JPH0440456A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH0440456A JPH0440456A JP2147846A JP14784690A JPH0440456A JP H0440456 A JPH0440456 A JP H0440456A JP 2147846 A JP2147846 A JP 2147846A JP 14784690 A JP14784690 A JP 14784690A JP H0440456 A JPH0440456 A JP H0440456A
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- JP
- Japan
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- resist
- mask
- chromium
- exposed
- photomask
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フォトマスクの製造方法とくに半導体の製作
に利用されるものに関する。
に利用されるものに関する。
従来の技術
従来、この種のフォトマスクは、マスクブランクス上に
ポジレジストを塗布した後、パターン形成のために電子
ビーム露光を行ない、その後、現像、エツチングして製
造されていた。
ポジレジストを塗布した後、パターン形成のために電子
ビーム露光を行ない、その後、現像、エツチングして製
造されていた。
第４ 図ｆａｌ〜第４図（Ｃ１に従来のフォトマスクの
製造方法を示す。第４図（ａｌに示すように、ガラス基
板４上にクロム層３を蒸着あるいはスパッタ法で形成し
たマスクブランクスにポジレジスト２を塗布し、電子ビ
ーム１を照射した後現像すると第４図（ｂｌに示すよう
にレジストパターン部分５ができる。これをエツチング
液でエツチングすると、第４図（Ｃ１のように電子線照
射部分のクロム層３が除去されクロムパターン部分６が
生成する。
製造方法を示す。第４図（ａｌに示すように、ガラス基
板４上にクロム層３を蒸着あるいはスパッタ法で形成し
たマスクブランクスにポジレジスト２を塗布し、電子ビ
ーム１を照射した後現像すると第４図（ｂｌに示すよう
にレジストパターン部分５ができる。これをエツチング
液でエツチングすると、第４図（Ｃ１のように電子線照
射部分のクロム層３が除去されクロムパターン部分６が
生成する。
第５図（ａｌは、上記のようにしてつくられた従来のネ
ガマスクの平面図、第５図（ｂ）は同側面図である。第
５図において、ガラス基板４の上にクロム３があり、ク
ロムパターン部分６が形成されている。
ガマスクの平面図、第５図（ｂ）は同側面図である。第
５図において、ガラス基板４の上にクロム３があり、ク
ロムパターン部分６が形成されている。
従来のネガマスクは、上記のようにパターン面のみ電子
ビーム露光して製造されていた。
ビーム露光して製造されていた。
発明が解決しようとする課題
このような従来の構成では、フォトマスクの端面部分も
クロム膜か形成されたままであるので、パターン形成後
にフォトマスクを搬送すると、フォトマスクの端面部分
と搬送系との摩擦によりクロムが剥がれ、ダストとなり
フォトマスクに付着して欠陥を生ずる可能性がある。ま
たパターン形成時にレジストが端面部分にも塗布されて
いるので、フォトマスクの搬送時にレジストが搬送系に
付着し、ダストが発生しやすくなり、フ第１へマスクの
欠陥となる問題点を有していた。
クロム膜か形成されたままであるので、パターン形成後
にフォトマスクを搬送すると、フォトマスクの端面部分
と搬送系との摩擦によりクロムが剥がれ、ダストとなり
フォトマスクに付着して欠陥を生ずる可能性がある。ま
たパターン形成時にレジストが端面部分にも塗布されて
いるので、フォトマスクの搬送時にレジストが搬送系に
付着し、ダストが発生しやすくなり、フ第１へマスクの
欠陥となる問題点を有していた。
本発明は、このような課題を解決するもので、フォトマ
スクの製造過程において、レジストが搬送系に付着する
ことのない製造方法、およびマスクの端面部分のクロム
が剥離することのないフォトマスクを提供することを目
的とするものである。
スクの製造過程において、レジストが搬送系に付着する
ことのない製造方法、およびマスクの端面部分のクロム
が剥離することのないフォトマスクを提供することを目
的とするものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のフォトマスクの製造
方法は、マスクブランクス上にポジレジストを塗布した
後、ポジレジストにマスクブランクスの端面から搬送系
のチャック部に相当する一定の幅で電子ビーム露光を行
ない、現像、エツチングして端面部のクロム層を除去す
るものである。
方法は、マスクブランクス上にポジレジストを塗布した
後、ポジレジストにマスクブランクスの端面から搬送系
のチャック部に相当する一定の幅で電子ビーム露光を行
ない、現像、エツチングして端面部のクロム層を除去す
るものである。
作用
この手段によってマスクブランクスの端面から搬送系の
チャック部に相当する一定の幅で電子ビーム露光した部
分は、現像によりレジストが除去され、エツチングによ
りクロムが除去されるので、現像後の製造過程でレジス
トやクロムのダストの発生をなくすことかできる。
チャック部に相当する一定の幅で電子ビーム露光した部
分は、現像によりレジストが除去され、エツチングによ
りクロムが除去されるので、現像後の製造過程でレジス
トやクロムのダストの発生をなくすことかできる。
実施例
本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第１図ｆａ
ｌ〜第１図ｔｃ＋に本発明の一実施例のフォトマスクの
工程順断面図を示す。
ｌ〜第１図ｔｃ＋に本発明の一実施例のフォトマスクの
工程順断面図を示す。
第１図（ａｌに示すように、ガラス基板４上にクロム層
３を蒸着法あるいは、スパッタ法で形成したマスクブラ
ンクスにポジレジスト２を塗布し、電子ビーム１を照射
した後現像すると第１図（ｂｌに示すようにレジストパ
ターン部分５ができる。これをエツチングすると第１図
（Ｃ１のように電子線照射部分のクロム層３が除去され
、クロムパターン部分６が生成する。ここでマスクブラ
ンス８上にポジレジスト２を塗布した後、パターン形成
用の電子ビーム１による露光と同時に、マスクプランク
スの端面から一定の幅りでポンレジスト２に電子ビーム
露光を行なう。
３を蒸着法あるいは、スパッタ法で形成したマスクブラ
ンクスにポジレジスト２を塗布し、電子ビーム１を照射
した後現像すると第１図（ｂｌに示すようにレジストパ
ターン部分５ができる。これをエツチングすると第１図
（Ｃ１のように電子線照射部分のクロム層３が除去され
、クロムパターン部分６が生成する。ここでマスクブラ
ンス８上にポジレジスト２を塗布した後、パターン形成
用の電子ビーム１による露光と同時に、マスクプランク
スの端面から一定の幅りでポンレジスト２に電子ビーム
露光を行なう。
マスク周辺の露光部分を第２図に示す。第２図において
端面に露光部分７があり、マスク端面から露光する幅り
は搬送系のチャックの幅に相当する。次に現像を行なう
とレジストパターン部分５が形成され、マスク周辺の露
光部分７のレジストが除去される。最後にエツチングを
行なうとクロムパターン部分６が形成され、マスク周辺
のクロム除去部７が除去される。パターン形成後のネガ
マスクの平面図および側面図を第３図ｔａ＋および第３
図（ｂｌに示す。図に示すように、マスクの周辺部分の
