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JPH0423833A - Polyimidosiloxane and its composition - Google Patents

Polyimidosiloxane and its composition

Info

Publication number
JPH0423833A
JPH0423833A JP12695190A JP12695190A JPH0423833A JP H0423833 A JPH0423833 A JP H0423833A JP 12695190 A JP12695190 A JP 12695190A JP 12695190 A JP12695190 A JP 12695190A JP H0423833 A JPH0423833 A JP H0423833A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polyimidosiloxane
aromatic
diamine
composition
mol
Prior art date
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Granted
Application number
JP12695190A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2597214B2 (en
Inventor
Kohei Nakajima
中島 紘平
Hiroshi Yasuno
安野 弘
Mitsuyuki Taguchi
三津志 田口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Ube Industries Ltd filed Critical Ube Industries Ltd
Priority to JP2126951A priority Critical patent/JP2597214B2/en
Publication of JPH0423833A publication Critical patent/JPH0423833A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a polyimidosiloxane useful as an electrical insulating protecting film, having heat resistance and electrical characteristics, by reacting a specific aromatic tetracarboxylic acid component with a specific diamine component and imidating. CONSTITUTION:(A) An aromatic tetracarboxylic acid component comprising a 2,3,3',4'-biphenyltetracarboxylic acid [preferably 85-100mol%] is polymerized with (B) an equimolar amount of (i) 45-80mol% (preferably 50-75mol%) diaminopolysiloxane shown by the formula (R1 is bifunctional hydrocarbon residue; R2 is 1-3C alkyl or phenyl; (l) is 3-30) and (ii) 20-55mol% (preferably 50-25mol%) aromatic diamine in an organic polar solvent and imidated to give the objective polyimidosiloxane. The polyimidosiloxane is uniformly dissolved in an organic solvent (preferably methyl diglyme) having >=140 deg.C boiling point to give a solution composition.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、2.3.3’、4”−ビフェニルテトラカ
ルボン酸又はその酸二無水物などを主成分とするテトラ
カルボン酸成分と、特定のジアミノポリシロキサン45
〜80モル%と芳香族ジアミン20〜55モル%とから
なるジアミン成分とから得られる、可溶性、耐熱性、お
よび、非カール性を有する特殊なポリイミドシロキサン
に係わるもの、並びに、前記のポリイミドシロキサンが
特定の有機溶媒に均一に溶解している、フレキシブル配
線板上にスクリーン印刷などで保護膜の形成が可能であ
る溶液組成物(印刷用インキ、塗布用フェス)に係わる
ものである。
Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] This invention provides a tetracarboxylic acid component whose main component is 2.3.3',4''-biphenyltetracarboxylic acid or its acid dianhydride; Specific diamino polysiloxane 45
-80 mol% and a diamine component consisting of 20-55 mol% of aromatic diamine, and related to a special polyimide siloxane having solubility, heat resistance, and non-curling properties, and the above-mentioned polyimide siloxane. This relates to a solution composition (printing ink, coating face) that is uniformly dissolved in a specific organic solvent and can form a protective film on a flexible wiring board by screen printing or the like.

〔従来技術の説明] 芳香族ポリイミドなどを電気絶縁性の保護膜として利用
することは、例えば、固体素子への絶縁膜、パッシベー
ション膜、半導体−集積回路、フレキシブル配線板など
の眉間絶縁膜などの用途において、すでに種々知られて
いる。
[Description of the Prior Art] The use of aromatic polyimide as an electrically insulating protective film is useful for, for example, insulating films for solid-state devices, passivation films, semiconductor integrated circuits, glabella insulating films for flexible wiring boards, etc. Various applications are already known.

しかしながら、一般に芳香族ポリイミドは、有機溶媒に
溶解し難いために、芳香族ポリイミドの前駆体(芳香族
ポリアミック酸)の溶液として使用して、塗布膜を形成
し、次いで、乾燥とイミド化とをかなりの高温で長時間
、加熱処理することによって、芳香族ポリイミドの保護
膜を形成する必要があり、保護すべき電気又は電子部材
自体が熱的な劣化するという問題があった。
However, since aromatic polyimide is generally difficult to dissolve in organic solvents, it is used as a solution of aromatic polyimide precursor (aromatic polyamic acid) to form a coating film, and then dried and imidized. It is necessary to form a protective film of aromatic polyimide by heat treatment at a considerably high temperature for a long time, and there is a problem that the electrical or electronic components themselves to be protected are thermally degraded.

一方、有機溶媒に可溶性の芳香族ポリイミドは、例えば
、特公昭57−41491号公報に記載されているよう
なポリイミドが知られているが、そのポリイミドは、シ
リコンウェハー、ガラス板、フレキシブル基板などの基
板との密着性(接着性)が充分ではなかったので予め基
板などを密着促進剤で処理してお(などの方法をとる必
要があった。
On the other hand, as aromatic polyimides soluble in organic solvents, for example, polyimides such as those described in Japanese Patent Publication No. 57-41491 are known. Since the adhesion (adhesiveness) to the substrate was not sufficient, it was necessary to treat the substrate etc. with an adhesion promoter in advance.

前述の問題点を解決するために、ジアミノポリシリコン
をジアミン成分として使用したポリイミドシロキサンの
前駆体が、例えば、特開昭57−143328号公報、
特開昭58−13631号公報に開示されているが、そ
れらのポリイミドシロキサンの前駆体は、ポリマーのイ
ミド化のために塗布膜を高温で処理しなければならない
という欠点を有していた。
In order to solve the above-mentioned problems, a precursor of polyimidosiloxane using diamino polysilicon as a diamine component has been proposed, for example, in JP-A-57-143328,
Although disclosed in JP-A-58-13631, these polyimidosiloxane precursors had the disadvantage that the coating film had to be treated at high temperature in order to imidize the polymer.

