JPH04228127A - 情報記録用薄膜、情報記録部材及びそれらの製造方法 - Google Patents
情報記録用薄膜、情報記録部材及びそれらの製造方法Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 344
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 86
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 68
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 39
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 33
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- -1 Sb2Se3 Inorganic materials 0.000 description 7
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910002899 Bi2Te3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005228 Ga2S3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005829 GeS Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005866 GeSe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005867 GeSe2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N germanium monoxide Inorganic materials [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium(III) oxide Inorganic materials O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052959 stibnite Inorganic materials 0.000 description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(II) oxide Inorganic materials [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N tungsten dioxide Inorganic materials O=[W]=O DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016273 Bi2 Se3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020257 Cl2F2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017112 Fe—C Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002795 Si–Al–O–N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009442 Y2O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- BAPZCSMFCUVUHW-UHFFFAOYSA-N dichloro(fluoro)methane Chemical compound F[C](Cl)Cl BAPZCSMFCUVUHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)(Cl)Cl PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019404 dichlorodifluoromethane Nutrition 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZXKSFDSPBRJPS-UHFFFAOYSA-N tin(2+);sulfide Chemical compound [S-2].[Sn+2] DZXKSFDSPBRJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光，電子線，電流
等の記録用エネルギーによって，たとえば映像や音声な
どのアナログ信号をＦＭ変調したものや，たとえば電子
計算機のデータや，ファクシミリ信号やディジタルオー
ディオ信号などのディジタル情報を，リアルタイムで記
録することが可能な情報の記録用薄膜に関するものであ
る。
等の記録用エネルギーによって，たとえば映像や音声な
どのアナログ信号をＦＭ変調したものや，たとえば電子
計算機のデータや，ファクシミリ信号やディジタルオー
ディオ信号などのディジタル情報を，リアルタイムで記
録することが可能な情報の記録用薄膜に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光等のエネルギービームによっ
て薄膜に記録を行う記録原理は種々あるが、非晶質−結
晶質間、結晶質−結晶質間、非晶質−非晶質間の相変化
による記録や、上下２層間の反応（合金化）を利用する
記録及び光磁気記録等は、膜の形状変化をほとんど伴わ
ないので、２枚のディスクを貼りあわせた両面ディスク
ができること、記録の書き換えができることという長所
を持っている。
て薄膜に記録を行う記録原理は種々あるが、非晶質−結
晶質間、結晶質−結晶質間、非晶質−非晶質間の相変化
による記録や、上下２層間の反応（合金化）を利用する
記録及び光磁気記録等は、膜の形状変化をほとんど伴わ
ないので、２枚のディスクを貼りあわせた両面ディスク
ができること、記録の書き換えができることという長所
を持っている。
【０００３】しかし、相変化による記録では、多数回記
録の書き換えを行なった時に生じる記録膜の流動のため
に、書き換え可能回数が制限されるという問題点がある
。これは、非晶質化のために記録膜を融解させる部分で
、両側の保護層の記録膜側が熱膨張し、反対側は記録膜
側ほどには熱膨張しないために保護層が記録膜側にふく
らみ、記録膜が押されて温度の低い方へ流れるものであ
る。記録レーザーパワーが特に高い場合は、記録膜の一
部が気化し、これによって記録膜が押される効果も加わ
る。一回の記録による流動はごくわずかであるが、記録
トラック上の同一場所を繰り返して多数回融解させると
、その部分の膜厚が減少して読み出しエラーの原因とな
る。この問題点に対する対策として、記録膜の膜厚を薄
くすることが、ソサエティ・オブ・フォト・オプティカ
ル・インストゥルーメンテーション・エンジニアーズの
プロシーディングズ第１０７８巻（１９８９年）第２７
頁から第３４頁（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｓｏ
ｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｐｈｏｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｉｎ
ｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ（Ｓ
ＰＩＥ），１０７８，（１９８９） ＰＰ２７−３４）
（以下、第１の従来技術という）において提案されてい
る。これは、記録膜を薄くすることによって記録膜の発
熱量を小さくして上下の保護層の温度上昇による変形を
防ぎ、また、上下の保護層への融解した記録膜の付着力
及び粘性によって記録膜の流動速度を低下させることを
狙ったものである。
録の書き換えを行なった時に生じる記録膜の流動のため
に、書き換え可能回数が制限されるという問題点がある
。これは、非晶質化のために記録膜を融解させる部分で
、両側の保護層の記録膜側が熱膨張し、反対側は記録膜
側ほどには熱膨張しないために保護層が記録膜側にふく
らみ、記録膜が押されて温度の低い方へ流れるものであ
る。記録レーザーパワーが特に高い場合は、記録膜の一
部が気化し、これによって記録膜が押される効果も加わ
る。一回の記録による流動はごくわずかであるが、記録
トラック上の同一場所を繰り返して多数回融解させると
、その部分の膜厚が減少して読み出しエラーの原因とな
る。この問題点に対する対策として、記録膜の膜厚を薄
くすることが、ソサエティ・オブ・フォト・オプティカ
ル・インストゥルーメンテーション・エンジニアーズの
プロシーディングズ第１０７８巻（１９８９年）第２７
頁から第３４頁（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｓｏ
ｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｐｈｏｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｉｎ
ｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ（Ｓ
ＰＩＥ），１０７８，（１９８９） ＰＰ２７−３４）
（以下、第１の従来技術という）において提案されてい
る。これは、記録膜を薄くすることによって記録膜の発
熱量を小さくして上下の保護層の温度上昇による変形を
防ぎ、また、上下の保護層への融解した記録膜の付着力
及び粘性によって記録膜の流動速度を低下させることを
狙ったものである。
【０００４】また、ゲルマニウム（Ｇｅ）膜を反応性イ
オンエッチングして、表面に１００ｎｍ以下程度の凹凸
構造を作ったものが、アプライド．フィジックス．レタ
−ズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ）第４０巻、第８号、第６６２〜６６４頁記載の
論文〕「テキスチャ−ド・ゲルマニウム・オプテイカル
・ストレ−ジ・メディアム（Ｔｅｘｔｕｒｅｄ ｇｅ
ｒｍａｎｉｕｍｏｐｔｉｃａｌ ｓｔｏｒａｇｅ
ｍｅｄｉｕｍ）」（以下、第２の従来技術という）およ
び米国特許第４４２２１５９号（以下、第３の従来技術
という）に記載されており、第２の従来技術では上記凹
凸構造の記録膜の変形による記録のみ記載されているの
に対し、第３の従来技術では記録膜の変形による記録の
他に記録膜の酸化による変形についても示唆がある。
オンエッチングして、表面に１００ｎｍ以下程度の凹凸
構造を作ったものが、アプライド．フィジックス．レタ
−ズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ）第４０巻、第８号、第６６２〜６６４頁記載の
論文〕「テキスチャ−ド・ゲルマニウム・オプテイカル
・ストレ−ジ・メディアム（Ｔｅｘｔｕｒｅｄ ｇｅ
ｒｍａｎｉｕｍｏｐｔｉｃａｌ ｓｔｏｒａｇｅ
ｍｅｄｉｕｍ）」（以下、第２の従来技術という）およ
び米国特許第４４２２１５９号（以下、第３の従来技術
という）に記載されており、第２の従来技術では上記凹
凸構造の記録膜の変形による記録のみ記載されているの
に対し、第３の従来技術では記録膜の変形による記録の
他に記録膜の酸化による変形についても示唆がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
１の従来技術では、記録膜が相対的に厚い場合に比べて
書き換え可能回数が向上したが、完全に流動を止めるも
のではないので、コンピユ−タ−のファイルメモリとし
て使用する場合などに要求される、無制限の多数回書き
換えを実現することはできない。また、第２、第３の従
来技術では、記録膜に変形や酸化を起こさせて記録する
ので、記録の書き換えを行うことができず、用途が制限
される。また、膜表面の酸化などにより特性が変化しや
すく、保存寿命が短い。保護膜がないか、あっても酸素
を通しやすく熱変形しやすい有機物の保護膜を凹凸面側
に設けているからである。従って、第２、第３の従来技
術では、熱変形あるいは酸化により記録はできるものの
多数回書き換えは保証できない。これに対して、本発明
では、高融点の無機物の保護膜を凹凸面側に接して設け
ているため、エネルギ−ビ−ム照射による記録膜の流動
をほとんど完全に防止でき、多数回書き換えが可能であ
る。
１の従来技術では、記録膜が相対的に厚い場合に比べて
書き換え可能回数が向上したが、完全に流動を止めるも
のではないので、コンピユ−タ−のファイルメモリとし
て使用する場合などに要求される、無制限の多数回書き
換えを実現することはできない。また、第２、第３の従
来技術では、記録膜に変形や酸化を起こさせて記録する
ので、記録の書き換えを行うことができず、用途が制限
される。また、膜表面の酸化などにより特性が変化しや
すく、保存寿命が短い。保護膜がないか、あっても酸素
を通しやすく熱変形しやすい有機物の保護膜を凹凸面側
に設けているからである。従って、第２、第３の従来技
術では、熱変形あるいは酸化により記録はできるものの
多数回書き換えは保証できない。これに対して、本発明
では、高融点の無機物の保護膜を凹凸面側に接して設け
ているため、エネルギ−ビ−ム照射による記録膜の流動
をほとんど完全に防止でき、多数回書き換えが可能であ
る。
【０００６】また、一方、光磁気記録では、記録膜の熱
伝導率が高いために横方向（記録膜面内方向）の熱拡散
が大きく、記録信号に厳密に忠実な記録点が形成されに
くいという問題点がある。また、膜組成によっては磁化
容易軸方向が膜面に完全に垂直になりにくい。
伝導率が高いために横方向（記録膜面内方向）の熱拡散
が大きく、記録信号に厳密に忠実な記録点が形成されに
くいという問題点がある。また、膜組成によっては磁化
容易軸方向が膜面に完全に垂直になりにくい。
【０００７】本発明の目的は、エネルギ−ビ−ムの照射
を受けて物理的性質が変化する情報記録用薄膜、または
部材の少なくとも一方の面に、記録膜の流動および熱伝
導を押さえるための凹部または凹凸を設けることにより
、多数回の記録書き換えが可能で、高感度であり、しか
も長寿命の情報記録用薄膜を提供することにある。
を受けて物理的性質が変化する情報記録用薄膜、または
部材の少なくとも一方の面に、記録膜の流動および熱伝
導を押さえるための凹部または凹凸を設けることにより
、多数回の記録書き換えが可能で、高感度であり、しか
も長寿命の情報記録用薄膜を提供することにある。
【０００８】本発明の第２の目的は、そのような情報記
録用薄膜の製造方法を提供することにある。
録用薄膜の製造方法を提供することにある。
【０００９】本発明の第３の目的は、そのような情報記
録用薄膜を用いた情報記録部材を提供することにある。 本発明の第４の目的は、そのような情報記録部材の
製造方法を提供することにある。
録用薄膜を用いた情報記録部材を提供することにある。 本発明の第４の目的は、そのような情報記録部材の
製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、（１）基板
上に直接又は無機物及び有機物のうち少なくとも一者か
ら成る保護層を介して形成された、記録用エネルギービ
ームの照射を受けて物理的性質が変化する情報記録用薄
膜において、該情報記録用薄膜の少なくとも一方の面の
表面は、凹部を有し、さらにその凹部がある側に接して
無機物保護層を有することにより、上記物理的性質の変
化時に副作用として生ずる流動または熱伝導を押さえた
ことを特徴とする情報記録用薄膜、（２）上記１記載の
情報記録用薄膜において、上記凹部の半値幅の平均値は
５ｎｍから２００ｎｍの範囲であり、該凹部と凹部との
間隔の平均値は５ｎｍから６００ｎｍの範囲であること
を特徴とする情報記録用薄膜、（３）上記１又は２記載
の情報記録用薄膜において、上記無機物保護層を形成す
る材料が上記情報記録用薄膜の凹部に少なくとも入り込
んでいることを特徴とする情報記録用薄膜によって達成
される。
上に直接又は無機物及び有機物のうち少なくとも一者か
ら成る保護層を介して形成された、記録用エネルギービ
ームの照射を受けて物理的性質が変化する情報記録用薄
膜において、該情報記録用薄膜の少なくとも一方の面の
表面は、凹部を有し、さらにその凹部がある側に接して
無機物保護層を有することにより、上記物理的性質の変
化時に副作用として生ずる流動または熱伝導を押さえた
ことを特徴とする情報記録用薄膜、（２）上記１記載の
情報記録用薄膜において、上記凹部の半値幅の平均値は
５ｎｍから２００ｎｍの範囲であり、該凹部と凹部との
間隔の平均値は５ｎｍから６００ｎｍの範囲であること
を特徴とする情報記録用薄膜、（３）上記１又は２記載
の情報記録用薄膜において、上記無機物保護層を形成す
る材料が上記情報記録用薄膜の凹部に少なくとも入り込
んでいることを特徴とする情報記録用薄膜によって達成
される。
【００１１】上記第２の目的は、（４）基板上に直接又
は無機物及び有機物のうち少なくとも一者から成る保護
層を介して形成された記録用エネルギービームの照射を
受けて物理的性質が変化する情報記録用薄膜上に、微小
な島状の金属膜を形成し、これをマスクとしてイオンエ
ツチングして、該情報記録用薄膜に凹部を形成し、さら
にその凹部がある側に接して無機物保護層を有すること
により、上記物理的性質の変化時に副作用として生ずる
流動または熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録
用薄膜の形成方法、（５）基板上に直接又は無機物及び
有機物のうち少なくとも一者から成る保護層を介して形
成された記録用エネルギービームの照射を受けて物理的
性質が変化する情報記録用薄膜上に、フオトレジスト又
は電子線レジストを形成する工程と、パターン照射及び
現像によつて該レジストを所望のパターンとする工程と
、該レジストのパターンをマスクとして該情報記録用薄
膜をエッチングしてその表面に凹部を形成し、さらにそ
の凹部がある側に接して無機物保護層を形成する工程と
を有することにより、上記物理的性質の変化時に副作用
として生ずる流動又は熱伝導を押さえたことを特徴とす
る情報記録用薄膜の形成方法、（６）上記５記載の情報
記録用薄膜の形成方法において、上記パターン照射は、
２つ以上のレーザビーム又は電子線の干渉を利用して行
なうことを特徴とする情報記録用薄膜の形成方法によっ
て達成される。 上記第３の目的は、（７）基板と、
該基板上に配置され、記録用エネルギービームの照射を
受けて物理的性質が変化する情報の記録用薄膜とを少な
くとも有する情報記録部材において、上記記録用薄膜の
少なくとも一方の面は、その表面に凹凸を有し、さらに
その凹部がある側に接して無機物保護層を有することに
より、上記物理的性質の変化時に副作用として生ずる流
動または熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録部
材、（８）上記７記載の情報記録部材において、上記凹
凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅が、上記記録用薄
膜に形成されたアドレス又は同期信号を示す凹部の半値
幅の小さい方の１／２以下の大きさであることを特徴と
