) in Fig. 1θ,
Here, ERF(a) is eroor function
, and is indicated by . Nao. Further, the distribution of F (x) is shown in FIG.

前記第1によりIyが求まり、第2によってF (x)
が求まり、つまり、主走査方向分布が求まり、副走査分
布は、主走査分布のピーク値、F(x)x−oにGau
ssianを乗じて求める。すなわち、 y2 G (y)  = F (XL−oX e   Δy2
つまり、第9図の走査スポットにおけるF (x)であ
る、そこで、以上の式を用いて、主走査断面および副走
査断面の細線の再現性について求めた。
Iy is determined by the first method, and F (x) is determined by the second method.
is found, that is, the distribution in the main scanning direction is found, and the sub-scanning distribution is the peak value of the main scanning distribution, F(x)x−o.
Find by multiplying by ssian. That is, y2 G (y) = F (XL-oX e Δy2
In other words, it is F (x) in the scanning spot of FIG. 9. Therefore, using the above equation, the reproducibility of the thin line in the main scanning section and the sub-scanning section was determined.

第11図は1ドツト白点(レーザ0FF)、つまり、バ
ックグラウンド露光における画像シュミレーションの計
算結果であり、実線がA−3i、破線がOPCである。
FIG. 11 shows the calculation results of image simulation for one dot white point (laser 0FF), that is, background exposure, where the solid line is A-3i and the broken line is OPC.

スライスレベルは電位のリップルむらを除去するための
ものであり、背景かぶり取りバイアスに等しい。横軸が
潜像分布[μm]、縦軸が電位分布[V]を示しており
、帯電によって得られた−様な表面電位分布を、レーザ
ビームを照射することにより、衰微(decay)させ
、潜像を形成するものである。
The slice level is for removing potential ripple unevenness and is equivalent to a background fog removal bias. The horizontal axis shows the latent image distribution [μm], and the vertical axis shows the potential distribution [V]. The −-like surface potential distribution obtained by charging is caused to decay by irradiating with a laser beam. It forms a latent image.

つまり、山のピークが■l1l(暗部)に相当し、下部
のリップル部がレーザを照射した時のVL  (明部)
に相当する。
In other words, the peak of the mountain corresponds to ■l1l (dark part), and the ripple part at the bottom corresponds to VL (bright part) when the laser is irradiated.
corresponds to

第11図からもわかるように、BAEにおける白点の断
面は、あきらかにA−3Lのほうが幅広くなっている。
As can be seen from FIG. 11, the cross section of the white spot in BAE is clearly wider in A-3L.

つぎに、第12図は1ドツト黒点(レーザON) 、つ
まり、IAEにおけるものであり、背景のかぶり除去の
ためのスライスレベルを設け、そのレベルにおける潜像
分布のシュミレーション結果を示す、実線はA−SLで
あり、前記のBAE時の潜像幅に近似しているが、破線
のOPCにおいては、潜像幅が、さらに広がっているこ
とがわかる。
Next, Fig. 12 shows a one-dot black point (laser ON), that is, in IAE, a slice level is set to remove background fog, and the solid line shows the simulation result of the latent image distribution at that level. -SL, which is similar to the latent image width at the time of BAE, but it can be seen that in OPC shown by the broken line, the latent image width is further expanded.

前記シュミレーションは、レーザのスポット径をパラメ
ータにシュミレーションを行なった。このシュミレーシ
ョンの結果を以下に示す。
The simulation was performed using the laser spot diameter as a parameter. The results of this simulation are shown below.

ここでは、レーザの解像度を400D P I(63,
5μm/pel)とし、1ドツト白点、黒点のシュミレ
ーションを行なった。
Here, the laser resolution is set to 400D P I (63,
5 μm/pel), and a one-dot white dot and black dot simulation was performed.

第   2   表 上記第2表に示すように、レーザのスポット径(1/e
2)をパラメータにとり、A−3Lとopcのおのおの
の感光体におけるBAEとIAEの主走査断面の幅[単
位=μm]と副走査断面の幅[単位:μm]である。B
AEにおいて、A−3iのほうが、 400D P I
  (63,5μm/pel)の潜像電位分布対して、
ほぼ等価の値を示している。またIAEにおいては、B
AEと逆の傾向を示しており、OPCのほうが、かなり
太めの潜像分布を示している。
Table 2 As shown in Table 2 above, the laser spot diameter (1/e
2) is taken as a parameter, and is the width of the main scanning section [unit: μm] and the width of the sub-scanning section [unit: μm] of BAE and IAE in each photoreceptor of A-3L and OPC. B
In AE, A-3i has 400D P I
For the latent image potential distribution of (63,5 μm/pel),
The values are almost equivalent. Also, in IAE, B
This shows a tendency opposite to that of AE, and OPC shows a considerably thicker latent image distribution.

