JPH04286827A - 含浸形陰極 - Google Patents
含浸形陰極Info
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- JPH04286827A JPH04286827A JP3052198A JP5219891A JPH04286827A JP H04286827 A JPH04286827 A JP H04286827A JP 3052198 A JP3052198 A JP 3052198A JP 5219891 A JP5219891 A JP 5219891A JP H04286827 A JPH04286827 A JP H04286827A
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Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表示管，ブラウン管，撮
像管，進行波管などの電子管に用いられる含浸形陰極に
係り、特に、低温動作型であり、かつ高電流密度を得る
ことのできる含浸形陰極に関する。
像管，進行波管などの電子管に用いられる含浸形陰極に
係り、特に、低温動作型であり、かつ高電流密度を得る
ことのできる含浸形陰極に関する。
【０００２】
【従来の技術】含浸形陰極は、タングステン（Ｗ）など
からなる耐熱多孔質基体にバリウム（Ｂａ）化合物から
なる電子放出物質を含浸した構造が基本である。陰極の
動作温度を下げる方法としては、特公昭４７−２１３４
３号公報記載のように、陰極表面にオスミウム−ルテニ
ウム（Ｏｓ−Ｒｕ）合金などを被覆する方法が一般的で
ある。この多孔質基体は粒径６〜１０μｍの粒子からな
る焼結体からなり、その空孔率としては１８〜２０％の
範囲で選ばれている。しかしながら、このような方法で
は、陰極の動作温度は約１０００℃と高く、実用化促進
への大きな障害となっていた。
からなる耐熱多孔質基体にバリウム（Ｂａ）化合物から
なる電子放出物質を含浸した構造が基本である。陰極の
動作温度を下げる方法としては、特公昭４７−２１３４
３号公報記載のように、陰極表面にオスミウム−ルテニ
ウム（Ｏｓ−Ｒｕ）合金などを被覆する方法が一般的で
ある。この多孔質基体は粒径６〜１０μｍの粒子からな
る焼結体からなり、その空孔率としては１８〜２０％の
範囲で選ばれている。しかしながら、このような方法で
は、陰極の動作温度は約１０００℃と高く、実用化促進
への大きな障害となっていた。
【０００３】さらに、動作温度を下げる方法として、特
開昭６１−１３５２６号公報記載のように、Ｏｓ−Ｒｕ
合金の代わりにタングステン（Ｗ），スカンジウム（Ｓ
ｃ）及び酸素（Ｏ）を含む薄膜を被覆する方法がある。 この方法によれば、動作温度８００℃で飽和電流密度１
０Ａ／ｃｍ２以上が得られ、結果として動作温度を前者
の方法よりも１５０〜２００℃下げることができる。し
かし、Ｗ，Ｓｃ及びＯを含む薄膜を被覆した含浸形陰極
は、高い電子放出能を得るために、陰極表面に高い電界
を印加しなければならない。これは、高い電子放出能を
有する部分と低い電子放出能を有する部分、すなわち仕
事関数の小さい部分と大きい部分が分布することに起因
するパッチ電界効果の存在によるものである。この仕事
関数の不均一分布すなわちパッチ電界効果の存在が、空
間電荷制限領域と温度制限領域の境界を不明瞭とし、低
温下での陰極の使用を難しくしている。
開昭６１−１３５２６号公報記載のように、Ｏｓ−Ｒｕ
合金の代わりにタングステン（Ｗ），スカンジウム（Ｓ
ｃ）及び酸素（Ｏ）を含む薄膜を被覆する方法がある。 この方法によれば、動作温度８００℃で飽和電流密度１
０Ａ／ｃｍ２以上が得られ、結果として動作温度を前者
の方法よりも１５０〜２００℃下げることができる。し
かし、Ｗ，Ｓｃ及びＯを含む薄膜を被覆した含浸形陰極
は、高い電子放出能を得るために、陰極表面に高い電界
を印加しなければならない。これは、高い電子放出能を
有する部分と低い電子放出能を有する部分、すなわち仕
事関数の小さい部分と大きい部分が分布することに起因
するパッチ電界効果の存在によるものである。この仕事
関数の不均一分布すなわちパッチ電界効果の存在が、空
間電荷制限領域と温度制限領域の境界を不明瞭とし、低
温下での陰極の使用を難しくしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の含浸形陰極において、動作温度は低いが、陰極表面に
仕事関数の不均一分布が存在するために、高い電子放出
能を得るには高い電界を印加しなければならなく、実用
化を難しくしているという難点があった。
の含浸形陰極において、動作温度は低いが、陰極表面に
仕事関数の不均一分布が存在するために、高い電子放出
能を得るには高い電界を印加しなければならなく、実用
化を難しくしているという難点があった。
【０００５】本発明の目的は、Ｗ，Ｓｃ及びＯを含む薄
膜を被覆した含浸形陰極表面の仕事関数の不均一分布を
軽減すなわちパッチ電界効果を低減し、実装に耐え得る
含浸形陰極を提供することにある。
膜を被覆した含浸形陰極表面の仕事関数の不均一分布を
軽減すなわちパッチ電界効果を低減し、実装に耐え得る
