JPH04173996A - 絶縁性高透磁率合金の製造方法 - Google Patents
絶縁性高透磁率合金の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高透磁率合金を変圧器などの鉄心として高周
波交流で使用する際の絶縁を施された高透磁率合金とそ
の製造方法に関する。
波交流で使用する際の絶縁を施された高透磁率合金とそ
の製造方法に関する。
（従来の技術）
高透磁率合金を変圧器などの鉄心として高周波交流で使
用する際、渦電流損失を減じ、実効透磁率の低下を防ぐ
目的から１合金を薄板とし、その層間を絶縁する必要が
ある。
用する際、渦電流損失を減じ、実効透磁率の低下を防ぐ
目的から１合金を薄板とし、その層間を絶縁する必要が
ある。
高透磁率合金の絶縁法として１例えば、筆塗り。
あるいは電気泳動法などにより合金板上にＭｇＯ膜を作
り、水素気流中で焼鈍して高透磁串性を与え９次にラッ
カーなどで層間絶縁を施す。巻鉄心の如く、焼鈍後その
まま巻線し鉄心とする場合は。
り、水素気流中で焼鈍して高透磁串性を与え９次にラッ
カーなどで層間絶縁を施す。巻鉄心の如く、焼鈍後その
まま巻線し鉄心とする場合は。
焼鈍時の粘着防止に用いたＭｇＯ膜が鉄心の層間絶縁を
兼ねるが、焼鈍後鉄心の重み重ねを行う打抜鉄心の場合
は、さらに有機絶縁体の塗布、あるいは酸化絶縁を施し
ている。
兼ねるが、焼鈍後鉄心の重み重ねを行う打抜鉄心の場合
は、さらに有機絶縁体の塗布、あるいは酸化絶縁を施し
ている。
（発明が解決しようとする課題）
これら従来法において、筆塗りや電気泳動法などによる
ＭｇＯ皮膜の作成、および有機絶縁体の塗布等において
は、その塗布膜が厚い（したがって、極めて薄い塗布膜
の実現が困難なため、鉄心の占積率が悪い）という欠点
を有している。
ＭｇＯ皮膜の作成、および有機絶縁体の塗布等において
は、その塗布膜が厚い（したがって、極めて薄い塗布膜
の実現が困難なため、鉄心の占積率が悪い）という欠点
を有している。
また、高透磁率合金に酸化絶縁を施したとじても２透磁
率が極めて高くなると酸化歪により透磁率の劣化が現わ
れ、使用に限度があるという欠点を有する。
率が極めて高くなると酸化歪により透磁率の劣化が現わ
れ、使用に限度があるという欠点を有する。
そこで９本発明の技術的課題は、簡便な方法で。
絶縁材料として可能な薄い酸化物皮膜を有する高透磁率
合金、およびその製造方法を提供することにある。
合金、およびその製造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明者は、チタンの電解析出によって得られる酸化チ
タン薄膜は、ち密で密着性もよく、耐熱。
タン薄膜は、ち密で密着性もよく、耐熱。
および絶縁性も優れているので、高透磁率合金の絶縁に
は極めて適当であると考えた。
は極めて適当であると考えた。
更に、チタンは水溶液を溶媒とする水溶液電解法では電
析し難く、良好な結果が得られていないため１本発明者
は、めっき液の溶媒に有機溶媒を使用した有機電解めっ
き法によるチタンの電解析出法によって得られる酸化チ
タンによる高透磁率合金の絶縁法を考えたものである。
析し難く、良好な結果が得られていないため１本発明者
は、めっき液の溶媒に有機溶媒を使用した有機電解めっ
き法によるチタンの電解析出法によって得られる酸化チ
タンによる高透磁率合金の絶縁法を考えたものである。
本発明によれば、酸化チタン皮膜を有することを特徴と
する絶縁性高透磁率合金が得られる。
する絶縁性高透磁率合金が得られる。
本発明によれば、チタン金属塩とこれを可溶化する有機
溶媒とを含むことを特徴とするめっき液が得られる。
溶媒とを含むことを特徴とするめっき液が得られる。
本発明によれば、前記めっき液から、高透磁率合金から
なる基体に酸化チタン皮膜を形成することを特徴とする
絶縁性高透磁合金の製造方法が得られる。
なる基体に酸化チタン皮膜を形成することを特徴とする
絶縁性高透磁合金の製造方法が得られる。
ここで２本発明において使用されるチタン金属塩として
は、ＴｉＣＪ７３．ＴｉＣΩ４．に２ＴｉＦ６．（ＮＨ
４）２ＴｉＦ６などの塩類を用いることができる。
は、ＴｉＣＪ７３．ＴｉＣΩ４．に２ＴｉＦ６．（ＮＨ
４）２ＴｉＦ６などの塩類を用いることができる。
しかし、一般に金属を非水溶媒系のめっき浴から電析さ
せる場合には、水分の混入は好ましくなく、またチタン
はその電子配置からｄ軌道の電子の不足度が高いので、
酸素の電子と共有結合してオキシアニンになりやすく、