そこで、実際の画像をプリントアウトするためには、1
ドツト点の潜像を、3ドツトの列で93ドツトの長さで
、縦方向(紙の進行方向に平行)と横方向(紙の幅方向
)に適当に数が形成されるようにキャラクタジェネレー
タを用いてプリント出力する。
Therefore, in order to print out the actual image, 1.
A character generator is used to form a latent image of dots in a row of 3 dots with a length of 93 dots, and an appropriate number in the vertical direction (parallel to the direction in which the paper travels) and the horizontal direction (in the width direction of the paper). Print out using .

ここで、当然、3ドツトの集合は(63,5μmX 3
=190.5μm)が再現されれば、この潜像に対して
忠実なプリントが得られるものとして評価するものであ
る。
Here, naturally, the set of 3 dots is (63.5 μm x 3
= 190.5 μm), it is evaluated that a print faithful to this latent image can be obtained.

以上の現象を実験にて検討した。実験は各種スポット径
をパラメータにして画像出力を行ない、画像の評価を行
なった。線幅の問題も考慮して評価は約7ポイント位の
漢字パターンおよび190μm幅の縦線、横線等をキャ
ラクタジェネレータで発生させ、出力文字の品質が、バ
ックグラウンドノイズのかぶりがな(、かつ、文字の細
線が適当な線幅に入るものを許容範囲とした。
The above phenomena were investigated through experiments. In the experiment, images were output using various spot diameters as parameters, and the images were evaluated. Taking into consideration the problem of line width, the evaluation was conducted by using a character generator to generate kanji patterns of about 7 points, vertical lines, horizontal lines, etc. of 190 μm width. Thin lines of characters within an appropriate line width were defined as an acceptable range.

実験装置は、自社のN P = 9330を用いて、走
査密度 400D P I 感光ドラム A−3i、OPC 現 像 剤 ネガトナー、ポジトナー 現像方式 −成分ジャンピング現像 光   源 半導体レーザ(λ= 780nm)以下に
 190μm幅のキャラクタジェネレータより出力され
たパターンのライン幅をマイクロデンシトメータを用い
て計測した結果を第3表に示す。
The experimental equipment used our company's NP = 9330, scanning density 400D PI photosensitive drum A-3i, OPC developer negative toner, positive toner development system - component jumping development light source semiconductor laser (λ = 780nm) below 190μm Table 3 shows the results of measuring the line width of the pattern output from the width character generator using a microdensitometer.

第   3   表 上記第3表に示すように、BAEにおいて、A−3iは
殆んど200μm前後のライン幅を示し、実用レベルで
あるが、OPCにおいては、ややライン幅として細めで
あり、実用的には、ラインか細すぎる。しかし、IAE
においては、その関係が逆転しており、とくに、OPC
のIAEにおいては、220μm前後の幅を示し、ライ
ンとしては、太めであり、実用上つぶれた画像として潜
像に対して再現性がとぼしい。
Table 3 As shown in Table 3 above, in BAE, A-3i shows a line width of approximately 200 μm, which is at a practical level, but in OPC, the line width is slightly narrower, making it less practical. The lines are too thin. However, I.A.E.
In , the relationship is reversed, especially in OPC
In the IAE, the width is around 220 μm, and the line is rather thick, and in practical terms, the reproducibility of the latent image is poor as it is a collapsed image.

第13図は第1図におけるOPC感光体のE−Vカーブ
を改良することにより、達成するものである。
FIG. 13 is achieved by improving the EV curve of the OPC photoreceptor in FIG. 1.

つまり、aの露光量までは高電位を示し、bの露光量に
おいては低電位を示す。α点からβ点までがリニアな特
性を示すようになっている。
That is, it shows a high potential up to the exposure amount a, and shows a low potential at the exposure amount b. It shows linear characteristics from the α point to the β point.

ところで、OPCのBカーブのE−V特性は1次的に決
定されるものであり、このパターンをあらかじめ、マイ
コンのメモリに入力しておき、Bのγ補正のために、レ
ーザの光量が、B特性をC特性に変換できるテーブルを
有するように、レーザの出力段にて変化できるようにし
ておく。
By the way, the EV characteristic of the B curve of OPC is determined primarily, and this pattern is input into the memory of the microcomputer in advance, and for the γ correction of B, the light intensity of the laser is adjusted to In order to have a table that can convert the B characteristic to the C characteristic, it is possible to change it at the output stage of the laser.