する情報記録部材、（９）上記７又は８記載の情報記録
部材において、上記記録用薄膜の基板側と逆側の表面に
上記凹凸を有することを特徴とする情報記録部材、（１
０）上記７又は８記載の情報記録部材において、上記記
録用薄膜の基板側の表面は実質的に平坦であり、その逆
側の表面に上記凹凸を有することを特徴とする情報記録
部材、（１１）上記７から１０のいずれかに記載の情報
記録部材において、上記凹凸の凹部の半値幅の平均値が
５ｎｍから２００ｎｍの範囲であり、凹部と凹部との間
隔の平均値が５ｎｍから６００ｎｍの範囲であることを
特徴とする情報記録部材、（１２）上記７から１１のい
ずれかに記載の情報記録部材において、上記記録用薄膜
の一方の面に接して第２の記録用薄膜を有することを特
徴とする情報記録部材、（１３）上記１２記載の情報記
録部材において、上記凹凸は、上記記録用薄膜の第２の
記録用薄膜と接する面に有することを特徴とする情報記
録部材、（１４）基板及び該基板上に配置され、記録用
エネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化する
情報の記録用薄膜の２層以上を少なくとも有する情報記
録部材において、少なくとも２層の上記記録用薄膜が互
いに接する表面に凹凸を有し、さらにその凹凸がある側
に接して無機物保護層を有することにより、上記物理的
性質の変化時に副作用として生ずる流動または熱伝導を
押さえたことを特徴とする情報記録部材、（１５）上記
１４記載の情報記録部材において、上記凹凸の凹部又は
凸部の大きい方の半値幅が、上記記録用薄膜に形成され
たアドレス又は同期信号を示す凹部の半値幅の小さい方
の１／２以下の大きさであることを特徴とする情報記録
部材、（１６）上記１４又は１５記載の情報記録部材に
おいて、上記凹凸の凹部の半値幅の平均値が５ｎｍから
２００ｎｍの範囲であり、凹部と凹部との間隔の平均値
が５ｎｍから６００ｎｍの範囲であることを特徴とする
情報記録部材、（１７）基板及び該基板上に配置され、
記録用エネルギービームの照射を受けて物理的性質が変
化する情報の記録用薄膜の２層以上を少なくとも有する
情報記録部材において、少なくとも２層の上記記録用薄
膜は、それぞれ少なくともその一方の面の表面に凹凸を
有し、さらにその凹凸がある側に接して無機物保護層を
有することにより、上記物理的性質の変化時に副作用と
して生ずる流動または熱伝導を押さえたことを特徴とす
る情報記録部材、（１８）上記１７記載の情報記録部材
において、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅
が、上記記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信号
を示す凹部の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさで
あることを特徴とする情報記録部材、（１９）上記１７
又は１８記載の情報記録部材において、上記凹凸の凹部
の半値幅の平均値が５ｎｍから２００ｎｍの範囲であり
、凹部と凹部との間隔の平均値が５ｎｍから６００ｎｍ
の範囲であることを特徴とする情報記録部材によって達
成される。上記第４の目的は、（２０）基板上に、記録
用エネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化す
る情報の記録用薄膜を形成する工程、該記録用薄膜上に
イオンエッチングの速度が部分的に異なる第２の薄膜を
形成する工程及び該第２の薄膜をイオンエッチングし、
該第２の薄膜に微細な孔又は溝を形成し、さらに該第２
の薄膜の上からイオンエッチングし、上記記録用薄膜の
表面に凹凸を形成し、さらにその凹凸がある側に接して
無機物保護層を形成する工程を有することにより、上記
物理的性質の変化時に副作用として生ずる流動または熱
伝導を押さえたことを特徴とする情報記録部材の製造方
法、（２１）上記２０記載の情報記録部材の製造方法に
おいて、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅が
、上記記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信号を
示す凹部の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさであ
ることを特徴とする情報記録部材の製造方法、（２２）
上記２０又は２１記載の情報記録部材の製造方法におい
て、上記第２の薄膜は、所望の形状の結晶粒を持ち、該
結晶粒の中心間の距離の平均値は１０ｎｍから８００ｎ
ｍの範囲であることを特徴とする情報記録部材の製造方
法、（２３）基板上に、イオンエッチングの速度が部分
的に異なる第２の薄膜を形成する工程、該第２の薄膜を
イオンエッチングし、該第２の薄膜の表面に微細な凹凸
を形成する工程、該第２の薄膜上に、記録用エネルギー
ビームの照射を受けて物理的性質が変化する情報の記録
用薄膜を形成し、少なくとも該記録用薄膜の基板側の表
面に凹凸を形成する工程を有することにより、上記物理
的性質の変化時に副作用として生ずる流動または熱伝導
を押さえたことを特徴とする情報記録部材の製造方法、
（２４）上記２３記載の情報記録部材の製造方法におい
て、上記記録用薄膜に形成された凹凸の凹部又は凸部の
大きい方の半値幅が、上記記録用薄膜に形成されたアド
レス又は同期信号を示す凹部の半値幅の小さい方の１／
２以下の大きさであることを特徴とする情報記録部材の
製造方法、（２５）上記２３又は２４記載の情報記録部
材の製造方法において、上記第２の薄膜は、所望の形状
の結晶粒よりなり、該結晶粒の中心間の距離の平均値は
１０ｎｍから８００ｎｍの範囲であることを特徴とする
情報記録部材の製造方法、（２６）基板上に、記録用エ
ネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化する情
報の記録用薄膜を形成する工程、該記録用薄膜上に微細
な島状の部分よりなる第２の薄膜を形成する工程、およ
び該第２の薄膜の上からイオンエッチングし、該記録用
薄膜の表面に凹凸を形成し、さらにその凹凸がある側に
接して無機物保護層を形成する工程を有することにより
、上記物理的性質の変化時に副作用として生ずる流動ま
たは熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録部材の
製造方法、（２７）上記２６記載の情報記録部材の製造
方法において、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半
値幅が、上記記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期
信号を示す凹部の半値幅の小さい方の１／２以下の大き
さであることを特徴とする情報記録部材の製造方法（ア
ドレス又は同期信号の凹部に比べ本発明の上記凹部を小
さくするのは、本発明の凹部は信号として分解されない
ことが望ましいからである。）（２８）上記２６又は２
７記載の情報記録部材の製造方法において、上記第２の
薄膜は、所望の形状の結晶粒を持ち、該結晶粒の中心間
の距離の平均値は１０ｎｍから８００ｎｍの範囲である
ことを特徴とする情報記録部材の製造方法、 （２９
）基板上に、微細な島状の部分よりなる第２の薄膜を形
成する工程、該第２の薄膜上に、記録用エネルギービー
ムの照射を受けて物理的性質が変化する情報の記録用薄
膜を形成し、少なくとも該記録用薄膜の基板側の表面に
凹凸を形成する工程を有することにより、上記物理的性
質の変化時に副作用として生ずる流動または熱伝導を押
さえたことを特徴とする情報記録部材の製造方法、（３
０）上記２９記載の情報記録部材の製造方法において、
上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅が、上記記
録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信号を示す凹部
の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさであることを
特徴とする情報記録部材の製造方法、（３１）上記２９
又は３０記載の情報記録部材の製造方法において、上記
第２の薄膜は、所望の形状の結晶粒を持ち、該結晶粒の
中心間の距離の平均値は１０ｎｍから８００ｎｍの範囲
であることを特徴とする情報記録部材の製造方法、（３
２）上記２９、３０又は３１記載の情報記録部材の製造
方法において、上記記録用薄膜は、その基板側と逆の表
面に、上記基板側の表面の凹凸に対応した凹凸を有する
ことを特徴とする情報記録部材の製造方法、（３３）上
記２０から３２のいずれかに記載の情報記録部材の製造
方法において、上記第２の薄膜は、融点が１５０℃から
４０００℃の範囲にある材質からなることを特徴とする
情報記録部材の製造方法、（３４）上記２０から３３の
いずれかに記載の情報記録部材の製造方法において、上
記第２の薄膜は、熱伝導率が６Ｗ／ｍ・Ｋから４２０Ｗ
／ｍ・Ｋの範囲にある材質からなることを特徴とする情
報記録部材の製造方法、（３５）上記２０から３４のい
ずれかに記載の情報記録部材の製造方法において、上記
第２の薄膜は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、 Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、
Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ及びＣより成る群より選ばれた
少なくとも一者を主成分とする材質であることを特徴と
する情報記録部材の製造方法（３６）基板上に、記録用
エネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化する
情報の記録用薄膜を形成する工程、及び上記記録用薄膜
をイオンエッチングし、上記記録用薄膜の表面に微細な
孔又は溝などの凹凸を形成し、さらにその凹凸がある側
に接して無機物保護層を形成する工程を有することによ
り、上記物理的性質の変化時に副作用として生ずる流動
または熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録部材
の製造方法、（３７）上記３６記載の情報記録部材の製
造方法において、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の
半値幅が、上記記録用薄膜に形成されたアドレス又は同
期信号を示す凹部の半値幅の小さい方の１／２以下の大
きさであることを特徴とする情報記録部材の製造方法、
によって達成される。
は無機物及び有機物のうち少なくとも一者から成る保護
層を介して形成された記録用エネルギービームの照射を
受けて物理的性質が変化する情報記録用薄膜上に、微小
な島状の金属膜を形成し、これをマスクとしてイオンエ
ツチングして、該情報記録用薄膜に凹部を形成し、さら
にその凹部がある側に接して無機物保護層を有すること
により、上記物理的性質の変化時に副作用として生ずる
流動または熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録
用薄膜の形成方法、（５）基板上に直接又は無機物及び
有機物のうち少なくとも一者から成る保護層を介して形
成された記録用エネルギービームの照射を受けて物理的
性質が変化する情報記録用薄膜上に、フオトレジスト又
は電子線レジストを形成する工程と、パターン照射及び
現像によつて該レジストを所望のパターンとする工程と
、該レジストのパターンをマスクとして該情報記録用薄
膜をエッチングしてその表面に凹部を形成し、さらにそ
の凹部がある側に接して無機物保護層を形成する工程と
を有することにより、上記物理的性質の変化時に副作用
として生ずる流動又は熱伝導を押さえたことを特徴とす
る情報記録用薄膜の形成方法、（６）上記５記載の情報
記録用薄膜の形成方法において、上記パターン照射は、
２つ以上のレーザビーム又は電子線の干渉を利用して行
なうことを特徴とする情報記録用薄膜の形成方法によっ
て達成される。 上記第３の目的は、（７）基板と、
該基板上に配置され、記録用エネルギービームの照射を
受けて物理的性質が変化する情報の記録用薄膜とを少な
くとも有する情報記録部材において、上記記録用薄膜の
少なくとも一方の面は、その表面に凹凸を有し、さらに
その凹部がある側に接して無機物保護層を有することに
より、上記物理的性質の変化時に副作用として生ずる流
動または熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録部
材、（８）上記７記載の情報記録部材において、上記凹
凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅が、上記記録用薄
膜に形成されたアドレス又は同期信号を示す凹部の半値
幅の小さい方の１／２以下の大きさであることを特徴と
する情報記録部材、（９）上記７又は８記載の情報記録
部材において、上記記録用薄膜の基板側と逆側の表面に
上記凹凸を有することを特徴とする情報記録部材、（１
０）上記７又は８記載の情報記録部材において、上記記
録用薄膜の基板側の表面は実質的に平坦であり、その逆
側の表面に上記凹凸を有することを特徴とする情報記録
部材、（１１）上記７から１０のいずれかに記載の情報
記録部材において、上記凹凸の凹部の半値幅の平均値が
５ｎｍから２００ｎｍの範囲であり、凹部と凹部との間
隔の平均値が５ｎｍから６００ｎｍの範囲であることを
特徴とする情報記録部材、（１２）上記７から１１のい
ずれかに記載の情報記録部材において、上記記録用薄膜
の一方の面に接して第２の記録用薄膜を有することを特
徴とする情報記録部材、（１３）上記１２記載の情報記
録部材において、上記凹凸は、上記記録用薄膜の第２の
記録用薄膜と接する面に有することを特徴とする情報記
録部材、（１４）基板及び該基板上に配置され、記録用
エネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化する
情報の記録用薄膜の２層以上を少なくとも有する情報記
録部材において、少なくとも２層の上記記録用薄膜が互
いに接する表面に凹凸を有し、さらにその凹凸がある側
に接して無機物保護層を有することにより、上記物理的
性質の変化時に副作用として生ずる流動または熱伝導を
押さえたことを特徴とする情報記録部材、（１５）上記
１４記載の情報記録部材において、上記凹凸の凹部又は
凸部の大きい方の半値幅が、上記記録用薄膜に形成され
たアドレス又は同期信号を示す凹部の半値幅の小さい方
の１／２以下の大きさであることを特徴とする情報記録
部材、（１６）上記１４又は１５記載の情報記録部材に
おいて、上記凹凸の凹部の半値幅の平均値が５ｎｍから
２００ｎｍの範囲であり、凹部と凹部との間隔の平均値
が５ｎｍから６００ｎｍの範囲であることを特徴とする
情報記録部材、（１７）基板及び該基板上に配置され、
記録用エネルギービームの照射を受けて物理的性質が変
化する情報の記録用薄膜の２層以上を少なくとも有する
情報記録部材において、少なくとも２層の上記記録用薄
膜は、それぞれ少なくともその一方の面の表面に凹凸を
有し、さらにその凹凸がある側に接して無機物保護層を
有することにより、上記物理的性質の変化時に副作用と
して生ずる流動または熱伝導を押さえたことを特徴とす
る情報記録部材、（１８）上記１７記載の情報記録部材
において、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅
が、上記記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信号
を示す凹部の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさで
あることを特徴とする情報記録部材、（１９）上記１７
又は１８記載の情報記録部材において、上記凹凸の凹部
の半値幅の平均値が５ｎｍから２００ｎｍの範囲であり
、凹部と凹部との間隔の平均値が５ｎｍから６００ｎｍ
の範囲であることを特徴とする情報記録部材によって達
成される。上記第４の目的は、（２０）基板上に、記録
用エネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化す
る情報の記録用薄膜を形成する工程、該記録用薄膜上に
イオンエッチングの速度が部分的に異なる第２の薄膜を
形成する工程及び該第２の薄膜をイオンエッチングし、
該第２の薄膜に微細な孔又は溝を形成し、さらに該第２
の薄膜の上からイオンエッチングし、上記記録用薄膜の
表面に凹凸を形成し、さらにその凹凸がある側に接して
無機物保護層を形成する工程を有することにより、上記
物理的性質の変化時に副作用として生ずる流動または熱
伝導を押さえたことを特徴とする情報記録部材の製造方
法、（２１）上記２０記載の情報記録部材の製造方法に
おいて、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅が
、上記記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信号を
示す凹部の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさであ
ることを特徴とする情報記録部材の製造方法、（２２）
上記２０又は２１記載の情報記録部材の製造方法におい
て、上記第２の薄膜は、所望の形状の結晶粒を持ち、該
結晶粒の中心間の距離の平均値は１０ｎｍから８００ｎ
ｍの範囲であることを特徴とする情報記録部材の製造方
法、（２３）基板上に、イオンエッチングの速度が部分
的に異なる第２の薄膜を形成する工程、該第２の薄膜を
イオンエッチングし、該第２の薄膜の表面に微細な凹凸
を形成する工程、該第２の薄膜上に、記録用エネルギー
ビームの照射を受けて物理的性質が変化する情報の記録
用薄膜を形成し、少なくとも該記録用薄膜の基板側の表
面に凹凸を形成する工程を有することにより、上記物理
的性質の変化時に副作用として生ずる流動または熱伝導
を押さえたことを特徴とする情報記録部材の製造方法、
（２４）上記２３記載の情報記録部材の製造方法におい
て、上記記録用薄膜に形成された凹凸の凹部又は凸部の
大きい方の半値幅が、上記記録用薄膜に形成されたアド
レス又は同期信号を示す凹部の半値幅の小さい方の１／
２以下の大きさであることを特徴とする情報記録部材の
製造方法、（２５）上記２３又は２４記載の情報記録部
材の製造方法において、上記第２の薄膜は、所望の形状
の結晶粒よりなり、該結晶粒の中心間の距離の平均値は
１０ｎｍから８００ｎｍの範囲であることを特徴とする
情報記録部材の製造方法、（２６）基板上に、記録用エ
ネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化する情
報の記録用薄膜を形成する工程、該記録用薄膜上に微細
な島状の部分よりなる第２の薄膜を形成する工程、およ
び該第２の薄膜の上からイオンエッチングし、該記録用
薄膜の表面に凹凸を形成し、さらにその凹凸がある側に
接して無機物保護層を形成する工程を有することにより
、上記物理的性質の変化時に副作用として生ずる流動ま
たは熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録部材の
製造方法、（２７）上記２６記載の情報記録部材の製造
