JPH0422004B2 - - Google Patents
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- JPH0422004B2 JPH0422004B2 JP806484A JP806484A JPH0422004B2 JP H0422004 B2 JPH0422004 B2 JP H0422004B2 JP 806484 A JP806484 A JP 806484A JP 806484 A JP806484 A JP 806484A JP H0422004 B2 JPH0422004 B2 JP H0422004B2
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- Japan
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- varistor element
- surge absorber
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Links
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電気機器、電子機器を異常電圧から
保護するためのチツプ型サージ吸収器に関するも
ので、実使用時における漏れ電流をカツトし、過
電圧が印加された際のバリスタ素子の破壊を未然
に防ぎ、かつ小型のチツプ型サージ吸収器を提供
するものである。
保護するためのチツプ型サージ吸収器に関するも
ので、実使用時における漏れ電流をカツトし、過
電圧が印加された際のバリスタ素子の破壊を未然
に防ぎ、かつ小型のチツプ型サージ吸収器を提供
するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、電子部品のチツプ化が急速に進み、IC、
トランジスタなどの半導体電子部品をサージ電圧
から保護するバリスタ素子を用いたサージ吸収器
においても小型化、チツプ化が進行している。と
ころが一般にバリスタ素子は電圧が印加されると
その電圧に応じて漏れ電流が増加し、消費電力が
上がるという問題点を有していた。また、バリス
タ素子に定格以上の電圧が連続的に印加されると
素子が発熱し、特性の劣化もしくは最悪の場合は
焼損に至るという問題点を有していた。
トランジスタなどの半導体電子部品をサージ電圧
から保護するバリスタ素子を用いたサージ吸収器
においても小型化、チツプ化が進行している。と
ころが一般にバリスタ素子は電圧が印加されると
その電圧に応じて漏れ電流が増加し、消費電力が
上がるという問題点を有していた。また、バリス
タ素子に定格以上の電圧が連続的に印加されると
素子が発熱し、特性の劣化もしくは最悪の場合は
焼損に至るという問題点を有していた。
発明の目的
本発明は前記欠点に鑑みてなされたものであ
り、チツプ型バリスタの一方の電極に直接、直列
にギヤツプを形成することにより、小型でしかも
漏れ電流のないチツプ型サージ吸収器を提供しよ
うとするものである。
り、チツプ型バリスタの一方の電極に直接、直列
にギヤツプを形成することにより、小型でしかも
漏れ電流のないチツプ型サージ吸収器を提供しよ
うとするものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明のチツプ型サ
ージ吸収器は、板状バリスタ素子の両端面に設け
られた電極と、その電極の一方の上部を少くとも
被覆するように設けられた高抵抗層と、この高抵
抗層を介しその上部にさらに電極を設けることに
より形成されたギヤツプとから構成されている。
ージ吸収器は、板状バリスタ素子の両端面に設け
られた電極と、その電極の一方の上部を少くとも
被覆するように設けられた高抵抗層と、この高抵
抗層を介しその上部にさらに電極を設けることに
より形成されたギヤツプとから構成されている。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。第１図は本発明の一実施例にお
けるチツプ型サージ吸収器の斜視図であり、第２
図は断面図である。図において、１は板状バリス
タ素子で、例えば酸化亜鉛を主成分とした焼結体
である。２及び２ａは板状バリスタ素子１の両端
面に設けられた電極で、通常Ag，Ni，Pdなどの
メツキ処理などにより形成されている。３は板状
バリスタ素子１と柱状の端面電極２ａの上部に設
けられた高抵抗層で、バリスタ素子１と端面電極
２との間にも設けられており、例えば樹脂のコー
テイング、ガラス焼付けなどにより形成されてい
る。この高抵抗層３は電極２，２ａの少なくとも
一方を被覆するように設けられる。４は電極２と
の間に直列にギヤツプを形成するよう高抵抗層３
上に設けれた電極である。第１図において、Ａの
部分がギヤツプを形成している。
ながら説明する。第１図は本発明の一実施例にお
けるチツプ型サージ吸収器の斜視図であり、第２
図は断面図である。図において、１は板状バリス
タ素子で、例えば酸化亜鉛を主成分とした焼結体
である。２及び２ａは板状バリスタ素子１の両端
面に設けられた電極で、通常Ag，Ni，Pdなどの
メツキ処理などにより形成されている。３は板状
バリスタ素子１と柱状の端面電極２ａの上部に設
けられた高抵抗層で、バリスタ素子１と端面電極
２との間にも設けられており、例えば樹脂のコー
テイング、ガラス焼付けなどにより形成されてい
る。この高抵抗層３は電極２，２ａの少なくとも
一方を被覆するように設けられる。４は電極２と
の間に直列にギヤツプを形成するよう高抵抗層３
上に設けれた電極である。第１図において、Ａの
部分がギヤツプを形成している。
以上のように構成されたチツプ型サージ吸収器
について、以下その動作を説明する。第３図は本
発明によるチツプ型サージ吸収器の等価回路であ
る。すなわち、バリスタ素子Ｂと前記放電用気中
ギヤツプＡが直列に接続された形になる。第４図
は本発明によるチツプ型サージ吸収器の制限電圧
−放電電流特性を示している。第４図において、
バリスタ素子Ｂの漏れ電流は印加される電圧によ
り破線ａからｂのように増大する。ところが本発
明によるチツプ型サージ吸収器はバリスタ素子Ｂ
に対し直列にギヤツプＡが形成されているので、
サージ電圧がギヤツプ放電電圧、点ｃに至るまで
回路はオープンの状態で電流は流れない。