またα点からβ点までの照射光は、aとbの領域をカッ
トする光カットフィルタを用いて行なってもよい。Cカ
ーブの直線部分のみに作用する光波長成分にて画像形成
のためのパターンを決めるものである。
Further, the irradiation light from the point α to the point β may be irradiated using a light cut filter that cuts the regions a and b. The pattern for image formation is determined by the light wavelength component that acts only on the straight line portion of the C curve.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、光導電部材は、
支持体と、該支持体上に設けられた光受容層とからなり
、かつ、該光受容層は、シリコン原子を母体として伝導
性を制御する物質を含有する電荷注入阻止層と、シリコ
ン原子を母体として水素原子およびハロゲン原子の少な
くとも1つを含む非晶質材料で構成されて光導電性を示
す光導電層と、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを
構成要素として含む非晶質材料で構成されている表面層
からなるので、感光材料の持つ感度、つまり、E−Vカ
ーブにおけるγ値がリニアスケールで直線性を有し、従
来から、IAEのほうが画像ラティチュードが広かった
ものが、本発明のBAE方式採用により、IAEに劣ら
ない画像ラティチュードの広い画像形成が可能となる効
果がある。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the photoconductive member has
The photoreceptive layer is composed of a support and a photoreceptive layer provided on the support, and the photoreceptor layer includes a charge injection blocking layer containing a substance that controls conductivity using silicon atoms as a host, and a charge injection blocking layer containing a substance that controls conductivity using silicon atoms as a host. A photoconductive layer composed of an amorphous material containing at least one of a hydrogen atom and a halogen atom as a matrix and exhibiting photoconductivity, and an amorphous material containing a silicon atom, a carbon atom, and a hydrogen atom as constituent elements. The sensitivity of the photosensitive material, that is, the γ value in the EV curve, has linearity on a linear scale. Conventionally, IAE had a wider image latitude, but this By adopting the BAE method of the invention, it is possible to form an image with a wide image latitude comparable to that of IAE.

また従来においては、BAEのラティチュードを広げる
ために、複雑な電気画像処理あるいは複雑な電気回路の
設計を必要としたが、その必要がなくなり、より安値で
安定性が高く、容易な設計を行なえ、アナログ、デジア
ナ、デジタルといった機種への技術の共通化が可能とな
った。
In addition, conventionally, in order to widen the latitude of BAE, complicated electrical image processing or complicated electrical circuit design was required, but this is no longer necessary, and the design is cheaper, more stable, and easier to perform. It has become possible to standardize technology among analog, digital analog, and digital models.

さらに、モジュール設計において、部品を共通化、各要
素技術を共通化、これに伴なう設計の共通化等が、はか
られ、多機種同時設計および開発が比較的容易にできる
ことから、開発期間の短縮化、生産コストの低減、販売
戦略、ルートづくりが容易に行なえ、トータルコストダ
ウンがはかられるという利点をもつ効果がある。
Furthermore, in module design, it is possible to standardize parts, standardize each elemental technology, and standardize designs accordingly, making it relatively easy to design and develop multiple models at the same time. This has the advantage of shortening the process, reducing production costs, making it easier to create sales strategies and routes, and reducing total costs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に利用した光導電体のE−V特性カーブ
の説明図、第2図は本発明に用いた電子写真用光受容部
材の1つの層構成の断面図、第3図は同じ(もう1つの
層構成の断面図、第4図は同じくさらにもう1つの層構
成の断面図、第5図はシュミレーション計算に用いたス
ポット径ΔXとΔyの説明図、第6図は同じ(ピッチ1
yの説明図、第7図は同じ(平均光量φmの説明図、第
8図は同じくX方向の光分布F (x)の説明図、第9
図は同じ(走査スポットの断面の説明図、第10図は同
じく白点分布の説明図、第11図は同じく1ドツト白点
のBAEの場合の説明図、第12図は同じく1ドツト黒
点のIAEの場合の説明図、第13図は第1図のOPC
感光体のE−Vカーブを改良して得られたものの説明図
、第14図(a)、(b)は露光と現像方式の比較を示
した説明図である。 100・・・光受容層、  101・・・支持体、10
2・・・電荷注入阻止層、 103・・・光導電層、 105・・・自由表面、 106・・・長波長光吸収層、 107・・・密着層。 104・・・表面層、 第1図 露光iL:EcμJ /ci) 第 図 第 図 +05 第 図 第 図 第 図 第 図 F(xl 第 図 第 図 第 図 第 図 +00 潜像分布〔μm〕 第 図 oO 潜像分布〔μm〕 第 図 露光fL:E 〔μJ /art) ヒーb−
FIG. 1 is an explanatory diagram of the EV characteristic curve of the photoconductor used in the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of one layer structure of the electrophotographic light-receiving member used in the present invention, and FIG. Same (A cross-sectional view of another layer configuration, Figure 4 is a cross-sectional view of yet another layer configuration, Figure 5 is an explanatory diagram of the spot diameters ΔX and Δy used in simulation calculations, Figure 6 is the same ( pitch 1
Fig. 7 is the same (illustrative diagram of the average light amount φm, Fig. 8 is an explanatory diagram of the light distribution F (x) in the X direction, Fig. 9 is the same)
The figures are the same (an explanatory diagram of the cross section of the scanning spot, Fig. 10 is an explanatory diagram of the white dot distribution, Fig. 11 is an explanatory diagram of the case of BAE with a one-dot white dot, and Fig. 12 is an explanatory diagram of the same one-dot black dot). An explanatory diagram in the case of IAE, Figure 13 is the OPC of Figure 1.
FIGS. 14(a) and 14(b) are explanatory diagrams showing what was obtained by improving the EV curve of the photoreceptor. FIGS. 14(a) and 14(b) are explanatory diagrams showing a comparison of exposure and development methods. 100... Photoreceptive layer, 101... Support, 10
2... Charge injection blocking layer, 103... Photoconductive layer, 105... Free surface, 106... Long wavelength light absorption layer, 107... Adhesion layer. 104...Surface layer, Fig. 1 Exposure iL: EcμJ /ci) Fig. Fig. Fig. Fig. Fig. Fig. Fig. Fig. Fig. Fig. F (xl Fig. Fig. Fig. Fig. Fig. +00 Latent image distribution [μm] Fig. oO Latent image distribution [μm] Diagram Exposure fL:E [μJ/art) Heat b-

