JPH042142A - Quality judgement of semiconductor integrated circuit - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 abstract description 12
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[概要]
複数の半導体集積回路装置について、1回目の特性試験
を行い、該1回目の特性試験において規格値内の値を示
した半導体集積回路装置を選別し、該選別した半導体集
積回路装置にストレスを与えた後、再び、特性試験を行
い、その結果によって良否の判定を行う半導体集積回路
装置の良否判定方法に関し、
前記1回目の特性試験において選別した半導体集積回路
装置にストレスを与えた後、2回目の特性試験を行った
場合において、規格値外の値を示した半導体集積回路装
置がある場合においても、これ以上の特性試験を行うこ
となく、良否の判定を行うことができるようにし、良否
判定プロセスに要する時間の短縮化を図ることを目的と
し、前記1回目の特性試験において選別した半導体集積
回路装置について、2回目の特性試験を行った場合に、
測定誤差によって規格値外の値を示す確率を過去のデー
タから予め算出しておき、前記確率を良否の判断の材料
として使用するように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] A first characteristic test is performed on a plurality of semiconductor integrated circuit devices, and the semiconductor integrated circuit devices that showed values within the standard values in the first characteristic test are selected. Regarding a method for determining the quality of a semiconductor integrated circuit device, which applies stress to the selected semiconductor integrated circuit device, then performs a characteristic test again, and determines whether it is good or bad based on the result, the semiconductor integrated circuit device selected in the first characteristic test Even if there is a semiconductor integrated circuit device that shows a value outside the standard value when performing a second characteristic test after applying stress to the device, the pass/fail judgment can be made without conducting any further characteristic tests. With the aim of reducing the time required for the pass/fail determination process, a second characteristic test is performed on the semiconductor integrated circuit devices selected in the first characteristic test.
The configuration is such that the probability of a value outside the standard value due to measurement error is calculated in advance from past data, and the probability is used as a material for determining pass/fail.
[産業上の利用分野コ
本発明は半導体集積回路装置(以下、LSIという)の
良否判定方法に関する。[Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for determining the quality of semiconductor integrated circuit devices (hereinafter referred to as LSI).
一般に、LSIについては、製品完成後、直流試験、機
能試験、交流試験等の特性試験が実行され、その結果に
よって、良否の判定が行われるが、これに要する時間を
短くすることはスループットの向上の点からして重要で
ある。Generally, after the product is completed, characteristic tests such as DC tests, function tests, and AC tests are performed on LSIs, and pass/fail judgments are made based on the results. Shortening the time required for this will improve throughput. It is important from this point of view.
[従来の技術]
従来、LSIの良否判定は、例えば、次のようにして行
われていた。[Prior Art] Conventionally, the quality of LSI has been determined in the following manner, for example.
即ち、製品完成後、まず、1回目の特性試験を行い、こ
の1回目の特性試験において規格値内の値を示したLS
Iを選別する0次に、この1回目の特性試験で選別した
LSIにストレス、例えば熱的ストレスを与え、その後
、再び1回目の試験と同一の特性試験を行う。In other words, after the product is completed, first a first characteristic test is conducted, and if the LS shows a value within the standard value in this first characteristic test,
Next, stress, such as thermal stress, is applied to the LSI selected in the first characteristic test, and then the same characteristic test as in the first test is performed again.
ここに、全てのLSIが規格値内の値を示した場合は、
これら全てのLSIを良品と判定する。Here, if all LSIs show values within the standard values,
All of these LSIs are determined to be non-defective products.
また、規格値内の値を示したLSIと規格値外の値を示
したLSIとが存在する場合には、規格値内の値を示し
たLSIについては良品と判定し、規格値外の値を示し
たLSIについては、改めて複数回の特性試験を行い、
規格値内の値を示す割合によって良否の判定を行う、こ
こに、例えば、10回の特性試験を行った場合において
、例えば、2回の特性試験につき規格値外の値を示し、
8回の特性試験につき規格値内の値を示した場合、例え
2回の特性試験につき規格値外の値を示したとしても、
8回の特性試験について規格値内の値を示した以上、規
格値外の値を示した場合については、測定誤差であると
考え、この場合には、このLSIについては、良品であ
ると判定する。逆に、2回の特性試験につき規格値内の
値を示し、8回の特性試験につき規格値外の値を示した
場合、8回の特性試験について規格値外の値を示した以
上、規格値内の値を示した場合については、測定誤差で
あると考え、この場合には、このLSIについては、不
良品であると判定する。このようにして良否の判定が行
われるが、規格値内の値をどの程度の割合で示した場合
に良品と判断するかについては、明白な基準があるわけ
ではない。In addition, if there is an LSI that shows a value within the standard value and an LSI that shows a value outside the standard value, the LSI that shows a value within the standard value is judged to be a good product, and the value outside the standard value is determined to be good. For LSIs that showed this, we conducted multiple characteristic tests again.