また、特開昭61−118424号公報及び特開昭61
−207438号公報、特開昭63−225629号公
報、特開平1−121325号公報には、可溶性のポリ
イミドシロキサンが開示されている。しかし、それらの
各ポリイミドシロキサンは、その製造工程が数段階に及
び、製造に長時間を要するという製造上の問題があった
り、アミン成分として芳香族ジアミンを全く含んでおら
ず、耐熱性が低いという問題、種々の有機溶媒に対する
溶解性が必ずしも充分ではないという問題、あるいは、
これらのポリミドシロキサンの有機溶媒溶液をフレキシ
ブル銅張り基板上に塗布して乾燥した場合に、フレキシ
ブル基板が大きくカールするという問題があった。
Also, JP-A-61-118424 and JP-A-61
Soluble polyimidosiloxanes are disclosed in JP-A-207438, JP-A-63-225629, and JP-A-1-121325. However, each of these polyimidesiloxanes has manufacturing problems in that the manufacturing process involves several steps and takes a long time to manufacture, and it does not contain any aromatic diamine as an amine component, so it has low heat resistance. The problem is that the solubility in various organic solvents is not necessarily sufficient, or
When an organic solvent solution of these polymidosiloxanes is applied onto a flexible copper-clad substrate and dried, there is a problem in that the flexible substrate curls significantly.

〔解決すべき問題点〕[Problems to be solved]

この発明の目的は、有機溶媒に対しする高い可溶性、必
要な耐熱性、及び、保護膜を形成した場合の非カール性
を同時に有していて、しかも、容易に製造することがで
きるポリイミドシロキサンを捷供することである。
The object of the present invention is to provide a polyimide siloxane that has high solubility in organic solvents, the necessary heat resistance, and non-curling properties when a protective film is formed, and that can be easily produced. It is to make offerings.

〔問題点を解決する手段〕[Means to solve problems]

本願の第1の発明は、 (a)  2+313’+4’−ヒフェニルテトラカル
ボン酸類(好ましくは、2,3.3’、4’−ビフェニ
ルテトラカルボン酸又はその酸二無水物、あるいは、そ
の酸のエステル化物)を主成分とする(好ましくは80
モル%以上、特に85〜100モル%含有する)芳香族
テトラカルボン酸成分と、 (b)i)下記一般式Iで示されるジアミノポリシロキ
サン45〜80モル%(好ましくは45〜75モル%、
特に50〜75モル%)、および、ii)芳香族ジアミ
ン20〜55モル%(好ましくは25〜55もる%、特
に50〜25モル%)からなるジアミン成分とを 重合およびイミド化することにより得られたポリイミド
シロキサンに関する。
The first invention of the present application provides: (a) 2+313'+4'-hyphenyltetracarboxylic acids (preferably 2,3.3',4'-biphenyltetracarboxylic acid or its acid dianhydride, or its acid esterified product) as the main component (preferably 80%
an aromatic tetracarboxylic acid component (containing at least 85 to 100 mol %); (b) i) 45 to 80 mol % (preferably 45 to 75 mol %) of a diamino polysiloxane represented by the following general formula I;
In particular, by polymerizing and imidizing a diamine component consisting of 50 to 75 mol%) and ii) 20 to 55 mol% (preferably 25 to 55%, especially 50 to 25 mol%) of aromatic diamine. The present invention relates to the obtained polyimidesiloxane.

(式中、R,は2価の炭化水素残基を示し、Rtは独立
に炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基を示し、l
は3〜30、好ましくは4〜20の整数を示す。) また、本願の第2の発明は、前記の一般式Iで示される
ポリイミドシロキサンが、沸点140℃以上(好ましく
は沸点145〜300℃、特に沸点150〜280″C
)の有機溶媒(好ましくは有機極性溶媒)に均一に溶解
しているポリイミドシロキサン組成物(溶液組成物)に
関する。
(In the formula, R represents a divalent hydrocarbon residue, Rt independently represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a phenyl group, and l
represents an integer of 3 to 30, preferably 4 to 20. ) Further, the second invention of the present application provides that the polyimidosiloxane represented by the general formula I has a boiling point of 140°C or higher (preferably a boiling point of 145 to 300°C, particularly a boiling point of 150 to 280°C).
) A polyimidesiloxane composition (solution composition) that is uniformly dissolved in an organic solvent (preferably an organic polar solvent).

この発明の一般弐Iで示されるポリイミドシロキサンは
、例えば、フェノール系溶媒、アミド系溶媒(ピロリド
ン系溶媒、ホルムアミド系溶媒、アセトアミド系溶媒な
ど)、オキサン系溶媒(ジオキサン、トリオキサンなど
)、グライム系溶媒(メチルトグライム、メチルトリグ
ライムなど)の有機極性溶媒に対して溶解性を充分に有
しておリ、前記ポリイミドシロキサンと前記有機極性溶
媒とから比較的低粘度であるポリイミドシロキサン溶液
(塗布用のフェス)を容易に調製することができる。
Examples of the polyimidosiloxane represented by General 2 of this invention include phenolic solvents, amide solvents (pyrrolidone solvents, formamide solvents, acetamide solvents, etc.), oxane solvents (dioxane, trioxane, etc.), and glyme solvents. It has sufficient solubility in organic polar solvents (such as methyl toglyme and methyl triglyme), and has a relatively low viscosity from the polyimido siloxane and the organic polar solvent (for coating). can be easily prepared.

また、この発明のポリイミドシロキサンは、その溶液組
成物をシリコンウェハー、フレキシブル配線基板などの
基板上に塗布し乾燥して保護膜を形成した場合に、実質
的にカールを引き起こすことがなく、また、その保護膜
が前述の各基板への優れた密着性を有しており、シラン
カップリング剤などの密着促進剤で予め基板の前処理を
する必要がないので、例えば、IC,LSIのパンシベ
ーション膜や、ダイオードのジャンクションコートなど
の用途に、上記の前処理を行うことなく保護膜を形成す
ることができる。
Further, the polyimidosiloxane of the present invention substantially does not cause curling when a solution composition thereof is applied onto a substrate such as a silicon wafer or a flexible wiring board and dried to form a protective film. The protective film has excellent adhesion to each of the substrates mentioned above, and there is no need to pre-treat the substrate with an adhesion promoter such as a silane coupling agent. A protective film can be formed for applications such as films and junction coats for diodes without performing the above pretreatment.