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 光導電体部材に記録された静電潜像を現像剤により
現像する形式の電子写真複写装置において、該光導電体
部材は、支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体
として伝導性を制御する物質を含有する電荷注入阻止層 と、シリコン原子を母体として水素原子およびハロゲン
原子の少なくともそれらの1つを構成要素として含む非
晶質材料で構成されて光導電性を示す光導電層と、シリ
コン原子と炭素原子と水素原子とを構成要素として含む
非晶質材料で構成されている表面層とからなる光受容層
とを有し、かつ、前記表面層の水素原子が41〜70原
子%含有されている電子写真用光受容部材からなり、し
かも、光導電体への潜像形成手段は、デジタル画像とし
て出力するデジタル複写機における光書き込み方式であ
って、かつ、バックグラウンド露光方式で画像形成を行
なうようになっていることを特徴とする電子写真複写装
置。 2 光導電体への書き込みが、レーザビームを走査する
ことにより行なうようになっている請求項1記載の電子
写真複写装置。 3 光導電体が、アモルファスシリコンからなる請求項
1記載の電子写真複写装置。 4 E−V特性カーブのγ値が、電子写真特性として最
低必要なダーク電位V_Dとライト電位V_Lのコント
ラスト域において、リニアスケールにて、ほぼ直線とな
るカーブを有している請求項1記載の電子写真複写装置
。 5 γ値が1.0に近似した直線を有している請求項4
記載の電子写真複写装置。
[Scope of Claims] 1. In an electrophotographic copying apparatus of a type in which an electrostatic latent image recorded on a photoconductor member is developed with a developer, the photoconductor member includes a support, and on the support, A charge injection blocking layer containing silicon atoms as a matrix and a substance that controls conductivity, and an amorphous material containing silicon atoms as a matrix and at least one of hydrogen atoms and halogen atoms as a constituent element. a photoreceptive layer consisting of a photoconductive layer exhibiting electrical conductivity and a surface layer made of an amorphous material containing silicon atoms, carbon atoms, and hydrogen atoms as constituent elements; The electrophotographic light-receiving member contains 41 to 70 at. An electrophotographic copying apparatus characterized in that the image is formed using a background exposure method. 2. The electrophotographic copying apparatus according to claim 1, wherein writing on the photoconductor is performed by scanning a laser beam. 3. The electrophotographic copying apparatus according to claim 1, wherein the photoconductor is made of amorphous silicon. 4. The γ value of the E-V characteristic curve has a curve that is almost a straight line on a linear scale in a contrast range between a dark potential V_D and a light potential V_L, which are minimum required for electrophotographic characteristics. Electrophotocopying equipment. 5. Claim 4 having a straight line with a γ value approximating 1.0.
The described electrophotographic reproduction apparatus.
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