JPH04332115A - Ｘ線リソグラフィ−マスク用ｘ線透過膜 - Google Patents
Ｘ線リソグラフィ−マスク用ｘ線透過膜Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
-
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/36—Carbonitrides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線リソグラフィ−マス
ク用Ｘ線透過膜、特には表面平滑性がすぐれており、優
れた可視光透過率を有し、耐高エネルギ−ビ−ム照射性
、耐薬品性、耐湿性で、傷、ピンホ−ルのないＸ線リソ
グラフィ−マスク用Ｘ線透過膜に関するものである。
ク用Ｘ線透過膜、特には表面平滑性がすぐれており、優
れた可視光透過率を有し、耐高エネルギ−ビ−ム照射性
、耐薬品性、耐湿性で、傷、ピンホ−ルのないＸ線リソ
グラフィ−マスク用Ｘ線透過膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線リソグラフィ−マスク用Ｘ線透過膜
（メンブレン）に要求される重要な性能としては（１）
高エネルギ−電子線やシンクロトロンオ−ビタル放射
光（以下ＳＯＲと略記する）の様な高エネルギ−ビ−ム
の照射に耐える材料であること、（２） ５０％以上の
高い可視光透過率を有し、高精度なアライメント（位置
合せ）ができること、（３） 良好な耐薬品性や耐湿性
を有し、エッチング工程や洗浄工程で損傷されにくいこ
と、（４） メンブレンの表面が平滑で、傷やピンホ−
ルが無いこと等が挙げられる。
（メンブレン）に要求される重要な性能としては（１）
高エネルギ−電子線やシンクロトロンオ−ビタル放射
光（以下ＳＯＲと略記する）の様な高エネルギ−ビ−ム
の照射に耐える材料であること、（２） ５０％以上の
高い可視光透過率を有し、高精度なアライメント（位置
合せ）ができること、（３） 良好な耐薬品性や耐湿性
を有し、エッチング工程や洗浄工程で損傷されにくいこ
と、（４） メンブレンの表面が平滑で、傷やピンホ−
ルが無いこと等が挙げられる。
【０００３】しかして、従来Ｘ線リソグラフィ−マスク
用Ｘ線透過膜としては窒化ほう素（ＢＮ）、窒化けい素
（Ｓｉ３ Ｎ４）、炭化けい素（ＳｉＣ）などからなる
ものが提案されているが、これらはいずれも一長一短が
あり、前記した性能をすべて満足するものは得られてい
ない。
用Ｘ線透過膜としては窒化ほう素（ＢＮ）、窒化けい素
（Ｓｉ３ Ｎ４）、炭化けい素（ＳｉＣ）などからなる
ものが提案されているが、これらはいずれも一長一短が
あり、前記した性能をすべて満足するものは得られてい
ない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この公知のものの中で
最も有力とされているものは化学気相蒸着法（以下ＣＶ
Ｄ法と略記する）、スパッタ−法、プラズマＣＶＤ法な
どによって成膜された炭化けい素（ＳｉＣ）膜であるが
、この熱ＣＶＤ法で作られたＳｉＣ膜は結晶性が高く、
耐放射線性がすぐれていることから、耐高エネルギ−ビ
−ム性もすぐれたものであるけれども、このものは表面
平滑性が非常にわるいために、これは研磨したり、エッ
チングしたりして表面平滑性を改善しなくてはデザイン
ル−ル０．５μｍ 以下といった超ＬＳＩの製造用Ｘ線
マスクメンブレンとしては使用できないという不利があ
り、コストも高いものになるという欠点がある。
最も有力とされているものは化学気相蒸着法（以下ＣＶ
Ｄ法と略記する）、スパッタ−法、プラズマＣＶＤ法な
どによって成膜された炭化けい素（ＳｉＣ）膜であるが
、この熱ＣＶＤ法で作られたＳｉＣ膜は結晶性が高く、
耐放射線性がすぐれていることから、耐高エネルギ−ビ
−ム性もすぐれたものであるけれども、このものは表面
平滑性が非常にわるいために、これは研磨したり、エッ
チングしたりして表面平滑性を改善しなくてはデザイン
ル−ル０．５μｍ 以下といった超ＬＳＩの製造用Ｘ線
マスクメンブレンとしては使用できないという不利があ
り、コストも高いものになるという欠点がある。
【０００５】また、このＳｉＣ膜についてはこれをプラ
