JPH0451930B2 - - Google Patents
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- JPH0451930B2 JPH0451930B2 JP19761183A JP19761183A JPH0451930B2 JP H0451930 B2 JPH0451930 B2 JP H0451930B2 JP 19761183 A JP19761183 A JP 19761183A JP 19761183 A JP19761183 A JP 19761183A JP H0451930 B2 JPH0451930 B2 JP H0451930B2
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2271—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines by photographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/80—Arrangements for controlling the ray or beam after passing the main deflection system, e.g. for post-acceleration or post-concentration, for colour switching
- H01J29/81—Arrangements for controlling the ray or beam after passing the main deflection system, e.g. for post-acceleration or post-concentration, for colour switching using shadow masks
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はスクリーン面に近接対向して1枚或い
は複数枚のマスクを配置させ、マスク部或いは主
にマウク部に形成した静電レンズ又は磁気レンズ
によつて電子ビームの少なくとも1部を集束させ
スクリーン面に衝撃させるマスク集束型カラー受
像管に関し、特にそのスクリーン部の構造に関す
るものである。Detailed Description of the Invention [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an electrostatic lens or a magnetic lens formed in the mask portion or mainly in the mask portion, by arranging one or more masks closely facing a screen surface. The present invention relates to a mask-focusing type color picture tube in which at least a portion of an electron beam is focused and bombarded on a screen surface, and particularly relates to the structure of the screen portion thereof.
一般にシヤドウマスクを具備せるカラー受像管
はシヤドウマスクの存在のために電子ビームの利
用率が20%程度と悪くスクリーン面の輝度が制限
されてしまう。従つて輝度向上のための最も効果
的な方法はシヤドウマスクの孔径を大きくして電
子ビームの利用率を高めればよいが、単にシヤド
ウマスクの孔径を大きくしただけでは色純度の低
下や解像度の劣化を招く。そこでシヤドウマスク
通過后の電子ビームを強く集束して電子ビーム径
を小さく抑制しながらスクリーン面の蛍光体に正
確に射突させねばならないという必要を生ずる。
このための手段としてマスク部又は主にマスク部
において電子レンズを形成させる後段加速管或い
はマスク集束管が古くから提案されている。この
ようなカラー受像管は例えば米国特許第2971117
号、同3892995号、同4112563号、特公昭47−
31265号公報、実公昭45−4819号公報、特開昭52
−80773号公報などに示されている。
Generally, color picture tubes equipped with a shadow mask have a poor electron beam utilization rate of about 20% due to the presence of the shadow mask, which limits the brightness of the screen surface. Therefore, the most effective way to improve brightness is to increase the electron beam utilization rate by increasing the hole diameter of the shadow mask, but simply increasing the hole diameter of the shadow mask will result in a decrease in color purity and resolution. . Therefore, it is necessary to strongly focus the electron beam after passing through the shadow mask so that the electron beam diameter can be suppressed to a small value while accurately striking the phosphor on the screen surface.
As a means for this purpose, a post-acceleration tube or a mask focusing tube in which an electron lens is formed in a mask portion or mainly in a mask portion has been proposed for a long time. Such a color picture tube is disclosed in US Pat. No. 2,971,117, for example.
No. 3892995, No. 4112563, Special Publication No. 1977-
Publication No. 31265, Publication No. 45-4819, Japanese Unexamined Patent Publication No. 1972
-This is shown in Publication No. 80773, etc.
これらの後段加速管或いはマスク集束管(以下
すべてマスク集束管と呼ぶ)においては、マスク
部又は主にマスク部に形成される電子レンズが強
い集束力を有するもの程電子ビームの利用率を上
げることができる。しかし、実際には前記電子レ
ンズの集束力がそれほど強くないため電子ビーム
の利用率を大幅に向上させることができないし、
集束力を強くしようとすると種々の不都合事が生
じ、実用性が著るしく損われる。これらの不都合
事とは、例えば特開昭51−10762号公報の様な1
枚マスク構成による静電レンズ方式では、集束力
を強くするためにスクリーン面の電圧に対してマ
スクの電圧をかなり低く設定しなければならず、
このためマスク部からの2次電子がスクリーン面
に加速衝撃され、像の不鮮明さやコントラストの
低下をひきおこす。また特公昭55−24652号公報、
米国特許第3892995号の様な2枚マスク構成や3
枚マスク構成による静電レンズ方式では、それぞ
れのマスク間に電位差を設けることによつて電子
レンズを形成させるための強い集束力を得るには
マスク間の電位差を大きくするかマスク間隔を小
さくしてマスク間の電界を強くしなければなら
ず、このためマスク間の絶縁を保つことが極めて
難しくなり、マスク間で絶縁破壊をひきおこす。
さらには特開昭52−80773号公報の様な磁気レン
ズ方式で、集束力を強くするために強い磁極を形
成させねばならないが、これら強い磁極の形成は
極めて困難であることやこれらの磁極によりカラ
ー受像管内外部の金属の不所望な磁化をおこし、
そのために電子ビーム軌道の不所望な偏向をひき
おこす。 In these latter-stage accelerator tubes or mask focusing tubes (hereinafter referred to as mask focusing tubes), the electron beam utilization rate can be increased as the mask portion or the electron lens mainly formed in the mask portion has a stronger focusing power. Can be done. However, in reality, the focusing power of the electron lens is not so strong, so the utilization rate of the electron beam cannot be significantly improved.
