JPH04256292A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04256292A JPH04256292A JP3017493A JP1749391A JPH04256292A JP H04256292 A JPH04256292 A JP H04256292A JP 3017493 A JP3017493 A JP 3017493A JP 1749391 A JP1749391 A JP 1749391A JP H04256292 A JPH04256292 A JP H04256292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal charge
- charge detection
- detection section
- solid
- ccd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 90
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エリアセンサーならび
にラインセンサー等に用いられ、ＣＣＤ（チャージカッ
プルドデバイス）を利用した固体撮像装置に関する。
にラインセンサー等に用いられ、ＣＣＤ（チャージカッ
プルドデバイス）を利用した固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤを利用した固体撮像装置の出力部
をなす信号電荷検出部の信号電荷検出方法としては、例
えばカレント・アウトプット法およびフローティング・
ディフュージョン・アンプリファイア法およびフローテ
ィング・ゲート・アンプリファイア法等がある。これら
の信号電荷検出方法の感度やダイナミックレンジ等の特
性は、各信号電荷検出方法の間で、互いに異なっている
。そして、上記各信号電荷検出方法は、上記特性につい
て、夫々一長一短がある。また、同一の信号電荷検出方
法の信号電荷検出部であっても、その形成方法によって
、感度やダイナミックレンジ等の特性は様々に変化する
。
をなす信号電荷検出部の信号電荷検出方法としては、例
えばカレント・アウトプット法およびフローティング・
ディフュージョン・アンプリファイア法およびフローテ
ィング・ゲート・アンプリファイア法等がある。これら
の信号電荷検出方法の感度やダイナミックレンジ等の特
性は、各信号電荷検出方法の間で、互いに異なっている
。そして、上記各信号電荷検出方法は、上記特性につい
て、夫々一長一短がある。また、同一の信号電荷検出方
法の信号電荷検出部であっても、その形成方法によって
、感度やダイナミックレンジ等の特性は様々に変化する
。
【０００３】図３にフローティング・ディフュージョン
・アンプリファイア法を用いた信号電荷検出部を有する
固体撮像装置の上記信号電荷検出部付近の構造図を示す
。Ｐ型基板３１とＮ＋層３２とでフローティング・ディ
フュージョン・ダイオードＦＤを構成している。また、
Ｎ＋層３３はリセットドレインＲＤをなす。ＲＳはリセ
ットゲートである。導線３４は、上記フローティング・
ディフュージョン・ダイオードＦＤと増幅用のトランジ
スタＴＲ３１のゲートを接続している。上記フローティ
ング・ディフュージョン・ダイオードＦＤと導線３４と
トランジスタＴＲ３１とリセットドレインＲＤとリセッ
トゲートＲＳとで上記信号電荷検出部を構成している。
・アンプリファイア法を用いた信号電荷検出部を有する
固体撮像装置の上記信号電荷検出部付近の構造図を示す
。Ｐ型基板３１とＮ＋層３２とでフローティング・ディ
フュージョン・ダイオードＦＤを構成している。また、
Ｎ＋層３３はリセットドレインＲＤをなす。ＲＳはリセ
ットゲートである。導線３４は、上記フローティング・
ディフュージョン・ダイオードＦＤと増幅用のトランジ
スタＴＲ３１のゲートを接続している。上記フローティ
ング・ディフュージョン・ダイオードＦＤと導線３４と
トランジスタＴＲ３１とリセットドレインＲＤとリセッ
トゲートＲＳとで上記信号電荷検出部を構成している。
【０００４】上記フローティング・ディフュージョン・
ダイオードＦＤは、出力電極ＯＧの下方の水平ＣＣＤの
後端からの信号電荷を検出して、導線３４に出力電圧Ｖ
ｏｕｔを発生させる。上記フローティング・ディフュー
ジョン・ダイオードＦＤは、そのＮ＋層３２と出力電極
ＯＧとの間の浮遊容量Ｃ１と、Ｎ＋層３２とリセットゲ
ートＲＳとの間の浮遊容量Ｃ２と、Ｎ＋層３２とＰ型基
板３１との間の容量Ｃｄを有している。また、上記導線
３４は浮遊容量Ｃｇを有している。したがって、上記フ
ローティング・ディフュージョン・ダイオードＦＤと導
線３４を有する上記信号電荷検出部が有するキャパシタ
ＣＦＤのキャパシタンスｃｆｄは、浮遊容量Ｃ１，Ｃ２
，Ｃｇのキャパシタンスを夫々ｃ１，ｃ２，ｃｇとし、