ズマＣＶＤ法で成膜すると、このものは表面平滑性や可
視光透過率は優れているものの、多量の水素を含有して
おり、ＳＯＲのような高エネルギ−ビ−ムを照射すると
この水素が脱離するためにその膜に歪が生ずるという致
命的な欠点があり、さらにスパッタ−法により成膜した
ＳｉＣ膜は水素を全く含んでおらず、表面平滑性もすぐ
れているけれども、可視光透過率が４０％程度と低く、
非晶質構造で結晶化し易いために、ＳＯＲのような高エ
ネルギ−ビ−ムを照射すると膜が歪むという不利がある
。
ズマＣＶＤ法で成膜すると、このものは表面平滑性や可
視光透過率は優れているものの、多量の水素を含有して
おり、ＳＯＲのような高エネルギ−ビ−ムを照射すると
この水素が脱離するためにその膜に歪が生ずるという致
命的な欠点があり、さらにスパッタ−法により成膜した
ＳｉＣ膜は水素を全く含んでおらず、表面平滑性もすぐ
れているけれども、可視光透過率が４０％程度と低く、
非晶質構造で結晶化し易いために、ＳＯＲのような高エ
ネルギ−ビ−ムを照射すると膜が歪むという不利がある
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不利
を解決したＸ線リソグラフィ−マスク用Ｘ線透過膜に関
するもので、これはけい素、炭素、窒素がそのいずれか
に含まれている１種類以上の化合物からＣＶＤ法によっ
て得られる、けい素、炭素、窒素の三元素からなる無機
薄膜を主材としてなることを特徴とするものである。
を解決したＸ線リソグラフィ−マスク用Ｘ線透過膜に関
するもので、これはけい素、炭素、窒素がそのいずれか
に含まれている１種類以上の化合物からＣＶＤ法によっ
て得られる、けい素、炭素、窒素の三元素からなる無機
薄膜を主材としてなることを特徴とするものである。
【０００７】すなわち、本発明者らは上記したように熱
ＣＶＤ法で得られたＳｉＣ膜が数々のすぐれた特性を有
しながら、表面平滑性がわるいために使い難いものにな
っていることに注目し、この表面平滑性を向上させるた
めの方法について種々検討した結果、熱ＣＶＤ法でＳｉ
Ｃ膜を形成させる際に、Ｓｉ源とＣ源となる原料、例え
ばジクロロシラン（ＳｉＨ２ Ｃｌ２）とプロパン（Ｃ
３ Ｈ８）にＮ源としてのＮＨ３ を混入させてＳｉＣ
ｘ Ｎｙ で示される膜体を作ったところ、表面平滑性
のすぐれた膜体を得ることができることを見出すと共に
、このものは可視光透過率も７５〜８５％であり、膜中
の水素含有量も、ＲＢＳ−ＨＦＳ法で０．５原子％で、
膜の構造が非晶質であるにも拘わらず、高エネルギ−ビ
−ムを照射しても歪が生じないので高い耐ＳＯＲ性をも
つものであることを確認して本発明を完成させた。以下
にこれをさらに詳述する。
ＣＶＤ法で得られたＳｉＣ膜が数々のすぐれた特性を有
しながら、表面平滑性がわるいために使い難いものにな
っていることに注目し、この表面平滑性を向上させるた
めの方法について種々検討した結果、熱ＣＶＤ法でＳｉ
Ｃ膜を形成させる際に、Ｓｉ源とＣ源となる原料、例え
ばジクロロシラン（ＳｉＨ２ Ｃｌ２）とプロパン（Ｃ
３ Ｈ８）にＮ源としてのＮＨ３ を混入させてＳｉＣ
ｘ Ｎｙ で示される膜体を作ったところ、表面平滑性
のすぐれた膜体を得ることができることを見出すと共に
、このものは可視光透過率も７５〜８５％であり、膜中
の水素含有量も、ＲＢＳ−ＨＦＳ法で０．５原子％で、
膜の構造が非晶質であるにも拘わらず、高エネルギ−ビ
−ムを照射しても歪が生じないので高い耐ＳＯＲ性をも
つものであることを確認して本発明を完成させた。以下
にこれをさらに詳述する。
【０００８】
【作用】本発明は新規なＸ線リソグラフィ−マスク用Ｘ
線透過膜に関するものであり、これは前記したようにけ
い素、炭素、窒素を含む化合物からＣＶＤ法で得た、Ｓ
ｉＣｘ Ｎｙ を主材としてなることを特徴とするもの
である。
線透過膜に関するものであり、これは前記したようにけ
い素、炭素、窒素を含む化合物からＣＶＤ法で得た、Ｓ
ｉＣｘ Ｎｙ を主材としてなることを特徴とするもの
である。
【０００９】本発明によるＸ線リソグラフィ−マスク用
Ｘ線透過膜はけい素（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）