Judgment of pass/fail is made based on the percentage of values within the standard values.Here, for example, in the case of 10 characteristic tests, for example, two characteristic tests show values outside the standard values,
If the value is within the standard value in 8 characteristic tests, even if the value is outside the standard value in 2 characteristic tests,
Since the values shown in the eight characteristic tests were within the standard values, any value outside the standard values is considered to be a measurement error, and in this case, this LSI is judged to be a good product. do. On the other hand, if a value is within the standard value in two characteristic tests and a value outside the standard value in eight characteristic tests, then the standard is If the value is within the range, it is considered to be a measurement error, and in this case, the LSI is determined to be defective. Although the quality is determined in this way, there is no clear standard as to what proportion of values within the standard values should be used to determine that the product is good.
なお、2回目の特性試験で規格値外の値を示したLSI
について、改めて複数回の特性試験を行うのは、2回目
の特性試験で規格値外の値を測定したのは、測定誤差に
よるものなのか、ストレスによる破壊によるものなのか
、を判断するためである。In addition, LSIs that showed values outside the standard values in the second characteristic test
The reason why we conduct characteristic tests multiple times again is to determine whether the value outside the standard value measured in the second characteristic test was due to measurement error or damage due to stress. be.
[発明が解決しようとする課題]
このように、従来のLSIの良否判定方法においては、
ストレスを与えた後の2回目の特性試験において規格値
外の値を示したLSIがある場合、その各々について、
複数回の特性試験を行う必要があり、このため、良否判
定プロセスに多くの時間を要するという問題点があった
。[Problem to be solved by the invention] As described above, in the conventional LSI quality determination method,
If there is an LSI that shows a value outside the standard value in the second characteristic test after applying stress, for each LSI,
There was a problem in that it was necessary to conduct characteristic tests multiple times, and therefore the process of determining pass/fail required a lot of time.
本発明は、かかる点に鑑み、1回目の特性試験において
選別したLSIにストレスを与えた後、2回目の特性試
験を行った場合において、規格値外の値を示したLSI
がある場合においても、これ以上の特性試験を行うこと
なく、良否の判定を行うことができるようにし、良否判
定プロセスに要する時間の短縮化を図ることができるよ
うにしたLSIの良否判定方法を提供することを目的と
する。In view of this, the present invention provides for LSIs that exhibit values outside the standard values when a second characteristic test is performed after applying stress to the LSIs selected in the first characteristic test.
The present invention provides a pass/fail judgment method for LSIs that enables pass/fail judgment to be made without conducting any further characteristic tests, even in cases where the pass/fail judgment process is shortened. The purpose is to provide.
[課題を解決するための手段]
本発明によるLSIの良否判定方法は、複数のLSIに
ついて、1回目の特性試験を行い、この1回目の特性試
験において規格値内の値を示したLSIを選別し、この
選別したLSIにストレスを与えた後、再び、特性試験
を行い、その結果によって良否の判定を行うLSIの良
否判定方法を改善するものである。[Means for Solving the Problems] The LSI quality determination method according to the present invention performs a first characteristic test on a plurality of LSIs, and selects LSIs that showed values within standard values in the first characteristic test. However, after stress is applied to the selected LSI, a characteristic test is performed again, and the quality of the LSI is determined based on the results.
本発明においては、1回目の特性試験において選別した
LSIについて、2回目の特性試験を行った場合に、測
定誤差によって規格値外の値を示す確率を過去のデータ
から予め算出しておき、実際に2回目の特性試験を行っ
た場合において、規格値外の値を示したLSIがある場
合、各場合について、次のように良否を判断する。In the present invention, when a second characteristic test is performed on the LSI selected in the first characteristic test, the probability that the LSI will show a value outside the standard value due to measurement error is calculated in advance from past data, and When a second characteristic test is conducted, if there is an LSI that shows a value outside the standard value, the quality of each LSI is judged as follows.