容量Ｃｄのキャパシタンスをｃｄとすると、次の数１で
計算できる。
ダイオードＦＤは、出力電極ＯＧの下方の水平ＣＣＤの
後端からの信号電荷を検出して、導線３４に出力電圧Ｖ
ｏｕｔを発生させる。上記フローティング・ディフュー
ジョン・ダイオードＦＤは、そのＮ＋層３２と出力電極
ＯＧとの間の浮遊容量Ｃ１と、Ｎ＋層３２とリセットゲ
ートＲＳとの間の浮遊容量Ｃ２と、Ｎ＋層３２とＰ型基
板３１との間の容量Ｃｄを有している。また、上記導線
３４は浮遊容量Ｃｇを有している。したがって、上記フ
ローティング・ディフュージョン・ダイオードＦＤと導
線３４を有する上記信号電荷検出部が有するキャパシタ
ＣＦＤのキャパシタンスｃｆｄは、浮遊容量Ｃ１，Ｃ２
，Ｃｇのキャパシタンスを夫々ｃ１，ｃ２，ｃｇとし、
容量Ｃｄのキャパシタンスをｃｄとすると、次の数１で
計算できる。
【０００５】
【数１】ｃｆｄ ＝ ｃ１＋ｃ２＋ｃｇ＋ｃｄまた、上
記信号電荷検出部の出力電圧Ｖｏｕｔは、上記信号電荷
検出部が検出する信号電荷量をＱｓｉｇとすると、次の
数２で計算できる。
記信号電荷検出部の出力電圧Ｖｏｕｔは、上記信号電荷
検出部が検出する信号電荷量をＱｓｉｇとすると、次の
数２で計算できる。
【０００６】
【数２】Ｖｏｕｔ ＝ Ｑｓｉｇ／ｃｆｄしたがって、
上記信号電荷検出部が有するキャパシタＣＦＤのキャパ
シタンスｃｆｄを可変にすると、上記信号電荷検出部の
出力電圧Ｖｏｕｔが可変になる。例えば、上記信号電荷
検出部に可変容量ダイオードを並列に接続した場合には
、上記信号電荷検出部の出力電圧が可変になる。 しかし、この場合には、上記可変容量ダイオードを並列
に接続した分だけ、上記信号電荷検出部が有するキャパ
シタンスが増大して、上記信号電荷検出部の出力電圧が
小さくなってしまう。
上記信号電荷検出部が有するキャパシタＣＦＤのキャパ
シタンスｃｆｄを可変にすると、上記信号電荷検出部の
出力電圧Ｖｏｕｔが可変になる。例えば、上記信号電荷
検出部に可変容量ダイオードを並列に接続した場合には
、上記信号電荷検出部の出力電圧が可変になる。 しかし、この場合には、上記可変容量ダイオードを並列
に接続した分だけ、上記信号電荷検出部が有するキャパ
シタンスが増大して、上記信号電荷検出部の出力電圧が
小さくなってしまう。
【０００７】ところで、一般にＣＣＤを利用した固体撮
像装置は、その出力部をなす信号電荷検出部を１つだけ
備える。このため、例えば、上記固体撮像装置を通常よ
りも暗い場所で使用したい場合には、上記固体撮像装置
の外部に設けられ、上記信号電荷検出部からの出力信号
を増幅する外部回路を、より増幅度の高い外部回路に切
り換える必要がある。したがって、上記信号電荷検出部
を１つだけ備える固体撮像装置では、上記外部回路がコ
ストアップすると共に、上記外部回路が大型化するとい
う不具合がある。
像装置は、その出力部をなす信号電荷検出部を１つだけ
備える。このため、例えば、上記固体撮像装置を通常よ
りも暗い場所で使用したい場合には、上記固体撮像装置
の外部に設けられ、上記信号電荷検出部からの出力信号
を増幅する外部回路を、より増幅度の高い外部回路に切
り換える必要がある。したがって、上記信号電荷検出部
を１つだけ備える固体撮像装置では、上記外部回路がコ
ストアップすると共に、上記外部回路が大型化するとい
う不具合がある。
【０００８】そこで、従来、上記不具合を解消する固体
撮像装置としては、図２に示すものがある。この固体撮
像装置は、垂直ＣＣＤ２１と水平ＣＣＤ２２とを備えて
いる。この水平ＣＣＤ２２の最終段には、感度やダイナ
ミックレンジ等の特性が異なる３つの信号電荷検出部２
３，２５，２６を並列に接続している。したがって、上
記固体撮像装置の使用条件に応じて、上記３つの信号電
荷検出部２３，２５，２６の出力のうち、最適の信号電
荷検出部の出力を選択することによって、上記固体撮像
装置の外部回路を、上記固体撮像装置の使用条件に応じ
て切り換える必要がなくなる。このため、上記固体撮像
装置の外部回路のコストを抑えることができると共に、
上記外部回路を小型化できる。
撮像装置としては、図２に示すものがある。この固体撮
像装置は、垂直ＣＣＤ２１と水平ＣＣＤ２２とを備えて
いる。この水平ＣＣＤ２２の最終段には、感度やダイナ
ミックレンジ等の特性が異なる３つの信号電荷検出部２
３，２５，２６を並列に接続している。したがって、上
記固体撮像装置の使用条件に応じて、上記３つの信号電
荷検出部２３，２５，２６の出力のうち、最適の信号電
荷検出部の出力を選択することによって、上記固体撮像
装置の外部回路を、上記固体撮像装置の使用条件に応じ
て切り換える必要がなくなる。このため、上記固体撮像
装置の外部回路のコストを抑えることができると共に、
上記外部回路を小型化できる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