含浸形陰極を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、含浸形陰極
の耐熱多孔質基体を粒径１〜５μｍの粒子からなる耐熱
金属焼結体とし、しかも空孔率を２５〜３２％とするこ
とによって達成することができる。
の耐熱多孔質基体を粒径１〜５μｍの粒子からなる耐熱
金属焼結体とし、しかも空孔率を２５〜３２％とするこ
とによって達成することができる。
【０００７】
【作用】図１は本発明の含浸形陰極の概略構造を示す断
面図で、耐熱多孔質基体１と電子放出物質２とからなる
下地含浸形陰極ペレット３，障壁層４，スリーブ５，ヒ
ータ６，及びＷとＳｃ２Ｗ３Ｏ１２を含む薄膜７から構
成されている。まず、ヒータ６への通電により陰極を加
熱することによって、下地含浸形陰極ペレット３内にお
いて耐熱多孔質基体１と電子放出物質２とが反応してＢ
ａを生成する。たとえば、電子放出物質２にＢａ３Ａｌ
２Ｏ６を，多孔質基体１にＷを使用した場合には、次の
式によってＢａが生成される。
面図で、耐熱多孔質基体１と電子放出物質２とからなる
下地含浸形陰極ペレット３，障壁層４，スリーブ５，ヒ
ータ６，及びＷとＳｃ２Ｗ３Ｏ１２を含む薄膜７から構
成されている。まず、ヒータ６への通電により陰極を加
熱することによって、下地含浸形陰極ペレット３内にお
いて耐熱多孔質基体１と電子放出物質２とが反応してＢ
ａを生成する。たとえば、電子放出物質２にＢａ３Ａｌ
２Ｏ６を，多孔質基体１にＷを使用した場合には、次の
式によってＢａが生成される。
【０００８】
（２／３）Ｂａ３Ａｌ２Ｏ６＋（１／３）Ｗ→（１／３
）ＢａＷＯ４＋（２／３）ＢａＡｌ２Ｏ４＋Ｂａ 生成したＢａの一部は陰極表面に拡散すると同時に、他
のＢａは薄膜７中のＷ及びＳｃを含む酸化物と反応して
Ｓｃを生成する。たとえば、薄膜７がＷ及びＳｃ２Ｗ３
Ｏ１２からなる場合、Ｓｃ２Ｗ３Ｏ１２とＢａが反応し
、次の式によってＳｃが生成される。
）ＢａＷＯ４＋（２／３）ＢａＡｌ２Ｏ４＋Ｂａ 生成したＢａの一部は陰極表面に拡散すると同時に、他
のＢａは薄膜７中のＷ及びＳｃを含む酸化物と反応して
Ｓｃを生成する。たとえば、薄膜７がＷ及びＳｃ２Ｗ３
Ｏ１２からなる場合、Ｓｃ２Ｗ３Ｏ１２とＢａが反応し
、次の式によってＳｃが生成される。
【０００９】
Ｓｃ２Ｗ３Ｏ１２＋３Ｂａ→３ＢａＷＯ４＋２Ｓｃ陰極
表面に拡散したＢａおよびＳｃは、電子放出物質２の熱
分解によって生ずる酸素や雰囲気中の酸素と結合して、
薄膜７上に単分子層から数分子層程度の極めて厚さの薄
い（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合層８を形成する。この複合層
８はその電子放出仕事関数が１．２ｅＶと小さく、高い
電子放出能が得られる要因である。しかし、従来の含浸
形陰極は、この複合層８が陰極表面全領域に均一には形
成されず、島状に形成されていた。（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）
複合層８が存在しない部分は、仕事関数が２．０ｅＶと
大きく、仕事関数の不均一分布が観測された。したがっ
て、複合層８と薄膜７との間でパッチ電界効果が存在し
、高い電子放出能を得るためには高い電界を印加しなけ
ればならない。
表面に拡散したＢａおよびＳｃは、電子放出物質２の熱
分解によって生ずる酸素や雰囲気中の酸素と結合して、
薄膜７上に単分子層から数分子層程度の極めて厚さの薄
い（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合層８を形成する。この複合層
８はその電子放出仕事関数が１．２ｅＶと小さく、高い
電子放出能が得られる要因である。しかし、従来の含浸
形陰極は、この複合層８が陰極表面全領域に均一には形
成されず、島状に形成されていた。（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）
複合層８が存在しない部分は、仕事関数が２．０ｅＶと
大きく、仕事関数の不均一分布が観測された。したがっ
て、複合層８と薄膜７との間でパッチ電界効果が存在し
、高い電子放出能を得るためには高い電界を印加しなけ
ればならない。
【００１０】（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合層８の形成を注意
深く観察すると、その複合層８は多孔質基体１の細孔部
すなわち電子放出物質２の部分を中心に島状に形成され
ていた。これは生成したＢａ，Ｓｃが陰極表面で拡散速
度が遅く、かつ滞在時間が短いために、（Ｂａ，Ｓｃ，
Ｏ）複合層８で陰極表面全領域を覆うことができなかっ
た。
深く観察すると、その複合層８は多孔質基体１の細孔部
すなわち電子放出物質２の部分を中心に島状に形成され
ていた。これは生成したＢａ，Ｓｃが陰極表面で拡散速
度が遅く、かつ滞在時間が短いために、（Ｂａ，Ｓｃ，
Ｏ）複合層８で陰極表面全領域を覆うことができなかっ
た。
【００１１】Ｂａ，Ｓｃの拡散速度及び滞在時間を補っ
て陰極表面全領域を（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合層８で覆う
ためには、多孔質基体１の細孔部間すなわち電子放出物