まず、2回目の特性試験で規格値外の値を示したLSI
中、許容値内の値を示したLSIの数が前記確率から推
測できる数以下のときは、許容値内の値を示したLSI
と、規格値内の値を示したLSIとを良品と判定する。First, let's look at the LSI that showed values outside the standard values in the second characteristic test.
medium, when the number of LSIs that showed values within the allowable value is less than the number that can be estimated from the above probability, the LSIs that showed values within the allowable value
, and an LSI that shows a value within the standard value is determined to be a good product.
また、2回目の特性試験で規格値外の値を示したLSI
中、許容値内の値を示したLSIの数が前記確率から推
測できる数を越えるときは、許容値内の値を示したLS
I中、規格値との差が小さいものから順に前記確率から
推測できる数までのLSIと、規格値内の値を示したL
SIとを良品と判定する。In addition, LSIs that showed values outside the standard values in the second characteristic test
If the number of LSIs showing values within the allowable value exceeds the number that can be estimated from the above probability, the LSI showing a value within the allowable value
In I, the LSIs with the smallest difference from the standard value to the number that can be estimated from the above probability, and the LSI that shows the value within the standard value.
SI is determined to be a good product.
[作用]
本発明によれば、1回目の特性試験において選別したL
SIにストレスを与えた後、2回目の特性試験を行った
場合において、規格値外の値を示したLSIがある場合
においても、これ以上の特性試験を行うことなく、良否
の判定を行うことができる。[Operation] According to the present invention, L selected in the first characteristic test
Even if there is an LSI that shows a value outside the standard value in the second characteristic test after applying stress to the SI, the pass/fail judgment shall be made without conducting any further characteristic tests. I can do it.
[実施例]
以下、第1図及び第2図を参照して、本発明の一実施例
につき説明する。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
一般に、数多くの同一種類のLSIについて特性試験を
実行した場合、測定値は第1図にその確率密度関数N(
μ、σ2)を示すような正規分布を示す、但し、μは平
均値及びσ2は分散である。Generally, when a characteristic test is performed on many LSIs of the same type, the measured values are shown in the probability density function N(
It shows a normal distribution such as μ, σ2), where μ is the mean value and σ2 is the variance.
ここに、測定値は真の値に測定誤差が加わった結果であ
り、真の値は第2図にその確率密度関数N(χ、λ2)
を示すような正規分布を示す、但し、χは平均値及びλ
2は分散である。また、測定誤差は第3図にその確率密
度関数N(0、ξ2)を示すような正規分布を示す、但
し、ξ2は標準偏差である。なお、測定誤差の平均値は
「0」とみることができる。Here, the measured value is the result of adding the measurement error to the true value, and the true value is shown in Figure 2 as its probability density function N (χ, λ2).
, where χ is the mean value and λ
2 is dispersion. Furthermore, the measurement error exhibits a normal distribution as shown in FIG. 3 with its probability density function N(0, ξ2), where ξ2 is the standard deviation. Note that the average value of the measurement error can be regarded as "0".
ところで、数多くのサンプルから測定値の平均値μ及び
分散σ2を算出した場合には、μζχ、σ2岬λ2とみ
ることができる。即ち、N(μ、σ21N(χ、λ2)
とみることができる、そこで、次に述べるようにして、
1回目の特性試験において選別したLSIについて、2
回目の特性試験を行った場合に、測定誤差によって規格
値外の値を示す確率を求めることができる。但し、本実
施例では、規格値をaとした上で、測定値が規格値8以
上の場合を規格値内にあるとし、測定値が規格値8未満
の場合を規格値外にあるとしている。By the way, when the average value μ and variance σ2 of measured values are calculated from a large number of samples, it can be seen as μζχ, σ2 cape λ2. That is, N(μ, σ21N(χ, λ2)
Therefore, as described below,
Regarding the LSIs selected in the first characteristic test, 2
When a characteristic test is performed for the second time, the probability of a value outside the standard value due to measurement error can be determined. However, in this example, the standard value is set to a, and when the measured value is the standard value 8 or more, it is considered to be within the standard value, and when the measured value is less than the standard value 8, it is considered to be outside the standard value. .