固体撮像装置では、水平ＣＣＤ２２の最終段に、３つの
信号電荷検出部２３，２５，２６を並列に接続している
ので、上記信号電荷検出部２３が有する静電容量と信号
電荷検出部２５が有する静電容量と信号電荷検出部２６
が有する静電容量とを加算した値の静電容量を上記水平
ＣＣＤ２２の最終段に接続していることになる。したが
って、水平ＣＣＤ２２の最終段に信号電荷検出部を１つ
だけ接続する場合に較べて大きな値の静電容量を上記水
平ＣＣＤ２２の最終段に接続していることになる。この
ため、上記大きな値の静電容量が、上記水平ＣＣＤ２２
からの信号電荷に対する上記信号電荷検出部２３，２５
，２６の出力電圧を低下させて、上記固体撮像装置が使
用に耐えなくなるという問題がある。
固体撮像装置では、水平ＣＣＤ２２の最終段に、３つの
信号電荷検出部２３，２５，２６を並列に接続している
ので、上記信号電荷検出部２３が有する静電容量と信号
電荷検出部２５が有する静電容量と信号電荷検出部２６
が有する静電容量とを加算した値の静電容量を上記水平
ＣＣＤ２２の最終段に接続していることになる。したが
って、水平ＣＣＤ２２の最終段に信号電荷検出部を１つ
だけ接続する場合に較べて大きな値の静電容量を上記水
平ＣＣＤ２２の最終段に接続していることになる。この
ため、上記大きな値の静電容量が、上記水平ＣＣＤ２２
からの信号電荷に対する上記信号電荷検出部２３，２５
，２６の出力電圧を低下させて、上記固体撮像装置が使
用に耐えなくなるという問題がある。
【００１０】そこで、本発明の目的は、特性が異なる複
数の信号電荷検出部を備えて、使用条件に応じた特性の
信号電荷検出部を選択できると共に、複数の信号電荷検
出部を備えることに起因する上記信号電荷検出部の出力
電圧の低下を防止できる固体撮像装置を提供することに
ある。
数の信号電荷検出部を備えて、使用条件に応じた特性の
信号電荷検出部を選択できると共に、複数の信号電荷検
出部を備えることに起因する上記信号電荷検出部の出力
電圧の低下を防止できる固体撮像装置を提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明の固体撮像装置は、水平ＣＣＤと、上記水平Ｃ
ＣＤからの信号電荷を検出する特性が異なる複数の信号
電荷検出部と、上記複数の信号電荷検出部の中から任意
の１つの信号電荷検出部を選択して、上記水平ＣＣＤか
ら上記任意の１つの信号電荷検出部への信号電荷の伝送
経路を形成するＣＣＤ構造の分岐ユニットを備えること
を特徴としている。
、本発明の固体撮像装置は、水平ＣＣＤと、上記水平Ｃ
ＣＤからの信号電荷を検出する特性が異なる複数の信号
電荷検出部と、上記複数の信号電荷検出部の中から任意
の１つの信号電荷検出部を選択して、上記水平ＣＣＤか
ら上記任意の１つの信号電荷検出部への信号電荷の伝送
経路を形成するＣＣＤ構造の分岐ユニットを備えること
を特徴としている。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、上記ＣＣＤ構造の分岐ユニ
ットによって、特性の異なる複数の信号電荷検出部の中
から使用条件に応じた特性の１つの信号電荷検出部を選
択して、上記水平ＣＣＤから上記信号電荷検出部への信
号電荷の伝送経路を形成することが可能である。このた
め、この固体撮像装置の外部回路を、使用条件に応じて
切り換える必要がなくなって、上記外部回路のコストを
抑えることが可能になると共に、上記外部回路の小型化
が可能になる。しかも、上記伝送経路の形成により、上
記水平ＣＣＤの最終段には、上記選択した信号電荷検出
部のみを接続していることになるので、上記水平ＣＣＤ
の最終段には上記選択した信号電荷検出部が有する静電
容量のみを接続していることになる。したがって、水平
ＣＣＤの最終段に複数の信号電荷検出部を並列接続した
従来例と異なり、上記水平ＣＣＤの最終段に継ながる静
電容量が信号電荷検出部を１つだけ備える場合に較べて
増加することがない。したがって、上記複数の信号電荷
検出部を備えることによって、上記信号電荷検出部の出
力電圧が低下することがない。
ットによって、特性の異なる複数の信号電荷検出部の中
から使用条件に応じた特性の１つの信号電荷検出部を選
択して、上記水平ＣＣＤから上記信号電荷検出部への信
号電荷の伝送経路を形成することが可能である。このた
め、この固体撮像装置の外部回路を、使用条件に応じて
切り換える必要がなくなって、上記外部回路のコストを
抑えることが可能になると共に、上記外部回路の小型化
が可能になる。しかも、上記伝送経路の形成により、上
記水平ＣＣＤの最終段には、上記選択した信号電荷検出
部のみを接続していることになるので、上記水平ＣＣＤ
の最終段には上記選択した信号電荷検出部が有する静電
容量のみを接続していることになる。したがって、水平
ＣＣＤの最終段に複数の信号電荷検出部を並列接続した
従来例と異なり、上記水平ＣＣＤの最終段に継ながる静