この発明の組成物において、有機溶媒として、沸点が1
80℃以上、特に、200℃以上である有機溶媒(例え
ば、メチルトリグライムなど)を使用すると、溶媒の蒸
発による散逸が極めて減少するので、保存安定性がよく
なったり、前記の保護膜を形成するための溶液組成物(
印刷インキ)の調製(ロール練りなど)が容易になった
り、または、その印刷インキを使用してシルクスクリー
ン印刷を支障なく好適に行うことができるので、最適で
ある。
In the composition of this invention, the organic solvent has a boiling point of 1
When using an organic solvent (such as methyl triglyme) with a temperature of 80°C or higher, especially 200°C or higher, the dissipation due to evaporation of the solvent is extremely reduced, improving storage stability and forming the above-mentioned protective film. Solution composition for (
This method is optimal because it facilitates the preparation (roll kneading, etc.) of the printing ink (printing ink), and it allows silk screen printing to be carried out suitably without any problems using the printing ink.

さらに、この発明のポリイミドシロキサンは、優れた機
械的強度、電気絶縁性を保持していると共に、耐熱性も
高いので、種々の電気又は電子部品(特に、フレキシブ
ル配線板)の表面保護膜や層間絶縁膜などとして好適に
使用することができる。
Furthermore, the polyimide siloxane of the present invention has excellent mechanical strength and electrical insulation, and also has high heat resistance, so it can be used as a surface protective film or interlayer of various electrical or electronic components (especially flexible wiring boards). It can be suitably used as an insulating film or the like.

この発明のポリイミドシロキサン組成物(溶液組成物)
は、フレキシブル配線板などの種々の電気又は電子部材
の表面に、公知の手段で塗布し、次いで、比較的低温で
乾燥、加熱処理することにより、優れた保護膜(厚さ:
約0.5〜500μm程度)を形成することができる。
Polyimide siloxane composition (solution composition) of this invention
is applied to the surfaces of various electrical or electronic components such as flexible wiring boards by known means, and then dried and heat-treated at a relatively low temperature to form an excellent protective film (thickness:
(approximately 0.5 to 500 μm).

この発明のポリイミドシロキサンの製造法としては、例
えば、(a)2.3.3+ 14+−ビフェニルテトラ
カルボン酸類を主として含有する芳香族テトラカルボン
酸成分と、[有]) i)前記一般式■で示されるジア
ミノポリシロキサン(式中、!が3〜30である)45
〜80モル%、および、ii)芳香族ジアミン20〜5
5モル%からなるジアミン成分とを、略等モル、有機極
性溶媒中で、120℃以上の高温に加熱して、−段で重
合及びイミド化することによって、ポリイミドシロキサ
ンを製造する方法、あるいは、 前記の二成分を、略等モル、有機極性溶媒中で、80℃
以下の低い温度で重合してポリアミック酸(ポリイミド
前駆体)を生成させ、そのポリアミック酸を適当な条件
(化学イミド化、或いは、高温加熱によるイミド化)で
イミド化して、ポリイミドシロキサンを製造する方法を
挙げることができる。
The method for producing the polyimidosiloxane of the present invention includes, for example, (a) an aromatic tetracarboxylic acid component mainly containing 2.3.3+ 14+-biphenyltetracarboxylic acids; Diaminopolysiloxane shown (wherein ! is 3 to 30) 45
~80 mol%, and ii) aromatic diamine 20-5
A method for producing polyimidosiloxane by heating approximately equimolar amounts of a diamine component consisting of 5 mol% to a high temperature of 120° C. or higher in an organic polar solvent, and polymerizing and imidizing it in one step, or The above two components were mixed in approximately equimolar amounts in an organic polar solvent at 80°C.
A method of producing polyimidesiloxane by polymerizing at the following low temperature to produce polyamic acid (polyimide precursor), and imidizing the polyamic acid under appropriate conditions (chemical imidization or imidization by high-temperature heating). can be mentioned.

前記の芳香族テトラカルボン酸成分において、全テトラ
カルボン酸成分に対して20モル%以下、特に15モル
%以下の割合で、2,3.3°、4°−ビフェニルテト
ラカルボン酸類と共に使用することができる「他の芳香
族テトラカルボン酸系化合物1としては、3.3’ 、
4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸、33”、4,
4”−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3゜3”、4
.4”−ビフェニルエーテルテトラルポン酸、ピロメリ
ット酸、または、それらの酸の二無水物、あるいは、そ
れらの酸のエステル化物などを挙げることができる。
In the above-mentioned aromatic tetracarboxylic acid component, it is used together with 2,3.3°,4°-biphenyltetracarboxylic acids in a proportion of 20 mol% or less, particularly 15 mol% or less, based on the total tetracarboxylic acid component. "Other aromatic tetracarboxylic acid compounds 1 include 3.3',
4.4'-biphenyltetracarboxylic acid, 33", 4,
4”-benzophenonetetracarboxylic acid, 3°3”, 4
.. Examples include 4''-biphenyl ether tetralponic acid, pyromellitic acid, dianhydrides of these acids, and esters of these acids.

前記の一般式Iで示されるジアミノポリシロキサンとし
ては、一般式l中のR1が炭素数2〜6、特に3〜5の
「複数のメチレン基j又はフェニレン基からなる2価の
炭化水素残基であり、R2が独立にメチル基、エチル基
、プロピル基などの炭素数1〜3のアルキル基、又は、
フェニル基であることが好ましく、さらに、!が4〜2
0、特に5〜15程度であることが好ましい。
As the diaminopolysiloxane represented by the general formula I, R1 in the general formula I is a divalent hydrocarbon residue consisting of a plurality of methylene groups or phenylene groups having 2 to 6 carbon atoms, particularly 3 to 5 carbon atoms. and R2 is independently an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms such as a methyl group, ethyl group, or propyl group, or
Preferably, it is a phenyl group, and! is 4-2
It is preferably about 0, especially about 5 to 15.