の三元素を含む１種類以上の化合物からＣＶＤ法で作ら
れたＳｉＣｘ Ｎｙ で示されるものを主材としてなる
ものであるが、ここに使用される化合物としては、例え
ばＳｉを含む化合物としてはＳｉＨ４ 、 ＳｉＨ２
Ｃｌ２ 、ＳｉＨＣｌ３ 、ＳｉＣｌ４ などがあげら
れ、Ｃを含む化合物としてはＣＨ４ 、Ｃ３ Ｈ８ 、
Ｃ２ Ｈ２ などが、またＮを含む化合物としてはＮＨ
３、Ｎ２ などがあげられる。
Ｘ線透過膜はけい素（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）
の三元素を含む１種類以上の化合物からＣＶＤ法で作ら
れたＳｉＣｘ Ｎｙ で示されるものを主材としてなる
ものであるが、ここに使用される化合物としては、例え
ばＳｉを含む化合物としてはＳｉＨ４ 、 ＳｉＨ２
Ｃｌ２ 、ＳｉＨＣｌ３ 、ＳｉＣｌ４ などがあげら
れ、Ｃを含む化合物としてはＣＨ４ 、Ｃ３ Ｈ８ 、
Ｃ２ Ｈ２ などが、またＮを含む化合物としてはＮＨ
３、Ｎ２ などがあげられる。
【００１０】しかして、これらの化合物はこれらがＣＶ
Ｄ法で処理されるものであることからガス状のものとす
ることがよいが、これらは液状であっても水素ガスや不
活性ガスによるバブリングで気化するもの、さらには減
圧や加熱によって気化されるものであってもよい。なお
、この化合物は上記のものに限定されず、これは例えば
メチルトリクロロシラン（ＣＨ３ ＳｉＣｌ３ ）のよ
うにＳｉとＣと２種類の元素を含むものとＮＨ３ のよ
うな原料との組合せでもよいし、さらには［Ｓｉ（ＣＨ
３）３ ］２ＮＨのようにＳｉ、Ｃ、Ｎの三種類の元素
を含むもののみを用いることも可能であるが、二つ以上
の元素が一つの化合物中に含まれている場合には目的と
するＳｉＣｘ Ｎｙ における元素の比が化合物の化学
量論比によって決まってしまい、原料中の各元素比に束
縛されて任意の比率のものを得ることが難しくなるので
、これはＳｉ、Ｃ、Ｎの各元素が二つ以上の化合物に分
れて含有される物を原料とすることが好ましい。
Ｄ法で処理されるものであることからガス状のものとす
ることがよいが、これらは液状であっても水素ガスや不
活性ガスによるバブリングで気化するもの、さらには減
圧や加熱によって気化されるものであってもよい。なお
、この化合物は上記のものに限定されず、これは例えば
メチルトリクロロシラン（ＣＨ３ ＳｉＣｌ３ ）のよ
うにＳｉとＣと２種類の元素を含むものとＮＨ３ のよ
うな原料との組合せでもよいし、さらには［Ｓｉ（ＣＨ
３）３ ］２ＮＨのようにＳｉ、Ｃ、Ｎの三種類の元素
を含むもののみを用いることも可能であるが、二つ以上
の元素が一つの化合物中に含まれている場合には目的と
するＳｉＣｘ Ｎｙ における元素の比が化合物の化学
量論比によって決まってしまい、原料中の各元素比に束
縛されて任意の比率のものを得ることが難しくなるので
、これはＳｉ、Ｃ、Ｎの各元素が二つ以上の化合物に分
れて含有される物を原料とすることが好ましい。
【００１１】本発明のＸ線リソグラフィ−マスク用Ｘ線
透過膜は上記した化合物のＣＶＤ法により作られたＳｉ
Ｃｘ Ｎｙ を主材とするものであるが、このＣＶＤ法
は公知のＣＶＤ炉で行えばよく、これは例えばホットウ
ォ−ル型の常圧ないし減圧ＣＶＤ炉、エピタキシヤルＣ
ＶＤ炉、コ−ルドウォ−ル型炉とすればよいが減圧可能
な炉であることが好ましい。このＣＶＤ法による反応は
炉内の温度が低いと膜中の水素量が増大するし、高すぎ
ると膜に結晶化が起って膜表面が荒れ、異物も混入し易
くなるので、８００ ℃〜１，５００ ℃の温度範囲で
基板の融点を越えない温度で行なうことがよいが、この
成膜を行なう基板は表面が清浄で、８００ ℃以上の高
温でも融解や軟化を起さないものであればよく、これは
シリコンウエハ−や石英板が好ましいものとされる。
透過膜は上記した化合物のＣＶＤ法により作られたＳｉ
Ｃｘ Ｎｙ を主材とするものであるが、このＣＶＤ法
は公知のＣＶＤ炉で行えばよく、これは例えばホットウ
ォ−ル型の常圧ないし減圧ＣＶＤ炉、エピタキシヤルＣ
ＶＤ炉、コ−ルドウォ−ル型炉とすればよいが減圧可能
な炉であることが好ましい。このＣＶＤ法による反応は
炉内の温度が低いと膜中の水素量が増大するし、高すぎ
ると膜に結晶化が起って膜表面が荒れ、異物も混入し易
