JPH0431488A - Organic electroluminescent element - Google Patents
Organic electroluminescent elementInfo
- Publication number
- JPH0431488A JPH0431488A JP2135239A JP13523990A JPH0431488A JP H0431488 A JPH0431488 A JP H0431488A JP 2135239 A JP2135239 A JP 2135239A JP 13523990 A JP13523990 A JP 13523990A JP H0431488 A JPH0431488 A JP H0431488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- hole injection
- groups
- injection layer
- substituent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 68
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 68
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims abstract description 10
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 8
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 abstract 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 100
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 45
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 26
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 26
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 25
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 25
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 22
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- -1 polycyclic aromatic compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCAKAXJAQMMVTQ-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-2-phenylbenzene Chemical group C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LCAKAXJAQMMVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLCKOUYKXCVNTD-UHFFFAOYSA-N 1-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C=C3C(=C)C=CC=C3C2=C1 NLCKOUYKXCVNTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- SMBSZJBWYCGCJP-UHFFFAOYSA-N 3-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C(N(CC)CC)=CC2=C1 SMBSZJBWYCGCJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100264195 Caenorhabditis elegans app-1 gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004063 butyryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N diethylazanide Chemical compound CC[N-]CC UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004151 quinonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、詳
しくは、特定の有機化合物を正孔注入材料として用いた
高輝度、高効率発光かつ酸化耐性に優れた有機エレクト
ロルミネッセンス素子に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, it relates to an organic electroluminescent device that uses a specific organic compound as a hole injection material and has high brightness, high efficiency, and excellent oxidation resistance. This invention relates to an organic electroluminescent device.
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕有機化
合物の高い蛍光効率に着目し、有機化合物のEL性能を
利用した素子の研究は古(から行われている0例えば、
W、 He1frish、 Dresser。[Prior art and problems to be solved by the invention] Focusing on the high fluorescence efficiency of organic compounds, research on devices that utilize the EL performance of organic compounds has been conducted since ancient times.
W, He1frish, Dresser.
Williamsらはアントラセン結晶を用い、青色発
光を得ている(J、Chew、 Phys、、44.2
902 (1966))。Williams et al. obtained blue light emission using anthracene crystals (J, Chew, Phys, 44.2
902 (1966)).
また、VincettやBarlo賀らは、縮合多環芳
香族化合物を真空蒸着法により発光素子の製作を行って
いる(Thin 5olid Films、 99.1
7H1982))。Furthermore, Vincett, Barloga et al. have fabricated light emitting devices using a vacuum evaporation method using fused polycyclic aromatic compounds (Thin 5 Solid Films, 99.1).
7H1982)).
しかしいずれも発光輝度1発光効率は低いものしか得ら
れていない。However, in all cases, only a low luminous efficiency per luminance luminance was obtained.
最近、テトラフェニルブタジェンを発光材料に用いて1
00ed/rrfの青色発光を得たことが報告されてい
る(特開昭51−194393号公報)。Recently, tetraphenylbutadiene has been used as a luminescent material.
It has been reported that blue light emission of 00ed/rrf was obtained (Japanese Patent Application Laid-open No. 194393/1983).
さらに、正孔伝導性のジアミン化合物と発光材料として
の蛍光性アルミニウムキレート錯体を積層することによ
り、輝度1000cd/rrf以上の緑色発光有機薄膜
E L素子を開発したことが報告されている(Appl
、 Phys、 Lett、、 51.913(198
7))。Furthermore, it has been reported that a green light-emitting organic thin film EL device with a luminance of 1000 cd/rrf or more was developed by laminating a hole-conducting diamine compound and a fluorescent aluminum chelate complex as a light-emitting material (Appl.
, Phys, Lett, 51.913 (198
7)).
また、レーザー色素として有名なジスチリルベンゼン系
化合物は、青〜青緑の領域で高い蛍光性を有し、これを
発光材料として単層で80cd/rrf程度のEL発光
を得られたことが報告されている(欧州特許03198
81)。In addition, distyrylbenzene-based compounds, which are famous as laser dyes, have high fluorescence in the blue to blue-green region, and it has been reported that EL emission of about 80 cd/rrf could be obtained with a single layer using this as a light-emitting material. (European Patent 03198
81).
一方、有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子において
は、いかに高効率に電子及び正孔を発光層へ注入するか
が、高輝度、高効率発光を得るために重要なことである
。この時発光層を形成する発光材料が電子輸送性のもの
であれば、陽極との間に正孔注入層を挿入し、高輝度発
光を得られることが既にTangらにより示されている
(欧州特許0278757号等)。ここでさらに彼らは
正孔注入層を形成する正札注入材料としてトリフェニル
アミン誘導体で代表される第三級アミンが良好であるこ
とを見出した。しかし、この第三級アミンはイオン化ポ
テンシャルが小さいために、酸化耐性がないことが問題
であり、素子全体の耐久性にも大きな影響を与えている
。On the other hand, in organic thin film electroluminescent devices, how to inject electrons and holes into the light emitting layer with high efficiency is important in order to obtain high brightness and high efficiency light emission. At this time, Tang et al. have already shown that if the luminescent material forming the luminescent layer has electron transport properties, high luminance luminescence can be obtained by inserting a hole injection layer between the anode and the anode (European Patent No. 0278757, etc.). They further discovered that tertiary amines, typified by triphenylamine derivatives, were good as a front plate injection material forming the hole injection layer. However, since this tertiary amine has a small ionization potential, it has a problem of lack of oxidation resistance, which has a large effect on the durability of the entire device.
他方、特開昭63−269158号公報には、前述のジ
スチリルベンゼン系化合物が電子写真用感光体の感光層
を形成する材料として開示されているが、有機エレクト
ロルミネッセンス素子用の正孔注入材料としての用途は
示されていない。On the other hand, in JP-A No. 63-269158, the above-mentioned distyrylbenzene compound is disclosed as a material for forming a photosensitive layer of an electrophotographic photoreceptor, but it is also used as a hole injection material for an organic electroluminescent device. No use as such is indicated.
本発明者らは、酸化耐性に優れるとともに、高輝度、高
効率発光の有機エレクトロルミネッセンス素子を開発す
べ(鋭意研究を重ねた。The present inventors have conducted extensive research to develop an organic electroluminescent device that has excellent oxidation resistance, high brightness, and high efficiency light emission.
その結果、特定の置換基を有するジスチリルベンゼン誘
導体が正孔注入性及び正孔輸送性に優れ、かつアミン構
造等のようなイオン化ポテンシャルが極端に小さくなる
構造を有しないため、酸化耐性を有する正孔注入材料に
なることを見出した。As a result, distyrylbenzene derivatives with specific substituents have excellent hole injection and hole transport properties, and have oxidation resistance because they do not have a structure that has an extremely low ionization potential, such as an amine structure. It was discovered that this material can be used as a hole-injecting material.
本発明はかかる知見に基いて完成したものである。The present invention was completed based on this knowledge.
すなわち本発明は、一般式
〔式中、R’及びR2は、それぞれアルキル基、アルコ
キシ基、シアノ基、アリール基、置換基含有アリール基
、R3及びR4は、それぞれ複素環。That is, the present invention is based on the general formula [wherein R' and R2 are each an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, an aryl group, or a substituent-containing aryl group, and R3 and R4 are each a heterocycle.
置換基含有複素環、アリール基、置換基含有アI7−/
14(ここで、置換基としてはアルキル基。Substituent-containing heterocycle, aryl group, substituent-containing aI7-/
14 (Here, the substituent is an alkyl group.
アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、アシルオキシ
基、アシル基、カルボキシル基、アラルキル基、アリー
ルオキシ基、ビニル基、スチリル基、エステル基、水酸
基であり、複数置換されていてもよい。)を示し、R1
とR3及びRtとR4は、互いに結合し、置換基を有す
るもしくは有しない飽和または不飽和の環構造を形成し
ていてもよい。またArはアリーレン基、置換基を一つ
あるいは二つ含有する置換基含有アリーレン基(W換基
としてはアルキル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲ
ン原子、水酸基。These include an alkoxy group, a cyano group, a halogen atom, an acyloxy group, an acyl group, a carboxyl group, an aralkyl group, an aryloxy group, a vinyl group, a styryl group, an ester group, and a hydroxyl group, and may be multiply substituted. ), R1
and R3 and Rt and R4 may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated ring structure with or without a substituent. Further, Ar is an arylene group, a substituent-containing arylene group containing one or two substituents (W substituents include an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, a halogen atom, and a hydroxyl group).
アシルオキシ基、アシル基、カルボキシル基アラルキル
基、アリールオキシ基、エステル基であり、異なる二つ
で置換されていてもよい。)を示す。〕
で表わされる化合物を正孔注入材料として含むことを特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する
ものである。These are an acyloxy group, an acyl group, a carboxyl group, an aralkyl group, an aryloxy group, and an ester group, and may be substituted with two different groups. ) is shown. ] The present invention provides an organic electroluminescent device characterized by containing a compound represented by the following as a hole injection material.
本発明の有機エレクトロミルネッセンス素子(以下、単
にEL素子という)は、一般式(1)で表わされる化合
物を正孔注入材料として含むものである。この化合物は
、中央にアリーレン基(Ar)を配し、両末端のそれぞ
れに二つずつの置換基(R’とR3及びR2とR4)を
有するものである。ここで、一般式(1)中のR’及び
Rtは、アルキル基(メチル基、エチル基、n−プロピ
ル基。The organic electroluminescence device (hereinafter simply referred to as an EL device) of the present invention contains a compound represented by the general formula (1) as a hole injection material. This compound has an arylene group (Ar) in the center and two substituents (R' and R3 and R2 and R4) at each end. Here, R' and Rt in general formula (1) are an alkyl group (methyl group, ethyl group, n-propyl group).
i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基。i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group.
5ec−”−ブチル基、 tert−ブチル基など)、
アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基
。5ec-”-butyl group, tert-butyl group, etc.),
Alkoxy groups (methoxy, ethoxy, propoxy groups.
ブトキシ基など)、シアノ基、アリール基、置換基含有
アリール基を示している。また、R3及びR4は、それ
ぞれ複素環、置換基含有複素環、アリール基、W換基含
有アリール基を示している。(butoxy group, etc.), cyano group, aryl group, and substituent-containing aryl group. Further, R3 and R4 each represent a heterocycle, a substituent-containing heterocycle, an aryl group, or a W substituent-containing aryl group.
ここで、置換基としては、この化合物の目的とする性能
が損なわれない範囲の置換基であって、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基ナトのアルキル基、メトキ
シ基、エトキシ基2プロポキシ基、ブトキシ基などのア
ルコキシ基、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基
、ブチリル基などのアシル基、アセチルオキシ基、プロ
ピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基などのアシルオキ
シ基、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基、
フェノキシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基
あるいはビニル基、スチリル基、エステル基、カルボキ
シル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン原子である。これ
らの置換基は同一のものが複数置換されていても、異な
るものが複数置換されていてもよい。また複素環として
は、例えばピリジル基、フラリル基、ベンゾオキサシリ
ル基、キノン基を挙げることができる。Here, the substituent is a substituent within a range that does not impair the desired performance of the compound, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, an alkyl group, a methoxy group, an ethoxy group, 2-propoxy groups, alkoxy groups such as butoxy groups, acyl groups such as formyl groups, acetyl groups, propionyl groups, butyryl groups, acyloxy groups such as acetyloxy groups, propionyloxy groups, butyryloxy groups, aralkyl groups such as benzyl groups, phenethyl groups,
These include aryloxy groups such as phenoxy and tolyloxy groups, vinyl groups, styryl groups, ester groups, carboxyl groups, cyano groups, hydroxyl groups, and halogen atoms. These substituents may be substituted with a plurality of the same substituents, or may be substituted with a plurality of different substituents. Further, examples of the heterocycle include a pyridyl group, a furaryl group, a benzoxacylyl group, and a quinone group.
さらにR1とR3及びR2とR4は、互いに結合し、置
換基を有するもしくは有しない飽和または不飽和の環構
造を形成していてもよい。Further, R1 and R3 and R2 and R4 may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated ring structure with or without a substituent.
またArはアリーレン基、置換基を一つあるいは二つ含
有する置換基含有アリーレン基を示している。置換基と
してはアルキル基、アルコキシ基。Further, Ar represents an arylene group or a substituent-containing arylene group containing one or two substituents. Substituents include alkyl and alkoxy groups.
シアノ基、ハロゲン原子、水酸基、アシルオキシ基、ア
シル基、カルボキシル基、アラルキル基。Cyano group, halogen atom, hydroxyl group, acyloxy group, acyl group, carboxyl group, aralkyl group.
アリールオキシ基、エステル基であり、異なる二つで置
換されていてもよい。It is an aryloxy group or an ester group, and may be substituted with two different groups.
このような一般式(1)で表される化合物の具体例とし
ては、次に示すものを挙げることができる。Specific examples of the compound represented by the general formula (1) include those shown below.
5C
Clゴ
これらの一般式(1)で表される化合物は、いずれもス
チルベン骨格を有しており、正孔移動度が比較的大きく
、発光層への正孔注入性、正孔輸送性が良好である。ま
たアミン構造を持たないためイオン化ポテンシャルが適
度な大きさであり、酸化耐性を存しており、EL素子の
耐久性を損なうことがない。さらにこれらの化合物は、
1着温度まで加熱しても、分解や変質することなく、均
一な微結晶粒からなる緻密な膜が形成できる上、ピンホ
ールが生成しないという長所がある。5C Cl All of these compounds represented by the general formula (1) have a stilbene skeleton, have relatively high hole mobility, and have good hole injection and hole transport properties to the light emitting layer. In good condition. Furthermore, since it does not have an amine structure, it has an appropriate ionization potential and is oxidation resistant, so it does not impair the durability of the EL element. Furthermore, these compounds
It has the advantage that it can form a dense film made of uniform microcrystalline grains without decomposition or deterioration even when heated to the first-wear temperature, and does not generate pinholes.
この一般式(1)で表される化合物は、例えば特開昭6
3−269158号公報に示される製造法などにより製
造することができる。The compound represented by this general formula (1) is, for example,
It can be manufactured by the manufacturing method shown in Japanese Patent No. 3-269158.
本発明のEL素子における正孔注入層は、上記一般式(
I)で表される化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコ
ード法、キャスト法、LB法等の公知の薄膜化法により
製膜して形成することができる。正札注入層としての膜
厚は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μmである
。The hole injection layer in the EL device of the present invention has the above general formula (
The compound represented by I) can be formed into a film by a known thinning method such as a vacuum evaporation method, a spin code method, a casting method, or an LB method. Although there is no particular restriction on the film thickness of the genuine tag injection layer, it is usually 5 nm to 5 μm.
