JPH04363047A - 半導体ウェーハのダイシング方法 - Google Patents
半導体ウェーハのダイシング方法Info
- Publication number
- JPH04363047A JPH04363047A JP3222390A JP22239091A JPH04363047A JP H04363047 A JPH04363047 A JP H04363047A JP 3222390 A JP3222390 A JP 3222390A JP 22239091 A JP22239091 A JP 22239091A JP H04363047 A JPH04363047 A JP H04363047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection means
- wafer
- cutting
- shape
- detected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 90
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 84
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B27—WORKING OR PRESERVING WOOD OR SIMILAR MATERIAL; NAILING OR STAPLING MACHINES IN GENERAL
- B27B—SAWS FOR WOOD OR SIMILAR MATERIAL; COMPONENTS OR ACCESSORIES THEREFOR
- B27B31/00—Arrangements for conveying, loading, turning, adjusting, or discharging the log or timber, specially designed for saw mills or sawing machines
- B27B31/06—Adjusting equipment, e.g. using optical projection
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0064—Devices for the automatic drive or the program control of the machines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Forests & Forestry (AREA)
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被加工物の大きさ、形
状及び位置を検出し、その検出した情報に基づいて、被
加工物に適切な切削を遂行する切削及びダイシングシス
テムであって、特に不定形の又は不揃いの半導体ウエー
ハ等を所定のフレームで保持し、その保持されたウエー
ハの大きさ、形状及び位置を検出し、それに基づいて最
適なアライメントを遂行して、装備された所定のブレー
ドにより適切に切削するための切削及びダイシングシス
テムに関するものである。
状及び位置を検出し、その検出した情報に基づいて、被
加工物に適切な切削を遂行する切削及びダイシングシス
テムであって、特に不定形の又は不揃いの半導体ウエー
ハ等を所定のフレームで保持し、その保持されたウエー
ハの大きさ、形状及び位置を検出し、それに基づいて最
適なアライメントを遂行して、装備された所定のブレー
ドにより適切に切削するための切削及びダイシングシス
テムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウエーハ等の被加工物を
ダイシングするための位置合わせシステムとしては、例
えば■特開昭６０−２４４８０３号公報に開示された構
成のものが従来例として周知である。
ダイシングするための位置合わせシステムとしては、例
えば■特開昭６０−２４４８０３号公報に開示された構
成のものが従来例として周知である。
【０００３】上記従来例の発明は、一定の大きさ及び形
状、例えば５インチ又は６インチの半導体ウエーハが夫
々１つのフレームに適正な状態で保持され、その定形の
ウエーハに対して予め設定された最適アライメントスト
ロークに基づき、カメラで捉えたＸ−Ｙ軸マトリックス
の画素濃度でパターンマッチングさせてアライメントさ
せる構成になっている。
状、例えば５インチ又は６インチの半導体ウエーハが夫
々１つのフレームに適正な状態で保持され、その定形の
ウエーハに対して予め設定された最適アライメントスト
ロークに基づき、カメラで捉えたＸ−Ｙ軸マトリックス
の画素濃度でパターンマッチングさせてアライメントさ
せる構成になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ダイシングにおいては
、半導体ウエーハの切削ライン（ストリート）とそれを
切削するブレードとを精密に位置合わせを行うアライメ
ントが必要である。このアライメントの精度を高めるた
めには、ウエーハ上で距離をおいた２ヵ所（アライメン
トストローク）でパターンマッチング等を行わなければ
ならない。そして割れたウエーハの如く不定形のウエー
ハについては、アライメントストローク内に収まらない
場合もあり、その都度アライメントストロークを手動で
変更しなければならない。又、フレーム上に複数のウエ
ーハが載置している場合は、夫々のウエーハについてア
ライメントストロークを設定しなければならない。
、半導体ウエーハの切削ライン（ストリート）とそれを
切削するブレードとを精密に位置合わせを行うアライメ
ントが必要である。このアライメントの精度を高めるた
めには、ウエーハ上で距離をおいた２ヵ所（アライメン
トストローク）でパターンマッチング等を行わなければ
ならない。そして割れたウエーハの如く不定形のウエー
ハについては、アライメントストローク内に収まらない