くなるので、８００ ℃〜１，５００ ℃の温度範囲で
基板の融点を越えない温度で行なうことがよいが、この
成膜を行なう基板は表面が清浄で、８００ ℃以上の高
温でも融解や軟化を起さないものであればよく、これは
シリコンウエハ−や石英板が好ましいものとされる。
【００１２】このＣＶＤ法による反応を行なわせる原料
ガスは上記したように、Ｓｉ、Ｃ、Ｎを含有する二種以
上の化合物とされるが、この原料ガスにおけるＳｉ：Ｃ
：Ｎのモル比はＳｉ／（Ｃ＋Ｎ）が０．０５未満である
とＣおよびＮ原料ガスが未反応のまま排気されるので不
経済であり、この場合にはＣが析出し、これが２．０
を超えるとＳｉが過剰となってＳｉが析出して可視光透
過率を低下させたり、膜表面が荒れるようになり、また
Ｃ／Ｎが０．２ 未満では得られる膜体の耐ＳＯＲ性が
損なわれ、これが５．０ を超えると膜表面の凹凸が大
きくなるので、これは０．０５＜Ｓｉ／（Ｃ＋Ｎ）＜２
．０、 ０．２＜Ｃ／Ｎ＜５．０ とすることがよい。
ガスは上記したように、Ｓｉ、Ｃ、Ｎを含有する二種以
上の化合物とされるが、この原料ガスにおけるＳｉ：Ｃ
：Ｎのモル比はＳｉ／（Ｃ＋Ｎ）が０．０５未満である
とＣおよびＮ原料ガスが未反応のまま排気されるので不
経済であり、この場合にはＣが析出し、これが２．０
を超えるとＳｉが過剰となってＳｉが析出して可視光透
過率を低下させたり、膜表面が荒れるようになり、また
Ｃ／Ｎが０．２ 未満では得られる膜体の耐ＳＯＲ性が
損なわれ、これが５．０ を超えると膜表面の凹凸が大
きくなるので、これは０．０５＜Ｓｉ／（Ｃ＋Ｎ）＜２
．０、 ０．２＜Ｃ／Ｎ＜５．０ とすることがよい。
【００１３】また、この原料ガスについてはこれに含有
されるＣの割合が、５原子％未満であると目的とする薄
膜中におけるＳｉＣの量が少なくなりすぎて耐放射線性
が発揮されず、機械的強度もＳｉＮの機械的強度と変ら
ないものになってしまうし、このＣの割合が９５原子％
より多くなると物性がＳｉＣと変らないものとなり、耐
放射線性はすぐれたものとなるが表面の凹凸が大きくな
って本発明の目的が失なわれてしまうので、このＣの割
合は５〜９５原子％の範囲とすることがよく、これによ
れば得られる無機薄膜中に含まれるＳｉＣの割合が十分
なものとなり、ＳｉＣの耐放射線性も発揮される。
されるＣの割合が、５原子％未満であると目的とする薄
膜中におけるＳｉＣの量が少なくなりすぎて耐放射線性
が発揮されず、機械的強度もＳｉＮの機械的強度と変ら
ないものになってしまうし、このＣの割合が９５原子％
より多くなると物性がＳｉＣと変らないものとなり、耐
放射線性はすぐれたものとなるが表面の凹凸が大きくな
って本発明の目的が失なわれてしまうので、このＣの割
合は５〜９５原子％の範囲とすることがよく、これによ
れば得られる無機薄膜中に含まれるＳｉＣの割合が十分
なものとなり、ＳｉＣの耐放射線性も発揮される。
【００１４】このようにして得られた無機薄膜はＳｉＣ
ｘ Ｎｙで示されるものとなるが、原料ガスにおけるＳ
ｉ／（Ｃ＋Ｎ）、Ｃ／Ｎの値およびＣの割合を上記した
ような値とすると、このｘ値は０．２５〜０．８６、ｙ
値は０．１８〜１．０ となるが、ｘ値が０．２５未満
のときにはＳｉＣのもつ耐放射線性が損なわれ、これが
０．８６を超えたとき、またｙ値が０．１８未満のとき
には薄膜表面の凹凸が大きくなり、ｙ値が１．０ を超
えるとＳｉＣの耐ＳＯＲ性が損なわれる。
ｘ Ｎｙで示されるものとなるが、原料ガスにおけるＳ
ｉ／（Ｃ＋Ｎ）、Ｃ／Ｎの値およびＣの割合を上記した
ような値とすると、このｘ値は０．２５〜０．８６、ｙ
値は０．１８〜１．０ となるが、ｘ値が０．２５未満
のときにはＳｉＣのもつ耐放射線性が損なわれ、これが
０．８６を超えたとき、またｙ値が０．１８未満のとき
には薄膜表面の凹凸が大きくなり、ｙ値が１．０ を超
えるとＳｉＣの耐ＳＯＲ性が損なわれる。
【００１５】この無機薄膜の厚さは０．３ μｍ 未満
では膜の強度が不足し、３．０ μｍ を超えると膜応
力が大きくなったり、可視光透過率が不十分となるので
０．３ 〜３．０ μｍ とすることがよく、この膜厚
さのばらつき３σはこれが５％を超えるとマスク基板の
可視光透過率や応力にばらつきが生じるので５％以下と
することがよい。