この酸素の電子をｄ軌道から取り去るのが難しい。した
がって、電解浴中には酸素を完全に除去した状態で電解
を行うことが好ましいため、チタン金属塩は、無水の化
合物を使用するのが好ましい。上記のチタン金属塩は、
比較的その無水物を得やすいため使用することができる
。
せる場合には、水分の混入は好ましくなく、またチタン
はその電子配置からｄ軌道の電子の不足度が高いので、
酸素の電子と共有結合してオキシアニンになりやすく、
この酸素の電子をｄ軌道から取り去るのが難しい。した
がって、電解浴中には酸素を完全に除去した状態で電解
を行うことが好ましいため、チタン金属塩は、無水の化
合物を使用するのが好ましい。上記のチタン金属塩は、
比較的その無水物を得やすいため使用することができる
。
本発明において、前述のチタン金属塩を溶解する有機溶
媒としては、誘電率の高い有機溶媒を使用するのが好ま
しい。有機溶媒の誘電率が高い溶媒の使用が適している
理由としては １）各種チタンの金属塩の溶解度が高い２）高電流密度
での電解が可能 であるからである。
媒としては、誘電率の高い有機溶媒を使用するのが好ま
しい。有機溶媒の誘電率が高い溶媒の使用が適している
理由としては １）各種チタンの金属塩の溶解度が高い２）高電流密度
での電解が可能 であるからである。
また、このようなチタンの電解析出法によって得られる
酸化チタンは、電解析出されるチタンが非常に微細であ
るため、常温空気中で容易に酸化チタンとなりうる。更
に、高温加熱により、その密着性を向上させることが可
能である。
酸化チタンは、電解析出されるチタンが非常に微細であ
るため、常温空気中で容易に酸化チタンとなりうる。更
に、高温加熱により、その密着性を向上させることが可
能である。
このような本発明のめっき法を利用すれば、水溶液電解
めっき不可能であったチタンをめっき法により容易に電
析でき、その電解析出法によって得られた酸化チタンを
高透磁率合金表面に得ることによって、高透磁率合金の
絶縁が可能である。
めっき不可能であったチタンをめっき法により容易に電
析でき、その電解析出法によって得られた酸化チタンを
高透磁率合金表面に得ることによって、高透磁率合金の
絶縁が可能である。
（実施例）
以下１本発明の実施例について説明する。
チタン金属塩としてＴ Ｌ ＣＤ ３１ Ｔ ｉＣｊｌ
４＋に２ Ｔ ｉ Ｆｂ ｒ （ＮＨ４） ２ Ｔ
ｉ Ｆｂのいずれも無水物を用い、有機溶媒としてホ
ルムアミド、アセトアミド、ジメチルホルムアミドを窒
素下減圧蒸留して精製したものを用いた。
４＋に２ Ｔ ｉ Ｆｂ ｒ （ＮＨ４） ２ Ｔ
ｉ Ｆｂのいずれも無水物を用い、有機溶媒としてホ
ルムアミド、アセトアミド、ジメチルホルムアミドを窒
素下減圧蒸留して精製したものを用いた。
これらの化合物を第１表に示すように所定量混合し、め
っき浴とした。また、電解容器は密閉式のものを用いた
。
っき浴とした。また、電解容器は密閉式のものを用いた
。
陽極には白金板を使用し、陰極には試料としてＭｏパー
マロイ、および強圧延磁気異方性５０％Ｎｉパーマロイ
を選んだ。Ｍｏパーマロイは打抜き後清浄して第１表記
載の電解液中でチタンの電解析出を行い、常温で乾燥し
て酸化チタン薄膜となし１次に水素中で１０５０℃で３
ｈｒ磁気焼鈍を行った。５０％Ｎｉパーマロイは酸化チ
タン薄膜生成後巻鉄心に成形し、水素中で１０５０℃で
焼鈍し、そのまま巻胴線を施した。
マロイ、および強圧延磁気異方性５０％Ｎｉパーマロイ
を選んだ。Ｍｏパーマロイは打抜き後清浄して第１表記
載の電解液中でチタンの電解析出を行い、常温で乾燥し
て酸化チタン薄膜となし１次に水素中で１０５０℃で３
ｈｒ磁気焼鈍を行った。５０％Ｎｉパーマロイは酸化チ
タン薄膜生成後巻鉄心に成形し、水素中で１０５０℃で
焼鈍し、そのまま巻胴線を施した。
以 下 余 白
第２表に、各周波数におけるインダクタンスの値を示す
。表において、第３欄の「５４枚インダクタンス」と記
しであるのは焼鈍後黒ラッカーの吹き付は塗装によって
層間絶縁を施したもので。
。表において、第３欄の「５４枚インダクタンス」と記
しであるのは焼鈍後黒ラッカーの吹き付は塗装によって
層間絶縁を施したもので。
占積率が悪く２５４枚しか打抜板を積み重ね得なかった
。比較のため、６１枚積み重ねた場合の値に換算したイ
ンダクタンス値を第４欄に「６１枚換算インダクタンス
」と示した。表より実用打抜鉄心においては透磁率の差
異は認められず、酸化チタン絶縁のものは占積率かより
高く、従って高いインダクタンスを得ることができた。