電容量が信号電荷検出部を１つだけ備える場合に較べて
増加することがない。したがって、上記複数の信号電荷
検出部を備えることによって、上記信号電荷検出部の出
力電圧が低下することがない。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の固体撮像装置を図示の実施例
により詳細に説明する。図１は本発明の実施例の固体撮
像装置の信号電荷検出部付近のブロック図である。図１
に示すように、この実施例の固体撮像装置は、水平ＣＣ
Ｄ１の最終段に、ＣＣＤ構造の分岐ユニット２を設けて
いる。このＣＣＤ構造の分岐ユニット２は、その転送電
極３，３…にパルス信号φａ，φｂ，φｃ，φ１，φ２
を印加することにより、上記水平ＣＣＤ１の最終段から
３つの信号電荷検出部４，５，６のうち任意の１つの信
号電荷検出部への信号電荷の伝送経路を形成するように
なっている。 上記３つの信号電荷検出部４，５，６は、夫々上記水平
ＣＣＤ１の最終段からの信号電荷を検出する機能を有し
ている。また、上記３つの信号電荷検出部４，５，６は
、互いに異なった感度やダイナミックレンジを有してい
る。 上記３つの信号電荷検出部４，５，６は、夫々トランジ
スタＴＲ１４，ＴＲ１５，ＴＲ１６を介して外部回路に
接続している。上記トランジスタＴＲ１４，ＴＲ１５，
ＴＲ１６は、夫々ゲート信号φ１４，φ１５，φ１６を
受けて導通する。
により詳細に説明する。図１は本発明の実施例の固体撮
像装置の信号電荷検出部付近のブロック図である。図１
に示すように、この実施例の固体撮像装置は、水平ＣＣ
Ｄ１の最終段に、ＣＣＤ構造の分岐ユニット２を設けて
いる。このＣＣＤ構造の分岐ユニット２は、その転送電
極３，３…にパルス信号φａ，φｂ，φｃ，φ１，φ２
を印加することにより、上記水平ＣＣＤ１の最終段から
３つの信号電荷検出部４，５，６のうち任意の１つの信
号電荷検出部への信号電荷の伝送経路を形成するように
なっている。 上記３つの信号電荷検出部４，５，６は、夫々上記水平
ＣＣＤ１の最終段からの信号電荷を検出する機能を有し
ている。また、上記３つの信号電荷検出部４，５，６は
、互いに異なった感度やダイナミックレンジを有してい
る。 上記３つの信号電荷検出部４，５，６は、夫々トランジ
スタＴＲ１４，ＴＲ１５，ＴＲ１６を介して外部回路に
接続している。上記トランジスタＴＲ１４，ＴＲ１５，
ＴＲ１６は、夫々ゲート信号φ１４，φ１５，φ１６を
受けて導通する。
【００１４】上記構成の固体撮像装置は、上記ＣＣＤ構
造の分岐ユニット２の転送電極３，３，…にパルス信号
φａ，φｂ，φｃ，φ１，φ２を印加することによって
、上記特性の異なる３つの信号電荷検出部４，５，６の
中から、使用条件に適した任意の１つの信号電荷検出部
を選択して、上記水平ＣＣＤ１の最終段から上記使用条
件に適した任意の１つの信号電荷検出部への信号電荷の
伝送経路を形成できる。したがって、上記外部回路を、
使用条件に応じて切り換える必要がなくなって、上記外
部回路のコストを抑えることができると共に、上記外部
回路を小型化できる。しかも、上記伝送経路の形成によ
り、上記水平ＣＣＤ１の最終段には、上記使用条件に適
した１つの信号電荷検出部のみを接続していることにな
るので、上記水平ＣＣＤ１の最終段には、上記使用条件
に適した１つの信号電荷検出部が有する静電容量のみを
接続していることになる。したがって、この実施例の固
体撮像装置は、水平ＣＣＤの最終段に３つの信号電荷検
出部を並列接続した従来例と異なり、上記水平ＣＣＤ１
最終段に継ながる静電容量が、信号電荷検出部を１つだ
け備える場合に較べて増加することがない。したがって
、上記３つの信号電荷検出部４，５，６を備えることに
よって上記信号電荷検出部４，５，６の出力電圧が低下
することを防止できる。
造の分岐ユニット２の転送電極３，３，…にパルス信号
φａ，φｂ，φｃ，φ１，φ２を印加することによって
、上記特性の異なる３つの信号電荷検出部４，５，６の
中から、使用条件に適した任意の１つの信号電荷検出部
を選択して、上記水平ＣＣＤ１の最終段から上記使用条
件に適した任意の１つの信号電荷検出部への信号電荷の
伝送経路を形成できる。したがって、上記外部回路を、
使用条件に応じて切り換える必要がなくなって、上記外
部回路のコストを抑えることができると共に、上記外部
回路を小型化できる。しかも、上記伝送経路の形成によ
り、上記水平ＣＣＤ１の最終段には、上記使用条件に適
した１つの信号電荷検出部のみを接続していることにな
るので、上記水平ＣＣＤ１の最終段には、上記使用条件
に適した１つの信号電荷検出部が有する静電容量のみを
接続していることになる。したがって、この実施例の固
体撮像装置は、水平ＣＣＤの最終段に３つの信号電荷検
出部を並列接続した従来例と異なり、上記水平ＣＣＤ１
最終段に継ながる静電容量が、信号電荷検出部を１つだ
