JPH04172458A - Multilayer resist - Google Patents
Multilayer resistInfo
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- JPH04172458A JPH04172458A JP30047090A JP30047090A JPH04172458A JP H04172458 A JPH04172458 A JP H04172458A JP 30047090 A JP30047090 A JP 30047090A JP 30047090 A JP30047090 A JP 30047090A JP H04172458 A JPH04172458 A JP H04172458A
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多層レジストに関し、特に、高反射率の材料か
らなる膜をバターニングする場合に用いて好適なもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a multilayer resist, and is particularly suitable for use in patterning a film made of a material with high reflectance.
従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置における金属配線
や金属電極は、主としてアルミニウムやアルミニウム合
金などの高反射率の金属により形成されている。Conventionally, metal wiring and metal electrodes in semiconductor devices such as ICs and LSIs have been mainly formed of metals with high reflectivity such as aluminum and aluminum alloys.
このような高反射率の金属の膜を用いて金属配線や金属
電極を形成する場合には、この金属膜のエツチング時の
マスクとして用いられるレジストパターンを形成するた
めの露光時に、金属膜の表面で著しい光の反射が生じる
。この結果、いわゆるハレーションが生してレジストパ
ターンの形状不良を招き、ひいては金属配線や金属電極
のノミターン欠陥を生じてしまうという問題があった。When forming metal wiring or metal electrodes using such a highly reflective metal film, the surface of the metal film is exposed during exposure to form a resist pattern used as a mask during etching of the metal film. Significant light reflection occurs. As a result, so-called halation occurs, causing defects in the shape of the resist pattern, which in turn causes chisel-turn defects in metal wiring and metal electrodes.
そこで、本発明の目的は、金属などの高反射率の材料か
らなる膜のエツチング時のマスクとして用いられるレジ
ストパターンを形成するための露光時に、下地表面によ
る光の反射によりツル−ジョンが生じるのを有効に防止
することができる多層レジストを提供することである。Therefore, an object of the present invention is to prevent tulsion from occurring due to the reflection of light from the underlying surface during exposure to form a resist pattern used as a mask during etching of a film made of a material with high reflectance such as metal. An object of the present invention is to provide a multilayer resist that can effectively prevent the above.
上記課題を解決するために、本発明の多層レジストは、
吸光剤を含有する第１のレジストと、上記第１のレジス
ト上に形成された第２のレジストとを有する。In order to solve the above problems, the multilayer resist of the present invention
It has a first resist containing a light absorbing agent and a second resist formed on the first resist.
上述のように構成された本発明の多層レジストによれば
、下地が高反射率であっても、露光を行った場合の下地
表面による反射光は吸光剤を含有する第１のレジストに
より吸収される結果、下地表面による光の反射を有効に
防止することができる。このため、ハレーションを効果
的に防止することができることから、所期の形状のレジ
ストパターンを形成することができる。そして、このレ
ジストパターンをマスクとして下地材料をエツチングす
ることにより、所期の形状のパターンを形成することが
できる。According to the multilayer resist of the present invention configured as described above, even if the base has a high reflectance, the light reflected by the base surface when exposed to light is absorbed by the first resist containing a light absorbing agent. As a result, reflection of light on the underlying surface can be effectively prevented. Therefore, since halation can be effectively prevented, a resist pattern having a desired shape can be formed. Then, by etching the underlying material using this resist pattern as a mask, a pattern with a desired shape can be formed.
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図に示すように、この実施例においては、図示省略
した絶縁膜で表面が覆われた半導体基板１上に下層パタ
ーン２を形成した後、この下層パターン２を覆うように
層間絶縁膜３を形成する。As shown in FIG. 1, in this embodiment, after a lower layer pattern 2 is formed on a semiconductor substrate 1 whose surface is covered with an insulating film (not shown), an interlayer insulating film 3 is formed to cover the lower layer pattern 2. form.
次に、この眉間絶縁膜３上に例えば金属配線又は金属電
極形成用の材料として、例えばアルミニウム膜やアルミ
ニウム合金膜のような金属膜４を形成する。Next, a metal film 4 such as an aluminum film or an aluminum alloy film is formed on this glabellar insulating film 3 as a material for forming metal wiring or metal electrodes, for example.