質２の部分の間隙を縮めれば、（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合
層８の被覆率が向上して仕事関数の不均一分布が解消さ
れ、パッチ電界効果を低減できる。したがって、多孔質
基体１は従来よりも細粒で製作した金属焼結体とすれば
良い。すなわち、実用的な粒子径については、顕著な効
果が認められたのは１〜５μｍの範囲であった。また、
空孔率はＢａの生成量を支配し、さらにＳｃの生成量も
左右される。（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合層８をスムーズに
形成するためには、従来の陰極の空孔率よりも大きい方
が有利である。電子放出特性測定によって実験的に求め
た空孔率については、顕著な効果が認められたのは２５
〜３２％の範囲で、２８％のとき電子放出特性が最良で
あった。
て陰極表面全領域を（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合層８で覆う
ためには、多孔質基体１の細孔部間すなわち電子放出物
質２の部分の間隙を縮めれば、（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合
層８の被覆率が向上して仕事関数の不均一分布が解消さ
れ、パッチ電界効果を低減できる。したがって、多孔質
基体１は従来よりも細粒で製作した金属焼結体とすれば
良い。すなわち、実用的な粒子径については、顕著な効
果が認められたのは１〜５μｍの範囲であった。また、
空孔率はＢａの生成量を支配し、さらにＳｃの生成量も
左右される。（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合層８をスムーズに
形成するためには、従来の陰極の空孔率よりも大きい方
が有利である。電子放出特性測定によって実験的に求め
た空孔率については、顕著な効果が認められたのは２５
〜３２％の範囲で、２８％のとき電子放出特性が最良で
あった。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の含浸形陰極について実施例に
よって具体的に説明する。
よって具体的に説明する。
【００１３】先ず、図１に基づいて、本発明の含浸形陰
極の製作について説明する。粒径１，３，５μｍのＷ粉
末と従来陰極に使用している粒径７μｍのＷ粉末を用意
し、それぞれプレス成形，水素中で仮焼結，真空中で本
焼結を行い、空孔率２０，２３，２５，２８，３２％で
直径１．２ｍｍ，厚さ０．４５ｍｍの耐熱多孔質基体１
を製作した。なお、空孔率の調整は、プレス成形圧力、
焼結温度を変えることによって実施した。製作した多孔
質基体１に水素雰囲気中で４ＢａＯ・ＣａＯ・Ａｌ２Ｏ
３の組成からなる電子放出物質２を加熱溶融，含浸し、
下地含浸形陰極ペレット３を製作した。次いで、該ペレ
ット３をモリブデン（Ｍｏ）からなるカップ状の障壁層
４に挿入し、さらにヒータ６を内包するためのＭｏスリ
ーブ５に挿入したのち、それらを固着して陰極本体を製
作した。
極の製作について説明する。粒径１，３，５μｍのＷ粉
末と従来陰極に使用している粒径７μｍのＷ粉末を用意
し、それぞれプレス成形，水素中で仮焼結，真空中で本
焼結を行い、空孔率２０，２３，２５，２８，３２％で
直径１．２ｍｍ，厚さ０．４５ｍｍの耐熱多孔質基体１
を製作した。なお、空孔率の調整は、プレス成形圧力、
焼結温度を変えることによって実施した。製作した多孔
質基体１に水素雰囲気中で４ＢａＯ・ＣａＯ・Ａｌ２Ｏ
３の組成からなる電子放出物質２を加熱溶融，含浸し、
下地含浸形陰極ペレット３を製作した。次いで、該ペレ
ット３をモリブデン（Ｍｏ）からなるカップ状の障壁層
４に挿入し、さらにヒータ６を内包するためのＭｏスリ
ーブ５に挿入したのち、それらを固着して陰極本体を製
作した。
【００１４】次に、複数物質を同時にスパッタリングす
ることが可能な装置（図示せず）を使用し、Ｗ，Ｓｃ２
Ｗ３Ｏ１２の２種をスパッタ・ターゲットとして、上記
陰極本体のペレット３表面に上記ＷとＳｃ２Ｗ３Ｏ１２
からなる混合薄膜７を形成した。
ることが可能な装置（図示せず）を使用し、Ｗ，Ｓｃ２
Ｗ３Ｏ１２の２種をスパッタ・ターゲットとして、上記
陰極本体のペレット３表面に上記ＷとＳｃ２Ｗ３Ｏ１２
からなる混合薄膜７を形成した。
【００１５】上記の如く形成した含浸形陰極について、
真空度１０−７Ｐａクラスの高真空容器内に陽極と陰極
からなる平行平板の２電極を配置し、陰極温度を１１５
０℃まで加熱して陰極を活性化したのち、陰極温度を８
５０℃に下げて陽極に正のパルス電圧を印加したときの
陰極の放出電流を測定した。図２は陰極の放出電流密度
と印加電圧の平方根との関係（ショットキー曲線）を示
す。同図において、曲線２１は本発明による含浸形陰極
の放出電流密度特性、曲線２２は従来の含浸形陰極の特
性、曲線２３は従来の実用的なレベルにあるＯｓ−Ｒｕ
被覆含浸形陰極の特性である。
真空度１０−７Ｐａクラスの高真空容器内に陽極と陰極
からなる平行平板の２電極を配置し、陰極温度を１１５
０℃まで加熱して陰極を活性化したのち、陰極温度を８
５０℃に下げて陽極に正のパルス電圧を印加したときの
陰極の放出電流を測定した。図２は陰極の放出電流密度