方法において、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半
値幅が、上記記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期
信号を示す凹部の半値幅の小さい方の１／２以下の大き
さであることを特徴とする情報記録部材の製造方法（ア
ドレス又は同期信号の凹部に比べ本発明の上記凹部を小
さくするのは、本発明の凹部は信号として分解されない
ことが望ましいからである。）（２８）上記２６又は２
７記載の情報記録部材の製造方法において、上記第２の
薄膜は、所望の形状の結晶粒を持ち、該結晶粒の中心間
の距離の平均値は１０ｎｍから８００ｎｍの範囲である
ことを特徴とする情報記録部材の製造方法、 （２９
）基板上に、微細な島状の部分よりなる第２の薄膜を形
成する工程、該第２の薄膜上に、記録用エネルギービー
ムの照射を受けて物理的性質が変化する情報の記録用薄
膜を形成し、少なくとも該記録用薄膜の基板側の表面に
凹凸を形成する工程を有することにより、上記物理的性
質の変化時に副作用として生ずる流動または熱伝導を押
さえたことを特徴とする情報記録部材の製造方法、（３
０）上記２９記載の情報記録部材の製造方法において、
上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅が、上記記
録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信号を示す凹部
の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさであることを
特徴とする情報記録部材の製造方法、（３１）上記２９
又は３０記載の情報記録部材の製造方法において、上記
第２の薄膜は、所望の形状の結晶粒を持ち、該結晶粒の
中心間の距離の平均値は１０ｎｍから８００ｎｍの範囲
であることを特徴とする情報記録部材の製造方法、（３
２）上記２９、３０又は３１記載の情報記録部材の製造
方法において、上記記録用薄膜は、その基板側と逆の表
面に、上記基板側の表面の凹凸に対応した凹凸を有する
ことを特徴とする情報記録部材の製造方法、（３３）上
記２０から３２のいずれかに記載の情報記録部材の製造
方法において、上記第２の薄膜は、融点が１５０℃から
４０００℃の範囲にある材質からなることを特徴とする
情報記録部材の製造方法、（３４）上記２０から３３の
いずれかに記載の情報記録部材の製造方法において、上
記第２の薄膜は、熱伝導率が６Ｗ／ｍ・Ｋから４２０Ｗ
／ｍ・Ｋの範囲にある材質からなることを特徴とする情
報記録部材の製造方法、（３５）上記２０から３４のい
ずれかに記載の情報記録部材の製造方法において、上記
第２の薄膜は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、 Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、
Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ及びＣより成る群より選ばれた
少なくとも一者を主成分とする材質であることを特徴と
する情報記録部材の製造方法（３６）基板上に、記録用
エネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化する
情報の記録用薄膜を形成する工程、及び上記記録用薄膜
をイオンエッチングし、上記記録用薄膜の表面に微細な
孔又は溝などの凹凸を形成し、さらにその凹凸がある側
に接して無機物保護層を形成する工程を有することによ
り、上記物理的性質の変化時に副作用として生ずる流動
または熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録部材
の製造方法、（３７）上記３６記載の情報記録部材の製
造方法において、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の
半値幅が、上記記録用薄膜に形成されたアドレス又は同
期信号を示す凹部の半値幅の小さい方の１／２以下の大
きさであることを特徴とする情報記録部材の製造方法、
によって達成される。
【００１２】本発明の情報記録部材は、記録用薄膜を基
板上に直接設けてもよいし、有機物、無機物の保護膜等
の１層又は多層の膜を介して設けてもよい。この記録用
薄膜は、記録用エネルギービームの照射を受けて膜の変
形をほとんど伴わずにその物理的性質が変化するもので
ある。
板上に直接設けてもよいし、有機物、無機物の保護膜等
の１層又は多層の膜を介して設けてもよい。この記録用
薄膜は、記録用エネルギービームの照射を受けて膜の変
形をほとんど伴わずにその物理的性質が変化するもので
ある。
【００１３】情報記録用薄膜の表面に凹部又は凹凸を設
ける方法は種々の方法を用いることができる。記録膜を
柱状構造を持った非晶質状態として、柱と柱の間をマス
ク層を用いずにエッチングしたり、ピンホールを持った
非晶質状態として、ピンホールの周辺をエッチングする
方法も用いることができる。例えば、記録用薄膜を多結
晶状態として、その粒界からエッチングする方法を用い
ることができる。エッチングはエッチング液を用いて行
なっても良いが、イオンエッチング（反応性ガスや不活
性ガスによるスパッタエッチング、イオンビームエッチ
ング、イオンミリング）によることが好ましい。
ける方法は種々の方法を用いることができる。記録膜を
柱状構造を持った非晶質状態として、柱と柱の間をマス
ク層を用いずにエッチングしたり、ピンホールを持った
非晶質状態として、ピンホールの周辺をエッチングする
方法も用いることができる。例えば、記録用薄膜を多結
晶状態として、その粒界からエッチングする方法を用い
ることができる。エッチングはエッチング液を用いて行
なっても良いが、イオンエッチング（反応性ガスや不活
性ガスによるスパッタエッチング、イオンビームエッチ
ング、イオンミリング）によることが好ましい。
【００１４】また、好ましい方法として、記録用薄膜の
上に微小な粒状又は柱状の結晶粒を持つ第２の薄膜を形
成し、これをマスクとして記録用薄膜をイオンエッチン
グ（スパッタエッチング）する方法がある。微小な粒状
又は柱状の結晶粒を持つ薄膜を形成する方法としては、
凝集しやすい金属あるいは融点の高い金属をスパッタリ
ングや蒸着で形成する方法が有る。この膜の同じスパッ
タ条件下でのスパッタ速度は記録用薄膜のスパッタ速度
の１／３以下であるのが好ましく、１／５以下であれば
特に好ましい。記録用薄膜がＴｅやＳｅを主成分とする
相変化記録用薄膜の場合、金属等に比べて非常にスパッ
タエッチングされやすいので、凹凸や凹部の形成が容易
である。
上に微小な粒状又は柱状の結晶粒を持つ第２の薄膜を形
成し、これをマスクとして記録用薄膜をイオンエッチン
グ（スパッタエッチング）する方法がある。微小な粒状
又は柱状の結晶粒を持つ薄膜を形成する方法としては、
凝集しやすい金属あるいは融点の高い金属をスパッタリ
ングや蒸着で形成する方法が有る。この膜の同じスパッ
タ条件下でのスパッタ速度は記録用薄膜のスパッタ速度
の１／３以下であるのが好ましく、１／５以下であれば
特に好ましい。記録用薄膜がＴｅやＳｅを主成分とする
相変化記録用薄膜の場合、金属等に比べて非常にスパッ
タエッチングされやすいので、凹凸や凹部の形成が容易
である。
【００１５】記録用薄膜表面に凹凸や凹部を形成するの
に、短波長光（青色光、紫外線、Ｘ線等を含む）用のフ
オトレジスト又は電子線レジストを用いてもよい。記録
膜上に直接又は別の層を介してレジストを塗布し、微細
パターンの露光（電子線照射）を行なった後現像して不
要なレジストを除去する。次にこのレジスト層をマスク
にして、エツチング液によるエツチング又はイオンエツ
チングにより記録膜に凹凸や凹部を形成する。その後フ
オトレジスト層を除去する。上記のフオトレジスト層へ
のパターン照射は、密着マスクを使用して行なってもよ
いが、短波長レーザビーム又は電子線の干渉縞を利用す
ると規則正しいパターンを容易に形成することができる
。ポジ型のレジストを用いれば整列した柱状の記録用薄
膜が得られ、ネガ型のレジストを用いれば繰り返し井桁
状の記録用薄膜が得られる。
に、短波長光（青色光、紫外線、Ｘ線等を含む）用のフ
オトレジスト又は電子線レジストを用いてもよい。記録
膜上に直接又は別の層を介してレジストを塗布し、微細
パターンの露光（電子線照射）を行なった後現像して不
要なレジストを除去する。次にこのレジスト層をマスク
にして、エツチング液によるエツチング又はイオンエツ
チングにより記録膜に凹凸や凹部を形成する。その後フ
オトレジスト層を除去する。上記のフオトレジスト層へ
のパターン照射は、密着マスクを使用して行なってもよ
いが、短波長レーザビーム又は電子線の干渉縞を利用す
ると規則正しいパターンを容易に形成することができる
。ポジ型のレジストを用いれば整列した柱状の記録用薄
膜が得られ、ネガ型のレジストを用いれば繰り返し井桁
状の記録用薄膜が得られる。
【００１６】また、記録用薄膜表面に凹凸や凹部を形成
するのに必ずしも記録用薄膜表面をエッチングする必要
は無く、記録用薄膜の下地層又は基板に凹凸を設け、そ
の上に記録用薄膜を形成しても良い。これによって記録
用薄膜表面にも凹凸が表れる。下地層や基板のエッチン
グには、上記の記録用薄膜のエッチングに用いた方法を
そのまま使用できる。また、この場合は、下地層と記録
用薄膜の間や基板と下地層との間の接着性も改善される
。
するのに必ずしも記録用薄膜表面をエッチングする必要
は無く、記録用薄膜の下地層又は基板に凹凸を設け、そ
の上に記録用薄膜を形成しても良い。これによって記録
用薄膜表面にも凹凸が表れる。下地層や基板のエッチン
グには、上記の記録用薄膜のエッチングに用いた方法を
そのまま使用できる。また、この場合は、下地層と記録
用薄膜の間や基板と下地層との間の接着性も改善される
。
【００１７】上記の記録用薄膜や下地層（下部保護層）
に凹凸や凹部を設けるのに、エッチング以外の方法によ
っても良い。例えば選択的膜成長を行なっても良い。記
録用薄膜を選択的に膜成長させるには、例えば下地層上
に島状（アイランド）の金属膜を着け、その上に真空蒸
着等によって記録用薄膜を形成すれば、島状金属膜の上
の記録用薄膜の形成速度が大きく、表面に凹凸を持った
記録用薄膜が得られる。また、このようにして成長させ
る柱状の記録用薄膜と記録用薄膜の間の凹部に、上部保
護層の材質を同時に、または後で成長させても良い。ま
た、逆に、まず上部保護層の材質を柱状に成長させ、そ
の間に記録用薄膜を成長させても良い。凹部の大きさ（
凹凸のときもその凹部の大きさ、以下このような数量的
な扱いのとき同じ）は、凹部の半値幅の平均値が５ｎｍ
以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以
上１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２０ｎｍ
以上１００ｎｍ以下であることが最も好ましい。凹部と
凹部の間隔の平均値は５ｎｍ以上６００ｎｍ以下である
のが好ましく、１０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下であるのが
より好ましく、２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるのが
最も好ましい。
に凹凸や凹部を設けるのに、エッチング以外の方法によ
っても良い。例えば選択的膜成長を行なっても良い。記
録用薄膜を選択的に膜成長させるには、例えば下地層上
に島状（アイランド）の金属膜を着け、その上に真空蒸
着等によって記録用薄膜を形成すれば、島状金属膜の上
の記録用薄膜の形成速度が大きく、表面に凹凸を持った
記録用薄膜が得られる。また、このようにして成長させ
る柱状の記録用薄膜と記録用薄膜の間の凹部に、上部保
護層の材質を同時に、または後で成長させても良い。ま
た、逆に、まず上部保護層の材質を柱状に成長させ、そ
の間に記録用薄膜を成長させても良い。凹部の大きさ（
凹凸のときもその凹部の大きさ、以下このような数量的
な扱いのとき同じ）は、凹部の半値幅の平均値が５ｎｍ
以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以
上１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２０ｎｍ
以上１００ｎｍ以下であることが最も好ましい。凹部と
凹部の間隔の平均値は５ｎｍ以上６００ｎｍ以下である
のが好ましく、１０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下であるのが
より好ましく、２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるのが
最も好ましい。
【００１８】逆に凹凸の凸部についてみると、凸部と凸
部との間隔の平均値は５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
のが好ましく、凸部の半値幅の平均値は５ｎｍ以上６０
０ｎｍ以下であるのが好ましい。凹部や凸部の半値幅や
間隔は、第１１図に示すように、凹部の半値幅が凸部と
凸部との間隔であり（図のｍ）、凸部の半値幅が凹部と
凹部との間隔であり（図のｎ）、また凹部の周期と凸部
の周期は同じである（図のｌ）。
部との間隔の平均値は５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
のが好ましく、凸部の半値幅の平均値は５ｎｍ以上６０
０ｎｍ以下であるのが好ましい。凹部や凸部の半値幅や
間隔は、第１１図に示すように、凹部の半値幅が凸部と
凸部との間隔であり（図のｍ）、凸部の半値幅が凹部と
凹部との間隔であり（図のｎ）、また凹部の周期と凸部
の周期は同じである（図のｌ）。
【００１９】これらの条件は、凹凸や凹部の効果が有り
、また、半値直径が０．５〜１．５μｍの光スポットで
情報を読み出した時にノイズが大きくならないために必
要である。
、また、半値直径が０．５〜１．５μｍの光スポットで
情報を読み出した時にノイズが大きくならないために必
要である。
【００２０】保護膜は、凹部を完全に埋めることが望ま
しいので、その厚さは、１０ｎｍから３００ｎｍの範囲
が望ましい。１０ｎｍ以下だと保護効果がほとんどなく
、３００ｎｍ以上だとクラックが入りやすいからである
。
しいので、その厚さは、１０ｎｍから３００ｎｍの範囲
が望ましい。１０ｎｍ以下だと保護効果がほとんどなく
、３００ｎｍ以上だとクラックが入りやすいからである
。
【００２１】記録膜用薄膜が相変化型記録用薄膜である
場合、凹部の一部が記録用薄膜の下面あるいはその下の
層、例えば、下部保護層（下地層）まで達している、す
なわち記録用薄膜が少なくとも部分的に切れていると効
果が大きいが、凹部が記録用薄膜の下面に達していなく
ても凹部を形成しない場合に比べると効果が有る。
場合、凹部の一部が記録用薄膜の下面あるいはその下の
層、例えば、下部保護層（下地層）まで達している、す
なわち記録用薄膜が少なくとも部分的に切れていると効
果が大きいが、凹部が記録用薄膜の下面に達していなく
ても凹部を形成しない場合に比べると効果が有る。
【００２２】さらに、記録用薄膜が相変化型記録用薄膜
である場合、記録用薄膜上部の保護層が上記の凹部に少
なくとも部分的に入り込んでいることが記録用薄膜の流
動を制限するために有効である。上部の保護層を形成後
保護層の表面をスパッタエッチングして凹凸の程度を弱
めたり平坦にしてもよい。
である場合、記録用薄膜上部の保護層が上記の凹部に少
なくとも部分的に入り込んでいることが記録用薄膜の流
動を制限するために有効である。上部の保護層を形成後
保護層の表面をスパッタエッチングして凹凸の程度を弱
めたり平坦にしてもよい。
【００２３】また、２層より成る光磁気記録用薄膜等の
場合は、磁性記録用薄膜の第一層を形成した後その表面
に凹凸を形成し、次いで前記記録用薄膜と磁気特性の異
なる磁性記録用薄膜の第二層を積層する。この場合、上
記凹凸は記録用薄膜の下の層まで達してもよいが達しな
い方が好ましい。次に、その表面の凸部分をイオンエッ
チングし、膜の表面を平坦にして同一面内に特性の異な
る島状の記録用薄膜をほぼ均一に混在させる構造にする
ことが磁気特性を制御するのに有効である。第二層のエ
ッチングは行なわなくても記録用薄膜は使用可能である
。多層より成る記録用薄膜では適当な層数を積層した後
、表面に凹凸を形成し、その後残りの層を形成してもよ
いし、凹凸形成を複数の層間で行なってもよい。もちろ
ん、基板、あるいは下部保護層に凹凸を形成するのも、
その上に形成する記録用薄膜にも凹凸が生ずることにな
り、好ましい。記録用薄膜を完全に形成後凹凸を形成す
るのも効果がある。層間の反応や相互拡散による記録用
薄膜でも光磁気記録用薄膜について述べた各種方法が有
効である。
場合は、磁性記録用薄膜の第一層を形成した後その表面
に凹凸を形成し、次いで前記記録用薄膜と磁気特性の異
なる磁性記録用薄膜の第二層を積層する。この場合、上
記凹凸は記録用薄膜の下の層まで達してもよいが達しな
い方が好ましい。次に、その表面の凸部分をイオンエッ
チングし、膜の表面を平坦にして同一面内に特性の異な
る島状の記録用薄膜をほぼ均一に混在させる構造にする
ことが磁気特性を制御するのに有効である。第二層のエ
ッチングは行なわなくても記録用薄膜は使用可能である
。多層より成る記録用薄膜では適当な層数を積層した後
、表面に凹凸を形成し、その後残りの層を形成してもよ
いし、凹凸形成を複数の層間で行なってもよい。もちろ
ん、基板、あるいは下部保護層に凹凸を形成するのも、
その上に形成する記録用薄膜にも凹凸が生ずることにな
り、好ましい。記録用薄膜を完全に形成後凹凸を形成す
るのも効果がある。層間の反応や相互拡散による記録用
薄膜でも光磁気記録用薄膜について述べた各種方法が有
効である。
【００２４】上記のような所望の寸法の凹部又は凹凸を
、上記記録用薄膜の表面に形成するためのマスクとする
前記第２の薄膜は、粒状又は柱状の結晶粒を持つ膜であ
ることが好ましく、その結晶粒の中心間の距離の平均値
は１０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲であることが好ま
しく、２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲であることが
より好ましい。結晶の粒径は、中心間の距離の５０％以
上が好ましく、８０％以上がより好ましい。マスクとす
る第２の薄膜は連続膜でなく、島状の不連続膜でもよい
。この時結晶粒を島と読み換えれば上記の大きさの条件
は同じである。上記マスクとする第２の薄膜の膜厚は５
ｎｍ以上６００ｎｍ以下が好ましく１０ｎｍ以上４５０
ｎｍ以下がより好ましい。島状の不連続膜では平均膜厚
がこれより薄くてもよい。この第２の薄膜の融点は１５
０℃以上４０００℃以下の範囲が好ましく、１２００℃
以上３６００℃以下がより好ましく、１４００℃以上３
４００℃以下が特に好ましい。
、上記記録用薄膜の表面に形成するためのマスクとする
前記第２の薄膜は、粒状又は柱状の結晶粒を持つ膜であ
ることが好ましく、その結晶粒の中心間の距離の平均値
は１０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲であることが好ま
しく、２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲であることが
より好ましい。結晶の粒径は、中心間の距離の５０％以
上が好ましく、８０％以上がより好ましい。マスクとす
る第２の薄膜は連続膜でなく、島状の不連続膜でもよい
。この時結晶粒を島と読み換えれば上記の大きさの条件
は同じである。上記マスクとする第２の薄膜の膜厚は５
ｎｍ以上６００ｎｍ以下が好ましく１０ｎｍ以上４５０
ｎｍ以下がより好ましい。島状の不連続膜では平均膜厚
がこれより薄くてもよい。この第２の薄膜の融点は１５
０℃以上４０００℃以下の範囲が好ましく、１２００℃
以上３６００℃以下がより好ましく、１４００℃以上３
４００℃以下が特に好ましい。
【００２５】ところで、上記記録用薄膜の熱伝導率が極
めて小さい場合、マスクとする第２の薄膜である金属膜
形成時の記録用薄膜の表面の温度が上昇し、均一な粒状
又は柱状の結晶粒を持つ第２の薄膜を形成することが困
難である。その場合は熱伝導率が大きい金属元素を主成
分とする薄膜をマスク下地層として形成し、その上にこ
のマスク下地層より熱伝導率が小さい薄膜を形成すれば
容易に粒状又は柱状の結晶粒を持つ第２の薄膜を形成で
きる。
めて小さい場合、マスクとする第２の薄膜である金属膜
形成時の記録用薄膜の表面の温度が上昇し、均一な粒状
又は柱状の結晶粒を持つ第２の薄膜を形成することが困
難である。その場合は熱伝導率が大きい金属元素を主成
分とする薄膜をマスク下地層として形成し、その上にこ
のマスク下地層より熱伝導率が小さい薄膜を形成すれば
容易に粒状又は柱状の結晶粒を持つ第２の薄膜を形成で
きる。
【００２６】上記マスクとする第２の薄膜の熱伝導率は
６Ｗ／ｍ・Ｋ以上４２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が好ましく、２
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上２５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下がより好ましい
。
６Ｗ／ｍ・Ｋ以上４２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が好ましく、２
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上２５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下がより好ましい
。
【００２７】上記金属元素を主成分とするマスク下地層
の熱伝導率は２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上４３０Ｗ／ｍ・Ｋ以
下が好ましく、膜厚は２ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好まし
い。上記マスクとする第２の薄膜は、金属元素を主成分
とする薄膜であるのが好ましいが、酸化物、窒化物、硫
化物、セレン化物、弗化物、炭化物等の化合物薄膜でも
よい。
の熱伝導率は２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上４３０Ｗ／ｍ・Ｋ以
下が好ましく、膜厚は２ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好まし
い。上記マスクとする第２の薄膜は、金属元素を主成分
とする薄膜であるのが好ましいが、酸化物、窒化物、硫
化物、セレン化物、弗化物、炭化物等の化合物薄膜でも
よい。
【００２８】第２の薄膜には、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ
、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ及びＣより成る群よ
り選ばれた少なくとも一者を用いるのが好ましい。特に
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ
、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＣより成る群より選ばれた少なくと
も一者を用いるのがより好ましい。
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ
、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ及びＣより成る群よ
り選ばれた少なくとも一者を用いるのが好ましい。特に
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ
、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＣより成る群より選ばれた少なくと
も一者を用いるのがより好ましい。
【００２９】保護層材質としては、酸化物、低酸化物、
硫化物、窒化物、セレン化物、炭化物、ホウ化物などの
無機絶縁物（誘電体）材料が好ましく、読み出し用レ−
ザ光を透過させるものが好ましい。融点または軟化点が
、記録膜材料より高ければ、さらに好ましい。それらの
例は、たとえば主成分が、ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｓｉ
Ｏ，ＳｉＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＧｅＯ，Ｇｅ
Ｏ２、ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ
２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｔａ２Ｏ５，Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ
３，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，（ＺｎＳ
）８０（ＳｉＯ２）２０，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｉｎ
２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３，Ｓｂ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓ３，Ｇ
ａ２Ｓｅ３，ＭｇＦ２，ＣｅＦ２，ＣａＦ２，ＧｅＳ，
ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳ，ＳｎＳｅ，ＰｂＳ，Ｐ
ｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓ３，Ｂｉ２Ｓｅ３，ＴａＮ，Ｓｉ３Ｎ
４，ＡｌＮ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂ４Ｃ，ＳｉＣ，ＢＮ，Ｂお
よびＣのうちの少なくとも一者または二者以上の混合物
に近い組成のものである。保護層材質として有機物を用
いた場合は、記録時の熱で融解、軟化、分解などが起こ
りやすいので、記録膜が変形・流動しやすくなる。また
、酸素や水分を透過させるので、記録膜が酸化されやす
く、記録．記録書き換え、読み出し特性を安定に保つこ
とができない。
硫化物、窒化物、セレン化物、炭化物、ホウ化物などの
無機絶縁物（誘電体）材料が好ましく、読み出し用レ−
ザ光を透過させるものが好ましい。融点または軟化点が
、記録膜材料より高ければ、さらに好ましい。それらの
例は、たとえば主成分が、ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｓｉ
Ｏ，ＳｉＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＧｅＯ，Ｇｅ
Ｏ２、ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ
２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｔａ２Ｏ５，Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ
３，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，（ＺｎＳ
）８０（ＳｉＯ２）２０，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｉｎ
２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３，Ｓｂ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓ３，Ｇ
ａ２Ｓｅ３，ＭｇＦ２，ＣｅＦ２，ＣａＦ２，ＧｅＳ，
ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳ，ＳｎＳｅ，ＰｂＳ，Ｐ
ｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓ３，Ｂｉ２Ｓｅ３，ＴａＮ，Ｓｉ３Ｎ
４，ＡｌＮ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂ４Ｃ，ＳｉＣ，ＢＮ，Ｂお
よびＣのうちの少なくとも一者または二者以上の混合物
に近い組成のものである。保護層材質として有機物を用
いた場合は、記録時の熱で融解、軟化、分解などが起こ
りやすいので、記録膜が変形・流動しやすくなる。また
、酸素や水分を透過させるので、記録膜が酸化されやす
く、記録．記録書き換え、読み出し特性を安定に保つこ
とができない。
【００３０】記録用薄膜が相変化型記録用薄膜である場
合、その平均膜厚は５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下が好まし
く、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が特に好ましい。記録用
薄膜が光磁気記録膜である場合、その平均膜厚は１０ｎ
ｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以上２００
ｎｍ以下が特に好ましい。いずれも平均膜厚は、記録用
薄膜の凹凸をならして平坦にしたと考えたときの膜厚で
ある。
合、その平均膜厚は５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下が好まし
く、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が特に好ましい。記録用
薄膜が光磁気記録膜である場合、その平均膜厚は１０ｎ
ｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以上２００
ｎｍ以下が特に好ましい。いずれも平均膜厚は、記録用
薄膜の凹凸をならして平坦にしたと考えたときの膜厚で
ある。
【００３１】
【作用】記録用薄膜表面に凹凸や凹部を形成することに
よって、流動や横方向の熱伝導や磁力線の広がりを防止
できる。その他、結晶粒径を制限することができてノイ
ズや消え残りを低減できる、表面積が増加することによ
って記録用薄膜と他の層との間の接着性が改善される。
よって、流動や横方向の熱伝導や磁力線の広がりを防止
できる。その他、結晶粒径を制限することができてノイ
ズや消え残りを低減できる、表面積が増加することによ
って記録用薄膜と他の層との間の接着性が改善される。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００３３】実施例１
第３図に示すように、射出成形時にトラッキング用の溝
とアドレスを示すピット（いずれも図示せず）を表面に
形成したディスク状ポリカーボネート基板５上に、マグ
ネトロンスパッタリングによって、まず高熱伝導率の第
２下部保護層６である厚さ約１００ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜
を、次に低熱伝導率の第１下部保護層４である厚さ約１
２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を形成し
、その上に厚さ約６０ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる
相変化型の記録用薄膜２を形成し、さらにマスク用の第
２の薄膜１として、平均厚さ約２０ｎｍのＴｉ膜を形成
した。このＴｉ膜は第１図に示したような粒状の多結晶
膜であった。
とアドレスを示すピット（いずれも図示せず）を表面に
形成したディスク状ポリカーボネート基板５上に、マグ
ネトロンスパッタリングによって、まず高熱伝導率の第
２下部保護層６である厚さ約１００ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜
を、次に低熱伝導率の第１下部保護層４である厚さ約１
２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を形成し
、その上に厚さ約６０ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる
相変化型の記録用薄膜２を形成し、さらにマスク用の第
２の薄膜１として、平均厚さ約２０ｎｍのＴｉ膜を形成
した。このＴｉ膜は第１図に示したような粒状の多結晶
膜であった。
【００３４】次にこのディスクをアルゴンガスを用い、
ガス圧１０ｍＴｏｒｒでスパッタエッチングした。この
時第２の薄膜１の結晶と結晶の間の部分が特にエッチン
グされ第２の薄膜１が島状（アイランド）となった。さ
らにエッチングを継続することによりＴｉの島と島の間
の部分の記録用薄膜がエッチングされた。この時島状の
第２の薄膜１も徐々にエッチングされて薄く小さくなる
が、完全になくなってからも少しエッチングした。これ
によって記録用薄膜２には第２図にその断面の一部を示
したような凹凸が形成され、その凹部の一部は第１下部
保護層４まで達した。この時、記録用薄膜２の平均膜厚
は２５ｎｍとなった。Ｔｉの島が少し残った状態でエッ
チングを終えてもよいが、その場合は多数回書き換えに
よってＴｉが記録用薄膜中に拡散することによるわずか
な特性変化が見られた。なお、エッチングにはアルゴン
−酸素ガスを用いてもよく、アルゴン−酸素ガス中にＣ
Ｃｌ２Ｆ２等を添加しても良い。
ガス圧１０ｍＴｏｒｒでスパッタエッチングした。この
時第２の薄膜１の結晶と結晶の間の部分が特にエッチン
グされ第２の薄膜１が島状（アイランド）となった。さ
らにエッチングを継続することによりＴｉの島と島の間
の部分の記録用薄膜がエッチングされた。この時島状の
第２の薄膜１も徐々にエッチングされて薄く小さくなる
が、完全になくなってからも少しエッチングした。これ
によって記録用薄膜２には第２図にその断面の一部を示
したような凹凸が形成され、その凹部の一部は第１下部
保護層４まで達した。この時、記録用薄膜２の平均膜厚
は２５ｎｍとなった。Ｔｉの島が少し残った状態でエッ
チングを終えてもよいが、その場合は多数回書き換えに
よってＴｉが記録用薄膜中に拡散することによるわずか
な特性変化が見られた。なお、エッチングにはアルゴン
−酸素ガスを用いてもよく、アルゴン−酸素ガス中にＣ
Ｃｌ２Ｆ２等を添加しても良い。
【００３５】エッチング後、第４図に示すように、さら
にマグネトロンスパッタリングによって上部保護層７で
ある厚さ約２１０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２
０膜を形成し、次いで金属反射層８として、厚さ約１０
０ｎｍのＡｌ９６Ｃｕ４膜を形成した。次に紫外線硬化
樹脂９を塗布し、紫外線を照射して硬化させた。最後に
同様にして作製したもう一枚のディスクと、上記紫外線
硬化樹脂側を内側にして貼り合わせた。Ａｌ９６Ｃｕ４
膜のＣｕ含有量は１〜４５原子％の範囲で良好な特性が
得られ、記録膜にう凹部を形成しない場合にも有効であ
る。 ディスク断面の走査型電子顕微鏡観察の結果、
（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜が記録用薄膜のスパ
ッタエッチングによって掘られた部分に入り込み、融解
した記録用薄膜が流動するのを阻止する効果を期待でき
ることが分かった。
にマグネトロンスパッタリングによって上部保護層７で
ある厚さ約２１０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２
０膜を形成し、次いで金属反射層８として、厚さ約１０
０ｎｍのＡｌ９６Ｃｕ４膜を形成した。次に紫外線硬化
樹脂９を塗布し、紫外線を照射して硬化させた。最後に
同様にして作製したもう一枚のディスクと、上記紫外線
硬化樹脂側を内側にして貼り合わせた。Ａｌ９６Ｃｕ４
膜のＣｕ含有量は１〜４５原子％の範囲で良好な特性が
得られ、記録膜にう凹部を形成しない場合にも有効であ
る。 ディスク断面の走査型電子顕微鏡観察の結果、
（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜が記録用薄膜のスパ
ッタエッチングによって掘られた部分に入り込み、融解
した記録用薄膜が流動するのを阻止する効果を期待でき
ることが分かった。
【００３６】上記のようにして形成したディスクへの情
報の記録・再生は次のようにして行なった。ディスクを
１８００ｒｐｍで回転させ、半導体レーザ（波長８３０
ｎｍ）の光を記録が行なわれないレベル（１ｍＷ）に保
って、記録ヘッド中のレンズで集光して基板を通して一
方の記録用薄膜に照射した。反射光を検出することによ
って、記録用薄膜上に焦点が来るように自動焦点合わせ
を行ない、さらにトラッキング用の溝と溝の間に光スポ
ットの中心が常に一致するようにトラッキングを行なっ
た。 次に、レーザパワーを結晶化が起こる６ｍＷと
、非晶質に近い状態への変化が起こる１５ｍＷとの間で
記録すべき情報信号にしたがって変化させることにより
記録を行なった。記録信号として、ここでは一定周波数
の信号またはディジタルデータ信号を用いた。記録され
た部分の、非晶質に近い状態のところを記録点と考える
。 このような記録方法は、すでに記録されている部分に対
して行なっても記録されていた情報が新たに記録した情
報に書き換えられる。もちろん、一定パワーの照射で消
去した後、パワー変調した照射で記録してもよい。読み
出しは次のようにして行なった。ディスクを１８００ｒ
ｐｍで回転させ、記録時と同じようにトラッキングと自
動焦点合わせを行ないながら、１ｍＷのレーザ光で反射
光の強弱を検出し、再生信号を得た。この再生信号をス
ペクトラムアナライザに入れ、記録した一定周波数の情
報信号（搬送波）とノイズとの比を求めた。
報の記録・再生は次のようにして行なった。ディスクを
１８００ｒｐｍで回転させ、半導体レーザ（波長８３０
ｎｍ）の光を記録が行なわれないレベル（１ｍＷ）に保
って、記録ヘッド中のレンズで集光して基板を通して一
方の記録用薄膜に照射した。反射光を検出することによ
って、記録用薄膜上に焦点が来るように自動焦点合わせ
を行ない、さらにトラッキング用の溝と溝の間に光スポ
ットの中心が常に一致するようにトラッキングを行なっ
た。 次に、レーザパワーを結晶化が起こる６ｍＷと