Attempts to increase the focusing power will cause various inconveniences, which will significantly impair practicality. These inconveniences include, for example, 1
In the electrostatic lens method using a mask configuration, the voltage of the mask must be set considerably lower than the voltage of the screen surface in order to strengthen the focusing power.
Therefore, secondary electrons from the mask portion are accelerated and impacted on the screen surface, causing blurring of the image and reduction in contrast. Also, Special Publication No. 55-24652,
Two mask configurations such as U.S. Patent No. 3,892,995 and three
In the electrostatic lens method using a mask configuration, in order to obtain a strong focusing force to form an electron lens by creating a potential difference between each mask, the potential difference between the masks must be increased or the mask spacing must be shortened. The electric field between the masks must be strong, which makes it extremely difficult to maintain insulation between the masks, causing dielectric breakdown between the masks.
Furthermore, using a magnetic lens method such as that disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 52-80773, it is necessary to form strong magnetic poles in order to strengthen the focusing power, but it is extremely difficult to form these strong magnetic poles, and due to these magnetic poles, This causes undesirable magnetization of metal inside and outside the color picture tube.
This causes an undesirable deflection of the electron beam trajectory.
ここで2枚マスク構成による静電レンズ方式の
従来のマスク集束型カラー受像管を例にとつて図
面を参照しつつさらに詳細に説明する。第1図は
従来の2枚マスク構成による静電レンズ方式のマ
スク集束管の一例で、その概略構成を示すもので
ある。第1図に示すマスク集束型カラー受像管1
は、主としてスクリーン面2を有するフエースプ
レート3と、前記フエースプレート3の側壁部に
フアンネル4を介して連結されたネツク5と、前
記ネツク5に内装された電子銃6と、前記フアン
ネル4からネツク5にかけて外壁に装着された偏
向装置7と、前記スクリーン2に所定間隔をもつ
て対設された多数のビーム通過孔8を有する第2
のマスク9と、前記第2のマスク9から前記電子
銃6側に所定間隔をもつて対設された多数のビー
ム通過孔10を有する第1のマスク11と、前記
フアンネル部4の内壁に前記ネツク部5の一部ま
で一様に塗布された導電膜12とから構成されて
いる。前記電子銃6は水平方向一列に並んだ3個
の電子銃6R,6G,6Bが配列されており、こ
の3個の電子銃に対応して前記スクリーン面2に
はメタルバツクされた3色の蛍光体13R,13
G,13Bがストライプ状に規則正しく配列され
ている。これらのストライプ状蛍光体13は3個
の電子銃6の配列方向と直交する方向と同方向に
伸びている。フエースプレート3の側面内側には
フレーム14を保持するピン15が設けられてあ
り、フレーム14に溶接されている弾性体16が
ピン15に嵌合することによつてフレーム14が
保持されている。フレーム14には第1のマスク
11が溶接固定されており、第1のマスク11に
は絶縁固定素子(図示せず)にて第2のマスク9
が固定されている。またフレーム14には地磁気
シールド17が弾性材(図示せず)で固定されて
いる。 Here, a conventional mask-focusing type color picture tube of an electrostatic lens type having a two-mask configuration will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an example of a conventional electrostatic lens type mask focusing tube having a two-mask configuration, and shows the schematic configuration thereof. Mask focusing type color picture tube 1 shown in FIG.
consists of a face plate 3 mainly having a screen surface 2, a net 5 connected to a side wall of the face plate 3 via a funnel 4, an electron gun 6 housed in the neck 5, and a net connected to the funnel 4. 5, a deflection device 7 attached to the outer wall, and a second beam passage hole 8 having a plurality of beam passing holes 8 facing each other at predetermined intervals in the screen 2.