場合もあり、その都度アライメントストロークを手動で
変更しなければならない。又、フレーム上に複数のウエ
ーハが載置している場合は、夫々のウエーハについてア
ライメントストロークを設定しなければならない。
【０００５】従って、前記従来例においては、ウエーハ
が定形で且つ１つのフレームに１つのウエーハが適正に
保持されている場合に限って自動的にアライメント出来
るものであり、これが例えば同一の品種であっても、形
状の異なる（例えば５インチと６インチ）被切削物が生
産ラインに流れてくる場合に、その都度それに合った条
件のデータをマニュアルで選択しなければならず、その
選択作業が連続した自動処理の著しい障害になる。
が定形で且つ１つのフレームに１つのウエーハが適正に
保持されている場合に限って自動的にアライメント出来
るものであり、これが例えば同一の品種であっても、形
状の異なる（例えば５インチと６インチ）被切削物が生
産ラインに流れてくる場合に、その都度それに合った条
件のデータをマニュアルで選択しなければならず、その
選択作業が連続した自動処理の著しい障害になる。
【０００６】又、高価なウエーハの材料無駄を解消させ
るため、部分的に破損した状態でも使用できる部分を切
削してチップにするようにしているが、このような場合
には自動化は不可能であり、手動によってアライメント
し切削するようにしている。特に、そのようなウエーハ
の一部が欠けていて不定形で不揃いであり、且つそのウ
エーハが複数個１つのフレームに保持されている場合に
は、個々のウエーハの自動的なアライメント及び切削が
全く出来ないと言う問題点を有している。
るため、部分的に破損した状態でも使用できる部分を切
削してチップにするようにしているが、このような場合
には自動化は不可能であり、手動によってアライメント
し切削するようにしている。特に、そのようなウエーハ
の一部が欠けていて不定形で不揃いであり、且つそのウ
エーハが複数個１つのフレームに保持されている場合に
は、個々のウエーハの自動的なアライメント及び切削が
全く出来ないと言う問題点を有している。
【０００７】従って、従来例においては、形状が異なる
不定形のウエーハでも、作業性向上のために自動化によ
ってダイシング処理することに解決しなければならない
課題を有している。
不定形のウエーハでも、作業性向上のために自動化によ
ってダイシング処理することに解決しなければならない
課題を有している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記従来例の課題を解決
する具体的手段として本発明は、被加工物の大きさ、形
状及び位置を検出し、その検出した情報に基づいて前記
被加工物に適切な切削を行う切削システムを提供するも
のであり、特にウエーハを保持したフレームと、該フレ
ームに保持されたウエーハの形状及び位置を検出する第
１の検出手段と、該第１の検出手段によって検出された
情報に基づき前記ウエーハのアライメントを遂行する第
２の検出手段と、該第２の検出手段によって検出された
情報に基づいて前記ウエーハの切削を遂行する切削手段
とからなるダイシングシステムを提供するものであり、
そして、前記第１の検出手段は、Ｘ−Ｙ軸マトリックス
によってウエーハの形状及び位置を検出するものであり
、その第１の検出手段によって検出された情報に基づき
切削ストロークが制御され、前記第２の検出手段と、切
削手段とは同一の装置内に組み込まれており、第１の検
出手段は独立に又は他の装置内に組み込まれることも、
又、第１の検出手段、第２の検出手段及び切削手段が同
一装置内に組み込まれことも許容され、更に第１の検出
手段と、第２の検出手段とが共通となることも許容され
るのである。そして適用される前記フレームには２以上
のウエーハが保持されているのである。
する具体的手段として本発明は、被加工物の大きさ、形
状及び位置を検出し、その検出した情報に基づいて前記
被加工物に適切な切削を行う切削システムを提供するも
のであり、特にウエーハを保持したフレームと、該フレ
ームに保持されたウエーハの形状及び位置を検出する第
１の検出手段と、該第１の検出手段によって検出された
情報に基づき前記ウエーハのアライメントを遂行する第
２の検出手段と、該第２の検出手段によって検出された
情報に基づいて前記ウエーハの切削を遂行する切削手段
とからなるダイシングシステムを提供するものであり、
そして、前記第１の検出手段は、Ｘ−Ｙ軸マトリックス
によってウエーハの形状及び位置を検出するものであり
、その第１の検出手段によって検出された情報に基づき
切削ストロークが制御され、前記第２の検出手段と、切
削手段とは同一の装置内に組み込まれており、第１の検
出手段は独立に又は他の装置内に組み込まれることも、
又、第１の検出手段、第２の検出手段及び切削手段が同
一装置内に組み込まれことも許容され、更に第１の検出
手段と、第２の検出手段とが共通となることも許容され
るのである。そして適用される前記フレームには２以上
のウエーハが保持されているのである。
【０００９】
【作用】フレームに搭載されたウエーハが、第１の検出
手段によりその大きさ形状及び数並びに塔載位置がＸ−
Ｙ軸マトリックス（例えばＣＣＤカメラの２５６×２５
６の画素によって構成されるＸ−Ｙ軸マトリックス）上
で検出され、その検出された情報がデータとして記憶さ
れることにより、そのデータに基づきウエーハ毎に第２
の検出手段によって精密アライメントされると共に切削
ストロークが特定され、従来のパターンマッチングで不
可能であった大きさ形状が異なるウエーハでも、全て自
動的に且つ適正にダイシングすることが出来るのである
。
手段によりその大きさ形状及び数並びに塔載位置がＸ−
Ｙ軸マトリックス（例えばＣＣＤカメラの２５６×２５
６の画素によって構成されるＸ−Ｙ軸マトリックス）上
で検出され、その検出された情報がデータとして記憶さ
れることにより、そのデータに基づきウエーハ毎に第２
の検出手段によって精密アライメントされると共に切削
ストロークが特定され、従来のパターンマッチングで不
可能であった大きさ形状が異なるウエーハでも、全て自