、非晶質に近い状態への変化が起こる１５ｍＷとの間で
記録すべき情報信号にしたがって変化させることにより
記録を行なった。記録信号として、ここでは一定周波数
の信号またはディジタルデータ信号を用いた。記録され
た部分の、非晶質に近い状態のところを記録点と考える
。 このような記録方法は、すでに記録されている部分に対
して行なっても記録されていた情報が新たに記録した情
報に書き換えられる。もちろん、一定パワーの照射で消
去した後、パワー変調した照射で記録してもよい。読み
出しは次のようにして行なった。ディスクを１８００ｒ
ｐｍで回転させ、記録時と同じようにトラッキングと自
動焦点合わせを行ないながら、１ｍＷのレーザ光で反射
光の強弱を検出し、再生信号を得た。この再生信号をス
ペクトラムアナライザに入れ、記録した一定周波数の情
報信号（搬送波）とノイズとの比を求めた。
【００３７】記録用薄膜の膜厚を２５ｎｍとし、第２の
薄膜であるＴｉ膜を形成せずに作製した、表面に凹凸の
ない記録用薄膜を持った従来ディスクと、本実施例のデ
ィスクとの、多数回オーバーライト時の再生信号ノイズ
の増加は下記の通りであった。
薄膜であるＴｉ膜を形成せずに作製した、表面に凹凸の
ない記録用薄膜を持った従来ディスクと、本実施例のデ
ィスクとの、多数回オーバーライト時の再生信号ノイズ
の増加は下記の通りであった。
【００３８】
凹凸の形成によって多数回書き換え特性が大幅に向上し
たことが分かる。
たことが分かる。
【００３９】Ｔｉ膜の形成条件と形成後の熱処理条件を
変えて、Ｔｉ膜の結晶粒径の大きさを変えてスパッタエ
ッチングを行ない、記録用薄膜の凹凸の形状を変えた実
験の結果、その凹部の半値幅（最大深さの半分のところ
における幅、平均値、以下同じ）が５ｎｍ以上２００ｎ
ｍ以下であり、凹部と凹部の間隔（隣接する２つの凹部
の中心の距離、平均値、以下同じ）が５ｎｍ以上６００
ｎｍ以下の範囲では従来ディスクの初回記録のノイズレ
ベルと比べた時の本実施例のディスクの１０６回書き換
え後のノイズ増加分は６ｄＢ以下であった。また、凹部
の半値幅の平均値が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、凹部
と凹部の間隔の平均値が１０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の
範囲では、１０６回書き換え後のノイズの増加分は３ｄ
Ｂ以下であった。さらに、凹部の半値幅の平均値が２０
ｎｍ以上１００ｎｍ以下、凹部と凹部の間隔の平均値が
２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲では、１０６回書き
換え後のノイズの増加分は２ｄＢ以下であった。オーバ
ーライトした時の消去比（前に書かれていた信号の信号
レベルの減少率）も従来ディスクの３０ｄＢから本実施
例では３３ｄＢ以上に改善された。
変えて、Ｔｉ膜の結晶粒径の大きさを変えてスパッタエ
ッチングを行ない、記録用薄膜の凹凸の形状を変えた実
験の結果、その凹部の半値幅（最大深さの半分のところ
における幅、平均値、以下同じ）が５ｎｍ以上２００ｎ
ｍ以下であり、凹部と凹部の間隔（隣接する２つの凹部
の中心の距離、平均値、以下同じ）が５ｎｍ以上６００
ｎｍ以下の範囲では従来ディスクの初回記録のノイズレ
ベルと比べた時の本実施例のディスクの１０６回書き換
え後のノイズ増加分は６ｄＢ以下であった。また、凹部
の半値幅の平均値が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、凹部
と凹部の間隔の平均値が１０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の
範囲では、１０６回書き換え後のノイズの増加分は３ｄ
Ｂ以下であった。さらに、凹部の半値幅の平均値が２０
ｎｍ以上１００ｎｍ以下、凹部と凹部の間隔の平均値が
２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲では、１０６回書き
換え後のノイズの増加分は２ｄＢ以下であった。オーバ
ーライトした時の消去比（前に書かれていた信号の信号
レベルの減少率）も従来ディスクの３０ｄＢから本実施
例では３３ｄＢ以上に改善された。
【００４０】別の製膜方法として、第１下部保護層の表
面に島状のＴｉ膜を形成し、その上に、真空蒸着によっ
て記録用薄膜を形成すると、蒸着の初期に記録用薄膜は
選択的に成長し、表面に凹凸を持った記録用薄膜を得る
ことができた。上部保護層や反射層の形成は上記の方法
と同様とした時、ほぼ同様の記録・読み出し特性が得ら
れた。
面に島状のＴｉ膜を形成し、その上に、真空蒸着によっ
て記録用薄膜を形成すると、蒸着の初期に記録用薄膜は
選択的に成長し、表面に凹凸を持った記録用薄膜を得る
ことができた。上部保護層や反射層の形成は上記の方法
と同様とした時、ほぼ同様の記録・読み出し特性が得ら
れた。
【００４１】記録用薄膜として膜厚１．５ｎｍ程度のＰ
ｔ膜とＣｏ膜を交互に多層積層した超構造光磁気記録用
薄膜を用いて同様に凹凸を形成した場合は、膜面に垂直
に磁化するのが容易になるという効果が有った。
ｔ膜とＣｏ膜を交互に多層積層した超構造光磁気記録用
薄膜を用いて同様に凹凸を形成した場合は、膜面に垂直
に磁化するのが容易になるという効果が有った。
【００４２】Ｂｉ２Ｔｅ３とＳｂ２Ｓｅ３との積層膜等
、層間の反応や合金化や相互拡散を利用した記録用薄膜
の表面にに凹凸を形成した場合にも記録信号に忠実な再
生信号が得られる等の効果が有る。
、層間の反応や合金化や相互拡散を利用した記録用薄膜
の表面にに凹凸を形成した場合にも記録信号に忠実な再
生信号が得られる等の効果が有る。
【００４３】上記のマスクとして用いる薄膜１のＴｉの
一部または全部をＡｌ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ
、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔ
ｌ、Ｐｂ、Ｂｉ及びＣより成る群より選ばれた少なくと
も一者を主成分とするもので置き換えても同様の特性が
得られた。これらのうちＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＣが特に好ましい
。これらの材料の融点及び熱伝導率は例として下記の通
りである。
一部または全部をＡｌ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ
、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔ
ｌ、Ｐｂ、Ｂｉ及びＣより成る群より選ばれた少なくと
も一者を主成分とするもので置き換えても同様の特性が
得られた。これらのうちＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＣが特に好ましい
。これらの材料の融点及び熱伝導率は例として下記の通
りである。
【００４４】
また、上記の下部保護層のうち記録用薄膜側の第１
下部保護層の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の一部又
は全部をＺｎＳ、ＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＺｎＳｅ、Ｃｄ
Ｓｅ、Ｉｎ２Ｓｅ３、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２及び
ＺｒＯ２より成るＡ群より選ばれた少なくとも一者に近
い組成のもので置き換え、基板側の第２下部保護層のＡ
ｌ２Ｏ３の一部または全部をＴａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、Ｓ
ｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ａｌ、ＳｉＮ２、Ａｌ２ＳｉＮ３、
ＡｌＳｉ２Ｎ３、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ及びＳｉＣより成
るＢ群より選ばれた少なくとも一者に近い組成の材料を
主成分とするもので置き換えても同様の結果が得られる
。これらのうちではＡｌ２Ｏ３及びＡｌ−Ｓｉ−Ｎ系材
料が特に好ましい。これらの材料の熱伝導率は例として
下記の通りである。 ＳｉＯ２ ： １ Ｗ／ｍ・Ｋ ＺｎＳ ： ２ Ｗ／ｍ・Ｋ ＴｉＯ２ ： ５ Ｗ／ｍ・Ｋ ＺｒＯ２ ： ３ Ｗ／ｍ・Ｋ Ｓｉ３Ｎ４：１８ Ｗ／ｍ・Ｋ Ａｌ２Ｏ３：４６ Ｗ／ｍ・Ｋ Ｙ２Ｏ３ ：１５ Ｗ／ｍ・Ｋ ＡｌＮ ：３０ Ｗ／ｍ・Ｋ ＳｉＣ ： ８ Ｗ／ｍ・Ｋ 例えば、上記の第１下部保護層を（ＺｎＳ）８０（Ｓｉ
Ｏ２）２０、第２下部保護層をＡｌＳｉＮ２、第１下部
保護層をＺｒＯ２、第２下部保護層をＡｌＳｉＮ２、第
１下部保護層をＳｉＯ２、第２下部保護層をＡｌ２Ｏ３
又は第１下部保護層をＹ２Ｏ３を少量含むＺｒＯ２、第
２下部保護層をＡｌ２Ｏ３としても同様の結果が得られ
た。
下部保護層の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の一部又
は全部をＺｎＳ、ＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＺｎＳｅ、Ｃｄ
Ｓｅ、Ｉｎ２Ｓｅ３、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２及び
ＺｒＯ２より成るＡ群より選ばれた少なくとも一者に近
い組成のもので置き換え、基板側の第２下部保護層のＡ
ｌ２Ｏ３の一部または全部をＴａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、Ｓ
ｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ａｌ、ＳｉＮ２、Ａｌ２ＳｉＮ３、
ＡｌＳｉ２Ｎ３、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ及びＳｉＣより成
るＢ群より選ばれた少なくとも一者に近い組成の材料を
主成分とするもので置き換えても同様の結果が得られる
。これらのうちではＡｌ２Ｏ３及びＡｌ−Ｓｉ−Ｎ系材
料が特に好ましい。これらの材料の熱伝導率は例として
下記の通りである。 ＳｉＯ２ ： １ Ｗ／ｍ・Ｋ ＺｎＳ ： ２ Ｗ／ｍ・Ｋ ＴｉＯ２ ： ５ Ｗ／ｍ・Ｋ ＺｒＯ２ ： ３ Ｗ／ｍ・Ｋ Ｓｉ３Ｎ４：１８ Ｗ／ｍ・Ｋ Ａｌ２Ｏ３：４６ Ｗ／ｍ・Ｋ Ｙ２Ｏ３ ：１５ Ｗ／ｍ・Ｋ ＡｌＮ ：３０ Ｗ／ｍ・Ｋ ＳｉＣ ： ８ Ｗ／ｍ・Ｋ 例えば、上記の第１下部保護層を（ＺｎＳ）８０（Ｓｉ
Ｏ２）２０、第２下部保護層をＡｌＳｉＮ２、第１下部
保護層をＺｒＯ２、第２下部保護層をＡｌＳｉＮ２、第
１下部保護層をＳｉＯ２、第２下部保護層をＡｌ２Ｏ３
又は第１下部保護層をＹ２Ｏ３を少量含むＺｒＯ２、第
２下部保護層をＡｌ２Ｏ３としても同様の結果が得られ
た。
【００４５】本実施例の第１下部保護層の酸化物、ある
いは硫化物を主成分とする薄膜の熱伝導率は１Ｗ／ｍ・
Ｋ以上６Ｗ／ｍ・Ｋ以下、上記の第２下部保護層の酸化
物、あるいは窒化物を主成分とする薄膜の熱伝導率は８
Ｗ／ｍ・Ｋ以上６０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が好ましく１０Ｗ／
ｍ・Ｋ以上５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が特に好ましい。上記の
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録用薄膜を用いてかつ、熱伝
導率の異なる保護層材質を用いた場合、記録レーザパワ
ーと１０５回オーバーライトした時のノイズ増加は次の
ように変化した。
いは硫化物を主成分とする薄膜の熱伝導率は１Ｗ／ｍ・
Ｋ以上６Ｗ／ｍ・Ｋ以下、上記の第２下部保護層の酸化
物、あるいは窒化物を主成分とする薄膜の熱伝導率は８
Ｗ／ｍ・Ｋ以上６０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が好ましく１０Ｗ／
ｍ・Ｋ以上５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が特に好ましい。上記の
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録用薄膜を用いてかつ、熱伝
導率の異なる保護層材質を用いた場合、記録レーザパワ
ーと１０５回オーバーライトした時のノイズ増加は次の
ように変化した。
【００４６】
また、記録用薄膜の非晶質に近い状態の部分の屈折
率と平均膜厚の積（記録膜のある部分の屈折率５．１）
が１００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下、中間層の屈折率と
膜厚の積が５０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下の範囲で再生
信号ＣＮ比４６ｄＢ以上が得られた。中間層の膜厚が１
５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲でＣＮ比が４８ｄＢ
以上であった。記録用薄膜の結晶状態の部分の屈折率と
平均膜厚の積が上記の範囲内に有るようにしても差し支
えない。中間層を形成しない場合は、記録感度が約５０
％低下するが、他の特性に大きな変化は無く、使用可能
であった。
率と平均膜厚の積（記録膜のある部分の屈折率５．１）
が１００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下、中間層の屈折率と
膜厚の積が５０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下の範囲で再生
信号ＣＮ比４６ｄＢ以上が得られた。中間層の膜厚が１
５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲でＣＮ比が４８ｄＢ
以上であった。記録用薄膜の結晶状態の部分の屈折率と
平均膜厚の積が上記の範囲内に有るようにしても差し支
えない。中間層を形成しない場合は、記録感度が約５０
％低下するが、他の特性に大きな変化は無く、使用可能
であった。
【００４７】第５図に示したように、ガラス基板５上に
形成した紫外線硬化樹脂層１１の表面に案内溝を形成し
、その上に４図のディスクと同様な記録層を順序を逆に
（金属反射層８のＡｌＣｕ膜から）構成し、もう一枚の
ディスクと貼り合せずに使用しても、ほぼ同様な効果が
得られた。この場合、最上部にさらに有機物保護膜１２
を形成するのが好ましい。ただし、これらの場合はレ−
ザ光は基板とは反対の側から入射させた。
形成した紫外線硬化樹脂層１１の表面に案内溝を形成し
、その上に４図のディスクと同様な記録層を順序を逆に
（金属反射層８のＡｌＣｕ膜から）構成し、もう一枚の
ディスクと貼り合せずに使用しても、ほぼ同様な効果が
得られた。この場合、最上部にさらに有機物保護膜１２
を形成するのが好ましい。ただし、これらの場合はレ−
ザ光は基板とは反対の側から入射させた。
【００４８】上記の第１、第２下部保護層の形成の際、
第６図に示したインラインスパッタ装置を用い、例えば
Ａｌ２Ｏ３のタ−ゲット１３と（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ
２）２０のタ−ゲット１４を並べ、スパッタ室１５内で
基板５を矢印Ｃの方向に移動させながらスパッタすると
、１つのスパッタ室で、Ａｌ２Ｏ３層と（ＺｎＳ）８０
（ＳｉＯ２）２０層の積層膜が容易に得られる。これら
の層間では組成が連続的に変化している。
第６図に示したインラインスパッタ装置を用い、例えば
Ａｌ２Ｏ３のタ−ゲット１３と（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ
２）２０のタ−ゲット１４を並べ、スパッタ室１５内で
基板５を矢印Ｃの方向に移動させながらスパッタすると
、１つのスパッタ室で、Ａｌ２Ｏ３層と（ＺｎＳ）８０
（ＳｉＯ２）２０層の積層膜が容易に得られる。これら
の層間では組成が連続的に変化している。
【００４９】実施例２
実施例１と同様にしてディスクを形成したが、記録用薄
膜としてはＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録膜を用いた。
膜としてはＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録膜を用いた。
【００５０】第７図に示すように、実施例１と同様に第
１下部保護層４まで形成し、その上に第１の記録用薄膜
１６としてＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録膜を形成した。 ついでその表面にマスクとする第２の薄膜（図示せず）
としてＴｉ膜を形成し、実施例１と同様にして第１の記
録用薄膜１６の表面にその膜厚の約１／３の深さの凹部
を持つ凹凸を形成した後、第二記録層１７としてＴｂ−
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録用薄膜を積層し、その後上
記のスパッタエッチング条件とは異なるスパッタエッチ
ングによりＴｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録用薄膜表
面の凸部を削って膜表面を平坦にした。さらに実施例１
と同様にして上部保護層７、金属反射層８を積層した。 これにより界面に凹凸を持つ２層の記録用薄膜が得られ
た。
１下部保護層４まで形成し、その上に第１の記録用薄膜
１６としてＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録膜を形成した。 ついでその表面にマスクとする第２の薄膜（図示せず）
としてＴｉ膜を形成し、実施例１と同様にして第１の記
録用薄膜１６の表面にその膜厚の約１／３の深さの凹部
を持つ凹凸を形成した後、第二記録層１７としてＴｂ−
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録用薄膜を積層し、その後上
記のスパッタエッチング条件とは異なるスパッタエッチ
ングによりＴｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録用薄膜表
面の凸部を削って膜表面を平坦にした。さらに実施例１
と同様にして上部保護層７、金属反射層８を積層した。 これにより界面に凹凸を持つ２層の記録用薄膜が得られ
た。
【００５１】本実施例では、光磁気ヘッドと磁場用コイ
ルを用い、記録点の両端にディジタル情報の１を対応さ
せるピットエッジ方式の記録を行なった。読み出しはカ
ー効果による偏光面の回転を利用して行なった。再生信
号のエッジの原信号からのズレ量を、記録用薄膜表面に
凹凸を形成していないディスクと比較すると、少なくと
も５ｎｓ改善されていることが分かった。また、記録感
度も約１０％向上した。
ルを用い、記録点の両端にディジタル情報の１を対応さ
せるピットエッジ方式の記録を行なった。読み出しはカ
ー効果による偏光面の回転を利用して行なった。再生信
号のエッジの原信号からのズレ量を、記録用薄膜表面に
凹凸を形成していないディスクと比較すると、少なくと
も５ｎｓ改善されていることが分かった。また、記録感