a first mask 11 having a large number of beam passing holes 10 oppositely provided at a predetermined distance from the second mask 9 toward the electron gun 6; The conductive film 12 is uniformly applied to a part of the neck portion 5. The electron gun 6 has three electron guns 6R, 6G, and 6B arranged in a row in the horizontal direction, and the screen surface 2 has three colored fluorescent lights covered with a metal back, corresponding to the three electron guns 6R, 6G, and 6B. Body 13R, 13
G, 13B are regularly arranged in a stripe pattern. These striped phosphors 13 extend in the same direction as the direction perpendicular to the arrangement direction of the three electron guns 6. A pin 15 for holding the frame 14 is provided on the inner side of the face plate 3, and the frame 14 is held by an elastic body 16 welded to the frame 14 fitting into the pin 15. A first mask 11 is welded and fixed to the frame 14, and a second mask 9 is attached to the first mask 11 by an insulating fixing element (not shown).
is fixed. Further, a geomagnetic shield 17 is fixed to the frame 14 with an elastic material (not shown).
フアンネル部4には2個のボタン19,20が
埋め込まれており、1つのボタン19は導電膜1
2と接触し、もう1つのボタン20は導電膜12
と絶縁されており外部より異なつた電位が印加で
きる様になつている。電子銃6側の第1のマスク
11はフレーム14を介してコネクタ21によつ
てフアンネル部に塗布された導電膜12と接触し
ていると同時にフレーム14及びピン15を介し
てスクリーン面2とも接触しており、外部より陽
極高電圧が印加される。一方スクリーン2側の第
2のマスク9はリードワイヤ22、コネクタ23
及びボタン20を介して外部より陽極高電圧より
少し低い電圧が印加される。 Two buttons 19 and 20 are embedded in the funnel part 4, and one button 19 is embedded in the conductive film 1.
2 and the other button 20 is in contact with the conductive film 12
It is insulated from the outside so that different potentials can be applied from the outside. The first mask 11 on the electron gun 6 side is in contact with the conductive film 12 coated on the funnel part through the frame 14 and the connector 21, and at the same time is in contact with the screen surface 2 through the frame 14 and pins 15. A high voltage is applied to the anode from the outside. On the other hand, the second mask 9 on the screen 2 side has lead wires 22 and connectors 23.
A voltage slightly lower than the anode high voltage is applied from the outside via the button 20.
前記第1のマスク11と第2のマスク9は第2
図aに示す様にそれぞれ細長いストライプ状ビー
ム通過孔41,40を有している。このストライ
プ状ビーム通過孔41,40の長手方向(Y軸方
向)は同図bに示す様に前記電子銃6の配列方向
(X軸方向)に対して直交している。この様に構
成されたマスク集束管では電子銃6から射出した
3本の電子ビーム30R,30G,30Bは偏向
装置7によつて偏向を受けながら第1のマスク1
1へ達しその一部がビーム通過孔41を通過し第
1のマスク11と第2のマスク9間に形成されて
いる静電レンズによつて集束をうけ第2のマスク
9のビーム通過孔40を通過し、スクリーン2上
のそれぞれ対応する蛍光体13R,13G,13
Bに衝撃し発光させる。但し、第2図では1本の
ビームの場合しか書いていない。従つてミスラン
デイングをおこさないためにはスクリーン上での
ビーム幅Wは1本のストライプ状蛍光体幅Hより
小さくなければならない。即ち、
W<H ……(1)
一方スクリーン上でのビーム幅Wは、マスク部
31のビーム通過孔径Dとマスク部からスクリー
ンまでの距離Qとマスク部に形成された電子レン
ズの集束力によつて決まる。第3図にX−Z面内
でのビームの集束状態を示すが、同図から電子レ
ンズの焦点距離をfとするとスクリーン上でのビ
ーム幅Wは、
W=D(f−Q)/f ……(2)
と表わされる。従つて電子レンズの集束力が弱い
と、即ち焦点距離fが長いと上記の(1)式を満足す
ることができない。そこで電子レンズの集束力を
強くするためには2枚のマスク間の電界を強くし
なければならないが、これは絶縁破壊を招くので
好ましくない。一方電子レンズの集束力は弱いま
ま上記(1)式を満たす方法としては、ビーム通過孔
径Dを小さくするか、またはマスク〜スクリーン
間距離Qを大きくする方法がある。ビーム通過孔
径Dを小さくすることはビームの利用率を減少さ
せるので好ましくないし、またマスク〜スクリー
ン間距離Qを大きくすることは受像管の制約上無
条件にできない。これは第4図に示す様に各電子
銃間距離Sg,電子銃からスクリーンまでの距離
L、マスク部のビーム通過孔のピツチPからマス
ク〜スクリーン間距離Qは幾何示的に、
Q=P・L/3・Sg ……(3)
と決定されるからである。 The first mask 11 and the second mask 9 are
As shown in Figure a, each has elongated striped beam passage holes 41 and 40. The longitudinal direction (Y-axis direction) of the striped beam passage holes 41, 40 is perpendicular to the arrangement direction (X-axis direction) of the electron guns 6, as shown in FIG. In the mask focusing tube configured in this way, the three electron beams 30R, 30G, and 30B emitted from the electron gun 6 are deflected by the deflection device 7 while being directed toward the first mask 1.