と印加電圧の平方根との関係（ショットキー曲線）を示
す。同図において、曲線２１は本発明による含浸形陰極
の放出電流密度特性、曲線２２は従来の含浸形陰極の特
性、曲線２３は従来の実用的なレベルにあるＯｓ−Ｒｕ
被覆含浸形陰極の特性である。
【００１６】表１は上記実施例で説明した耐熱多孔質基
体の製作条件による陰極の電子放出特性を定性的に優劣
評価した結果で、記号は特性が優れている順にＡ＞Ｂ＞
Ｃ＞Ｄである。Ａ及びＢが陰極として実用的なレベルの
ものである。
体の製作条件による陰極の電子放出特性を定性的に優劣
評価した結果で、記号は特性が優れている順にＡ＞Ｂ＞
Ｃ＞Ｄである。Ａ及びＢが陰極として実用的なレベルの
ものである。
【００１７】
【表１】
【００１８】図２から分かるように、本発明による含浸
形陰極の放出電流密度特性２１は従来の含浸形陰極の特
性２２に比較して高い放出電流密度が得られ、特に低電
界においてはそれが顕著になっている。また、従来の実
用レベルのＯｓ−Ｒｕ被覆含浸形陰極の特性２３と同様
に、空間電荷制限領域から温度制限領域への移行が明瞭
になった。これは低仕事関数の（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合
層８の陰極表面での被覆率が向上し、仕事関数の不均一
分布が低減されたことを意味する。また、動作温度（陰
極温度８５０℃）状態において、陰極表面のオージェ分
析を実施しても明らかに（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合層８の
被覆率向上が確認された。
形陰極の放出電流密度特性２１は従来の含浸形陰極の特
性２２に比較して高い放出電流密度が得られ、特に低電
界においてはそれが顕著になっている。また、従来の実
用レベルのＯｓ−Ｒｕ被覆含浸形陰極の特性２３と同様
に、空間電荷制限領域から温度制限領域への移行が明瞭
になった。これは低仕事関数の（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合
層８の陰極表面での被覆率が向上し、仕事関数の不均一
分布が低減されたことを意味する。また、動作温度（陰
極温度８５０℃）状態において、陰極表面のオージェ分
析を実施しても明らかに（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合層８の
被覆率向上が確認された。
【００１９】
【発明の効果】以上、本発明になるＷ及びＳｃを含む酸
化物の混合膜を有する含浸形陰極において、耐熱多孔質
基体を従来よりも小粒径の粉末から製作した焼結体とし
、さらに空孔率を２５〜３２％と従来よりも高くするこ
とによって、陰極表面に低仕事関数の（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ
）複合層が高い被覆率で容易に形成でき、仕事関数の不
均一分布の低減すなわちパッチ電界効果を低減できる。 したがって、本発明による含浸形陰極は、小さい電界で
も高い放出電流密度が得られ、実用レベルの低温動作形
の含浸形陰極として使用できる。
化物の混合膜を有する含浸形陰極において、耐熱多孔質
基体を従来よりも小粒径の粉末から製作した焼結体とし
、さらに空孔率を２５〜３２％と従来よりも高くするこ
とによって、陰極表面に低仕事関数の（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ
）複合層が高い被覆率で容易に形成でき、仕事関数の不
均一分布の低減すなわちパッチ電界効果を低減できる。 したがって、本発明による含浸形陰極は、小さい電界で
も高い放出電流密度が得られ、実用レベルの低温動作形
の含浸形陰極として使用できる。
【００２０】また、本発明による含浸形陰極を電子管に
実装した場合に、動作温度を従来のＯｓ−Ｒｕ被覆含浸
形陰極よりもさらに１５０〜２００℃下げることができ
るので、陰極表面からのＢａ及びＢａＯの蒸発速度を約
１桁低減出来、グリッド・エミッション等に起因する管
球特性の劣化を防止できる。さらに、本発明による含浸
形陰極は低温動作であることから、陰極を加熱するヒー
タの信頼性も大巾に向上する。
実装した場合に、動作温度を従来のＯｓ−Ｒｕ被覆含浸
形陰極よりもさらに１５０〜２００℃下げることができ
るので、陰極表面からのＢａ及びＢａＯの蒸発速度を約
１桁低減出来、グリッド・エミッション等に起因する管
球特性の劣化を防止できる。さらに、本発明による含浸
形陰極は低温動作であることから、陰極を加熱するヒー
タの信頼性も大巾に向上する。
【図１】本発明の含浸形陰極の概略構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明構成の含浸形陰極と従来の含浸形陰極の
放出電流密度特性を比較した図である。
放出電流密度特性を比較した図である。
１・・・耐熱多孔質基体、２・・・電子放出物質、３・
・・ペレット、７・・・Ｗ及びＳｃを含む酸化物の混合
薄膜、８・・・（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合層、２１・・・
本発明の含浸形陰極の特性、２２，２３・・・従来の含
浸形陰極の特性。