度も約１０％向上した。
【００５２】また、２層間の交換結合力を強める等の効
果が得られた。このため、表面に凹凸を形成していない
場合にはオーバーライトが困難であったが、本実施例の
記録用薄膜界面に凹凸を形成したディスクではオーバー
ライトが可能であった。
果が得られた。このため、表面に凹凸を形成していない
場合にはオーバーライトが困難であったが、本実施例の
記録用薄膜界面に凹凸を形成したディスクではオーバー
ライトが可能であった。
【００５３】また、第８図及び第９図に説明に必要な部
分のみ示したディスクのように、上記の２度目のスパッ
タエッチングの程度を軽くしたり、あるいは２度目のス
パッタエッチングを行わないで製造したディスクでも良
好な記録、再生が行えた。また、第１０図に示したディ
スクように、第２の記録用薄膜まで形成してからスパッ
タエッチングして製造したディスクでもオーバーライト
が可能であり、横方向の熱伝導が防止できるので記録感
度の向上、隣接トラック消去の防止、記録点の形状改善
等の効果があった。
分のみ示したディスクのように、上記の２度目のスパッ
タエッチングの程度を軽くしたり、あるいは２度目のス
パッタエッチングを行わないで製造したディスクでも良
好な記録、再生が行えた。また、第１０図に示したディ
スクように、第２の記録用薄膜まで形成してからスパッ
タエッチングして製造したディスクでもオーバーライト
が可能であり、横方向の熱伝導が防止できるので記録感
度の向上、隣接トラック消去の防止、記録点の形状改善
等の効果があった。
【００５４】本実施例を磁気ヘッドで記録・読み出しを
行なう磁気ディスク用記録用薄膜について実施した場合
も、磁気異方性向上等の効果があった。
行なう磁気ディスク用記録用薄膜について実施した場合
も、磁気異方性向上等の効果があった。
【００５５】実施例３
実施例１とほぼ同様にして、第３図、射出成形時にトラ
ツキング用の溝とアドレスを示すピツト（いずれも図示
せず）を表面に形成したデイスク状ポリカーボネート基
板上５に、マグネトロンスパツタリングによつて、まず
高熱伝導率の第２の下部保護層６として厚さ約１００ｎ
ｍのＡｌ２Ｏ３層を、次に低熱伝導率の第１の下部保護
層４として厚さ約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ
２）２０層を形成し、その上に厚さ約６０ｎｍのＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄膜２を形成し、
さらに平均厚さ約５ｎｍのＴｉ膜をマスク用の第２の薄
膜１として形成した。このＴｉ膜は、上記の厚さである
と、１２図島状（アイランド状）になっている。
ツキング用の溝とアドレスを示すピツト（いずれも図示
せず）を表面に形成したデイスク状ポリカーボネート基
板上５に、マグネトロンスパツタリングによつて、まず
高熱伝導率の第２の下部保護層６として厚さ約１００ｎ
ｍのＡｌ２Ｏ３層を、次に低熱伝導率の第１の下部保護
層４として厚さ約１２０ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ
２）２０層を形成し、その上に厚さ約６０ｎｍのＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄膜２を形成し、
さらに平均厚さ約５ｎｍのＴｉ膜をマスク用の第２の薄
膜１として形成した。このＴｉ膜は、上記の厚さである
と、１２図島状（アイランド状）になっている。
【００５６】次にこのデイスクを酸素を２０モル％を含
むアルゴンガスを用い、ガス圧２０ｍＴｏｒｒで逆スパ
ツタ（イオンエツチング）することによりＴｉの島と島
の間の部分の記録用薄膜２をエツチングした。この時Ｔ
ｉの島も徐徐にエツチングされて小さくなるが、完全に
なくなつてからも少しエツチングを継続した。これによ
つて記録用薄膜２には１３図その断面の一部を示したよ
うな凹部が形成され、その一部は第１の下部保護層４ま
で達した。この時、記録用薄膜の平均膜厚は約２５ｎｍ
となつた。Ｔｉの島が少し残つた状態でエツチングを終
えてもよいが、その場合は多数回書き換えによつてＴｉ
が記録用薄膜中に拡散することによる僅かな特性変化が
見られた。なお、アルゴン−酸素ガスの代わりに純アル
ゴンガスを用いてもよく、アルゴン−酸素にＣＣｌ２Ｆ
２等を添加してもよい。
むアルゴンガスを用い、ガス圧２０ｍＴｏｒｒで逆スパ
ツタ（イオンエツチング）することによりＴｉの島と島
の間の部分の記録用薄膜２をエツチングした。この時Ｔ
ｉの島も徐徐にエツチングされて小さくなるが、完全に
なくなつてからも少しエツチングを継続した。これによ
つて記録用薄膜２には１３図その断面の一部を示したよ
うな凹部が形成され、その一部は第１の下部保護層４ま
で達した。この時、記録用薄膜の平均膜厚は約２５ｎｍ
となつた。Ｔｉの島が少し残つた状態でエツチングを終
えてもよいが、その場合は多数回書き換えによつてＴｉ
が記録用薄膜中に拡散することによる僅かな特性変化が
見られた。なお、アルゴン−酸素ガスの代わりに純アル
ゴンガスを用いてもよく、アルゴン−酸素にＣＣｌ２Ｆ
２等を添加してもよい。
【００５７】エツチング後さらにマグネトロンスパツタ
リングによつて上部保護層である厚さ約２１０ｎｍの（
ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０層を形成し、次いで厚さ
約１００ｎｍのＮｉ−Ｃｒよりなる金属反射層を形成し
た。次に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬
化させた。最後に同様にして作製したもう一枚のデイス
クと、上記の紫外線硬化樹脂層側を内側にして貼り合わ
せた。
リングによつて上部保護層である厚さ約２１０ｎｍの（
ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０層を形成し、次いで厚さ
約１００ｎｍのＮｉ−Ｃｒよりなる金属反射層を形成し
た。次に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬
化させた。最後に同様にして作製したもう一枚のデイス
クと、上記の紫外線硬化樹脂層側を内側にして貼り合わ
せた。
【００５８】デイスク断面の走査電子顕微鏡観察の結果
、上記上部保護層としての（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）
２０層が、イオンエツチングによつて堀られた記録用薄
膜間に入り込み、融解した記録用薄膜の流動を阻止する
効果を発揮することが分かつた。
、上記上部保護層としての（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）
２０層が、イオンエツチングによつて堀られた記録用薄
膜間に入り込み、融解した記録用薄膜の流動を阻止する
効果を発揮することが分かつた。
【００５９】上記のようにして形成したデイスクへの情
報の記録・再生は実施例１と同じ方法で行なつた。
報の記録・再生は実施例１と同じ方法で行なつた。
【００６０】記録用薄膜の膜厚を２５ｎｍとし、第２の
薄膜であるＴｉ膜を形成せず作製した、表面の凹凸の少
ない記録用薄膜を持つた従来デイスクと、本実施例のデ
イスクとの、多数回オーバーライト時の再生信号ノイズ
の増加は下記のとおりであつた。
薄膜であるＴｉ膜を形成せず作製した、表面の凹凸の少
ない記録用薄膜を持つた従来デイスクと、本実施例のデ
イスクとの、多数回オーバーライト時の再生信号ノイズ
の増加は下記のとおりであつた。
【００６１】
凹部の形成によつて１０５ 回以上での多数回書き
換え特性が大幅に向上したことが分かる。
換え特性が大幅に向上したことが分かる。
【００６２】第２の薄膜であるＴｉ膜の形成条件と形成
後の熱処理条件を変えて記録用薄膜の凹部の形状を変え
た実験の結果、凹部の半値幅（最大深さの半分のところ
における幅）が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、凹部
と凹部の間隔（隣接する２つの凹部の中心間の距離）が
５ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲では従来デイスクの初
回記録のノイズレベルと比べた時の本実施例のデイスク
の１０６ 回書き換え後のノイズ増加分は６ｄＢ以下で
あつた。また、凹部の半値幅が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ
以下、凹部と凹部の間隔が１０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下
の範囲では、１０６ 回書き換え後のノイズ増加分は３
ｄＢ以下であつた。さらに、凹部の半値幅が２０ｎｍ以
上１００ｎｍ以下、凹部と凹部の間隔が２０ｎｍ以上３
００ｎｍ以下の範囲では、１０６ 回書き換え後のノイ
ズ増加分は１ｄＢ以下であつた。オーバーライトした時
の消去比（前に書かれていた信号の信号レベルの減少率
）も従来デイスクの３０ｄＢから本実施例では３５ｄＢ
以上に改善された。記録用薄膜の平均膜厚を変化させた
時、１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲で１０−４以下
の再生信号エラーレートが得られたが、さらに、１５ｎ
ｍ以上５０ｎｍ以下ではエラーレートが１０−５以下と
なつた。
後の熱処理条件を変えて記録用薄膜の凹部の形状を変え
た実験の結果、凹部の半値幅（最大深さの半分のところ
における幅）が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、凹部
と凹部の間隔（隣接する２つの凹部の中心間の距離）が
５ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲では従来デイスクの初
回記録のノイズレベルと比べた時の本実施例のデイスク
の１０６ 回書き換え後のノイズ増加分は６ｄＢ以下で
あつた。また、凹部の半値幅が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ
以下、凹部と凹部の間隔が１０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下
の範囲では、１０６ 回書き換え後のノイズ増加分は３
ｄＢ以下であつた。さらに、凹部の半値幅が２０ｎｍ以
上１００ｎｍ以下、凹部と凹部の間隔が２０ｎｍ以上３
００ｎｍ以下の範囲では、１０６ 回書き換え後のノイ
ズ増加分は１ｄＢ以下であつた。オーバーライトした時
の消去比（前に書かれていた信号の信号レベルの減少率
）も従来デイスクの３０ｄＢから本実施例では３５ｄＢ
以上に改善された。記録用薄膜の平均膜厚を変化させた
時、１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲で１０−４以下
の再生信号エラーレートが得られたが、さらに、１５ｎ
ｍ以上５０ｎｍ以下ではエラーレートが１０−５以下と
なつた。
【００６３】別の製膜方法として、第１の下部保護層の
表面に島状のＴｉ膜を形成し、その上に真空蒸着によつ
て記録用薄膜を形成すると、蒸着の初期に記録用薄膜は
選択的に成長し、表面に凹凸を持つた記録用薄膜を得る
ことができた。上部保護層や反射層の形成は上記の方法
と同様とした時、ほぼ同様の記録・読み出し特性が得ら
れた。
表面に島状のＴｉ膜を形成し、その上に真空蒸着によつ
て記録用薄膜を形成すると、蒸着の初期に記録用薄膜は
選択的に成長し、表面に凹凸を持つた記録用薄膜を得る
ことができた。上部保護層や反射層の形成は上記の方法
と同様とした時、ほぼ同様の記録・読み出し特性が得ら
れた。
【００６４】上記（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）保護層の
代わりに、酸化物、低酸化物、硫化物、窒化物、セレン
化物、炭化物、ホウ化物などの無機絶縁物（誘電体）材
料であって、たとえば主成分が、ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３
，ＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＧｅＯ
，ＧｅＯ２、ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，
ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｔａ２Ｏ５，Ｓｃ２Ｏ３，
Ｙ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，Ｚ
ｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３，Ｓｂ
２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＭｇＦ２，Ｃｅ
Ｆ２，ＣａＦ２，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，Ｓｎ
Ｓ，ＳｎＳｅ，ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓ３，Ｂｉ２
Ｓｅ３，ＴａＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂ
４Ｃ，ＳｉＣ，ＢＮ，ＢおよびＣのうちの少なくとも一
者または二者以上の混合物に近い組成であるものを用い
てもほぼ同様の結果が得られる。 しかし、ポリメタ
クリル酸メチル、ポリスチレンなどの有機物保護膜では
、 １０回以上の記録書き換えで保護膜が劣化し、記
録膜が流動・変形するため、搬送波対雑音比が３ｄＢ以
上低下した。
代わりに、酸化物、低酸化物、硫化物、窒化物、セレン
化物、炭化物、ホウ化物などの無機絶縁物（誘電体）材
料であって、たとえば主成分が、ＣｅＯ２，Ｌａ２Ｏ３
，ＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＧｅＯ
，ＧｅＯ２、ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，
ＴｅＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｔａ２Ｏ５，Ｓｃ２Ｏ３，
Ｙ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，Ｚ
ｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３，Ｓｂ
２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＭｇＦ２，Ｃｅ
Ｆ２，ＣａＦ２，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，Ｓｎ
Ｓ，ＳｎＳｅ，ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓ３，Ｂｉ２
Ｓｅ３，ＴａＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｂ
４Ｃ，ＳｉＣ，ＢＮ，ＢおよびＣのうちの少なくとも一
者または二者以上の混合物に近い組成であるものを用い
てもほぼ同様の結果が得られる。 しかし、ポリメタ
クリル酸メチル、ポリスチレンなどの有機物保護膜では
、 １０回以上の記録書き換えで保護膜が劣化し、記
録膜が流動・変形するため、搬送波対雑音比が３ｄＢ以
上低下した。
【００６５】実施例４
記録用薄膜形成までは、記録用薄膜膜厚を４０ｎｍとす
ること以外は実施例３と同様にし、記録用薄膜上にポジ
型紫外線フオトレジストを形成した後、エキシマレーザ
の光ビームを２つに分け、それぞれビームエキスパンダ
ーを通して再び交差させる時の干渉縞にレジストを感光
させた。次にデイスクを回転軸の回りに９０度回転させ
、再び干渉縞に感光させた。次にフオトレジストを現像
すると、フオトレジストはレーザ光を照射された部分が
除去され、碁盤の目状に切られた。次にデイスクを再び
スパツタ装置内に入れてフオトレジストをマスクとして
記録用薄膜をエツチングした。次にフオトレジストを溶
剤によつて除去し、もう一度スパツタリング装置に入れ
て、上部保護層のスパツタリング以降の工程を実施例３
と同様にして行ない、デイスクを完成させた。本実施例
のデイスクにおいても実施例１と同様に多数回書き換え
によるノイズの増加は見られなかつた。
ること以外は実施例３と同様にし、記録用薄膜上にポジ
型紫外線フオトレジストを形成した後、エキシマレーザ
の光ビームを２つに分け、それぞれビームエキスパンダ
ーを通して再び交差させる時の干渉縞にレジストを感光
させた。次にデイスクを回転軸の回りに９０度回転させ
、再び干渉縞に感光させた。次にフオトレジストを現像
すると、フオトレジストはレーザ光を照射された部分が
除去され、碁盤の目状に切られた。次にデイスクを再び
スパツタ装置内に入れてフオトレジストをマスクとして
記録用薄膜をエツチングした。次にフオトレジストを溶
剤によつて除去し、もう一度スパツタリング装置に入れ
て、上部保護層のスパツタリング以降の工程を実施例３
と同様にして行ない、デイスクを完成させた。本実施例
のデイスクにおいても実施例１と同様に多数回書き換え
によるノイズの増加は見られなかつた。
【００６６】実施例５
実施例４と同様にしてデイスクを形成したが、記録用薄
膜としてはＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録用薄膜を用いた
。この場合には光磁気用光ヘツドと磁場用コイルを用い
、記録点の両端にデイジタル情報の１を対応させるピツ
トエツジ方式の記録を行つた。読み出し信号はカー効果
による偏光面の回転を利用して行う。再生信号のエツジ
の原信号からのズレ量を、記録用薄膜表面に凹部を形成
していないデイスクと比較すると、少なくとも５ｎｓ改
善されていることがわかつた。また、記録感度も約１０
％向上した。
膜としてはＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録用薄膜を用いた
。この場合には光磁気用光ヘツドと磁場用コイルを用い
、記録点の両端にデイジタル情報の１を対応させるピツ
トエツジ方式の記録を行つた。読み出し信号はカー効果
による偏光面の回転を利用して行う。再生信号のエツジ
の原信号からのズレ量を、記録用薄膜表面に凹部を形成
していないデイスクと比較すると、少なくとも５ｎｓ改
善されていることがわかつた。また、記録感度も約１０
％向上した。
【００６７】Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録用薄膜の組成
を変化させ、極端な場合、Ｃｏだけの薄膜として垂直磁
気異方性を低下させると、表面に凹部を形成していない
場合には再生信号強度が低下したが、本実施例の記録用
薄膜表面に凹部を形成したデイスクでは４６ｄＢ以上の
搬送波対雑音比が得られた。ＰｔとＣｏ又はＰｄとＣｏ
の多層積層光磁気記録膜でも、全体を１つの記録膜と考
えて同様にして凹部を形成すると、同様な効果があった
。
を変化させ、極端な場合、Ｃｏだけの薄膜として垂直磁
気異方性を低下させると、表面に凹部を形成していない
場合には再生信号強度が低下したが、本実施例の記録用
薄膜表面に凹部を形成したデイスクでは４６ｄＢ以上の
搬送波対雑音比が得られた。ＰｔとＣｏ又はＰｄとＣｏ