動的に且つ適正にダイシングすることが出来るのである
。
【００１０】
【実施例】図１に示した第１実施例において、１は認識
手段及び記憶部を含む制御部であり、該制御部１は第１
の検出手段２と第２の検出手段３と切削手段８の制御に
関与する。そして、これ等検出手段は第１の検出ポジシ
ョン４と第２の検出ポジション５とに配設され、第１の
検出ポジションにおいては被加工物であるウエーハ６の
大きさ、形状、位置、数等の状態を検出し、第２のポジ
ションにおいてはウエーハの切削のための精密アライメ
ントをするようになっている。これ等検出手段は例えば
２５６×２５６画素からなるＣＣＤカメラが使用される
。そして、ウエーハ６は所定の保持手段、例えば台又は
テーブル７上に保持され、前記検出手段の情報に基づく
データにより、切削領域Ａにおい所定の切削手段、即ち
ブレード８によって切削されるようになっている。
手段及び記憶部を含む制御部であり、該制御部１は第１
の検出手段２と第２の検出手段３と切削手段８の制御に
関与する。そして、これ等検出手段は第１の検出ポジシ
ョン４と第２の検出ポジション５とに配設され、第１の
検出ポジションにおいては被加工物であるウエーハ６の
大きさ、形状、位置、数等の状態を検出し、第２のポジ
ションにおいてはウエーハの切削のための精密アライメ
ントをするようになっている。これ等検出手段は例えば
２５６×２５６画素からなるＣＣＤカメラが使用される
。そして、ウエーハ６は所定の保持手段、例えば台又は
テーブル７上に保持され、前記検出手段の情報に基づく
データにより、切削領域Ａにおい所定の切削手段、即ち
ブレード８によって切削されるようになっている。
【００１１】これに限定されるものではないが、ウエー
ハ６は、図２に示したように、一つのフレーム９に対し
て複数（例えば３枚）のウエーハ６ａ，６ｂ，６ｃが搭
載されたものであり、しかもこれ等ウエーハは、部分的
に欠損したものであって、その形状及び大きさが夫々不
揃いで不定形のものであり、一応目分量で各ウエーハの
ストリートａ，ｂを揃えて搭載したものである。尚、１
０はウエーハを搭載するためのフィルムである。
ハ６は、図２に示したように、一つのフレーム９に対し
て複数（例えば３枚）のウエーハ６ａ，６ｂ，６ｃが搭
載されたものであり、しかもこれ等ウエーハは、部分的
に欠損したものであって、その形状及び大きさが夫々不
揃いで不定形のものであり、一応目分量で各ウエーハの
ストリートａ，ｂを揃えて搭載したものである。尚、１
０はウエーハを搭載するためのフィルムである。
【００１２】このようなウエーハ６ａ〜６ｃを搭載した
フレーム９を前記第１の検出ポジション４において、第
１の検出手段２によって全体を撮像し、ウエーハの状態
を検出する。この場合の状態とは、フレーム９に搭載さ
れているウエーハ６ａ〜６ｃの夫々の大きさ及び形状と
その数と、又必要に応じて例えば特開昭６０−５４４５
４号公報に開示された如く、公知の手段によりウエーハ
のストリートの大まかな傾斜角度Θと、そして更に、そ
れ等のウエーハ６ａ〜６ｃがＸ−Ｙ軸マトリックスにお
いてどの位置に存在するかを検出し、これ等に基づくア
ライメントストローク及び切削ストロークの情報を前記
制御部１に記憶させる。
フレーム９を前記第１の検出ポジション４において、第
１の検出手段２によって全体を撮像し、ウエーハの状態
を検出する。この場合の状態とは、フレーム９に搭載さ
れているウエーハ６ａ〜６ｃの夫々の大きさ及び形状と
その数と、又必要に応じて例えば特開昭６０−５４４５
４号公報に開示された如く、公知の手段によりウエーハ
のストリートの大まかな傾斜角度Θと、そして更に、そ
れ等のウエーハ６ａ〜６ｃがＸ−Ｙ軸マトリックスにお
いてどの位置に存在するかを検出し、これ等に基づくア
ライメントストローク及び切削ストロークの情報を前記
制御部１に記憶させる。
【００１３】前記第２の検出ポジション５においては、
前記第１のポジション４において得られた情報に基づき
、各ウエーハ６ａ〜６ｃが存在する位置において、夫々
前記従来例■の公報に示される如く、公知のパターンマ
ッチング手段によって精密にアライメントされ情報とし
て検出される。
前記第１のポジション４において得られた情報に基づき
、各ウエーハ６ａ〜６ｃが存在する位置において、夫々
前記従来例■の公報に示される如く、公知のパターンマ
ッチング手段によって精密にアライメントされ情報とし
て検出される。
【００１４】即ち、フレーム９に搭載されている各ウエ
ーハについて、例えばウエーハ６ａの切削のためのスト
リートａ，ｂが、Ｘ−Ｙ軸とどの程度位置ずれしている
か及び角度的にどの程度傾いているかを精密に検出し、
Ｘ−Ｙ軸における位置ずれと、その傾斜角度を情報とし
て記憶するようにすると共に、そのウエーハ６ａの大き
さ形状に対応して切削手段８の切削ストロークが、例え
ば図３に示したようなＸ軸方向のストロークと、図４に
示したようなＹ軸方向のストロークとが夫々について検
出確認され、これ等の検出が情報として制御部１に記憶
される。そして、他のウエーハ６ｂ，６ｃについても前
記同様に、その傾斜角度と切削ストロークとが検出確認
され夫々について制御部１に記憶される。
ーハについて、例えばウエーハ６ａの切削のためのスト
リートａ，ｂが、Ｘ−Ｙ軸とどの程度位置ずれしている
か及び角度的にどの程度傾いているかを精密に検出し、
Ｘ−Ｙ軸における位置ずれと、その傾斜角度を情報とし
て記憶するようにすると共に、そのウエーハ６ａの大き
さ形状に対応して切削手段８の切削ストロークが、例え
ば図３に示したようなＸ軸方向のストロークと、図４に
示したようなＹ軸方向のストロークとが夫々について検
出確認され、これ等の検出が情報として制御部１に記憶
される。そして、他のウエーハ６ｂ，６ｃについても前
記同様に、その傾斜角度と切削ストロークとが検出確認
され夫々について制御部１に記憶される。
【００１５】前記第１の検出手段２は、１つの独立した
装置として形成しても良く、又他の装置に組み込んで設
けても良い。例えば、第１の検出手段は、フレーム９に