け備える場合に較べて増加することがない。したがって
、上記３つの信号電荷検出部４，５，６を備えることに
よって上記信号電荷検出部４，５，６の出力電圧が低下
することを防止できる。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の固体撮像装置は、ＣＣＤ構造の分岐ユニットによって
、特性の異なる複数の信号電荷検出部の中から使用条件
に応じた特性の１つの信号電荷検出部を選択して、上記
水平ＣＣＤから上記信号電荷検出部への信号電荷の伝送
経路を形成することができる。このため、この固体撮像
装置の外部回路を、使用条件に応じて切り換える必要が
なくなって、上記外部回路のコストを抑えることが可能
になると共に、上記外部回路の小型化が可能になる。 しかも、上記伝送経路の形成により、上記水平ＣＣＤの
最終段には、上記選択した信号電荷検出部のみを接続し
ていることになるので、上記水平ＣＣＤの最終段には上
記選択した信号電荷検出部が有する静電容量のみを接続
していることになる。したがって、本発明によれば、水
平ＣＣＤの最終段に複数の信号電荷検出部を並列接続し
た従来例と異なり、水平ＣＣＤの最終段に継ながる静電
容量を、信号電荷検出部を１つだけ備える場合に較べて
増加しないようにできる。したがって、本発明によれば
、複数の信号電荷検出部を備えることに起因する、信号
電荷検出部の出力電圧の低下を防止できる。
の固体撮像装置は、ＣＣＤ構造の分岐ユニットによって
、特性の異なる複数の信号電荷検出部の中から使用条件
に応じた特性の１つの信号電荷検出部を選択して、上記
水平ＣＣＤから上記信号電荷検出部への信号電荷の伝送
経路を形成することができる。このため、この固体撮像
装置の外部回路を、使用条件に応じて切り換える必要が
なくなって、上記外部回路のコストを抑えることが可能
になると共に、上記外部回路の小型化が可能になる。 しかも、上記伝送経路の形成により、上記水平ＣＣＤの
最終段には、上記選択した信号電荷検出部のみを接続し
ていることになるので、上記水平ＣＣＤの最終段には上
記選択した信号電荷検出部が有する静電容量のみを接続
していることになる。したがって、本発明によれば、水
平ＣＣＤの最終段に複数の信号電荷検出部を並列接続し
た従来例と異なり、水平ＣＣＤの最終段に継ながる静電
容量を、信号電荷検出部を１つだけ備える場合に較べて
増加しないようにできる。したがって、本発明によれば
、複数の信号電荷検出部を備えることに起因する、信号
電荷検出部の出力電圧の低下を防止できる。
【図１】 本発明の固体撮像装置の実施例の信号電荷
検出部付近のブロック図である。
検出部付近のブロック図である。
【図２】 従来の固体撮像装置のブロック図である。
【図３】 フローティング・ディフュージョン・アン
プリファイア法を用いた信号電荷検出部を有する固体撮
像装置の上記信号電荷検出部付近の構造図である。
プリファイア法を用いた信号電荷検出部を有する固体撮
像装置の上記信号電荷検出部付近の構造図である。
１，２２ 水平ＣＣＤ
２ 分岐ユニット
３ 転送電極
４，５，６，２３，２５，２６ 信号電荷検出部２１
垂直ＣＣＤ ＦＤ フローティング・ディフュージョン・ダ
イオード ＲＤ リセットドレイン ＯＧ 出力電極
垂直ＣＣＤ ＦＤ フローティング・ディフュージョン・ダ
イオード ＲＤ リセットドレイン ＯＧ 出力電極
Claims (1)
- 【請求項１】 水平ＣＣＤと、上記水平ＣＣＤからの
信号電荷を検出する特性が異なる複数の信号電荷検出部
と、上記複数の信号電荷検出部の中から任意の１つの信
号電荷検出部を選択して、上記水平ＣＣＤから上記任意
の１つの信号電荷検出部への信号電荷の伝送経路を形成
するＣＣＤ構造の分岐ユニットを備えることを特徴とす
る固体撮像装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3017493A JPH04256292A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 固体撮像装置 |
| US07/831,209 US5225695A (en) | 1991-02-08 | 1992-02-07 | Solid-state imaging device having multiple charge detectors |
| EP92301043A EP0498664B1 (en) | 1991-02-08 | 1992-02-07 | Solid-state imaging device |
| DE69231261T DE69231261T2 (de) | 1991-02-08 | 1992-02-07 | Festkörperbildsensor |