では膜の強度が不足し、３．０ μｍ を超えると膜応
力が大きくなったり、可視光透過率が不十分となるので
０．３ 〜３．０ μｍ とすることがよく、この膜厚
さのばらつき３σはこれが５％を超えるとマスク基板の
可視光透過率や応力にばらつきが生じるので５％以下と
することがよい。
【００１６】また、この無機薄膜についてはその表面の
粗さＲａが０．０１μｍ を超えるとＸ線マスク基板上
に吸収体パタ−ンを形成する際の精度に問題が生じるの
で、これは０．０１μｍ 以下、好ましくは０．００５
μｍ 以下とすることがよいし、この薄膜中の水素量
はＲＢＳ−ＨＦＳ法による測定値が１．０ 原子％を超
えると耐ＳＯＲ性が低下するので、１．０ 原子％未満
とすることがよい。
粗さＲａが０．０１μｍ を超えるとＸ線マスク基板上
に吸収体パタ−ンを形成する際の精度に問題が生じるの
で、これは０．０１μｍ 以下、好ましくは０．００５
μｍ 以下とすることがよいし、この薄膜中の水素量
はＲＢＳ−ＨＦＳ法による測定値が１．０ 原子％を超
えると耐ＳＯＲ性が低下するので、１．０ 原子％未満
とすることがよい。
【００１７】なお、この無機薄膜における光の透過率は
６０％未満ではアライメント用の光の強度が低下してア
ライメント精度を低下させるので、６０％以上、好まし
くは７０％以上とすることがよく、この内部応力はそれ
が１×１０８ ダイン／ｃｍ２ 未満ではメンブレン化
が困難となり、６×１０９ ダイン／ｃｍ２ を超える
とＸ線マクスのパタ−精度が低下するので、これは１×
１０８ 〜６×１０９ ダイン／ｃｍ２ の範囲となる
ようにすることがよい。また、このものの耐ＳＯＲ性に
ついては、１０ＫｅＶ の高エネルギ−電子線を用いて
５００ ＭＪ／ｃｍ３ 照射したときの応力変化率が１
％以下となるようにすることが必要とされる。
６０％未満ではアライメント用の光の強度が低下してア
ライメント精度を低下させるので、６０％以上、好まし
くは７０％以上とすることがよく、この内部応力はそれ
が１×１０８ ダイン／ｃｍ２ 未満ではメンブレン化
が困難となり、６×１０９ ダイン／ｃｍ２ を超える
とＸ線マクスのパタ−精度が低下するので、これは１×
１０８ 〜６×１０９ ダイン／ｃｍ２ の範囲となる
ようにすることがよい。また、このものの耐ＳＯＲ性に
ついては、１０ＫｅＶ の高エネルギ−電子線を用いて
５００ ＭＪ／ｃｍ３ 照射したときの応力変化率が１
％以下となるようにすることが必要とされる。
【００１８】
【実施例】つぎに本発明の実施例をあげる。ホットウオ
−ル型の減圧熱ＣＶＤ装置内に石英管チヤンバ−を設け
、この中に直径３インチで面方位（１００）のシリコン
ウエハ−をカ−ボン製治具に固定し、加熱は抵抗加熱で
行なうこととし、炉内の均熱帯中に設置した。この石英
管は基板設置後一端を密閉し、他端をロ−タリ−ポンプ
およびメカニカルブ−スタ−ポンプに接続して排気し、
０．０１ト−ルまで減圧したのち、１，０００℃まで１
時間で昇温させ、昇温後マスフロ−コントロ−ラ−を通
してＳｉＨ４ ガスを７７ＣＣＭ、Ｃ３ Ｈ８ ガスを
２０ＣＣＭ、ＮＨ３ ガスを２００ＣＣＭ混合し、これ
を炉内の一端から供給し、反応圧力０．５ ト−ルで３
時間反応させた。
−ル型の減圧熱ＣＶＤ装置内に石英管チヤンバ−を設け
、この中に直径３インチで面方位（１００）のシリコン
ウエハ−をカ−ボン製治具に固定し、加熱は抵抗加熱で
行なうこととし、炉内の均熱帯中に設置した。この石英
管は基板設置後一端を密閉し、他端をロ−タリ−ポンプ
およびメカニカルブ−スタ−ポンプに接続して排気し、
０．０１ト−ルまで減圧したのち、１，０００℃まで１
時間で昇温させ、昇温後マスフロ−コントロ−ラ−を通
してＳｉＨ４ ガスを７７ＣＣＭ、Ｃ３ Ｈ８ ガスを
２０ＣＣＭ、ＮＨ３ ガスを２００ＣＣＭ混合し、これ
を炉内の一端から供給し、反応圧力０．５ ト−ルで３
時間反応させた。
【００１９】反応終了後、炉内温度を室温まで下げたの
ち、Ｎ２ ガスによって炉内を常圧に戻し、試料を取り
出し、得られた無機薄膜をＲＢＳ法で調べたところ、こ
のものはＳｉＣ０．５ Ｎ０．７ という組成を有する
もので、膜厚が平均１．０ μｍ 、膜厚のばらつきは
３σ＝０．０５μｍ 、内部応力は１×１０９ ダイン