1, a part of which passes through the beam passing hole 41 and is focused by the electrostatic lens formed between the first mask 11 and the second mask 9, and then passes through the beam passing hole 40 of the second mask 9. and the corresponding phosphors 13R, 13G, 13 on the screen 2.
Impact B and cause it to emit light. However, FIG. 2 only shows the case of one beam. Therefore, in order to prevent mislanding, the beam width W on the screen must be smaller than the width H of one striped phosphor. That is, W<H...(1) On the other hand, the beam width W on the screen is determined by the diameter D of the beam passing hole in the mask part 31, the distance Q from the mask part to the screen, and the focusing power of the electron lens formed in the mask part. It's decided by then. Figure 3 shows the focused state of the beam in the X-Z plane. From the figure, if the focal length of the electron lens is f, the beam width W on the screen is W = D (f - Q) / f ...(2) It is expressed as. Therefore, if the focusing power of the electron lens is weak, that is, if the focal length f is long, the above equation (1) cannot be satisfied. Therefore, in order to strengthen the focusing power of the electron lens, it is necessary to strengthen the electric field between the two masks, but this is not preferable because it causes dielectric breakdown. On the other hand, as a method to satisfy the above equation (1) while keeping the focusing power of the electron lens weak, there is a method of decreasing the beam passage aperture diameter D or increasing the distance Q between the mask and the screen. It is undesirable to reduce the beam passage aperture diameter D because it reduces the beam utilization rate, and it is not possible to increase the mask-screen distance Q unconditionally due to the limitations of the picture tube. As shown in Fig. 4, the distance S g between each electron gun, the distance L from the electron gun to the screen, and the distance Q between the mask and the screen from the pitch P of the beam passage hole in the mask section are geometrically expressed as Q= This is because it is determined as P・L/3・S g ……(3).
以上の如く、マスク部又は主にマスク部に形成
される電子レンズの集束力の弱い従来のマスク集
束管では電子ビームの利用率を大幅に向上させる
ことは困難で極めて実用性に欠けるものである。 As described above, it is difficult to significantly improve the utilization rate of electron beams with the conventional mask focusing tube in which the focusing power of the electron lens formed in the mask part or mainly in the mask part is weak, and it is extremely impractical. .
本発明の目的は、1枚或いは複数枚のマスクに
よつて構成され、マスク部又は主にマスク部に形
成される電子レンズを有するマスク集束型カラー
受像管において、実用上の不都合事をおこすこと
なく電子ビームの利用率を向上させることができ
実用性に富んだマスク集束型カラー受像管を提供
することにある。
An object of the present invention is to solve practical inconveniences in a mask-focusing color picture tube that is composed of one or more masks and has an electron lens formed in the mask part or mainly in the mask part. The object of the present invention is to provide a highly practical mask-focusing type color picture tube that can improve the utilization rate of electron beams and is highly practical.
本発明は、電子銃部に配置されている複数個の
電子ビームの配列方向に対してスクリーン上の蛍
光体を傾斜させたストライプ状又は断続的なスト
ライプ状に形成させることによつて、マスク部と
スクリーン間距離を実質的に大きくするもので、
これによつて弱い集束力の電子レンズを有するマ
スク集束型カラー受像管においても電子ビームの
利用率を向上させることができるものである。
In the present invention, the phosphor on the screen is formed in a stripe shape that is inclined with respect to the arrangement direction of a plurality of electron beams arranged in the electron gun part, or in an intermittent stripe shape. This substantially increases the distance between the screens.
This makes it possible to improve the efficiency of electron beam utilization even in a mask focusing type color picture tube having an electron lens with a weak focusing power.