次に、この金属膜４上に、まず、吸光剤を含有する第１
のレジスト５を塗布した後、この第１のレジスト５上に
第２のレジスト６を塗布する。ここで、第１のレジスト
５は、後述のように露光用の光が金属膜４の表面で反則
されることにより生じる反射光を十分に吸収することが
できるような厚さに選ばれる。この場合、第１のレジス
ト５の厚さは、第２のレジスト６の厚さよりも小さく選
ばれる。具体的には、第１のレジスト５の厚さは例えば
ｌ０００Ａ〜Ｒｕｍ、標準的には２０００〜５０００人
程度であり、第２のレジスト６の厚さは例えば１μｍ程
度である。Next, a first film containing a light absorbing agent is placed on the metal film 4.
After coating the resist 5, a second resist 6 is coated on the first resist 5. Here, the first resist 5 is selected to have a thickness that can sufficiently absorb reflected light caused by exposure light being reflected on the surface of the metal film 4, as will be described later. In this case, the thickness of the first resist 5 is selected to be smaller than the thickness of the second resist 6. Specifically, the thickness of the first resist 5 is, for example, 1000A to Rum, typically about 2000 to 5000, and the thickness of the second resist 6 is, for example, about 1 μm.
第２のレジスト６としては、例えば、ノボラック樹脂に
感光剤としてナフトキノンジアジドを含有させたものを
用いることができる。また、第１のレジスト５としては
、例えば、第２のレジスト６０例としで挙げた上記レジ
ストに吸光剤を含有させたものを用いることができる。As the second resist 6, for example, a novolac resin containing naphthoquinonediazide as a photosensitizer can be used. Further, as the first resist 5, for example, the resist mentioned above as 60 examples of the second resist containing a light absorbing agent can be used.
この吸光剤の例を第２図〜第５図に示す。ここで、第２
図に示す吸光剤（４−クロロ−４′−ジエチルアミノア
ゾベンゼン）又は第３図に示す吸光剤（４−ヒドロキシ
−４′−ジメチルアミノアゾベンゼン）を用いる場合、
その濃度は例えば３重量％程度とする。また、第４図に
示す吸光剤又は第５図に示す吸光剤を用いる場合、その
濃度は例えば５重量％程度とする。なお、第１のレジス
ト５には吸光剤を含有させることから、これによる感度
の低下を防止するため、この第１のレジスト５の感光剤
の濃度は第２のレジスト６に比べて高くするのが好まし
い。Examples of this light absorbing agent are shown in FIGS. 2 to 5. Here, the second
When using the light absorbent shown in the figure (4-chloro-4'-diethylaminoazobenzene) or the light absorbent shown in Figure 3 (4-hydroxy-4'-dimethylaminoazobenzene),
The concentration is, for example, about 3% by weight. Further, when using the light absorbing agent shown in FIG. 4 or the light absorbing agent shown in FIG. 5, the concentration thereof is, for example, about 5% by weight. Note that since the first resist 5 contains a light-absorbing agent, the concentration of the photosensitizing agent in the first resist 5 is made higher than that in the second resist 6 in order to prevent a decrease in sensitivity due to this. is preferred.
上述のようにして金属膜４上に吸光剤を含有する第１の
レジスト５及び第２のレジスト６からなる２層レジスト
を形成した後、この２層レジストを露光する。この場合
、露光用の光が金属膜４の表面で反射されることにより
生しる反射光は、吸光剤を含有する第１のレジスト５に
より吸収される。このため、第２のレジスト６は、この
反射光によってはほとんど露光されない。また、この反
射光による第１のレジスト５の実効的な露光量も低い。After forming a two-layer resist consisting of the first resist 5 and the second resist 6 containing a light-absorbing agent on the metal film 4 as described above, this two-layer resist is exposed to light. In this case, the reflected light generated by the exposure light being reflected on the surface of the metal film 4 is absorbed by the first resist 5 containing a light absorbing agent. Therefore, the second resist 6 is hardly exposed to this reflected light. Further, the effective exposure amount of the first resist 5 due to this reflected light is also low.
この結果、ハレーションを有効に防止することができる
。As a result, halation can be effectively prevented.