クロム層が除去されていて、搬送中にダストを発生しな
い。
端面に露光部分７があり、マスク端面から露光する幅り
は搬送系のチャックの幅に相当する。次に現像を行なう
とレジストパターン部分５が形成され、マスク周辺の露
光部分７のレジストが除去される。最後にエツチングを
行なうとクロムパターン部分６が形成され、マスク周辺
のクロム除去部７が除去される。パターン形成後のネガ
マスクの平面図および側面図を第３図ｔａ＋および第３
図（ｂｌに示す。図に示すように、マスクの周辺部分の
クロム層が除去されていて、搬送中にダストを発生しな
い。
なお、露光は電子ビームに限定されるものではなく、紫
外線などの光を用いてもよい。
外線などの光を用いてもよい。
発明の効果
以上の実施例の説明からも明らかなように、本発明の製
造方法によれば、マスク周辺の露光部分のレンス］・と
クロムを除去し、現像後の製造過程で搬送系との摩擦に
よるレジストやクロムのダストの発生をなくすことがで
きる。その結果、ダストの付着が原因で発生するマスク
の欠陥を少なくすることができるという効果が得られる
。
造方法によれば、マスク周辺の露光部分のレンス］・と
クロムを除去し、現像後の製造過程で搬送系との摩擦に
よるレジストやクロムのダストの発生をなくすことがで
きる。その結果、ダストの付着が原因で発生するマスク
の欠陥を少なくすることができるという効果が得られる
。
第１図（ａｌ〜（Ｃ１は本発明の製造方法の一実施例の
製造工程を示すフォトマスクの断面図、第２図は本実施
例の平面図、第３図（ａｌ、 ｆｂｌはそれぞれ平面図
および断面図、第４図（ａｌ〜（Ｃ１は従来の製造工程
を示す断面図、第５図（ａ）、 （ｂｌはそれぞれ従来
技術を説明するためのフォトマスクの平面図と断面図で
ある。 １・・・・・・電子ビーム、２・・・・・・ポジレジス
ト、３・・・・・クロム層、４・・・・・・ガラス基板
、５・・・・・・レジストパターン部分、６・・・・・
・クロムパターン部分、７・・・・・・クロム層除去部
。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名弔 図 鉛 図
製造工程を示すフォトマスクの断面図、第２図は本実施
例の平面図、第３図（ａｌ、 ｆｂｌはそれぞれ平面図
および断面図、第４図（ａｌ〜（Ｃ１は従来の製造工程
を示す断面図、第５図（ａ）、 （ｂｌはそれぞれ従来
技術を説明するためのフォトマスクの平面図と断面図で
ある。 １・・・・・・電子ビーム、２・・・・・・ポジレジス
ト、３・・・・・クロム層、４・・・・・・ガラス基板
、５・・・・・・レジストパターン部分、６・・・・・
・クロムパターン部分、７・・・・・・クロム層除去部
。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名弔 図 鉛 図
Claims (1)
- ポジレジストをマスクブランクス上に塗布した後、マ
スクブランクスの端面から一定の幅でポジレジストに露
光を行ない、前記露光部分をパターン形成のための露光
部分と同時に現像、エッチングするフォトマスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147846A JPH0440456A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147846A JPH0440456A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440456A true JPH0440456A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15439580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2147846A Pending JPH0440456A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0440456A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004088421A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Hoya Corporation | マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2006049910A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Schott Ag | フォトリトグラフィー処理用マスクブランクの製造方法及びマスクブランク |
| JP2008083194A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスク中間体及びパターンの転写方法 |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP2147846A patent/JPH0440456A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004088421A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Hoya Corporation | マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JPWO2004088421A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2006-07-06 | Hoya株式会社 | マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| US7713663B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-05-11 | Hoya Corporation | Mask blank, manufacturing method of mask blank, manufacturing method of transfer mask and manufacturing method of semiconductor device |
| JP4753248B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2011-08-24 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2006049910A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Schott Ag | フォトリトグラフィー処理用マスクブランクの製造方法及びマスクブランク |
| JP2008083194A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスク中間体及びパターンの転写方法 |
| TWI422960B (zh) * | 2006-09-26 | 2014-01-11 | Hoya Corp | Mask substrate and manufacturing method thereof, mask and manufacturing method thereof, mask mask, and pattern transfer method |
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