について、以下その動作を説明する。第３図は本
発明によるチツプ型サージ吸収器の等価回路であ
る。すなわち、バリスタ素子Ｂと前記放電用気中
ギヤツプＡが直列に接続された形になる。第４図
は本発明によるチツプ型サージ吸収器の制限電圧
−放電電流特性を示している。第４図において、
バリスタ素子Ｂの漏れ電流は印加される電圧によ
り破線ａからｂのように増大する。ところが本発
明によるチツプ型サージ吸収器はバリスタ素子Ｂ
に対し直列にギヤツプＡが形成されているので、
サージ電圧がギヤツプ放電電圧、点ｃに至るまで
回路はオープンの状態で電流は流れない。
そして、ギヤツプ放電電圧以上の電圧になると
曲線ｂに沿つてバリスタ特性を示す。従つて、ギ
ヤツプＡの距離を適当に調節しておくことによ
り、ある一定の電圧までは漏れ電流を完全にカツ
トすることができる。
曲線ｂに沿つてバリスタ特性を示す。従つて、ギ
ヤツプＡの距離を適当に調節しておくことによ
り、ある一定の電圧までは漏れ電流を完全にカツ
トすることができる。
また、バリスタ素子の特性は定格以上のサージ
電圧が印加されることにより劣化し、この劣化は
定常的に電流がバリスタ素子に流れることにより
促進される。ところが本発明のチツプ型サージ吸
収器は、異常サージ印加後、回路がオープン状態
であるので劣化が進行しない。また、バリスタ素
子は通常定格以上の回路電圧で使用するとバリス
タ電圧の低下などの劣化がおこるが、本発明のチ
ツプ型サージ吸収器は放電用気中ギヤツプ間隔を
調整することにより定格電圧がギヤツプ放電電圧
まで上がるため、バリスタ素子の劣化を防ぐこと
ができる。
電圧が印加されることにより劣化し、この劣化は
定常的に電流がバリスタ素子に流れることにより
促進される。ところが本発明のチツプ型サージ吸
収器は、異常サージ印加後、回路がオープン状態
であるので劣化が進行しない。また、バリスタ素
子は通常定格以上の回路電圧で使用するとバリス
タ電圧の低下などの劣化がおこるが、本発明のチ
ツプ型サージ吸収器は放電用気中ギヤツプ間隔を
調整することにより定格電圧がギヤツプ放電電圧
まで上がるため、バリスタ素子の劣化を防ぐこと
ができる。
発明の効果
以上のように本発明のチツプ型サージ吸収器は
ギヤツプの間隔を適当に調節しておくことによ
り、実使用時において漏れ電流がないため消費電
力が少なく、異常電圧が印加された後バリスタ素
子の発熱による劣化を防ぎ、さらにギヤツプとバ
リスタ素子が一体化していることにより、小型
化、高性能化が図れるものである。
ギヤツプの間隔を適当に調節しておくことによ
り、実使用時において漏れ電流がないため消費電
力が少なく、異常電圧が印加された後バリスタ素
子の発熱による劣化を防ぎ、さらにギヤツプとバ
リスタ素子が一体化していることにより、小型
化、高性能化が図れるものである。
第１図は本発明の一実施例におけるチツプ型サ
ージ吸収器の斜視図、第２図は同断面図、第３図
は同チツプ型サージ吸収器の等価回路の回路図、
第４図は同チツプ型サージ吸収器のＶ−Ｉ特性の
模式図である。 １……板状バリスタ素子、２，２ａ……端面電
極、３……高抵抗層、４……ギヤツプを形成して
いる電極。
ージ吸収器の斜視図、第２図は同断面図、第３図
は同チツプ型サージ吸収器の等価回路の回路図、
第４図は同チツプ型サージ吸収器のＶ−Ｉ特性の
模式図である。 １……板状バリスタ素子、２，２ａ……端面電
極、３……高抵抗層、４……ギヤツプを形成して
いる電極。
Claims (1)
- １ 板状バリスタ素子と、前記板状バリスタ素子
の両端面に設けられた電極と、前記電極の一方の
上部を少なくとも被覆するよう設けられた高抵抗
層と、前記高抵抗層上部に設けた電極と前記高抵
抗層下部の電極間に直列に設けられたギヤツプと
からなるチツプ型サージ吸収器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP806484A JPS60152006A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チップ型サ−ジ吸収器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP806484A JPS60152006A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チップ型サ−ジ吸収器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152006A JPS60152006A (ja) | 1985-08-10 |
| JPH0422004B2 true JPH0422004B2 (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=11682912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP806484A Granted JPS60152006A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チップ型サ−ジ吸収器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152006A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139435U (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-21 | ||
| JP2794312B2 (ja) * | 1989-12-27 | 1998-09-03 | 三菱マテリアル 株式会社 | 小型電源用サージ吸収装置 |
| JP2923700B2 (ja) | 1991-03-27 | 1999-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
-
1984
- 1984-01-19 JP JP806484A patent/JPS60152006A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60152006A (ja) | 1985-08-10 |
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