この一般式(1)で表される化合物を用いる正孔注入層
(正孔注入輸送層)は、正極より注入された正孔を発光
層に伝達する機能を有し、この正孔注入層を正極と発光
層との間に介在させることにより、より低い電界で多く
の正孔が発光層に注入され、その上、発光層に負極又は
電子注入層より注入された電子は、発光層と正孔注入層
の界面に存在する電子の障壁により、この発光層内の界
面付近に蓄積され発光効率が向上するなど、発光性能の
優れた素子となる。The hole injection layer (hole injection transport layer) using the compound represented by the general formula (1) has the function of transmitting holes injected from the positive electrode to the light emitting layer. By interposing it between the positive electrode and the emissive layer, many holes are injected into the emissive layer with a lower electric field, and in addition, electrons injected into the emissive layer from the negative electrode or the electron injection layer are connected to the emissive layer. Due to the barrier of electrons present at the interface of the hole injection layer, electrons are accumulated near the interface in the light emitting layer, improving luminous efficiency, resulting in an element with excellent light emitting performance.
本発明のEL素子における正孔注入層は、これらの正孔
伝達化合物一種又は二種以上からなる一層で構成されて
もよいし、あるいは、前記層とは別種の化合物からなる
正孔注入層を積層したものであってもよい。The hole injection layer in the EL device of the present invention may be composed of a single layer composed of one or more of these hole transport compounds, or may be composed of a hole injection layer composed of a compound different from the above layer. It may be a layered structure.
本発明のEL素子は、例えば上記一般式(1)で表され
る化合物を正孔注入層として、正極、正札注入層2発光
層、負極がこの順序で積層されたもの、あるいは正極、
正孔注入層1発光層、電子注入層、負極がこの順序で積
層されたものである。The EL element of the present invention is, for example, one in which a positive electrode, a positive tag injection layer 2, a light-emitting layer, and a negative electrode are laminated in this order using a compound represented by the above general formula (1) as a hole injection layer, or a positive electrode,
Hole injection layer 1 A light emitting layer, an electron injection layer, and a negative electrode are laminated in this order.
本発明のEL素子における発光層は、従来から用いられ
ている各種の発光材料を公知な方法(真空蒸着、LB法
、スピンコード、キャスト法等)で製膜することにより
形成することができる。The light-emitting layer in the EL element of the present invention can be formed by forming a film using various conventionally used light-emitting materials by a known method (vacuum deposition, LB method, spin cord, cast method, etc.).
本発明のEL素子における発光層は、電界印加時に、正
孔注入輸送層より正孔を注入することができ、負極又は
電子注入層より電子を注入することができる注入機能、
注入した電荷Ct子と正孔)を電界の力で移動させる輸
送機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光
につなげる発光機能の三つの機能を併せ持つものである
。The light-emitting layer in the EL device of the present invention has an injection function capable of injecting holes from the hole injection transport layer and electrons from the negative electrode or the electron injection layer when an electric field is applied;
It has three functions: a transport function that moves the injected charges (Ct electrons and holes) by the force of an electric field, and a light emitting function that provides a field for recombination of electrons and holes, which leads to light emission.
但し、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに
違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表わさ
れる輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電
荷を移動することが好ましい。However, there may be a difference in the ease with which holes are injected and the ease with which electrons are injected, and there may be differences in the transport ability expressed by the mobility of holes and electrons, but the charge of either one It is preferable to move the
前述の正孔注入材料に対しては、以上の機能を併せ持ち
、固体状態で蛍光を有するものなら各種のものを発光材
料として用いることができる。For the above-mentioned hole-injecting material, various materials can be used as the light-emitting material as long as they have the above-mentioned functions and exhibit fluorescence in a solid state.
発光層の厚さも状況の応じて適宜に定めることができる
が、通常は5nm〜5μmの範囲である。The thickness of the light emitting layer can also be determined as appropriate depending on the situation, but is usually in the range of 5 nm to 5 μm.
一方、前記電子注入層(電子注入輸送層)は、電子伝達
化合物からなるものであって、負極より注入された電子
を発光層に伝達する機能を有している。このような電子
伝達化合物について特に制限はなく、従来公知の化合物
の中から任意のものを選択して用いることができる。該
電子伝達化合物の好ましい例としては、
■特開昭57−149259号、同5B55450号、
同61−104061号公報等に記載されているアント
ラキノジメタン誘導体、■Po1y+++er Pre
prints、 Japan Vol、 37. No
、3 (1988)+p、681等に記載されている。On the other hand, the electron injection layer (electron injection transport layer) is made of an electron transfer compound and has a function of transferring electrons injected from the negative electrode to the light emitting layer. There are no particular limitations on such electron transfer compounds, and any one can be selected and used from conventionally known compounds. Preferred examples of the electron transfer compound include: (1) JP-A-57-149259, JP-A No. 5B55450;
Anthraquinodimethane derivatives described in Publication No. 61-104061 etc., ■Poly+++er Pre
prints, Japan Vol, 37. No
, 3 (1988)+p, 681, etc.
などのジフェニルキノン誘導体、
などのチオビランジオキシド誘導体、
■J、 J、 APPl、 Phys、、 27. L
269(198B)等に記載されている。Diphenylquinone derivatives such as, thiovirane dioxide derivatives such as, ■J, J, APPl, Phys, 27. L
269 (198B) etc.
などのニトロ置換フルオレノン誘導体、で表わされる化
合物、
■特開昭60−69657号、同61−143764号
、同61−148159号公報等に記載されているフレ
オレニリデンメタン誘導体、
■特開昭61−225151号、同61233750号
公報等に記載されているアントラキノジメタン誘導体及
びアントロン誘導体、■App1. Phys、 Le
tt、 55(15) 1489等に記載されているオ
キソジアゾール誘導体
等を挙げることができる。Compounds represented by nitro-substituted fluorenone derivatives such as, (1) fluorenylidene methane derivatives described in JP-A-60-69657, 61-143764, 61-148159, etc.; -225151, anthraquinodimethane derivatives and anthrone derivatives described in 61233750, etc., ■App1. Phys, Le
Examples thereof include oxodiazole derivatives described in, eg, 1489, 55(15) 1489.
本発明のEL素子の構成は、前述の通り、正極/正孔注
入層/発光層/負極あるいは正極/正孔注入層/発光層
/電子注入層/負極の構成を有し、これらはいずれも基
板に支持されていることが好ましい。該基板については
特に制限はな(、従来EL素子に慣用されているもの、
例えばガラス。As described above, the EL element of the present invention has the structure of positive electrode/hole injection layer/emissive layer/negative electrode or positive electrode/hole injection layer/emissive layer/electron injection layer/negative electrode. Preferably, it is supported by a substrate. There are no particular restrictions on the substrate (such as those conventionally used for EL elements,
For example, glass.
透明プラスチック、石英などから成るものを用いること
ができる。A material made of transparent plastic, quartz, etc. can be used.
このEL素子における正極としては、仕事関数の大きい
(4eV以上)金属1合金、電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる
。このような電極物質の置体例としてはAuなどの金属
、Cul、IT”03nO□、ZnOなどの誘電性透明
材料が挙げられる。該正極は、これらの電極物質を蒸着
やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させる
ことにより作製することができる。この電極より発光を
取り出す場合には、透過率を10%より大きくすること
が望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数百Ω/
lll11以下が好ましい。As the positive electrode in this EL element, an electrode material containing a metal 1 alloy having a large work function (4 eV or more), an electrically conductive compound, or a mixture thereof is preferably used. Examples of such electrode materials include metals such as Au, dielectric transparent materials such as Cul, IT''03nO□, and ZnO. It can be manufactured by forming a thin film.When extracting light from this electrode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance of the electrode is several hundred Ω/
lll11 or less is preferable.
さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nmないし1μ
m、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。Furthermore, the film thickness depends on the material, but is usually 10 nm to 1 μ.
m, preferably selected in the range of 10 to 200 nm.
一方、負極とL7ては、仕事関数の小さい(4eV以下
)金属2合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を
電極物質とするものが用いられる。このような電極物質
の具体例としては、ナトリウム。On the other hand, for the negative electrode and L7, an electrode material made of a metal 2 alloy with a small work function (4 eV or less), an electrically conductive compound, or a mixture thereof is used. A specific example of such an electrode material is sodium.
ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、
マグネシウム/銅混合物、AA/Affi20.。Sodium-potassium alloy, magnesium, lithium,
Magnesium/copper mixture, AA/Affi20. .
インジウムなどが挙げられる。該陰極は、これらの電極
物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を
形成させることにより、作製することができる。また、
電極としてのシート抵抗は数百Ω/IIa以下が好まし
く、膜厚は通常10nmないし1μm、好ましくは50
〜200nmの範囲で選ばれる。なお、このEL素子に
おいては、該陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半
透明であることが、発光を透過するため、発光の取出し
効率がよく好都合である。Examples include indium. The cathode can be manufactured by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. Also,
The sheet resistance of the electrode is preferably several hundred Ω/IIa or less, and the film thickness is usually 10 nm to 1 μm, preferably 50
-200 nm. Note that in this EL element, it is advantageous for either the anode or the cathode to be transparent or semi-transparent so that the emitted light is transmitted through the element, and the efficiency of extracting the emitted light is high.
次に、本発明の化合物を用いたEL素子を作製する好適
な方法の例を、各構成の素子それぞれについて説明する
。前記の正極/正孔注入層/発光N/負極からなるEL
素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上に
、所望の電極物質、例えば正極用物質からなる薄膜を、
1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚
になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により
形成させ、正極を作製する。次に、この上に一般弐N)
で表わされる化合物(正孔注入材料)からなる薄膜を形
成し、正孔注入層を設ける。該正孔注入材料の薄膜化の
方法としては、前記のごとくスピンコード法、キャスト
法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやすく、か
つビンボールが生成しにくいなどの点から、蒸着法が好
ましい。Next, an example of a suitable method for producing an EL device using the compound of the present invention will be explained for each device of each structure. EL consisting of the above positive electrode/hole injection layer/light emitting N/negative electrode
To explain the method for manufacturing the device, first, a thin film of a desired electrode material, for example, a cathode material, is deposited on a suitable substrate.
A positive electrode is produced by forming it by a method such as vapor deposition or sputtering so that it has a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 10 to 200 nm. Next, on top of this general 2N)
A thin film made of a compound (hole injection material) represented by is formed, and a hole injection layer is provided. Methods for making the hole-injecting material into a thin film include the spin-coding method, casting method, and vapor deposition method, as described above, but vapor deposition is easier to obtain a homogeneous film and is less likely to generate bubbles. law is preferred.
該正孔注入材料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合
、その蒸着条件は、使用する化合物の種類。When this vapor deposition method is used to form a thin film of the hole injection material, the vapor deposition conditions depend on the type of compound used.
分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより
異なるが、一般にボート加熱温度50〜400”C,真
空度10−’〜10−3Pa、蒸着速度0.01〜50
nm/sec、基板温度−50〜→300°C1膜厚5
n、m〜5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。Although it varies depending on the target crystal structure and association structure of the molecular deposited film, generally the boat heating temperature is 50 to 400"C, the degree of vacuum is 10-' to 10-3 Pa, and the deposition rate is 0.01 to 50".
nm/sec, substrate temperature -50~→300°C1 film thickness 5
It is desirable that the thickness be appropriately selected within the range of n, m to 5 μm.
この正孔注入層の形成後、その上に発光材料の薄膜から
なる発光層を設ける。発光材料の薄膜化の方法としては
、用いる有機化合物の種類などにより異なるが、上述の
正孔注入層と同じ条件で行うことが可能である。After forming this hole injection layer, a light emitting layer made of a thin film of a light emitting material is provided thereon. The method for thinning the luminescent material varies depending on the type of organic compound used, but it can be carried out under the same conditions as for the hole injection layer described above.
次にこの発光層の形成後、その上に負極用物質からなる
薄膜を、1μm以下、好ましくは50〜200 nmの
範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング
などの方法により形成させ、陰極を設けることにより、
所望のEl−素子が得られる。なお、このEL素子の作
製においては、作製順序を逆にして、負極1発光層、正
孔注入層正極の順に作製することも可能である。Next, after forming this light emitting layer, a thin film made of a negative electrode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering to a thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, By providing a cathode,
A desired El-element is obtained. In the production of this EL element, it is also possible to reverse the production order and fabricate the negative electrode 1 light-emitting layer, the hole injection layer positive electrode in this order.
さらに、正極/正孔注入層/発光層/電子注入層/負極
からなるEL素子の作製法について説明すると、まず、
前記のEL素子の作製の場合と同様にして、正極、正孔
注入層2発光層を順次設けたのち、この発光層の上に、
電子伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などにより形成し
、電子注入層を設け、次いでこの上に、負極を前記EL
素子の作製の場合と同様にして設けることにより、所望
のEL素子が得られる。なお、このEL素子の作製にお
いても、作製順序を逆にして、負極、電子注入層2発光
層、正孔注入層、正極の1頓に作製してもよい。Furthermore, to explain the method for manufacturing an EL device consisting of a positive electrode/hole injection layer/light emitting layer/electron injection layer/negative electrode, first,
After sequentially providing a positive electrode, a hole injection layer, and a light-emitting layer in the same manner as in the production of the EL device described above, on this light-emitting layer,
A thin film made of an electron transfer compound is formed by vapor deposition or the like, an electron injection layer is provided, and then a negative electrode is placed on top of the EL layer.
A desired EL element can be obtained by providing it in the same manner as in the case of manufacturing the element. Note that in the production of this EL element, the production order may be reversed and the negative electrode, electron injection layer 2 light emitting layer, hole injection layer, and positive electrode may be fabricated all at once.
このようにして得られたEl素子に、直流電圧を印加す
る場合には、正極を」−9負極を−の極性として電圧5
〜40V程度を印加すると、発光が透明又は半透明の電
極側より観測できる。また、逆の極性で電圧を印加して
も電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電
圧を印加する場合には、正極が士、負極が−の状態にな
ったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任
意でよい。When applying a DC voltage to the El element obtained in this way, the positive electrode is set to ``-9'' and the negative electrode is set to ``-9'' and the voltage is 5.
When approximately 40 V is applied, light emission can be observed from the transparent or semi-transparent electrode side. Furthermore, even if a voltage with the opposite polarity is applied, no current flows and no light is emitted at all. Furthermore, when applying an alternating current voltage, light is emitted only when the positive electrode is in the negative state and the negative electrode is in the negative state. Note that the waveform of the applied alternating current may be arbitrary.
[実施例] 次に本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。[Example] Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.