前記の一般式Iで示されるジアミノポリシロキサンとし
ては、例えば、次に示す一般式(lが4〜20)で示さ
れる化合物を好適に挙げることができる。
As the diaminopolysiloxane represented by the above general formula I, for example, compounds represented by the following general formula (l is 4 to 20) can be suitably mentioned.

前記の芳香族ジアミンとしては、複数のベンゼン環を有
する芳香族ジアミン化合物が好ましく、例えば、4,4
゛−ジアミノジフェニルエーテル、4゜4゛−ジアミノ
ジフェニルメタン、4,4゛−ジアミノジフェニルスル
ホン、0−トリジン、0−ジアニシジンなどのベンゼン
環を2個有する芳香族ジアミン化合物、1,4−ビス(
4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1.4−ビス(4−
アミノフェニル)ベンゼンなどのベンゼン環を3個有す
る芳香族ジアミン化合物、又は、ビスC4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル]スルホン、2.2−ビス(4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンなどの
ベンゼン環を4個有する芳香族ジアミン化合物を好適に
挙げることができる。
The aromatic diamine mentioned above is preferably an aromatic diamine compound having a plurality of benzene rings, for example, 4,4
Aromatic diamine compounds having two benzene rings such as ゛-diaminodiphenyl ether, 4゜4゛-diaminodiphenylmethane, 4,4゛-diaminodiphenylsulfone, 0-tolidine, 0-dianisidine, 1,4-bis(
4-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-
Aromatic diamine compounds having three benzene rings such as aminophenyl)benzene, or bisC4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 2,2-bis(4
Preferred examples include aromatic diamine compounds having four benzene rings, such as -(4-aminophenoxy)phenyl]propane.

また、前記の芳香族ジアミンとしては、ベンゼン環2個
以上有する芳香族ジアミン化合物と共に、全芳香族ジア
ミンに対して20モル%以下、特に16モル%以下の割
合で、ベンゼン環を1個有する芳香族ジアミン化合物を
併用することも可能であり、そのようなベンゼン環1個
の芳香族ジアミン化合物としては、例えば、パラフェニ
レンジアミン、メタフェニレンジアミン、2,4−ジア
ミノトルエン、3,5−ジアミノ安息香酸、2,6−ジ
アミノ安息香酸、3,5−ジアミノベンジルアルリレー
トなどを挙げることができる。
In addition, as the above-mentioned aromatic diamine, in addition to aromatic diamine compounds having two or more benzene rings, aromatic diamines having one benzene ring may be used in an amount of 20 mol% or less, particularly 16 mol% or less, based on the total aromatic diamine. It is also possible to use group diamine compounds in combination, and examples of such aromatic diamine compounds with one benzene ring include para-phenylene diamine, meta-phenylene diamine, 2,4-diaminotoluene, and 3,5-diaminobenzoin. acid, 2,6-diaminobenzoic acid, 3,5-diaminobenzyl allylate, and the like.

この発明のポリイミドシロキサンにおいては、全ジアミ
ン成分に対する「ジアミノポリシロキサンに基づく主鎖
単位」の含有割合が少なくなり過ぎると、そのようなポ
リイミドシロキサンの溶解性が低下したり、また、その
ようなポリイミドシロキサンの溶液を使用してフレキシ
ブル配線板上に保護膜を形成する際に、大きくカールす
るようになるので適当ではなく、一方、前記rジアミノ
ポリシロキサンに基づく主鎖単位」の含有割合が多くな
り過ぎると、ポリマーの耐熱性、機械的物性などが低下
するので適当ではない。
In the polyimide siloxane of the present invention, if the content ratio of "the main chain unit based on diamino polysiloxane" to the total diamine component becomes too small, the solubility of such polyimide siloxane may decrease or When a siloxane solution is used to form a protective film on a flexible wiring board, it is not suitable because it curls significantly. If it is too high, the heat resistance, mechanical properties, etc. of the polymer will deteriorate, so it is not suitable.

前記のポリイミドシロキサンの製造法に使用される有機
極性溶媒としては、例えば、ジメチルススホキシト、ジ
エチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、N、N
−ジメチルホルムアミド、N、Nジエチルホルムアミド
などのホルムアミド系溶媒、N、N−ジメチルアセトア
ミド、N、N−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミ
ド系溶媒、N−メチル−2ピロリドン、N−エチル−2
−ピロリドン、N−ビニル2−ピロリドンなどのピロリ
ドン系溶媒、メチルジグライム、メチルトリジクライム
などのグライム系溶媒、ヘキサメチレンホスホルアミド
、T−ブチルラクトン、シクロヘキサノンなど、あるい
は、フェノール、o−lm−又はp−クレゾール、キシ
レノール、ハロゲン化フェノール(パラクロルフェノー
ル、パラブロムフェノールなど)、カテコールなどのフ
ェノール系溶媒などを挙げることができる。
Examples of the organic polar solvent used in the above method for producing polyimidosiloxane include sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide and diethyl sulfoxide, N, N
- Formamide solvents such as dimethylformamide, N,N-diethylformamide, acetamide solvents such as N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N-methyl-2pyrrolidone, N-ethyl-2
- Pyrrolidone solvents such as pyrrolidone and N-vinyl 2-pyrrolidone, glyme solvents such as methyl diglyme and methyl tridiclime, hexamethylene phosphoramide, T-butyllactone, cyclohexanone, etc., or phenol, o-lm- Alternatively, phenolic solvents such as p-cresol, xylenol, halogenated phenols (parachlorophenol, parabromophenol, etc.), catechol, etc. can be mentioned.