／ｃｍ２ というものであり、このもののＲＢＳ−ＨＦ
Ｓ法による水素含有量の測定結果は０．１ 原子％で、
表面粗さＲａは０．０１μｍ 以下の非常に平滑な鏡面
であった。
ち、Ｎ２ ガスによって炉内を常圧に戻し、試料を取り
出し、得られた無機薄膜をＲＢＳ法で調べたところ、こ
のものはＳｉＣ０．５ Ｎ０．７ という組成を有する
もので、膜厚が平均１．０ μｍ 、膜厚のばらつきは
３σ＝０．０５μｍ 、内部応力は１×１０９ ダイン
／ｃｍ２ というものであり、このもののＲＢＳ−ＨＦ
Ｓ法による水素含有量の測定結果は０．１ 原子％で、
表面粗さＲａは０．０１μｍ 以下の非常に平滑な鏡面
であった。
【００２０】ついで、このものを常法によりメンブレン
化したところ、良好なマクスブランクスが得られ、これ
は可視光透過率（６３３ｎｍ）が８０％というものであ
った。また、このものに１０ＫｅＶ の高エネルギ−電
子線を５００ ＭＪ／ｃｍ３ 照射し、照射による応力
変化率応力変化率（％）＝（照射前の応力値−照射後の
応力値）／照射前の応力値×１００ を求めたところ、この応力変化率は１％以下であり、こ
のものはすぐれた耐高エネルギ−ビ−ム性をもつもので
あることが確認された。
化したところ、良好なマクスブランクスが得られ、これ
は可視光透過率（６３３ｎｍ）が８０％というものであ
った。また、このものに１０ＫｅＶ の高エネルギ−電
子線を５００ ＭＪ／ｃｍ３ 照射し、照射による応力
変化率応力変化率（％）＝（照射前の応力値−照射後の
応力値）／照射前の応力値×１００ を求めたところ、この応力変化率は１％以下であり、こ
のものはすぐれた耐高エネルギ−ビ−ム性をもつもので
あることが確認された。
【００２１】
【発明の効果】本発明はＸ線リソグラフィ−マスク用Ｘ
線透過膜に関するものであり、これは前記したようにけ
い素、炭素、窒素が含まれている１種類以上の化合物か
らＣＶＤ法によって得られる、ＳｉＣｘ Ｎｙ という
無機薄膜を主材としてなることを特徴とするものである
が、このものは表面平滑性がすぐれており、可視光線透
過率も７５〜８５％で水素含有量も０．５ 原子％以下
であり、非晶質であるのに高エネルギ−ビ−ムを照射し
ても歪が生じない高い耐ＳＯＲ性をもつものであるので
、Ｘ線リソグラフィ−マスク用Ｘ線透過率として有用と
される。
線透過膜に関するものであり、これは前記したようにけ
い素、炭素、窒素が含まれている１種類以上の化合物か
らＣＶＤ法によって得られる、ＳｉＣｘ Ｎｙ という
無機薄膜を主材としてなることを特徴とするものである
が、このものは表面平滑性がすぐれており、可視光線透
過率も７５〜８５％で水素含有量も０．５ 原子％以下
であり、非晶質であるのに高エネルギ−ビ−ムを照射し
ても歪が生じない高い耐ＳＯＲ性をもつものであるので
、Ｘ線リソグラフィ−マスク用Ｘ線透過率として有用と
される。
Claims (4)
- 【請求項１】けい素、炭素、窒素がそのいずれかに含ま
れている１種類以上の化合物から化学気相蒸着法によっ
て得られる、けい素、炭素、窒素の三元素からなる無機
薄膜を主材としてなることを特徴とするＸ線リソグラフ
ィ−マスク用Ｘ線透過膜。 - 【請求項２】膜中に含有される水素量がＲＢＳ−ＨＦＳ
法による測定で１．０原子％未満のものである請求項１
に記載したＸ線リソグラフィ−マスク用Ｘ線透過膜。 - 【請求項３】膜の６３３ｎｍ の光の透過率が６０％以
上である請求項１に記載したＸ線リソグラフィ−マスク
用Ｘ線透過膜。 - 【請求項４】化学気相蒸着法が熱化学気相蒸着法である
請求項１に記載したＸ線リソグラフィ−マスク用Ｘ線透
過膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3130498A JPH04332115A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | Ｘ線リソグラフィ−マスク用ｘ線透過膜 |