の多層積層光磁気記録膜でも、全体を１つの記録膜と考
えて同様にして凹部を形成すると、同様な効果があった
。
【００６８】Ｂｉ２Ｔｅ３とＳｂ２Ｓｅ３との積層膜な
ど、層間の反応や合金化や相互拡散を利用した記録用薄
膜に凹部を形成した場合にも同様な効果があった。
ど、層間の反応や合金化や相互拡散を利用した記録用薄
膜に凹部を形成した場合にも同様な効果があった。
【００６９】本実施例を磁気ヘツドで記録・読み出しを
行う磁気デイスク用記録媒体について実施した場合も、
磁気異方性向上などの効果があった。
行う磁気デイスク用記録媒体について実施した場合も、
磁気異方性向上などの効果があった。
【００７０】実施例６
射出成形時にトラッキング用の溝とアドレスを示すピッ
トを表面に形成したディスク状ポリカーボネート基板上
に、マグネトロンスパッタリングによって、まず下部保
護層である厚さ約１００ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ
２）２０膜を形成し、その上に厚さ約６０ｎｍのＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄膜を形成した。 次にこの記録用薄膜を、アルゴンガスを用い、ガス圧１
０ｍＴｏｒｒでスパッタエッチングした。この時、記録
用薄膜がもともと持っている柱状構造と柱状構造の間の
部分が特にエッチングされ、記録用薄膜には凹凸が形成
されて、その凹部の一部は下部保護層まで達した。この
時、記録用薄膜の平均膜厚は２０ｎｍとなった。なお、
エッチングにはアルゴン−酸素ガスを用いてもよく、ア
ルゴン−酸素ガス中にＣＣｌ２Ｆ２等を添加しても良い
。
トを表面に形成したディスク状ポリカーボネート基板上
に、マグネトロンスパッタリングによって、まず下部保
護層である厚さ約１００ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ
２）２０膜を形成し、その上に厚さ約６０ｎｍのＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄膜を形成した。 次にこの記録用薄膜を、アルゴンガスを用い、ガス圧１
０ｍＴｏｒｒでスパッタエッチングした。この時、記録
用薄膜がもともと持っている柱状構造と柱状構造の間の
部分が特にエッチングされ、記録用薄膜には凹凸が形成
されて、その凹部の一部は下部保護層まで達した。この
時、記録用薄膜の平均膜厚は２０ｎｍとなった。なお、
エッチングにはアルゴン−酸素ガスを用いてもよく、ア
ルゴン−酸素ガス中にＣＣｌ２Ｆ２等を添加しても良い
。
【００７１】エッチング後、さらにマグネトロンスパッ
タリングによって上部保護層である厚さ約５０ｎｍの（
ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を形成し、次いで金属
反射層として、厚さ約１００ｎｍのＡｌ９６Ｃｕ４膜を
形成した。次に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射
して硬化させた。最後に同様にして作製したもう一枚の
ディスクと、上記紫外線硬化樹脂側を内側にして貼り合
わせた。Ａｌ９６Ｃｕ４膜のＣｕ含有量は１〜４５原子
％の範囲で良好な特性が得られる。 ディスク断面の
走査型電子顕微鏡観察の結果、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ
２）２０膜が記録用薄膜のスパッタエッチングによって
掘られた部分に入り込み、融解した記録用薄膜が流動す
るのを阻止する効果を期待できることが分かった。
タリングによって上部保護層である厚さ約５０ｎｍの（
ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜を形成し、次いで金属
反射層として、厚さ約１００ｎｍのＡｌ９６Ｃｕ４膜を
形成した。次に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を照射
して硬化させた。最後に同様にして作製したもう一枚の
ディスクと、上記紫外線硬化樹脂側を内側にして貼り合
わせた。Ａｌ９６Ｃｕ４膜のＣｕ含有量は１〜４５原子
％の範囲で良好な特性が得られる。 ディスク断面の
走査型電子顕微鏡観察の結果、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ
２）２０膜が記録用薄膜のスパッタエッチングによって
掘られた部分に入り込み、融解した記録用薄膜が流動す
るのを阻止する効果を期待できることが分かった。
【００７２】上記のようにして形成したディスクへの情
報の記録・再生は実施例１と同様にして行なった。
報の記録・再生は実施例１と同様にして行なった。
【００７３】実施例７
実施例１と同様にしてディスクを形成した。記録用薄膜
としてはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄
膜を用いた。
としてはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄
膜を用いた。
【００７４】図１４に示したように、実施例１と同様に
基板１８上に下部保護層１９を形成し、その上に記録用
薄膜としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用
薄膜２０を形成した。ついでその表面にマスクとする第
２の薄膜としてＳｎＳ膜を形成した。ＳｎＳ膜のトラッ
キング用溝の傾斜部分では膜の構造が乱れており、この
あとスパッタエッチングするとこの部分のＳｎＳ膜と記
録用薄膜とが共に無くなり、記録用薄膜がトラックごと
に分離された。この上にさらに実施例１と同様にして上
部保護層２１を形成した。さらにこの上に金属反射層を
積層した。これにより、オーバーライトによる記録書換
え時に、熱伝導によって隣のトラックが消去されてしま
うということが無くなり、高密度記録が可能となる。同
様な方法でＶ字型の溝内の記録膜を除去することも可能
である。第２の薄膜をつけずに記録膜を直接スパッタエ
ッチングしてもよい。これらの方法は、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ光磁気記録膜でもほぼ同様に行なえる。
基板１８上に下部保護層１９を形成し、その上に記録用
薄膜としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用
薄膜２０を形成した。ついでその表面にマスクとする第
２の薄膜としてＳｎＳ膜を形成した。ＳｎＳ膜のトラッ
キング用溝の傾斜部分では膜の構造が乱れており、この
あとスパッタエッチングするとこの部分のＳｎＳ膜と記
録用薄膜とが共に無くなり、記録用薄膜がトラックごと
に分離された。この上にさらに実施例１と同様にして上
部保護層２１を形成した。さらにこの上に金属反射層を
積層した。これにより、オーバーライトによる記録書換
え時に、熱伝導によって隣のトラックが消去されてしま
うということが無くなり、高密度記録が可能となる。同
様な方法でＶ字型の溝内の記録膜を除去することも可能
である。第２の薄膜をつけずに記録膜を直接スパッタエ
ッチングしてもよい。これらの方法は、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ光磁気記録膜でもほぼ同様に行なえる。
【００７５】本実施例の場合は、凹部が大きくてもノイ
ズが増加するおそれは無いので、凸部凹部または凸部の
大きい方の半値幅が、アドレスまたは同期信号を示す凹
部の半値幅の一番小さいものの１／２以下の大きさであ
る必要は無い。
ズが増加するおそれは無いので、凸部凹部または凸部の
大きい方の半値幅が、アドレスまたは同期信号を示す凹
部の半値幅の一番小さいものの１／２以下の大きさであ
る必要は無い。
【００７６】実施例８
実施例１と同様にしてディスクを形成した。記録用薄膜
としてはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄
膜を用いた。基板のトラッキング用溝の形状は、Ｖ字型
であった。
としてはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄
膜を用いた。基板のトラッキング用溝の形状は、Ｖ字型
であった。
【００７７】実施例１と同様に下部保護層まで形成し、
その上に第１の記録用薄膜としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅより
なる相変化型の記録用薄膜を形成した。ついでその表面
にマスクとする第２の薄膜としてＳｎＳ膜を形成した。 ＳｎＳ膜のトラッキング用溝内の部分では膜の構造が乱
れており、このあとスパッタエッチングすると溝内のＳ
ｎＳ膜と記録膜とが共に無くなり、記録用薄膜がトラッ
クごとに分離された。第２の薄膜をつけずに記録膜を直
接スパッタエッチングしてもよい。記録用薄膜を分離し
た後、第２の記録用薄膜として組成比の異なるＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄膜を積層した。こ
れにより、溝間では２層、溝内では１層の記録用薄膜が
得られた。この上にさらに実施例１と同様にして上部保
護層、金属反射層を積層した。
その上に第１の記録用薄膜としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅより
なる相変化型の記録用薄膜を形成した。ついでその表面
にマスクとする第２の薄膜としてＳｎＳ膜を形成した。 ＳｎＳ膜のトラッキング用溝内の部分では膜の構造が乱
れており、このあとスパッタエッチングすると溝内のＳ
ｎＳ膜と記録膜とが共に無くなり、記録用薄膜がトラッ
クごとに分離された。第２の薄膜をつけずに記録膜を直
接スパッタエッチングしてもよい。記録用薄膜を分離し
た後、第２の記録用薄膜として組成比の異なるＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅよりなる相変化型の記録用薄膜を積層した。こ
れにより、溝間では２層、溝内では１層の記録用薄膜が
得られた。この上にさらに実施例１と同様にして上部保
護層、金属反射層を積層した。
【００７８】上記の記録用部材では、情報の読み出しは
２つの波長で行う。たとえば、溝間に書かれている情報
を一方の波長で読み出すときは、溝内に書かれている情
報は、この波長では非晶質状態の反射率と結晶状態の反
射率とが同じであるために見えない。逆に、溝内に書か
れている情報を他方の波長で読み出すときは、溝間に書
かれている情報は、この波長では非晶質状態の反射率と
結晶状態の反射率とが同じであるために見えない。従っ
て、トラックピッチが狭くても良好な読み出しが行える
。
２つの波長で行う。たとえば、溝間に書かれている情報
を一方の波長で読み出すときは、溝内に書かれている情
報は、この波長では非晶質状態の反射率と結晶状態の反
射率とが同じであるために見えない。逆に、溝内に書か
れている情報を他方の波長で読み出すときは、溝間に書
かれている情報は、この波長では非晶質状態の反射率と
結晶状態の反射率とが同じであるために見えない。従っ
て、トラックピッチが狭くても良好な読み出しが行える
。
【００７９】本実施例の場合は、凹部が大きくてもノイ
ズが増加するおそれは無いので、凹部または凸部の大き
い方の半値幅が、アドレスまたは同期信号を示す凹部の
半値幅の小さい方の１／２以下の大きさである必要は無
い。
ズが増加するおそれは無いので、凹部または凸部の大き
い方の半値幅が、アドレスまたは同期信号を示す凹部の
半値幅の小さい方の１／２以下の大きさである必要は無
い。
【００８０】実施例９
実施例１とほぼ同様にしてディスクを形成したが、基板
表面の凹凸形成用原盤として、トラッキング用溝の形状
がＵ字型であり、深さがトラック方向に約２ミクロンの
周期で周期的に変わるものを用いた。記録用薄膜として
はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録膜を用いた。
表面の凹凸形成用原盤として、トラッキング用溝の形状
がＵ字型であり、深さがトラック方向に約２ミクロンの
周期で周期的に変わるものを用いた。記録用薄膜として
はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録膜を用いた。
【００８１】実施例１と同様に下部保護層まで形成し、
その上に記録用薄膜としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録
膜を形成した。ついでその表面にマスクとする第２の薄
膜としてＳｎＳ膜を形成した。ＳｎＳ膜のトラッキング
用溝の傾斜部分およびトラック方向の周期的な深さの変
化の傾斜部では、膜の構造が乱れており、このあとスパ
ッタエッチングすると傾斜部分のＳｎＳ膜と記録膜とが
共に無くなり、記録用薄膜がトラックごとに、また、さ
らにトラック方向に周期的に分離された。第２の薄膜を
つけずに記録膜を直接スパッタエッチングしてもよい。 トラックに直角方向に切ったときの断面図は図１４と同
じである。トラックの中央部でトラックに平行に切った
ときの断面図も図１４と同じである。これにより記録点
毎に分離された記録用薄膜が得られた。この上にさらに
実施例１と同様にして上部保護層、金属反射層を積層し
た。トラッキング用溝の周期的な深さの変化からクロッ
ク信号を得ながら、正確にそれぞれの分離された記録膜
上に記録していくことにより、高密度の記録が行える。
その上に記録用薄膜としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録
膜を形成した。ついでその表面にマスクとする第２の薄
膜としてＳｎＳ膜を形成した。ＳｎＳ膜のトラッキング
用溝の傾斜部分およびトラック方向の周期的な深さの変
化の傾斜部では、膜の構造が乱れており、このあとスパ
ッタエッチングすると傾斜部分のＳｎＳ膜と記録膜とが
共に無くなり、記録用薄膜がトラックごとに、また、さ
らにトラック方向に周期的に分離された。第２の薄膜を
つけずに記録膜を直接スパッタエッチングしてもよい。 トラックに直角方向に切ったときの断面図は図１４と同
じである。トラックの中央部でトラックに平行に切った
ときの断面図も図１４と同じである。これにより記録点
毎に分離された記録用薄膜が得られた。この上にさらに
実施例１と同様にして上部保護層、金属反射層を積層し
た。トラッキング用溝の周期的な深さの変化からクロッ
ク信号を得ながら、正確にそれぞれの分離された記録膜
上に記録していくことにより、高密度の記録が行える。
【００８２】本実施例の場合は、凹部が大きくてもノイ
ズが増加するおそれは無いので、凹部または凸部の大き
い方の半値幅が、アドレスまたは同期信号を示す凹部の
半値幅の小さい方の１／２以下の大きさである必要は無
い。
ズが増加するおそれは無いので、凹部または凸部の大き
い方の半値幅が、アドレスまたは同期信号を示す凹部の
半値幅の小さい方の１／２以下の大きさである必要は無
い。
【００８３】以上の実施例ではディスク状の情報記録部
材について述べたが、本発明はテープ状、カード状等の
他の形状の情報記録部材にも適用できる。
材について述べたが、本発明はテープ状、カード状等の
他の形状の情報記録部材にも適用できる。
【００８４】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように相変化光
ディスクに対しては記録用薄膜の流動をほぼ完全に防止
できるので書き換え可能回数を大幅に向上させる効果が
有る。また、結晶粒の大きさが制限されるので消え残り
も低減できる。さらに、記録用薄膜の表面に凹凸や凹部
を形成する際に少なくとも部分的に結晶化が起こるので
、従来は必要だったディスク作製後の記録用薄膜の初期
結晶化が不要になるか、簡単になるという効果も有る。 また、光磁気ディスクや２層膜の合金化によって記録す
るディスク等に対しては特に、記録用薄膜面内の熱伝導
を防止するので再生信号の忠実度を向上させ、記録感度
を向上させる効果が有る。また、光磁気ディスクや磁気
ディスクに対しては記録用薄膜面内の磁力線の広がりを
防止するので、すなわち形状異方性を持つので、垂直磁
気異方性の小さい記録用薄膜組成でも垂直磁化が可能で
あり、組成の許容範囲が広がるという効果も有る。
ディスクに対しては記録用薄膜の流動をほぼ完全に防止
できるので書き換え可能回数を大幅に向上させる効果が
有る。また、結晶粒の大きさが制限されるので消え残り
も低減できる。さらに、記録用薄膜の表面に凹凸や凹部
を形成する際に少なくとも部分的に結晶化が起こるので
、従来は必要だったディスク作製後の記録用薄膜の初期
結晶化が不要になるか、簡単になるという効果も有る。 また、光磁気ディスクや２層膜の合金化によって記録す
るディスク等に対しては特に、記録用薄膜面内の熱伝導
を防止するので再生信号の忠実度を向上させ、記録感度
を向上させる効果が有る。また、光磁気ディスクや磁気
ディスクに対しては記録用薄膜面内の磁力線の広がりを
防止するので、すなわち形状異方性を持つので、垂直磁
気異方性の小さい記録用薄膜組成でも垂直磁化が可能で
あり、組成の許容範囲が広がるという効果も有る。
【図１】本発明の一実施例の情報記録部材の記録用薄膜
上に形成された第２の薄膜である多結晶状Ｔｉ膜の平面
図
上に形成された第２の薄膜である多結晶状Ｔｉ膜の平面
図
【図２】凹凸を持つ記録用薄膜の部分の断面図
【図３】
本発明の一実施例の情報記録部材の製造工程を説明する
ためのその一部分の断面図
本発明の一実施例の情報記録部材の製造工程を説明する
ためのその一部分の断面図
【図４】本発明の一実施例の情報記録部材の一部の断面
図
図
【図５】本発明の他の実施例の情報記録部材の一部の断
面図
面図
【図６】複数のタ−ゲットを有するスパッタ装置の部分
断面図
断面図
【図７】本発明のさらに他の実施例の情報記録部材の一
部の断面図
部の断面図
【図８】本発明のさらに他の実施例の情報記録部材の一
部の断面図
部の断面図
【図９】本発明のさらに他の実施例の情報記録部材の一
部の断面図
部の断面図
【図１０】本発明のさらに他の実施例の情報記録部材の
一部の断面図
一部の断面図
【図１１】記録用薄膜上に形成された凹凸を説明するた
めの摸式的な斜視図
めの摸式的な斜視図
【図１２】本発明の一実施例の情報記録部材の記録用薄
膜上に形成された第２の薄膜である島状Ｔｉ膜の平面図
膜上に形成された第２の薄膜である島状Ｔｉ膜の平面図
【図１３】凹凸を持つ記録用薄膜の一部分の断面図
【図
１４】トラック間を分離した記録用薄膜の一部分の断面
図
１４】トラック間を分離した記録用薄膜の一部分の断面
図
１…第２の薄膜、２…記録用薄膜、４…第１下部保護層
、５…基板、６…第２下部保護層、７…上部保護層、８
…金属反射層、９…紫外線硬化樹脂、１１…紫外線硬化
樹脂層、１２…有機物保護膜、１３、１４…タ−ゲット
、１５…スパッタ室、１６…第１の記録用薄膜、１７…
第２の記録用薄膜、Ｃ…矢印（基板の移動方向）、１８
…基板、１９…下部保護層、２０…記録用薄膜、２１…
上部保護層。
、５…基板、６…第２下部保護層、７…上部保護層、８
…金属反射層、９…紫外線硬化樹脂、１１…紫外線硬化
樹脂層、１２…有機物保護膜、１３、１４…タ−ゲット
、１５…スパッタ室、１６…第１の記録用薄膜、１７…
第２の記録用薄膜、Ｃ…矢印（基板の移動方向）、１８