この発明のポリイミドシロキサンは、高分子量のポリマ
ーであることが好ましく、例えば、濃度: 0.5 g
 / 100m j! (N−メチル−2−ピロリドン
)であるポリマー溶液で、30℃の測定温度で測定した
対数粘度(ポリマーの重合度の程度を示す)が、0.0
5〜3、特に0.1〜2程度であることが好ましく、ま
た、そのポリイミドシロキサンのイミド化率(赤外線吸
収スペクトル分析法によるrイミド結合1の割合)は、
約90%以上、特に95〜100%であって、IRチャ
ートにおいて「アミド−酸結合」の吸収ピークが実質的
に見出されないものであることが好ましい。
The polyimidosiloxane of this invention is preferably a high molecular weight polymer, for example, concentration: 0.5 g
/ 100m j! (N-methyl-2-pyrrolidone), the logarithmic viscosity (indicating the degree of polymerization of the polymer) measured at a measurement temperature of 30°C is 0.0.
It is preferably about 5 to 3, especially about 0.1 to 2, and the imidization rate of the polyimidosiloxane (ratio of r imide bonds 1 by infrared absorption spectroscopy) is
It is preferably about 90% or more, particularly 95 to 100%, and substantially no absorption peak of "amide-acid bond" is found in an IR chart.

この発明のポリイミドシロキサン組成物(溶液組成物)
において使用される有機溶媒は、前述のポリイミドシロ
キサンの製造法において使用された有機極性溶媒も好適
に使用することができ、さらに、前記の有機極性溶媒に
キシレン、エチルセロソルブ、ジオキサンなどが一部配
合されていてもよい。
Polyimide siloxane composition (solution composition) of this invention
As the organic solvent used in the step, the organic polar solvent used in the above-mentioned method for producing polyimidosiloxane can also be suitably used. may have been done.

また、この発明の組成物は、ワラストナイト、シリカ、
タルクなどの無機充填剤、ポリマー充填剤、あるいは、
無機又は有機の染料などを含有していてもよい。
The composition of the present invention also includes wollastonite, silica,
Inorganic fillers such as talc, polymer fillers, or
It may also contain inorganic or organic dyes.

この発明のポリイミドシロキサン組成物は、前述のポリ
イミドシロキサンの濃度が、5〜50重量%、特に10
〜40重量%であることが好ましく、また、25℃の溶
液粘度(回転粘度)が、0゜01〜10000ボイズ、
特に0.1〜1000ポイズであることが好ましい。
The polyimidosiloxane composition of the present invention has a concentration of the aforementioned polyimidosiloxane of 5 to 50% by weight, particularly 10% by weight.
It is preferable that the content is 40% by weight, and the solution viscosity at 25°C (rotational viscosity) is 0°01 to 10000 voids,
In particular, it is preferably 0.1 to 1000 poise.

この発明のポリイミドシロキサン組成物は、前述のよう
にして芳香族テトラカルボン酸成分とジアミン成分とを
有機極性溶媒中で一段で重合およびイミド化して得られ
たポリイミドシロキサンの重合溶液をそのままであって
もよく、また、その重合溶液をその重合溶媒と同様の有
機溶媒で適当な濃度に希釈したものであってもよい。
The polyimidosiloxane composition of the present invention is obtained by directly polymerizing and imidizing an aromatic tetracarboxylic acid component and a diamine component in an organic polar solvent as described above. Alternatively, the polymerization solution may be diluted to an appropriate concentration with an organic solvent similar to the polymerization solvent.

あるいは、ポリイミドシロキサン組成物は、前述の重合
溶液から一旦粉末状のポリイミドシロキサンを析出させ
て単離し、単離されたポリイミドシロキサン粉末を有機
溶媒に均一に溶解して調製することもできる。
Alternatively, the polyimidosiloxane composition can also be prepared by precipitating and isolating a powdered polyimidosiloxane from the above polymerization solution, and uniformly dissolving the isolated polyimidosiloxane powder in an organic solvent.

この発明のポリイミドシロキサン組成物は、被覆すべき
対象物(フレキシブル回路板、半導体など)の表面に、
常温又は加温下、回転塗布機、デイスペンサー又は印刷
機などを使用する方法で、均一な厚さに塗布し、前記溶
液組成物からなる塗布膜を形成し、次いで、その塗布膜
を約50℃以上、特に60〜250℃程度の温度で乾燥
させることにより、ポリイミドシロキサンの固化膜(保
護膜)を形成することができる。
The polyimide siloxane composition of the present invention can be applied to the surface of the object to be coated (flexible circuit board, semiconductor, etc.).
The solution composition is coated to a uniform thickness by using a rotary coating machine, a dispenser, a printing machine, etc. at room temperature or under heating. A solidified film (protective film) of polyimidosiloxane can be formed by drying at a temperature of 60 to 250° C. or higher, particularly about 60 to 250° C.

〔実施例] 以下に実施例及び比較例を挙げ、この発明をさらに詳し
く説明する。
[Example] The present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples below.

実施例および比較例における各試験法は、以下のとおり
である。
Each test method in Examples and Comparative Examples is as follows.

ポリイミドシロキサンの溶解性は、ポリイミドシロキサ
ン粉末0.2gを、20℃で、メチルジグライム0.8
gに添加し、放置して、その溶解の状態を観察して、1
時間以内に溶解した場合を◎、1日間以内に溶解した場
合をO1単にポリマー中に溶媒が一部膨潤する場合を△
、および、1週間でも全く不溶の場合を×で示した。
The solubility of polyimidosiloxane is as follows: 0.2g of polyimidosiloxane powder is mixed with 0.8g of methyl diglyme at 20°C.
g, leave it to stand, observe the state of dissolution,
◎ if it dissolves within hours, O if it dissolves within 1 day △ if the solvent simply swells in the polymer
, and cases where it was completely insoluble even for one week were indicated by ×.

ポリイミドシロキサンの熱分解開始温度は、デュポン9
51熱重量測定装置で測定した。
The thermal decomposition initiation temperature of polyimide siloxane is determined by DuPont 9
51 thermogravimeter.