| KR1019920001750A KR950008709B1 (ko) | 1991-02-08 | 1992-02-07 | 고체영상장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3017493A JPH04256292A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04256292A true JPH04256292A (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=11945530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3017493A Pending JPH04256292A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 固体撮像装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5225695A (ja) |
| EP (1) | EP0498664B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04256292A (ja) |
| KR (1) | KR950008709B1 (ja) |
| DE (1) | DE69231261T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08298626A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2949861B2 (ja) * | 1991-01-18 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | Ｃｃｄリニアイメージセンサ |
| JPH05167936A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP3482689B2 (ja) * | 1994-05-27 | 2003-12-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びこれを用いたバーコード読取り装置 |
| US5600696A (en) * | 1995-10-11 | 1997-02-04 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Dual-gain floating diffusion output amplifier |
| BR9911836A (pt) | 1998-06-12 | 2001-10-16 | Avery Dennison Corp | Película termoplástica de multicamadas, método para corte de sinal e película de delineamento eletrônico |
| JP4090389B2 (ja) * | 2003-06-10 | 2008-05-28 | 株式会社日立製作所 | 核磁気共鳴装置 |
| US7075049B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-07-11 | Micron Technology, Inc. | Dual conversion gain imagers |
| WO2012081154A1 (ja) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | パナソニック株式会社 | 撮像装置及び画像処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249653A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4567524A (en) * | 1982-08-13 | 1986-01-28 | Rca Corporation | Smear reduction in CCD imagers using empty well clocking |
| NL8204727A (nl) * | 1982-12-07 | 1984-07-02 | Philips Nv | Ladingsoverdrachtinrichting. |
| GB2203916B (en) * | 1987-03-10 | 1991-02-06 | Rank Cintel Ltd | Improved ccd sensor |
| JPH01106676A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 固体イメージセンサ |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3017493A patent/JPH04256292A/ja active Pending