・・ペレット、７・・・Ｗ及びＳｃを含む酸化物の混合
薄膜、８・・・（Ｂａ，Ｓｃ，Ｏ）複合層、２１・・・
本発明の含浸形陰極の特性、２２，２３・・・従来の含
浸形陰極の特性。
Claims (1)
- 【請求項１】耐熱多孔質基体と、その細孔部には電子放
出物質、表面にはタングステン（Ｗ），スカンジウム（
Ｓｃ）及び酸素（Ｏ）を含む薄膜を設けた含浸形陰極に
おいて、前記耐熱多孔質基体は粒径１〜５μｍの粒子の
耐熱金属焼結体からなり、かつ２５〜３２％の空孔率を
有することを特徴とする含浸形陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3052198A JPH04286827A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 含浸形陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3052198A JPH04286827A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 含浸形陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286827A true JPH04286827A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12908091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3052198A Pending JPH04286827A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 含浸形陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04286827A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996042100A1 (fr) * | 1995-06-09 | 1996-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Structure de cathode impregnee, substrat de cathode pour une telle structure, structure de canon a electrons utilisant une telle structure de cathode, et tube electronique |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP3052198A patent/JPH04286827A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996042100A1 (fr) * | 1995-06-09 | 1996-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Structure de cathode impregnee, substrat de cathode pour une telle structure, structure de canon a electrons utilisant une telle structure de cathode, et tube electronique |
| US6034469A (en) * | 1995-06-09 | 2000-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Impregnated type cathode assembly, cathode substrate for use in the assembly, electron gun using the assembly, and electron tube using the cathode assembly |
| US6304024B1 (en) | 1995-06-09 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Impregnated-type cathode substrate with large particle diameter low porosity region and small particle diameter high porosity region |
| US6447355B1 (en) | 1995-06-09 | 2002-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Impregnated-type cathode substrate with large particle diameter low porosity region and small particle diameter high porosity region |
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