以下図面を参照しつつ本発明の実施例について
詳細に説明する。第5図は本発明の実施例を示す
ものであり、第2図に対応する図である。本発明
のマスク集束管もその構成の大部分は、第1図に
示した従来のマスク集束管と同じであるので第5
図において第1図と同符号のものは第1図と同じ
ものを示している。第5図において、第1のマス
ク11と第2のマスク9のそれぞれのストライプ
状ビーム通過孔41,40とスクリーン2上のス
トライプ状蛍光体13はその長手方向(Y′軸方
向)が電子銃6の配列方向(X軸方向)に直交す
る方向(Y軸方向)に対して傾斜して形成されて
いる。この様に構成することによつて電子銃の配
列方向であるX軸方向ではストライプ状ビーム通
過孔とストライプ状蛍光体のピツチが大きくなつ
ていく。即ち第5図においてY軸とY′軸のなす
角をθとすると、第6図a及びbに示す様にマス
ク部31のストライプ状ビーム通過孔のX軸方向
のピツチP′はX′軸方向の従来のピツチPに対し
て、
P′=P/cosθ,0°≦θ≦90° ……(4)
となり、常にP′>Pとなる。従つて(3)式からマス
ク〜スクリーン間距離Qも、
Q′=P′L/3・Sg=Q/cosθ ……(5)
となり、常にQ′>Qとなる。このため前述した
如く(2)式からスクリーン上でのビーム幅も小さく
することができ、(1)式を満足できるようにするこ
とができる。このとき傾斜角度θは大きい程マス
ク〜スクリーン間距離を大きくできる。従つてス
クリーン上でのビーム幅を小さくすることができ
るので、マスク部のビーム通過孔径をさらに大き
くしてビーム利用率をさらに向上させることがで
きる。しかし、傾斜角度θが大きすぎると傾斜し
たストライプ状蛍光体のスクリーンから受ける画
像の感じは従来の垂直方向のストライプ状蛍光体
のスクリーンから受ける感じとは異なり非常に奇
異なものとなる。この奇異な感じはθ=45°の傾
斜したストライプ状蛍光体のスクリーンの場合が
最も小さくなる。これは人間の眼の空間周波数特
性に異方性があるためで、第7図に示す様に垂直
及び水平方向のパターンに対しては空間正弦波レ
スポンスが大きく、45°方向のパターンに対して
は低下することからも理解される。一般にはθは
±30°〜±60°が適当である。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 5 shows an embodiment of the present invention and corresponds to FIG. 2. Most of the structure of the mask focusing tube of the present invention is the same as the conventional mask focusing tube shown in FIG.
In the figures, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same parts as in FIG. 1. In FIG. 5, the striped beam passing holes 41 and 40 of the first mask 11 and the second mask 9 and the striped phosphor 13 on the screen 2 have their longitudinal direction (Y' axis direction) aligned with the electron gun. It is formed to be inclined with respect to the direction (Y-axis direction) perpendicular to the arrangement direction (X-axis direction) of 6. With this configuration, the pitch between the striped beam passage hole and the striped phosphor increases in the X-axis direction, which is the direction in which the electron guns are arranged. That is, if the angle formed by the Y-axis and the Y'-axis is θ in FIG. With respect to the conventional pitch P in the direction, P'=P/cosθ, 0°≦θ≦90° (4), and P'>P always holds. Therefore, from equation (3), the distance Q between the mask and the screen is also Q'=P'L/3·S g =Q/cosθ (5), and Q'>Q is always satisfied. Therefore, as described above, the beam width on the screen can be reduced from equation (2), and equation (1) can be satisfied. At this time, the larger the inclination angle θ is, the larger the distance between the mask and the screen can be. Therefore, since the beam width on the screen can be reduced, the diameter of the beam passing hole in the mask portion can be further increased to further improve the beam utilization efficiency. However, if the inclination angle θ is too large, the image received from the inclined striped phosphor screen will be very strange, unlike the image received from the conventional vertical striped phosphor screen. This strange feeling is least noticeable in the case of a striped phosphor screen tilted at θ=45°. This is because the human eye has anisotropy in its spatial frequency characteristics, and as shown in Figure 7, the spatial sine wave response is large for vertical and horizontal patterns, and for patterns in the 45° direction. This can also be understood from the fact that it decreases. Generally, it is appropriate for θ to be between ±30° and ±60°.