対して夫々のウエーハ６ａ〜６ｃを搭載する、所謂ウエ
ーハ搭載装置に設けるか、又はダイシング装置に前記第
２の検出手段３と別に又は一緒にして設けても良い。
装置として形成しても良く、又他の装置に組み込んで設
けても良い。例えば、第１の検出手段は、フレーム９に
対して夫々のウエーハ６ａ〜６ｃを搭載する、所謂ウエ
ーハ搭載装置に設けるか、又はダイシング装置に前記第
２の検出手段３と別に又は一緒にして設けても良い。
【００１６】その例を第２実施例として図５に示してあ
る。即ち第１の検出手段２と第２の検出手段３とを一緒
にして１つの検出手段１１とし、該検出手段１１は前記
同様のＣＣＤカメラが使用される。そして、前記同様に
フレーム９に搭載された各ウエーハ６ａ〜６ｃについて
、夫々その大きさ及び形状を検出すると共に、夫々のウ
エーハがＸ−Ｙ軸マトリックス（例えばＣＣＤカメラの
２５６×２５６の画素によって構成されるマトリックス
）においてどの位置に存在するかを情報として前記制御
部１に記憶される。
る。即ち第１の検出手段２と第２の検出手段３とを一緒
にして１つの検出手段１１とし、該検出手段１１は前記
同様のＣＣＤカメラが使用される。そして、前記同様に
フレーム９に搭載された各ウエーハ６ａ〜６ｃについて
、夫々その大きさ及び形状を検出すると共に、夫々のウ
エーハがＸ−Ｙ軸マトリックス（例えばＣＣＤカメラの
２５６×２５６の画素によって構成されるマトリックス
）においてどの位置に存在するかを情報として前記制御
部１に記憶される。
【００１７】同時に、各ウエーハの切削ストリートが、
Ｘ−Ｙ軸マトリックスにおいて角度的にどの程度傾斜し
ているかを検出し、且つその大きさ形状に対応して切削
ストロークも検出され、これ等が情報及びデータとして
制御部１に記憶される。尚、フレーム９は台又はテーブ
ル７上に載置され、切削領域Ａにおいて切削手段８によ
って良好に切削されることは、前記実施例と同様である
。
Ｘ−Ｙ軸マトリックスにおいて角度的にどの程度傾斜し
ているかを検出し、且つその大きさ形状に対応して切削
ストロークも検出され、これ等が情報及びデータとして
制御部１に記憶される。尚、フレーム９は台又はテーブ
ル７上に載置され、切削領域Ａにおいて切削手段８によ
って良好に切削されることは、前記実施例と同様である
。
【００１８】前記いずれの実施例においても、フレーム
９に搭載された単数又は複数のウエーハについてその大
きさ形状とその塔載位置、及び切削ストリートがＸ−Ｙ
軸マトリックスにおいて検出記憶され、同時にその大き
さ形状に対応して切削ストロークも検出記憶され、それ
等の情報によってダイシングが精度良く且つ確実に行わ
れるのである。
９に搭載された単数又は複数のウエーハについてその大
きさ形状とその塔載位置、及び切削ストリートがＸ−Ｙ
軸マトリックスにおいて検出記憶され、同時にその大き
さ形状に対応して切削ストロークも検出記憶され、それ
等の情報によってダイシングが精度良く且つ確実に行わ
れるのである。
【００１９】本発明のシステムについて、図６のフロー
チャトを用いてダイシングの状況を説明すると、第１の
ステップ■においてフレーム９に搭載した１枚の又は２
枚以上のウエーハが第１の検出手段２の第１のポジショ
ン４に供給され、第２のステップ■における第１のポジ
ション４で第１の検出手段２によりウエーハの状態検出
が行われる、即ちＸ−Ｙ軸マトリックスに対応するウエ
ーハの大きさ形状及び位置が情報として検出される。
チャトを用いてダイシングの状況を説明すると、第１の
ステップ■においてフレーム９に搭載した１枚の又は２
枚以上のウエーハが第１の検出手段２の第１のポジショ
ン４に供給され、第２のステップ■における第１のポジ
ション４で第１の検出手段２によりウエーハの状態検出
が行われる、即ちＸ−Ｙ軸マトリックスに対応するウエ
ーハの大きさ形状及び位置が情報として検出される。
【００２０】そして、第３ステップ■において、前記検
出情報に基づいて、ウエーハの最適アライメントストロ
ークの算出、Ｘ−Ｙ軸マトリックスに対しての切削スト
リートの大まかな傾斜角度、大きさ形状に対する切削ス
トロークを算出してそのデータを第４ステップ■におい
て情報として制御部１に転送記憶させる。
出情報に基づいて、ウエーハの最適アライメントストロ
ークの算出、Ｘ−Ｙ軸マトリックスに対しての切削スト
リートの大まかな傾斜角度、大きさ形状に対する切削ス
トロークを算出してそのデータを第４ステップ■におい
て情報として制御部１に転送記憶させる。
【００２１】第５ステップ■において、前記第１の検出
手段２の情報に基づき第２の検出手段３によって、最適
アライメントストロークにしたがって例えばパターンマ
ッチング手段によりフレーム上のウエーハの夫々につい
て精密アライメントを遂行し、そのアライメント情報を
制御部１に転送記憶させる。第６ステップ■で切削領域
Ａにおいて、第１の検出手段２によって得られた制御部
１に記憶されている切削ストロークの情報と、第２の検
出手段３によって得られた制御部１に記憶されているア
ライメント情報に基づきウエーハを切削する。そして、
第７ステップ■により、切削されたウエーハを洗浄して
ダイシング工程が終了し、洗浄されたウエーハ即ちフレ
ームは次の工程に送り出される。
手段２の情報に基づき第２の検出手段３によって、最適
アライメントストロークにしたがって例えばパターンマ
ッチング手段によりフレーム上のウエーハの夫々につい
て精密アライメントを遂行し、そのアライメント情報を
制御部１に転送記憶させる。第６ステップ■で切削領域
Ａにおいて、第１の検出手段２によって得られた制御部
１に記憶されている切削ストロークの情報と、第２の検
出手段３によって得られた制御部１に記憶されているア
ライメント情報に基づきウエーハを切削する。そして、
第７ステップ■により、切削されたウエーハを洗浄して
ダイシング工程が終了し、洗浄されたウエーハ即ちフレ
ームは次の工程に送り出される。
【００２２】前記第２実施例においては、第２ステップ
■から第５ステップ■迄を第１、第２の検出手段を共通
させた１つの検出手段１１で行い、そのデータに基づき