ポリイミドシロキサンの機械的強度は、ガラス板上に2
00μmのスペーサーを枠として配置して、そのガラス
板上に30重量%のポリマー溶液を流延して薄膜を形成
し、その薄膜を、80℃で30分間、150℃で30分
間、200℃で30分間、乾燥および熱処理して、厚さ
約50μmのフィルムを形成して、そのポリイミドシロ
キサンフィルムについて、万能型引張試験機(オリエン
チック社製、テンシロン tJTM−11−20)で、
破断強度、伸び率、初期弾性を測定した。
The mechanical strength of polyimide siloxane is 2
A 30% polymer solution was cast onto the glass plate using a 00 μm spacer as a frame to form a thin film, and the thin film was heated at 80°C for 30 minutes, 150°C for 30 minutes, and 200°C. The polyimide siloxane film was dried and heat-treated for 30 minutes to form a film with a thickness of about 50 μm, and then tested using a universal tensile tester (manufactured by Orientic Co., Ltd., Tensilon tJTM-11-20).
Breaking strength, elongation, and initial elasticity were measured.

ポリイミドシロキサンを芳香族ポリイミドフィルムに塗
布した場合の反り試験は、厚さ75μmの芳香族ポリイ
ミドフィルム(宇部興産銖製、UP I LEX 5−
75 )上に、厚さ100μmのPET製のスペーサを
配置して、そして、そのスペーサで囲まれた範囲内に前
記のポリイミドシロキサンの溶液組成物をラボラトリ−
コーチインブロンドでバーコードして、前記溶液組成物
の塗布層を形成し、最後に、前記の基板上の塗布層を8
0℃で30分間、150℃で30分間、及び、200℃
で30分間、乾燥及び加熱処理(ヘーク)して、ポリイ
ミドシロキサンからなる保護膜(平均厚さ=40μm)
を形成した。そして、得られた保護膜の形成されたポリ
イミドフィルム(長さ:100閣×幅:50am)につ
いて「反り曲率半径」を測定した。
A warpage test when polyimidosiloxane was applied to an aromatic polyimide film was performed using a 75 μm thick aromatic polyimide film (manufactured by Ube Industries, Ltd., UP I LEX 5-
75) A PET spacer with a thickness of 100 μm is placed on top of the polyimide siloxane solution composition in the area surrounded by the spacer.
Barcode with coach-in-blond to form a coating layer of the solution composition, and finally, coat the coating layer on the substrate with 8
30 minutes at 0℃, 30 minutes at 150℃, and 200℃
After drying and heat treatment (hake) for 30 minutes, a protective film made of polyimide siloxane (average thickness = 40 μm) was formed.
was formed. Then, the "curvature radius" of the obtained polyimide film (length: 100 mm x width: 50 am) on which the protective film was formed was measured.

実施例1 〔ポリイミドシロキサンの製造〕 容量2!のガラス製のセパラブルフラスコに、2.3.
3’、4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a
−BPDA)  147.2  (500ミリモル)と
、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)1274gと
を入れてa−BPDAを溶解させ、そして、その溶液を
室温で攪拌しながら、ジアミノポリシロキサン(口AP
S )〔信越シリコン■製、X−22−161AS、 
R: −((:Hl)3−1Rt :メチル基、f=9
) 304.9 g (346,5ミリモル)とジグラ
イム530gとからなる溶液を30分間で加え、重合温
度190℃で窒素ガスを通じながら、しかも、メチルジ
グライムを還流させて水を除去しながら、3時間、重合
反応させて、さらにその反応液を一旦室温に戻して攪拌
しながら、その冷却された反応液に、2,2−ビス(4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン(BA
PP)62.19g(151゜25ミリモル)とNMP
500gとの溶液を30分間で滴下しながら加えて、反
応温度200〜210℃で6時間反応させて、最後に、
その反応液を202メタノール中に添加して、ディスパ
ーサ−を用いて30分間で析出させ、ポリマー濾過して
ポリマー粉末を単離し、そして、そのポリマー粉末につ
いて「101メタノール中でディスパーサ−を用いる1
0分間の洗浄」を2回行い、さらに、60℃で8時間真
空乾燥してポリイミドシロキサン粉末428.9gを得
た。
Example 1 [Production of polyimidesiloxane] Capacity 2! 2.3. into a glass separable flask.
3',4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (a
-BPDA) 147.2 (500 mmol) and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) 1274 g were added to dissolve a-BPDA, and while stirring the solution at room temperature, diaminopolysiloxane (NMP) was added. AP
S) [Manufactured by Shin-Etsu Silicon ■, X-22-161AS,
R: -((:Hl)3-1Rt: methyl group, f=9
) A solution consisting of 304.9 g (346.5 mmol) and 530 g of diglyme was added over 30 minutes, and the mixture was heated at a polymerization temperature of 190° C. while passing nitrogen gas and while refluxing the methyl diglyme to remove water. 2,2-bis(4
-(4-aminophenoxy)phenyl]propane (BA
PP) 62.19g (151°25 mmol) and NMP
Add a solution of 500 g dropwise over 30 minutes, react at a reaction temperature of 200 to 210°C for 6 hours, and finally,
The reaction solution was added to 202 methanol and precipitated for 30 minutes using a disperser, and the polymer powder was isolated by polymer filtration.
Washing for 0 minutes was carried out twice, followed by vacuum drying at 60° C. for 8 hours to obtain 428.9 g of polyimide siloxane powder.

前述のようにして得られたポリイミドシロキサンは、対
数粘度(30℃)は、0.24であり、イミド化率が実
質的に100%であった。
The polyimide siloxane obtained as described above had a logarithmic viscosity (30° C.) of 0.24 and an imidization rate of substantially 100%.

〔ポリイミドシロキサンの溶液組成物の調製〕前述のよ
うにして製造したポリイミドシロキサン3.5gを常温
でメチルジグライム7g中に溶解してポリイミドシロキ
サンがメチルジグライム中に均一に溶解しているポリマ
ー濃度35重量%のポリイミドシロキサンの溶液組成物
を調製した。
[Preparation of solution composition of polyimidosiloxane] 3.5 g of the polyimidosiloxane produced as described above is dissolved in 7 g of methyl diglyme at room temperature to obtain a polymer concentration such that the polyimidosiloxane is uniformly dissolved in the methyl diglyme. A solution composition of 35% by weight polyimidosiloxane was prepared.