実施例1
25 mmX 75 mmX1.1価のガラス基板上に
ITOを蒸着法にて1100nの厚さで製膜したものを
透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装
置(日本真空技術11.1製)の基板ホルダーに固定し
、モリブテン製の抵抗加熱ボートに1゜4−ビス(2,
2−ジーJ)−トリルビニル)キシレン(DTVX)を
200■入れ、また別のモリブテン製ボートに3−(2
’−N〜メチルベンゾイミダゾリル)−,7−N、N−
ジエチルアミックマリを200■入れた。また更に別の
モリブテン製ボートに2−(4−ビフェニリル)−5−
(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール(P B D)を入れて、これら三つのボートを
抵抗加熱用電極にしっかり固定し、真空槽内を1×10
Paまで減圧した。Example 1 A transparent support substrate was prepared by forming a film of ITO to a thickness of 1100 nm on a 25 mm x 75 mm x 1.1 valence glass substrate by vapor deposition. This transparent support substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition apparatus (manufactured by Japan Vacuum Technology 11.1), and placed in a resistance heating boat made of molybdenum using 1° 4-screws (2,
Put 200μ of 2-GJ)-tolylvinyl)xylene (DTVX) into another molybdenum boat.
'-N~methylbenzimidazolyl)-,7-N,N-
I added 200 ml of diethylamide. In yet another molybdenum boat, 2-(4-biphenylyl)-5-
(4-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (PBD) was added, these three boats were firmly fixed to the resistance heating electrode, and the inside of the vacuum chamber was heated to 1×10
The pressure was reduced to Pa.
その後、DTVX入りの前記ボートを222℃まで加熱
し、DTVXを蒸着速度0.2〜0.4nm/秒で透明
支持基板上に蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製
膜した。この時の基板温度は室温であった。Thereafter, the boat containing DTVX was heated to 222° C., and DTVX was deposited on the transparent support substrate at a deposition rate of 0.2 to 0.4 nm/sec to form a hole injection layer with a thickness of 60 nm. The substrate temperature at this time was room temperature.
これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に
、C30を発光層として60nrn積層蒸着した。蒸着
条件はボート温度が215°Cで、蒸着速度は0.2〜
0.4nm/秒、基板温度は室温であった。さらにこれ
を真空槽より取り出すことなく、上記発光層の上にPB
Dを電子注入槽として3Qnm積層蒸着した。蒸着条件
はボート温度が165°Cで、蒸着速度は0.2〜0.
4 n m7秒、基板温度は室温であった。これを真空
槽より取り出し、上記電子注入槽の上にステンレススチ
ール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した
。Without taking it out of the vacuum chamber, a 60nrn layer of C30 was deposited as a light emitting layer on the hole injection layer. The deposition conditions are a boat temperature of 215°C and a deposition rate of 0.2~
0.4 nm/sec, and the substrate temperature was room temperature. Furthermore, without taking this out of the vacuum chamber, PB was placed on top of the light emitting layer.
A 3Q nm layer was deposited using D as an electron injection tank. The deposition conditions were a boat temperature of 165°C and a deposition rate of 0.2-0.
4 nm for 7 seconds, and the substrate temperature was room temperature. This was taken out from the vacuum chamber, a stainless steel mask was placed on top of the electron injection tank, and the substrate was again fixed to the substrate holder.
次にモリブテン製の抵抗加熱ポートにマグネシウムリボ
ン1gを入れ、またタングステン製バスケットにインジ
ウム500aigを装着した。その後、真空槽をL O
X 10−’Paまで減圧してから、インジウムを0.
1nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテン
ボートからマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸
着速度で蒸着し始めた。Next, 1 g of magnesium ribbon was placed in the resistance heating port made of molybdenum, and 500 aig of indium was placed in the tungsten basket. After that, turn the vacuum chamber to L O
After reducing the pressure to X 10-'Pa, indium was reduced to 0.
At a deposition rate of 1 nm/sec, magnesium was simultaneously started to be deposited from the other molybden boat at a deposition rate of 1.7 to 2.8 nm/sec.
蒸着源温度はインジウム、マグネシウム各々、800°
C500”C程度であった。The evaporation source temperature was 800° for indium and magnesium respectively.
It was about C500''C.
上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を
発光層の上に1100n積層蒸着し対向電極とした。こ
の素子にITO電極を正極、マグネシウムとインジウム
の混合電極を負極として直流12.5Vを印加すると電
流が100mA/CTA流れ、400ed/mの緑色の
発光を得た。詳細な発光波長域は分光測定より450〜
650 nmで、ピーク波長は505 nmであった。Under the above conditions, a 1100 nm mixed metal electrode of magnesium and indium was deposited on the light emitting layer to form a counter electrode. When 12.5 V DC was applied to this element using the ITO electrode as the positive electrode and the magnesium and indium mixed electrode as the negative electrode, a current of 100 mA/CTA flowed and green light emission of 400 ed/m was obtained. The detailed emission wavelength range is 450~ from spectroscopic measurements.
650 nm, the peak wavelength was 505 nm.
この発光は前記C30の蛍光と一致することより、DT
VXにより正極から正孔が発光層であるC30へ注入さ
れ、その注入された正孔が負極から注入された電子と再
結合の結果、EL全発光生じていると考えられる。この
発光は、低電圧でしかもきわめて安定しており、DTV
Xが正孔注入層を形成する正孔注入材料として極めて優
れていることが確かめられた。Since this emission coincides with the fluorescence of C30, DT
It is considered that holes are injected from the positive electrode into the light-emitting layer C30 by VX, and the injected holes recombine with electrons injected from the negative electrode, resulting in total EL light emission. This light emission is low voltage and extremely stable, making it suitable for DTV.
It was confirmed that X is extremely excellent as a hole injection material for forming a hole injection layer.
実施例2
25mmX75mmX1.1mmのガラス基板上にIT
Oを蒸着法にて1100nの厚さで製膜したものを透明
支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置(
日本真空技術■製)の基板ホルダーに固定し、モリブテ
ン製の抵抗加熱ポートに1゜4−ビス(2,2−ジ−p
−1−リルビニル)キシレン(DTVX)を200■入
れ、また別のモリブテン製ボートにトリス(8−キノリ
ツール)アルミニを200■入れて、真空槽内をI X
1 (1’Paまで減圧した。その後、DTVX入り
の前記ボートを222°Cまで加熱し、DTVXを蒸着
速度0.2〜0.4nm/秒で透明支持基板上に蒸着し
て、膜厚60nmの正孔注入層を製膜した。この時の基
板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すこと
なく、正孔注入層の上に、Aj2Q+を発光層として6
0nm積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が285°
Cで、蒸着速度は0.1〜0.2nm/秒、基板温度は
室温であった。これを真空槽より取り出し、上記発光層
の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基
板ホルダーに固定した。Example 2 IT on a 25mm x 75mm x 1.1mm glass substrate
A transparent support substrate was prepared by forming a film of O to a thickness of 1100 nm using a vapor deposition method. This transparent support substrate was coated with a commercially available vapor deposition apparatus (
Fix it on a board holder made by Japan Vacuum Technology Co., Ltd., and attach a 1° 4-screw (2,2-zip) to a molybdenum resistance heating port.
- Put 200 µm of -1-lylvinyl)xylene (DTVX), and put 200 µm of Tris (8-quinol) aluminum in another molybdenum boat, and put the inside of the vacuum chamber into IX.
1 (The pressure was reduced to 1'Pa. Then, the boat containing DTVX was heated to 222 ° C., and DTVX was evaporated onto a transparent support substrate at a deposition rate of 0.2 to 0.4 nm/sec to form a film with a thickness of 60 nm. A hole injection layer was formed into a film.The substrate temperature at this time was room temperature.Without taking it out of the vacuum chamber, a layer of Aj2Q+ was deposited on the hole injection layer as a light emitting layer.