次に、第１のレジスト５及び第２のレジスト６を現像し
てレジストパターン（図示せず）を形成した後、このレ
ジストパターンをマスクとして金属膜４をエツチングす
ることにより、目的とする金属配線又は金属電極を形成
する。Next, after developing the first resist 5 and the second resist 6 to form a resist pattern (not shown), the metal film 4 is etched using this resist pattern as a mask, thereby forming the desired metal wiring. Or form a metal electrode.
以上のように、この実施例によれば、金属膜４のエツチ
ング時のマスクとして用いられるレジストパターンを形
成するためのレジストとして、吸光剤を含有する第１の
レジスト５及び第２のレジスト６からなる２層レジスト
を用いているので、吸光剤を含有する第１のレジスト５
の働きにより金属膜４の表面での光の反射を有効に防止
することができ、従ってハレーションを防止することが
できる。このため、所期の形状のレジストパターンを形
成することができることから、このレジストパターンを
マスクとして金属膜４をエツチングすることにより形成
される金属配線又は金属電極は所期の形状となり、パタ
ーン欠陥が生じることはない。As described above, according to this embodiment, the first resist 5 and the second resist 6 containing a light absorbing agent are used as resists for forming a resist pattern used as a mask when etching the metal film 4. Since a two-layer resist is used, the first resist 5 containing a light absorbing agent
By this function, reflection of light on the surface of the metal film 4 can be effectively prevented, and therefore, halation can be prevented. Therefore, since a resist pattern with a desired shape can be formed, the metal wiring or metal electrode formed by etching the metal film 4 using this resist pattern as a mask will have the desired shape, and no pattern defects will occur. It will never occur.
以上、本発明を一実施例につき具体的に説明したが、本
発明は上述の実施例に限定されるものではなく、上述の
実施例は本発明の技術的思想に基づく各種の有効な変形
が可能である。Although the present invention has been specifically described above with reference to one embodiment, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and the above-mentioned embodiment can be modified in various effective ways based on the technical idea of the present invention. It is possible.
例えば、上述の実施例においては、金属膜４をバターニ
ングする場合について説明したが、本発明は、金属膜４
以外の各種の高反射率の材料からなる膜をバターニング
する場合に適用することが可能である。また、本発明は
、３層以上のレジストに適用することも可能である。For example, in the above-mentioned embodiment, the case where the metal film 4 is buttered is described, but the present invention
It can be applied to the case of patterning films made of various materials with high reflectance other than those described above. Further, the present invention can also be applied to resists having three or more layers.
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、吸光剤を含有す
る第１のレジストにより下地表面による露光用の光の反
射を有効に防止することができる１このため、ハレーシ
ョンを防止することができるので、高反射率の材料から
なる膜を所期の形状にバターニングすることができる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, reflection of exposure light by the underlying surface can be effectively prevented by the first resist containing a light absorbing agent.1 Therefore, halation can be prevented. Since this can be prevented, a film made of a material with high reflectance can be patterned into a desired shape.
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を説明するための断面図、第２図〜第５図は第１のレジ
ストが含有する吸光剤の例の構造式を示す図である。
なお、図面に用いた符号において、
１− 半導体基板
４− 金属膜
５−−−− 第１のレジスト
６−−−− 第２のレジスト
である。FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 5 are diagrams showing structural formulas of examples of light absorbing agents contained in the first resist. be. In addition, in the reference numerals used in the drawings, 1 - semiconductor substrate 4 - metal film 5 ---- first resist 6 ---- second resist.
Claims (1)
有する多層レジスト。Claims: A multilayer resist comprising a first resist containing a light absorbing agent and a second resist formed on the first resist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30047090A JPH04172458A (en) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | Multilayer resist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30047090A JPH04172458A (en) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | Multilayer resist |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04172458A true JPH04172458A (en) | 1992-06-19 |
Family
ID=17885182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30047090A Pending JPH04172458A (en) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | Multilayer resist |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04172458A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014875A (en) * | 2009-06-03 | 2011-01-20 | Canon Inc | Method for manufacturing structure |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP30047090A patent/JPH04172458A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014875A (en) * | 2009-06-03 | 2011-01-20 | Canon Inc | Method for manufacturing structure |
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