まず、過去において製品完成後に行われた1回目の特性
試験の測定値のデータから測定値の平均値μ及び分散σ
2と、測定誤差の分散ξ2を求める0次に、電子計算機
を使用して、第4図に、そのフローチャートを示すプロ
グラムを実行する。First, from the data of the measured values of the first characteristic test conducted after the product was completed in the past, the average value μ and variance σ of the measured values are calculated.
2 and the variance ξ2 of the measurement error. Next, an electronic computer is used to execute a program whose flowchart is shown in FIG.
即ち、まず、変数Jについて、J=1とした後、確率密
度関数N(μ、σ2)を満たす正規乱数Xを発生させ、
これを配列S^(x)に格納する(ステップ1.2.3
)。That is, first, for variable J, after setting J = 1, a normal random number X that satisfies the probability density function N (μ, σ2) is generated,
Store this in the array S^(x) (step 1.2.3
).
次に、確率密度関数N(0、ξ2)を満たす正規乱数y
1を発生させ、これを配列5R(3/1)に格納する(
ステップ4.5)。Next, a normal random number y that satisfies the probability density function N (0, ξ2)
Generate 1 and store it in array 5R (3/1) (
Step 4.5).
次に再び、確率密度関数N(0、ξ2)を溝なす正規乱
数y2を発生させ、これを配列5C(3’2)に格納す
る(ステップ6.7)。Next, a normal random number y2 that forms the probability density function N (0, ξ2) is generated again, and this is stored in the array 5C (3'2) (step 6.7).
次に、正規乱数Xと正規乱数y1との加算値X+ylと
、規格値aとの大小関係を判断する(ステップ8)。Next, the magnitude relationship between the addition value X+yl of the normal random number X and the normal random number y1 and the standard value a is determined (step 8).
ここに、x+71≧aの場合(規格値内の値を示した場
合)には、PASSカウンタ(規格値内の値を示した回
数をカウントするためのカウンタ)に1を加算しくステ
ップ8.9)、続いて、正規乱数Xと正規乱数y2との
加算値x+y2と規格値aとの大小関係を判断する(ス
テップ10)。Here, if x+71≧a (indicates a value within the standard value), add 1 to the PASS counter (counter for counting the number of times the value within the standard value is shown). Step 8.9 ), then the magnitude relationship between the addition value x+y2 of the normal random number X and the normal random number y2 and the standard value a is determined (step 10).
ここに、X+371 <aの場合(規格値外の値を示し
た場合)には、FAILカウンタ(規格値外の値を示し
た回数をカウントするためのカウンタ)に1を加算した
後(ステップ11)、ステップ12に移行する。なお、
ステップ8において、X+yl<aと判断された場合及
びステップ10において、x+y2≧aと判断された場
合は、直ちにステップ12に移行する。Here, if X+371 <a (when a value outside the standard value is shown), 1 is added to the FAIL counter (a counter for counting the number of times the value outside the standard value is shown) (step 11). ), proceed to step 12. In addition,
If it is determined in step 8 that X+yl<a, and if it is determined that x+y2≧a in step 10, the process immediately proceeds to step 12.
以上のステップ2〜12の動作をJ = 300,00
0となるまで実行し、J=300,000となった場合
には、(FAILカウンタの値)÷(PASSカウンタ
の値)なる演算を行う(ステップ13)。The above steps 2 to 12 are performed for J = 300,00
The process is executed until it becomes 0, and when J=300,000, the following calculation is performed: (value of FAIL counter)÷(value of PASS counter) (step 13).
ここに、PASSカウンタには、300,000個のL
SIについて、1回目の特性試験を実行した場合に、規
格値内の値を示すであろうLSIの数がカウントされ、
FAILカウンタには、1回目の特性試験で規格値内の
値を示すであろうLSIについて、2回目の特性試験を
実行した場合において、測定誤差によって規格値外の値
を示すであろうLSIの数がカウントされるので、この
演算によって、1回目の特性試験において選別したLS
Iについて、2回目の特性試験を行った場合に、測定誤
差によって規格値外の値を示す確率を求めることができ
る。Here, the PASS counter contains 300,000 L.