-
1992
- 1992-02-07 EP EP92301043A patent/EP0498664B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-07 KR KR1019920001750A patent/KR950008709B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-02-07 DE DE69231261T patent/DE69231261T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-07 US US07/831,209 patent/US5225695A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249653A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08298626A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69231261T2 (de) | 2000-12-21 |
| EP0498664B1 (en) | 2000-07-19 |
| DE69231261D1 (de) | 2000-08-24 |
| US5225695A (en) | 1993-07-06 |
| EP0498664A1 (en) | 1992-08-12 |
| KR920017462A (ko) | 1992-09-26 |
| KR950008709B1 (ko) | 1995-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6246436B1 (en) | Adjustable gain active pixel sensor | |
| JP4374115B2 (ja) | アクティブピクセルセンサ | |
| JP5780711B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US6339363B1 (en) | Low FPN high gain capacitive transimpedance amplifier for use with capacitive sensors | |
| JP6100443B2 (ja) | Ｃｍｏｓ撮像センサのために適合された増幅器 | |
| US8878595B2 (en) | Switchable readout device | |
| US20020114025A1 (en) | Solid state imaging device | |
| US10827143B2 (en) | CMOS image sensor clamping method with divided bit lines | |
| JP2019134413A (ja) | 撮像装置 | |
| JP2833729B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2000059688A (ja) | 光電変換装置 | |
| US20160360132A1 (en) | Imaging device including pixels | |
| JPH04256292A (ja) | 固体撮像装置 | |
| EP3910934A1 (en) | Imaging device | |
| JP2022505571A (ja) | 超高ダイナミックレンジｃｍｏｓセンサ | |
| US8045028B1 (en) | Six transistor (6T) pixel architecture | |
| JPH0697414A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2000022118A (ja) | 撮像装置 | |
| JP4633991B2 (ja) | 信号読出回路 | |
| JP3167150B2 (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JP3395481B2 (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法 | |
| JPH0328871B2 (ja) | ||
| JPS6069968A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS59229966A (ja) | 光学読取装置 | |
| JPS6155959A (ja) | 原稿読み取り装置 |