第６〜７のステップを順次行うのである。そして、各供
給されたフレーム毎に前記ステップを繰り返し行い、各
フレーム毎に搭載されたウエーハの大きさ形状及び数（
１枚又は複数枚）が相違していても、連続して適正なダ
イシングが行えるのである。尚、前記実施例においては
、半導体ウエーハを被加工物として説明したが、これに
限定されるものではなく、例えばフェライト、貴金属等
であっても同様である。
■から第５ステップ■迄を第１、第２の検出手段を共通
させた１つの検出手段１１で行い、そのデータに基づき
第６〜７のステップを順次行うのである。そして、各供
給されたフレーム毎に前記ステップを繰り返し行い、各
フレーム毎に搭載されたウエーハの大きさ形状及び数（
１枚又は複数枚）が相違していても、連続して適正なダ
イシングが行えるのである。尚、前記実施例においては
、半導体ウエーハを被加工物として説明したが、これに
限定されるものではなく、例えばフェライト、貴金属等
であっても同様である。
【００２３】又、前記各実施例においては、検出手段と
してＣＣＤカメラが用いられているが、これに限定され
るものではなく、例えば超音波検出手段、レーザー光検
出手段などの種々の検出手段を用いることができる。
してＣＣＤカメラが用いられているが、これに限定され
るものではなく、例えば超音波検出手段、レーザー光検
出手段などの種々の検出手段を用いることができる。
【００２４】この場合の検出、即ち、超音波検出手段又
はレーザー光検出手段を用いて被加工物の大きさ、形状
及び位置などを検出する場合には、図７〜９に示したよ
うにして行うものである。
はレーザー光検出手段を用いて被加工物の大きさ、形状
及び位置などを検出する場合には、図７〜９に示したよ
うにして行うものである。
【００２５】この検出について説明すると、検出手段を
走査し（図７）て被加工物６ｄとそれを保持する保持手
段１０ａの上面との段差ｆを検出するか、又は光の跳ね
返り量の違いを検出して（図８）、被加工物６ｄと保持
手段１０ａとの境界点（ｅ１〜ｅｎ ）をＸＹ座標軸（
ＸＹ軸マトリックス）上にプロットすること（図９）で
、被加工物６ｄの大きさ、形状、位置等の状態が検出さ
れる。そして、その後に前記第１実施例又は第２実施例
と同様な手段で切削が遂行されるのである。
走査し（図７）て被加工物６ｄとそれを保持する保持手
段１０ａの上面との段差ｆを検出するか、又は光の跳ね
返り量の違いを検出して（図８）、被加工物６ｄと保持
手段１０ａとの境界点（ｅ１〜ｅｎ ）をＸＹ座標軸（
ＸＹ軸マトリックス）上にプロットすること（図９）で
、被加工物６ｄの大きさ、形状、位置等の状態が検出さ
れる。そして、その後に前記第１実施例又は第２実施例
と同様な手段で切削が遂行されるのである。
【００２６】更に、ＣＣＤカメラと超音波又はレーザー
光検出手段との組み合わせの如く、異種の検出手段の組
み合わせも本発明の主旨に反しない限り、本発明の技術
的思想の範囲に含まれるものである。
光検出手段との組み合わせの如く、異種の検出手段の組
み合わせも本発明の主旨に反しない限り、本発明の技術
的思想の範囲に含まれるものである。
【００２７】
【発明の効果】本発明に係る切削及びダイシングシステ
ムは、先ず第一に、ウエーハを保持したフレームと、該
フレームに保持されたウエーハの形状及び位置をＸ−Ｙ
軸マトリックス上で検出する第１の検出手段と、該第１
の検出手段によって検出された情報に基づき前記ウエー
ハのアライメントを遂行する第２の検出手段と、該第２
の検出手段によって検出された情報に基づいて前記ウエ
ーハの切削を遂行する切削手段とからなるものであり、
前記第１の検出手段によって、不定形及び不揃いのウエ
ーハの形状及び位置をＸ−Ｙ軸マトリックス上で検出し
、その情報に基づいて第２の検出手段により精密アライ
メントが正確に行われ、マニュアルでしかダイシング出
来なかった不定形のウエーハであっても単数複数にかか
わりなく、ウエーハを自動的に且つ正確にダイシングす
ることが出来る。
ムは、先ず第一に、ウエーハを保持したフレームと、該
フレームに保持されたウエーハの形状及び位置をＸ−Ｙ
軸マトリックス上で検出する第１の検出手段と、該第１
の検出手段によって検出された情報に基づき前記ウエー
ハのアライメントを遂行する第２の検出手段と、該第２
の検出手段によって検出された情報に基づいて前記ウエ
ーハの切削を遂行する切削手段とからなるものであり、
前記第１の検出手段によって、不定形及び不揃いのウエ
ーハの形状及び位置をＸ−Ｙ軸マトリックス上で検出し
、その情報に基づいて第２の検出手段により精密アライ
メントが正確に行われ、マニュアルでしかダイシング出
来なかった不定形のウエーハであっても単数複数にかか
わりなく、ウエーハを自動的に且つ正確にダイシングす
ることが出来る。
【００２８】第二に、前記第１の検出手段は、Ｘ−Ｙマ
トリックスによってウエーハの形状及び位置を検出する
ものであり、その第１の検出手段によって検出された情
報に基づき切削ストロークが制御されるものであるため
、切削効率が高くなり、従来のものに比しスループット
が１．５倍程度高まったことが確認されている。又、フ
レームに複数のウエーハが搭載されていても、他のウエ
ーハに影響を及ぼすことなく、各ウエーハ毎に無駄の動
きがなくダイシングを遂行できる。
トリックスによってウエーハの形状及び位置を検出する
ものであり、その第１の検出手段によって検出された情
報に基づき切削ストロークが制御されるものであるため
、切削効率が高くなり、従来のものに比しスループット
が１．５倍程度高まったことが確認されている。又、フ
レームに複数のウエーハが搭載されていても、他のウエ
ーハに影響を及ぼすことなく、各ウエーハ毎に無駄の動
きがなくダイシングを遂行できる。
【００２９】第三に、第２の検出手段と、切削手段とは
同一の装置内に組み込んだり、第１の検出手段を独立に
又は他の装置内に組み込んだり、又、第１の検出手段、
第２の検出手段及び切削手段が同一装置内に組み込まれ
ことも自由であり、更に第１の検出手段と、第２の検出