上述の如く本発明によれば電子銃間隔Sgや電子
銃〜スクリーン間距離Lやヤスク部のビーム通過
孔径Dなど受像管の他の基本的寸法を何等変更す
ることなくマスク〜スクリーン間距離Qだけを大
きくすることができる。従つてマスク部に形成さ
れる電子レンズの集束力が弱くてもスクリーン上
ではストライプ状蛍光体幅Hよりビーム径Wを小
さくすることができ、ミスランデイングをおこさ
ない様にすることができる。即ちこの様なマスク
集束型カラー受像管においてはマスク部に形成さ
れる電子レンズの集束力を強くするためにマスク
間の電位差を過渡に大きくする必要はない。従つ
てマスク間の絶縁破壊をおこすこともなく、ま
た、マスク部のビーム通過孔径を小さくしてビー
ムの利用率を減少させる必要もなく実用性に富ん
だマスク集束型カラー受像管を提供することがで
きる。 As described above, according to the present invention, the distance Q between the mask and the screen can be changed without changing the other basic dimensions of the picture tube such as the electron gun interval S g , the distance L between the electron gun and the screen, and the beam passage hole diameter D of the yask part. only can be made larger. Therefore, even if the focusing power of the electron lens formed in the mask portion is weak, the beam diameter W can be made smaller than the striped phosphor width H on the screen, and mislanding can be prevented. That is, in such a mask focusing type color picture tube, there is no need to make the potential difference between the masks excessively large in order to strengthen the focusing power of the electron lens formed in the mask portion. Therefore, to provide a highly practical mask-focusing type color picture tube that does not cause dielectric breakdown between masks and does not require reducing the beam utilization rate by reducing the diameter of the beam passing hole in the mask portion. Can be done.
前記実施例ではマスク部のビーム通過孔がスト
ライプ状であつたが、本発明はこれに限らず特公
昭55−24652号公報や特開昭57−163955号公報に
示されている様な矩形状や円形状等のビーム通過
孔であつても良いことは言う迄もない。 In the above embodiment, the beam passing holes in the mask part were striped, but the present invention is not limited to this, but rectangular shapes as shown in Japanese Patent Publication No. 55-24652 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-163955. Needless to say, the beam passing hole may also be a beam passage hole having a circular shape or the like.
例えば特公昭55−24652号公報に示されている
様なマスク集束管においても、第8図に示す様に
スクリーン2上のストライプ状蛍光体13を電子
銃6の配列方向に直交する方向(Y軸方向)に対
して傾けて(Y′軸方向)配列すれば、前記実施
例の場合と同じ理由により、より実用性に富んだ
マスク集束管を提供することができる。このとき
第8図ではマスク部31には4極子レンズが形成
されるのでビームはY′軸方向に沿つて細長く集
束される。 For example, in a mask focusing tube as shown in Japanese Patent Publication No. 55-24652, the striped phosphor 13 on the screen 2 is moved in the direction perpendicular to the arrangement direction of the electron guns 6 (Y), as shown in FIG. By arranging the mask focusing tubes at an angle (in the Y'-axis direction) with respect to the axial direction, a more practical mask focusing tube can be provided for the same reason as in the above embodiment. At this time, in FIG. 8, since a quadrupole lens is formed in the mask portion 31, the beam is focused into a long and narrow beam along the Y'-axis direction.
また以上の実施例ではスクリーン上のストライ
プ状蛍光体と同方向にマスク部のビーム通過孔が
傾斜しているが本発明はこれに限らず、特開昭52
−80773号公報に示されているようなマスク部に
磁気レンズを形成させるマスク集束管においては
マスク部のビーム通過孔が傾斜いている必要はな
い。第9図にこのときの様子を示す。第9図にお
いて、第1のマスク111および第2のマスク1
09は、それぞれストライプ状孔141,140
を有する軟質磁気材料より成り、互いに直交して
配置されている。マスク部31としてのビーム通
過孔142は矩形状になつていて、これらの交点
には永久磁気材料の円板143を配置し、2枚の
マスク111,109を固定してある。全ての円
板の磁化方向をマスク面に直角方向とし、例えば
円板のN極を電子銃側、S極をスクリーン側とす
る。この様な構造のマスク集束管では図に示す様
にN−S−N−Sの磁気4極子レンズが形成さ
れ、ビームは斜め方向に細長く集束されていく。
従つてスクリーン2上の蛍光体を第2図の如く電
子銃配列方向に直交する方向に対して傾斜してス
トライプ状に形成しておくことによつて集束され
たビームは正しく蛍光体に衝撃する様になる。こ
のときマスク部のビーム通過孔部及びスクリーン
上のストライプ状蛍光体の電子銃の配列方向と同
方向のピツチは前記実施例と同様に大きくなる。
即ち第10図に示す様に、ストライプ状蛍光体を
垂直方向(Y軸方向)に形成させた場合のピツチ
Pと傾斜させてY′軸方向に形成させた場合のピ
ツチP′は、(4)式と同様に、
P′=P/cosθ ……(6)
となる。従つて、前述の場合と同様に(3)式よりマ
スク〜スクリーン間距離を大きくできるので(2)式
よりスクリーン上のビーム幅を小さくできる。こ
のため円板の磁極の強さを極度に大きくして種々
の弊害をおこすことなく実用性に富んだマスク集
束管を提供することができる。 Furthermore, in the above embodiments, the beam passing holes in the mask portion are inclined in the same direction as the striped phosphors on the screen, but the present invention is not limited to this.
