JPH0427145A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 半導体装置の構造にかかり、さらに詳し熱板を有する半
導体装置に関する。

くは放 ［従来の技術］ 半導体装置は、・半導体チップ２の電気的特性の引き出
しのため、金線３によりリードフレーム４と接続されて
いる。この半導体チップ２．金８５の保護を目的として
、通常樹脂１にて封止されている。また、半導体チップ
２からの熱を放出するため、各種方法が取られている。

第４図（α）は放熱フィン形パッケージの断面を示した
図であるが、第４図（α）では、半導体チップ２搭載部
（以下ダイパッド部と称する）をパッケージ側面部から
フィン状に露出させ放熱性を向上させたものである。放
熱フィン１Ｄは、リードと同一平面上に出されている。

第４図Ｃｂ）は放熱板内蔵パッケージ断面を示した図で
あるが、第４図（ｂ）では、ダイパッド部面積を広（取
りパッケージ内部に封止することで放熱性を向上させる
。放熱板１１は、面積が広くパッケージに内蔵されてい
る。

第４図（Ｃ）は放熱板露出形パッケージ断面を示した図
であるが、第４図（Ｃ）では、ダイパッド部を厚（し、
パッケージ表面に露出させ放熱性を向上させたものであ
る。放熱板１２は、リードと垂直方向に出されている。

現在、これらのうち放熱性及び製造プロセスの容易性よ
り第４図（ａ）が広（用いられている。

［発明が解決しようとする課題］ 半導体チップは高集積化、高出力化の傾向にあり、それ
に合わせて本来半導体チップの保護を目的とした封止に
おいても、放熱特性の向上要求が高まってきている。そ
のため、封止での放熱特性向上を目的とし、各種の方法
が考えられている。

第４図（α）は、放熱フィン１０を用いて放熱性を向上
させるものであるが、放熱フィン１Ｄがリードと同列に
接地されているため、リードレイアウト上のロスが多く
、多端子出力の半導体チップには不適である。また、放
熱フィン１ｏがパッケージを横断しているため、樹脂１
と放熱フィン１０との密着性低下による品質トラブルも
問題となっている。

第４図Ｃｂ）では、放熱板１１がパッケージに内蔵され
ていることで、放熱効果を上げるものであり第４図（α
）に比べ、リードレイアウトへのロスがなく改善されて
いる。しかし、放熱板１１が放熱性の悪い樹脂１にて包
まれているため高い放熱特性が見込めない。また、樹脂
１と放熱板１１との密着性低下による品質トラブルも問
題となっている。

第４図（ｃ）では、放熱板１２をパッケージ表面に露出
させたものであり、高い放熱特性を得ることができる。

しかし、放熱板１２はリードフレーム４に接着されてい
るのみであるため、機械強度的に弱い。そのため、封止
の際の圧力による放熱板１２の傾きや、放熱板１２上へ
の樹脂のまわり込みの問題もあった。また、樹脂１と放
熱板１２との密着性低下による品質トラブルという問題
点があった。

そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的は高い放熱特性及び放熱板と樹脂との密着性向
上をはかることのできる半導体装置を提供することにあ
る。

［課題を解決するための手段］ 本発明の半導体装置は、半導体素子の電極とリードフレ
ームのインナーリードとをそれぞれワイヤで接続し、前
記半導体素子から発生する熱を放出する放熱板と共に樹
脂等で封止してなる半導体装置において、前記放熱板を
装置上下部もしくは内部に複数枚有することを特徴とす
る。

Ｌ実施例］ 本発明の詳細な説明するに当り、第３図に示したものと
、同一もしくは相当部分には同符号を使用し、説明を省
略する。

本発明の実施例を示す。第１図（α）は、半導体装置の
断面図であり、半導体チップ２は下面放熱板５ｂに直接
接着されており、上下の放熱板５ａ、５ｂは放熱板上に
複数配列された結合ピン６により接合されている。第１
図（ｂ）は、下面放熱板５ｂとリードフレーム４の固定
方法及び半導体チップ２．金線５のレイアウトを示して
いる。

下面放熱板５ｂには、結合ビンとして凸型ピン６ｂが設
けられており、この凸型ピン６ｂを使用しリードフレー
ム４の固定を行なう。下面放熱板５ｂとリードフレーム
４の固定後、半導体チップ２及び金線５の接合を行なう
。第１図（Ｃ）は、上面放熱板５αリードフレーム４　
下面放熱板５ｂの固定方法を示したものである。金線５
による接続終了後、下面放熱板５ｂの凸ビン６ｂに上面
放熱板５αの凹ビン６αを合わせ、上下放熱板５α、５
ｂを結合固定する。第１図（ｄ）は、封止の際の断面図
である。上下の放熱板５α、５ｂは、それぞれ封止金型
の上型７α下型７ｂに接し、金型クランプ時に金型内に
固定される。このため、樹脂注入の際の圧力による放熱
板５ｃＬ、５ｂの傾きがなく安定した品質が確保される
。また、放熱板５α、５ｂは樹脂１との接着力のみでは
な（、結合ビン６により固定されているため、密着性に
おいても向上される。さらに、放熱板が複数構造となっ
ているため放熱効果が向上される。

第２図、第５図に、他の実施例を示す。第２図は上下放
熱板８α、８ｄに加えダイパッド部に８ｂ、ｆ３ｄと８
ｈの間にさらに放熱板８Ｃを設は一四層構造となってい
る。また、第６図では上下放熱板９α、９ｃの形状を変
えダイパッド部に放熱板９Ｃを設けた三層構造のもので
ある。

したがって、放熱板の数、形状については自由に変化さ
せることが可能であり、放熱板の結合固定方法も用途に
応じて、接着、カシメ等可能である。また、放熱板の素
材についても、金属、セラミック、樹脂でも良い。

［発明の効果コ 以上の説明より、本発明では複数の放熱板を使用した半
導体装置を提供することにより、半導体チップから発せ
られる熱を放出する高い放熱性を得られるとともに、高
信頼性、高品質を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（α）は、本発明を示す断面図。第１図Ｃｂ）は
放熱板とリードフレームの位置関係を示した平面図。第
１図（Ｃ）は、上下放熱板とリードフレームの固定方法
を示した断面図。第１図（ｄ）は、封止金型内での金型
と放熱板の位置関係を示した断面図。第２図は、放熱板
を四枚使用した実施例断面図。第６図は、放熱板を三枚
使用した実施例断面図。第４図（α）は、放熱フィンを
用いた放熱形パッケージを示した断面図。第４図（ｂ）
は、放熱板を内蔵した放熱形パッケージを示す断面図。 第４図（１）は、露出形放熱板を用いた放熱形パッケー
ジを示す断面図。 １・・・・・・−・樹　脂 ２・・・−・・・・半導体チップ ６・・・・・・・・・金　線 ４・・・・・・・・・リードフレーム ５ａ・・・・・・放熱板 ５ｂ−・・・・・放熱板 ６・・・・・・−・結合ピン ６α−・・・・凹ピン ６ｂ−・・・凸ピン ７ａ−・−封止上型 ｈ　　−。 ０−・ １　・・・ ２　・・・ ・−封止下型 ・・・放熱板 ・−放熱板 一・放熱板 一放熱板 −・放熱板 −・放熱板 一放熱板 一放熱フィン ・・・放熱板 ・・・放熱板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体素子の電極とリードフレームのインナーリード
   とをそれぞれワイヤで接続し、前記半導体素子から発生
   する熱を放出する放熱板と共に樹脂等で封止してなる半
   導体装置において、前記放熱板を装置上下部もしくは内
   部に複数枚有することを特徴とする半導体装置。