手段とが共通となることも自由であるので、従来使用さ
れているダイシング装置を簡単にグレードアップするこ
とが出来る。
同一の装置内に組み込んだり、第１の検出手段を独立に
又は他の装置内に組み込んだり、又、第１の検出手段、
第２の検出手段及び切削手段が同一装置内に組み込まれ
ことも自由であり、更に第１の検出手段と、第２の検出
手段とが共通となることも自由であるので、従来使用さ
れているダイシング装置を簡単にグレードアップするこ
とが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のダイシングシステムの第１実施例を略
示的に示した説明図である。
示的に示した説明図である。
【図２】複数の不定形及び不揃いのウエーハを搭載した
フレームの平面図である。
フレームの平面図である。
【図３】１つのウエーハにおいて、Ｘ軸方向の切削スト
ロークを示す説明図である。
ロークを示す説明図である。
【図４】１つのウエーハにおいて、Ｙ軸方向の切削スト
ロークを示す説明図である。
ロークを示す説明図である。
【図５】本発明のダイシングシステムの第２実施例を略
示的に示した説明図である。
示的に示した説明図である。
【図６】本発明のダイシングシステムにおけるダイシン
グステップを示すフローチャート図である。
グステップを示すフローチャート図である。
【図７】本発明の切削及びダイシングシステムに適用で
きる被加工物の検出手段の他の例を示す説明図である。
きる被加工物の検出手段の他の例を示す説明図である。
【図８】図７に示した他の例の検出手段の段差による検
出の説明図である。
出の説明図である。
【図９】図７に示した他の例の検出手段の段差によって
検出された位置のプロットを説明ためのグラフである。
検出された位置のプロットを説明ためのグラフである。
１ 制御部
２ 第１の検出手段
３ 第２の検出手段
４ 第１のポジション
５ 第２のポジション
６，６ａ，６ｂ，６ｃ ウエーハ
６ｄ 被加工物
７ 台又はテーブル
８ 切削手段
９ フレーム
１０ フィルム
１０ａ 保持手段
１１ 検出手段
Ａ 切削領域
Claims (8)
- 【請求項１】 被加工物の大きさ、形状及び位置を検
出し、その検出した情報に基づいて前記被加工物に適切
な切削を遂行する切削システム。 - 【請求項２】 ウエーハを保持したフレームと、該フ
レームに保持されたウエーハの形状及び位置を検出する
第１の検出手段と、該第１の検出手段によって検出され
た情報に基づき前記ウエーハのアライメントを遂行する
第２の検出手段と、該第２の検出手段によって検出され
た情報に基づいて前記ウエーハの切削を遂行する切削手
段とからなるダイシングシステム。 - 【請求項３】 第１の検出手段は、Ｘ−Ｙ軸マトリッ
クスによってウエーハの形状及び位置を検出する請求項
２記載のダイシングシステム。 - 【請求項４】 第１の検出手段によって検出された情
報に基づき切削ストロークが制御される請求項２又は３
記載のダイシングシステム。 - 【請求項５】 フレームには２以上のウエーハが保持
されている請求項２，３又は４記載のダイシングシステ
ム。 - 【請求項６】 第２の検出手段と、切削手段とは同一
の装置内に組み込まれており、第１の検出手段は独立に
又は他の装置内に組み込まれている請求項２，３，４又
は５記載のダイシングシステム。 - 【請求項７】 第１の検出手段、第２の検出手段及び
切削手段が同一装置内に組み込まれている請求項２，２
，４又は５記載のダイシングシステム。 - 【請求項８】 第１の検出手段と、第２の検出手段と
が共通となっている請求項７記載のダイシングシステム
。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22239091A JP3173052B2 (ja) | 1990-12-12 | 1991-08-08 | 半導体ウェーハのダイシング方法 |
| TW080109558A TW201862B (ja) | 1990-12-12 | 1991-12-06 | |
| EP91121103A EP0490324B1 (en) | 1990-12-12 | 1991-12-09 | Cutting system |
| DE69125112T DE69125112T2 (de) | 1990-12-12 | 1991-12-09 | Schneidsystem |
| SG1996009065A SG64371A1 (en) | 1991-08-08 | 1991-12-09 | Cutting system |
| KR1019910022542A KR0142223B1 (ko) | 1990-12-12 | 1991-12-10 | 워크피스 컷팅방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40989490 | 1990-12-12 | ||
| JP2-409894 | 1990-12-12 | ||
| JP22239091A JP3173052B2 (ja) | 1990-12-12 | 1991-08-08 | 半導体ウェーハのダイシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363047A true JPH04363047A (ja) | 1992-12-15 |
| JP3173052B2 JP3173052B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=26524856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22239091A Expired - Fee Related JP3173052B2 (ja) | 1990-12-12 | 1991-08-08 | 半導体ウェーハのダイシング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0490324B1 (ja) |