A 0 nm layer was deposited. The deposition conditions are a boat temperature of 285°.
C, the deposition rate was 0.1-0.2 nm/sec, and the substrate temperature was room temperature. This was taken out from the vacuum chamber, a stainless steel mask was placed on top of the light emitting layer, and it was fixed to the substrate holder again.
次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン1gを入れ、またタングステン製バスケットにインジ
ウム500■を装着した。その後、真空槽を1.OX
10−’Paまで減圧してから、インジウムを0.1n
m/秒の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテンボー
トからマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速
度で蒸着し始めた。Next, 1 g of magnesium ribbon was placed in a resistance heating boat made of molybdenum, and 500 μm of indium was placed in a tungsten basket. After that, 1. OX
After reducing the pressure to 10-'Pa, add 0.1n of indium.
At a deposition rate of 1.7-2.8 nm/sec, magnesium was simultaneously started to be deposited from the other molybdenum boat at a deposition rate of 1.7-2.8 nm/sec.
蒸着源温度はインジウム、マグネシウム各々、800°
C,500°C程度であった。上記条件でマグネシウム
とインジウムの混合金属電極を発光層の上に1100n
積層蒸着し対向電極とした。The evaporation source temperature was 800° for indium and magnesium respectively.
It was about 500°C. Under the above conditions, a mixed metal electrode of magnesium and indium was placed on the light emitting layer for 1100 nm.
A counter electrode was formed by laminated vapor deposition.
この素子にITO電極を正極、マグネシウムとインジウ
ムの混合電極を負極として直流10■を印加すると電流
が100mA/c+a流れ、1000cd/rrfの緑
色の発光を得た。詳細な発光波長域は分光測定より45
0〜700nmで、ピーク波長は550 nmであった
。この発光はAI!、qtの蛍光と一致することより、
DTVXにより正極から正孔が発光層であるA E q
!へ注入され、その注入された正孔が負極から注入さ
れた電子と再結合の結果、E L発光が生じていると考
えられる。この発光は、低電圧でしかもきわめて安定し
ていた。When a direct current of 10 cm was applied to this device using the ITO electrode as the positive electrode and the magnesium and indium mixed electrode as the negative electrode, a current of 100 mA/c+a flowed and green light emission of 1000 cd/rrf was obtained. The detailed emission wavelength range is 45% from spectroscopic measurements.
0-700 nm, with a peak wavelength of 550 nm. This light emission is AI! , qt fluorescence,
DTVX allows holes to flow from the positive electrode to the light emitting layer.
! It is thought that EL light emission occurs as a result of the injected holes recombining with electrons injected from the negative electrode. This light emission was low voltage and extremely stable.
実施例3
25mmX 75 mmX1.1 mmのガラス基板上
ニITOを蒸着法にて1100nの厚さで製膜したもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着
装置(日本真空技術■製)の基板ホルダーに固定し、モ
リブテン製の抵抗加熱ボートに4゜4−ビス(2,2−
ジフェニルビニル)ビフェニル(D P V B i)
を200■入れ、また別のモリブテン製ボートに1−(
2’−N−メチルベンゾイミダゾリル)−7−N、N−
ジエチルアミノクマリン(C30)を200■入れて、
真空槽を1×10Paまで減圧した。その後、DPVB
i入りの前記ボートを256°Cまで加熱し、DPVB
i@蒸着速度0.1〜0.2n、m7秒で透明支持基板
」二に蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜させ
た。Example 3 A transparent support substrate was prepared by forming a film of ITO to a thickness of 1100 nm on a glass substrate measuring 25 mm x 75 mm x 1.1 mm by vapor deposition. This transparent support substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available evaporation device (manufactured by Japan Vacuum Technology Co., Ltd.), and a 4° 4-screw (2,2-
diphenylvinyl)biphenyl (D P V B i)
Put 200■ of , and put 1-(
2'-N-methylbenzimidazolyl)-7-N,N-
Add 200 ■ diethylaminocoumarin (C30),
The pressure in the vacuum chamber was reduced to 1×10 Pa. After that, DPVB
The boat containing i was heated to 256°C and DPVB
A hole injection layer having a thickness of 60 nm was formed by vapor deposition on a transparent supporting substrate at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.2 nm and 7 seconds.
この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取
り出すことなく、正孔注入層の上にC30を発光層とし
て60nm積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が21
5°Cで、蒸着速度は0.2〜0.4nm/秒、基板温
度は室温であった。これを真空槽より取り出し、上記発
光層の−Fにステンレススチール製のマスクを設置し、
再び基板ホルダーに固定した。The substrate temperature at this time was room temperature. Without taking this out of the vacuum chamber, a 60 nm layer of C30 was deposited as a light emitting layer on the hole injection layer. The deposition conditions are a boat temperature of 21
At 5°C, the deposition rate was 0.2-0.4 nm/sec, and the substrate temperature was room temperature. This was taken out of the vacuum chamber, a stainless steel mask was placed on -F of the luminescent layer,
It was fixed on the substrate holder again.
次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ンIgを入れ、またタングステン製バスケットにインジ
ウム500■を装着した。その後、真空槽を1. OX
10−’Paまで減圧してから、インジウムを0.1
nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテンボ
ートからマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着
速度で蒸着し始めた。Next, magnesium ribbon Ig was placed in a resistance heating boat made of molybdenum, and indium 500 mm was placed in a tungsten basket. After that, 1. OX
After reducing the pressure to 10-'Pa, indium was added to 0.1
At the same time, magnesium was started to be deposited from the other molybdenum boat at a deposition rate of 1.7 to 2.8 nm/sec.
蒸着源温度はインジウム、マグネシウム各々、800℃
、500’C程度であった。上記条件でマグネシウムと
インジウムの混合金属電極を発光層の上に1100n積
層蒸着し対向電極とした。Vapor deposition source temperature was 800°C for indium and magnesium respectively.
, about 500'C. Under the above conditions, a 1100 nm mixed metal electrode of magnesium and indium was deposited on the light emitting layer to form a counter electrode.
この素子にITO電極を正極、マグネシウムとインジウ
ムの混合電極を負極として直流7.5Vを印加すると電
流が100mA/c+fl流れ、300cd/ボの緑色
の発光を得た。詳細な発光波長域は分光測定より450
〜650 nmで、ピーク波長は505nmであった。When a direct current of 7.5 V was applied to this element using the ITO electrode as the positive electrode and the magnesium and indium mixed electrode as the negative electrode, a current of 100 mA/c+fl flowed and green light emission of 300 cd/bo was obtained. The detailed emission wavelength range is 450 from spectroscopic measurements.
~650 nm, with a peak wavelength of 505 nm.
この発光ばC30の蛍光と一致することより、D P
V Biにより正極から正孔が発光層であるC30へ注
入され、その注入された正孔が負極から注入された電子
と再結合の結果、EL光発光生じていると考えられる。Since this emission coincides with the fluorescence of C30, D P
It is considered that holes are injected from the positive electrode into the light emitting layer C30 due to V Bi, and the injected holes recombine with electrons injected from the negative electrode, resulting in EL light emission.
この発光は、低電圧でしかもきわめて安定しており、D
PVBiが正札注入層を形成する正孔注入材料として極
めて優れていることが確かめられた。This light emission is low voltage and extremely stable, and D
It was confirmed that PVBi is extremely excellent as a hole-injecting material for forming the front-bill injection layer.