In a mask focusing tube in which a magnetic lens is formed in a mask part as shown in Japanese Patent No. 80773, the beam passing hole in the mask part does not need to be inclined. Figure 9 shows the situation at this time. In FIG. 9, a first mask 111 and a second mask 1
09 are striped holes 141 and 140, respectively.
are made of a soft magnetic material and are arranged perpendicular to each other. A beam passage hole 142 serving as the mask portion 31 has a rectangular shape, and a disk 143 made of a permanent magnetic material is placed at the intersection of these holes, and the two masks 111 and 109 are fixed thereto. The magnetization directions of all the disks are perpendicular to the mask surface, and for example, the north pole of the disk is on the electron gun side and the south pole is on the screen side. In the mask focusing tube having such a structure, an N-S-N-S magnetic quadrupole lens is formed as shown in the figure, and the beam is focused obliquely into a long and narrow beam.
Therefore, by forming the phosphors on the screen 2 in a stripe shape that is inclined with respect to the direction perpendicular to the direction in which the electron guns are arranged, as shown in FIG. 2, the focused beams can correctly impact the phosphors. It will be like that. At this time, the pitch of the beam passage hole of the mask part and the striped phosphor on the screen in the same direction as the arrangement direction of the electron guns becomes large as in the previous embodiment.
That is, as shown in FIG. 10, the pitch P when the striped phosphor is formed in the vertical direction (Y-axis direction) and the pitch P' when it is formed inclined in the Y'-axis direction are (4 ), P'=P/cosθ...(6). Therefore, as in the case described above, the distance between the mask and the screen can be increased from equation (3), and the beam width on the screen can be made smaller than from equation (2). Therefore, it is possible to provide a highly practical mask focusing tube without causing various problems by extremely increasing the strength of the magnetic pole of the disk.
以上の実施例ではスクリーン上の蛍光体は3本
のストライプ状蛍光体が順次連続して配列してい
るが、本発明はこれに限らずストライプ状蛍光体
はストライプ状非発光部をはさんで連続して配列
してあつてもいいし、また1本のストライプ状蛍
光体は非発光部をはさんで垂直方向に断続的に連
がつていてもいい。 In the above embodiment, the phosphors on the screen are three striped phosphors arranged in succession, but the present invention is not limited to this. They may be arranged continuously, or one striped phosphor may be intermittently connected in the vertical direction with non-light-emitting parts in between.
以上の様に本発明によれば、スクリーン上の蛍
光体を電子銃の配列方向に直交する方向に対して
傾斜して形成することによつて電子銃の配列方向
に対するマスク部のビーム通過孔のピツチを稼
ぎ、これによつてマスク〜スクリーン間距離を実
質的に大きくすることが出来る。従つてマスク部
に形成される電子レンズの集束力が弱くても電界
や磁界を強くして他の不都合事をおこしながら集
束力を強める必要もなく、またビーム通過孔径を
小さくしてビーム利用率を減少させる必要もな
く、スクリーン上でのビーム幅を所望の大きさに
小さくすることができ、等価的に電子レンズの集
束力を強くしたことと同等の効果が期待できるも
ので、非常に実用性に富んだマスク集束型カラー
受像管を提供することができる。
As described above, according to the present invention, by forming the phosphor on the screen to be inclined with respect to the direction perpendicular to the direction in which the electron guns are arranged, the beam passage holes of the mask part are formed in the direction in which the electron guns are arranged. This increases the pitch, thereby making it possible to substantially increase the distance between the mask and the screen. Therefore, even if the focusing power of the electron lens formed in the mask part is weak, there is no need to strengthen the electric field or magnetic field to strengthen the focusing power while causing other inconveniences, and the beam utilization efficiency can be improved by reducing the diameter of the beam passage hole. It is possible to reduce the beam width on the screen to the desired size without needing to reduce the beam width, and it is expected to have the same effect as increasing the focusing power of an electron lens, making it very practical. It is possible to provide a mask focusing type color picture tube with rich characteristics.