For SI, when the first characteristic test is performed, the number of LSIs that will show a value within the standard value is counted,
The FAIL counter indicates the number of LSIs that will show a value within the standard value in the first characteristic test, but will show a value outside the standard value due to measurement error when the second characteristic test is performed. Since the number is counted, by this calculation, the LS selected in the first characteristic test
For I, when a second characteristic test is performed, the probability of a value outside the standard value due to measurement error can be determined.
そこで、本実施例においては、次に述べるような良否判
定プロセスを実行する。Therefore, in this embodiment, a pass/fail determination process as described below is executed.
即ち、製品完成後、まず、1回目の特性試験を行い、こ
の1回目の特性試験において規格値内の値を示したLS
Iを選別する0次に、この選別したLSIにストレス、
例えば、熱的ストレスを与え、その後、2回目の特性試
験を行う。In other words, after the product is completed, first a first characteristic test is conducted, and if the LS shows a value within the standard value in this first characteristic test,
Next, the selected LSI is subjected to stress,
For example, thermal stress is applied, and then a second characteristic test is performed.
ここに、全てのLSIが規格値内の値を示した場合は、
これら全てのLSIを良品と判定する。Here, if all LSIs show values within the standard values,
All of these LSIs are determined to be non-defective products.
また、規格値外の値を示したLSIがある場合には、各
場合について、次のように良否を判定する。Further, if there is an LSI that shows a value outside the standard value, the quality is determined in each case as follows.
即ち、2回目の特性試験で規格値外の値を示したLSI
中、許容値内の値を示したLSIの数が前記確率から推
測できる数似下のときは、許容値内の値を示したLSI
と、規格値内の値を示したLSIとを良品と判定する。In other words, LSIs that showed values outside the standard values in the second characteristic test
medium, when the number of LSIs that showed values within the allowable value is similar to or less than the number that can be estimated from the above probability, the LSIs that showed values within the allowable value
, and an LSI that shows a value within the standard value is determined to be a good product.
また、2回目の特性試験で規格値外の値を示したLSI
中、許容値内の値を示したLSIの数が前記確率から推
測できる数を越えるときは、許容値内の値を示したLS
I中、規格値との差が小さいものから順に前記確率から
推測できる数才でのLSIと、規格値内の値を示したL
SIとを良品と判定する。In addition, LSIs that showed values outside the standard values in the second characteristic test
If the number of LSIs showing values within the allowable value exceeds the number that can be estimated from the above probability, the LSI showing a value within the allowable value
In I, the LSI at several years of age that can be estimated from the above probability in descending order of the difference from the standard value, and the LSI that shows the value within the standard value.
SI is determined to be a good product.
かかる本実施例によれば、1回目の特性試験において選
別したLSIにストレスを与えた後、2回目の特性試験
を行った場合において、規格値外の値を示したLSIが
ある場合においても、これ以上の特性試験を行うことな
く、良否の判定を行うことができるので、良否判定プロ
セスに要する時間の短縮化を図ることができる。According to this embodiment, even if there is an LSI that shows a value outside the standard value when a second characteristic test is performed after applying stress to the LSIs selected in the first characteristic test, Since the pass/fail determination can be made without performing any further characteristic tests, the time required for the pass/fail determination process can be shortened.
[発明の効果]
以上のように、本発明によれば、1回目の特性試験にお
いて選別したLSIにストレスを与えた後、2回目の特
性試験を行った場合において、規格値外の値を示したL
SIがある場合においても、これ以上の特性試験を行う
ことなく、良否の判定を行うことができるので、良否判
定プロセスに要する時間の短縮化を図ることができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, when a second characteristic test is performed after applying stress to the LSI selected in the first characteristic test, the LSI exhibits a value outside the standard value. L
Even if there is SI, it is possible to determine pass/fail without performing any further characteristic tests, so the time required for the pass/fail determination process can be shortened.
第1図は測定値の確率密度関数N(μ、σ2)を示す図
、
第2図は真の値の確率密度関数N(χ、λ2)を示す図
、
第3図は測定誤差の確率密度関数N(0、ξ2)を示す
図、
第4図は本発明の一実施例において、1回目の特性試験
において選別したLSIについて2回目の特性試験を行
った場合に、測定誤差によって規格値外の値を示す確率
を求めるプログラムを示すフローチャートである。
μ
測定値の確率密度関数N(μ、σ2)
第1図
真の値の確率密度関数N(χ。
第2図
λ2)
測定誤差の確率密度関数N(0゜
第3図
ξ2)Figure 1 shows the probability density function N (μ, σ2) of measured values, Figure 2 shows the probability density function N (χ, λ2) of true values, and Figure 3 shows the probability density of measurement errors. Figure 4 is a diagram showing the function N(0, ξ2). In one embodiment of the present invention, when a second characteristic test is performed on LSIs selected in the first characteristic test, the results are shown in Figure 4. 2 is a flowchart illustrating a program for determining the probability that the value of . μ Probability density function of measured value N (μ, σ2) Figure 1 Probability density function of true value N (χ. Figure 2 λ2) Probability density function of measurement error N (0° Figure 3 ξ2)
Claims (1)
験を行い、該1回目の特性試験において規格値内の値を
示した半導体集積回路装置を選別し、該選別した半導体
集積回路装置にストレスを与えた後、再び、特性試験を
行い、その結果によって良否の判定を行う半導体集積回
路装置の良否判定方法において、 前記1回目の特性試験において選別した半導体集積回路
装置について、2回目の特性試験を行った場合に、測定
誤差によって規格値外の値を示す確率を過去のデータか
ら予め算出しておき、実際に前記2回目の特性試験を行
った場合において、規格値外の値を示した半導体集積回
路装置がある場合、 該規格値外の値を示した半導体集積回路装置中、許容値
内の値を示した半導体集積回路装置の数が前記確率から
推測できる数以下のときは、前記許容値内の値を示した
半導体集積回路装置と規格値内の値を示した半導体集積
回路装置とを良品と判定し、 前記許容値内の値を示した半導体集積回路装置の数が前
記確率から推測できる数を越えるときは、前記許容値内
の値を示した半導体集積回路装置中、規格値との差が小
さいものから順に前記確率から推測できる数までの半導
体集積回路装置と規格値内の値を示した半導体集積回路
装置とを良品と判定することを特徴とする半導体集積回
路装置の良否判定方法。[Scope of Claims] A first characteristic test is performed on a plurality of semiconductor integrated circuit devices, and semiconductor integrated circuit devices that exhibit values within standard values in the first characteristic test are selected, and the selected semiconductor integrated circuit devices are In a method for determining the quality of a semiconductor integrated circuit device, in which a characteristic test is performed again after stress is applied to the circuit device, and the quality is determined based on the result, the semiconductor integrated circuit devices selected in the first characteristic test are: If the second characteristic test is performed, the probability of a value outside the standard value due to measurement error is calculated in advance from past data, and when the second characteristic test is actually performed, the probability of a value outside the standard value being If there is a semiconductor integrated circuit device that showed a value outside the standard value, the number of semiconductor integrated circuit devices that showed a value within the allowable value is less than or equal to the number that can be estimated from the above probability. In this case, the semiconductor integrated circuit device that showed a value within the above-mentioned tolerance value and the semiconductor integrated circuit device that showed a value within the standard value are determined to be non-defective products, and the semiconductor integrated circuit device that showed a value within the above-mentioned tolerance value If the number exceeds the number that can be estimated from the above probability, among the semiconductor integrated circuit devices that showed a value within the above tolerance value, select the semiconductor integrated circuit devices that have the smallest difference from the standard value up to the number that can be estimated from the above probability. A method for determining the quality of a semiconductor integrated circuit device, characterized in that a semiconductor integrated circuit device exhibiting a value within a standard value is determined to be a non-defective product.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2102598A JPH042142A (en) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Quality judgement of semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2102598A JPH042142A (en) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Quality judgement of semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH042142A true JPH042142A (en) | 1992-01-07 |
Family
ID=14331677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2102598A Pending JPH042142A (en) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Quality judgement of semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH042142A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9259994B2 (en) | 2011-11-25 | 2016-02-16 | Pilkington Group Limited | Automotive glazing |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP2102598A patent/JPH042142A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9259994B2 (en) | 2011-11-25 | 2016-02-16 | Pilkington Group Limited | Automotive glazing |
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