| US07/899,330 US5234609A (en) | 1991-05-02 | 1992-06-16 | X-ray permeable membrane for X-ray lithographic mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3130498A JPH04332115A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | Ｘ線リソグラフィ−マスク用ｘ線透過膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04332115A true JPH04332115A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=15035710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3130498A Pending JPH04332115A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | Ｘ線リソグラフィ−マスク用ｘ線透過膜 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5234609A (ja) |
| JP (1) | JPH04332115A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5882826A (en) * | 1995-07-18 | 1999-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Membrane and mask, and exposure apparatus using the mask, and device producing method using the mask |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5480695A (en) * | 1994-08-10 | 1996-01-02 | Tenhover; Michael A. | Ceramic substrates and magnetic data storage components prepared therefrom |
| US5935705A (en) * | 1997-10-15 | 1999-08-10 | National Science Council Of Republic Of China | Crystalline Six Cy Nz with a direct optical band gap of 3.8 eV |
| US6630413B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-10-07 | Asm Japan K.K. | CVD syntheses of silicon nitride materials |
| AU2002306436A1 (en) | 2001-02-12 | 2002-10-15 | Asm America, Inc. | Improved process for deposition of semiconductor films |
| US7186630B2 (en) | 2002-08-14 | 2007-03-06 | Asm America, Inc. | Deposition of amorphous silicon-containing films |
| EP3957619A1 (en) * | 2020-08-19 | 2022-02-23 | Rolls-Royce High Temperature Composites Inc | Method of making a ceramic matrix composite that exhibits chemical resistance |
| US20220055955A1 (en) * | 2020-08-19 | 2022-02-24 | Rolls-Royce High Temperature Composites Inc. | Method of making a ceramic matrix composite that exhibits moisture and environmental resistance |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4436797A (en) * | 1982-06-30 | 1984-03-13 | International Business Machines Corporation | X-Ray mask |