実施例4
25mmX 75mmX1゜1 mmのガラス基板」−
にITOを蒸着法にて1100nの厚さで製膜したもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着
装置(日本真空技術■製)の基板ホルダーに固定し、モ
リブテン製の抵抗加熱ボー1−に2゜5−ビス〔(2−
フェニル−2−(2〜ピリジル)ビニル)〕キシレン(
PPVX)を200■入れ、また別のモリブテン製ボー
トに3−(2’ −N−メチルベンゾイミダゾリル)−
7−N、N−ジエチルアミノクマリン(C30)を20
0■入れて、真空槽をI X 10−’Paまで減圧し
た。その後、PPVX入りの前記ボートを198℃まで
加熱し、ppvxを蒸着速度0.2〜0.4 n m/
秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚60nmの正孔注
入層を製膜した。この時の基板温度は室温であった。Example 4 25mm x 75mm x 1°1 mm glass substrate”
A transparent support substrate was prepared by forming a film of ITO to a thickness of 1100 nm using a vapor deposition method. This transparent support substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition apparatus (manufactured by Japan Vacuum Technology Ltd.), and a 2° 5-screw (2-
phenyl-2-(2-pyridyl)vinyl)]xylene (
3-(2'-N-methylbenzimidazolyl)- in another molybdenum boat.
7-N,N-diethylaminocoumarin (C30) at 20
0 ■, and the pressure in the vacuum chamber was reduced to I x 10-'Pa. Thereafter, the boat containing PPVX was heated to 198°C, and the PPVX was deposited at a deposition rate of 0.2 to 0.4 nm/
A hole injection layer having a thickness of 60 nm was formed by vapor deposition on a transparent support substrate in seconds. The substrate temperature at this time was room temperature.
これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に
、C30を発光層として60nm積層蒸着した。蒸着条
件はボート温度が215°Cで、蒸着速度は0.2〜0
.4nm/秒、基板温度は室温であった。これを真空槽
より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製
のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。Without taking this out of the vacuum chamber, a 60 nm layer of C30 was deposited as a light emitting layer on the hole injection layer. The deposition conditions were a boat temperature of 215°C and a deposition rate of 0.2 to 0.
.. 4 nm/sec, and the substrate temperature was room temperature. This was taken out from the vacuum chamber, a stainless steel mask was placed on top of the light emitting layer, and it was fixed to the substrate holder again.
次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン1gを入れ、またタングステン製バスケットにインジ
ウム500■を装着した。その後、真空槽を1. OX
10″′4Paまで減圧してから、インジウムを0.
1nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテン
ボートからマグネシウムを1゜7〜2.8nm/秒の蒸
着速度で蒸着し始めた。Next, 1 g of magnesium ribbon was placed in a resistance heating boat made of molybdenum, and 500 μm of indium was placed in a tungsten basket. After that, 1. OX
After reducing the pressure to 10'''4Pa, indium was added to 0.
At a deposition rate of 1 nm/sec, magnesium was simultaneously started to be deposited from the other molybdenum boat at a deposition rate of 1.7 to 2.8 nm/sec.
蒸着源温度はインジウム、マグネシウム各々、800°
C,500°C程度であった。上記条件でマグネシウム
とインジウムの混合金属電極を発光層の上に1100n
積層蒸着し対向電極とした。The evaporation source temperature was 800° for indium and magnesium respectively.
It was about 500°C. Under the above conditions, a mixed metal electrode of magnesium and indium was placed on the light emitting layer for 1100 nm.
A counter electrode was formed by laminated vapor deposition.
この素子にITO電極を正極、マグネシウムとインジウ
ムの混合電極を負極として直流12.5Vを印加すると
電流が50mA/cd流れ、120ed/ボの緑色の発
光を得た。詳細な発光波長域は分光測定より450〜6
50nmで、ピーク波長は510nmであった。この発
光はC30の蛍光と一致することより、PPVXにより
正極から正札が注入され、その注入された正孔が負極か
ら注入された電子と再結合の結果、El、発光が生じて
いると考えられる。またこの発光は、安定しており、P
PVXの形成する層が正孔注入層として優れていること
が確かめられた。When 12.5 V DC was applied to this device using the ITO electrode as the positive electrode and the magnesium and indium mixed electrode as the negative electrode, a current of 50 mA/cd flowed and green light emission of 120 ed/bo was obtained. The detailed emission wavelength range is 450 to 6 from spectroscopic measurements.
50 nm, the peak wavelength was 510 nm. Since this luminescence coincides with the fluorescence of C30, it is thought that the positive plate is injected from the positive electrode by PPVX, and the injected holes recombine with the electrons injected from the negative electrode, resulting in El and luminescence. . Moreover, this luminescence is stable and P
It was confirmed that the layer formed by PVX is excellent as a hole injection layer.
実施例5
25mmX 75+mnX1. I Mのガラス基板上
にIToを蒸着法にて1100nの厚さで製膜したもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着
装置(日本真空技術■製)の基板ホルダーに固定し、モ
リブテン製の抵抗加熱ボートに1゜4−ビス〔(2−フ
ェニル−2−(2−p〜メトキシフェニル)ビニル〕ベ
ンゼン(MePVB)を200■入れ、また別のモリブ
テン製ボートに3−(2’−N−メチルベンゾイミダゾ
リル)−7N、N−ジエチルアミノクマリン(C30)
を200■入れて、真空槽をI X 10−’Paまで
減圧した。その後、MePVB入りの前記ボートを18
4℃まで加熱し、MePVBを蒸着速度0.2〜0.4
nm/Sで透明支持基板上に蒸着して、膜厚60nmの
正孔注入層を製膜した。この時の基板温度は室温であっ
た。Example 5 25mmX 75+mnX1. A transparent supporting substrate was prepared by forming an ITo film with a thickness of 1100 nm on an IM glass substrate by vapor deposition. This transparent supporting substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition apparatus (manufactured by Japan Vacuum Technology Co., Ltd.), and placed in a resistance heating boat made of molybdenum. ) Vinyl]benzene (MePVB) at 200 μm, and 3-(2'-N-methylbenzimidazolyl)-7N,N-diethylaminocoumarin (C30) was placed in another molybdenum boat.
200 μm of water was added, and the pressure in the vacuum chamber was reduced to I×10−′Pa. Thereafter, the said boat containing MePVB was
Heating to 4℃, depositing MePVB at a rate of 0.2-0.4
A hole injection layer having a thickness of 60 nm was formed by vapor deposition on a transparent support substrate at a rate of nm/S. The substrate temperature at this time was room temperature.
これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に
、C30を発光層として60nm積層蒸着した。蒸着条
件はボート温度が215°Cで、蒸着速度は0.2〜0
.4nm/秒、基板温度は室温であった。これを真空槽
より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製
のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。Without taking this out of the vacuum chamber, a 60 nm layer of C30 was deposited as a light emitting layer on the hole injection layer. The deposition conditions were a boat temperature of 215°C and a deposition rate of 0.2 to 0.
.. 4 nm/sec, and the substrate temperature was room temperature. This was taken out from the vacuum chamber, a stainless steel mask was placed on top of the light emitting layer, and it was fixed to the substrate holder again.
次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン1gを入れ、またタングステン製バスケットにインジ
ウム500mgを装着した。その後、真空槽を1. O
X 10−’Paまで減圧してから、インジウムを0.
1nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテン
ボートからマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸
着速度で蒸着し始めた。Next, 1 g of magnesium ribbon was placed in a resistance heating boat made of molybdenum, and 500 mg of indium was placed in a tungsten basket. After that, 1. O
After reducing the pressure to X 10-'Pa, indium was reduced to 0.