前記の溶液組成物は、25℃で、3500センチポイズ
の溶液粘度(回転粘度)を有していた。
The solution composition had a solution viscosity (rotational viscosity) of 3500 centipoise at 25°C.

〔溶液組成物の塗布操作:保護膜の形成〕厚さ75μm
の芳香族ポリイミドフィルム(宇部興ish製、UP 
I LEX 5−75 >を基板とするフレキシブル配
線板(線の幅:約300μm、配線密度=60%)上に
、厚さ100μmのポリエチェレンフタレート(PET
)製のスペーサを配置して、そして、そのスペーサで囲
まれた範囲内に前記のポリイミドシロキサンの溶液組成
物をラボラトリ−コーチインブロンド(No、3)でバ
ーコードして、前記溶液組成物の塗布層を形成し、最後
に、前記の基板上の塗布層を80℃で30分間、150
℃で30分間、180℃で30分間、乾燥及び加熱処理
(ベーク)して、ポリイミドシロキサンからなる保護膜
(平均厚さ2408m)を形成した。
[Coating operation of solution composition: Formation of protective film] Thickness: 75 μm
Aromatic polyimide film (manufactured by Ube Koish, UP
A 100 μm thick polyethylene phthalate (PET
) is placed, and the solution composition of the polyimide siloxane is barcoded with a laboratory coat-in-blonde (No. 3) within the area surrounded by the spacer. A coating layer is formed, and finally, the coating layer on the substrate is heated at 80° C. for 30 minutes at 150° C.
It was dried and heat-treated (baked) at 180° C. for 30 minutes and 180° C. for 30 minutes to form a protective film (average thickness 2408 m) made of polyimide siloxane.

前記の保護層の形成されたフレキシブル配線板は、カー
ルが実質的にないものであり、該保護層と前記配線板と
の間の密着性が、基盤、目試験(粘着テープによる剥離
)によるとまったく問題がなく、両者がしっかり接着さ
れていかった。
The flexible wiring board on which the protective layer is formed has substantially no curl, and the adhesion between the protective layer and the wiring board is determined by an eye test (peeling with adhesive tape). There were no problems at all, and the two were firmly attached.

別に行った反り試験において、保護膜の形成されたポリ
イミドフィルムは、r反り曲率半径」が100an以上
であり、反りが実質的に無い状態(反り無し)であった
In a separate warpage test, the polyimide film on which the protective film was formed had an r-curvature radius of 100 an or more, and was in a state where there was substantially no warpage (no warpage).

実施例2〜4および比較例1〜4 芳香族テトラカルボン酸成分として、第1表に示す種類
の芳香族テトラカルボン酸化合物を使用し、ジアミン成
分として、第1表に示す種類および量(モル比)のジア
ミノポリシロキサンとを使用したほかは、実施例1と同
様にして、ポリイミドシロキサン(イミド化率=95%
以上)をそれぞれ製造した。
Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 As the aromatic tetracarboxylic acid component, aromatic tetracarboxylic acid compounds of the types shown in Table 1 were used, and as the diamine component, the types and amounts (moles) shown in Table 1 were used. Polyimidosiloxane (imidization rate = 95%) was prepared in the same manner as in Example 1, except that diaminopolysiloxane of
above) were manufactured respectively.

それらのポリイミドシロキサンについて、対数粘度、耐
熱性、溶解性、機械的特性を第1表にそれぞれ示す。
Table 1 shows the logarithmic viscosity, heat resistance, solubility, and mechanical properties of these polyimidesiloxanes.

なお、比較例1及び2で得られたポリイミドシロキサン
は、実質的にNMP、ジオキサンなどの有機溶媒に不溶
性であるので、ポリイミドシロキサンの溶液組成物を調
製することができず、従って、それらのフィルムを形成
することもできなかったので、機械的特性を測定するこ
と、および、反り試験を行うことができなかった。
Note that the polyimidosiloxanes obtained in Comparative Examples 1 and 2 are substantially insoluble in organic solvents such as NMP and dioxane, so it is not possible to prepare a solution composition of polyimidosiloxanes, and therefore, these films cannot be prepared. It was not possible to measure mechanical properties or perform warpage tests.

また、比較例3及び4で得られたポリイミドシロキサン
は、メチルジグライムに対して充分に溶解しないので、
溶媒:NMPを使用して、ポリイミドシロキサンの溶液
組成物を調製して、ポリイミドシロキサンのフィルムを
形成し、そのフィルムの機械的特性を測定した。
In addition, the polyimidosiloxanes obtained in Comparative Examples 3 and 4 do not dissolve sufficiently in methyl diglyme.
A solution composition of polyimidosiloxane was prepared using solvent: NMP to form a film of polyimidosiloxane, and the mechanical properties of the film were measured.

前述のようにして製造したr可溶性の各ポリイミドシロ
キサン1を使用したほかは、実施例1と同様にして、ポ
リイミドシロキサンの溶液組成物(ポリマー濃度:  
重量%)をそれぞれ調製した。
A polyimidosiloxane solution composition (polymer concentration:
% by weight) were prepared respectively.

各溶液組成物の溶液粘度(25℃)を第1表に示す。Table 1 shows the solution viscosity (25°C) of each solution composition.

前述の各溶液組成物を使用したほかは、実施例1と同様
にして、塗布操作を行い、その状態の良否を観察し、さ
らに、別に反り試験を行い、それの結果(塗布操作の良
否、反り曲率半径)を第1表に示す。
Except for using each of the above-mentioned solution compositions, the coating operation was carried out in the same manner as in Example 1, and the quality of the coating was observed. Furthermore, a separate warp test was conducted, and the results (the quality of the coating operation, Table 1 shows the warp radius of curvature.