| DE3524196C3 (de) * | 1984-07-06 | 1994-08-04 | Canon Kk | Lithografiemaske |
| US4735877A (en) * | 1985-10-07 | 1988-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithographic mask structure and lithographic process |
| JPH01278019A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Canon Inc | リソグラフィ用マスクの構造体 |
| US4877641A (en) * | 1988-05-31 | 1989-10-31 | Olin Corporation | Process for plasma depositing silicon nitride and silicon dioxide films onto a substrate |
| US4877651A (en) * | 1988-05-31 | 1989-10-31 | Olin Corporation | Process for thermally depositing silicon nitride and silicon dioxide films onto a substrate |
| US5005075A (en) * | 1989-01-31 | 1991-04-02 | Hoya Corporation | X-ray mask and method of manufacturing an X-ray mask |
| JPH035374A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 窒化ケイ素―炭化ケイ素複合焼結体およびその製造法 |
| US5053255A (en) * | 1990-07-13 | 1991-10-01 | Olin Corporation | Chemical vapor deposition (CVD) process for the thermally depositing silicon carbide films onto a substrate |
| US5061514A (en) * | 1990-07-13 | 1991-10-29 | Olin Corporation | Chemical vapor deposition (CVD) process for plasma depositing silicon carbide films onto a substrate |
-
1991
- 1991-05-02 JP JP3130498A patent/JPH04332115A/ja active Pending
-
1992
- 1992-06-16 US US07/899,330 patent/US5234609A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5882826A (en) * | 1995-07-18 | 1999-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Membrane and mask, and exposure apparatus using the mask, and device producing method using the mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5234609A (en) | 1993-08-10 |
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