At a deposition rate of 1 nm/sec, magnesium was simultaneously started to be deposited from the other molybden boat at a deposition rate of 1.7 to 2.8 nm/sec.
蒸着源温度はインジウム、マグネシウム各々、800“
C,500°C程度であった。上記条件でマグネシウム
とインジウムの混合金属電極を発光層の上に1100n
積層蒸着し対向電極とした。The evaporation source temperature was 800" for each of indium and magnesium.
It was about 500°C. Under the above conditions, a mixed metal electrode of magnesium and indium was placed on the light emitting layer for 1100 nm.
A counter electrode was formed by laminated vapor deposition.
この素子にITO電極を正極、マグネシウムとインジウ
ムの混合電極を負極として直流12.5Vを印加すると
電流が200mA/c+11流れ、400cd/nfの
緑色の発光を得た。詳細な発光波長域は分光測定より4
50〜650nmで、ピーク波長は507nmであった
。この発光はC30の蛍光と一致することより、MeP
VBにより正極から正孔が注入され、その注入された正
孔が負極から注入された電子と再結合の結果、EL光発
光生じていると考えられる。またこの発光は、安定して
おり、MePVBが正孔注入層として優れていることが
確かめられた。When DC 12.5 V was applied to this element using the ITO electrode as the positive electrode and the magnesium and indium mixed electrode as the negative electrode, a current of 200 mA/c+11 flowed and green light emission of 400 cd/nf was obtained. The detailed emission wavelength range is determined by spectroscopic measurements4
The wavelength was 50-650 nm, with a peak wavelength of 507 nm. Since this emission coincides with the fluorescence of C30, it is clear that MeP
It is considered that holes are injected from the positive electrode due to VB, and the injected holes recombine with electrons injected from the negative electrode, resulting in EL light emission. Moreover, this light emission was stable, and it was confirmed that MePVB is excellent as a hole injection layer.
以上説明したように、本発明のEL素子は、適度なイオ
ン化ポテンシャルを有している化合物を正孔注入層とし
て用いたので、素子の酸化耐性を改善でき、素子の耐久
性を向上できると同時に、低電圧で高輝度、高効率のE
L光発光得られる。As explained above, since the EL device of the present invention uses a compound having an appropriate ionization potential as the hole injection layer, the oxidation resistance of the device can be improved, and the durability of the device can be improved. , low voltage, high brightness, and high efficiency E
L-light emission is obtained.
したがって、本発明のEL素子は、各種表示装置の発光
材料として、有効な利用が期待される。Therefore, the EL element of the present invention is expected to be effectively used as a light emitting material for various display devices.
Claims (3)
ルコキシ基,シアノ基,アリール基,置換基含有アリー
ル基、R^3及びR^4は、それぞれ複素環。 置換基含有複素環,アリール基,置換基含有アリール基
(ここで、置換基としてはアルキル基,アルコキシ基,
シアノ基,ハロゲン原子,アシルオキシ基,アシル基,
カルボキシル基,アラルキル基,アリールオキシ基,ビ
ニル基,スチリル基,エステル基,水酸基であり、複数
置換されていてもよい。)を示し、R^1とR^3及び
R^2とR^4は、互いに結合し、置換基を有するもし
くは有しない飽和または不飽和の環構造を形成していて
もよい。またArはアリーレン基,置換基を一つあるい
は二つ含有する置換基含有アリーレン基(置換基として
はアルキル基,アルコキシ基,シアノ基,ハロゲン原子
,水酸基,アシルオキシ基,アシル基,カルボキシル基
,アラルキル基,アリールオキシ基,エステル基であり
、異なる二つで置換されていてもよい。)を示す。〕 で表わされる化合物を正孔注入材料として含むことを特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。(1) General formula ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ [In the formula, R^1 and R^2 are an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, an aryl group, a substituent-containing aryl group, R^3, respectively. and R^4 are each a heterocycle. Substituent-containing heterocycle, aryl group, substituent-containing aryl group (here, substituents include alkyl group, alkoxy group,
Cyano group, halogen atom, acyloxy group, acyl group,
These are carboxyl groups, aralkyl groups, aryloxy groups, vinyl groups, styryl groups, ester groups, and hydroxyl groups, and may be multiply substituted. ), and R^1 and R^3 and R^2 and R^4 may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated ring structure with or without a substituent. Ar is an arylene group, a substituent-containing arylene group containing one or two substituents (substituents include an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, a halogen atom, a hydroxyl group, an acyloxy group, an acyl group, a carboxyl group, an aralkyl group) group, aryloxy group, or ester group, which may be substituted with two different groups). ] An organic electroluminescent device comprising a compound represented by the following as a hole injection material.
層されると共に、前記正孔注入層の材料が請求項1記載
の化合物であることを特徴とする有機エレクトロミルネ
ッセンス素子。(2) An organic electroluminescence device characterized in that a positive electrode, a hole injection layer, a light emitting layer, and a negative electrode are laminated in this order, and the material of the hole injection layer is the compound according to claim 1. .
この順序で積層されると共に、前記正孔注入層の材料が
請求項1記載の化合物であることを特徴とする有機エレ
クトロミルネッセンス素子。(3) An organic electrolytic device characterized in that a positive electrode, a hole injection layer, a light emitting layer, an electron injection layer, and a negative electrode are laminated in this order, and the material of the hole injection layer is the compound according to claim 1. Millinescence element.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2135239A JPH0431488A (en) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | Organic electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2135239A JPH0431488A (en) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | Organic electroluminescent element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0431488A true JPH0431488A (en) | 1992-02-03 |
Family
ID=15147067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2135239A Pending JPH0431488A (en) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | Organic electroluminescent element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0431488A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012235154A (en) * | 2005-05-20 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP2135239A patent/JPH0431488A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012235154A (en) * | 2005-05-20 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
JP2015084458A (en) * | 2005-05-20 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting element, light emitting device, light device and electronic apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3163589B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JPH02255789A (en) | Organic electric field luminescent element | |
JPH08245955A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2001160488A (en) | Organic electroluminescent element | |
JPH11144872A (en) | Organic electroluminescence element material, and electroluminescence element using it | |
EP0373582B1 (en) | Electroluminescence device | |
JP2002038141A (en) | New condensed heterocyclic compound, luminous element material and luminous element using the same | |
JP2001192653A (en) | New fused heterocyclic compound, light emission element material and light emission element using the same | |
JP3099497B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
JPH04117485A (en) | Electroluminescent element | |
JPH0873443A (en) | Pyrazine derivative, organoelectroluminescence element containing the same and production of the pyrazine derivative | |
JPH0431488A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2002222697A (en) | Luminescent element | |
JP3189376B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
JP4256556B2 (en) | Light emitting device material, light emitting device using the same, and amine compound | |
JPH093342A (en) | Pyrazinoquinoxaline derivative, its production, and organic electroluminescent element | |
JP2002056981A (en) | Thin film el element | |
JPH0633047A (en) | Organic thin film luminescent element | |
JPH03203982A (en) | Organic electric field luminous element | |
JP3099577B2 (en) | Organic thin film light emitting device | |
JPH04308689A (en) | Organic electroluminesence element | |
JPH0782552A (en) | Organic electroluminescent element | |
JPH0753951A (en) | Organic thin-film luminescent element | |
JPH09157642A (en) | Light emitting element and back light or display using the same element | |
JP3254822B2 (en) | Organic thin film light emitting device |