なお、第1表において使用された略記号は、下記の意味
を有している。
The abbreviations used in Table 1 have the following meanings.

a−BPDA ; 2,3+3’ +4’−ジフェニル
テトラカルボン酸二無水物 PMD^ ;ピロメリット酸二無水物 BTDA  i 3,4.3’、4”−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物 BAPP  ;2,2−ビス(4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル〕ベンゼン DAPS  ;ジアミノポリシロキサン(X−2246
1AS)実施例5 溶液組成物の調製において、実施例1で製造したポリイ
ミドシロキサンを使用し、そして、有機溶媒として、沸
点216℃のメチルトリグライムを使用したほかは、実
施例1と同様にして、溶液組成物を調製した。その溶液
組成物は、25℃の溶液粘度(回転粘度)が4000セ
ンチポイズであった。
a-BPDA; 2,3+3'+4'-diphenyltetracarboxylic dianhydride PMD^; Pyromellitic dianhydride BTDA i 3,4.3', 4''-benzophenonetetracarboxylic dianhydride BAPP; 2, 2-bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)benzene DAPS; Diaminopolysiloxane (X-2246
1AS) Example 5 In preparing the solution composition, the same procedure as in Example 1 was carried out except that the polyimide siloxane produced in Example 1 was used and methyl triglyme with a boiling point of 216°C was used as the organic solvent. , a solution composition was prepared. The solution composition had a solution viscosity (rotational viscosity) of 4000 centipoise at 25°C.

前記の溶液組成物を使用し、スルーホールが開孔されて
いるフレキシブル配線板を使用してスクリーン印刷法(
200メツシユでスクリーン厚さ81μm、11116
μmのステンレススクリーンを使用する)で塗布を行い
、さらに、その塗布膜の乾燥及び熱処理条件を、80℃
で30分間、150℃で30分間、及び、200℃で3
0分間としたほかは、実施例1と同様にしてフレキシブ
ル配線板上に保護膜(平均厚さ2408m)を形成した
Using the above solution composition, a screen printing method (
200 mesh, screen thickness 81μm, 11116
µm stainless steel screen), and the coating film was dried and heat treated at 80°C.
for 30 minutes, at 150℃ for 30 minutes, and at 200℃ for 30 minutes.
A protective film (average thickness: 2408 m) was formed on a flexible wiring board in the same manner as in Example 1, except that the heating time was 0 minutes.

前記のスクリーン印刷は良好に行うことができ、また、
保護層の形成されたフレキシブル配線板は、実施例1と
同様にカールの実質的にないものであり、該保護層と前
記配線板との間の密着性も良好であった。
The above screen printing can be done well and also
The flexible wiring board on which the protective layer was formed was substantially free of curls as in Example 1, and the adhesion between the protective layer and the wiring board was also good.

また、前記溶液組成物を使用して別に行った反り試験に
おいて、保護膜の形成されたポリイミドフィルムは、1
反り曲率半径」が100睡以上であり、反りが実質的に
ない状態(反り無し)であった。
In addition, in a warpage test conducted separately using the solution composition, the polyimide film on which the protective film was formed was 1
The warpage radius of curvature was 100 degrees or more, and there was substantially no warpage (no warpage).

〔本発明の作用効果〕[Actions and effects of the present invention]

この発明のポリイミドシロキサンは、ジアミノポリシロ
キサンに基づく構成単位をかなり高い割合で有している
柔軟なポリマーであるので、耐熱性、電気的特性および
機械的特性を保持していると共に、有機溶媒への可溶性
(特にメチルジグライム、メチルトリグライムに対する
溶解性)が極めて優れており、しかも、そのポリイミド
シロキサンを、メチルジグライム、メチルトリグライム
などの有機溶媒に均一に溶解して得られたポリイミドシ
ロキサンの溶液組成物を、フレキシブル配線板などの基
板に使用される芳香族ポリイミドフィルム上に塗布して
乾燥・加熱処理して、基板にしっかり密着した耐熱性お
よび電気絶縁性の保護膜を形成することが可能であり、
その場合に、その基板が反りを生しることが実質的にな
いのである。
The polyimidosiloxane of this invention is a flexible polymer with a fairly high proportion of diaminopolysiloxane-based constituent units, so it retains heat resistance, electrical properties, and mechanical properties, and is resistant to organic solvents. Polyimidosiloxane has extremely excellent solubility (especially solubility in methyldiglyme and methyltriglyme), and is obtained by uniformly dissolving the polyimidesiloxane in an organic solvent such as methyldiglyme or methyltriglyme. A solution composition is applied onto an aromatic polyimide film used for substrates such as flexible wiring boards, dried and heat-treated to form a heat-resistant and electrically insulating protective film that firmly adheres to the substrate. is possible,
In this case, the substrate is substantially not warped.

特許出願人  宇部興産株式会社Patent applicant: Ube Industries Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン
酸類を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成分と、下
記一般式 I で示されるジアミノポリシロキサン45〜
80モル%及び芳香族ジアミン20〜55モル%からな
るジアミン成分とを重合およびイミド化することにより
得られたポリイミドシロキサン。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は2価の炭化水素残基を示し、R_2は
独立に炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基を示し
、lは3〜30の整数を示す。)
(1) An aromatic tetracarboxylic acid component mainly composed of 2,3,3',4'-biphenyltetracarboxylic acids and a diamino polysiloxane 45 represented by the following general formula I
A polyimidosiloxane obtained by polymerizing and imidizing 80 mol% and a diamine component consisting of 20 to 55 mol% of an aromatic diamine. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (I) (In the formula, R_1 represents a divalent hydrocarbon residue, R_2 independently represents an alkyl group or phenyl group having 1 to 3 carbon atoms, and l represents 3 Indicates an integer between ~30.)
(2)請求項第1項に示されるポリイミドシロキサンが
、沸点140℃以上の有機溶媒に均一に溶解しているポ
リイミドシロキサン組成物。
(2) A polyimidosiloxane composition in which the polyimidosiloxane according to claim 1 is uniformly dissolved in an organic solvent having a boiling point of 140° C. or higher.
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