第1図は従来のマスク集束型カラー受像管の一
例を示す概略構成図、第2図a及び第2図bは第
1図のマスク部、スクリーン部及び電子銃部の一
部を示す概略拡大図、第3図は第2図のX−Z面
での概略断面図、第4図はカラー受像管の基本的
な位置関係を説明するための概略図、第5図は本
発明を適用したときの一実施例で第2図に対応す
る概略図、第6図a及び第6図bはマスクのピツ
チを説明するためのマスク部の一部を示す概略
図、第7図は視覚系の解像度の異方性を説明する
ための特性図、第8図及び第9図は本発明の他の
実施例で第2図に対応する概略図、第10図は第
9図のピツチの関係を説明するためのスクリーン
部の一部を示す概略図である。
2……スクリーン部、6……電子銃、9……第
2のマスク、11……第1のマスク、31……マ
スク部、13……蛍光体。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional mask focusing type color picture tube, and FIGS. 2a and 2b are schematic enlarged views showing parts of the mask section, screen section, and electron gun section of FIG. 1. 3 is a schematic sectional view taken along the X-Z plane of FIG. 2, FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the basic positional relationship of color picture tubes, and FIG. FIGS. 6a and 6b are schematic diagrams showing a part of the mask section for explaining the pitch of the mask, and FIG. 7 is a schematic diagram corresponding to FIG. 2 in one embodiment of the present invention. Characteristic diagrams for explaining the anisotropy of resolution, Figures 8 and 9 are schematic diagrams corresponding to Figure 2 in other embodiments of the present invention, and Figure 10 shows the pitch relationship in Figure 9. It is a schematic diagram showing a part of screen part for explanation. 2... Screen portion, 6... Electron gun, 9... Second mask, 11... First mask, 31... Mask portion, 13... Phosphor.
Claims (1)
部とこれらを包囲する外囲器及び偏向系より成
り、前記電子銃には少なくとも複数個の電子銃が
一列に配置されており、前記マスク部は1枚或い
は複数枚のマスクによつて構成され、且つこのマ
スク部は前記電子銃部より射出した電子ビームの
一部を前記スクリーン部へ通過させると共に通過
する電子ビームの少なくとも一部を集束するため
の多数のビーム通過孔を有しており、前記スクリ
ーン部には少なくとも複数の種類の蛍光体がスト
ライプ状又は断続的なストライプ状に配列されて
おり、前記電子銃より射出した電子ビームを前記
偏向系により偏向走査させ、前記スクリーン部に
衝撃させ蛍光体を発光させるマスク集束型カラー
受像管において、 前記ストライプ状又は断続的なストライプ状蛍
光体が前記電子銃部の複数個の電子銃の配列方向
と直交する方向に対して傾斜して形成されている
ことを特徴とするマスク集束型カラー受像管。[Scope of Claims] 1. Consists of at least an electron gun section, a mask section, a screen section, an envelope surrounding these, and a deflection system, and the electron gun has at least a plurality of electron guns arranged in a line, The mask section is composed of one or more masks, and the mask section allows a part of the electron beam emitted from the electron gun section to pass through to the screen section, and at least a part of the electron beam passing through the screen section. The screen part has at least a plurality of types of phosphors arranged in stripes or intermittent stripes, and the electrons emitted from the electron gun In a mask-focusing color picture tube in which the beam is deflected and scanned by the deflection system to impact the screen section and emit phosphor, the striped or intermittent striped phosphor is used to deflect a plurality of electrons in the electron gun section. 1. A mask focusing type color picture tube, characterized in that it is formed to be inclined with respect to a direction perpendicular to the direction in which guns are arranged.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19761183A JPS6091535A (en) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | Mask focusing type color picture tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19761183A JPS6091535A (en) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | Mask focusing type color picture tube |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6091535A JPS6091535A (en) | 1985-05-22 |
JPH0451930B2 true JPH0451930B2 (en) | 1992-08-20 |
Family
ID=16377346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19761183A Granted JPS6091535A (en) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | Mask focusing type color picture tube |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6091535A (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0195443A (en) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Toshiba Corp | Color cathode-ray tube of shadow mask type |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP19761183A patent/JPS6091535A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6091535A (en) | 1985-05-22 |
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