| JP (1) | JP3173052B2 (ja) |
| KR (1) | KR0142223B1 (ja) |
| DE (1) | DE69125112T2 (ja) |
| TW (1) | TW201862B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6014965A (en) * | 1993-08-19 | 2000-01-18 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Apparatus for recognizing the shape of a semiconductor wafer |
| JP2001196328A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Ｃｓｐ基板の分割方法 |
| USRE39018E1 (en) | 1997-12-01 | 2006-03-21 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | High speed method of aligning cutting lines of a workplace using patterns |
| JP2006286763A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
| JP2006320940A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Laser Solutions Co Ltd | レーザ加工装置における加工範囲設定方法、および加工範囲設定プログラム |
| JP2008153338A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| KR20150052182A (ko) * | 2012-08-31 | 2015-05-13 | 세미컨덕터 테크놀로지스 앤드 인스트루먼츠 피티이 엘티디 | 필름 프레임 상의 웨이퍼의 회전 정렬불량을 자동 수정하기 위한 시스템 및 방법 |
| JP2015188027A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-29 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4657585B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2011-03-23 | 株式会社ディスコ | 半導体ウェーハの分割方法 |
| DE102008007603B4 (de) * | 2007-02-02 | 2014-02-13 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur besseren Ausnutzung von Halbleitermaterial |
| DE102014118833A1 (de) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Mechatronic Systemtechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Vorausrichten eines flachen Substrats |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0004170A1 (en) * | 1978-03-09 | 1979-09-19 | GULF & WESTERN CORPORATION | Method, system and apparatus for cutting profiles from natural leaves |
| JPS60100450A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Disco Abrasive Sys Ltd | 半導体ウエーハ装着及び切断装置 |
| US4856904A (en) * | 1985-01-21 | 1989-08-15 | Nikon Corporation | Wafer inspecting apparatus |
-
1991
- 1991-08-08 JP JP22239091A patent/JP3173052B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-06 TW TW080109558A patent/TW201862B/zh not_active IP Right Cessation
- 1991-12-09 DE DE69125112T patent/DE69125112T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-09 EP EP91121103A patent/EP0490324B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-10 KR KR1019910022542A patent/KR0142223B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6014965A (en) * | 1993-08-19 | 2000-01-18 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Apparatus for recognizing the shape of a semiconductor wafer |
| USRE39018E1 (en) | 1997-12-01 | 2006-03-21 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | High speed method of aligning cutting lines of a workplace using patterns |