…基板、１９…下部保護層、２０…記録用薄膜、２１…
上部保護層。
Claims (36)
- 【請求項１】基板上に直接又は無機物及び有機物のうち
少なくとも一者から成る保護層を介して形成された、記
録用エネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化
する情報記録用薄膜において、該情報記録用薄膜の少な
くとも一方の面の表面は、凹部を有し、さらにその凹部
がある側に接して無機物保護層を有することにより、上
記物理的性質の変化時に副作用として生ずる流動または
熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録用薄膜。 - 【請求項２】請求項１記載の情報記録用薄膜において、
上記凹部の半値幅の平均値は５ｎｍから２００ｎｍの範
囲であり、該凹部と凹部との間隔の平均値は５ｎｍから
６００ｎｍの範囲であることを特徴とする情報記録用薄
膜。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の情報記録用薄膜にお
いて、上記無機物保護層を形成する材料が該上記情報記
録用薄膜の凹部に少なくとも入り込んでいることを特徴
とする情報記録用薄膜。 - 【請求項４】基板上に直接又は無機物及び有機物のうち
少なくとも一者から成る保護層を介して形成された記録
用エネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化す
る情報記録用薄膜上に、微小な島状の金属膜を形成し、
これをマスクとしてイオンエツチングして、該情報記録
用薄膜に凹部を形成し、さらにその凹部がある側に接し
て無機物保護層を形成することにより、上記物理的性質
の変化時に副作用として生ずる流動または熱伝導を押さ
えたことを特徴とする情報記録用薄膜の形成方法。 - 【請求項５】基板上に直接又は無機物及び有機物のうち
少なくとも一者から成る保護層を介して形成された記録
用エネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化す
る情報記録用薄膜上に、フオトレジスト又は電子線レジ
ストを形成する工程と、パターン照射及び現像によつて
該レジストを所望のパターンとする工程と、該レジスト
のパターンをマスクとして該情報記録用薄膜をエッチン
グしてその表面に凹部を形成し、さらにその凹部がある
側に接して無機物保護層を形成する工程とを有すること
により、上記物理的性質の変化時に副作用として生ずる
流動または熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録
用薄膜の形成方法。 - 【請求項６】請求項５記載の情報記録用薄膜の形成方法
において、上記パターン照射は、２つ以上のレーザビー
ム又は電子線の干渉を利用して行なうことを特徴とする
情報記録用薄膜の形成方法。 - 【請求項７】基板と、該基板上に配置され、記録用エネ
ルギービームの照射を受けて物理的性質が変化する情報
の記録用薄膜とを少なくとも有し、さらにその凹凸があ
る側に接して無機物保護層を有することにより、上記物
理的性質の変化時に副作用として生ずる流動または熱伝
導を押さえた情報記録部材において、上記記録用薄膜の
少なくとも一方の面は、その表面に凹凸を有し、さらに
その凹凸がある側に接して無機物保護層を有することに
より、上記物理的性質の変化時に副作用として生ずる流
動または熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録部
材。 - 【請求項８】請求項７記載の情報記録部材において、上
記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅が、上記記録
用薄膜に形成されたアドレス又は同期信号を示す凹部の
半値幅の小さい方の１／２以下の大きさであることを特
徴とする情報記録部材。 - 【請求項９】請求項７又は８記載の情報記録部材におい
て、上記記録用薄膜の基板側と逆側の表面に上記凹凸を
有することを特徴とする情報記録部材。 - 【請求項１０】請求項７又は８記載の情報記録部材にお
いて、上記記録用薄膜の基板側の表面は実質的に平坦で
あり、その逆側の表面に上記凹凸を有することを特徴と
する情報記録部材。 - 【請求項１１】請求項７から１０のいずれかに記載の情
報記録部材において、上記凹凸の凹部の半値幅の平均値
が５ｎｍから２００ｎｍの範囲であり、凹部と凹部との
間隔の平均値が５ｎｍから６００ｎｍの範囲であること
を特徴とする情報記録部材。 - 【請求項１２】請求項７から１１のいずれかに記載の情
報記録部材において、上記記録用薄膜の一方の面に接し
て第２の記録用薄膜を有することを特徴とする情報記録
部材。 - 【請求項１３】請求項１２記載の情報記録部材において
、上記凹凸は、上記記録用薄膜の第２の記録用薄膜と接
する面に有することを特徴とする情報記録部材。 - 【請求項１４】基板及び該基板上に配置され、記録用エ
ネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化する情
報の記録用薄膜の２層以上を少なくとも有する情報記録
部材において、少なくとも２層の上記記録用薄膜が互い
に接する表面に凹凸を有し、さらにその凹凸がある側に
接して無機物保護層を有することにより、上記物理的性
質の変化時に副作用として生ずる流動または熱伝導を押
さえたことを特徴とする情報記録部材。 - 【請求項１５】請求項１４記載の情報記録部材において
、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅が、上記
記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信号を示す凹
部の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさであること
を特徴とする情報記録部材。 - 【請求項１６】請求項１４又は１５記載の情報記録部材
において、上記凹凸の凹部の半値幅の平均値が５ｎｍか
ら２００ｎｍの範囲であり、凹部と凹部との間隔の平均
値が５ｎｍから６００ｎｍの範囲であることを特徴とす
る情報記録部材。 - 【請求項１７】基板及び該基板上に配置され、記録用エ
ネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化する情
報の記録用薄膜の２層以上を少なくとも有する情報記録
部材において、少なくとも２層の上記記録用薄膜は、そ
れぞれ少なくともその一方の面の表面に凹凸を有し、さ
らにその凹凸がある側に接して無機物保護層を有するこ
とにより、上記物理的性質の変化時に副作用として生ず
る流動または熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記
録部材。 - 【請求項１８】請求項１７記載の情報記録部材において
、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅が、上記
記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信号を示す凹
部の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさであること
を特徴とする情報記録部材。 - 【請求項１９】請求項１７又は１８記載の情報記録部材
において、上記凹凸の凹部の半値幅の平均値が５ｎｍか
ら２００ｎｍの範囲であり、凹部と凹部との間隔の平均
値が５ｎｍから６００ｎｍの範囲であることを特徴とす
る情報記録部材。 - 【請求項２０】基板上に、記録用エネルギービームの照
射を受けて物理的性質が変化する情報の記録用薄膜を形
成する工程、該記録用薄膜上にイオンエッチングの速度
が部分的に異なる第２の薄膜を形成する工程及び該第２
の薄膜をイオンエッチングし、該第２の薄膜に微細な孔
又は溝を形成し、さらに該第２の薄膜の上からイオンエ
ッチングし、上記記録用薄膜の表面に凹凸を形成し、さ
らにその凹凸がある側に接して無機物保護層を形成する
工程を有することにより、上記物理的性質の変化時に副
作用として生ずる流動又は熱伝導を押さえたことを特徴
とする情報記録部材の製造方法。 - 【請求項２１】請求項２０記載の情報記録部材の製造方
法において、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値
幅が、上記記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信
号を示す凹部の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさ
であることを特徴とする情報記録部材の製造方法。 - 【請求項２２】請求項２０又は２１記載の情報記録部材
の製造方法において、上記第２の薄膜は、所望の形状の
結晶粒を持ち、該結晶粒の中心間の距離の平均値は１０
ｎｍから８００ｎｍの範囲であることを特徴とする情報
記録部材の製造方法。 - 【請求項２３】基板上に、イオンエッチングの速度が部
分的に異なる第２の薄膜を形成する工程、該第２の薄膜
をイオンエッチングし、該第２の薄膜の表面に微細な凹
凸を形成する工程、該第２の薄膜上に、記録用エネルギ
ービームの照射を受けて物理的性質が変化する情報の記
録用薄膜を形成し、少なくとも該記録用薄膜の基板側の
表面に凹凸を形成し、さらにその凹凸がある側に接して
無機物保護層を形成する工程を有することにより、上記
物理的性質の変化時に副作用として生ずる流動または熱
伝導を押さえたことを特徴とする情報記録部材の製造方
法。 - 【請求項２４】請求項２３記載の情報記録部材の製造方
法において、上記記録用薄膜に形成された凹凸の凹部又
は凸部の大きい方の半値幅が、上記記録用薄膜に形成さ
れたアドレス又は同期信号を示す凹部の半値幅の小さい
方の１／２以下の大きさであることを特徴とする情報記
録部材の製造方法。 - 【請求項２５】請求項２３又は２４記載の情報記録部材
の製造方法において、上記第２の薄膜は、所望の形状の
結晶粒よりなり、該結晶粒の中心間の距離の平均値は１
０ｎｍから８００ｎｍの範囲であることを特徴とする情
報記録部材の製造方法。 - 【請求項２６】基板上に、記録用エネルギービームの照
射を受けて物理的性質が変化する情報の記録用薄膜を形
成する工程、該記録用薄膜上に微細な島状の部分よりな
る第２の薄膜を形成する工程及び該第２の薄膜の上から
イオンエッチングし、該記録用薄膜の表面に凹凸を形成
し、さらにその凹凸がある側に接して無機物保護層を形
成する工程を有することにより、上記物理的性質の変化
時に副作用として生ずる流動または熱伝導を押さえたこ
とを特徴とする情報記録部材の製造方法。 - 【請求項２７】請求項２６記載の情報記録部材の製造方
法において、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値
幅が、上記記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信
号を示す凹部の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさ
であることを特徴とする情報記録部材の製造方法。 - 【請求項２８】請求項２６又は２７記載の情報記録部材
の製造方法において、上記第２の薄膜は、所望の形状の
結晶粒を持ち、該結晶粒の中心間の距離の平均値は１０
ｎｍから８００ｎｍの範囲であることを特徴とする情報
記録部材の製造方法。 - 【請求項２９】基板上に、微細な島状の部分よりなる第
２の薄膜を形成する工程、該第２の薄膜上に、記録用エ
ネルギービームの照射を受けて物理的性質が変化する情
報の記録用薄膜を形成し、少なくとも該記録用薄膜の基
板側の表面に凹凸を形成し、さらにその凹凸がある側に
接して無機物保護層を形成する工程を有することにより
、上記物理的性質の変化時に副作用として生ずる流動ま
たは熱伝導を押さえたことを特徴とする情報記録部材の
製造方法。 - 【請求項３０】請求項２９記載の情報記録部材の製造方
法において、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値
幅が、上記記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信
号を示す凹部の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさ
であることを特徴とする情報記録部材の製造方法。 - 【請求項３１】請求項２９又は３０記載の情報記録部材
の製造方法において、上記第２の薄膜は、所望の形状の
結晶粒を持ち、該結晶粒の中心間の距離の平均値は１０
ｎｍから８００ｎｍの範囲であることを特徴とする情報
記録部材の製造方法。 - 【請求項３２】請求項２９、３０又は３１記載の情報記
録部材の製造方法において、上記記録用薄膜は、その基
板側と逆の表面に、上記基板側の表面の凹凸に対応した
凹凸を有することを特徴とする情報記録部材の製造方法
。 - 【請求項３３】請求項２０から３２のいずれかに記載の
情報記録部材の製造方法において、上記第２の薄膜は、
融点が１５０℃から４０００℃の範囲にある材質からな
ることを特徴とする情報記録部材の製造方法。 - 【請求項３４】請求項２０から３３のいずれかに記載の
情報記録部材の製造方法において、上記第２の薄膜は、
熱伝導率が６Ｗ／ｍ・Ｋから４２０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲に
ある材質からなることを特徴とする情報記録部材の製造
方法。 - 【請求項３５】請求項２０から３４のいずれかに記載の
情報記録部材の製造方法において、上記第２の薄膜は、
Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、
Ｂｉ及びＣより成る群より選ばれた少なくとも一者を主
成分とする材質であることを特徴とする情報記録部材の
製造方法。 - 【請求項３６】基板上に、記録用エネルギービームの照
射を受けて物理的性質が変化する情報の記録用薄膜を形
成する工程、及び上記記録用薄膜をイオンエッチングし
、上記記録用薄膜の表面に微細な孔又は溝などの凹凸を
形成し、さらにその凹凸がある側に接して無機物保護層
を形成する工程を有することにより、上記物理的性質の
変化時に副作用として生ずる流動または熱伝導を押さえ
たことを特徴とする情報記録部材の製造方法、【請求項
３７】上記３６記載の情報記録部材の製造方法において
、上記凹凸の凹部又は凸部の大きい方の半値幅が、上記
記録用薄膜に形成されたアドレス又は同期信号を示す凹
部の半値幅の小さい方の１／２以下の大きさであること
を特徴とする情報記録部材の製造方法、
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3102508A JPH04228127A (ja) | 1990-05-09 | 1991-05-08 | 情報記録用薄膜、情報記録部材及びそれらの製造方法 |
| US07/878,976 US5368986A (en) | 1991-05-02 | 1992-05-06 | Information recording media, manufacturing method for the same, and information recording method |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-117583 | 1990-05-09 | ||
| JP11758390 | 1990-05-09 | ||
| JP24383790 | 1990-09-17 | ||
| JP2-243837 | 1990-09-17 | ||
| JP3102508A JPH04228127A (ja) | 1990-05-09 | 1991-05-08 | 情報記録用薄膜、情報記録部材及びそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04228127A true JPH04228127A (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=27309725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3102508A Withdrawn JPH04228127A (ja) | 1990-05-09 | 1991-05-08 | 情報記録用薄膜、情報記録部材及びそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04228127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5709978A (en) * | 1993-06-18 | 1998-01-20 | Hitachi, Ltd. | Supperresolution readout thin film and information recording medium |
| US5846625A (en) * | 1994-08-26 | 1998-12-08 | Hitachi, Ltd. | Optical recording medium and information processing apparatus used therefor |
| JP2002512725A (ja) * | 1998-04-09 | 2002-04-23 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 磁気記録でのレーザアシストによるトラック幅の限定及び放射状の制御 |
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1991
- 1991-05-08 JP JP3102508A patent/JPH04228127A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5709978A (en) * | 1993-06-18 | 1998-01-20 | Hitachi, Ltd. | Supperresolution readout thin film and information recording medium |
| US5912104A (en) * | 1993-06-18 | 1999-06-15 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium |
| US5846625A (en) * | 1994-08-26 | 1998-12-08 | Hitachi, Ltd. | Optical recording medium and information processing apparatus used therefor |
| JP2002512725A (ja) * | 1998-04-09 | 2002-04-23 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 磁気記録でのレーザアシストによるトラック幅の限定及び放射状の制御 |
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