。比較のため、６１枚積み重ねた場合の値に換算したイ
ンダクタンス値を第４欄に「６１枚換算インダクタンス
」と示した。表より実用打抜鉄心においては透磁率の差
異は認められず、酸化チタン絶縁のものは占積率かより
高く、従って高いインダクタンスを得ることができた。
以 下 余 白
（発明の効果）
以上、説明したように本発明によれば、チタンの電解析
出によって得られる酸化チタン皮膜による絶縁は、従来
の絶縁法に比べて、薄い絶縁性薄膜の生成が可能で、占
積率の向上、および皮膜の生成法の簡便化が図れる高透
磁率合金及びその製造方法を提供することができる。
出によって得られる酸化チタン皮膜による絶縁は、従来
の絶縁法に比べて、薄い絶縁性薄膜の生成が可能で、占
積率の向上、および皮膜の生成法の簡便化が図れる高透
磁率合金及びその製造方法を提供することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸化チタン皮膜を有することを特徴とする絶縁性高
透磁率合金。 ２、チタン金属塩とこれを可溶化する有機溶媒とを含む
ことを特徴とするめっき液。 ３、第２請求項記載のめっき液から、高透磁率合金から
なる基体に酸化チタン皮膜を形成することを特徴とする
絶縁性高透磁合金の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02297211A JP3089428B2 (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 絶縁性高透磁率合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02297211A JP3089428B2 (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 絶縁性高透磁率合金の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04173996A true JPH04173996A (ja) | 1992-06-22 |
| JP3089428B2 JP3089428B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=17843621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02297211A Expired - Fee Related JP3089428B2 (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 絶縁性高透磁率合金の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3089428B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008231516A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Toyota Motor Corp | 金属酸化物薄膜、コンデンサ、水素分離膜−電解質膜接合体および燃料電池の製造方法 |
| WO2017159324A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 住友電気工業株式会社 | 導電性材料及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP02297211A patent/JP3089428B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008231516A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Toyota Motor Corp | 金属酸化物薄膜、コンデンサ、水素分離膜−電解質膜接合体および燃料電池の製造方法 |
| WO2017159324A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 住友電気工業株式会社 | 導電性材料及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3089428B2 (ja) | 2000-09-18 |
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