| JP2001196328A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Ｃｓｐ基板の分割方法 |
| JP2006286763A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
| JP4648056B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-03-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
| JP2006320940A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Laser Solutions Co Ltd | レーザ加工装置における加工範囲設定方法、および加工範囲設定プログラム |
| JP4671760B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2011-04-20 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザ加工装置における加工範囲設定方法、および加工範囲設定プログラム |
| JP2008153338A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| KR20150052182A (ko) * | 2012-08-31 | 2015-05-13 | 세미컨덕터 테크놀로지스 앤드 인스트루먼츠 피티이 엘티디 | 필름 프레임 상의 웨이퍼의 회전 정렬불량을 자동 수정하기 위한 시스템 및 방법 |
| JP2015529979A (ja) * | 2012-08-31 | 2015-10-08 | セミコンダクター テクノロジーズ アンド インストゥルメンツ ピーティーイー リミテッド | フィルムフレーム上のウェハーの回転ミスアライメントを自動的に訂正するためのシステム及び方法 |
| JP2015188027A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-29 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201862B (ja) | 1993-03-11 |
| EP0490324A1 (en) | 1992-06-17 |
| DE69125112T2 (de) | 1997-06-19 |
| KR0142223B1 (ko) | 1998-07-15 |
| JP3173052B2 (ja) | 2001-06-04 |
| KR920013637A (ko) | 1992-07-29 |
| DE69125112D1 (de) | 1997-04-17 |
| EP0490324B1 (en) | 1997-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5519047B1 (ja) | 切削工具検査装置 | |
| JPH04363047A (ja) | 半導体ウェーハのダイシング方法 | |
| CN103785957A (zh) | 激光加工装置及具有图案的基板的加工条件设定方法 | |
| TWI681853B (zh) | 刻劃裝置 | |
| JP7208732B2 (ja) | アライメント方法 | |
| US6174788B1 (en) | Partial semiconductor wafer processing with multiple cuts of random sizes | |
| US6156625A (en) | Partial semiconductor wafer processing using wafermap display | |
| JP4381755B2 (ja) | 切削装置 | |
| US6216055B1 (en) | Partial semiconductor wafer processing | |
| CN103785954A (zh) | 激光加工装置 | |
| JP7088771B2 (ja) | アライメント方法 | |
| JP4436641B2 (ja) | 切削装置におけるアライメント方法 | |
| JP3696426B2 (ja) | パターン欠陥修正装置 | |
| JPH112510A (ja) | 切削溝深さの検出方法 | |
| JPH0569301B2 (ja) | ||
| JPS6265436A (ja) | ダイボンダにおけるウエハ−位置制御方法 | |
| JP2015069976A (ja) | 加工方法 | |
| JP3163614B2 (ja) | ワークの切削方法及び装置 | |
| KR20220064306A (ko) | 다이싱 장치의 판정 방법 및 다이싱 장치 | |
| JP5782348B2 (ja) | 位置検出装置、描画装置、および、位置検出方法 | |
| JP2018032811A (ja) | 切削装置 | |
| JP3724256B2 (ja) | 基板の切断方法及び装置 | |
| CN217086534U (zh) | 晶圆打点装置 | |
| US20230249284A1 (en) | Alignment method | |
| JP2002254275A (ja) | 数値製御工作機械による加工品の検査方法、および検査治具 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080330 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090330 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |